TWI274189B - A method of producing micro lens array and mask ultilized in the method - Google Patents

A method of producing micro lens array and mask ultilized in the method Download PDF

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Po-Ling Shiao
Yu-Tsan Tseng
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Chi Lin Technology Co Ltd
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1274489 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種製作連續相接之微鏡片陣列的方法, 特別是有關於一種利用具有排列成陣列的複數個通孔的光罩來 製作連續相接之微鏡片陣列的方法。 【先前技術】 現有的擴散元件的製造可分為兩種型態:一種是在於基材 表面形成擴散用的微結構;另一種是將微粒子塗佈於基材表 面,或是將微粒子混摻於基材中。 微粒子塗佈法常無法達到高均勻性與高製程良率,粒子塗 佈量受限,因此擴散率無法提升,同時又容易刮傷其他元件。 微粒子混摻法可提高擴散率,但是透光率較低。 在基材表面形成的微結構主要為兩種型態:不規則性起伏 的毛玻璃式結構以及規則性的微鏡片結構(lens array)。其中毛 玻璃式結構是早期使用的光擴散結構,但是其擴散率低,擴散 方向也是呈隨機性,無法針對如螢光管作特定方向的擴散。 然而微鏡片結構可有效地控制光擴散方向,其連續圓弧形 可有效地達到均勻分散光線的效果,如第1 a、lb圖所示,第1 a 圖表示均勻且平行的光束A經由微鏡片結構10產生散射的現 象,第lb圖則表示微鏡片結構10的詳細構造,光束A通過微 鏡片l〇a後產生散射,微鏡片10a與10b之間最理想的狀態是 形成尖角,若微鏡片l〇a與10b之間有間距,則未經散射的光 束會從間距處漏出,而在顯示元件(如液晶面板)上形成亮線 或亮點。 習知的微鏡片結構加工技術係以機械加工或雷射拖拉的方 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf 5 1274189 法製作’但是由於機械加工不易達到完美的曲面,而雷射拖拉 技術受限於所使用的光罩,因此難以製作大面積的連續圓弧微 鏡片結構,而且也不易控制使兩微鏡片之間產生理想的尖角狀。 【發明内容】 、有鑑於此,本發明提供一種製作連續相接之微鏡片陣列的 方法,可以輕易地製作出大面積的連續圓弧微鏡片結構,而且 使兩微鏡片之間產生理想的尖角狀。 本發明之製作連續相接之微鏡片陣列的方法,包括下列步 驟:提供-基材;提供—光罩,該光罩具有複數個通孔,該等 通孔係排列成陣列;提供一能量束;將光罩置於能量束與基材 之間々;以及於一第一方向上移動光罩,其中該等通孔彼此之間 在與第一方向垂直的方向上具有一適當的間距,藉此在基材上 刻寫出複數個連續相接的溝槽,且該等溝槽彼此相連處大體上 呈尖角狀。 在上述之方法中,在-第二方向上,該等通孔彼此之間具 有一適當的間距,第二方向係與第一方向垂直,該適當的間距 係大於0.01微米且小於5微米。 上述之通孔可為圓孔或橢圓孔,藉此所刻寫出的溝槽為圓 弧形的溝槽。 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯 易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖示,作詳細說明 如下。 【實施方式】 本發明主要是應用雷射拖拉技術在基材上刻寫出所需的溝 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf 1274189 槽。第2圖表示雷射拖拉技術的示意圖。