TWI269293B - Optical recording medium and process for producing the same, and method for recording data on and reproducing data from optical recording medium - Google Patents

Description

1269293 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光記錄媒體及其製造方法，尤其關於可實 現未滿再生界限之微小記錄標記之形成以及來自此種記錄 標記之資料再生之超解像型光記錄媒體及其製造方法。 又，本發明係關於對光記錄媒體之資料記錄方法及資料再 生方法，亦關於對超解像型光記錄媒體之資料記錄方法及 資料再生方法者。 【先前技術】 近年來，作為大容量之數位資料記錄用之記錄媒體， CD(Compact Disc)、 DVD(Digital Versatile Disc)所代表 之光記錄媒體被廣為使用。 在CD中屬於無法施行資料之追加或重寫之型式者 (CD-ROM)，具有在厚度約1.2匪之透光性基板上積層著反 射層及保護層之構造，將波長約78 Onm之雷射光束從透光 性基板側照射於反射層，即可藉以施行資料之再生。另一 方面，CD中屬於可施行資料之追加之型式者（CD-R)或可施 行資料之重寫之型式者（CD-RW)，具有在透光性基板與反射 層之間追加有記錄層之構造，將波長約7 8 0 n m之雷射光束 從透光性基板側照射於記錄層，即可藉以施行資料之記錄 及再生。 在CD之情況，雷射光束之集束係使用數值孔徑約0. 45 之物鏡，藉此將反射層或記錄層上之雷射光束之射束徑縮 小至約1 . 6 μ m。藉此，在C D實現約7 8 0 Μ B之記錄容量，及 312/發明說明書(補件)/93 -10/93119512 1269293 於基準線速度（約1 . 2 m / s e c )之約1 M b p s之資料轉送率。 又，在DVD中屬於無法施行資料之追加或重寫之型式者 (DVD-ROM)，具有由在厚度約0· 6 mm之透光性基板上積層有 反射層及保護層之積層體與厚度約0. 6腿之虛設基板透過 黏合層貼合而成之構造，將波長約6 3 5 n m之雷射光束從透 光性基板側照射於反射層，即可藉此施行資料之再生。另 一方面，在DVD中屬於可施行資料之追加之型式者（DVD - R 等）或可施行資料之重寫之型式者（DVD-RW等），具有在透 光性基板與反射層之間追加有記錄層之構造，將波長約 6 3 5 n m之雷射光束從透光性基板側照射於記錄層，即可藉 此施行資料之記錄及再生。 在DVD之情況，雷射光束之集束係使用數值孔徑約0 · 6 之物鏡，藉此將反射層或記錄層上之雷射光束之射束點徑 縮小至約0 . 9 3 μπι。如此，在對於D V D之記錄及再生中，與 CD相比，由於使用波長較短之雷射光束，同時使用數值孔 徑較大之物鏡，因此實現比CD小之射束點徑。藉此，在 DVD實現約4. 7GB /面之記錄容量，及於基準線速度（約 3.5m/sec)之約11Mbps之資料轉送率。 近年來，有一種具有超過DVD之資料記錄容量且可實現 超過DVD之資料轉送率之光記錄媒體被提出。在此種次世 代型之光記錄媒體中，為了實現大容量•高資料轉送率， 係使用波長約4 0 5 n m之雷射光束，同時使用數值孔徑約 0 . 8 5之物鏡。藉此，可將雷射光束之射束點徑縮小至約 0 . 4 3 μιη，實現約2 5 G Β /面之記錄容量以及基準線速度（約 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 5.7m/sec)之約36Mbps之資料轉送率。 如此，在次世代型之光記錄媒體中，由於使用數值孔徑 極高之物鏡，為了充分確保傾斜餘量（tilt margin)並抑制 彗开4像差（comatic aberration)之產生，將成為雷射光束 之光程的透光層之厚度設定為薄至約ΙΟΟμπι。因此，在次 世代型之光記錄媒體中，難以如現行型式之光記錄媒體（如 CD、DVD等）般在透光性基板上形成記錄層等各種功能層， 而使反射層或記錄層成膜於支持基板上之後，在其上藉旋 塗法等而形成薄的樹脂層並以此作為透光層之方法正被研 究中。即，在次世代型之光記錄媒體之製作時，與現行之 從光入射面側起依次成膜之光記錄體不同，係從與光入射 面之相反側依次成膜。 如以上所說明，光記錄媒體之大容量化及高資料轉送率 化，主要係藉雷射光束之射束點徑之縮小來達成。從而， 為了達成更高的大容量化及高資料轉送率化，有必要使雷 射光束之射束點徑更為縮小。然而，若用更短之雷射光束 波長，在透光層之雷射光束之吸收會急逮增大，或透光層 之經年劣化會變高，因此在進一步之短波長化上發生困 難，又，若考慮透鏡設計之困難性或傾斜餘量之確保等， 物鏡之數值孔徑之進一步提高亦屬困難。即，雷射光束之 射束點徑之進一步縮小可謂為非常困難之事。 基於上述情事，為達成大容量化及高資料轉送率化之另 一嘗試，最近有一種超解像型之光記錄媒體被提出。超解 像型之光記錄媒體係指一種可實現超過再生界限之微小記 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 錄標記之形成以及來自此種記錄標記之資料之再生之光記 錄媒體，若使用此種光記錄媒體，可在不縮小射束點徑之 前提下實現大容量化及高資料轉送率化。 更具體加以說明如下：設雷射光束之波長為又，物鏡之 數值孔徑為N A，繞射界限d 1可由下式 dl= λ /2ΝΑ

得到。因此，在利用記錄標記及空白區域之長度（即端緣間 之距離）來表規；資料之型式之光記錄媒體（如C D或D V D ) 中，單一信號之再生界限d2可由下式 d2 = λ /4NA 得到。即，在不屬超解像型之普通之光記錄媒體中，若最 短記錄標記或最短空白區域之長度未滿再生界限，則無法 區別記錄標記與空白區域。相對於此，在超解像型之光記 錄媒體中，由於可利用長度未滿再生界限之記錄標記或空 白區域，因此可在不縮小射束點徑之前提下實現大容量化 及高資料轉送率化。 作為超解像型之光記錄媒體，已知有一種被稱為「散射 型 Super RENSj (Light-Sca11ering-Μode Super Resolution Near-field Structure)之超解像型之光記錄 媒體被提出（參照非專利文獻1 )。在此光記錄媒體中，係 使用相變化材料層及金屬氧化物所構成之再生層，對其照 射以雷射光束時，由於構成再生層之金屬氧化物在射束點 中心之高能量部分中分解而產生金屬粒子，使雷射光束散 射，導致接場光之產生。依照該文獻中之說明，其結果為， 8 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 相變化材料層局部受到接場光之照射，因此可利用其相變 化進行超解像記錄及超解像再生。此外，當雷射光束遠離 時，由再生層之分解所產生之金屬與氧再次結合，復原為 原先之金屬氧化物，因此可實現其反覆重寫。 然而，根據本案發明人等之研究，在稱為「散射型 S u p e r R e n s」之超解像型之光記錄媒體中，相變化材料層之 相變化幾乎不會變成信號而出現，且再生層之分解係屬不 可逆之事實已被確認。