TWI274347B - Method for programming a multilevel phase change memory device - Google Patents

Description

12743亂_ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於記憶體系統’且特別是有關於編制相 變記憶單元（memory cell)的方法、系統及裝置。 【先前技術】

在電子記憶體應用中使用電子可寫及可擦除相變材 料（如可在一般非結晶狀態與一般結晶狀態之間進行電子 轉換的材料）的一般概念是該技術領域中眾所周知的。典 型的相變材料具有兩個狀態：非結晶狀悲（generally amorphous state )與結晶狀態（generally crystalline state )。 相變材料可以包含一種或者多種硫化物，這些硫化物至少 部分地包含一種或多種以下材料：婦、硒、録、鎳、鍺及 它們的不同組合。 將電流或其他類型的能量傳送過相變材料以使其改 變狀態，這樣就可以將典型的相變材料從一個狀態轉換到 另一個狀態。具有代表性的是，在第一狀態下（如非結晶 狀態），相變材料具有相對較高的電阻，在第二狀態下（如 結晶狀態），相變材料具有相對較低的電阻。非結晶狀態 與結晶狀態下的電阻比大約為1〇〇〇 ·· 1。 =於相變材料的狀態只能由能量的充分施加（如程式 化能量脈衝-programming energy pulse)來改變 婦材料不需魏量來_它的#前 :軍 !性的。此外，由於相變材:二= ㈣變(如結晶狀態下的低電阻與非結晶狀】;=

I274H 阻），那麼相變材料可以被可靠地用於儲存二進位資料， 如用於電腦的記憶單元或者其他的二進位資料的儲存使用 中〇 程式化能量脈衝決定被編制（programmed)的相變裝 置的實際電阻。舉例來說，第一程式化能量脈衝（如142 mA的1 ms脈衝）被施加到相變裝置上並造成5〇 〇hms的 電阻。如果程式化能量脈衝（如1·98 mA的1 ms脈衝）被 施加到同樣的相受衣置上’可能造成5〇〇 〇hms的電阻。作 為結果，能量值（如本例中的電流）的微小變化造成相變裝 置的明顯不同的電阻位準。此外，當製程變因（pr〇ce二 variation-如相變材料的膜層厚度）及操作參數（如操作严 度，電壓等）改變時，為了獲得所期望的電阻位準而需= 的能量隨之發生改變。因此，很難準確地將相變裝置蝙 到所選定的電阻位準。 在前述觀點中，需要一種系統及方法，以準確快逮地 在相變裝置中編制多個資料值。 【發明内容】

一奴况采，本發明提供一種可以準確快速地在相 置中編制多個臨界電壓位準的线及方法。本發明可心 ^種方式貫現’包括作為—種製程、_種儀器、作為 糸統、作為電腦可讀媒體或者作為—難置。下面 明的若干創造性實施例進行描述。 X 本發明的一個實施例提供了 —種編制相變裝置的方 法’包括選定所駿的臨界職（Vth)並向婦裝置中的 1274^47, twf.doc/g =變材料上施加程式化脈衝。程式化脈衝的施加包括向相 曼材料上知加疋月匕里，以在'熔化能階（meiting energy l:vel) 士之上驅動至少部分相變材料。—定能量被施加一個 第一時間區間。施加到相變材料上的部分能量可以消散 ^lsS/ipate)至熔化能階之下。能量從相變材料上消散的 幵:悲受到控制，直馳加到相變材料上的能量少於泮火能 I1白（quenched energy level)為止。控制能量的消散形態以 使得相變裝置具有所期望的臨界電M。施加到相變材料上 的剩餘能量可以消散到環境能階（env—mentauew)。 施加到相變材料上的能量包括電流、熱、光、電壓中 的至少-種。所期望的臨界電壓位準對應於所期望的資料 值二所期如臨界電壓位準是多個所期望的臨界電壓位準 =料個所期望的臨界電壓位準對應於多個所期望 作夫ίΓϋΓ料上的能量可以是操作參數的函數。操 作4數包作溫度與輸人糕巾的 的函數可以職操作參數的變化。 ^作蒼數 :加到相變材料上的能量也可以是相變製㈣^ J ΓΛ manUfaetUring Ρ職SS V咖1e )的函數。相 交1耘受因包括相變材料類型、 (P 一—蝴組成之; 相變製程變因的函數可以補償相變製程變因 能量材料上的能量少於淬火㈣之前控制 此里攸相讀料上的消散形態也可以包括施加多個能量次 丨c/g

