TWI269084B - Transverse closed-loop resonator - Google Patents

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TWI269084B
TWI269084B TW094135044A TW94135044A TWI269084B TW I269084 B TWI269084 B TW I269084B TW 094135044 A TW094135044 A TW 094135044A TW 94135044 A TW94135044 A TW 94135044A TW I269084 B TWI269084 B TW I269084B
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TW
Taiwan
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fiber
waveguide
resonator
refractive index
core
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TW094135044A
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TW200636307A (en
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Sean Matthew Garner
James Scott Sutherland
Venkata Adiseshaia Bhagavatula
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Corning Inc
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Publication date
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Description

1269084 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光纖麵合器,特別是關於無雛閉合迴 路耦合以形成高Q值之光學共振器。 【先前技彳标】 通常折射率導引波導結構為已知的,例如標準光纖及
^弓电磁波方向由其實際邊界決定。全反射(TIR)為已知 ^引機制以_絲沿著鮮絲巾你。鋪耗波導來 自於使用該折射率導引使光能限制於波導中央。利用全反 射鮮光纖光模將不實質鱗在於所需要外包層之週圍外 側而為漸變消失波,外包層具有較低折射率而低於較高折 射率之波導心蕊。 ,準先纖粒之漸魏失性先贼·及搞合器已知 ^形狀光纖形式。抽拉出’,DI,光纖之預製件在一麵光 纖再她㈣及殘留相鄰 光區域心蕊之薄層包層玻璃在短距離光纖内加以 蝕刻。傳播於光纖之漸變消失場因而只在短距離光纖一側 ϋ即地可^{人的,而不實質絲光纖整個切線表面之週 =卜側。漸'變消失光纖感測器及耦合器亦能夠藉由對光纖 再抽拉崎造$,目而細部份地存在於包層之外側。類 似於光纖幾何形狀,光模仍然沿著光纖中心轴傳播。、 、s能夠使帛域本躲能4儲存树,為-麵合迴路 ^環共振器。兩條光纖方向耦合器能夠側向地組構柄合一 气長的光纖至環狀線路以形成全光纖環狀共 哭 ,其,有長的光學長度以及高的自由頻譜細(FSR^g 1]^紐献減號喊為能t齡耕。能 ί 就之頻睹線性寬度,其能夠使用作為許多應用。 第5 頁
1269084 雜小裝置,使用低聲作響 另:f閉合迴路共振器。鱗作響長廊模或光學二二為 以理’或其他不均勻光滑之光纖或這些元件 在^^微共振腔所遭遇之高度共振係由於維於 腔内之低聲作響長賴(WGM)所致。由於其小及;^ 振腔之Q值,目前一此優點已同〆、 多領域中修電-光共振断鎌用於許 ,訊號處理,感測,調;===: 這些微球體共振腔能夠有用於許多 =中,顧用要求線性寬度,長的能量衰變時間,高能量 岔度,以及細微感測環境變化,在此只引用少數範例 可能細紗触胁爾置使用於 ,的化學/生物試劑感測裝置。業界 包 ,光學波;^感5 Γ、子共振(SPR)化學感·,表崎波(SAW)化學 =器,質譜儀,以及紅外線頻譜儀。微小的感測器例如 峨術之MEMS_器提供顯著的優點。例如轉良好地 適合在原處產生功能。同時,其亦相當小足以能夠以大量 地佈置以及進行遠端探測。 问Q值^振為要求環繞共振器、迴路之光學路徑為低損 耗。因而,這些共振器在側向及橫向提供光學導引使光學 損耗減為最低為重要的,側向為垂直於傳播方向以及橫向 為垂直於傳財触及亦垂直於波導平面。_環狀赌 器構造例如耕爾狀共麵,_共_,錢拼接光纖 共振器使用-些導引機制以確保導引模並不會侧向地擴散 (垂直於共振器曲率之方向)。 1269084 不過,當傳統平面或光纖處理技術即蝕刻以製造出高 品質光學共振器時,其本身存在許多困難,因為平面或光纖 表面偏差必需顯示為小於數奈米使散射光學損耗減為最低 t由於表面上不均勻或其他不細彳所致。另外一方面,光 學微球面共振器能具有數倍高Q值優於一般被钕刻光學微 共振器,因為這些微共振腔能夠在液態製造過程中例如為 人所熱知光纖抽拉處理過程藉由自然之表面張力形成。這
些微共振腔為便宜地簡單地製造出以及與集體光學元件相 匹配。 耦合效率尚度地決定於如何使用環狀共振器。效率受 素影響例如:平面波導幾何形狀,w柱體,環狀,或 =====指數。對高 =腔内共振模之激發對為必需的,但是對以這 場=======變消失 漏至她以及變為光纖包層内之模广、1及波導模洩 地對共振器被動 相對横向粒無法 1269084 的為波導及共振n之相龍直似。騎 供這些對準或為過度地複雜。 苒',,、故 七盟在已知平面波導結合循環結構以局限低聲作塑長庶握 共振器方式巾,—引結翻_ & 面性波導)以及勤(垂直於平酿 t姻為侧向(平行於基板平面或 向 絲提賴利機制,該模 ,耦合至平面波導或漸變光纖導引模面 空= 二國之第 供,該偏f賴自触外偏移所提 ϋ方位角方向產生等值之等級折射率分佈。 耦a至平面波導或漸變光纖導引模之圓杈开彡丑掂σσ 折射率再^地由球面及空氣包層間之高 麵球面所致。側向 。不過,該製造圓柱形共振=ΐ: 難以利用改變散射損耗可能性加以控制。 需要=而提供小的高q值光學共振器克服目前困難為 格為競雜的,的以及價 物或化學感测器。 、。X之應用包含生 【發明内容】. 1269084 合迴路光纖共振器,其包含内包 /、具有SSfit邊麟細合娜形狀以局限光線於表 t内包層具有第-直徑厚度以及第一折射率分佈於横向 ,合迴路光纖共振騎_种。祕_合迴路光纖共
