TWI286244B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

1286244 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲有關液晶顯示裝置及電子機器’特別係有關 於反射模式與透過模式之兩者進行顯示之半透過反射型之 液晶顯示裝置中，取得高對比，寬視野角之顯示技術。 【先前技術】 傳統上，以兼具反射模式與透過模式之半透過反射形 鲁 液晶顯示裝置，來做爲液晶顯示裝置乃爲眾所週知。做爲 如此之半透過反射形液晶顯示裝置，係揭示著於上基板與 下基板之間’挟持液晶層之同時，譬如於錦％之金屬Θ旲將 形成光透過用窗部之反射膜，具備於下基板之面內，將此 反射膜做爲半透過反射板而加以功能化。此種情況，於反 射模式上，從上基板側入射的光，於通過液晶層之後，於 下基板之面內之反射膜反射，再通過液晶層後由上基板側 射出，而助於顯示。另外，於透過模式中，由下基板側入 ® 射之背光的光，由反射膜窗部通過液晶層之後，由上基板 側射出於外部，有助於顯示。 因此，於反射膜之形成領域中，窗部所形成之領域成 爲透過顯示領域，而其他領域則成爲反射領域。 然而，於傳統之半透過反射型液晶顯示裝置上，具有 著於透過顯示之視野角較爲小之課題存在。此爲於不希望 產生視差液晶單元之內面’設置著半透過反射板之關係， 且具有僅於具備觀察者側之1片偏光板需進行反射顯示之 -5 - (2) 1286244 限制，此爲光學設計自由度較爲小之緣故。 於是爲了解決此課題，Jisaki們於以下之非專利文獻 1之中，已揭示使用垂直配向液晶之新半透過反射型液晶 顯示裝置。其特徵具有以下3點。 (1 ) 採用將介電異方性爲負之液晶對於基板使其配向 於垂直，並藉由施加電壓而將此倒下的「VA (垂直 配向）模式」。 (2 ) 採用透過顯示領域，與反射顯示領域之液晶層（# 單元間隔）爲不同之「多層間隔構造」（關於此點’ 譬如參考專利文獻1 )。 (3 ) 將透過顯示領域作爲正八角形，於此領域內，以 使液晶倒向於所有方向的方式，而於對向基板上之透 過領域之中央處設置突起點。亦既，採用「配向分割 構造」。 [專利文獻]特開平1 1 -242226號公報 [非專利文獻]“Development of transflective LCD for hight contrast and wide viewing angle by using homeotropic alignmeny” ， M.Jiaski e t al. ， Asia

Display/IDW’Ol，P.1 3 3 - 1 3 6 ( 200 1 ) 然而，於Jis aki們之論文之中，係於透過顯示領域之 中，將液晶分子之傾斜方向使用設置於中央之突起而加以 控制。爲了構成如此之構造，製造程序有必要多一次，故 成本將爲提高。然而，當不控制液晶分子之傾斜方向既能 傾斜於無順序之方向時，於不同之液晶配向領域間之邊境 -6 _ (3) 1286244 ’將呈現所謂向錯之不連續線條，而成爲產生殘像等之原 因。同時，液晶之各配向領域由於具有不同之視角特性， 故當從傾斜方向觀察時亦會產生看起來爲粗糙狀之斑點問 題。 本發明係爲了解決上述之課題而發明之，於半透過反 射型液晶顯示裝置之中，可控制殘影或粗糙狀之班點等之 不良顯示，更提供可顯示寬視野角之液晶顯示裝置，而作 爲目的。另外，於進行反射顯示領域之中，亦提供可控制 鲁 液晶傾斜方向之便利且最適當之方法，而於反射顯示及透 過顯示之兩者之中，將提供一種顯示均勻且視角寬廣之液 晶顯示裝置作爲目的。 【發明內容】 爲了達成上述之目的，本發明之液晶顯示裝置，乃於 一對基板間挾持液晶層，於1個點領域內設置進行透過顯 示之透過顯示領域，和進行反射顯示之反射顯示領域之液 鲁 晶顯示裝置；其特徵係前述液晶層，係由初期配向狀態呈 現垂直配向之介電異方性爲負的液晶所形成，於前述反射 顯示領域，具備散亂反射光之光散亂賦予手段，另外，於 前述透過顯不領域係於則述液晶層之挟持面，具備賦予凹 凸形狀之挾持面凹凸形狀賦予手段；前述光散亂賦予手段 ，和前述挾持面凹凸形狀賦予手段係以相同構件所構成。 本發明之液晶顯示裝置，係於半透過反射型液晶顯示 裝置，組合垂直配向模式之液晶，尤其係發現出用以控制 -7- (4) 1286244 於垂直配向模式液晶之施加電場時之配向方向之構造。於 採用垂直配向模式時，一般而言，雖然係採用負型液晶， 但是於初期配向狀態上’液晶分子對基板面豎立爲垂直， 藉由施加電場而傾斜，若不下任何工夫（不施予預傾斜角 )’將無法控制液晶分子之傾斜方向，而將產生配向之散 亂（向錯），導致漏光等之顯示不良，形成降低顯示品質 。故。當採用垂直配向模式時，施加電場時之液晶分子配 向方向之控制成爲重要因素。 春 於是，於本發明之液晶顯示裝置之中，尤其係有關透 過顯示領域，於液晶層之挾持面由於賦予凹凸形狀，故液 晶分子於初期狀態呈現垂直配向，且將具有因應於此凹凸 形狀之預傾斜角。結果，可控制或制定液晶分子之傾斜方 向，不易產生配向之散亂（向錯），可避免漏光等之顯示 不良，亦可控制殘影或網狀之斑點等之顯示不良，更可提 供視野角寬廣之液晶顯示裝置。 另外，於透過顯示領域之液晶層挾持面，賦予凹凸形 ® 狀之手段由於係與反射顯示領域之光散亂賦予手段之相同 構件所構成，故無須另外設置構件來做爲挾持面凹凸形狀 賦予手段，可簡便賦予其凹凸形狀，進而削減製造成本。 換言之，當藉由本發明時，藉由散亂賦予所產生良好 之反射顯示之同時，以賦予該光散亂手段相同構件，於透 過顯示領域之液晶層挾持面賦予凹凸形狀，可提供具備寬 視野角之顯示特性之液晶顯示裝置。 又，前述光散亂賦予手段，與前述挾持面凹凸形狀賦 -8- (5) (5)1286244 予手段，譬如可以相同層所構成，更以相同之製造製程形 成前述光散亂賦予手段，與前述挾持面凹凸形狀賦予手段 ，能夠更提高製造效率。 