亦即，已知在稱為「散射型 S u p e r R e n s」之超解像型之光記錄媒體可實現的並非可在相 變化材料層形成可逆記錄標記之重寫型光記錄媒體，而是 可在再生層（貴金屬氧化物層）形成不可逆記錄標記之追記 型光記錄媒體（參照非專利文獻2 )。 在此，未滿再生界限之微小記錄標記可形成於貴金屬氧 化物層之理由為，由於貴金屬氧化物層在射束點中心之高 能量部分中局部分解，所產生之氣泡使該區域發生塑性變 形所致。發生塑性變形之部分被用作為記錄標記，未發生 塑性變形之部分則被用作為空白區域。另一方面，由如此 形成之微小記錄標記可再生資料之理由乃到目前為止尚未 明朗，但如非專利文獻2所載述，在使用波長6 3 5 nm之雷 射光束及數值孔徑0 . 6之物鏡之超解像再生時，可得到良 好之信號特性。波長6 3 5 n m之雷射光束及數值孔徑0 . 6之 物鏡係如上述，為使用於D V D之記錄及再生之光學系統。 從而，可想像的是，在超解像型之光記錄媒體中若亦以與 次世代型之光記錄媒體相同之方式而使用波長更短之雷射 9 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 光束及數值孔徑更大之物鏡’可得到更高之 料轉送率。 [非專利文獻 1] “Anear-iieldrecordin technology using a m a t e11i c probe in a disk” , J a p. J. Appl· Phys.，曰本應用物理 年，Volume 39， ρ·980-981 [非專利文獻 2] “Rigid bubble pit forma signal enhancement in super-resolution structure disk with platinum-oxide 1 a y e Physics Letters, American Institute of December 16， 2002， Volume 81, Number 25, 然而，如上所述，在超解像型之光記錄媒 自未滿再生界限之記錄標記再生資料之機制 朗，因此在使用未滿6 3 5 ηιτι之波長之雷射光 超過0 . 6之物鏡之情況是否亦可實現超解像 之事，又，假定有可能實現，則對於如何設 各層之材料、以及各層之厚度等始可得到良 性，事實上無法預料。 【發明内容】 從而，本發明之目的為提供一種有貴金屬 解像型光記錄媒體，係可使用波長更短之雷 孔徑更大之物鏡，實現超解像記錄及超解像 媒體，暨其製造方法。 又’本發明之另一目的為提供一種具有貴 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 記錄密度及資 g and readout n optical 學會編，2 0 0 0 tion and huge near-field r ” ，Applied Physics, P. 4697-4699 體中，關於可 ，目前尚未明 束或數值孔徑 再生乃屬未知 定其層構成、 好之信號特 氧化物層之超 射光束及數值 再生之光記錄 金屬氧化物層 10 1269293 之超解像型光記錄媒體，係可使用次世代型光記錄媒體所 用之光學系統、亦即波長約4 0 5 n m之雷射光束及數值孔徑 約0 . 8 5之物鏡，實現超解像記錄及超解像再生之光記錄媒 體，暨其製造方法。 又，本發明之其他目的為提供下述方法：對超解像型之 光記錄媒體，使用波長更短之雷射光束及數值孔徑更大之 物鏡以記錄資料之方法及再生資料之方法。 本發明一形態之光記錄媒體之特徵為，具備有支持基 板；透光層；以及在上述透光層與上述支持基板之間依照 自上述透光層所觀之下述次序配置之第一介電體層、貴金 屬氧化物層、第二介電體層、光吸收層、及第三介電體層， 上述支持基板之厚度為0.6腿以上、2.0 nrni以下，上述透 光層之厚度為l〇//m以上、200//m以下，上述貴金屬氧化 物層之厚度為2nm以上、50nm以下，上述第二介電體層之 厚度為5nm以上、100nm以下，上述光吸收層之厚度為5nm 以上、100nm以下，上述第三介電體層之厚度為10nm以上、 1 4 0 n m以下。 依照本發明，藉由使用波長（λ )未滿約6 3 5 n m之雷射光 束及數值孔徑（N A )超過約0 . 6之物鏡，可將 λ / Ν Α設定為 6 4 0 n m以下，以施行超解像記錄及超解像再生，尤其在使 用次世代型光記錄媒體所用之波長約4 0 5 n m之雷射光束及 數值孔徑約0 . 8 5之物鏡之超解像記錄及超解像再生之情 況，可得到良好之特性。 在此，支持基板之厚度最好設定為1 . 0麵以上、1 , 2 mm 11 312/發明說明書(補件)/93-10/931195】2 1269293 以下，而以1 . 1 mni左右特佳。又，透光層之厚度最好設定 為50/im以上、150//m以下，特佳的是設定為70μπι以上、 1 2 0 /i m以下。如此設定支持基板及透光層之厚度，可保持 本發明之光記錄媒體與目前所提倡之次世代型光記錄媒體 之互換性。 又，第二介電體層之厚度較佳的是設定為20nm以上、 lOOnm以下，更佳的是設定為50nm以上、lOOnm以下，特 佳的是設定為5 0 n m以上、7 0 n m以下。若如此設定第二介 電體之厚度，可充分保護貴金屬氧化物層，同時使之不致 過度阻礙記錄時之變形。尤其將第二介電體之厚度設定為 5 0 n m以上、7 0 n m以下時，可得到較高之載波/雜音比（C N R )。 又，貴金屬氧化物層中最好含有氧化鉑（PtOx)。在此情 況，最佳的是貴金屬氧化物層實質上全部由氧化鉑（P t 0 X) 構成，但亦可含有其他材料或難免混入之雜質。貴金屬氧 化物層之材料使用氧化鉑（P t 0 X )時，可得到良好之信號特 性及充分之耐久性。 又，在本發明之光記錄媒體中，最好進一步具備有設在 支持基板與第三介電體層之間之反射層。若設有此種反射 層，可提高再生信號之位準，同時大幅改善再生耐久性。 在此，「再生耐久性」係指對再生劣化現象（即，再生時照 射之雷射光束之能量使貴金屬氧化層之狀態發生變化，引 起雜音之增加或載波之減少而降低C N R之現象）之耐性。反 射層之厚度較佳為5nm以上、200nm以下，更佳為lOnm以 上、1 0 0 n m以下，最佳為1 0 n m以上、5 0 n m以下。藉由如此 12 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 設定反射層之厚度，可在生產性不大幅降低之前提下得到 充分之提高再生耐久性之效果。 又，極佳情況為，上述支持基板之厚度為1 . 0 mni以上、 1.2腿以下，上述透光層之厚度為70//111以上、120"111以 下，上述貴金屬氧化物層之厚度為2nm以上、30nm以下， 上述第二介電體層之厚度為50nm以上、lOOnm以下，上述 光吸收層之厚度為10nm以上、80nm以下，上述第三介電 體層之厚度為20nm以上、120nm以下，上述反射層之厚度 為10nm以上、50nm以下。若如此設定支持基板及各層之 厚度，在使用波長約4 0 5 n m之雷射光束及數值孔徑約0 . 8 5 之物鏡之超解像記錄及超解像再生中，可得到非常良好之 特性。 