=辦面,中,環狀心蕊具有第二厚度材料硫第一I 徑ΐ,以及第二折射率分佈大於第—π包層折射率為-折 =差值,使得環狀*蕊能解狀驗獄^蕊内橫向 裱繞於閉合迴路形狀。 t發明另外-項中,本發明包含透射波導以漸變消失 地與環狀心蕊折射率導引共振光模耦合。 本务明其他4寸性及優點將詳細地揭示於下列說明中 ,及熟知此技術者倾說明可立即地了解部份或藉由實施 ^,制切容綠詳細綱,帽_細及附圖而 了解本發明。 二、人們了解本發明實施例之先前一般性說明及下列詳細 說明在於提供概念或架構以了解本發明之原理及特性。所 ,含晒在於提供更進一步了解本發明,以及構成本發明 既明書之-部份。_齡ώ本發明不同的實施例,以及 隨同說明書作為說明本發明之原理及操作。 【實施方式】 現在參考本發明優先實施例詳細加以說明,其範綱 不於附圖中。儘可能地,所有附圖中相同的數字代表相同 的或類似的零件。本發明橫向閉合迴路光纖共振器一項實 施例顯示於圖1中,以及以參考數字1〇表示。 、、 橫向閉合迴路光纖共振器10包含内包層102,其具有表 面300週邊地形成閉合迴路形狀以局限光線於表面。^ 包層具有第一直控厚度104以及第一折射率分佈於樺向閉 t迴路光纖共振器10斷面部份中。對應於閉合迴路形狀之 環狀心蕊120放置於内包層1〇2對應於表面上。環狀心蕊12〇 第9頁 1269084 4124,該厚度比第—厚度薄,以及在橫向 層第-^部份巾第地博分佈大於内包 向夠賴 先地為^ t振β光纖10具有傳播方向環繞著其表面綱,優 他閉合迴路形狀為可能的,例如為球形 形狀為iai^f圓形,或圓錐形302構件),假如閉合迴路 為在具有125微米第一直徑厚謂之溶 部漸變消失場,纖10之光模具有外 折射率分佈以迫使先^3^夠在圖3及4中看到。使用 心軸190) mH、、泉滅圓柱形週圍(並非縱向光纖中 低損耗全反射消ί場於光纖圓柱形形狀之外侧。 波導生係由於使晴醉導引局限光能於 形狀表© ’二日禮光線傳播於圓柱形週邊或任何其他 :㈣有該具可有:厚 包層幾存在於κ柱断織學功率為内側 構^(厚數,*論其為圓柱體,球面,或其他拱形 及賴材料折射率,以及圓柱體細以 声。因而環狀心蕊折射率必需正大於_ ,環狀心蕊⑽及 平均折射率確定地大於内包層材料⑸ 蕊平均折射率152相當大足以辦 高以#ϊί ii $麵於單觀制4卿麵微地提 m於縱向光學中心軸内。假如折射率 ,光線並不局_微心蕊⑽以及絲扣輕導引方式 第〗〇 頁 1269084 繞射,入包層102。所f要折神分佈藉蝴擬或坪 ^預先f率紐[夠德率錄 ΓΤΓΝ—i"),其中Nrin8KHBre為大於Ni—]以及犀屋 度將使得至少-個導引模大於内包層15 ^ =3G折射率(以及小於環狀心蕊層152之^^卜 丄tj匕 yr,反射應具有適當的折射率分佈,光線橫越過相 缝:纽及沿著光纖测或其絲面_形狀“ i干々。為了使用作為共振器,具有遞迴性光學路徑(以 ==例如在雷射共振器中)以及外部漸變消失場為相 直要的。 圍缺應於f9包層102閉合迴路形狀之外包層130 f (广玄均值153能夠使折射率分佈為階躍化,等Jfii刀他 蕊之第二折射率分佈(或平均值152能 夠使折射率分佈麵躍化,等級化,或其他折 能夠具有不同的折射率之多層作為一個或全部三個介^ 區域,内包層102,環狀心蕊12〇,以及外侧包層13〇 产 狀心蕊⑽侧稀敍__ 1G2 於外侧包層130之平均折射率。卞]冊羊,以及大 言折ίΪΪίΐϋ以及任何其他表面上之附加層所提供 同、、‘引^依據全反射波導加以設計以及選擇(厚卢 。至少一層高折射率層具有-層“ 射^層於至>、-個减射補每—側上。在最簡單情況中 ,空^見為低折射率層以及能夠作為外包層130。因而實際 外造出包層為選雜的以及由麟⑽絲。假如外 ,衣造出包層存在,製造出外包層130必需相當薄(,|薄”決 ίο於越過外側表面存在部份光模。環狀心蕊、 〆、运支先地為只有數微米厚,大约為1-3微米。在 1269084 環狀心蕊外側上具有該厚度(優先地 J 130 猶、120匕圍之光杈。對於不同的應用,外包 之第一折射率以及仍然提供導引。此;空
Sf it卜包層成。不過,Α於空氣折辨但是小於内包 ^斤,率之外包層折射率亦為可能的。例如,假如外包声 130為水或與水相匹配,其折射率約為〗·韵。 曰 而七H面介電質層折射率些微地大於其餘圓柱體,球 面,或任何其他閉合迴路形狀能夠足 ===1^層魏但是晴^模= ’、不冋的折神錯祕產生不_模場紐,例如 司,之LEAF光纖與本公司供應着—28 經由在圓柱體中導引模之模擬將選取出厚度及折射1率^吊 本發明依據全反射之波導結構(選擇性階躍折射 ^化折神變化係由料—介電魏勒部份折射率 ,)與依據低聲作響長廊模式不同。本發曰月設計因而具有 ^二個介電質材料區域。這三個區域促使模折 於兩側,同時運行於圓柱體週邊 廊模只依靠折神變化加上所冑要_體解•制a ^ °更特別地,細作響長賴並不依細柱動側之第二 折射率變化。 户夠單獨地使用光纖共振圓柱體而不含附加性之透 波導,但是共振圓柱體或光纖10目而需要轉合至 iiif源。光纖共振器另外一項用途為耦合光線進二 離開共振器。 茶考目4,餘共振_合n 4G〇祕加透做導而 ^專播*向·平行於光轴490以及具有第一外部漸變7 為失場491之導引縱向模至圖!之共振光纖或波導1〇。如 所不,相同數目具有相同的功能。不過在圖4中,顯示出 第12 頁 1269084 般波導10或460而不是可能的成品例如為平面形狀 纖維,或其他形式之波導。如圖!所示,共振波導1〇傳播方 向433為週邊的,球面的,他圓形或環狀相切於縱向中 心軸190以及具有第二漸變消失場跏之導 32、及42表示傳播方向。如圖所示,圓柱體共振器⑽之Z 轴平行於光學共振益波導心蕊層,其亦平行於垂直於 方向32之侧向190。亦為橫向之徑向微,為垂直於 共振^。因而,參考之箭頭433為光學^ 方向嫩有執編鱗播 、提供父互連結作用區域於非常接近透射波導侧 振波導10間之空間以正交地分別地將第一及第二消、 328之漸變消失尾部。箭頭491及^顯示 其為漸變消失交互作用i Ο "" iof ,變消失場對使用折射4二,二 ^ ^ ί ί i附加性看不見層以及輕合光 者輕要的。選擇光纖共振器之折 & U件:〒或其他圓形表面300光學傳播之折射率導ϊ!設 份光細存在於頂部光學或介電=狀 入波皮圖導 使得大部份功 第 13 頁 1269084 射Sit象。r份共振器波功率耦合回到透 ί二2穴功率持續傳播環繞著共振器10 〇 於大^矜入沧ΐ、^共振器10時,光波之相將累加。對 導460無1之:二i :丄0中波遇到由搞合區域470中透射波 通常將發生-些破壞性干涉。該合併波 區域由. 長,在共振11裝置1(3輸域功耗大約 H處決定於共振器10及透射波導460中傳播 &^3^^路錄度,狀她_或接近 加霉㈣^丄!中建5又性干涉職。共振器功率大的增 份率輕合回到透射波導佩甚至於只有少部 人次光波在透射波導棚與共振器1〇間耦 又(任;'方向)時,光波產生大約-π/2之相位偏移。因而轉 口回波導獅之光波相位偏離原先輸入光波為1。 ㈣ϋ早Ζ共振器'循環行程中功率損失部份等於由透射 捩:。心^至共振器1〇(或相反方向)之功率部份時,由丑 輸出力率,其非七類似於方向性I馬合器。更進一 恆疋理顯示在共振器10中傳播損耗完全地 、入 :,輸入功率相匹配使得在圓柱體共振端槔:處== 由兩個端蟑共振器之一般功率輸出類似在週期波長處 第14 頁 1269084 共振之梳f。