再者，本發明之液晶顯示裝置，做爲不同之形態，係 以於一對基板間挾持液晶層，於一個點領域內，設置進行 透過顯示之透過顯示領域，與進行反射顯示之反射顯示領 域之液晶顯示裝置，其特徵係前述液晶層，由初期配向狀 態呈現垂直配向之介電異方性爲負的液晶所形成，於前述 反射顯示領域及前述透過顯示領域，形成以各特定之圖案 構成之樹脂層，該樹脂層，於前述反射顯示領域之中，係 將反射光做爲散亂之光散亂賦予手段而加以具備，另外， 於前述透過顯示領域之中，於前述液晶層之挾持面，做爲 賦予凹凸形狀之挾持面凹凸形狀賦予手段而加以具備。此 種情況，亦與上述相同，將樹脂層以相同之製造製程形成 爲特定圖案，此於各反射顯示領域及透過顯示領域之中， 可作成光散亂賦予手段及挾持面凹凸形狀賦予手段。 同時，以包含上基板與下基板來做爲一對基板，於前 述下基板之與液晶層相反側，設置透過顯示用之背光之同 時，於該下基板之液晶層側，設置僅於前述反射顯示領域 選擇性形成之反射膜，於前述反射顯示領域，做爲光散亂 賦予手段，係可於前述反射膜，形成用以賦予凹凸形狀之 凹凸賦予層。此種情況，乃藉由反射膜之凹凸形狀，有效 散亂反射光，另外，於透過顯示領域上，液晶分子之傾斜 方向乃基於該凹凸賦予層而加以控制。 -9- (6) 1286244 再者，於前述反射顯示領域之中，仿效所形成於前述 反射膜之凹凸形狀，於該反射顯示領域之液晶層挾持面， 賦予凹凸形狀，該凹凸形狀，係可爲具備對前述垂直配向 之液晶分子基於電場變化所傾斜之方向作規定之構造。此 種情況，於反射顯示領域之中，液晶層挾持面之凹凸形狀 由於係倣效於反射膜所形成之散亂用凹凸形狀而形成，故 於該反射顯示領域之中，亦無須另外設置賦予凹凸形狀之 手段。亦既，於反射膜藉由形成散亂用凹凸，使得可適當 # 散亂反射光，於防止映入之周時，仿效此凹凸形狀，於液 晶層挾持面作成賦予凹凸形狀，故於製造上頗爲便利。因 此，藉由散亂用凹凸所產生良好反射顯示之同時，基於該 凹凸形狀，可用簡便之構造獲得反射顯示領域之寬廣視野 角特性，且，即使就透過顯示領域中，亦作成與賦予散亂 用凹凸手段相同層，或是相同構件，或者以相同製程構成 之凹凸形狀賦予手段，於液晶層挾持面形成凹凸形狀，故 可提供於反射與透過兩者顯示優質顯示特性之液晶顯示裝 β 置。 於本發明之中，賦予於液晶層挾持面之凹凸形狀，可 作成具備制定垂直配向之液晶分子的傾斜方向之構造，此 種情況，垂直配向之液晶分子對特定方向能夠規律性傾斜 。因此’不易產生液晶分子之配向散亂（向錯），而可避 免漏光等之顯示不良，將可提供一種顯示特性高之液晶顯 不裝置。又’做爲制定液晶分子之傾斜方向的構成，具體 而言，係可採用將凹凸形狀之表面，對液晶分子之垂直配 -10- (7) 1286244 向方向傾斜特定之角度的構成。 同時，於本發明之中，賦予前述反射膜之凹凸形狀， 與形成於前述透過顯示領域之凹凸形狀，係可藉由相同凹 凸形狀賦予層而形成。如此，賦予於各顯示領域之凹凸形 狀，若藉由相同凹凸形狀賦予層而形成時，於製造工程上 ，可以用1個工程而在各領域之中賦予凹凸形狀。又，此 種情況，凹凸形狀賦予層只要是形成於下基板之液晶層側 整體者即可。 φ 同時，於本發明之中，賦予前述反射膜之凹凸形狀， 與形成於前述透過顯示領域之凹凸形狀，係可用相同之製 造製程而形成。亦即，不限於相同之凹凸形狀賦予層，譬 如，藉由不同之凹凸形狀賦予層（譬如，不同構造材料等 )而賦予凹凸形狀的情況，藉由將於液晶層挾持面賦予凹 凸之加工等以相同製造製程而進行，於各領域之中，可簡 便賦予凹凸形狀。 做爲於上述反射膜賦予凹凸形狀之手段，譬如可採用 ® 於前述下基板之液晶層側表面賦予凹凸形狀，而該下基板 之凹凸形狀亦形成於前述透過顯示領域之中，藉由下基板 之凹凸形狀，使得於前述透過顯示領域之液晶層挾持面賦 予凹凸形狀者。如此，藉由對下基板，使其橫跨反射顯示 領域與透過顯示領域之兩者而賦予凹凸形狀，於仿效此形 狀而於反射膜賦予散亂用凹凸之同時，亦於透過顯示領域 及/或反射顯示領域之液晶層挾持面賦予凹凸形狀’可藉 由更簡便之構造而改善顯示特性，對製造上亦非常簡便。 -11 - (8) 1286244 另外，做爲於上述反射膜賦予凹凸形狀之手段，譬如 可採用於前述下基板與前述反射膜之間，形成具有凹凸形 狀之樹脂層，該樹脂層亦形成於則述透過顯不領域之中’ 並藉由樹脂層之凹凸形狀而於前述透過顯示領域之液晶層 挾持面作成賦予凹凸形狀。如此，藉由於下基層之液晶層 側形成樹脂層，對該樹脂層係橫跨反射顯示領域與透過顯 示領域之兩者，而形成凹凸形狀，於仿效此形狀於反射膜 賦予散亂用凹凸之同時，亦於透過顯示領域及/或反射顯 I 示領域之液晶層挾持面賦予凹凸形狀，可藉由更簡便之構 造而改善顯示特性，對製造上亦非常簡便。 形成於前述透過顯示領域之凹凸形狀，其段差高度最 好係爲〇 · 5 μ m〜1 . Ο μ m。段差大小相較於0.0 5 μ m較小時， 有無法制定液晶分子傾斜方向之情況，且段差大小相較於 1.0 μιη較大時，於段差凸部與凹部，有液晶層之相位差距 過大而破壞顯示特性之情況。此段差高度最好爲〇·〇7μιη 〜0·2μηι程度，此種情況可提供更好之顯示品質。 ® 另外，形成於前述透過顯示領域之凹凸形狀係具有傾 斜面所構成，其最大傾斜角度最好爲2 °〜2 0 °。所謂此種情 況之傾斜角，乃爲基板與凹凸形狀之傾斜面之夾角，對凹 凸形狀具有曲線面時，係指接觸於曲表面之面與基板所成 夾角。此情況最大傾斜角若未滿2°時，制定液晶分子之傾 斜方向較爲困難，相對，若最大傾斜角大於20°時，則具 有從此部分產生漏光等而降低對比等之瑕疵情況發生。再 者’亦可採用：於前述一對基板之中其中一方基板面內側 -12- (9) (9)1286244 ，係以形成凸狀部來做爲前述挾持面凹凸形狀賦予手段， 更於內面側，於該凸狀部上以具備開口而形成電極所成者 。此時，由於凸狀部之面內側不存在電極，故藉由該凸狀 部使得液晶之傾斜方向與磁力線方向將傾斜於反方向，故 液晶傾斜方向容易定向，而可進行更穩定之液晶分子之配 向制定。