第3圖、第4圖表示 不同形狀的光罩可以刻寫出不同形狀的溝槽,以下分別說明。 如第2圖所不,首先提供一基材1〇〇,在該基材剛的上 方設置-光罩200,然後以雷射光束B經由光罩照射至基 材100上」在照射雷射S B之同時,使光罩2〇〇於一第一方向 D1移動’藉由光罩200的移動及雷射光束B對基材1〇〇的刻寫, 在基材100上會形成溝槽12〇。 此一技術主要是控制雷射光束在基材1〇〇上不同位置的刻 寫篁所造成的差異,產生刻寫深度的漸層效果,而使溝槽具有 三維的結構。其中雷射拖拉技術可控制的參數包括拖拉速度、 雷射能量以及雷射4複頻㈣,其最主要影響較關寫的溝 槽的深度。例如拖拉速度越快、雷射能量越小以及雷射重複頻 率越小,會使單位時間内的刻寫量越小,所刻寫的溝槽深度則 越小,反之則越深。 另一方面光罩的圖形則會影響溝槽的三維輪廓,如第3、4 圖所示。第3圖表示一具有门字形通孔M1〇的光罩Ml及使用 光罩Ml所刻寫出的溝槽12〇a,由於光罩M1的中央部分開口 面積較小,兩側開口面積較大,因此經由中央部分照射到基材 的曝光時間較短,經由兩侧照射基材的曝光時間較長,因此出 現溝槽120a的中央淺兩側深的輪廓。第4圖表示一具有圓孔 M20的光罩M2以及使用光罩M2所刻寫出的溝槽12〇b,由於 使用圓孔,而曝光時間的長短從圓孔M20的中央至兩側是呈現 連續的分佈,因此所刻寫出的溝槽120b呈現弧形。 由於第3、4圖所示的光罩的通孔形狀與所刻寫出的溝槽的 輪廓之間有一定的關係,因此在若欲產生圓弧形的溝槽,則通 孔的形狀可以選擇圓形或橢圓形。第5圖為本發明之光罩的示 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf 7 1274189 意® °由於以具有—個圓孔的光罩進行雷射拖拉可以產生一道 弧形的溝槽,若欲產生多道的溝槽,則可在光罩上設置多個通 孔。因此在本發明的光罩200上設有複數個通孔22〇,該等通孔 220排列成矩形陣列,如第5圖所示,置於基材ι〇〇的上方,如 此可在基材1 00上刻寫出相連續的溝槽。 ^其實只要至少有一列的通孔220就可以在基板上產生相連 續的溝槽’但是若僅只設置—列通孔22G,則刻寫所需的時間會 太久,目此通孔220㈤數量及排列的列數及行數視實際所需形 成溝槽的面積及生產的速率而定。 籲第6圖為第5圖中區域R的放大圖。其中通孔,於第二 方向D2上彼此之間需相隔一適當的距離以,如此才能產生接 近理想的尖角狀,若兩通孔220之間的距離太小,雷射光束所 產生的熱會使兩溝槽相接的地方產生熔融現象而使尖角部分融 化形成圓球狀,如此圓球狀部位會產生漏光的問題並使光的擴 散性變差而產生亮線或亮點,因此兩通孔22〇之間需保持適當 的距離dl。此距離dl最好大於〇·〇ι微米且小於5微米,如第7 圖所示,在本實施例中,由於基材100的材料為聚碳酸酯(ρ〇, _ 其最佳值為0·75微米,當通孔220在第二方向D2上的距離dl 為〇·75微米時,溝槽相接處的形狀可以得到近乎理想的尖角 狀。當然隨著基材100的材料特性不同,距離dl的最佳值也會 有不同的數值。 除了圓孔之外,通孔220也可以是橢圓孔,如第8圖所示, 其長軸a與短軸b的比例可以調整,以控制刻寫的深度及輪廓。 苐9圖為根據本發明的方法所製作出的連續相接之微鏡片 陣列的照片,第10圖為利用具有橢圓形通孔之光罩所製作出具 有橢圓形輪廓之溝槽的照片,其橢圓形通孔的長轴與短轴的比 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf 8 1274189 為1.5: 1。從第9、10圖中可以看出,藉由本發明的光罩200 配合雷射拖拉技術,的確可以在基材上刻寫出相連續的弧形溝 槽且溝槽的相接處呈現接近理想的尖角狀,而得到各種深度及 輪廓之連續的微鏡片陣列構造,不僅可用於大面積的擴散元 件,同時可具有相當的精度。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定 本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍内, 當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之 申請專利範圍所界定者為準。 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf 9 1274189 【圖式簡單說明】 第la圖表示均勻且平行的光束A經由微鏡片結構1〇產生 散射的現象。 第lb圖表示微鏡片結構1〇的詳細構造。 第2圖表示雷射拖拉技術的示意圖。 第3圖、第4圖分別表示以不同形狀的光罩刻寫出不同形 狀的溝槽。 第5圖為本發明之光罩的示意圖。 第6圖為第5圖中區域R的放大圖。 第7圖表示第6圖中兩通孔之間的間距。 第8圖表示本發明之光罩的通孔為橢圓孔。 第9圖為根據本發明的方法所製作出的連續相接之微鏡片 陣列的照片。 第10圖為利用具有橢圓形通孔之光罩所製作出具有橢圓 形輪廓之溝槽的照片。 【主要元件符號說明】 10〜微鏡片結構; 10a、10b〜微鏡片; 100〜基材; 120〜溝槽; 120a、120b〜溝槽; 200〜光罩; 220〜通孔; A〜光束; B〜雷射光束; 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf 10 1274189 D1〜第^一方向; D2〜第二方向;
Ml〜光罩; M10〜门字形通孔; M2〜光罩; M20〜圓孔; d 1〜距離。
0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf

Claims (1)

1274189 十、申請專利範圍: 1 ·種製作連續相接之微鏡片陣列的方法,包括下列步驟: 提供一基材,· 提供一光罩,該光罩具有複數個通孔,該等通孔係排列成 陣列; 提供一能量束; 將該光罩置於該能量束與該基材之間;以及 於一第一方向上移動該光罩或移動該基材,藉此該能量束 的光^經由該光罩在該基材上刻寫出複數個連續相接的溝槽, • 且該等溝槽彼此相連處大體上呈尖角狀。 2.如申請專利範圍第丨項所述之製作連續相接之微鏡片陣 歹J的方去,其中在一第二方向上,該等通孔彼此之間具有一適 當的間距。 3_如申明專利範圍第1項所述之製作連續相接之微鏡片陣 列的方法,其中該適當的間距係與該基材的材料有關。 •如申明專利範圍第2項所述之製作連續相接之微鏡片陣 歹J的方去,其中該第二方向係與該第一方向垂直。 Φ 、如申明專利範圍第2項所述之製作連續相接之微鏡片陣 列的方法,其中該適當的間距係大於0·01微米且小於5微米。 如申明專利範圍第2項所述之製作連續相接之微鏡片陣 列的方法,其中該等通孔為圓孔。 浚申-月專利範圍第2項所述之製作連續相接之微鏡片陣 列的方法,其巾料通孔為橢圓孔。 如申明專利範圍第1項所述之製作連續相接之微鏡片陣 列的方去’其中該能量束為雷射能量束。 申明專利範圍第1項所述之製作連續相接之微鏡片陣 〇424~A21176TWF^2);P〇2940022TW;chentf 19 1274189 列的方去,其中該陣列為矩形陣列。 個通孔,H作連、_相接之81弧微鏡片陣列的光罩,具有複數 該等通孔係排列成陣列。 鏡片陣::光η'::10項所述之製作連續相接之圓弧微 有一適當的=。’其中在一第三方向上,該等通孔彼此之間具 鏡片專利範圍第11項所述之製作連續相接之圓弧微 ==列的光罩,其中當該光罩在與該第三方向垂直的方向上 接ί二―能量ί經由_罩在一基材上刻寫出複數個連續相 接的溝槽,且該等龍彼此相連處大體上呈尖角狀。 鏡片^^^專利範圍第11項所述之製作連續相接之圓弧微 微米。其中該適#的距離係大於_微米且小於5 鏡專u韻叙製作連㈣接之圖弧微 鏡片陣列的光罩’其中該等通孔為圓孔。 鏡片糊㈣第11項料之製作連續相接之圓弧微 鏡片陣列的光罩,其中該等通孔為橢圓孔。 鏡片請專利範圍第ig項所述之製作連續相接之圓弧微 I的光罩,其中該陣列為矩形陣列。 0424-A21176TWF(N2);P02940022TW;chentf
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