I274H 脈衝（sub_pulse)。次脈衝可 波形（profile):正方形、二有以下至少—種形狀的 形、不規則四邊形、具有直钭、、一層或多層階梯、梯 的正方形、具妓向=1卩 =方形、具有u形尾部 程式脈衝可以具有:它們的組合。 形、三角形、-層或多層階梯、梯:種:=波：:正方 有直斜邊的正方形、具有U計，、不規則四邊形、具 形尾部的正方形及它們的組合j有反向u 化物材料。 相艾材枓可以包括一種硫 =明的另—實施例提供了 置的方法，該方法包括從多個 衣 個所期望的臨界電壓。每個中遥疋一 資料值之一。程式脈衝也被施;於多個 括r變材料上施加-定能=== 上驅動至少部分該材料。哕 白之 間。施加到相變材料上的部^里量 下。能量從相變材料上消散的形=至=能階之 =變裝置具有所期望二==:: 科上的剩餘能量可料制環境能階。 义材 施加到相變材料上的能量是 相變材料上的能量是相變製程變數的=數。施加到 —_敎憶體陣列 y)的方法。此方法包括選定所期望的臨界 1274347 11997twf.doc/g 電麼並且向f己卜 衝。一個操縱S '1中，變記憶體裝置施加程式化脈 置上，包括二/以將程^化脈衝施加到相變記憶體裝 上驅動相變^ =衣置上鈿加一定能量，以在熔化能階之 第-時間^ #的至少部分相變㈣。能量被施加-個 熔化能階之;。:到相變材料上的部分能量可以消散至 直到施加到相變：二料上:綠的形態受到控制’ 量的消散形態以#二^里少於汗火能階為止。控制能 加到相變材料上的裝置具有所期望的臨界電壓。施 所期rn的剩餘能量可㈣制環境能階。 準之一 鑛㈣軸界電壓位 函數。施加到相蠻姑祖μ AAAt日 里j λ疋知作參數的 數。 又材枓上的此1可以是相變製程變因的函 本發明提供了以下優勢·可石 (p_ss _i〇n)，操作參數·，匕 準確地編制不同的電阻位準。 欠衣置中 易懂為其他目的、特徵和優點能更明顯 明如下。牛乂土只_’亚配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 現在將對在相變裝置中準確快 魔位準的系統及方法的若干較佳實施 =、二多個臨界電

I274‘H 許之更動與潤飾。 相文裝置可以被快速讀取及編制， 維持它們的狀態。因此，相變f置是非當右2要以、來 (如電腦々_壯m非有用的儲存資料 纽曰二農置。此外’由於在非結晶狀態 曰曰狀間存在著⑽不同的臨界 =被分為多個位準並且其中每個臨界電壓 來才曰不儲存在相變裝置中的不同資料值。 個臨5 —貫_提供了—種為相變|置精確選定多 相變裝==:,固臨界電壓位準的系統及方法。此為 選定心夕個臨界電壓位準的精確選定提供了對 目變裝置中的多個資料值中的每一個。為相 -錄，的對每個臨界電壓位準的精確選定也可以提供 低了1良的編制方法’該方法降低了臨界電壓的變化。降 ==臨界電壓變化提高了在不同操作條件（如溫度、電 變因/1入等）下的穩定性並且也可以補償半導體製程 Q(如膜層厚度變化、相變_變化、相變接觸大小等）。 在本發明—實施例t，可以為相對較少數目（如4個） 以二阻位準選定相變震置的臨界電廢。例如，電阻位準可 妙I括四個電阻級別（如5k、地、通及5M 〇hm)。 =而，每個不同的電阻級別是很難準確檢測到的。舉例來 〇 1 vt果向上述有四個不同電阻狀態的相變裝置上施加了 項取％壓，所造成的電流將分別為如uA、2uA、〇·嵐 〇nA。因為〇.2uA是很低的電流，並且施a與典型的 1274347 H997twf.doc/g 相變裝置電路中的干擾具有相同 確檢測到所有四個不同臨界電壓'位準。里、、’所以很難準 =裝置的電阻位準，以及臨界電 受4置中的相變材料的狀態來決定了以由相 -定量的相變材料從非結晶狀態轉變A:曰狀f狀：是指 的相變材料的量決定了相變材料的電阻= 界電壓。相變材料的狀態主要由浮 及相'交衣置的私 相變材料多快從熔化狀態淬火到固體狀能；：二Γ:，如 淬火率也是取決於操作條件(如4狀夕決疋。然而’ 程變〜厚度、等^:〜與； 衝感度的操作條件與製程變因下^程式二 造所期==變裝置中的相變材料淬火， ，於臨界電壓時相變裝置中通過的電流非常少。相反 於臨界電壓時，相變裝置中通過的電流大得多。舉 歹:ί i典型的開/關比率可以大於ι〇00倍。開與關條件 :的電流差非常明顯。通過感測電流差異，可以簡單快速 ^辨^㈣置的開或關狀態。 本發明一實施例提供了 一種可以達到對臨界電壓精 •V (I制的編制方法。圖1繪示為相變記憶單元陣列100。 單1()()中包括四個記憶單元110A-110D。記憶 杜包括作為操縱元件的電晶體102及作為記憶元 田目變裝置1〇4。打開操縱元件1〇2並充分施加 -垔脈衝可以編制相變裝置刚。 ' oc/g 12743,41,

