TWI285369B - Magnetic spin valve sensor having an exchange stabilization layer recessed from the active track edge - Google Patents

Magnetic spin valve sensor having an exchange stabilization layer recessed from the active track edge Download PDF

Info

Publication number
TWI285369B
TWI285369B TW092132001A TW92132001A TWI285369B TW I285369 B TWI285369 B TW I285369B TW 092132001 A TW092132001 A TW 092132001A TW 92132001 A TW92132001 A TW 92132001A TW I285369 B TWI285369 B TW I285369B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
ferromagnetic
offset
magnetic
antiferromagnetic
Prior art date
Application number
TW092132001A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200416685A (en
Inventor
Hardayal Singh Gill
Original Assignee
Hitachi Global Storage Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Global Storage Tech filed Critical Hitachi Global Storage Tech
Publication of TW200416685A publication Critical patent/TW200416685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI285369B publication Critical patent/TWI285369B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

1285369 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-般用於磁性磁碟機的磁性旋轉閥感測器 ,、更明痛地說係關於具有一反平行攔標結構的磁性旋轉閥 感測器,該結構具有自主動執道邊緣凹入的一交換穩定層。 【先前技術】 採用數位資訊之磁性記錄的磁碟機儲存將大部分資料在 當代電腦系統中。磁碟機具有至少—旋轉磁碟,該磁碟具 有資料之離散同心執道。每個磁碟機還具有至少一記錄磁 ’頭’該磁頭-般具有-分離寫人元件及讀取元件,用於寫 入並且讀取執道上的資料。記錄磁頭係構造在一滑動塊上 而且該滑動塊係附著於一懸置結構。記錄磁頭、滑動塊及 懸置結構之組合係稱為磁頭萬向架裝配件。此外,且有將 記錄磁頭定位在相關的特定軌道上之—驅動器。該驅動器 百先旋轉以尋找相關的軌道。將記錄磁頭定位在軌道上之 後’驅動器保持記錄磁頭與該軌道精確配準。磁碟機中的 、”有基板&磁性層,該層係形成於用於磁性記錄 之該基板上。承載記錄磁頭的滑動塊具有一面對磁碟的表 面2空氣轴承係構造在該表面上。空氣軸承使滑動塊可 =—空氣塾上浮動並且可以接近於磁碟表面而定位。或 接觸面對磁碟的滑動塊表面可以調適以局部或連續與磁碟 件磁性旋轉_測器係在大多數當代磁碟機中用作讀取元 牛。磁性旋轉闊感測器為若干夹入的層,包括一鐵磁固定