又，可將如此之凸狀部形成於彩色濾光片，當然 ，藉由於該彩色濾光片之凸狀部上設置電極開口部，將可 更穩定液晶配向制定。 其次，本發明之電子機器，其特徵乃具備上述記載之 液晶顯示裝置。藉由如此之電子機器時，將可控制殘影或 網狀之斑點等之顯示不良，更可提供具備視野角寬顯示特 性佳之顯示部之電子機器。 【實施方式】 [第1實施形態] 以下，茲參照圖面說明本發明之第1實施形態。 本實施形態之液晶顯示裝置，係以使用薄膜電晶體（ 以下稱之爲TFT )來做爲開關元件之主動矩陣型之液晶顯 示裝置例子。 圖1爲表示配置於構成本實施形態之液晶顯示裝置之 畫像顯示領域的矩陣狀複數點之等價電路圖，圖2爲表示 TFT陣列基板之相鄰接之複數點構造的平面圖，圖3爲表 示液晶裝置之構造之平面圖（上段）及剖面圖（下段）。 又，於以下各圖之中，各層或各構件爲了於圖面上做最大 -13- (10) 1286244 之可辨識程度，故於各層或各構件使縮小比例不同。 本實施形態之液晶顯不裝置之中，如圖1所示，在被 配置爲構成畫像顯示領域之矩陣狀的複數點，各形成畫素 電極 9，與做爲用以控制該畫素電極 9之開關元件的 TFT3 0，被供給畫像信號之資料線6a係電性連接於該 TFT3〇之源極。寫入於資料線 6a之畫像信號 S1， S2........Sn，係依序供給於線順序，或是對相鄰之複數資 料線6 a，供給於各群組。同時，掃描線3 a係電性連接於 鲁 TFT30之閘極，對複數掃描線 3a，掃描信號 G1， G2……Gm係依序被脈衝性施加於特定之時序。同時，晝 素電極9係電性連接於TFT30之汲極，藉由僅將身爲開關 元件之TFT30於一定時間導通，使得從資料線6a所供給 之畫像信號SI，S2…Sn於特定之時序中寫入。 藉由畫素電極9寫入於液晶之特定準位之畫像信號 SI，S2 .····Sn，係在與後述之共通電極之間於一定期間被 保持。液晶係藉由依所施加之電壓準位而改變分子集合之 ® 配向或順序，來調變光進而可顯示灰階。於此，爲了防止 所保持之畫像信號產生漏電，故和被形成於畫素電極9與 共通電極之間之液晶容量並列地，附加積蓄電容70。又， 符號3b爲電容線。 其次，藉由圖2說明有關構成本實施形態之液晶裝置 之TFT陣列基板平面構造。 如圖2所示，於TFT陣列基板上，複數矩形狀之畫素 電極9 (藉由點線部9 A表示輪廓）係設置成矩陣狀，各 -14- (11) 1286244 沿著畫素電極9之縱橫之邊界設置著資料線6 a，掃描線 3 a及電谷線3 b。於本貫施形悲中，被形成有配置成包圍 各畫素電極9及各畫素電極9之資料線6 a，掃描線3 a， 容量線3 b的領域內側，係爲一個點領域，而成爲於配置 成矩陣狀之各點領域可進行顯示之構造。 資料線6乃經由接觸孔5，而電性連接於構成τ F T 3 0 之譬如由聚矽膜所形成之半導體層i a之中的後述之源極 領域，畫素電極9係經由接觸孔8而電性連接於半導體層 · 1 a中之後述的汲極領域。同時，於半導體1 &之中，以對 向於通道領域（圖中左上之斜線領域）的方式而配置掃描 線3 a，掃描線3 a係以對向於通道領域之部分做爲閘極電 極而加以功能化。 容量線3b係具有沿著掃描線3a而延伸爲略直線狀之 本線部（亦既，平面視之，沿著掃描線3 a所形成之第！ 領域），和從與資料線6a交叉處沿著資料線6a，突出於 前段側（圖中上方向）之突出部（亦即，從平面視之，沿鲁 著資料線6a而延伸設置的第2區域）。且，圖2中，以 右上之斜線所示之領域，設置有複數之第1遮光領域〗i a ο 更具體而言，第1遮光膜1 1 a係各個被設置於將包含 半導體la通道領域之TFT30，從TFT陣列基板側視之時 加以覆蓋的位置，更具有對向於電容線3b之本線部而沿 著掃描線3 a直線狀延伸之本線部，和從與資料線6 a正交 處沿著資料線6a突出於鄰接之後段側（亦即，圖中下方 -15- (12) 1286244 )的矢出邰。於第1遮光膜u a之各段（畫素行）之下方 突出部之頭端，係於資料線6a下之中，與下一段之電容 線3b之上方突出部頭端重疊。 於此重疊處，係被設置有將第〗遮光膜na和電容線 3b相互電性連接之接觸孔13。亦即，於本實施形態中， 第1遮光膜1 1 a係藉由接觸孔〗3而電性連接於前段或後 段之電容線3b。 又，如圖2所示，於i個點領域內係被形成有反射膜鲁 2〇 ’而被形成有此反射膜20之領域爲反射顯示領域r， 未形成反射膜20之領域，亦即反射膜2()之開口部內 爲透過顯不領域T。 其次’藉由圖3說明有關本實施形態之液晶顯示裝置 的平面構造及剖面構造。圖3 ( a )爲表示於本實施形態之 液晶顯示裝置所具備之彩色濾光片層之平面構造模式圖， 而圖3 ( b )爲表示於圖3 ( a )之平面圖中，對應於紅色 之著色層部分之剖面模式圖。 ^ 本實施形態之液晶顯示裝置，如圖2所示，具有於以 資料線6 a，掃描線3 a，容量線3 b等所包圍領域之內側， 具備畫素電極9而成之點領域。於此點領域內，如圖3 ( a )所示，對應於一個點領域配置3原色中之一個著色層， 於3個點領域（Dl，D2，D3 )係形成有包含各著色層 22B (藍色），22G (綠色），22R (綠色）之畫素。 另外，如圖3 ( b )所示，本實施形態之液晶顯示裝置 ’係於TFT陣列基板1 0與對向配置於此之對向基板25之 -16- (13) (13)1286244 間，將由介電率異方性爲負的液晶材料所形成之液晶層5 〇 ，以垂直配向之初期配向狀態而挾持著。T F Τ陣列基板1 〇 ，乃成爲於由石英，玻璃等之透光性材料所形成之基板主 體1 Ο Α之表面，將由鋁，銀等之反射率較爲高之金屬膜所 形成之反射膜2 0，隔著絕緣膜2 4而部分性形成之構造。 如上述所言，反射膜20之形成領域爲反射顯示領域R， 而反射膜20之非形成領域，亦即，反射膜20之開口部2 1 內爲透過顯示領域T。如此本實施形態之液晶顯示裝置， 爲具備垂直配向型之液晶層5 0之垂直配向型液晶顯示裝 置，而爲可反射顯示及透過顯示之半透過反射型之液晶顯 妇士 不裝置。 