本發明另一形態之光記錄媒體之特徵為，具備有厚度 0 · 6 mm以上、2 · 0 mm以下之支持基板；厚度1 0 /z m以上、 200//m以下之透光層；以及在上述透光層與上述支持基板 之間依照自上述透光層所觀之下述次序配置之第一介電體 層、貴金屬氧化物層、第二介電體層、光吸收層、第三介 電體層、及反射層。在此情況亦最好能使用氧化鉑（P t 0 X ) 作為貴金屬氧化物層之材料。又，各層之厚度亦最好能如 上述般設定之。 本發明之光記錄媒體之製造方法之特徵係具備有：使反 射層、第三介電體層、光吸收層、第二介電體層、貴金屬 氧化物層、及第一介電體層依照此次序形成於支持基板上 之第一步驟；以及使透光層形成於上述第一介電體層上之 13 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 第二步驟。依照本發明，藉由使用未滿約6 3 5 n m之波長之 雷射光束及數值孔徑超過約0 . 6之物鏡，可製造一種設定 6 4 0 n m以下之 λ / N A而可施行超解像記錄及超解像再生之 光記錄媒體。較佳的是，藉氣相生長法施行上述第一步驟， 並藉旋塗法施行上述第二步驟。 本發明之資料記錄方法係對於上述光記錄媒體從上述透 光層側照射雷射光束，藉以記錄資料之資料記錄方法，其 特徵為，設上述雷射光束之波長為 λ ，上述雷射光束之集 束用物鏡之數值孔徑為Ν Α時，設定又/ N A為6 4 Ο η Π1以下， 以記錄含有長度 λ / 4 Ν Α以下之記錄標記之記錄標記列。 又，本發明之資料再生方法係對於上述光記錄媒體從上述 透光層側照射雷射光束，藉以再生資料之資料再生方法， 其特徵為，設上述雷射光束之波長為 λ ，上述雷射光束之 集束用物鏡之數值孔徑為Ν Α時，設定 λ / Ν Α為6 4 0 n m以 下，以施行來自含有長度 λ / 4 Ν A以下之記錄標記之記錄標 記列之資料再生。上述二方法中之任一方法，最合適的是 將雷射光束之波長設定為約4 0 5 n m，且將物鏡之數值孔徑 設定為約0 . 8 5，藉此可使用與次世代型之光記錄媒體用之 記錄再生裝置相同之記錄再生裝置，因此可抑制記錄再生 裝置之開發成本•製造成本。

依照本發明，藉由使用未滿約6 3 5 n m之波長之雷射光束 及數值孔徑超過約0 . 6之物鏡，可設定6 4 0 n m以下之；I / Ν A 而施行超解像記錄及超解像再生，尤其在使用次世代型光 記錄媒體所用之波長約4 0 5 n m之雷射光束及數值孔徑約 14 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 Ο . 8 5之物鏡之超解像記錄及超解像再生中，可得到良好之 特性。從而，可使用與次世代型之光記錄媒體用之記錄再 生裝置相同之記錄再生裝置，因此可抑制記錄再生裝置之 開發成本•製造成本。 【實施方式】 以下，一邊參照附圖，一邊詳細說明本發明之較佳實施 形態。 圖1 ( a )為顯示本發明之較佳實施形態之光記錄媒體1 0 之外觀之部分切除斜視圖，圖1 ( b )為（a )所示之A部份之 放大部分斷面圖。 如圖1 ( a )所示，本實施形態之光記錄媒體1 0係圓盤狀， 而如圖1(b)所示，其具備如下構成：支持基板11;透光層 1 2 ;依下述次序被設在支持基板1 1與透光層1 2之間之反 射層2 1、光吸收層2 2、及貴金屬氧化物層2 3 ;以及分別 被設在反射層2 1與光吸收層2 2之間、光吸收層2 2與貴金 屬氧化物層23之間、及貴金屬氧化物層23與透光層12 之間之介電體層3 3、3 2、以及3 1。資料之記錄及再生可一 邊使光錄媒體1 0旋轉，一邊從光入射面1 2 a側照射雷射光 束40而進行。雷射光束40之波長可設定為未滿635nm， 尤其可設定為對次世代型之光記錄媒體所用之4 0 5 n m左右 之波長。又，作為雷射光束4 0集束用之物鏡之數值孔徑， 可設定為超過0.6之數值，尤其可設定為對次世代型之光 記錄媒體所用之0 . 8 5左右之數值孔徑。 支持基板1 1係為了確保對光記錄媒體1 0所要求之機械 15 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 強度而使用之圓盤狀基板，在其一面上，從其中心部附近 向外緣部、或從外緣部向中心部附近，以螺旋狀形成有溝 1 1 a及島1 1 b，用以引導雷射光束4 0。支持基板1 1之材料 或厚度只要可確保機械強度，並未特別受到限制。作為支 持基板1 1之材料，例如可使用玻璃、陶瓷、樹脂等，而考 慮到成形之容易性，最好使用樹脂。此種樹脂可舉出聚碳 酸酯樹脂、烯烴樹脂、丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚苯乙 烤樹脂、聚乙稀樹脂、聚丙稀樹脂、聚石夕氧樹脂、氟系樹 脂、A B S樹脂、胺曱酸酯樹脂等。其中，以加工性等觀點 而言特佳的是使用聚碳酸酯樹脂或烯烴樹脂。其中，支持 基板1 1並未用作雷射光束4 0之光程，因此不必選擇於該 波長區域中為A透光性之材料。 另一方面，關於支持基板1 1之厚度，最好能設定為在機 械強度之確保上所需要且充分之厚度，例如0 . 6腿以上， 2 . 0腦以下，而考慮到與現行之光記錄媒體或次世代型光 記錄媒體之互換性，則最好設定為1 . 0腿以上、1 . 2 _以 下，尤以1 . 1誦左右更佳。關於支持基板1 1 之直徑亦未 特別受到限制，不過考慮到與現行之光記錄媒體或次世代 型光記錄媒體之互換性，最好設定為1 2 0腿左右。 透光層1 2係成為記錄時及再生時所照射之雷射光束4 0 之光程之層。其材料只要屬於在所用之雷射光束4 0之波長 區域具有充分高之透光率之材料，則未特別受到限制，例 如可使用透光性樹脂等。在本實施形態之光記錄媒體1 0 中，係將透光層1 2之厚度設定為1 0 // m以上、2 0 0 // m以 16 312/發明說明書(補件)/93- ] 0/931〗9512 1269293 下。如此設定之理由為，若透光層12之厚度未滿10//m， 光入射面1 2 a上之射束徑會變得非常小，因此光入射面1 2 a 之傷痕或塵埃對記錄或再生之影響變得過大，而若超過 2 0 0 // in，則會在傾斜餘量之確保或彗形像差之抑制上發生 困難。又，若考慮到與次世代型光記錄媒體之互換性，最 好設定為5 0 " m以上、1 5 0 // m以下，而特佳的是設定為 70//Π1 以上、120//m 以下。 反射層2 1為具有提高再生信號位準且改善再生耐久性 之功能之層。反射層2 1之材料可使用金（A u )、銀（A g )、銅 (Cu)、始（Pt)、ί呂（A1)、鈦（Ti)、鉻（Cr)、鐵（Fe)、銘（Co)、 鎳（Ni)、鎂（Mg)、鋅（Zn)、鍺（Ge)等之單一物質（simple substance)之金屬或合金。反射層21之厚度並未特別受到 限制，不過最好設定為5 n m以上、2 0 0 n m以下，更佳的是 設定為lOnm以上、lOOnm以下，最佳的是設定為10nm以 上、50nm以下。如此設定之理由為，若反射層21之厚度 未滿5 n m，則無法充分得到改善再生对久性之效果，又， 若反射層21之厚度超過200nm，則在成膜上費時，使生產 性降低，且幾乎無法得到進一步改善再生耐久性之效果。 