O:\88\88902.DOC 1285369 層、一非磁性導電層及一鐵磁自由層。旋轉間感測器之電 崎據-施加磁場(例如來自磁碟上的寫人磁性轉換之磁 场)之方向及幅度而改變。主7 7占、B丨Λ 夂為了制電阻變化,需使感測電 流流經感測器。 磁性旋轉__中的自由層通常係在出現恆定弱磁場 時操作,以確保磁性穩定性並且防止虛擬信號。將弱磁場 施加於感測H有時稱為磁性偏移感測器。可以有效地用於 磁性偏移之-結構為-對磁性攔標,該等襴標係與自由層 之部分反平㈣合。反平㈣合攔標包括_鐵磁偏移層及 與該鐵磁偏移層交_合的—反鐵磁層。此結構係有效地 ’但是當偏移層係完全由反鐵磁純料,感測器變得磁 性僵硬而且敏感性劣化。因此若採用傳統感測器,則當達 到穩定性時,敏感性減小。 需要-種磁性旋轉閥感測器,其具有反平行耦合偏移欄 標,而且當獲得穩定性時不犧牲敏感性。 【發明内容】 本發明之一較佳具體實施例提供一磁性旋轉閥感測器, 其具有新穎反平行耦合偏移攔標。每個反平行偏移攔標包 括鐵磁偏移層及與該鐵磁偏移層交換耦合的一反鐵磁層 反鐵磁層係自鐵磁偏移層而橫向凹入。因此所提供的磁 性紅轉閥感測n具有磁性穩定性而且具有高敏感性。本發 明之另一具體實施例提供具有一讀取元件之磁碟機,該元 件包括一磁性旋轉閥感測器,該感測器具有反平行耦合端 欄軚,泫等欄標係與一橫向凹入反鐵磁層耦合。
O:\88\88902.DOC 1285369 從以下詳細說明,結合附圖以及藉由範例說明的本發明 之原理,將更明白本發明之其他方面與優點。 【實施方式】 依據本毛明之車父佳具體實施例的磁性旋轉閥感測器, 包括具有反平行耦合端欄標之一自由層,每個攔標具有一 橫向凹人反鐵磁層。本發明之具體實施例提供具有良好磁 性穩定性而不犧牲敏感性之感測器。 參考圖1,一磁碟機1〇〇具有至少一可旋轉磁碟1〇2,該磁 碟係由一轉軸104支援並且由一馬達(圖中未顯示)旋轉。具 有至Jz —滑動塊106,其具有一附著記錄磁頭丨〇8,當讀取 及寫入時,該磁頭定位於磁碟1〇2表面上。記錄磁頭1〇8包 括一寫入元件,用於將資料寫入磁碟1〇2。記錄磁頭還包括 依據本發明的一磁性旋轉閥感測器(詳細顯示在下文中),其 係用作一讀取元件用於從磁碟讀取資料。滑動塊1〇6係附著 於一懸置結構110而該懸置結構110係附著於一驅動器112。 驅動器112係轉動式將附著i 14附著於磁碟機1〇〇之外殼丨16 ,亚且係由一語音線圈馬達丨18轉動。隨著磁碟在轉動,驅 動器112沿磁碟1〇2表面上的一徑向弓形路徑12〇定位滑動 塊106連同懸置結構11〇,以存取相關資料執道。 參考圖1,在磁碟機1 〇〇操作期間,轉動磁碟丨〇2相對於滑 動塊106之運動在滑動塊106與磁碟1〇2表面之間產生一空 氣軸承,該空氣軸承施加一向上力於滑動塊1〇6上。此向上 力係藉由來自懸置結構110的一彈簧力而平衡,從而促使滑 動塊106滑向磁碟102之表面。或者,滑動塊1〇6可以在操作
O:\88\88902.DOC 1285369 期間局部或連續與磁碟1〇2表面接觸。 圖2解說一滑動塊2〇〇之一更詳細視圖。記錄磁頭最好係 構造在滑動塊200之尾部表面206上。圖2解說記錄磁頭之寫 入元件的線圈214之上磁極208及線匝210。讀取元件係形成 於滑動塊200與寫入元件之間,因此未在圖2中解說。圖中 解說電連接觸點區212,其允許與寫入元件及讀取元件連接。 圖3解說一記錄磁頭3〇〇(不必按比例),其係在滑動塊3〇2 之面對磁碟的表面上觀察到。記錄磁頭3〇〇係構造在滑動塊 302上而且通常係包裝在一絕緣材料(圖中未顯示)中。依據 本發明的讀取元件感測器308係夾在二磁性遮罩3〇4、3〇6之 間以改善空間解析度。磁性遮罩3〇6之一還係普遍用作寫入 磁頭的磁極之一。