触功較獻實際形式決定於各種物理及 光波傳播芩數(共振器路徑長度,耦合間距,波導寬度,波傳 =度以及衰變)。效麟週雛,目為2_她與共振條 件相匹配(n=l,2,…。 、虽共振态10按裝於平面波導基板460上時圖1圓柱形光 纖共振器模擬產生實用的兩個端埠共振器裝置。平面波導 基板460¼供光學輸入及輸出訊號之高折射率声立 ,包層562。類似高折射率波導結構ϋ於 二京,::ΐ益10之表面上,其利用薄外包層130、塗覆於高折 導12G。導引層在此表示為版狀波導棚,導弓I 、、、口,亚热提供側向模限制。通常,版狀波導包含連續性層 並不具有妓瓣,目辭雕麟含有版及 =(決定於圓柱體之直徑,傳播波長,以及圓 貝耗規定,共振器10可規定為或非側向模局 圓柱形波導10之平面波導彻支撐結構間之模功 乎進層102以直徑125微米,250微米及5〇〇微 ί ΪΪ it趙贿拙桃雜及餅製造方法 相匹配,其中直徑通常能夠控制至小於1微米。 果係假設版心'蕊561及圓柱體波導心蕊120 =及折射率選擇將在所需要波長範圍内維持單一導引模 ί ί ί細柱财_ _與絲蚊-包層圓柱 形共振,置不同,先前結構只支持許多低聲作響長模 振'波效應而比利用多模共 振态裝置情況尖銳。 基礎擬及峨46_柱體10為 ,Λ IV為具有導引層,其心蕊與包層間折射率差值 =斤值公式為(環狀心蕊折射率值-曰斤射率值)/内包層折射率值。具有4•挪折射率對比 第15頁 1269084 ^ i"o 能非常類似於先前技術之平面環狀共振、振為10之性 心皆=對比,圖1共振波導10心蕊12〇之 二:>^度124,為l 5_2微米。心蕊12〇,下包 卜層130能夠藉由藉由標準光纖技術在 ^ ;件::=;=,雜劑之== ^ k二料了猎由次潰光纖於具有 ==;,底外惻表^= =2=。?抽拉處理過程提;精上= ,製造細吏心蕊保持分離以及設定間隙折 法提供處理過程之優點優於在平面裝置中所梦造之^
=二=?合器性能直接地與波私_勾性及、 =射率物生相關,該均勻性在晶片内及每上J 檢k ^圓柱形共振為端埠處場振幅假設為1。在輸出端 最終辨職 射(I M / I ai 12值為 t=〇. 99。在該 、 4面之轉合為相當微弱,只有1%光線由平 當容皮導1〇導引模。微弱耦合構造相 易也猎由外包層厚度及折射率選擇加 S中”;^環繞透— 所導致了二,此由雜射及波導弯曲損耗效應 率差細有助於 第 16 頁 1269084 平面波導圓柱體耦合模擬中重要一 =及!1 ΐ形波導1〇相當寬足以減小3D平面圓柱體轉人之 二?平,生波導-環狀波導耦合器。假如平: f生波$460 I度比厚度大許多件 、 了 =假設側邊繞射減為最低,其使“常寬的二為 鐵或在》柱形波導中實施-也側邊導引方切 麵柱形波導10中側向損耗。—^丨方式達成,其限 在適當地方作這些假設平面性導伊 擬產生結果類似於先前平面性波 於共振光纖内包層102之直徑.由 =期地咖自由頻譜朗“隨著難體 之結果L由於圓柱體直徑增加1 bl 12透射最小值 之見度亦減小。當圓柱體直徑增加時 光纖整。由於一般光纖抽拉處理過程能夠控制 寬度影“ί=·。5齡,-直機傾鞠最小值之 圖4 波導460採用平耐生實際形狀,同時
Siiii = 採用圓柱形狀。作為一項可能的實施例,正 = 0包含光纖具有一層或多層精確介電質環 丁g ^20作為局限或共振結構10而裝置於平面性波導 ‘ 域平面共振器 六放㈣^乍為和確狹乍頻帶之光纖。在許多情況中正 ί G特性為平面環狀共振11結構解直器為 呼兔p、夕衣置間之混雜混合物,其各別操作理論及設 未加贿併。棚㈣,鎌於微光| 之細舰11㈣的歧耦合器 /、^、振為内,其藉由外部光束激發共振器之寬度與 第π頁 1269084 側向導引相關之大部份共振器構造不同。 a依據本發明所揭示,共振波導1〇之圓柱形光纖裝置於 寬廣平面性波導上作為透射波導460。只要存在某一程度 之模相匹配,沿著平行於光纖,平面性波導,或圖4其他構造 具有外部漸變消失尾端之光軸490而導引模的波導適合使 ,為透射波導460。選擇性地,透射光纖能夠漸變化如美國 第2002/0081055及2002/004473739號專利所揭示使用作為 透射波導460。 寬廣平面性波導460能夠為溝槽或隆起波導。假如版 外口卩地由見廣或有效準直光束例如由微光學準直器發出光 線激發,平面性波導亦能夠為版狀波導。人們了解版波導 或平面性波導能夠採用任何曲折路徑,螺旋,_狀或其他 方式以及|馬合區域能夠漸變化使親合區域具有最寬尺 寸,其決定於所需要之應用,如圖14所示。’ 一參考圖5,相當寬係指作為透射波導46〇之平面性波導 j當寬使得未被導引之基械並不會改變模寬度564,[模 為波導覓度564之函數]顯著地大於一般關切之距離( 该I置中例如咼達3刪)。因而超過一般距離,未被導引 職树鳴碰料1G之眺形光纖共振 為之柄亚热侧向局限)並不會嚴重地擴^^例如超過琊)。 由於$引模侧向太見,當其傳播環、繞共振器1〇時將產生 小之繞射,以及因而共振器並不需要侧向導引結構。在 面性紐上使用相當寬廣正交指向之平面性波導重要性 於寬廣將在圓柱體上齡需要額外的侧向導引結構 Bragg光柵,軸向漸變器)。 、^擬各種寬度共振器1〇之圓柱形共振器環繞行程損 ^控表不之厚度1〇4確認該*式。對於所考慮光纖圓 ,直径(125-25G微米),為透射波導之平面性波導彻 見度564優先地為2〇〇微米寬度附近(或更寬),作為約l拓 1269084 性波導之最*寬度。實際數值狄於所1 ,為韻接受之環繞行程的損耗 ^ =要 為^米寬度)當傳播環繞共振器1〇車^^^(= 念:父缺繞行程損耗。較為寬廣光束如;;: 繞射非常小,產生較低環繞行程損耗二 ==見) 散所程透射值約為L 0係假設由於側向模擴 光線料十$ if為小的。不過,當由狹窄平面性波導發出 版狀波導時,#光線_圖4耦合區域 纖度不她崎較少相^ 。及原先圓柱形共振器模場不相匹配 損^4於场橫越圓柱形波導表面所產生之環繞行程 圖顯透射與平耐生波導寬度之關係曲線 直*圓柱體之平面性波導寬度(或其寬廣度) 導壬透射間的選擇以模擬傳播環繞於圓柱體之未被 ; ί S ; 5Ξ f,;-:104 -,T值為圖5千面性波導覓度值之函數。曲線 圖頒不出平面性波導寬度大於25〇微米,圓柱體直徑高達2 Ιί! ^^槪損耗可忽略,甚至於延伸y-軸座標顯示 雜透射勤在G. 99及L GG之間。曲線_示出對 ^ °中具有直徑1〇4為500微米或更小之圓柱形共振器作 =包層102,在圖5中為透射波導平面性波導寬度564 =狹窄的為105微米以及仍然使環繞行程損透射喊為 與或更大。此為重要的結果,因為其顯示由於側向模擴 ft導致之環繞行程損耗能夠藉由實際透射波導尺寸加以 官控。 因而由於模傳播環繞於圓柱形,球面,或其他波導10表 第19 頁 1269084 、你導棚藉由繞射產生側向擴散,當其回馳合或交 時,該繞射將使模場變為較寬。圖6顯示出 t 程損耗小於G.1%(㈣999)使職徑5〇〇 ^。