形成於基板主體1 0A上之絕緣膜24，係於其表面具 備凹凸形狀24a，仿效其凹凸形狀24a而反射膜20之表面 具有凹凸部。藉由如此之凹凸使得反射光散亂。故可防止 從外部之射入，進而可獲得廣視野角之顯示。且，於反射 膜20上，於對應於反射顯示領域R位置形成絕緣膜26。 亦即，以位於反射膜20之上方的方式，選擇性形成絕緣 膜26，伴隨該絕緣膜26之形成，使得液晶層50之層厚於 反射顯示領域R與透過顯示領域T係爲不同。絕緣膜26 譬如由膜厚爲2〜3 μιη程度之丙烯酸樹脂等有機膜所形成， 於反射顯示領域R與透過顯示領域Τ之邊境附近之中，具 有具備用以使本身層厚連續性變化之傾斜面26a之傾斜領 域。未存在絕緣膜26部分之液晶層50之厚度爲4〜6μιη程 度’而於反射顯不領域R之液晶層50厚度，爲透過顯示 -17- (14) 1286244 領域T之液晶層5 0厚度的約一半。 如此絕緣膜2 6係做爲藉由本身膜厚而使反射顯示領 域R與透過顯示領域Τ之液晶層5 0之層厚相異的液晶層 厚控制層而功能化者。同時，基板主體1 0 Α之表面與絕緣 膜26之傾斜面26a所成夾角約爲5°〜50°左右。本實施形 態之情況，絕緣膜26a上部平坦面之邊緣，與反射膜20 ( 反射顯示領域）之邊緣約略爲相同，絕緣膜26之傾斜領 域則包含於透過顯示領域T。 · 且，於包含於絕緣膜26表面之TFT陣列基板10之表 面，形成著由銦錫氧化物（以下稱之爲ITO)等透明導電 膜所形成之畫素電極9，及由聚亞胺等所形成之配向膜27 。又，於本實施形態上，雖然個別設置反射膜20與畫素 電極9而堆積，但是，於反射膜顯示領域R之中，亦可將 由金屬膜所形成之反射膜做爲畫素電極而加以使用。 另外，於透過顯示領域T之中，於基板主體1 Ο A上形 成與反射顯示領域R相同層之絕緣膜24，並於其表面具 ® 備凹凸形狀24a而構成。且，於此透過領域T上，未形成 反射膜20及絕緣膜26，而於絕緣膜24上，形成具備仿效 其表面形狀之凹凸形狀之畫素電極9，及由聚亞胺等所形 成之配向膜27。因此，於透過顯示領域T之中，於液晶 層5 0之挾持面賦予凹凸形狀，液晶分子沿著該凹凸形狀 而配向。具體而言，形成於挾持面之凹凸形狀，對基板主 體1 〇 A之平面，具備傾斜特定角度之傾斜面，沿著其傾斜 面，垂直配向之液晶分子之基於電場變化而傾斜的方向將 -18- (15) 1286244 被規定。於此，形成於透過顯示領域T液晶層5 0之挾持 面之凹凸形狀，其段差高度爲0·05μιη〜Ι.Ομπι左右，其最 大傾斜角爲2°〜2〇°左右。此時所謂傾斜角，係基板本體 1 Ο Α與凹凸形狀之傾斜面之夾角，凹凸形狀具有曲表面時 ，乃指銜接於曲表面之面與基板本體1 Ο A所成夾角角度。 同時，絕緣膜24係於反射顯示領域R與透過顯示領 域T之中，以相同樹脂構件所構成，藉由相同製程所形成 之。具體而言，可藉由將樹脂光阻圖案化，並於其上部塗 · 佈多一層之樹脂層而獲得。且，於圖案化之樹脂光阻施加 熱處理而調整形狀亦可。此絕緣膜24之凹凸形狀，其段 差高度爲〇·1μηι〜Ι.ΐμπι左右，其最大傾斜角爲5°〜25°左右 ，藉由於其上部形成畫素電極9及配向膜27，液晶層挾持 面之凹凸形狀將能具備如上述之段差及最大傾斜角。 另外，對向基板25側，係具備於由玻璃基板或石英 等透光性材料所形成之基板主體25Α上（基板主體25Α 之液晶層側），設置有彩色濾光片22 (於圖3 ( b)爲紅 β 色著色層22R )之構造。於此，著色層22R之周圍被黑矩 陣Β Μ所包圍，藉由黑矩陣Β Μ而形成各點領域D1，D 2 ，D 3之邊界。 且，於彩色濾光片層22之液晶層側，形成著由IT 〇 等之透明導電膜所形成之共通電極3 1，和由聚亞胺等所形 成之配向膜3 3。於此，於共通電極3 1，於反射顯示領域 R之中，形成間隙3 2。藉由形成於此共通電極之間隙，成 爲使得對基板平面（或是液晶分子之垂直配向方向）於傾 -19- (16) 1286244 斜方向施加電場時’液晶分子之傾斜方向被規定之構造。 另外，於TFT陣列基板1 〇及對向基板2 5之兩者之配 向膜27，33，皆進行垂直配向處理。更於TFT陣列基板 1 〇之外面側，形成相位差板1 8及偏光板1 9，亦於對向基 板2 5之外面側，形成相位差板1 6及偏光板1 7，於基板內 面側構成可入射圓偏光。做爲偏光板1 7 ( 1 9 )與相位差板 1 6 ( 1 8 )之構造，係可採用組合偏光板與λ /4相位差板之 圓偏光板，或是組合偏光板與λ /2相位差板與λ /4相位差 41 板之寬帶域圓偏光板，或是由偏光板與λ /2相位差板與λ /4相位差板與負的C平板（於膜厚方向具有光軸之相位差 板）所形成之視角補償板。又，於被形成在TFT陣列基板 1 〇之偏光板1 9之外側，設置著透過顯示用光源之背光1 5 〇 若藉由如此之本實施形態之液晶顯示裝置時，於反射 顯示領域R藉由設置絕緣膜26，使得反射顯示領域R之 液晶層50厚度可縮小爲透過顯示領域T之液晶層50厚度 β 約爲一半，故可將於反射顯示領域R之相差與透過顯示領 域Τ之相差作爲略爲相等，藉此可達成對比之改善。同時 ，於反射顯示領域R之中，由於在共通電極3 1形成間隙 3 2，故藉此產生之傾斜電場可制定液晶分子之傾斜方向， 且，於透過顯示領域Τ之中，仿效絕緣膜24之凹凸形狀 24a，可於液晶層50挾持面形成凹凸形狀，故於各顯示領 域施加電壓時，可控制液晶分子之傾斜方向，能夠獲得非 常寬廣之視野角。具體而言，於反射顯示上，可獲得120° -20- (17) 1286244 圓錐角1: 10以上之對比，而於透過顯示上，可獲得160。 圓錐角1 : 1 0以上之對比。 尤其，於本實施形態上，由於係利用將透過顯示領域 T之液晶層挾持面之凹凸形狀，賦予反射顯示領域R之散 亂用凹凸形狀之絕緣膜24而形成者，故無須增加多餘之 製造製程既可有效率製造。 於此，當電壓爲關狀態時，將從透過顯示領域T之凹 凸形狀傾斜面漏光之光量，對傾斜角0測定之結果示於圖鲁 9。於圖9之中橫軸爲傾斜角0，縱軸爲透過率（％ )， 將電壓開狀態之透過率設爲100% 。