JP2015090814A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】バンクエッジの平面形状、すなわち、隣接する画素どうしの中心を結ぶ線分の方向（画素の方向）と、バンクエッジを形成する線分の方向が直交していると隣接画素に光漏れが発生する。
【解決手段】表示装置の画素の発光領域の形状、すなわち、バンク開口部のエッジの形状を次のようにする。バンクエッジにより形成される略線状の部分（線分）の方向が、最も近くに隣接する画素の方向に対して、直交しない（鋭角または鈍角の角度になる）ようにする。
【選択図】図４Ａ

Description

本開示は、表示装置に関し、例えば発光素子を有する表示装置に適用可能である。

有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode：ＯＬＥＤ）素子は、有機薄膜からなる発光層に正負の電荷を注入することにより電気エネルギーを光エネルギーに変換して発光する素子である。発光素子として有機発光ダイオード素子を備える発光型表示装置（以下、「ＯＬＥＤ表示装置」という。）は、液晶表示装置に代表される非発光型の表示装置とは異なり、自発光型であるためバックライトなどの補助光源が不要なことから薄型、軽量である。さらにＯＬＥＤ表示装置は視野角が広く、表示の応答速度が速いといった特徴を有する。

一方、ＯＬＥＤ表示装置では、例えば下部電極上に有機絶縁材料で形成した厚膜のバンク（下部電極の一部を露出する如く発光部（発光領域または発光エリアとも称する）を形成する堤状構造または隣接画素間の隔離構造）で各画素を構成する発光素子（発光層）の上記発光エリアを規定している。そして、このバンク及び下部電極上に発光層を形成し、さらにその上層を上部電極で覆った構造を持つ。下部電極と上部電極とは発光エリアの外周でバンクにより絶縁されている。ＯＬＥＤ表示装置の発光領域を画素間で隔てる絶縁膜（所謂バンク層）を原因として、或る画素で生じた光が、これに隣接する他の画素領域から迷光となって漏れ出ることがあり、膜厚が薄くテーパーの少ない無機の絶縁膜でバンクを形成することで隣接画素からの光漏れを防止することが開示されている（特開２００５−５２２７号公報（特許文献１））。

特開２００５−５２２７号公報

本願発明者らはバンクエッジの平面形状によって隣接画素から漏れる光の状況が変化することを見出した。
すなわち、特許文献１に開示されるようなバンクエッジの平面形状、すなわち、隣接する画素どうしの中心を結ぶ線分の方向と、バンクエッジを形成する線分の方向が直交していると光漏れがより多く発生する。

その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置の画素の発光領域の形状、すなわち、バンク開口部のエッジの形状を次のようにする。バンクエッジにより形成される略線状の部分（線分）の方向が、最も近くに隣接する画素の方向に対して、直交しない（鋭角または鈍角の角度になる）ようにする。

上記表示装置によれば、バンク形状に起因した光漏れが抑えられる。

実施例に係る表示装置の１画素付近の模式断面図である。 実施例に係る表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。 実施例に係る表示部を構成するアクティブマトリクスの等価回路図である。 実施例に係る表示部の部分平面図である。 変形例１に係る表示部の部分平面図である。 変形例２に係る表示部の部分平面図である。 変形例３に係る表示部の部分平面図である。 変形例４に係る表示部の部分平面図である。 比較例に係るＯＬＥＤ表示装置の概略構造を示す平面図である。 比較例に係る光漏れの状況を光学シミュレーションした結果を示した図である。 図７Ａのうちバンク開口形状を示した図である。 比較例に係るＯＬＥＤ表示装置の一部概略構造を示す断面模式図である。 実施例に係る光漏れ防止構造の概略構造を示す一部断面模式図である。 変形例１に係る光取出し構造の概略構造を示す一部断面模式図である。 バンク開口形状を示した図である。 バンク開口形状を示した図である。 バンク開口形状を示した図である。 バンク開口形状を示した図である。 バンク開口形状を示した図である。 バンク開口形状を示した図である。 バンク開口形状を示した図である。

以下、比較例、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。

＜本開示に先立って検討した技術＞
ＯＬＥＤ表示装置では一般に発光素子（有機発光ダイオード素子）を構成する下部電極の周縁部や非発光部を絶縁層（以下、バンクとも称する）で覆っており、バンクの開口部が発光領域に相当する。また、発光素子やバンクを含む表示部はその全面が透明な封止材で覆われ、さらにその上部には透明基板を配置して、それらの間隙を透明な充填剤で満たして固体封止している。