程式化能量脈衝的波形描述了脈衝的形狀。圖2A_2H 緣示為本發明-個或多個實施例中不同的程式能量脈衝波 形205-240。程式能量脈衝波形2〇5_24〇具有縱轴所示的電 壓及檢軸所示的時間。縱軸也可以顯示脈衝2〇5_24〇各自 的電流、能量、熱、光或者其他類型的能量波形。波形可 :乂是正方形205、三角形210、階梯形215、梯形22〇、不 等邊四邊形225，具有直斜邊的正方形23〇、呈有。彤 部的正方形235、具有反向u形尾部的正方形2者盆 他複雜圖形。 I" 程式化能量脈衝的電壓可以是從大約_ 壓。程式化能量脈衝的波形（如形狀或波形）可 二itiflns到大約iGus，以及從大約最大能量振幅到 取小㈣涵。每個不關程式化能量脈射以造 的電阻位準與不同的臨界電壓。 同 舉例來說’具有直斜邊正方形波形的程式 (如圖2F中的波形23G)。脈衝的主正方 = 間(卿到τ"可以從大約0ns到大 過改k尾部（如程式能量脈衝23()所示從 ^ 面（如形狀），相變裝置1〇2的電阻 ^的斜 ，術。舉例來說’程式化能量脈衝2、。;=:二 f造成第-電阻位準與第一臨界電壓。相反地有= 此置脈衝230財與脈衝2〇5相同 ^ 衝205的垂直尾邊，水且古一π 彳一疋相對於脈 i# 〇 ^ 4l· ^ ^ 1 木仉1延伸到T2的直斜尾 邊。私式化“脈衝23〇造成第二電阻位準與第二臨= 12 I274m twf.doc/g

圖3繪示為本發明一實施例中的程式化脈衝波形 3〇〇。程式化脈衝波形300有三個階段：熔化部分3〇5、相 變部分310及固體冷卻部分315。在熔化部分3〇5，丁丨與 T2之間，輸人脈衝提供了充分的能量以造成相變材料炫 在相變部分3H)，T1#T2之間，所施加的能量被降 低（與炫化部分305、相比）’並且相變膜（phase也哪版) 以選定的冷卻速度被淬火。當相變材料從炼化溫度似△ 卻到淬火溫度325時’冷卻速度由脈衝形狀控㈤，因而^ ^了相變裝置的電阻位準與臨界電壓。在固體冷卻部分 5 ’ T2，T3之間’相變材料冷卻到操作環境的操作溫 由於操作溫度低於相變裝置的溶化溫度娜並且低於 汗火溫度325，那麼從上-個相變部分31 的帝 阻位準沒有明顯改變。 又衣置的电 A在冷卻部分315中，電阻位準與臨界電壓由能量脈衝 的形狀決定’因此環境溫度或者所給 τ 變裝置怎樣被淬火。在本發明_實_中 = 被選定’這樣獨立於操作條件與製程 315。通過精確地選定冷卻部分315， =二口P 4刀 位準與不同的臨界電壓。 了 疋不同的電阻 ^裝置的淬火非常依賴於環境條件，圖2A中 的正方形程式脈衝205很難被用來口 中 臨界電壓。圖情示為本發明—^=同的電阻位準與 的兩個視圖4。5、410。在兩個視圖二與