當傾斜角超過20°時 ，漏光將會增加，透過率超過5%對比將降爲低於1: 20 。另外，爲了在施加電壓時使液晶傾向於一方向，故有必 要爲至少2 °。 又，形成於液晶層5 0之挾持面之凹凸形狀，其縱向 剖面爲略爲左右對稱之形狀。具體而言，形成於透過顯示 領域T之凹凸形狀，由於構成爲圓錐梯形狀，故液晶分子 · 於傾斜時，將傾向於各方向，顯示面之上下左右皆可獲得 寬視野角。爲了獲得如此寬之視野角，凹凸形狀最好係以 圓錐狀或是橢圓錐狀，或多角錐狀，圓錐梯狀，橢圓梯狀 ’多角錐梯狀之凹部或凸部所構成之。 [第2實施形態] 以下，茲參考圖面而說明本發明之第2實施形態。 圖4爲表示針對本實施形態2之液晶顯示裝置，所示 -21 - (18) 1286244 平面圖及剖面圖，相當於第1實施形態之圖3之模式圖。 本實施形態之液晶顯示裝置之基本構造，係與第1實施形 態相同，賦予凹凸形狀之構造爲不同。因此，於圖4之中 ，對圖3之共同構造要素賦予相同符號，省略其詳細說明 〇 本實施形態之情況，如圖4所示，於反射顯示領域R 之中，做爲對反射膜20賦予散亂用凹凸形狀之賦予手段 ，未形成如圖3之絕緣膜24，而於基板主體1 0A之液晶 鲁 層側表面形成凹凸形狀28。亦即，反射膜20係直接形成 於基板主體10A正面，仿效該基板主體10A之表面形狀 ，做成具有散亂用之凹凸形狀之構造。 另外，基板主體10 A之凹凸形狀28亦形成於透過顯 示領域之中。 於該透過顯示領域T上，於基板主體1 0 A直接形成畫 素電極9及配向膜27，仿效於該基板主體10A之凹凸形 狀而於液晶層5 0之挾持面賦予凹凸形狀。 ® 如此之基板主體1 0 A之凹凸形狀2 8，可藉由磨砂（ frost)加工而形成，其段差最大高度爲〇·3μιη〜0.7μχη (譬 如〇.5μηι )，最大傾斜角爲 5°〜1 6° (譬如12° )程度。且 ，於透過顯示領域Τ之中，於上面形成畫素電極9及配向 膜27，而使液晶層50之挾持面之凹凸形狀，成爲具備段 差高度0.2μιη〜0·6μπι (譬如〇·4μπι)，最大傾斜角爲4。 〜14° (譬如1〇°)。 如此，藉由磨砂法使得於基板主體丨〇 Α賦予凹凸形狀 -22- (19) (19)1286244 28，藉由此等形成散亂用之凹凸形狀及液晶分子之配向控 制用之凹凸形狀之構造時，相較於圖3之構造，可以得到 :因爲沒有絕緣膜24之吸收故變爲明亮，且由於凹凸形 狀爲不規則故不會產生色干涉繃之優點。且，反射膜20 之凹凸形狀，段差高度及傾斜角較爲小，可提供粗糙程度 較爲少之光滑反射顯示。又，透過顯示領域T之液晶分子 係沿著形成於挾持面之凹凸形狀，而在施加電壓時，可控 制傾斜方向，因此可獲得非常廣之視野較角特性。 [第3實施形態] 以下，茲參考圖5而說明本發明之第3實施形態。 圖5爲表示第3實施形態之液晶顯示裝置之平面圖及 剖面圖，相當於第1實施形態之圖3之模式圖。本實施形 態之液晶顯示裝置之基本構造，由於係與第1實施形態相 同，僅在彩色濾光片層22形成於TFT陣列基板1 0側此點 ，係與圖3之第1實施形態不同。因此，於圖5之中，對 圖3之共同構造要素賦予相同符號，省略其詳細說明。 本實施形態之情況，係於反射顯示領域R之中，於基 板主體10A，形成具備凹凸形狀24a之絕緣膜24，反射膜 20，彩色濾光片層22，更經由用以調整液晶層厚之絕緣膜 26，形成畫素電極9及配向膜27。另外，於透過顯示領域 T之中，於基板主體10A上，形成具備凹凸形狀24a之絕 緣膜24，彩色濾光片層22，於其上部，形成畫素電極9 及配向膜27。 -23- (20) 1286244 此種情況’絕緣膜24之凹凸形狀24a之段差爲至少 需要0·9 μιη左右，最大傾斜角爲需要12。左右。此係因爲 於絕緣膜2 4上被被覆有約1 μιη厚之彩色濾光片層2 2與約 1 μηι厚之護膜層（未圖示），故就算是在將絕緣膜24之 段差高度設爲〇 · 9 μιη，最大傾斜角度設爲i 2。時，形成於 透過顯示領域T之液晶層5 0挾持面之段差高度亦會降低 爲爲0·05 μιη左右，最大傾斜角度降低爲 2°左右之故。若是段差高度與最大傾斜度變爲較此更小時 鲁 ，液晶分子基於電壓變化而控制傾斜方向之功能有可能顯 著降低。 如本實施形態，於TFT陣列基板1 〇側，設置彩色濾 光片層22之構造，在取代於TFT而於對向基板25側具備 TFD (薄膜二極體）元件的情況時，能夠簡化製造程序。 同時，當於TFT陣列基板10側具備TFD元件時，由於在 組立時不易產生偏差，故可獲得開口率高且明亮之顯示。 [第4實施形態] 以下，茲參考圖6而說明本發明之第4實施形態。 圖6爲表示第4實施形態之液晶顯示裝置之平面圖及 剖面圖，相當於第1實施形態之圖3模式圖。本實施形態 之液晶顯示裝置之基本構造’由於係與第1實施形態相同 ，僅於絕緣膜24之凹凸形狀（凹凸圖案）在反射顯示領 R與透過顯示領域T係爲相異此點，與圖3之第1實施形 態不同。因此，於圖6之中，對圖3之共同構造要素賦予 -24 - (21) (21)1286244 相同符號，省略其詳細說明。 於本實施形態上，於透過顯示領域T之絕緣膜24之 凹凸形狀，係構成相較於反射顯示領域R之絕緣膜24之 凹凸形狀較爲小。亦即，將於透過顯示領域T之絕緣膜 24之凹凸形狀之平面視佔有面積構成相對較爲小。 於此，透過顯不領域T之凹凸形狀，於液晶分子由於 賦予預傾斜角，故多少將降低透過率及對比。於是，如本 實施形態，藉由將在透過顯示領域T之絕緣膜24之凹凸 形狀之平面視佔有面積構成相對較爲小，譬如相較於第1 實施形態，可提昇透過率爲2 % ，對比爲7 % 。當然，於 透過顯示領域T之中，由於可控制液晶分子之傾斜方向， 故可獲得非常寬廣之視野角特性。又，此種情況，亦可將 各領域R，T之絕緣膜24之凹凸形狀，使用相同製造製程 而形成之。且’形成於透過顯示領域T之凹凸形狀，最好 係於該透過顯示領域T之中心部，設置凸設或凹設之平面 視之爲長方形狀之構造。 再者，此種情況，如圖1 1所示，對形成於基板主體 1 〇 A之內面側之畫素電極9，係對應於設置於透過顯示領 域T之凸狀絕緣膜（凸狀部）2 4上，而設置開口部，換 言之’於透過顯示領域T之絕緣膜24上，最好係作成未 存在畫素電極9之構造。 如圖1 2 ( a )模式性所示，若是如圖6 —般於凸狀之 絕緣膜24上形成畫素電極9，則由於液晶分子之傾斜方向 與電力線方向爲傾向相同側，故配向控制液晶分子之力變 -25- (22) (22)1286244 爲較小。但是，若是如圖1 1之構造所示一般於凸狀之絕 緣膜24上未形成畫素電極9時，則如圖1 2 ( b )模式性所 示，由於液晶分子傾斜方向與電力線方向爲傾斜於相反側 ，故液晶分子之傾斜方向易於定向，可進行更穩定之液晶 分子配向制定。且，此種情況，相較於僅設置凸狀部，或 僅設置電極間隙之情況，形成該凸狀部或電極間隙之領域 面積可較爲小，進而可獲得明亮顯示。 [第5實施形態] 以下，茲參考圖7而說明本發明之第5實施形態。 圖7爲表不第5實施形態之液晶顯τκ裝置之平面圖及 剖面圖，相當於第1實施形態之圖3模式圖。本實施形態 之液晶顯示裝置之基本構造，由於係與第1實施形態相同 ，僅在絕緣膜24之凹凸形狀係於反射顯示領域R之中亦 涉及至液晶層5 0之挾持面此點，係與圖3之第1實施形 態不同。因此，於圖7之中，對圖3之共同構造要素賦予 相同符號，省略其詳細說明。 於本實施形態上，於反射顯示領域R之中，係仿效絕 緣膜24之凹凸形狀24a，而不僅是在反射膜20上’連液 晶層50之挾持面亦作成賦予凹凸形狀之構造。具體而言 ，係將用以使液晶層厚於反射顯示領域R與透過顯示領域 T之中成爲相異之絕緣膜，以黏度較爲高之樹脂層29所 構成，其層厚係相較於第1實施形態之圖3構成爲更薄的 膜（譬如1/2左右）。 -26- (23) 1286244 藉由如此之構造，不僅透過顯示領域T，即使於反射 顯示領域R之中，亦可控制液晶分子之傾斜方向，於透過 顯示及反射顯示兩者之中，可獲得更廣之視野角特性。又 ，此種情況，絕緣膜24之凹凸形狀之段差高度爲至少需 要1 · 1 μπι，其最大傾斜角爲需要25 °程度。此係因爲，於 絕緣膜24上，由於形成有約1 ·5 μιη厚之樹脂層2 9，故就 算是將絕緣膜24之凹凸形狀段差高度設爲1.1 μηι，而最 大傾斜角設爲25°程度之情況，形成於液晶層50之挾持面 鲁 之段差高度亦會降低爲爲（Κίμιη，而最大傾斜角降低爲3° 左右之故。 於液晶層50之挾持面中，當確保有如此之段差高度 及最大傾斜角時，將可充分控制液晶分子之傾斜方向。另 外，若是將段差高度或是最大傾斜角變爲較此爲更低時， 則會有在對液晶分子之基於電壓變化而傾斜之方向作控制 的功能顯著降低之虞。 參 [第6實施形態] 以下，茲參考圖8而說明本發明之第6實施形態。 圖8爲表示第6實施形態之液晶顯示裝置之平面圖及 剖面圖，相當於第1實施形態之圖3。本實施形態之液晶 顯示裝置之基本構造，由於係與第1實施形態相同，僅在 未將光散亂用之凹凸形狀直接賦予於反射膜20之特徵上 ，係與第1實施形態之圖3不同。因此，於圖8之中’對 圖3之共同構造要素賦予相同符號，省略其詳細說明。 -27- (24) 1286244 於本實施形態上，係於TFT陣列基板1 0側之基板主 體10Α上，於反射顯示領域R之中，形成有反射膜20及 絕緣膜26，更進而於絕緣膜26上形成畫素電極9及配向 膜27，而於反射膜20未賦予散亂用之凹凸形狀。且，於 透過顯示領域Τ之中，於基板主體1 Ο Α上形成畫素電極9 及配向膜27，於TFT陣列基板10側之液晶層50挾持面 ，未賦予凹凸形狀。 另外，於對向基板25側之彩色濾光片層22上，做爲 鲁 用以散亂透過本身的光之光散亂賦予層，係形成有將平均 粒徑0·5μπι〜2·0μηι之樹脂球39a，39b，分散於不同折射 率之.樹脂黏合劑3 8內之層。於此，配置於透過顯示領域 T之樹脂球3 9b，係相對上以較低密度而加以塡充；配置 於反射顯示領域R之樹脂球3 9 a，係相對上以較高密度而 加以塡充。而，藉由此等樹脂球39a，39b之塡充，使得 於樹脂黏合劑3 8之表面，賦予凹凸形狀，更於樹脂黏合 劑3 8上部，形成共通電極3 1及配向膜3 3，仿效樹脂黏合 鲁 劑3 8表面形狀，於配向膜3 3之表面成爲賦予有凹凸形狀 〇 此種情況，於透過顯示領域T之中，由於樹脂球3 9b 之塡充密度較爲小，故在樹脂黏合劑3 8、以及液晶層5 0 之挾持面，可賦予具備比較和緩之傾斜面之凹凸形狀。另 外，於反射顯示領域R之中，由於樹脂球3 9a之塡充密度 較爲大，故於凹凸形狀之中，段差數目相對較多，可更提 高散亂功能。同時，於反射顯示領域R之中，被形成於對 -28 - (25) 1286244 向基板2 5之液晶層挾持面之凹凸形狀之段差高度，譬如 爲〇·15· μπι〜0·8μηι左右’最大傾斜角譬如爲5。〜；[3。左右， 於透過顯示領域Τ之中，形成於對向基板2 5之液晶層挾 持面之凹凸形狀之段差高度，譬如爲〇.2μ m〜1 μχη 左右， 最大傾斜角譬如爲3°〜8°左右。 藉由如此之構造，在能防止於反射顯示之映入，且可 提供廣視野角顯示之同時，透過顯示領域Τ之液晶分子當 然不用說，就算是反射顯示領域R之液晶分子，亦成爲可 鲁 對基於施加電壓而傾斜之方向作控制，進而可提供更寬視 野角顯示。且，當藉由如此之構造而具備有散亂功能時， 相較於賦予凹凸形狀於樹脂等之絕緣膜的情況，.將可減少 光微影工程，而亦成爲可以低價格來提供。 [第7實施形態] 以下，茲參考圖1 3而說明本發明之第7實施形態。 圖1 3爲表示第7實施形態之液晶顯示裝置之平面圖 · 及剖面圖，相當於第1實施形態之圖3模式圖。本實施形 態之液晶顯示裝置之基本構造，雖係與第1實施形態相同 ’但是在使用薄膜二極體（TFD )來做爲開關元件此特點 ’以及被形成有彩色濾光片層22之基板係爲相異的特點 上’係與第1實施形態不同。因此，於圖1 3之中，對圖3 之共同構造要素賦予相同符號，省略其詳細說明。 首先’於本實施形態上，係以使用薄膜二極體（TFD )來做爲如上所述之開關元件，於形成於觀察者側（上側 -29- (26) 1286244 )之基板主體25 0A側，形成畫素電極90，此等將構成 TF D陣列基板2 5 0。另外，於形成於背光i 5側之基板主體 1 0 0 A側，形成條紋狀之共通電極3 1 0，及反射膜2 0，此 等將構成對向基板100。 同時，即使於本實施形態上，亦係與第4實施形態相 同，絕緣膜2 4之凹凸形狀（凹凸圖案）於反射顯示領域 R與透過顯示領域T係爲相異，具體而言，於透過顯示領 域T之絕緣膜24之凹凸形狀，係構成相較於反射顯示領 修 域R之絕緣膜24之凹凸形狀較爲小。亦即，於透過顯示 領域T之絕緣膜24之凹凸形狀（於圖1 3上構成爲凸狀部 )之平面視佔有面積相對構成較爲小。於此，透過顯示領 域T之凹凸形狀，由於於液晶分子賦予預傾斜角，故多少 將降低透過率與對比。於是，如本實施形態，藉由將於透 過顯示領域T之絕緣膜24之凹凸形狀之平面視佔有面積 構成相對較爲小，譬如相較於第1實施形態，可提昇透過 率爲2% ，對比爲7% 。當然，於透過顯示領域T之中， 鲁 由於可控制液晶分子之傾斜方向，故可獲得非常寬廣之視 野角特性。又，此種情況，於各領域R，T之絕緣膜24之 凹凸形狀，亦可用相同製造製程而形成之。 另外，彩色濾光片層22係形成於基板主體100A側（ 具備反射膜20之基板側），於絕緣膜24之凸狀部上，係 形成以該彩色瀘光片層22所形成之凸狀部220。且，於本 實施形態上，對形成於基板主體1 00A內面側之條紋狀之 共通電極3 1 0，係對藉由彩色濾光片層22所形成之凸狀部 -30- (27) 1286244 2 Ο 0上’相對應而設置開口部，換言之，於透過顯示領域 Τ之彩色濾光片層22之凸狀部200上，作成選擇性地不 形成共通電極3 1 0之構造。此種情況，亦如圖1 2所示， 由於液晶分子之傾斜方向與電力線方向爲逆向傾斜，故液 晶傾斜方向易於定向，而可進行更穩定之液晶分子之配向 制定。 另外’於本實施形態上，各點D 1，D2，D3係分成略 相同形狀之複數（於圖1 3爲3個）之副點而加以構成之 擊 。換言之，上側之畫素電極90，係包含著將複數（於圖 13爲3個）之島狀90a，90b，90c與相鄰接之各島狀部相 互電性連接的連接部9 1、9 1而加以構成，各島狀90a， 90b ’ 90c係分別構成各副點。各副點（島狀部90a，90b ，90c )之形狀，雖然於圖13爲八角形狀，但是，並非限 定於此，譬如圓形狀或其他多角形狀者亦可。另外，於對 向基板1 〇〇側之基本主體1 00A側，於上述各副點（島狀 部90a，90b，90c)之中心附近，分別各形成電極開口部 鲁 32，凸狀部 220，220。 於此，凸狀部22〇係於反射顯示領域R之中，由於係 藉由與用以在反射顯示領域中賦予凹凸形狀所形成之絕緣 膜24以相同材料、相同製程來形成，因此係成爲於反射 顯示領域R未形成有凸狀部。但是，於該反射顯示領域R 上，由於相較於透過顯示領域T單元厚度（液晶層厚度） 較爲薄，而橫向電場較爲大，因此僅需於共通電極3 1 0設 置開口部，即可充分配向規定液晶分子。且，於本實施形 -31 - (28) 1286244 態上，於各副點之中心附近，形成電極開口部或是凸狀部 ，而各副點之液晶分子則將電極開口部或凸狀部設爲中心 ，而可放射狀傾斜於各方向。因此，廣視角非常廣，且可 貫現明売之顯不。同時。由於完全不會產生向錯現象。故 亦可得到反應速度加速之效果。 [電子機器] 其次，說明有關具備本發明之上述實施形態之液晶顯 隹 示裝置之具體電子機器之例子。 圖1 〇爲表不搶帶電話之其中一例的斜視圖。於圖1 〇 之中，符號1 0 0爲表示攜帶電話主體，符號1 〇 〇 1爲表示 使用上述液晶顯示裝置之顯示部。當於如此之攜帶電話之 電子機器顯示部，使用有上述實施形態之液晶顯示裝置時 ’不限於使用環境，而可實現具備明亮度，對比高，及寬 視野角之液晶顯示部。 且，本發明之技術範圍並非限於上述實施形態，只要 · 於不脫離本發明之涵義範圍之中皆可施加各種變更。例如 ’於上述實施形態上，雖然將TFT或是TFD做爲開關元 件之主動矩陣液晶顯示裝置，作爲適用本發明之例子，但 是於被動矩陣型液晶顯示裝置等，亦可適用本發明。其他 ’有關各種構成要素，大小，形狀等之具體記載，亦可適 當變更。 【圖式簡單說明】 -32- (29) 1286244 圖1爲本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置之等價 電路圖。 圖2爲表示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置之 點的構造平面圖。 圖3爲表示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置重 點平面模式圖及剖面圖。 圖4爲表示第2實施形態之液晶顯示裝置之重點平面 模式圖及剖面圖。 · 圖5爲表示第3實施形態之液晶顯示裝置之重點平面 模式圖及剖面圖。 圖6爲表示第4實施形態之液晶顯示裝置重點平面模 式圖及剖面圖。 圖7爲表示第5實施形態之液晶顯示裝置重點平面模 式圖及剖面圖。 圖8爲表示第6實施形態之液晶顯示裝置重點平面模 式圖及剖面_ ° · 圖9爲表示有關第1實施形態之液晶顯示裝置，對傾 斜角0畫出透過率之圖表。 圖10爲表示本發明之電子機器其中一例之斜視圖。 圖1 1爲針對第4實施形態之液晶顯示裝置之變形例 ’表示其重點之平面模式圖及剖面模式圖。 圖1 2爲表示圖〗丨之液晶顯示裝置之作用的說明圖。 圖1 3爲表示第7實施形態之液晶顯示裝置重點平面 模式圖及剖面圖。 -33- (30) 1286244 【符號說明】 9 .......................畫素電極 10 .....................TFT陣列基板 20.....................反射膜 22......................彩色濾光片層 2 4.....................絕緣膜（散亂用凹凸形狀賦予手段、 挾持面凹凸形狀賦予手段） · 2 5.....................對向基板 3 1.....................共通電極 5 0.....................液晶層 R.......................反射顯示領域 T........................透過顯不領域 D 1，D 2，D 3........點領域 • -34-