相對於此，將反射層 2 1之厚度設定為1 0 n m以上、1 0 0 n m 以下，尤其設定為lOnm以上、50nm以下時，可在生產性 不大幅降低之前提下得到充分改善再生耐久性之效果。另 外，在本發明中，在光記錄媒體設置反射層2 1並非必要事 項，但予以設置時，可藉此得到上述之效果。 光吸收層2 2具有主要吸收雷射光束4 0之能量後將其變 17 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 換為熱之功能，而其材料最好使用在所用之雷射光束4 Ο 之波長區域之吸收大且以不妨礙記錄時之貴金屬氧化物層 2 3之變形之程度具有較低硬度之材料。對於未滿6 3 5 n m之 波長之雷射光束4 0滿足此種條件之材料可舉出相變化材 料，即在換寫型之光記錄媒體中被用作記錄層之材料。相 變化材料最好使用銻（S b )、碲（T e )、以及鍺（G e )之合金， 或由添加物對其添加而成之材料。 具體而言，將構成光吸收層2 2之相變化材料之原子比以 下式： (SbaTei-a)l-bMb 或 { (GeTe)c(Sb2Te3)i-c}dMi-d (式中，Μ為録（Sb)、碑（Te)、以及鍺（Ge)以外之元素）表 示時，最好能設定為： OSaSl，且 0SbS(K25，或 l/3Sc$2/3，且 0. 9 ^ d 尤其在b值超過0 . 2 5時，光之吸收係數有低於對光吸收 層2 2所要求之數值之虞，又，熱傳導性亦有低於對光吸收 層22所要求之數值之虞，因此不合適。 元素Μ之種類並未特別受到限制，不過最好為選自銦 (I η )、銀（A g )、金（A u )、鉍（B i )、硒（S e )、鋁（A 1 )、磷（Ρ )、 氫（Η)、矽（Si )、碳（C)、釩（V)、鎢（W)、钽（Ta)、鋅（Zn)、 錳（Μ η )、鈦（T i )、錫（S η )、鈀（P d )、鉛（P b )、氛（N )、氧（Ο )、 以及稀土元素（銃（S c )、釔（Y t)、以及鑭（L a )系元素）所組 成之群組之1個或2個以上之元素。尤其在使用波長 18 312/發明說明書(補件)/93- ] 0/93119512 1269293 390nm〜420nm之雷射光束之情況，元素Μ最好選自銀（Ag)、 銦（I η )、以及稀土元素所組成之群組之1個或2個以上之 元素。藉此，在使用波長390nm〜420nm之雷射光束、尤其 4 0 5 n m左右之雷射光束之情況，可得到良好之信號特性。 但，即使在使用相變化材料作為光吸收層2 2之材料之情 況，記錄所引起之相變化亦幾乎不會成為信號而出現。此 即為光吸收層2 2之材料並非必須使用相變化材料之理 由。然而，本案發明人已確認，ill目前為止，光吸收層2 2 之材料使用相變化材料（尤其具有上述組成者）之情況，可 得到最好之信號特性。 光吸收層2 2之厚度在使用相變化材料作為其材料之情 況，最好設定為5nm以上、lOOnm以下，更佳是設定為10nm 以上、8 0 n m以下，特佳的是設定為1 0 n m以上、6 0 n m以下。 如此設定之理由為，若光吸收層2 2之厚度未滿5 n m，則有 無法充分吸收雷射光束之能量之虞，而若超過1 0 0 n m，則 在成膜上費時，會降低生產性。相對於此，若將光吸收層 22之厚度設定為10nm以上、80nm以下，尤其設定為10nm 以上、6 0 n m以下，可在確保高生產性之同時，充分吸收雷 射光束4 0之能量。 貴金屬氧化物層2 3係利用雷射光束4 0之照射而形成記 錄標記之層，係以貴金屬之氧化物為主成分者。貴金屬之 種類並未特別受到限制，不過以鉑（P t)、銀（A g )、以及鈀 (P d )中之至少一種為佳，而以ίό ( Ρ ΐ )特佳。即，作為貴金 屬氧化物層2 3之材料，特佳的是選擇氧化鉑（P t 0 X )。若使 19 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 用氧化鉑（P t Ο x )作為貴金屬氧化物層2 3之材料，可得到良 好之信號特性及充分的耐久性。在使用氧化鉑（P t Ο X )作為 貴金屬氧化物層2 3之材料之情況，最好能將X值以所用之 雷射光束4 0之波長區域之消光係數（k )可成為未滿3 ( k < 3 ) 之方式予以設定。 貴金屬氧化物層2 3之厚度對信號特性有很大之影響。為 了得到良好之信號特性，較佳的是將其厚度設定為2nm以 上、50nm以下，更佳的是設定為2nm以上、30nm以下。為 了得到特別良好之信號特性，較佳的是將其厚度設定為 2nm以上、8nm以下，更佳的是設定為3nm以上、6nm以下， 特佳的是設定為4 n m左右。如此設定之理由為，在貴金屬 氧化物層2 3之厚度未滿2 n m或超過5 0 n m時，即使照射以 雷射光束，仍有可能無法形成良好之形狀之記錄標記，而 無法得到充分之載波/雜音比（C N R )。相對於此，將貴金屬 氧化物層23之厚度設定為3nm以上、30nm以下，尤其為 4 nm左右時，可形成良好之形狀之記錄標記，可得到高CNR。 介電體層31、32、以及33主要具有在物理及化學上保 護所鄰接之各層，同時調整光學特性之功能。在本說明書 中，有時將介電體層3 1、3 2、以及3 3分別稱為第一介電、 第二及第三介電體層。作為介電體層31、32、以及33之 材料，可使用氧化物、硫化物、氮化物，或該等之組合為 主成分。具體而言，較佳的是使用Al2〇3、AIN、ZnO、ZnS、 GeN、GeCrN、CeCh、SiO、Si〇2、Si』4、S i C > La2〇3、TaO、 T i 0 2、S i A 1 0 N ( S i 0 2、A 1 2 0 3、S i 3 N 4、以及 A 1 N 之混合物）、 20 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 以及 LaSiON(La2〇3、Si〇2、以及 SisL 之混 (A 1)、石夕（S i )、錦（C e )、鈦（T i ) 、 ί 辛（Z n ) 化物、氮化物、硫化物、碳化物、或該等 的是使用Z n S與S i 0 2之混合物。在此情況 Z n S之比例設定為7 0莫耳％以上、9 0莫耳为 之比例設定為1 0莫耳％以上、3 0莫耳％以— 將Z n S與S i 0 2之比例設定為8 ◦ : 2 0左右 介電體層31、32、以及33可由互相相ί 亦可由一部分或全部不同之材料構成。此 31、32、以及33中之至少一個可為由複數 構造。 介電體層33之厚度最好設定為10nm以 更佳的是設定為20ηιτι以上、120nm以下。 為，若介電體層3 3之厚度未滿1 0 n m，則； 光吸收層22之虞，而若介電體層33之厚 則在成膜上費時，降低生產性。相對於此 33之厚度設定為20nm以上、120nm以下， 性之同時，有效地保護光吸收層2 2。 介電體層32之厚度最好設定為5nm以J： 較佳的是設定為2 0 n m以上、1 0 0 n m以下。 為，若介電體層32之厚度未滿5nm，有在 2 3之分解時被破壞而無法保護貴金屬氧化 若介電體層32之厚度超過lOOnm，則有在 金屬氧化物層23充分變形之虞。相對於此 312/發明說明書(補件)/93-10/931 ] 9512 ，合物）等之鋁 、钽（T a )等之氧 之混合物，更佳 ，較佳的是將 ;以下，並將S i 0 2 F ，而最佳是， 〇 司之材料構成5 外，介電體層 層所構成之多層 上、1 4 0 n m以下， 如此設定之理由 貧無法充分保護 度超過140nm， ，若將介電體層 可在確保南生產 _ 、1 0 0 n m 以下， 如此設定之理由 貴金屬氧化物層 物層2 3之虞， 記錄時無法使貴 ，若將介電體層 21 1269293 32之厚度設定為2〇nm以上、lOOnm以下，可在充分保護貴 金屬氧化物層2 3之同時，使記錄時之變形不致過度受到阻 礙。又，介電體層3 2之厚度對資料再生時之信號特性亦有 影響，將其厚度設定為50nm以上、70ηπι以下，尤其60nm 左右，可得到高CNR。 介電體層3 1之厚度只要可充分保護貴金屬氧化物層 2 3，則依照所要求之反射率設定即可，較佳的是設定為 30nm以上、120nm以下，更佳的是設定為50nm以上、lOOnm 以下，而特佳的是設定為7 0 n m左右。如此設定之理由為， 若介電體層3 1之厚度未滿3 0 n m，則有無法充分保護貴金 屬氧化物層23之虞，若介電體層31之厚度超過120nm， 則在成膜上費時，降低生產性。相對於此，將介電體層3 1 之厚度設定為50nm以上、lOOnm以下，尤其70nm左右時， 可在確保高生產性之同時，充分保護貴金屬氧化層2 3。 以上為光記錄媒體1 0之構造。 在具有此種構造之光記錄媒體1 0之製造時，首先準備支 持基板1 1，在其形成有溝1 1 a及島1 1 b之一側之表面上依 次形成反射層21、介電體層33、光吸收層22、介電體層 32、貴金屬氧化物層23、介電體層31、以及透光層12， 藉以製作。即，在光記錄媒體1 0之製作中，與次世代型光 記錄媒體一樣，係從光入射面1 2 a之相反側順次施行成膜。 反射層21、介電體層33、光吸收層22、介電體層32、 貴金屬氧化物層23、以及介電體層31之形成，可利用使 用化學種（含有此等構成元素）之氣相成長法，例如濺鍍法 22 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 或真空蒸鍍法，其中較佳的是採用濺鍍法。另一 於透光層1 2之形成，可利用黏度經調整之例如丙 環氧系之紫外線硬化性樹脂藉旋塗法形成皮膜， 氣環境中照射紫外線而使之硬化等之方法形成。 取旋塗法，而使用以透光性樹脂作為主成分之透 及各種接著劑或黏合劑來形成透光層1 2亦可。 另外，亦可在透光層1 2之表面上設置硬塗層， 透光層1 2之表面。在此情況，由該硬塗層之表面 射面1 2 a。硬塗層之材料例如可使用含有環氧丙 聚物（二官能低聚物）、多官能丙烯酸系單體、單 酸系單體、以及含有光聚合引發劑之紫外線硬化 或！呂（A1)、石夕（Si)、鈽（Ce)、鈦（Ti)、鋅（Zn)、 之氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、或該等之 在使用紫外線硬化性樹脂作為硬塗層之材料之情 利用旋塗法使之形成於透光層1 2上，在使用上i 氮化物、硫化物、碳化物、或該等之混合物之情 用使用化學種（含有此等構成元素）之氣相成長法 鑛法或真空蒸鍍法，其中較佳的是採用錢鐘法。 又，硬塗層係用以防止光入射面1 2 a發生刮傷 佳的是不僅具有硬性，亦具有潤滑性。為了對硬 潤滑性，有效的是，使硬塗層之母體材料（例如 有潤滑劑，而潤滑劑最好能選擇聚矽氧系潤滑劑 滑劑、脂肪酸酯系潤滑劑，其含量最好設定為0 以上、5 . 0質量％以下。 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 方面，關 稀酸系或 對此在氮 但，不採 光性片材 藉此保護 構成光入 烯酸酯低 官能丙烯 性樹脂， 姐（Ta)等 混合物。 況，最好 1L氧化物、 況，可利 ，例如滅 ，因此較 塗層賦予 Si〇2)中含 、氟系潤 .1質量％ 23 1269293 其次，針對以本實施形態之光記錄媒體1 〇為對象之資料 之記錄方法及記錄原理加以說明。 對光記錄媒體1 0之資料記錄，係一邊使光記錄媒體10 旋轉，一邊將具有未滿6 3 5 n m (尤其對次世代型之光記錄媒 體所用之405nm左右）之波長之雷射光束40從光入射面 1 2 a側照射於貴金屬氧化物層2 3而施行。在此情況，雷射 光束40之集束用物鏡可使用具有數值孔徑超過0.6(尤其 對次世代型之光記錄媒體所用之0. 8 5左右）之物鏡。即， 可使用與次世代型之光記錄媒體所用之光學系統相同之光 學系統來施行資料之記錄。 圖2為顯示對光記錄媒體1 0照射雷射光束4 0之狀態之 概略斷面圖。另外，圖2所示之光記錄媒體1 0之斷面係沿 著溝11a或島lib之斷面。 如圖2所示，將具有上述波長之雷射光束40以具有上述 數值孔徑之物鏡5 0集束而照射於光記錄媒體1 0時，貴金 屬氧化物層2 3在射束點之中心部分發生分解，而形成填充 有氧氣（〇2)之氣泡23a。氣泡23a之内部，原料金屬之微 粒2 3 b係成為分散之狀態。此時，存在於氣泡2 3 a周圍之 各層由於其壓力而發生塑性變形，因此可使用此氣泡2 3 a 作為不可逆性記錄標記。例如在貴金屬氧化物層2 3之材料 為氧化韵（P t Ο X )之情況，氧化韵在射束點之中心部分分解 成鉑（Pt)與氧氣（〇2)，成為鉑（Pt)之微粒分散於氣泡23a 中之狀態。在貴金屬氧化物層2 3中未形成氣泡2 3 a之部分 係為空白區域。 24 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 貴金屬氧化物層23之分解並非發生於射束點之全體，而 係如上所述，僅發生於射束點之中心部分。從而，所形成 之氣泡2 3 a (記錄標記）小於射束點徑，藉此可實現超解像 記錄。可施行此種超解像記錄之理由係如下所述。 圖3(a)為顯示貴金屬氧化物層23上之雷射光束40之射 束點之平面圖，圖3 ( b )顯示其強度分布圖。 如圖3 ( a )所示，射束點4 1之平面形狀約略為圓形，但 射束點4 1内之雷射光束4 0之強度分布並不同，而係如圖 3(b)所示般具有高 士分布（Gaussian distribution)。即， 於射束點4 1内，愈接近中心部則能量愈高。然而，若設定 遠超過最大強度之1 / e2之指定閾值A，強度達到閾值A以 上之區域4 2之直徑W 2變得遠小於射束點4 1之直徑W1。 其意義為，只要使貴金屬氧化物層2 3具有在受到具有閾值 A以上之強度之雷射光束4 0之照射時發生分解之特性，則 在雷射光束4 0所照射之區域中，僅與射束點4 1内之區域 4 2相對應之部分僅選擇性地形成氣泡2 3 a (記錄標記）。 藉此，如圖4所示，可在貴金屬氧化物層2 3中形成遠小 於射束點之直徑W 1之氣泡2 3 a (記錄標記），其直徑約略等 於W 2。即，表觀上之射束點徑W 2與實際之射束點徑W1之 關係成為W 1 > W 2，實現了超解像記錄。在此，作為貴金屬 氧化物層23之材料屬最合適材料之氧化鉑（PtOx)係具有 被加熱至5 8 0 °C時發生分解之特性，因此，藉照射而使貴 金屬氧化物層2 3達到5 8 (TC以上之強度成為閾值A。 