13 1274347 11997twf.doc/g

度和持續時間相同。然而’在視圖41〇中，操作溫度比視 圖405中有所提高。因而，視圖41〇中徽達到溫度 所需的能量比視圖405中420達到熔化溫度所需的能量 少。此外，必須消散更多的能量以下降到能階42〇，以。 因而’視® 41〇巾T0與T1，之間的間隔比視圖彻中τ〇 與τι之間的間隔長。此外，視目41〇中從高峰能階到泮 火能階425，需要消散的能量也比視圖4〇5中的有所提 高。因而，當環境條件改變時’相同的程式化脈衝波形德 與41〇可以造成不_電阻位準與不同的臨界電壓。泮火 能量形狀可以由程式化脈衝波形控制，以補償環境條件如 操作溫度的變化。 舉例來說，可以嚴格控制尾部傾斜度（如時間丁1與 時間Τ2 ^ ’以及程式化脈衝波形的溶化能階42〇與泮 火能階42 5之間）以選定與操作條件無_所期望的電阻 位準與臨界電壓。在階梯波形215或傾斜尾邊如脈衝波形 2Η)、225、230、235、24〇巾，程式化脈衝波形的尾部的 時間或者持續期是-重要成分。相反地，由於程式脈衝2 〇 5 的尾邊通常是垂直的，該脈衝的尾部幾乎不存在。因此， 脈衝波形210、225、230、235、240的傾斜尾邊為選定相 ’史衣置的％阻位準與臨界電壓提供了一個控制元素。 可以操縱脈衝波形210、225、230、235、240的傾斜 尾邊的各個方面（如持續時間、每層階梯高度、梯級數量、 梯級持續時間、不同尾邊波形的組合等），以選定相^事 置的電阻位準與臨界電壓。應該注意的是，可以分別 14 1274347 11997twf.doc/g 阻位準與臨界電壓。這裏重申，第-能量脈 位V第相變裝置的第一電阻位準與第-臨界電壓 =壓位準。同樣地’第三能量脈衝波形可以 -成相义衣置的第二電阻位準與第—臨界電壓位準。 么且人:2為本發明—實施例中的組合脈衝波形谓。 。脈衝波形500包括高溫熔化部分5 能階520限定範圚名τπ溆T1夕叫 口I5刀由k化 530 536以^/Λ 與間。施加多個能量次脈衝 _ ^ 者延伸相變材料在相變部分510之内的 二ΐ = 脈衝觸36使得所期望的電阻及相應 幻‘界軍屋被選定。冷卻部分 境操作溫度。 5允扣讀料冷卻到環 圖6繪示為本發明一實施例中 法_的步驟流程圖。在操作6()5中，^ =，作方 =斤期望的臨界電壓被選定。在操作二= 二σ/1~、）部分及冷卻部分。在操作610中，程々 衝的炫化部分被施加到錢材料上。在 =化脈 加到相變材料上的部分能量消散线化能階之下中’讓施 在刼作620中’能量從相變材料 制’廷樣可以獲得選定的電阻位準 、到控 在操作奶中，讓能量界電廢。 ^讓能量消制環境能階（如操作 *作630 操作。 ^卫且可以結束 I274347wfd〇c/g 圖7繪示為本發明一實施例中可以 中的多個臨界電壓位準的示咅圖 ㈣⑺目變裝复 流U_anzed current)，'===轴顯示標準化電 U_nzed Vth)。如曲線票準^界電壓 界電壓位準7M-720時，通過相 的—田=越各個臨 增加。舉例來說，曲線7〇2顯亍口 近似垂直地 準7M時，通過相變裝置的電到弟—臨界電壓位 如果希望達到第二臨界增加。類似地， 奘罟，、士样+、六士斤 + 716 ’那麼可以編制相變 衣置1樣電流在第二臨界電壓位準7 二 可以選定臨界電壓，並且範圍為心贸+曰力如上所述， 臨界電壓位準720之間的==電壓位準714與高 界電壓位準，每個臨界電壓:;二而可以f分成多個臨 姑 L , ^证+ 了以表不一個不同的資料 值n述’相變裝置可以被用作多狀態裝置。 :逆=:=二 3於1縱裝置（如操㈣置1G4)結合在—起的相變 ^ _淮17可被时選定與控制任何難的相變裝置的 /上界電壓位準。操作條件與製程變a的影響也 了以被琅小化及/或得到補償。 k裏在對本發明的描述中用到的術語“大約，，意味 =10%。舉例來說’ “大約25〇”表示225與275之間 二參照以上實施例，應該瞭解本發明可能採用多種 H木作’14些操作使用儲存在電腦系統中的資料。這 二知作需要物理量的物理操縱（physied_ipulati〇n)。 16 1274347 11997twf.doc/g 通常’而非必要，這些物理量為能被儲存、傳遞 操：的電子或者磁信號。此外’這裡所指的：縱 包括產生、識別、判定或者比較。 0知蜢 這裏描述的任何成為本發明的—部分的 】的機H操作。本發明也是有關於執行這些操壯^ 。，儀器可以是為所需要的用途特別製造:Ϊ ’不同的多用途機器可以與:;置本:;= 行所需操作會更加方便者錢—種專用的裝置以執 將本發明實料電腦可讀媒體 八中貝科可隧後由電腦系統讀取。 谇衣 ，包括硬碟機、網路磁碟機（NAS)、;=體的實 =記憶體、光碟機、燒錄機 ；己=:隨機 =咖可讀媒體分佈於電腦網 佈方式儲存與執行電料ff代碼。4域可以以分 不需要按照所示順序執行以 並且不是所有這些操作所表“，表現的操 :必需：。此外，以上任何圖示中所貫現本發明 人體中貫現’該軟體被儲存在隨機 ^法也可以在 =憶體（峨）或者硬碟機令的任^或(= ⑽、 1274347 11997twf.doc/g 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並 限定本發明，任何_此技藝者，在不脫離本發明 和範圍内，當可作些許之更動與丨_，因此本發明之^ 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。 …又 【圖式間早說明】 ' 圖1 示為一種相變記憶單元陣列。 圖2A-2H繪示為本發明一個或多個實施例中不 式化脈衝波形的說明圖式。 王 圖3繪示為本發明一實施例中程式化脈衝波形的說 圖式。 圖4繪示為本發明一實施例中同一個程式化脈衝的兩 個概觀圖。 图5繪不為本發明一實施例中組合脈衝波形的說明 式。 Π 圖6緣示為本發明一實施例中編制相變裝置之操作方 法的步驟流程圖。 圖7繪示為本發明一實施例中可以被編制到相變裝置 中的多個臨界電壓位準的示意圖。 【主要元件符號說明】 100 :相變記憶單元陣列 102 :電晶體 104 :相變襄置 110A-110D :記憶單元 205、210、215、220、225、230、235、240 :程式化 18 I274347wfd〇c/g 能量脈衝波形 300 :程式化脈衝波形 305 :熔化 310 :相變 315 :固體冷卻 320 :熔化溫度 325 :淬火溫度 405、410 :同一程式化脈衝的兩個視圖 420、420’、520 :程式化脈衝波形的熔化能階 425、425’ ··程式化脈衝波形的淬火能階 500 :組合脈衝波形 505 :高溫熔化部分 510 :相變部分 515 :冷卻部分 530、532、534、536 :能量次脈衝 714、716、718、720 :臨界電壓位準 19