画素はマトリクス状に配置され、各画素の発光領域の形状は一般に矩形を基調とする形状であり、バンクは略矩形状の開口を有する略格子状に形成される。このような構造のＯＬＥＤ表示装置において、発光素子として白色発光の有機発光ダイオード素子を用い、発光素子の光取出し側に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３原色のカラーフィルター、もしくはＲＧＢに加え白色（Ｗ）のカラーフィルターを設けることでフルカラーの表示装置を実現することを検討した。

この様なＯＬＥＤ表示装置において、例えばＲの単色表示をしたとき、その色度が発光素子の発光スペクトルとＲのカラーフィルターの透過率から予想される値にならず、色純度が低くなるということが懸念される。原色（単色）の色純度の低下は表示装置の色再現範囲の縮小という懸念も生じる。

その原因を検討した結果、所望の色に対応した画素と異なる色であって、本来発光すべきではない画素の領域から光が漏れていることが判明した。解析の結果、非発光画素からの光漏れはバンクに起因したものであることが分かった。以下、本開示に先立って検討した技術（以下、比較例という。）における光漏れについて説明する。

図６は比較例に係るＯＬＥＤ表示装置の概略構造を示す平面図である。下部電極６２（以下、画素電極６２とも呼ぶ。）の形状は四角形状で、画素開口部（バンク開口部）６３の形状も四角形状で、画素開口部６３は画素電極よりも小さい。バンク６１は、画素開口部６３を除いて、画素電極６２等を覆っている。比較例では発光画素Ｐ_００に隣接する非発光画素から光が漏れるため、色純度の低下や表示のぼやけが生じていた。図６には光漏れ箇所６４が示されている。

図７Ａは比較例に係る光漏れの状況を光学シミュレーションした結果を示す図であり、縦横で５×５のサブピクセルが配置された領域において、中央のサブピクセルのみ発光させた場合の面内の輝度分布（等輝度線）を表示したものである。図７Ｂは、図７Ａのうちバンク開口形状を示した図である。発光画素Ｐ_００に、隣接する画素Ｐ_１０、Ｐ_０１、Ｐ_０−１、Ｐ_−１０のバンク開口部６２のエッジ（バンクエッジ）近傍から光漏れが生じていることがわかる。また、発光画素Ｐ_００の隣接する画素以外の画素Ｐ_２０、Ｐ_０２、Ｐ_−２０、Ｐ_０−２のバンクエッジ近傍からも光漏れが生じている。一方、発光画素Ｐ_００に対して、斜め右上方向に位置する画素Ｐ_１１、Ｐ_２２、Ｐ_２１、Ｐ_１２、斜め右下方向に位置する画素Ｐ_１−１、Ｐ_２−２、Ｐ_２−１、Ｐ_１−２、斜め左下方向に位置する画素Ｐ_−１―１、Ｐ_―２―２、Ｐ_―２―１、Ｐ_―１―２、斜め左上方向に位置する画素Ｐ_―１１、Ｐ_―２２、Ｐ_―２１、Ｐ_―１２、では光漏れが少ない。

図８はこの光漏れ現象の説明図であり、ＯＬＥＤ表示装置の一部概略構造を示す断面模式図である。図示のとおり、光漏れは主としてバンク６１の形状に倣って凸部となった封止材６００と充填材５００との界面での反射に起因する経路（第１の経路）８１と、封止材６００とバンク６１との界面での反射に起因する経路（第２の経路）８２で起こっており、いずれもバンク形状に起因するものである。

さらに本発明者は比較例の検討の結果、以下の知見を見出した。図７Ａに示されている通り、光漏れは、発光画素に対して上下の方向と左右の方向に並んでいる画素からの光漏れが大きい。つまり、発光画素に隣接する画素においてバンクエッジの形状が略線状となっている部分（以下、線分とも称する）の方向が発光画素の方向と略直交している領域で主に生じている。一方、発光画素に対して、斜め方向に位置する隣接画素では光漏れが小さい。

つまり、発光画素に隣接する非発光画素のうち、発光画素の方向に対してバンクエッジにより形成される線分の方向が４５°を中心とする角度（３０°〜６０°程度）で傾いている画素では光漏れがあまり生じない。換言すると、非発光画素の中心と発光画素の中心を結ぶ線分の方向と非発光画素のバンクエッジで形成される線分の方向との角度が４５°を中心とする角度（２７°〜６３°程度）で傾いている画素では光漏れがあまり生じない。例えば、非発光画素Ｐ_１１の中心と発光画素Ｐ_００の中心を結ぶ線分７１の方向と非発光画素Ｐ_１１のバンクエッジで形成される線分の方向との角度は、４５°程度である。非発光画素Ｐ_２１の中心と発光画素Ｐ_００の中心を結ぶ線分７２の方向と非発光画素Ｐ_２１のバンクエッジで形成される線分の方向との角度は、２７°または６３°程度である。非発光画素Ｐ_１２の中心と発光画素Ｐ_００の中心を結ぶ線分７３の方向と非発光画素Ｐ_１２のバンクエッジで形成される線分の方向との角度は、２７°または６３°程度である。
（１）画素の発光領域の形状、すなわち、バンク開口部のエッジの形状を以下の通り規定する。バンクエッジにより形成される略線状の部分（線分）の方向が、最も近くに隣接する２つの画素であり、且つ当該バンク開口部を有する画素を挟んで位置する２つの画素の方向に対して、直交しない（鋭角または鈍角の角度になるような）バンク開口部の形状とする。より望ましくはバンクのエッジが形成する線分の方向が、最も近くに隣接する画素の方向に対して２７°〜６３°（または１１７°〜１５３°）の角度となるようなバンク開口部の形状にする。具体的には画素の発光領域の形状、すなわち、バンク開口部のエッジの形状は最も近くで隣接する画素どうしでは、その頂角が互いに向き合う矩形を基調とした平面構造とする。
（２）構造（１）において、バンクエッジの形状が略線状である部分が互いに向き合っている画素間では、凹凸形状からなる光漏れ防止構造を形成する。この光漏れ防止構造は凹凸形状の輪郭部のうち略線状となっている部分はバンク開口部においてそのエッジにより形成される略線状の部分の方向と略平行となるように形成する。
（３）構造（１）において、画素の発光領域内に凹凸形状からなる光取出し構造を形成する。この光取出し構造は凹凸形状の輪郭部のうち略線状となっている部分は、バンク開口部においてそのエッジにより形成される略線状の部分の方向と略平行となるように形成する。

検討の結果、非発光画素からの光漏れは、光源、すなわち、発光画素の方向に対して、バンク開口部のエッジの方向、すなわちバンクエッジにより形成される略線状の部分（線分）の方向が直交している領域で主として生じていることを見出した。

また、発光画素に隣接する非発光画素のうち、発光画素の方向に対してバンクエッジにより形成される線分の方向が２７°〜６３°程度傾いている画素では光漏れがあまり生じないことを見出した。このため構造（１）を採用することで、もっとも近接する隣接画素では、隣の画素の方向に対し、バンクエッジにより形成される線分の方向は直交せず、傾くことになるため、バンク形状に起因した光漏れが抑えられる。

構造（１）の採用により、最も近接する隣接画素での光漏れは抑制できるが、バンクエッジにより形成される線分の方向が互いに平行となる画素どうしでは光漏れが発生する可能性がある。しかし、構造（２）を採用することで、バンクエッジにより形成される線分の方向が互いに平行となる隣接画素間においては、凹凸形状からなる光漏れ防止構造によって光の方向が変わり、ブラックマトリクスで吸収されるため、隣の画素に漏れる光は抑制できる。

画素の発光領域内に凹凸形状などの光取出し構造を形成した場合、隣接画素から出射した光が光取出し構造によって取出され漏れ光となることが懸念される。しかし、構造（３）のような光取出し構造を形成すれば、隣接画素からの光が取り出されることを抑制できるため、光漏れを小さくできる。

隣接画素からの光漏れを抑制できるため、混色や表示のぼやけが少ない表示装置が実現できる。また、漏れ光を抑制した光取出し構造を実現することでより明るく、より色再現範囲の広い表示装置が実現できる。

実施例に係る表示装置１は、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子および有機発光ダイオード素子を有するアクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤ表示装置である。図２は実施例に係る表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図３は実施例に係る表示部を構成するアクティブマトリクスの等価回路図である。

図２に示すように、表示装置１は、ガラスやプラスチックなどの絶縁性の基板６のほぼ中央部に表示部２が設けられる。基板６は、平面視で第１の方向（Ｘ方向）に延在する第１の辺と第２の方向（Ｙ方向）に延在する第２の辺とを有する。図２において、表示部２の上側には、第２の方向（Ｙ方向）に延在するデータ線７に対して画像信号を出力するデータ駆動回路３、左側には第１の方向（Ｘ方向）に延在するゲート線５に対して走査信号を出力する走査駆動回路４が設置されている。データ駆動回路３および走査駆動回路４は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）によって構成されるシフトレジスタ回路やレベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などから構成される。また、電位配線８がデータ線７と同じ方向に延在して配置される。電位配線８は電位供給線９ａ、９ｂにスイッチング素子を介して接続される。