、或更小光纖圓柱形,版波導460寬度必需至少為則微 t、、3iHInc·所提供BeamPR0P軟體對傳播於圖5環 ,ί·主5二J :電質層之週邊模在兩種情況下作模擬,兩種 ϊ f ί纖維,其内包層151之η為h 445,環狀心蕊厚 ϋΐ微米,操作於空氣中(n約為1λ以及使用波長為 乎^ Ϊ於為環狀心蕊⑽之介電f塗膜沉積於125 ί itfSi外側表面上作為内包層1〇2,確保在環狀心蕊 A 9 不轉合低_#長廊模之最小折射率差值約 “中折射率差值(%)公式為[(環狀心蕊折射率值_ 内包層折射率值)/内包層折射率值]。 咖ί"情況中,對於為環狀心蕊之介電質塗膜沉積於 中^ί米外側表面上作為内包層,確保在環狀心蕊 =$亚不耦合為低聲作響長廊模之最小折射率差值約為 ^考® 2,鱗瞧示當顯_包層啦接近5⑽微米 ίϊίίΐ表面能量如何由高斯光束投射分佈給為低聲 曰長口郎拉^圖2呈現出在長方形區域中直的版波導中傳 ^旦是座標系、統實際上由極座標轉變為直角座標,使得χ_ 方向表不触(x=G為接近域共麵1G之麵以及χ=_2〇 為朝向内部區域)。當内包層⑽本身存在作為共振器 ,ζ方向表示沿著光纖表面之週邊傳播。 翏考圖3,圖2具有支撐低聲作響長廊模之第一折 Ϊΐί同^包層由較大長方形面積表示。不過,加入相 =薄核狀心蕊長方形區域以及代表環狀心蕊圍繞著圖2内 包層,其相當薄及具有大於内包層第一平均折射率之第二 第20 頁 1269084 平均折射率以支術斤射率導引共振光學週邊或其他正切模 320,其模折射率大於内包層第一平均折射率。因而,、 狀心蕊區域120形成於光獻表面處,其厚度為2 ^米及 4· 0%差值,相同投射能量保持局限於接近表面之區域。 f兩種情況中,能夠使用較高差值之環狀心、蕊,但是此 s在核狀心蕊中產生多模導引(決定於心蕊厚度)· 要的或不需要的,其決定於特定應用。 ’ 一…、而 可0微米厚度之環狀心蕊屬心蕊層亦為 了此的。例如,對於5〇〇微米光纖,在4%差值下,能夠製造 4. 0微米寬度之波導如_狀心蕊厚度以及仍然 出 ί模。此為有益的效應,因為通常具有該 ΐίίίΓ寬减將為多模。環狀心蕊弯曲表面亦有 ⑤階模,其有益於將成形器、光束寬度之共振模 環狀值範圍内圓柱形光纖共振波導,心蕊 ίίf 微絲10微絲動。對於大於_ 值中圓柱形光纖共振波導(包含η約為2. 5至3 3之古折 魏氮化物,% _等),較薄環狀心,ί 尽度^地在微米至1G微絲圍内。 狀心蕊之介電質導引層共 =共振器、區別之方式依靠模之有效折神。、 相同的兩個結構作模擬: 丨引千偶衩楗利用 以及米直徑先纖為玻_包層(η=ι.秘) -:^子又心凝層(差值n=2%),並由空氣圍繞著。 以及?ϊ00微米直徑光纖為玻璃内包層(η=ι.桃) U未尽度心病(差值n=4%),並由空氣圍繞著。 况中,結構支撐低聲作響長廊模及介電質環 在;r果確認單一介電質環狀心雜具有 冬值在衣狀心蕊折射率及玻璃内包層之間。另外 第21 頁 1269084 一方面,多個低聲作響長廊模全部具有相當低有效折射率 介於玻璃内包層折射率及外圍空氣折射率之間。 因而,下列列出由最高至最低折射率之結果: 介電質環狀心蕊模折射率 導引介電質層模有效折射率 玻璃内包層折射率 低聲作響長廊模有效折射率 / 空氣外包層折射率 對於125微米直徑光纖,一些數值為: _ 介電質環狀心蕊模 1.513 * 料介電f賴姐折神1.485 玻璃内包層折射率 1.445 低聲作響長廊模有效折射率1.428 1.414 1.401 1.391 1.386 1.380 1.371 φ 空氣外包層折射率 1.003 對於500微米直徑光纖,一些數值為: " 介電質環狀心蕊模 1.484 導引介電質層模有效折射率1.4Ή 玻璃内包層折射率 1.445 低聲作響長廊模有效折射率1.416 1.386 1.370 1.347 1.322 第22 頁 1269084 1.300 空氣外包層折射率 丨.㈨3 模之貝if輪有效折射率及最低階低聲作響長廊 射率細有效折 喊糊概料__數相匹配 要響的 ’外tifi為低聲作響長席模之能量減為最小(在内部 域及働縣躺者⑽戦-個單一尖 右古iiir項重要揭示為#由調整環狀心蕊折射率且 2= if導引介輕層模與存在於平面性波導棚 配對f工购為可能達成的。這些平面 率為微弱地導引(例如低心蕊—包層折射 以改盖搞人有較寬或更寬廣基模(例如為㈣微米) 文"耦σ至本公司供應之SMF-28光纖。 哭f缺乏侧祕局限結獻姚簡化共振 mi ί 細帛·2/_ΐ()55號專利所_ 準ΐϋ及顯著地緩和組裝本發明共振器裝置中對 ί ΪίίΓ美國第細謂削55, _顧彻739號專 冲明木及關第6738399號專利所說明之共振器)。 多>Ϊί ί 纖處理過程製造具有所需要折射率分佈之 環^ί、ΐί斋產ί徑ΐ地實際導引層於環狀心蕊120中 共;“uH。該,、向模控制為獨特的。低聲作響'^廊模 且至於週邊—模"共振器所界定或所使用係指 内單獨地依靠共振圓柱體之曲率,並不利用 田折射率分佈以導引光模。本發日月所揭示内容為由不 第23頁 1269084 同折射率之實際波導層來導引光模。 739號專利依靠直接;f/()_55及2_/_739 上摻物細柱體 要加入竭彻中其需 的對準。 中亦需要精確 加,比,縣發日肤纖共振 :5;=:點在於其能夠製造為高 ====;:控制材料折射率。單 出成千或數百萬圓柱形共振器#w且古拉< -晶 能,精確舰器校正需要物理或熱調整步驟、振4皮益性 二女』t3G2中漸變之閉合迴路形狀。漸變共振来_ 整作為不⑽=:i皮長擇或其他種類共振波長調 祁的_4置應關如為可調整缝雷射等為 ^^漸、欠光纖作為圖4正交共梅馬合器棚 二振器實施姻驗翻為—項可能 圓 =為^鱗1G錢·猶勒包層^^ ==_崎騰咖彡麵地膜以提供 圖9中光纖-版共振器、棚之漸變光纖1〇之優 夕共振器具有祕砰紐解致_^彳^ σ 1269084 纖戰辦雌纖度 7 5戈圖9漸變光纖能夠使關1圓柱形共振光纖 尚拙I牛ίί製造方法製造出。在這些光纖上額外控鑛 Uf機11有限部份範顯使每單位長度光纖 這二漸、文态能夠再按裝於版波導460之平 i,fH域中版波導外包層在交互作用區域中局= ίΐγϊ 職触職錢财他黏接 ΐ ίτ0==之聚合物光麵持器在接近光纖漸變 於紐500上。漸變器光纖10亦能夠使用 ㈣工纖5晰 使用漸變平面性波導共振器4〇〇 微調整。該調整操作能^ 用==ΐ5;過程之變化作補償,或其能夠加以利 =2:= 變ίΐ由折射率分佈光學_變。漸變 辆塌由外部促 二;光纖間之耦合係數能夠加以 將調 1269084 振效應頻寬及深度之可調整性。調整效應在動態哭 重要的,當每-波娜鍵波碑通之寬度能夠加: I以提供含蓋整個波長頻帶。在漸變光 侧或下侧紐版波導500間之分離距離能夠加上 調整。例如,漸變共振波導10能狗側向地901 :動 ^版透射波導糊以提供溫度補償或波細整以使 =動 為I调整或溫度補償濾波器(藉由濾波器中央波長〕 -範例中,漸振鱗職細垂直於光纖縱向中 以及,4之版波導方向49〇的方向9〇2垂直_鱗放^於 四^阜構造巾頂部以及面對第一底部基板版波導测之^、 :ΐϊϊϊί!00提供帶通/阻隔頻帶之頻帶寬度調整以使 或溫度補償之舰器(藉姆波陷波寬度) 雜波導1〇或上層基板_(並未顯示出) ΓΪίί地相對於彼此在#直於光纖縱向中心軸以及圖4 棚的方向902垂直地移動以相同的四端埠構 ' ^Wlt/峨頻帶之頻帶寬度(藉域波帶通寬度) 置方林祕翻糊13巾非賴域—版共振器装 件調ί;:Γ地實 =藉=熱,元 /,丨以又义、灸12〇,包層130及/或底包層1〇2之折 二口’位於#近光纖-平面性波導共振器之平面性基 u 夠提供局部加熱,其改變一層或多層之折射率