Claims (1)

1274347 11997twf.doc/g 申請專利範圍： I —種編制相變裝置的方法，包括： 4定所期望的臨界電壓（Vth);以及 括 向相又4置中的相變材料上施加一程式化脈衝，包 動至少立2相變材料施加一定能量，以在熔化能階之上驅 夕°卩分該相變材料，該能量被施加一個第一時間區間； 能階之下允許施加到相變材料上的部分能量消散至熔化 相變材料目變材料上能量消散的形'態，直到施加到 的形態以使==於冲火能階為止’其中控制能量消散 、相、义衣置具有所期望的臨界電壓；以及 境能階。允許施加到相變材料上的剩餘能量消散到〜環 法，复中於Ί利靶圍第1項所述之編制相變裝置的方 壓中==丨相變材料上的能量包括電流令光二 法，其中所二;1項所述之編制相變裝置的方 法，其中所期、1項所述之蝙制相變裝置的方 準之電壓位準是多個所期望臨界電4 望的資料值中的;中=的臨界電綠準對應於 申請專利範圍第1項所述l目«置心 20 1274347 11997twf.doc/g 法，其中施加到相變材料上的能量是操作參數的函數。 6·如申凊專利範圍第$項所述之編制相變裝置的方 法，其中#作參數包括操作溫度與輸入電壓中至少一個。 7如申凊專利範圍第5項所述之編制相變裝置的方 • 法，其中操作參數的函數補償操作參數的變化。 、8·如申請專利範圍第丨項所述之編制相變裝置的方 法，其中施加到相變材料上的一定能量是相變製程變因的 鲁 函數。 、9·如申請專利範圍第8項所述之編制相變裝置的方 去，其中相變製程變因包括相變材料類型、膜層厚度及相 變接觸大小所組成之族群中的至少〆項。 、1〇·如申請專利範圍第8項所述之編制相變裝置的方 去’其中相變製程變因的函數補償相變製程變因的變化。 、、U·如申請專利範圍第1項所述之編制相變裝置的方 f ’其中在施加到相變材料上的能量少於淬火能階之前， 子控制月b星從相變材料上消散的形態包括施加多個能量次 — 脈衝。 、12·如申請專利範圍第11項所述之編制相變裝置的 _ T去’其中次脈衝具有以下至少一種形狀的波形：正方形、 二角形、一層或多層階梯、梯形、不規則四邊形、具有直 =邊的正方形、具有_尾部的正方形、具有反向u形尾 4的正方形或它們的組合。 13·如申請專利範圍第1項所述之編制相變裝置的方 …其中程式化脈衝具有以下至少一種形狀的波形··正方 1997twf.doc/g I274347 Ϊ直層或多層階梯、梯形、不規則四邊形、具 形尾㈣正t方形、具有尾部的正方形、具有反向U 尾卩的正方形或它們的組合。 法，I4·::!請專利範圍第1項所述之編制相變裝置的方 目曼材料包含硫糸化合物材料。 2夕—種編制多狀態相變裝置的方法，包括·· 壓，ίίΓ所期望的臨界電墨中選定—所期望的臨界電 多個資料值====中的每—個臨界電壓對應於 向相^置中的相變材料上施加程式化脈衝，包括： 驅動至少t目艾材料上施加—定能量’以在炫化能階之上 間區間；該相變材料’該一定能量被施加一個第一時 能階之下允柄加到相變材料上的部分能量消散至溶化 相變材料=，曰量=變材料上消散的形態，直到施加到 的形態=:;=:=止，其中控制能量消散 衣置具有所期望的臨界電壓；以及 能階。允許施加到相變材料上的剩餘能量;肖散到環境 裝置的方1申第15項所述之編制多狀態相變 參數的函^/、⑸加到相變材料上的該一定能量是操作 17.如申請專利範圍第15項所述之編制多狀態相變 22 127规 twf.doc/g 裝置的方法，发φ > 製程變因的函數。&加到相變材料上的該-定能量是相變 :定:?編制記憶體陣列的方法，包括. 二，望的臨界電屢；以及。括. 上’包括·· 丨知加程式化脈衝到相變記憶體裝置 炫化能階之 施加，量，以在 加一個第—時間區間^刀5亥相變材料，該能-定量被施 能階之下允許施加到相變材料上的部分能量消散至炼化 控制能量從相變材料上消散的熊， 的能量少於淬火能階為止其；'4 的开场以使得相變裝置具有所期望的臨界電壓；二^ 能階。允許施加到相騎料上_餘能量消散到環境 的方Γ.ΛΙ請專利範圍第18項所述之編制記憶體陣列 電壓位準社ΐ期望的臨界電麗能階是多個所期望的臨界 I丰的其中之並且每個所期望的臨界電壓 …於夕個所期望的資料值中的—個資料值。 十 的方ί· 請專利範圍第18項所述之編制記憶體陣列 函數去’其中施加到相變材料上的一定能量是操作參數的 23 1274347 11997twf.doc/g 21.如申請專利範圍第18項所述之編制記憶體陣列 的方法，其中施加到相變材料上的一定能量是相變製程變 因的函數。 24