表示装置１では、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置と同様、基板６上に複数のゲート線（走査信号線）５と、ゲート線５の延在方向（Ｘ方向）に対して交差する方向（Ｙ方向）に延在させた複数のデータ線（データ信号線）７が設けられている。図３に示すごとくｍ本のゲート線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍとｎ本のデータ線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎとの交差するところにマトリクス状に画素６０が配置される。各画素６０は、有機発光ダイオード素子（発光素子）７０と、蓄積容量４０と、画素容量５０と、ＴＦＴからなるスイッチトランジスタ３０と、ＴＦＴからなるドライバトランジスタ１０とから構成される。スイッチトランジスタ３０は、ゲート電極がゲート線５に接続され、ソース電極がデータ線７に接続され、ドレイン電極が蓄積容量４０に接続されている。データ線７に接続される電極はドレイン電極と呼ばれることがあるが、本開示ではソース電極という。蓄積容量４０に接続される電極はソース電極と呼ばれることがあるが、本開示ではドレイン電極という。ドライバトランジスタ１０は、ゲート電極が該蓄積容量４０に接続し、ソース電極がデータ線７と同じ方向（Ｙ方向）に延在する電位配線８に接続され、ドレイン電極が有機発光ダイオード素子７０の一方の電極（陽極）に接続されている。また、発光素子７０を構成する有機発光ダイオード素子の他方の電極（陰極）は，全画素共通の電流供給線（不図示）に接続されて所定の電位Ｖａに保たれる。

画素６０の駆動は１行目のゲート線Ｇ１からターンオン電圧を順次供給し、１フレーム期間内にｍ行のゲート線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍに対して順次この電圧（走査信号）を供給する。走査信号によってスイッチトランジスタ３０がオン状態になるとデータ線から画像信号がスイッチトランジスタ３０を介して蓄積容量４０に書き込まれる。つまり、この駆動方法では、あるゲート線にターンオン電圧が供給されている間はそのデータ線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎに接続されたスイッチトランジスタは全て導通状態となり、それに同期してｎ列のデータ線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎにデータ電圧が供給される。

データ電圧はゲート線にターンオン電圧が供給されている間に蓄積容量４０に蓄えられ、ドライバトランジスタ１０のゲート電極は，スイッチトランジスタ３０がオフ状態になっても、蓄積容量４０により画像信号に相当する電位に１フレーム期間はほぼ保持される。蓄積容量の電圧値はドライバトランジスタ１０のゲート電圧を規定し、これによりドライバトランジスタ１０を流れる電流値が制御され有機発光ダイオード素子７０の発光が制御される。発光の停止は，ドライバトランジスタ１０をオフ状態とすることで実現される。

つまり、発光量を制御すべき画素６０に対応したゲート線８にターンオン電圧が印加されるのに同期して、画像情報に対応した電圧を、データ線７を介して印加することで画素６０の発光量を制御することができる。したがって、表示部２を構成する複数の画素の発光量を画像情報に応じて制御することで所望の画像を表示することができる。

次に図１を参照しながら表示装置１の１画素付近の構造を説明する。図１は実施例に係る表示装置の断面構造を示す１画素付近の模式断面図である。本実施例は有機発光ダイオード素子７０が形成された基板６とは反対方向から光を取り出す、いわゆるトップエミッション型のＯＬＥＤ表示装置である。すなわち、表示装置１は、図１において上側（透明基板７００側）にエミッションし、光２０００を観測者１０００が見るようにされる。

表示装置１ではガラスやプラスチックなどの絶縁性の基板６の上にスイッチング素子（ドライバトランジスタ１０やスイッチトランジスタ３０（図１では不図示））を備える。画素回路を構成するドライバトランジスタ１０やスイッチトランジスタ３０などのスイッチング素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成される。薄膜トランジスタはソース領域１７やドレイン領域１３、チャネルポリシリコン層１４などを含むポリシリコン層の上にゲート絶縁膜１６、ゲート線層１５、第１の層間絶縁膜１８、ソース電極層２２、ドレイン電極層１９、第２の層間絶縁膜２０を有する。また、基板６がガラス基板の場合には薄膜トランジスタと基板６との間には基板６からチャネルポリシリコン層１４及びゲート絶縁膜１６へのＮａ（ナトリウム）やＫ（カリウム）などのイオンの混入をブロックするためにＳｉＮx（シリコン窒化）膜などからなる第１の下地膜１１を有し、さらに第１の下地膜１１とポリシリコン層の間にはＳｉＯx（シリコン酸化）膜などからなる第２の下地膜１２を有する。

有機発光ダイオード素子７０を構成する下部電極３００は、画素の発光領域となる部分を覆うように島状に形成される。この際、下部電極３００は第２の層間絶縁膜２０を貫通する穴を通してドレイン電極１９と接続される。

下部電極３００の周縁部と、ドライバトランジスタ１０やデータ線７（図１では不図示）、ゲート線８（図１では不図示）などの非発光領域の上には画素の発光領域に対応した開口を有する第３の層間絶縁膜２１が形成される。本開示では以下、第３の層間絶縁膜２１のことをバンク２１とも称する。

発光層を含む有機膜１００は下部電極３００上に表示部２の全面を覆うように形成されるが、発光領域以外の領域ではバンク２１によって下部電極３００と隔離される。有機膜１００の上には表示部２の全面にわたり上部電極２００が形成される。上部電極２００と下部電極３００はそれぞれが陽極または陰極として機能する。

有機発光ダイオード素子７０の有機膜１００としては上部電極２００と下部電極３００との間に陰極（例えば上部電極２００）側から順に電子輸送層、発光層、ホール輸送層を積層配置したものを用いることができる。このような有機発光ダイオード素子は上部電極２００と下部電極３００とに直流電圧を印加すると、陽極（例えば下部電極３００）側から注入されたホールがホール輸送層を経由して、また、陰極側から注入された電子が電子輸送層を経由して、それぞれ発光層に到達し、電子−ホールの再結合が生じてここから所定の波長の発光が生じるものである。なお、有機発光ダイオード素子７０の有機膜１００では発光層と電子輸送層を兼用できる材料を用いても良い。また、陽極とホール輸送層の間に陽極バッファ層、あるいはホール注入層を配置したものを用いてもよい。

なお、下部電極３００は光の反射率が高い材料から構成されることが、発光層から放射した光の利用効率向上の面から望ましい。有機膜１００は陽極または陰極との間に所定の電圧を印加し、電流を流すことで白色発光が得られる材料や構造を採用する。白色発光を実現する有機発光ダイオード素子７０としては、発光色の異なる複数の発光層をマルチフォトンと呼ばれる構造により積層する方法と、一つの発光層中に発光色が異なる色素をドーピングする方法がある。いずれにせよ、白色発光の有機発光ダイオード素子７０として発光効率が高く、寿命の長い白色発光が得られるものを用いることが望ましい。また、有機膜１００は発光層、ホール輸送層、電子輸送層等、複数の層から構成されており、場合によっては無機材料による層が含まれてもよい。

上部電極２００の上には少なくとも表示部の全面を覆うように封止材６００が形成される。封止材６００は水分等が有機発光ダイオード素子７０に侵入しないようにするためガスバリア性が高く可視光に対して透明であることが望ましい。このため、窒化シリコンのような緻密な無機膜、あるいは無機膜と有機膜による積層膜により実現してもよい。

封止材６００の上には不図示のカラーフィルターやブラックマトリクスが形成された透明基板７００を配置する。この際、封止材６００と透明基板７００との間には高分子材料からなる透明な充填材５００を充填し、密閉することで固体封止してもよい。あるいは、封止材６００と透明基板７００との間に窒素などの不活性ガスを封入し基板６と透明基板７００の周縁部をシール材で密閉し、封止してもよい。

本実施例では有機発光ダイオード素子７０として白色の光を発するものを用い、３原色に対応したカラーフィルターと組み合わせることでフルカラー表示を実現する表示装置について説明するが本発明はこれに限定されるものではない。

図４Ａは実施例に係る表示部の部分平面図である。表示部２は、表示装置の消費電力を下げるため、ＲＧＢのほかに白色（Ｗ）表示用の画素を備える。表示部２では白色発光の発光素子を所定の順序でマトリクス状に配置して、発光素子の光取り出し側に赤色表示用の画素であれば赤色（Ｒ）の光を透過するカラーフィルター、緑色表示用の画素であれば緑色（Ｇ）の光を透過するカラーフィルター、青色表示用の画素であれば青色（Ｂ）の光を透過するカラーフィルターを備える。なお、白色表示用の画素にはカラーフィルターを設けなくてもよいが、白色の色度を調整するために必要に応じてカラーフィルターを配置してもよい。カラーフィルターは染色法、顔料分散法、あるいは印刷法などの公知の技術によって塗り分ければよい。