Claims (1)

1. 每8免4含修⑻正本 = ^- 拾、申請專利範圍 • 種丨仪晶顯不裝置’係於一對之基板間挾持液晶 層所成’於1個點領域內設置進行透過顯示之透過顯示領 域’和進行反射顯示之反射顯示領域之液晶顯示裝置； 其特徵係前述液晶層，係由初期配向狀態呈現垂直配 向之介電異方性爲負之液晶所形成，於前述反射顯示領域 ’係具備散亂反射光之光散亂付與手段，另外，於前述透 過顯示領域係於前述液晶層之挾持面，具備付與凹凸形狀鲁 之挾持面凹凸形狀付與手段； 前述光散亂付與手段，和前述挾持面凹凸形狀付與手 段係以相同構件所構成。 2 . —種液晶顯示裝置，係於一對之基板間挾持液晶 層所成’於1個點領域內設置進行透過顯示之透過顯示領 域，和進行反射顯示之反射顯示領域之液晶顯示裝置； 其特徵係前述液晶層，係由初期配向狀態呈現垂直配 向之介電異方性爲負之液晶所形成，於前述反射顯示領域 β ，係具備散亂反射光之光散亂付與手段，另外，於前述透 過顯示領域係於前述液晶層之挾持面，具備付與凹凸形狀 之挾持面凹凸形狀付與手段； 前述光散亂付與手段，和前述挾持面凹凸形狀付與手 段係以相同層所構成。 3. 一種液晶顯示裝置，係於一對之基板間挾持液晶 層所成，於1個點領域內設置進彳了透過顯不之透過顯示領 域，和進行反射顯示之反射顯示領域之液晶顯示裝置； -35- (2) 1286244 其特徵係前述液晶層，係由初期配向狀態呈現垂直配 向之介電異方性爲負之液晶所形成，於前述反射顯示領域 ，係具備散亂反射光之光散亂付與手段，另外，於前述透 過顯示領域係於前述液晶層之挾持面，具備付與凹凸形狀 之挾持面凹凸形狀付與手段； 前述光散亂付與手段，和前述挾持面凹凸形狀付與手 段係以相冋製造程序所構成。 4_ 一種液晶顯示裝置，係於一對之基板間挾持液晶 · 層所成’於1個點領域內設置進行透過顯示之透過顯示領 域，和進行反射顯示之反射顯示領域之液晶顯示裝置； 其特徵係前述液晶層，係由初期配向狀態呈現垂直配 向之介電異方性爲負之液晶所形成，於前述反射顯示領域 及前述透過顯示領域，各形成以特定之圖案所構成之樹脂 層； 該樹脂層係於前述反射顯示領域之中，具備散亂反射 光之光散亂付與手段，另外，於前述透過顯示領域之中，® 係於前述液晶層之挾持面，具備付與凹凸形狀之挾持面凹 凸形狀付與手段。 5 · 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中，形成於前述透過顯示領域之凹凸 狀’係具備對前述垂直配向之液晶分子基於電場變化所傾 斜方向作規定的構成。 6 · 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中，做爲前述一對之基板係包含上基 -36- (3) 1286244 板和下基板，與前述下基板之液晶層相反側，設置透過顯 示用背光之同時，於下基板之液晶層側，僅於前述反射顯 示領域設置選擇性形成之反射膜； 於前述反射顯示領域，做爲光散亂付與手段係於前述 反射膜形成付與凹凸形狀之凹凸付與層。 7. 如申請專利範圍第6項所記載之液晶顯示裝置， 其中，前述凹凸付與層係於前述透過顯示領域之中亦被形 成，於該透過顯示領域晶層之挾持面，做爲付與凹凸形狀 φ 之挾持面凹凸形狀付與手段而功能化。 8 · 如申請專利範圍第7項所記載之液晶顯示裝置， 其中’於前述反射顯示領域之中，係仿效形成於前述反射 膜之凹凸形狀，於該反射顯示領域之液晶層之挾持面，付 與凹凸形狀，該凹凸形狀係具備對前述垂直配向之液晶分 子基於電場變化所傾斜方向作規定之構造。 9· 如申請專利範圍第丨項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中，做爲前述光散亂付與手段係於前 φ 述下基板之液晶層側表面，付與凹凸形狀，該下基板之凹 凸形狀係於前述透過顯示領域中亦被形成，藉由其下基板 之凹凸形狀，於前述透過顯示領域之液晶層挾持面付與凹 凸形狀。 1〇*如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中，做爲前述光散亂付與手段係於前 述下基板和前述反射膜之間，形成具有凹凸形狀之樹脂層 ’該樹脂層係於前述透過顯示領域亦被形成，藉由其樹脂 -37- (4) 1286244 層之凹凸形狀，於前述透過顯示領域之液晶層挾持面付與 凹凸形狀。 11. 如申請專利範圍第1項至弟4項之任一項所s己載 之液晶顯示裝置，其中，形成於前述透過顯示領域之液晶 層挾持面之凹凸形狀，其段差高度爲〇.05〜 12. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中’形成於前述透過顯示領域之液晶 層挾持面之凹凸形狀，係具有傾斜面所構成’其最大傾斜 鲁 角爲2°〜20°。 13. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中，於前述一對基板之中之至少一方 基板內面側，係形成做爲前述挾持面凹凸形成狀付與手段 之凸狀部，和於該凸狀部上具備開口之電極而成。 14. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之液晶顯示裝置，其中，於前述一對基板之中之至少一方 基板內面側，形成彩色濾光片，該彩色濾光片具備特定之 ® 凸狀部’其彩色濾光片之凸狀部係做爲前述挾持面凹凸形 狀付與手段而功能化。 -38-