Wiwj衣置之共振波長。能夠使用該方法以操作可調整 氺输’in、區f多工器)裝置或色散補償器。使用該方法在 棚。1%端之熱梯度能夠產生可變化漸變光纖—版共振器 心/匕夠使用具有超過一個平面性;皮導陣列可變化共 =3生Ϊ有可變化波長頻間隔以及啟始波長之多工 心夕工态裝置。在這些應用中調整版波導460及光纖 第26 頁 1269084 lOf之距離將對波長頻道及帶通寬度提供控制。通常,該 方式將提供彈性多工器或解多工器裝置,其能夠對客戶規 定之波長頻道需求作調整,如圖14所示。 了適用於下列生物或化學感測外,亦設想光子應用 ,1切換器,多工器或調變器。共振器操作之波長能夠 55微米之間,其決定於使用於絲,感測器及波 長技術使黏接層光學特性變化(例如折射率,吸收變化)最 寸別疋作為石夕石為主材料系、统。不過,本發明共振器 其他材_統在超過2〇〇—2〇〇〇nm紫外線及紅外線 衣ί及使用。例如,能夠使用氟化物或其他重金屬 t ^式材料於超過2〇〇〇nm波長。一些或其他生物/化 Γ感應職魷長〉2 «,射涵_本_之共振 纖例如光子頻帶間隙,中空心i或偏極能 ‘ni、曾内部共振器底層或物體以及作為環狀心 :二二^3^存在於該光纖外側。只要内部結構為離開共 至少_波長’能夠使用不同形式光纖作為内包 I? 不_内包層結構傾向區分出被導引之較高階模 所形成衰減將加入更大職行程損耗。設計之 廷擇:要決定於平衡内部光纖設計之應用及增加之衰減。 。在ΐϊίϊίί擇包含光束是否存在廣泛光源可供利用 、V見度而要小於180微米寬度之應用中,光兩 制環繞行程損耗。本發_示出數 1 員 物段作為惻邊麵限被導 限方式為處理(劈開或抛光)共振波導10 鸲叫k供具有劈開或拋光端部之圓柱體或光纖。該方式 第27 頁 1269084 並不適用於非常小直徑之光纖,但是很幸運地在該情況中 環繞行程路徑為短的因而由侧邊擴散導致之損耗預期為很 小的。侧邊模局限實施亦能夠藉由減小光纖直徑或移動圓 柱體10離開中央導引區域470而達成。除了被劈開或拋光 之光纖端部,拋光端部能夠更進一步以火焰拋光使直徑減 /J、〇 參考圖7, 一對侧邊局限區段701及702包含共振光纖之 相對漸變端部於交互作用區域470之外側。能夠使用漸變 抽拉處理過程以選擇性地減小光纖共振器1〇之直徑。因而 當平面性波導或其他透射波導並不足夠寬廣時,在需要情 況下能夠使用共振光纖圓柱體1〇之漸變相對邊緣作為侧邊 局限。侧邊局限結構能夠由中央波導心蕊兩側上對稱漸變 形^。因而,相對漸變段主要在於提供橫模之侧向導引,因 而橫向模並不會在傳播環繞於光纖表面過程中在平行於光 纖中心軸方向擴散,因而限制環繞行程損耗以及能夠產生 較高Q值。 並不作漸變,在另一侧向模局限方式中,處理一個或多 個壞爿大心蕊導引120,外包層130或内包層或底包層1〇2離開 中央導引或交互作用區域470以選擇性地改變折射率。該 折射率變化能夠藉由將聚合物或摻雜之玻璃層選擇性地暴 露於紫外線而產生,或藉由控制浸潰塗膜以加上介電質材j 料或姓刻去除該區域中介電質加以控制。 參考圖8, 一對側邊局限區段7〇1及7〇2包含Bragg光桃 810劃記於交互作用區域47〇外侧共振光纖1〇相對端部上。 在光纖圓柱體共振區段每一侧上之光纖B 光栅顯 提供侧邊局限財央波導環狀心蕊兩端上提侧邊局限 光柵形成實質上平行於共振光纖之週邊傳播方向。因而 光軸為垂j:於先纖巾叫,以及倾方向m圓柱體轉 變。 第28 頁 1269084 使用紫外線照射以劃記週雛光柵 狀心蕊導引120,外包層130或下 往後地反射 或二圖;===平= 不。猎由劃記Bragg光栅810於平面性波導46 ΰ 8 面性波導461會462 _合以及圓柱形光纖或振= 變。例如,所形成正交共絲合器,之頻譜;^能1。 =由加上Bragg光柵810线化,因為柄合作用能夠^妓 ^皮^下被加賊在附近波長下減少。Bragg光拇81〇 “ :口以具交在共振下以不同的角度沿著光線傳播路徑散射 光線離開版波導461或462。能夠選擇這些散射角产以诘 f引版波導綱之模場柄皮前角度不相匹配性。較=、相波 ^角度不對準將導致在版波導461及462及圓柱形光纖或微 球面共振器10間之麵合作用得到改善。 ’ 抑共振效$之尖銳化與環繞行程透射α值以及方向性輕 合為長條狀態透射t相關。這些參數小的變化將導致共振 效應嚴重的改變。在實際共振器裝置中, 方向性耦合器跨越狀態之透射k與版波導461及462以及共 ^波導10間較大分離相關。有助於決定出k之積分包含重、 疊版^皮導461及462指數衰變尾端以及共振波導模場。因而 ,模場間分離距離小的變化將導致k值大的改變以及因而裝 置之共振效應產生大的改變。 、 為了將正交共振耦合器400對板—光纖分離距離小的變 化之靈敏性減為最低,Bragg光栅81〇能夠設計來散射版波 導光線不均勻為沿著版461或462角度及軸向位置之函數。 當共振波導10移動離開版波導461或462時,在接近至少一 個版波導461或462之散射光線耦合作用將降低。同時,共 第29 頁 1269084 振波導ίο亦與光線相交,該光線由位於離開共振 遠之版波導Bragg光柵81〇散射出。藉由適當地選I 版波導461及462軸向位置函數關係之散射強声及^ 版-光纖分離之有限範圍内平面性波導至光纖之^又自在 性得到改善。包含均勻性及_合損耗之設計σ = 的,因為所有情況版波導散射光線將無法搞合進入轉而 導表面傳播模。辆地,版波導備及以及共^導1〇 之間亚不f麵雜合,_在考麟町絲系統之整 體光學損耗應該為小的。 ,光柵通常藉由在波導導倾有效折射率巾加入任 類局部週期變化而製造出,其在心蕊層561,包層(在心蕊 上方或下方)中改變折射率,或由於波導心蕊或包層厚度快 =變化,其產生導引模有效折神改變。被導引模場必、 需看到材料折射率變化使光栅發生作帛。頂部厚的外 563材料能與薄的外包層562材料相同。無論何種材料^ 除頂部厚的外包層563只遺留下薄的外包層562於交互作用 區域470中為重要的。例如,假如頂部薄的外包層搬相各 f在頂部薄的外包層562表面處模場接近零。此為正常白田勺 f月況,=為假如模場不接近零,則在薄的外包層562上表面 處,在顯著的散射雛。光栅81Q需要放置於導引模場不 為零處。^為優先的情況,其中光柵81〇直接祕導引心蕊 ,頂部薄的外包層562上。通常,薄的定義為小於導引f 覓度0· 5倍,同時厚的定義為大於導引模寬度之三倍。、 山具有或不具有光栅81〇,目13之4-端琿構造而非圖4之2 -端—I考慮使_為正交共她合雜種細之共 ,系統。因而,、-般作為共振波導1〇之含塗膜光纖能夠按 =於=面性波導观及之間以產生4—端琿環狀共振器褒 置^在較低紐501左側之光線輸入1381在共振下輕合進 入光纖共振波導1〇,以及耦合進入上侧基板波導5〇2。在遠 第30 頁 1269084 ΐϊϊ波長下,在較低基板5G1左側之光線輸入1381持續向 刚通過以及在右侧離開。在該構造下,共振 f ,陷波滤波器。使用由上侧基板5Q2發出之光線輸幻% 能夠使用該結構以操作為4-端埠濾波器。、 , 假如共振料10之概心蕊雜主紐稀土族 ,夠採用圖13之使用4-端埠光纖—版共振器構造之鄭 層泵運。光學訊號被導引於較低基板5〇1中,以及= =泉被導引於上側基板502中。通常,導引光線於版備及 以及共振光纖表面模之_方向性私齡構為 目關的。利用该特性以設計上側方向性輕合器5股使其只 耦合泵運光線,以及下侧方向性耦合器5〇2使其只人= ,。在該情y上側及下側輕合器5〇2及5〇1分別口地作^ ;長區分多工态(WDM)類似於使用於摻雜鱗光纖放大器中… =本^司MultiClad WDM輕合器。能夠選擇共振波導1〇光 、截之直徑以支撐泵運及訊號光線之共振條件 树常卿縣喊— 光学增盈。 使用於4-端埠共振器結構,此快速調整將正交共振 '為轉變,高速絲_||。其他顧簡使職— 維^膜於高速狹窄頻帶濾波器環狀心蕊12〇或外包層⑽ 、。這些濾波H關朗作為可調整狹窄_#射零件或言 ^譜儀財。麟使職可調整4—鱗光纖—版^ 塌^以‘造出其他裝置,例如為偏極分裂器及控制器。 參考® 14,圖9之漸變光纖共振器1〇使用於圖13之 構造中,其並無光栅810。依據按裝於兩個透射波導吴 ::1斬ί光纖10,正交共振耦合器400能夠使用作為多 ^埠波長解夕工器,其中下侧基板5()1顯示出具有該平_ 波導461底部以及上側基板覆蓋於平面性波導搬頂部。呈 有整體平面性波導462上侧基板5G2能夠直接地按裝於且g 第31 頁 1269084 平面性波導461之下娜板501上,在兩個鉍5〇1以及 =Ϊ間具有—傾斜触,其_ 9漸變輕1G之搞合角度 =表不。不過,對所馨共振之範圍擴寬不同寬度的平面 =ϊί61及顯示出些微地偏移而非完美地重疊而能夠 刀別地看到頂部及底部透射波導462及461。 圖14結構因而形成4_端埠光纖—版共振麵似於圖13 ^員不。見廣鮮光線1464包含-組又4波長進入正 裝置侧於輸入端埠處如4n 。先轉齡右邊,德縣雜漸變光纖 =f二選擇漸變光纖10直徑,使得波長又i為共振波長 致波長;U光線被耦合離開漸變光纖1〇以及進入上 ^狹窄頻帶波長λΐ之光線由上側基板波導 、曾2MV引至左β,在該處光線離開上侧基板502。在下侧波 蜍461中殘餘光線依循18〇度波導彎 、 10 1〇 〇 3為λ2)在共振下被耦合進入漸變光纖10,在該處再耦 ^入上^級波導462。殘餘四種波長重掘亥處理 咖64在接繼侧蝴落處離 ^皮長解多工器能夠加以製造使得所有波長輸出出餅 基板之-側,該細吏用緊密平面性波導並在_層上 二= 之,將歧雜如波長頻道曰監測弓器之 所器陣列對準於平面性級輪出側上之 :土頻7輸出。由每一波長輸出之光線將耦合進入分 離感測為,其提供每一波長頻道功率資訊。 #用1端多工器裝置亦能夠在版波導461及462中 ”螺疋波導圖案佈置。決定於能夠作為平面性波導之^ 小It徑,ΐΐ式可減小平面解多工器裝置整體尺寸。取 圖14之夕端埠波長解多工器佈置能夠加以延伸以形成 第 32 頁 1269084 更複雜濾波裝置,例如動態增益均衡器裝置。版波導佈置 ^側提供解多工化及在另外一侧提供多工化。在兩個 雙光纖共振器1〇之間一個陣列寬廣頻帶可變化 ⑽)能夠製造於相職板上以逐一頻道為基準地提 長頻道功率修整。 對於需要具有輸入及輸出波導於共同基板上之應用 其他矩鋸齒狀或曲折佈置為可能的。使用上侧基板^^以 : 導引每—波長頻道之光線於左邊漸變光纖至右邊漸變光纖 - 之間。 • -圖14之漸變光纖-版共振器400為仍然實用,甚至對璟 繞4亍私損耗作評估。在圖5圓柱形光纖—版共振器中,由版 波導4601馬合至光纖共振器、1〇之模場傳播職光纖共振哭 , 10以及到達回到版波導棚而具有零角度或侧向偏移。;: 光束利用版波導461或妨2再合併於圖9之4-端埠構造:單 一版波導460於圖9之2-端琿構造時,環繞圖9及14漸 纖1〇之類似傳播加入側向及角度偏移。光束之侧向及角 度偏移將加入耦合損耗,該損耗決定於光束之寬度。側向 及角度偏移數量決定於光纖共振器1〇漸變程度。 、模^三個不同的漸變方式。每一方式在圖9之漸變光 ® 、纖共振器10具有5ram漸變長度,其在漸變段每-端部分別地 : ^有不同的最小及最大光纖直徑904及944。12· 5微米,125 U米及500微米檢視標稱光纖直徑作為圖1中之最小 徑904或1〇4。較小光纖直徑產生具有低階模以及大自 頻譜範圍(FSR)之光纖-版共振器。例如,在下列表中第一 • 光纖漸變器具有FSR跨越通訊〇頻帶(1528-1563nm)。 數種不同光纖漸變器之階,波長及FSR計算表 (使用單模波導於neff吐51光纖漸變器表面上) 第33 頁 1269084 12.5 最小光纖 直敬(微 i〇
最大光纖 直敬(微 i〇_ 漸變長度 (微米) 階 A min (nm) λ max (nm) 12.9 5000 39 1520.48 1569.13 125. 35 5000 ^88~~ 1528.31 *1532. 59 500. 35 _500^ 1552 ^2. 83 152. 94 FSR (nm) ™入Γ 沒空聊變器屋生環繞行程耦合角度 王科於〇· 015度。對於寬度為18〇微米或更小之傳播 、>束,由於該角度偏移所導致之耦合損耗為<〇. _。由於 耦合角度 (度) 48.66 3.95 0. 99 0144 0126 0.0126 向偏移之類似分析將 雖然使用模局限方法以提供低環繞行程損耗為重 的,另一良好高-Q共振特性之關鍵問題為單模操作。此 ^含製造共振器、導引結構卩支撐只有一個側向(或方位}以 及一個徑向(或橫向)模。 在美國第2002/0081055及2002/0044739739號專利申 j=向模之最小化藉_小共振器肋條結構以及減小 肋“及非導引相鄰區域間之半徑差異而達成。此需要 精確控蝴姉共振S材料之去除。 在^第6583399號專利中,侧向模最小化直接地麵合 ^ 者可具雜彡' 自_選帛 直徑,其將提供較佳模最小化。 口口,據本發日月所揭示,平面性波導絕熱漸變器確保只有 =^廣侧向模在目柱形或光纖波導中激發峨供單模側 呆作。作為準直器為主薄膜濾波器,該漸變平面性波導 能夠製造出以模擬光學準直器之侧向操作,同時心怒—包層 ϊΐΐΐϊ提供橫向模局限。該準錢鏡能夠藉由將平‘ 得其在—端域廣的(例如>2〇〇 U未)以及另-端為較小寬度,其間為相當小漸變角度(例 第34 頁 1269084 如<1度)。 ^平面性波導因而絕熱地擴寬,只有較為寬廣波導之 ^破激發-甚至於較為寬廣波導將支撐許多模。此^ =以最終地雜合漸變平面性波導至單模光纖 供,28光纖)。此單模光纖能夠輕合進入小 夂平面性波導(例如〇. 75%差值波導之6微米乎 咖差值波導之2微米X2微米),其只支撐U糾 时在先丽所提及,055,,739,及,399專利/申 、 操作徑向模最小化係藉由保持圓柱體或球面半徑' 小以加強光學路徑彎、曲。