画素電極４２の形状は８角形状で、画素開口部（バンク開口部）４３の形状は、正方形状である。図６の比較例のバンク開口部６３に対して、本実施例のバンク開口部４３は４５°傾いている。最も近接する隣接画素であり、且つ当該バンク開口部４３を有する画素を挟んで位置している隣接画素どうしの中心を結んだ線分の方向は、Ｘ方向およびＹ方向である。最も近接する隣接画素どうしのバンク開口部４３の頂角は互いに向き合っている。図４Ａに示す平面レイアウト採用することで、発光画素Ｐ_００に最も近接する隣接画素Ｐ_０１、Ｐ_０−１、Ｐ_−１０、Ｐ_１０からの光漏れが抑制できるようになる。これは、隣接する画素の方向に対してバンクエッジにより形成される線分の方向が４５°を中心とする角度を成し、垂直でないからである。

バンク開口部４３の形状は、正方形が４５°傾いたものに限定されるものではなく、図１１Ａ〜図１１Ｇに示すような形状であっても最大ではないが隣接画素からの光漏れを少なくする効果が得られる。（以下の変形例においても同じ。）。図１１Ａは、正方形が少し傾いたもので、θが９０°でなければよい（θが鋭角または鈍角であればよい）。ここで、θは最も近接する隣接画素であり、且つ当該バンク開口部４３を有する画素を挟んで位置している隣接画素の中心を結んだ線分Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３、Ｌ_４とバンクエッジが形成する線分がなす角度である。例えば、線分Ｌ_１と画素Ｐ_１０の線分Ｌ_Ｐ１がなす角度である。なお、線分Ｌ_１と画素Ｐ_１０の線分Ｌ_Ｐ２のなす角度は、９０°−θである。最も近接する隣接画素は、画素Ｐ_００と画素Ｐ_１０、画素Ｐ_１０と画素Ｐ_１１、画素Ｐ_１１と画素Ｐ_０１、画素Ｐ_０１と画素Ｐ_００である。図１１Ｂは正方形が傾いたもので、θ＝６０°の場合、図１１Ｃは正方形が傾いたもので、θ＝４５°の場合、図１１Ｄは正方形が傾いたもので、θ＝３０°の場合である。図１１Ｅは、縦に長いひし形で、α＝６０°、β＝３０°である。ここで、αは線分Ｌ_１と画素Ｐ_１０のバンクエッジが形成する線分Ｌ_Ｐ１がなす角度、βは線分Ｌ_２と画素Ｐ_０１のバンクエッジが形成する線分Ｌ_Ｐ１がなす角度である。図１１Ｅは、横に長いひし形で、α＝３０°、β＝６０°である。図１１Ｇは、長方形が少し傾いたものである。好ましくは、θ、α、βは４５°であるが、３０°〜６０°程度であってもよい。

尚、上記の通り（図７を参照した説明）、隣接画素からの光漏れ抑制効果が高いのはバンクエッジの形状が略線状となっている部分（線分）が発光画素の方向に対して、４５°を中心とする角度、すなわち２７°〜６３°の角度範囲となっている場合であるため、図１１Ａ〜図１１Ｇにおいては、図１１Ｃが最も高い光漏れ抑制の効果が得られるだろう。

一方、バンクエッジの形状が略線状となっている部分（線分）が互いに略平行となっている画素間（例えば画素Ｐ_００と画素Ｐ_１１の間）では、お互いに画素の方向に対してバンクエッジの線分の方向が略直交している。この画素間の距離は最も近接する隣接画素間の距離と比べれば長くなっているので、光漏れを多少低減することができる。しかし、この画素間の距離は最も近接する画素間の距離と比べれば長いが、光漏れが発生する可能性がある。

＜変形例１＞
図４Ｂは変形例１に係る表示部の部分平面図である。表示部２Ａは、図４Ｂに示すとおりバンクエッジがなす線分の方向が互いに略平行となっている画素間（例えばＰ００とＰ１-１の間）に、凹凸形状からなる光漏れ防止構造４４を形成する。光漏れ防止構造４４を有すること以外は、表示部２Ａは実施例の表示部２と同じである。図９は光漏れ防止構造の概略構造を示す一部断面模式図である。図９は図４Ｂのａ−ａ’断面を示す図である。光漏れ防止構造４４の凹凸形状は下部電極３００の周縁部に形成する絶縁膜２１を用いて形成すればよい。つまり、光漏れ防止構造４４はその凹凸がバンク２１と同層で形成され、その上に封止材６００や充填材５００が積層される。このため特にプロセスを増やす必要がないため、製造コストへの影響はない。