寫入元件包括一第二磁極312及一寫入間 隙 3 10 〇 圖4解說依據本發明的磁性旋轉閥感測器4〇〇的讀取元件 之一放大圖(不必按比例)。感測器4〇〇包括一固定層4〇2,該 層可以為一單一鐵磁層。或者,固定層4〇2可以為一層壓結 構,其包括二鐵磁層及一中間層(適合為釕),該中間層提升 該等二鐵磁層之間的反平行耦合。固定層4〇2可以為自固定 層,或者固定層402可與一鄰近反鐵磁層(圖中未顯示)交換 耦。導%非磁性層404(適合為銅)係形成於固定層402 上。一鐵磁自由層406然後係形成於導電非磁性層4〇4上。 一釕層408係形成於鐵磁自由層4〇6上。 參考圖4自由層4G6係採用二反平行輕合偏移穩定欄標 422、424而得到磁性穩冬第一反平行輕合偏移穩定欄標
O:\88\88902.DOC -9 - 1285369 422包括一第一鐵磁偏移層410,該層具有置放於釕層408上 的一端部412。第一鐵磁偏移層41〇係與橫跨釕層4〇8的自由 層406之一部分414反平行耦合。與第一鐵磁偏移層41〇相對 立的自由層406之部分414中的磁化418,係在方向上與第一 鐵磁偏移層410中的磁化416相對立。第一反平行耦合偏移 穩定欄標422還包括一第一反鐵磁層42〇,該層係形成於第 一鐵磁偏移層410上並且與該偏移層交換耦合。第一反鐵磁 層420在第一鐵磁偏移層41〇中建立磁化416之方向。 以相同方式,第一反平行搞合偏移穩定攔標42今包括一第 二鐵磁偏移層426,該層具有置放於釕層4〇8上的一端部428 。第二鐵磁偏移層426係與橫跨釕層408的自由層406之一部 分430反平行耦合。與第二鐵磁偏移層426相對立的自由層 406之部分430中的磁化434,係在方向上與第二鐵磁偏移層 426中的磁化432相對立。第二反平行耦合偏移穩定攔標424 還包括一第二反鐵磁層436,該層係形成於第二鐵磁偏移層 426上並且與該偏移層交換耦合。第二反鐵磁層436在第二 鐵磁偏移層426中建立磁化432之方向。 參考圖4,與鐵磁偏移層410、42 6耦合的自由層406之部 分4 14、43 0從一外部磁場激磁後貢獻很少或不貢獻信號。 因此,第一鐵磁偏移層410之端部41 2與第二鐵磁偏移層426 之端部428之間的距離450,決定感測器4〇〇之主動部分442 的實體寬度450。實體寬度450還稱為實體執道寬度。如圖4 所示,第一偏移欄標422中的鐵磁偏移層410之端部412的位 置決定最右主動執道邊緣,而第二偏移攔標424中的鐵磁偏 O:\88\88902.DOC -10- i285369 '戴及鈷形成的其他適合二 _ α八。 材料係田 疋或二7La立 口為一軟鐵磁 磁屏接觸1個偏移層’所以對於每個偏移層之未與反鐵 艰增接觸的部分, 我 移。因弓卜 偏移層中的磁化並未強烈固定偏移偏 反 在自由層之主動部分的邊緣附近,自由層受到 、、丁耦合的影響不是报大。感測器保持穩定,然後敏感 性並未明顯劣化。 【圖式簡單說明】 圖1解說一磁碟機; 圖2解說一滑動塊上的一記錄磁頭; 圖3解說該滑動塊之面對磁碟的一側上的記錄磁頭;及 圖4解說具有一凹入交換穩定層的一旋轉閥感測器。 圖式代表符號說明] 100 磁碟機 102 磁碟 104 轉軸 106 滑動塊 108 記錄磁頭 110 懸置結構 112 驅動器 114 附著 116 外殼 118 馬達 120 弓形路徑 200 滑動塊 O:\88\88902.DOC -12- 尾部表面 上磁極 線匝 觸點區 線圈 記錄磁頭 滑動塊 磁性遮罩 磁性遮罩 讀取元件感測器 寫入間隙 第二磁極 磁性旋轉閥感測器 固定層 導電非磁性層 鐵磁自由層 釕層 第一鐵磁偏移層 端部 部分 磁化 磁化 第一反鐵磁層 第一反平行耦合偏移穩定欄標 -13 - 第二反平行耦合偏移穩定欄標 第二鐵磁偏移層 端部 部分 磁化 磁化 第二反鐵磁層 距離 主動部分 距離 端部 端部 實體寬度 引線 引線 -14 -