從而，若一邊使光記錄媒體1 0旋轉，一邊將經過強度調 25 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 變之雷射光束4 0沿著溝1 1 a及/或島1 1 b照射，可在 屬氧化物層2 3之指定部分形成未滿再生界限之細微言 標記。 圖5為顯示記錄時之雷射光束4 0之強度調變圖形之 之波形圖。如圖5所示，記錄時之雷射光束4 0之強度 在應當形成記錄標記Μ 1、Μ 2、Μ 3…之區域設定為記錄 (=P w )，不應該形成記錄標記之區域（空白區域）設定 底功率（=Pb)即可。藉此，在貴金屬氧化物層23中， 到具有記錄功率Pw之雷射光束40照射之區域，因分 形成氣泡2 3 a，因此可形成具有指定長度之記錄標記 Μ 2、Μ 3…。但，記錄時之雷射光束4 0之強度調變圖形 限於圖5所示之圖形，可例如圖6所示，使用被分割 衝列來形成記錄標記Μ 1、Μ 2、Μ 3…。 圖7為顯示雷射光束4 0之記錄功率與其後之再生所 再生信號之C N R之關係之模式圖。 如圖7所示，在光記錄媒體1 0中，若雷射光束4 0 錄功率未滿P w 1，則即使在其後施行再生亦無法得到 之再生信號。此原因可能由於雷射光束4 0之記錄功率 Pwl，貴金屬氧化物層23實質上並未分解。又，在雷 束4 0之記錄功率為P w 1以上、未滿P w 2 ( > P w 1 )之區域 錄功率愈高，在其後之再生時得到愈高之C N R。此原 能由於在雷射光束4 0之記錄功率為P w 1以上、未滿： 之區域之情況，貴金屬氧化物層2 3發生部分分解，因 錄功率愈高，分解量愈多。另外，在雷射光束40之記 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 貴金 己錄 一例 4 0a， 功率 為基 於受 解而 Ml、 並不 之脈 得之 之記 有效 未滿 射光 ，記 因可 P w2 此記 錄功 26 1269293 率為Pw2以上之區域，即使進一步提高記錄功率，其後之 再生所得之CNR亦幾乎不變。此原因可能由於在雷射光束 40之記錄功率為Pw2以上時，貴金屬氧化物層23幾乎完 全分解。基於以上之考慮，將雷射光束40之記錄功率設定 為Pw2以上者可謂為較佳。 以上為對光記錄媒體1 0之資料之記錄方法及記錄原理。 在施行如此記錄之資料之再生之場合，一邊使光記錄媒 體1 0旋轉，一邊將固定於指定強度（再生功率=P r)之雷射 光束4 0沿著溝1 1 a及/或島1 1 b照射即可。然後，將所得 之反射光予以光電變換，可得到與記錄標記列相對應之電 信號。可行此種超解像再生之理由，雖然未明確，但可推 測為，在照射被設定於再生功率之雷射光束4 0時，雷射光 束4 0與存在於氣泡2 3 a内之金屬微粒2 3 b發生某種相互作 用，使超解像再生可進行。 圖8為顯示雷射光束4 0之再生功率與C N R之關係之模式 圖。 如圖8所示，若雷射光束4 0之再生功率未滿PI* 1，則幾 乎無法得到有效之再生信號，但若將再生功率設定為P r 1 以上，CNR會急速升高，而將再生功率提高至Pr2(>Prl) 時，CNR則達飽和。此種現象之理由雖然未明確，但可推 測為，由於被設定為P r 1以上之雷射光束4 0之照射，引起 金屬粒子2 3 b與光之相互作用之發生或顯著化。從而，雷 射光束4 0之再生功率有必要設定為P r 1以上，最好能設定 為P r 2以上。 27 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 但若再生功率設定得太高，有在空白區域引起貴金 化物層2 3之分解之虞，而若發生此種分解，造成大幅 生劣化，甚至因情況之不同會引起資料之消失。若考 此點，雷射光束40之再生功率最好設定為Pr2以上、 P w 1 〇 本發明並未受到以上所說明之實施形態之限制，在 申請專利範圍所載述之發明之範圍内可做各種變更， 變更亦被包括在本發明之範圍内，自不待言。 例如，圖1所示之光記錄媒體1 0之構造係屬於本發 光記錄媒體之基本構造，而本發明之光記錄媒體之構 非限定於此。例如，可從光吸收層2 2所觀之支持基4 側追加另一個貴金屬氧化層，亦可從貴金屬氧化物層 所觀之透光層1 2側追加另一個光吸收層。 此外，亦可在支持基板1 1之雙面各別設置光吸收層 貴金屬氧化物層2 3等之各種功能層，設計成雙面具有 面之構造，而亦可在支持基板11之單面上透過透明中 而積層二層以上之各種功能層，設計成在單面具有二 上之記錄面之構造。 (實施例） 以下，針對本發明之實施例加以說明，但本發明並 到此等實施例之限。 [試樣之製作] (實施例1 ) 依照以下之方法，製作具有與圖1所示光記錄媒體 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 屬氧 之再 慮到 未滿 本案 此等 明之 造並 ί 11 23 22 ' 記錄 間層 層以 未受 28 1269293 相同之構造之光記錄媒體試樣。 首先，以射出成形法製備厚度約1 · 1臓及直徑約1 2 0麵， 且在表面上形成有溝11a及島lib之圓盤狀支持基板11， 其材質為聚碳酸酯。 其次，將此支持基板1 1安置於濺鍍裝置，在其形成有溝 1 1 a及島1 1 b之側之表面上，以濺鍍法依次形成實質上由 鉑（Pt)所構成之厚度約20nm之反射層21、實質上由ZnS 與S i 0 2之混合物（莫耳比=約8 0 : 2 0 )所構成之厚度約 lOOnm 之介電體層 33 ' 實質上由 AgaInbSbcTed(a = 5.9，b = 4.4，c=61.1，d=28.6)所構成之厚度約60nm之光吸收 層2 2、實質上由Z n S與S i 0 2之混合物（莫耳比=約8 0 : 2 0 ) 所構成之厚度約6 0 n m之介電體層3 2、實質上由氧化鉑 (PtOx)所構成之厚度約4nm之貴金屬氧化物層23、以及實 質上由Z n S與S i 0 2之混合物（莫耳比=約8 0 : 2 0 )所構成 之厚度約70nm之介電體層31。 其中，在貴金屬氧化物層2 3之形成時，使用鉑（P t)為標 的，使用氧氣（0 2 )及氬氣（A r )為測鍍氣體（流量比=1 : 3 )， 設定室内壓力為0.14Pa，且設定濺鍍功率為200W。藉此， 所形成之氧化鉑（P t 0 X )之消衰係數（k )成為約1 · 9 6。 然後，在介電體層3 1上，以旋塗法塗敷丙烯酸系紫外線 硬化性樹脂，對此照射紫外線，形成厚度約1 0 0 // m之透光 層1 2。藉此，完成實施例1之光記錄媒體試樣。 (實施例2 ) 除了省略反射層21，同時將介電體層33、32、以及31 29 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 之厚度各別設定為約8 0 n in、約4 0 n m、以及約1 Ο 0 n m之外， 以與實施例1之光記錄媒體試樣相同之方法製作實施例2 之光記錄媒體試樣。 (實施例3 ) 除了將貴金屬氧化物層2 3之厚度設定為約2 n m之外，以 與實施例2之光記錄媒體試樣相同之方法製作實施例3之 光記錄媒體試樣。 (實施例4 ) 除了將貴金屬氧化物層2 3之厚度設定為約6 n m之外，以 與實施例2之光記錄媒體試樣相同之方法製作實施例4之 光記錄媒體試樣。 (實施例5 ) 除了將貴金屬氧化物層2 3之厚度設定為約8 n m之外，以 與實施例2之光記錄媒體試樣相同之方法製作實施例5之 光記錄媒體試樣。 (實施例6 ) 除了將介電體層32之厚度設定為約20nm且將介電體層 3 1之厚度設定為約1 2 Ο n m之外，以與實施例2之光記錄媒 體試樣相同之方法製作實施例6之光記錄媒體試樣。 (實施例7 ) 除了將介電體層32之厚度設定為約60nm且將介電體層 3 1之厚度設定為約6 Ο n m之外，以與實施例2之光記錄媒 體試樣相同之方法製作實施例7之光記錄媒體試樣。 將此等實施例1至7之各層之厚度一併示於下表1中。 30 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 [表1] 實施例1 實施例2 實施例3實施例4 實施例5 實施例6實施例7 介電體層31 70nm lOOnm lOOnm lOOnm lOOnm 120nm 60nm 貴金屬氧化物層23 4nm 4nm 2nm 6nm 8nm 4nm 4nm 介電體層32 60nm 40nm 40nm 40nm 40nm 20nm 60nm 光吸收層22 60nm 60ηηι 60nm 60nm 60nm 60nm 60nm 介電體層33 lOOnm 80nm 80nm 80nm 80nm 80mn 80nm 反射層21 20nni - - - - - - [特性之評價1 ] 首 先， 將 實施 例 1及 實施例 2之 光記錄 媒體 試 樣安 置 於 光 碟 評價 裝 置（P u 1 s t e c 公司製 DDU1000) ，一邊以大約 6 · 0 m / s之線 速度 旋 轉， 一邊將 約4 0 5 n m波 長之 雷 射光 束 透 過 數 值孔 徑 約0· 85 之物 鏡從光 入射 面1 2a 照射 於 貴金 屬 氧 化 物 層2 3， 施行 由 所指 定之記 錄標 記長度 及空 白 長度 所 構 成 之 單一 信 號之 記 錄。記錄標記長度及空 白長 度 係在 50 n m 至 3 2 0 n m 之 範圍 内 設定 各種長 度。 另外， 在使 用 上述 光 學 系 統 之情 況 ，由 d2 = λ /4NA 所 得 到之 再 生界 限 為約 1 2 0 n m ο 關 於記 錄 時之 雷 射光 束40之功率 。，對各 光6己 錄 媒體 試 樣 均 設 定其 記 錄功 率 (Pw) 為可得 到最 高CNR 之位 準 (最適記 錄 功 率） ，並將其 •基底故 〖率（Pd)設定 為約略OmW。 又， 雷 射 光 束 40之脈衝圖形係使用圖[ i所示 :之圖形。 31 312/發明說明書(補件)/93- ] 0/93119512 1269293 後 5 將 所 記 錄 之 單 -— 信 號 予 以 再 生 9 測 定 其 CNR 0 關 於 田 射 光 束 4 0之再生功率（ Pr ·)， 對 各 光 記 錄 媒 體 試 樣 均 設 定 為 可 得 到 最 南 CNR 之 位 準 (最適再生功率） 1 0 各 光 記 錄 媒 體 言式 樣 之 最 適 記 錄 功 率 及 最 適 再 生 功 率 係 如 表 2 所 示 0 [表2] 實施例 1 · 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 |實施例6 實施例7 最適記錄功率 8. 8Mw 5.5 mW 5.5 mW 6.C )mW 5.0 mW 5.0 mW 6.5 mW 最適再生功率 2.2 mW 2.0 : mW 2.0 mW 2.C )mW 2.0 mW 2.0 mW 2.0 mW CNR - 之 測 定 結 果 示： 於 圖 9 - D 如 圖 9 所 示 5 可 確 認 實 施 例 1 及 實 施 例 2 之 各 光 記 錄 媒 體 試 樣 之 記 錄 標 記 長 度 及 空 白 長 度 均 在 未 滿 再 生 界 限 (約 120η m ) 時 即 可 得 到 高 CNR 0 例 如 1 在 記‘ 錄 標 記 長 度 及 空 白 長 度 為 8 0 η 1 m之4 膏況， 在 實 施 例 1 之 光 記 錄 媒 體 試 樣 得 到 約 41 dB 之CNR 1 在 實 施 例 2 之 光 記 錄 媒 體 試 樣 得 到 約 37dB 之 CNR 0 藉 此 可 確 認 ，若 使 用 實‘ 施 例 1 . 及 實 施 例 2 . 之 光 記 錄 媒 體 試 樣 可 實 現 超 解 像 記 錄 及 超 解 像 再 生 〇 由 圖 9 所 示 之 結 果 顯 然 得 知 在 實 施 例 1 之 光 記 錄 媒 體 試 樣 可 得 到 特 別 良 好 之 結 果 Ο 其 原 因 可 考 慮 為 相 較 於 實 施 例 2 之 光 記 錄 媒 體 試 樣 各 層 之 膜 厚 已 對 上 述 光 學 系 統 達 成 最 適 化 〇 [特性之評價 2] 其 次 5 將 實 施 例 2 至 實 施 例 5 之 光 記 錄 媒 體 試 樣 安 置 於 上 述 光 碟 評 價 裝 置 在 與 上 述 厂 特 性 之 評 價 1 j相 同 之 條 件下，施行記錄標記長度及空白長度為8 0 n m之單一信號暨 32 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 記錄標記長度及空白長度為6 0 n m之單一信號之記錄。另 外，實施例2至實施例5之光記錄媒體試樣除了在貴金屬 氧化物層2 3之厚度上不同之外，具有互相相同之結構。 然後，將所記錄之單一信號予以再生，測定其CNR。關 於雷射光束4 0之再生功率（P r )，係設定為各光記錄媒體試 樣之最適再生功率。測定之結果示於圖1 0中。 如圖1 0所示，在貴金屬氧化物層2 3之厚度與所得C N R 之間顯示強的相關性，確認在設定貴金屬氧化物層2 3之厚 度為約4 n m之情況（實施例2 )可得到最良好之C N R。 [特性之評價3 ] 其次，將實施例2、實施例6以及實施例7之光記錄媒 體試樣安置於上述光碟評價裝置，在與上述「特性之評價 1」相同之條件下，施行由所指定之記錄標記長度及空白長 度所構成之單一信號之記錄。關於記錄標記長度及空白長 度，在60nm至320nm之範圍内設定各種長度。另外，實施 例2、實施例6以及實施例7之光記錄媒體試樣除了在介 電體層31、32之厚度上不同之外，具有互相相同之結構。 然後，將所記錄之各單一信號予以再生，測定其CNR。 關於雷射光束4 0之再生功率（P r )，係設定為各光記錄媒體 試樣之最適再生功率。測定之結果示於圖1 1中。 如圖1 1所示，在介電體層3 2之厚度與所得C N R之間顯 示某種程度之相關，確認在設定介電體層3 2之厚度為約 6 Ο n hi之情況（實施例7 )可得到最良好之C N R。 [特性之評價4 ] 33 312/發明說明書(補件)/93-10/931195 ] 2 1269293 其次，將[特性之評價1 ]中被記錄於實施例1及實施例2 之光記錄媒體試樣之單一信號中之記錄標記長度及空白長 度為8 0 n m之單一信號予以反覆再生，對所得再生信號之光 譜施行觀測。關於雷射光束4 0之再生功率（P r )，係設定為 各光記錄媒體試樣之最適再生功率。 