光漏れ防止構造４４は凹凸形状の略線状の部分（線分）が画素のバンクエッジの形状が略線状の部分（線分）となる方向と略平行となるように形成する。この場合、光漏れ防止構造４４が形成された画素間に漏れた光はその大部分が光漏れ防止構造４４によってその進行方向が変わり、透明基板７００に形成されたブラックマトリクス７１０で吸収される、あるいは、基板６側へ向かい散逸するため、隣接画素への光漏れが抑制できる。なお、透明基板７００にはカラーフィルター７２０が形成されている。

＜変形例２＞
図４Ｃは変形例２に係る表示部の部分平面図である。表示部２Ｂは、図４Ｃに示すとおり、画素の発光領域内には凹凸形状からなる光取出し構造４５を形成する。光取出し構造４５は下部電極３００上にバンク２１と同層の材料で形成してもよい。光取出し構造４５を有すること以外は、表示部２Ｂは実施例の表示部２と同じである。図１０は光取出し構造の概略構造を示す一部断面模式図である。図１０は図４Ｃのｂ−ｂ’断面を示す図である。光取出し構造４５の凹凸形状はバンク２１と同層で形成され、その上に有機膜１００、上部電極２００、封止材６００及び充填材５００が積層される。このため特にプロセスを増やす必要がなく、製造コストへの影響はない。

この場合、凹凸の凸部では下部電極３００と有機膜１００が絶縁されるためその分発光面積が小さくなる。つまり、発光は凹部のみで生じることになる。

なお、ここで重要なのは凹凸形状の略線状の部分が画素のバンクエッジの形状が略線状となる方向と略平行となるように形成することである。それは以下の理由による。
画素の発光領域内に凹凸形状などの光取出し構造４５を形成した場合には、隣接画素から出射した光が光取出し構造４５によって取出され光漏れとなりぼやけや混色が生じることが懸念される。しかし、本変形例の光取出し構造４５のように、凹凸形状の略線状の部分（線分）が画素のバンクエッジの形状が略線状の部分（線分）となる方向と略平行となるように形成することで隣接画素からの光が取り出されることを抑制できるため、表示のぼやけや混色を小さくできる。

なお、光取出しのための凹凸形状は本変形例に限定されるものではない。例えば、下部電極の下層に凹凸形状を形成し、その上に有機発光ダイオード素子を形成することで発光部自体が凹凸形状となっていてもよい。

＜変形例３＞
図４Ｄは変形例３に係る表示部の部分平面図である。変形例３に係る表示部２Ｃは、変形例１に係る表示部２Ａと変形例２に係る表示部２Ｂを組み合わせたものである。すなわち、変形例３に係る表示部は、バンクエッジがなす線分の方向が互いに略平行となっている画素間（例えばＰ_００とＰ_１−１の間）には、凹凸形状からなる光漏れ防止構造４４を形成し、画素の発光領域内には凹凸形状からなる光取出し構造４５を形成する。

＜変形例４＞
図５は変形例４に係る表示部の部分平面図である。実施例では画素の発光部形状、すなわちバンクのエッジの形状が矩形である場合を述べたが本開示はそれに限定されるものではない。例えば図５に例示するとおり、画素の発光領域の形状、すなわちバンクエッジの平面形状はコの字型であってもよい。この場合も最も近接する隣接画素の方向に対してバンクエッジにより形成される全ての線分の方向が２７°〜６３°程度傾くような平面構造を採用すればよい。この場合、実施例と同様、隣接画素からの光漏れが抑えられて、混色を抑制することができる。つまり画素の発光領域、すなわちバンクエッジの平面形状はＬ字型やその他の形状であってもよい。なお、本変形例と変形例１、本変形例と変形例２、本変形例と変形例３とを組み合わせてもよいことはいうまでもない。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

１・・・表示装置
２・・・表示部
３・・・データ駆動回路
４・・・走査駆動回路
５・・・ゲート線
６・・・基板
７・・・データ線
２１・・・バンク
４２・・・画素電極
４３・・・バンク開口部
７０・・・有機発光ダイオード素子（発光素子）
Ｐ_００・・・発光画素

Claims (16)

1. 表示装置は、
   主面を有する基板と、
   前記基板の主面上に二次元的に配置された、発光領域を有する複数の画素と、
   を具備し、
   前記複数の画素の各々は、下部電極と発光層と上部電極とを備えた発光素子を有し、
   前記発光素子の上層には絶縁膜が形成され、
   前記発光領域は、前記絶縁膜の開口部によって露出されると共に、前記開口部のエッジによって形状が規定され、
   前記複数の画素は、第１の発光領域を有する第１の画素と、前記第１の画素の最も近くに隣接し且つ前記第１の画素を挟んで位置する２つの第２の画素とを有し、
   前記第１の発光領域を露出する前記開口部の前記エッジの一辺を延長した方向と、前記２つの第２の画素の中心を結ぶ直線の方向とは、鋭角または鈍角をなすようにされる。
2. 請求項１の表示装置において、
   前記エッジの前記一辺を延長した方向と前記２つの第２の画素の中心を結ぶ直線の方向とがなす角は、２７°〜６３°の角度となるようにされる。
3. 請求項１の表示装置において、
   前記エッジの前記一辺を延長した方向と前記２つの第２の画素の中心を結ぶ直線の方向とがなす角は、４５°の角度となるようにされる。
4. 請求項１の表示装置において、
   前記第１の発光領域を露出する開口部は矩形状であり、
   前記開口部は、前記２つの第２の画素のそれぞれに対向する一対の頂角を有する。
5. 請求項１の表示装置において、
   前記複数の画素は、前記エッジの前記一辺と対向する第３の画素を有し、
   前記第１の画素と前記第３の画素との間の前記絶縁膜は、凹凸形状を有する。
6. 請求項５の表示装置において、
   前記凹凸形状の輪郭部は線状部分を有し、
   前記線状部分は、前記エッジの前記１辺と平行となるように形成される。
7. 請求項１の表示装置において、
   前記発光領域には、凹凸形状が形成される。
8. 請求項７の表示装置において、
   前記発光領域に形成された前記凹凸形状の輪郭部は線状部分を有し、
   前記線状部分は、前記エッジの前記１辺と平行となるように形成される。
9. 表示装置は、
   平面視で第１の方向に延在する第１の辺と前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２の辺を有する基板と、
   前記基板の主面上にアレイ状に配置された複数の画素と、
   を具備し、
   前記複数の画素の各々は、下部電極と発光層と上部電極とを備えた発光素子を有し、
   前記発光素子の上層には絶縁膜が形成され、
   前記発光領域は、前記絶縁膜の開口部によって露出されると共に、前記開口部のエッジによって形状が規定され、
   前記複数の画素は、第１の発光領域を有する第１の画素と、前記第１の画素の最も近くに隣接し且つ前記第１の画素を挟んで位置する２つの第２の画素とを有し、
   前記第１の発光領域を露出する前記開口部の前記エッジの一辺を延長した方向と、前記２つの第２の画素の中心を結ぶ直線の方向とは、鋭角または鈍角をなすようにされ、
   前記エッジの一辺を延長した方向と、前記第１の方向および前記第２の方向とは、鋭角または鈍角をなすようにされる。
10. 請求項９の表示装置において、
    前記エッジの前記一辺を延長した方向と前記２つの第２の画素の中心を結ぶ直線の方向とがなす角は、２７°〜６３°の角度となるようにされる。
11. 請求項９の表示装置において、
    前記エッジの前記一辺を延長した方向と前記２つの第２の画素の中心を結ぶ直線の方向とがなす角は、４５°の角度となるようにされる。
12. 請求項９の表示装置において、
    前記第１の発光領域を露出する開口部は矩形状であり、
    前記開口部は、前記２つの第２の画素のそれぞれに対向する一対の頂角を有する。
13. 請求項１１の表示装置において、
    前記複数の画素は、前記エッジの前記一辺と対向する第３の画素を有し、
    前記第１の画素と前記第３の画素との間の前記絶縁膜は、凹凸形状を有する。
14. 請求項１３の表示装置において、
    前記凹凸形状の輪郭部は線状部分を有し、
    前記線状部分は、前記エッジの前記１辺と平行となるように形成される。
15. 請求項９の表示装置において、
    前記発光領域には、凹凸形状が形成される。
16. 請求項１５の表示装置において、
    前記発光領域に形成された前記凹凸形状の輪郭部は線状部分を有し、
    前記線状部分は、前記エッジの前記１辺と平行となるように形成される。

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