Claims (1)

  1. 128536^132〇〇1號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(96年1月) 拾、申請專利範圍: 1· 一種磁性旋轉閥感測器,包括·· 一自由層,其具有第一及第二橫向置放部分; 一第一偏移穩定攔標,其包括一第一鐵磁偏移層及一 第一反鐵磁層,該第一鐵磁偏移穩定攔標係與該自由層 之該第一部分反平行耦合; 一第二偏移穩定攔標,其具有一第二鐵磁偏移層及一 第二反鐵磁層,該第二鐵磁偏移攔標係與該自由層之該 第二部分反平行耦合, 其中該等第一與第二反鐵磁層之間的橫向分離係在〇.6 μηι 至1.4μηι之範圍内,大於該等第一與第二鐵磁偏移層之間 的橫向分離。 2. 一種磁性旋轉閥感測器,包括: 一固定層; 一非磁性導電層,其係置放於該固定層上; 一鐵磁自由層,其係置放於該非磁性層上,該鐵磁自 由層係藉由第一及第二反平行耦合偏移穩定欄標而磁性 穩定; 一釕層,其係置放於該鐵磁自由層上, 其中該第一反平行耦合偏移穩定欄標包括一第一鐵磁 偏移層,該層係置放於該釕層上並且與橫跨該釕層的該 自由層之一部分反平行耦合;及一第一反鐵磁層,該層 係置放於該第一鐵磁偏移層上,其中該第一反鐵磁層係 自該第一鐵磁偏移層橫向凹入; 88902-960104.doc
    ϋΚ災Μ匕皆統1 . 其中該第二反平行耦合偏移穩定欄標包括一第二鐵磁 偏移層,該層係置放於該釕層上並且與橫跨該釕層的該 自由層之一部分反平行耦合;及一第二反鐵磁層,該層 係置放於該第二鐵磁偏移層上,其中該第二反鐵磁層係 -自該第二鐵磁偏移層之該端部橫向凹入;以及 其中該第一反鐵磁層係自該第一鐵磁偏移層橫向凹入 0·3 μηι至 〇·7 μιη 〇 3 ·如申請專利範圍第2項之磁性旋轉閥感測器,其中該第二 反鐵磁層係自該第二鐵磁偏移層橫向凹入至〇.7 μπι ^ 〇 4. 一種磁碟機,包括: 一磁碟; 一寫入元件,其用於將資料寫入該磁碟; 一讀取元件,其用於自該磁碟讀取資料;該元件包括 一磁性旋轉閥感測器, 其中該磁性旋轉閥感測器包括: 一固定層; _ 一非磁性導電層,其係置放於該固定層上; 一鐵磁自由層,其係置放於該非磁性層上,該鐵磁自 由層係藉由第一及第二反平行耦合偏移穩定欄標而磁性 穩定; 一釕層,其係置放於該鐵磁自由層上, 其中該第一反平行耦合偏移穩定攔標包括一第一鐵磁 偏移層,該層係置放於該釕層上並且與橫跨該釕層的該 88902-960104.doc -2 - 0修(更)iE替摘: imm in 係置刀反平行耦合;及一第~反鐵磁層,該層 係置放於該第—鐵磁偏移層上,其中該第—反鐵磁層係 自該第一鐵磁偏移層橫向凹入; 其中該第二反平;^ &人μ 久十仃耦合偏移穩定欄標包括一第二鐵磁 偏移層,該層係置放於該㈣上並且鋒跨該釕層的該 自由層之一部分反平行輕合;及一第二反鐵磁層,該層 係置放於該第二鐵磁偏移層上,其中該第二反鐵磁層係 自該第二鐵磁偏移層之該端部橫向凹入以及 中該等Γ與第二反鐵磁層之間的橫向分離係在0.6叫 的橫向分離。 第―與第二鐵磁偏移層之間 88902-960104.doc
TW092132001A 2002-11-26 2003-11-14 Magnetic spin valve sensor having an exchange stabilization layer recessed from the active track edge TWI285369B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/306,484 US6842316B2 (en) 2002-11-26 2002-11-26 Magnetic spin valve sensor having an exchange stabilization layer recessed from the active track edge

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200416685A TW200416685A (en) 2004-09-01
TWI285369B true TWI285369B (en) 2007-08-11

Family

ID=32298078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092132001A TWI285369B (en) 2002-11-26 2003-11-14 Magnetic spin valve sensor having an exchange stabilization layer recessed from the active track edge

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6842316B2 (zh)
EP (2) EP1605441B1 (zh)
JP (1) JP2004178792A (zh)
CN (1) CN1506939A (zh)
DE (2) DE60307206T2 (zh)
MY (1) MY130430A (zh)
SG (1) SG114641A1 (zh)
TW (1) TWI285369B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7071010B1 (en) 2005-05-10 2006-07-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Methods of making a three terminal magnetic sensor having a collector region electrically isolated from a carrier substrate body
US7719069B2 (en) * 2005-05-10 2010-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Three terminal magnetic sensor having a collector region electrically isolated from a carrier substrate body
US9318133B2 (en) 2013-12-23 2016-04-19 HGST Netherlands B.V. Recessed antiferromagnetic design with antiparallel pinned stitch layers for improved pinning field
US10008223B1 (en) 2016-02-18 2018-06-26 Seagate Technology Llc Magnetoresistive sensor with recessed antiferromagnetic layer and stabilization feature