關於實施例1及實施例2之光記錄媒體試樣，將初期之 光譜示於圖12(a)、（b)中，並將反覆再生4000次時之光 譜示於圖1 3 ( a )、（ b )中。 如圖1 2 ( a )、（ b )所示，關於初期之光譜，在實施例1之 光記錄媒體試樣與實施例2之光記錄媒體試樣之間並未出 現實質差異，然而在經過反覆再生4 0 0 0次時，在實施例2 之光記錄媒體試樣發生如圖1 3 ( b)所示之光譜之擴展，確 認發生再生劣化。相對於此，在實施例1之光記錄媒體試 樣之情況，如圖1 3 ( a )所示，經過反覆再生4 0 0 0次後之光 譜與初期之光譜之間並無實質差異，確認具有高再生耐久 性。在實施例1之光記錄媒體試樣與實施例2之光記錄媒 體試樣之間產生此種差異可能係反射層2 1之存在與不存 在之差別所造成。 以上，將特性之評價1至4予以綜合判斷，可謂實施例 1之光記錄媒體試樣具有最良好之特性。 (產業上之可利用性） 如以上所說明，依照本實施形態，由於使用未滿約6 3 5 n m 之波長之雷射光束及數值孔徑超過約0 . 6之物鏡，可設定 λ / N A為6 4 0 η η〗以下而施行超解像記錄及超解像再生，尤 34 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 其在使用次世代型光記錄媒體所用之約4 Ο 5 n m波長之雷射 光束及數值孔徑約0 . 8 5之物鏡之超解像記錄及超解像再 生中，可得到良好之特性。從而，可使用與次世代型光記 錄媒體用之記錄再生裝置相同之記錄再生裝置，因此可抑 制記錄再生裝置之開發成本•製造成本。 【圖式簡單說明】 圖1 ( a )為顯示本發明之較佳實施形態之光記錄媒體1 0 之外觀之部分切除斜視圖，圖1 ( b )為（a )所示之A部份之 放大部分斷面圖。 圖2為顯示對光記錄媒體1 0照射雷射光束4 0之狀態之 模式圖。 圖3(a)為顯示貴金屬氧化物層23上之雷射光束40之射 束點之平面圖，圖3 ( b )顯示其強度分布圖。 圖4為用以說明氣泡2 3 a (記錄標記）之大小之圖。 圖5為顯示記錄時之雷射光束4 0之強度調變圖形之一例 之波形圖。 圖6為顯示記錄時之雷射光束4 0之強度調變圖形之另一 例之波形圖。 圖7為顯示雷射光束4 0之記錄功率與其後之再生所得之 再生信號之C N R之關係之模式圖。 圖8為顯示雷射光束4 0之再生功率與C N R之關係之模式 圖。 圖9為顯示特性評價1中之測定結果之圖。 圖1 0為顯示特性評價2中之測定結果之圖。 35 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 圖1 1為顯示特性評價3中之測定結果之圖。 圖1 2為顯示特性評價4中之測定結果（初期之光譜）之 圖，圖1 2 ( a )顯示實施例1之光記錄媒體試樣之結果，圖 1 2 ( b )顯示實施例2之光記錄媒體試樣之結果。 圖1 3為顯示特性評價4中之測定結果（反覆再生4 0 0 0 次時之光譜）之圖，圖1 3 ( a )顯示實施例1之光記錄媒體試 樣之結果，圖1 3 ( b)顯示實施例2之光記錄媒體試樣之結 果。 (元件 符 號 10 光 記 11 支 持 11a 溝 lib 島 12 透 光 12a 光 入 2 1 反 射 23a 氣 泡 2 3 b 微 粒 22 光 吸 23 貴 金 31 第 一 32 第 二 33 第 三 40 雷 射 說明） 錄媒體 基板 層 射面 層 收層 屬氧化物層 介電體層 介電體層 介電體層 光束

36 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 4 0a 雷射光束之強度 4 1 射束點 4 2 強度達到閾值A以上之區域 5 0 物鏡 A 閾值（圖3 ) P w 記錄功率

Pb 基底功率

Prl 再生功率

P r 2 再生功率 P w 1 記錄功率 P w 2 記錄功率 W1 直徑 W2 直徑

312/發明說明書(補件)/93-10/93 Π 9512 37

Claims (1)

1269293 拾、申請專利範圍： 1 . 一種光記錄媒體，其特徵為，具備有支持基板；透光 層；以及在上述透光層與上述支持基板之間依照自該透光 層所觀之如下次序配置之第一介電體層、貴金屬氧化物 層、第二介電體層、光吸收層、及第三介電體層，該支持 基板之厚度為0 . 6腿以上、2 . 0腿以下，該透光層之厚度 為10//m以上、200//IT1以下，該貴金屬氧化物層之厚度為 2nm以上、50nm以下，該第二介電體層之厚度為5ηπι以上、 lOOnm以下，該光吸收層之厚度為5nm以上、lOOnm以下， 該第三介電體層之厚度為10nm以上、140nm以下。 2 .如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中，在該貴 金屬氧化物層含有氧化麵（PtOx)。 3 .如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中，進一步 具備有設在該支持基板與該第三介電體層之間之反射層。 4 .如申請專利範圍第3項之光記錄媒體，其中，該反射 層之厚度為5nm以上、200ηηι以下。 5 ·如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其中，進一步 具備有設在該支持基板與該第三介電體層之間之反射層。 6 .如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其中，該反射 層之厚度為5nm以上、200nm以下。 7 . —種光記錄媒體，其特徵為，具備有厚度0 . 6腿以上、 2.0腿以下之支持基板；厚度10//m以上、200/im以下之 透光層；以及在該透光層與該支持基板之間依照自該透光 層所觀之如下次序配置之第一介電體層、貴金屬氧化物 38 312/發明說明書(補件)/93-10/93119512 1269293 層、第二介電體層、光吸收層、第三介電體層以及反射層。 8 . —種光記錄媒體之製造方法，其特徵為具備有：使反 射層、第三介電體層、光吸收層、第二介電體層、貴金屬 氧化物層以及第一介電體層依照此次序形成於支持基板上 之第一步驟；以及使透光層形成於該第一介電體層上之第 二步驟。 9,如申請專利範圍第8項之光記錄媒體之製造方法，其 中，藉氣相生長法施行該第一步驟，並藉旋塗法施行該第 二步驟。 1 0 . —種資料記錄方法，係對於申請專利範圍第1至第7 項中任一項之光記錄媒體從該透光層側照射雷射光束，藉 以記錄資料之資料記錄方法，其特徵為，設該雷射光束之 波長為 λ，該雷射光束之集束用物鏡之數值孔徑為NA時， 設定 λ/ΝΑ為640nm以下，以記錄含有長度 λ/4ΝΑ以下之 記錄標記之記錄標記列。 1 1 . 一種資料再生方法，係對於申請專利範圍第1項至7 項中任一項之光記錄媒體從該透光層側照射雷射光束，藉 以再生資料之資料再生方法，其特徵為，設該雷射光束之 波長為 λ，該雷射光束之集束用物鏡之數值孔徑為ΝΑ時， 設定 λ/ΝΑ為640n m以下，以施行來自含有長度；1/4ΝΑ 以下之記錄標記之記錄標記列之資料再生。 39 312/發明說明書(補件)/93-10/931】9512