激發超過一個低聲作塑長 該多個或梳狀共振擴奴小多模焱 模因為蝴任何不想要 10-7 ^加^抽叔土傻或更優先地其能夠縣餘光纖/Βμ主底斷 峨/製造綠权於塗覆材料。 制厚光驗細__紐航積受控 柵製造溫玻璃形成處理過程例如火焰拋光及光 弟 35 頁* 1269084 覆‘形咖 學種類釉糾吞甘主 ,在化子或生物感測過程中特定化 如為折時f改變一種或多種光學特性(例 丨塗膜塗覆,在内包層職柱=面 的身二ΐΤ’111及4之共振波導ig斷面表示為具有額外 細侧或2 _ m怖層作為取外層。人們了解該附圖並不按昭 因為人貫際層將太薄紐在真實斷面中看到。作為正、、 内白柱體作為具有多介電質層120, 130,及33之 120 ΐίίν ί面而製造出。藉由控制導引(或心蕊)層 外包層)130及玻璃光纖内包層1〇2(作為下包 好細喊蚊撐單一傳播 ίH纖表卜包層13g為薄的(3_5微米)使一些模( Lr L〇.1%光學功率)以傳播於黏接劑塗膜層33内。因而, 交大直徑時,由介電質環狀心蕊層120所提供之徑向 導引將使共振波導10支撐單一徑向模。 门 額外的塗膜(並未顯示出)亦能夠加以塗覆以減少散射 =及使光纖-版耦合最佳化。光纖上外包層13〇亦能夠 猎由曰代或減小厚度消除圖4所顯示薄外包層淑之需求。 之介電質層120,130,及33能夠使用各種技術形成 、、’光纖處理過程能夠精確地控制徑向折射率分佈,因 接能夠精確地界定丨厚度及折射率分佈 第36 頁 1269084 。聚合物塗膜厚度能夠藉由浸潰及拉引技術或擠製模塗覆 精確地加以控制,同時聚合物塗膜折射率能夠藉由控制組 成份而加以設定。塗覆於光纖表面處之摻雜劑7亦能^埶學 方式擴散進入光纖,對於任何所需要性能之折射率分佈藉 由摻雜劑濃度及擴散時間以及溫度控制折射率及幾何形^ =產生等級化折射率層。因而,亦能夠使用額外介電層ς 環狀心蕊12G喊外侧讀導分佈撕以賴導9來 善輕ΐ至外做導。因而對圓柱形共振器、斷面之^ 確控制以提昇共振器之用途。 對整個圓柱體斷雖制亦能夠直接地加入調 於光纖共振器上。在共振器表面上使用電二 ΐ益^能夠在單1置上製造出 J二夕個單元整體形成。因而,環狀心蕊120材料作;兴 央声= 如,環狀心蕊層120或甚至於内包層中 性“或tsr:峨他稀土族材料,非線 狀心塗覆作為環 學增益。作5在不同波長果運下能夠提供光 族元素塗臈或含摻雜稀土 光纖内包層102之♦面二#自材料能夠擴散進入 層塗膜能夠由有之部份。增益 120中形成多層。、才枓或,谷祕凝層所構成在環狀心蕊 以實======表面作為表_ %可巧逮地改變濾波器之共振波長復仏些層之電 液晶,移喊,rb_轉蝴概夠塗覆 第37 頁 1269084 制面亦能夠顯現為*光纖火焰切割,拉引或 相同的環狀心』
由於ff模操作所導致之尖銳共振效應 :貝層m,13〇,以及33製造能觸城面塗 I ^或措__綠峨獅嫌1味觸近之折射率Γ 1(32目前顯示出具有填充之拉伸 導Γο ^ϋ3作為圖4之1£交共縣合器共振波 υη 空光纖具有黏接劑塗臈113於 管在;S:i;;=別 層外表面細與環 2::卜:ί面之光線漸變消失地與由黏接層113所覆 ί率料^ 作用。在黏接層113上内側表面處之折 ΐί 2= ί賴#娜數些微的變化,使生物或化 尸’能夠使用共振波導10以量職體折射ί變 預先選擇物質存在及不存在。通常,越多 ί折射率材料位於遠離外側表面上,模越傾 ===表面,其對良好軸合至外部透射波導 不過,位於接近外部之環狀心蕊而高於内部折射率之 第38 頁 1269084 材料減少場之婁丈量,其可供作為探尋位於或接近圓柱體 内側表面之流體或黏接劑。實際上,由内包層1〇2界定出中 ,光纖之壁板需要相當薄(即數微米厚)或甚至於並不會存 在使表面模漸變消失場與黏接層113内側表面交互作^。 為I在内側表面黏接劑層113及環狀心蕊層12〇模場間 重豐,内包層102應該完全不存在。 、作為共振波導10之中空光纖能夠使用較厚外層塗膜33 ; 或隨意性地比外側包層130厚許多而機械地加強,其2中空 : 光纖表面與圖5平面性波導460接觸之區域哺由紫外線昭 φ 射及濕式化學姓刻選擇性地去除。 ....... 在整個圓柱形斷面以及並非只在介電質塗膜外侧作控 制,因而使中空光纖/圓柱體被製造出以傳送流體或氣體,二 如本發明所揭示。能夠使用該流體或氣體以維持圓柱形共 振器之溫度穩定性,控制溫度,傳送感測介質,或其他用途'。 平面性波導基板亦優於美國第2002/0081055及2002/ 0044739739號專利之漸變波導耦合方法,其中平面性波導 與共振器結構間之|馬合能夠經由沉積薄介電質包層562於 平面性波導表面上精確地控制。 、《 、 簽考圖5,作為透射波導460之心蕊版波導顯示於基板 • 500上由薄的外包層562覆蓋。下包層(並未顯示出)亦能夠 : 製造於版波導460與基板500之間。基板材料能夠為石夕石, 砍,InP, GaAs或任何其他材料共同地使用作為平面性裝置 基板。心袅460,薄外包層562及下包層能夠由各種無機材 料例如摻雜之破石,矽,;[nP,GaAs或有機材料例如氟^聚合 物製造出。 厚的外包層563能夠沉積於薄的外包層562上。薄的外 包層563經由選擇性姓刻或抗光劑去除以暴露出外包層於 特定位置中,特別是交互作用區域中而加以圖案化。曰 在一項範例性製造方法中,圖12之聚合物握持器127〇 第39 頁 1269084 °麵糊_固定 者対庳圓it! ϋ於心蕊版波導棚適當位置上。 ϋ: 1Q保持與薄外包層562接觸於版波 苴他形成2—端埠光纖—版環狀共振器。 如舰▲物握持器之製造方法為可能的。例 :,m使用极造或機器、加工外部固定器在適當位置 法中’光纖能夠使用石夕v形溝样導 引結構精確地放置。能夠使 斯曰^ 固定聚合物握持器本身對準或 茶考圖12,圖4透射波導侧包含光纖12 包層繞著内心蕊1220 且^ 有内 ;未頌不出,在圓柱形光纖或微球體上之表面 以蕊12°仍然可使用來提供遞迴路徑 ^振7b射,其具有軸巾你测讀财向以及且 ^ Ϊ二^部_消失場之導引週邊觀正錢^合至具有 外露心蕊1222光纖1246之第-漸_失場。卿成2交丘 =合器將提供尖銳的共振效應,此由於共振光纖或球體八 10圓柱形或球形表面模場之單模操作所導致。 如圖10中所示,共振器圓柱形光纖或微球體1〇塗 接劑33,該黏接劑當化學難接至表面以使用作為生物感 測器時將改魏神。_下側域外細蕊1222之光線 以及進入共振波導1〇圓柱形或球面表面模,其將產生預先 決定之共振效應。光纖-光纖共振器方法具有優點,其中感 測f置ί輸入及輸出係藉由光纖達成。由於低價格i纖i 接态及父互連接方法已存在,該方法將簡化感測器界面以 及避免關於先前光纖與平面性波導對準之問題。 並不蝕刻或拋光透射光纖1246以暴露出一侧心蕊122〇 ,光纖可加以狹窄化,全部環繞外露之心蕊區域1222,其使 第40 頁 1269084 用漸變抽拉處理過程以擴展及暴露模場於光纖中間區段中 。光f再次地輕合離開擴展心蕊模以及成為圓柱形或球面 ,面模。由於兩個模為不同的尺寸及形狀,耦合效率將相 當低,對,許乡光纖共振器應用,其為可接受的以及為需要 的:大程度模場形狀不相匹配係指光纖—光纖麵合對光纖 分離距離變化為财靈_。繼及光纖—域共振器之 另一構造為漸變光纖,其作為透射波導46〇而按裝於丘振哭 波導ίο頂部上。 /、
、正父共振耦合器顯示為光纖—光纖共振器構造,其中光 纖1246替代圖5之平面性波導棚。光纖1246之内包層腫 選擇性地去除(使用例如蝕刻或拋光)以在中央部份暴露 幾乎暴露出光纖心蕊1220,類似於傳統在端部或側邊叙合 之D-光纖。光纖1246使用不同的被動對準結構包含 握持器(並未顯示出)優先地放置於及固定於適當位置。口 晉於ΪΓίΐϊ振波導10之共振器圓柱形光纖或微球體放 置於先纖上或底下以制秋適纽置,其伽適當 對準,以及間隔之聚合物握持器以固定共振波導10於交互 作用巾。亦能夠採用其他域或微球體固定方法。 該正交共振耦合器能夠使用被動對準結構 或機器加工表面納形 底部共振波 依據本發明-項’對準或控制波導及共振器相對差 °能_时㈣聚合物光纖握持器以保持 力Γ不想要之散射損耗。先纖握持器按裝ί 式亦將共振态陣列組裝於基板上簡化。 麥考W 15,圖5之正交共振耦合器侧能夠 一 維或二維陣列以提供高密度感測及/或光學功能。二為- 第41頁 1269084 光纖抽減雜轉致錢共振器可達成 中ίϋ隶大之優點。由井板1510所分離而在每一井格 個能夠集體形成於共同二維細〇上以提 咸少組裝費用。實施二維正交共振耦合器 開始為平^性共振器感測器為可製造的。處理過程 ^ 陣列平面性波導之平S性基板材料SO0 造ί。波導働能夠以各種有機或無機材料製 外USr! 性波導彻再覆蓋薄的外包層562,其 層563 °薄的及厚的外包層562及563減小 射雛以及擴大導引魅徑以改善光 展及厚的外包層562及563之沉繼,在厚的外包 由選擇性侧或抗光材料去除以暴露出底 以、562而圖案化。開孔形成於平面性波導權上 厚度,在該區域中共振圓柱形光纖1〇接 ϊϊΐ f #近地分_合交互作用區域中版波導 層f *562之折射率及厚度,一層或兩層 土板卜已層之去除能夠為部份的,完全的或完全沒有的。 握持器1270藉由在厚的外包層開孔暴露出底下 近之缸版印刷處理過程製造出。亦能 i==if對準及連接方法;其包含機器加工_彳 使用黏接劑連接之光纖導引結構。 纖loUtff器1270或其他對準結構,光學共振光 j 10有站接刟塗膜之較高折射率環
開孔或外露薄的外包層562上。共振光纖1G 理過耘能夠在單-操作巾適用於整個基板5〇〇上 柱形共振光纖10能夠够個平雌波導 u 裝處=觀改善整做導·^ 忒衣造方法能夠使具有黏接劑共振光纖10使用於全部 第42 頁 1269084 光纖-版感測位置,或不同的共振光纖10以使用於不同的位 置。因而,該方法在組構不同感測應用之二維感測器中具 有彈性(例如一種具有許多不同黏接位置種類之流體試樣 種類,或許多具有許多一種或少數不同黏接位置種類之流 體試樣種類)。 在共振光纖10放置於平面性波導460上後,井板間隔 1510降低至二維感測基板5〇〇上。在每一井板洞孔或井Big ,部四週黏接劑密封1514將防止流體滲漏同時密封每一光 學共振光纖10四週之區域。在感測基板5〇〇底部上之井板 1510分解圖能夠看到光纖—版共振器如圖4在每一井板底部 處之正交共振耦合器。 完整二維感測器陣列能夠按裝於適當的量測系統内。 粗略及微細對準結構154〇及1544分別地導引二維感測器陣 對準於光源1581及感測器1583波導陣列。並未顯示出實 施完整感測祕所需要之可調整雷射光源或可調整感測器、 濾波器。 一維感測為陣列藉由一維波導陣列具有光學訊問之優 點。、因,各別感測位置能夠為波長區分多工化,減少光源 及感測态所需要之數目。除此,在系統中可調整狹窄帶通 感測,波器能夠使用光纖—版共振器技術實施。 熟知此技術者能夠對本發明作各種變化及改變,例如 加入超過一個共振波導1〇或透射波導46〇以及不同組合元 件=變化以作為不同的應用,例如提供較高Q值共振於多共 10,多工化或帶通調整等而並不會脫離本發明之精神、 ,,。因而本發日月各種變化及改變軍含蓋於下列申請專 利靶圍及其同等情況範圍内。 【圖式簡單說明】 f =圖為本發明橫向閉合迴路光纖共振器10。 第—圖為依據本發明第一圖共振器1〇之内包層1〇2模 第43 頁 1269084 傳播表示。 ㈣_及 其漸振器1◦之二端概 變^=====圖,其漸 與:===- 有侧向轉—®舰1110之透棚,其具 之平St部以及漸變消失地與作為娜 働之平面波導^丨及漸一失地與作為透射波導 利振器1Q之透視圖,其具有第—圖漸變圓錐 :狀㈣以及漸變消失地與作為透射波導之平斤二 加上本發明第’之共振器10斷面圖,其 =:^1或其他光學紐層133之拉伸孔徑ιι〇。 四圖她外露心蕊光纖之透視圖作為第 之斷:二月第:圖之共振器1()四端埠構造 的頂據本發明第九圖之共振器ι〇四端埠構造 、第;’五也與兩條透射波導461及妨2耦合。 圖為依據本發明第五®之料振ϋ 10的斷面_ 第 44 頁 Ϊ269084 =失字波導之多個平面物合。 1〇;^ 32)42;1^ 33^ ϋΓ 赠度104;空氣孔徑110;黏接劑涂膜 L狀心;12G;第二厚度材料124;外包層ϋ 二1f;心蕊第二折射率152;外側包層折射* i53: g 由面3〇〇;圓形3〇1,·圓錐形3〇2;外部尾ΐ 尾端微;徑向328,;垂直共絲合器4〇〇 ,;傳播方向433;透射波導460;版 1加苴1作用區域470;傳播方向480;光軸49〇;箭 基板500;平面性波導501,502;版心蕊561;薄外 匕層562;厚外包層563;波導寬度564;模寬度564,’;區 段701,702;光栅810;側向901;垂直於光纖縱向中心轴 及版波導方向之方向902;光纖直徑9〇4,944;傾斜角度 970;包層1202;心蕊1220;心蕊區段1222;光纖1246;光 纖握持器1270;光線輸入1381;光線輸出1383;右侧’ 1399;井板1510;井板洞孔1512;密封1514;對準結構 1540,1544;光源 1581;感測器 1583。 、" 第 45 頁

Claims (1)

1269084 十、申請專利範圍: h 合迴路波導共振器,其包含: 綠你^層,其具有表面週邊地形成閉合迴路形狀以局限光 職一 環迴路形狀位於内包層對絲面上, ❿大糊包層之第一折射率為-折射率差值 路”面部份中,使得環狀心蕊能夠導 9狀心為内板向地環繞閉合迴路形狀。 合迴;丨項之橫向閉合迴路共振器,其中閉 振器,_ =;===鐵其 f _第1項之橫向閉合迴路共振器,其中更 相tff 層對應於閉合迴路形狀圍繞著環狀心怒之 6包:L=圍第5項之橫向閉合遊路共振器 ,其t外 7包 8引 9.依據申請專利細第7項之橫_合迴路編,其中導 第46 頁 1269084 引介電質層包含至少兩種不同介電質層,其具有複合階躍 折射率。 10.依據申請專利範圍第1項之橫向閉合迴路共振器,其中 内包層具有外圍填充空氣之拉伸孔徑。
第47 頁
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