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191926B1 (en) 1998-05-07 2001-02-20 Seagate Technology Llc Spin valve magnetoresistive sensor using permanent magnet biased artificial antiferromagnet layer
US6385017B1 (en) 1999-09-30 2002-05-07 Headway Technologies, Inc. Continuous free layer spin valve sensor with patterned exchange underlayer stabilization
US6204071B1 (en) * 1999-09-30 2001-03-20 Headway Technologies, Inc. Method of fabrication of striped magnetoresistive (SMR) and dual stripe magnetoresistive (DSMR) heads with anti-parallel exchange configuration
US6266218B1 (en) 1999-10-28 2001-07-24 International Business Machines Corporation Magnetic sensors having antiferromagnetically exchange-coupled layers for longitudinal biasing
JP2001176028A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6856494B2 (en) * 2000-03-24 2005-02-15 Alps Electric Co., Ltd. Spin-valve type thin film magnetic element having bias layers and ferromagnetic layers
US6731473B2 (en) 2000-04-12 2004-05-04 Seagate Technology Llc Dual pseudo spin valve heads
JP3670928B2 (ja) 2000-04-12 2005-07-13 アルプス電気株式会社 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
JP3734716B2 (ja) * 2000-12-11 2006-01-11 アルプス電気株式会社 磁気検出素子の製造方法
US20020131215A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-19 Beach Robert S. Tunnel junction and charge perpendicular-to-plane magnetic recording sensors and method of manufacture
US6597546B2 (en) * 2001-04-19 2003-07-22 International Business Machines Corporation Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide
JP3593320B2 (ja) * 2001-04-20 2004-11-24 アルプス電気株式会社 磁気検出素子及びその製造方法
JP2003092442A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子及びその製造方法
US7010848B2 (en) * 2002-02-15 2006-03-14 Headway Technologies, Inc. Synthetic pattern exchange configuration for side reading reduction
US7035060B2 (en) * 2002-03-06 2006-04-25 Headway Technologies, Inc. Easily manufactured exchange bias stabilization scheme
US6857180B2 (en) * 2002-03-22 2005-02-22 Headway Technologies, Inc. Method for fabricating a patterned synthetic longitudinal exchange biased GMR sensor
US6778364B2 (en) * 2002-08-28 2004-08-17 International Business Machines Corporation Current-in-plane magnetoresistive sensor with longitudinal biasing layer having a nonmagnetic oxide central region and method for fabrication of the sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US20040100739A1 (en) 2004-05-27
EP1605441A3 (en) 2006-03-15
MY130430A (en) 2007-06-29
CN1506939A (zh) 2004-06-23
SG114641A1 (en) 2005-09-28
EP1605441A2 (en) 2005-12-14
EP1424687A2 (en) 2004-06-02
DE60307206T2 (de) 2007-06-28
JP2004178792A (ja) 2004-06-24
DE60313046T2 (de) 2007-12-13
EP1605441B1 (en) 2007-04-04
EP1424687A3 (en) 2005-01-12
US6842316B2 (en) 2005-01-11
DE60313046D1 (de) 2007-05-16
TW200416685A (en) 2004-09-01
EP1424687B1 (en) 2006-08-02
DE60307206D1 (de) 2006-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100267438B1 (ko) 자기 저항 스핀 밸브 판독 센서 및 그를 포함한 자기 헤드 및자기 디스크 드라이브
US20060285259A1 (en) Method for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads
JP2002304711A (ja) シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド及びアセンブリ
JPH10116404A (ja) 自己バイアス磁気抵抗スピン・バルブ・センサ、それを含むヘッド及びこれらを含む磁気ディスク・ドライブ
JP3813914B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド
US7092220B2 (en) Apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers
JP2006309929A (ja) 読み取り/書き込みオフセットに適合するスタッド付きトレーリングシールドを有する垂直磁気書き込みヘッド及びその製造方法
US7889458B2 (en) Write head with self-cross biased pole for high speed magnetic recording
JPH1186233A (ja) 低磁気モーメントおよび高保磁度を持つピニング層を有するスピン・バルブ読取りセンサ、磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気ディスク・ドライブ
US7072154B2 (en) Method and apparatus for providing a self-pinned bias layer that extends beyond the ends of the free layer
JP2008112496A (ja) 磁気抵抗効果型再生磁気ヘッド及びその再生磁気ヘッドを用いた磁気記録装置
US6930862B2 (en) Shielded extraordinary magnetoresistance head
JP2006155858A (ja) データがクロストラック磁化として読み書きされる磁気記録ディスクドライブ
JP2004164836A (ja) 逆平行結合された導線/センサ重複領域を有する磁気抵抗センサ
US7446982B2 (en) Pinning structure with trilayer pinned layer
JP2004529454A (ja) 磁気ヘッド組立体
JP2005032405A (ja) 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置
US7050277B2 (en) Apparatus having a self-pinned abutted junction magnetic read sensor with hard bias layers formed over ends of a self-pinned layer and extending under a hard bias layer
TWI285369B (en) Magnetic spin valve sensor having an exchange stabilization layer recessed from the active track edge
US6515838B1 (en) Biasing correction for simple GMR head
US7652853B2 (en) Thin shield structure for reduced protrusion in a magnetoresistive head
WO2001004878A1 (fr) Tete a effet de resistance magnetique, procede de fabrication, et dispositif de reproduction d'information
US7019950B2 (en) Magnetoresistive sensor having bias magnets with steep endwalls
US7064935B2 (en) Magnetoresistive sensor having leads with vertical end walls
JP4005957B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees