TWI265985B - Electronic and optical materials - Google Patents
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Description
1265985 i Η, .....: 五、發明説明(1) - ..................2.....: 本發明係在 No. DAAH0]-99-C-R]68契約下,得到
Aviation and Missile Command所授與的政府資助而進行。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關藍寶石(圍晶氧化鋁)上之主要(BST)外延薄 0旲,以及有關在其上形成β電(微波)與非線性光學(或光子) 裝置。 發明背景: 薄膜(某些實例中爲厚膜)適用於形成許多不同電子 與光學裝置。電容器(與其他裝置,諸如移相器係澱積介 電材料與導電材料層所形成,該導電層形成電容器的電極 。在光學裝置中,將折射指數較高的材料膜澱積在折射指 數較低之材料膜相鄰處,以形成導波器、濾波器、透鏡與 其他裝置。有許多材料適於形成該介電材料以及具有高折 射指數之材料。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 此外,在電子學RF與光子學領域當中,使用電活性材 料變得愈來愈普遍。電活性材料係具有一個特定參數之材 料,其中對該材料施加電場可以改變該參數。該參數可爲 光學參數,諸如該材料之折射指數(電光(Ε-ο)參數),或者 可爲電參數,諸如介電常數(鐵(或仲)電材料)。由於這兩種 參數緊密伴隨存在,所以許多材料均具有鐵電與m光性質。 具有於施加D C或緩慢改變電場之下其透射率(介電 常數- E) K )改變性質之介電材料種類,若欲在其居里溫 度或居里點以下操作,則通稱爲「鐵電」(f — e )材料 ,若欲在其居里點以上操作,則通稱爲「仲電」(p 一 e 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】OX 297公釐) 1265985 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(2 ) )材料。爲了簡明起見,本揭示中稱之爲鐵電(f 一 e ) ’須明白此一辭適用於f 一 e或ρ - e材料。微波裝置應 用中特別重要的是材料的仲電範圍,即該材料高於其居里 溫度。在該仲電範圍當中,該材料的電容變化大致上與所 施加之偏壓呈線性關係。具有式B a X S I* i _ x T i〇3 ( Β S Τ )的鈦酸鋇緦係~種經過徹底硏究的材料,其在此 等應用當中相當有潛力。本文所使用之B S Τ係指具有式 B a X S r i - X T i〇3之材料,其中X等於〇、等於1或 者X大於0而且小於1。就S r T i〇3 ( X等於〇 )而言 ’其居里溫度非常低,而且此種材料的仲電範圍在酷冷溫 度。就B a T i〇3 ( X等於1 )而言,該居里溫度很高。 通常需要中間居里溫度;如此就大部分應用而言,B a : S r的莫耳比會介於1 〇 : 9 0與9 0 : 1 〇之間,特別 是介於3 0 : 7 0與7 0 : 3 0之間,更特別是介於6〇 :4 0與4 0 : 6 0之間。根據該裝置預期操作溫度選擇 B a : S r ,因而選擇居里溫度。就欲在包括室溫之範圍 操作的裝置而言,Ba : Sr莫耳比介於60 : 40與 4 0 : 6 0爲佳。混合氧化物(諸如X大於0且小於1之 B ST)比單一陽離子氧化物(諸如X爲〇或1者)更難 澱積。此種困難主要爲組成控制。例如美國專利第 5,652,021號(其教示以提及的方式倂入本文) 中說明之燃燒化學蒸氣澱積法使得可以使用包含所有陽離 子先質之單一先質溶液。單一溶液大幅改善組成控制,惟 維持其他澱積參數,諸如溫度、壓力、氣體流速等,以在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •爹·
、1T
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5- 1265985 A7 B7 五、發明説明(3 ) c c V D方法中亦保持組成控制也很重要。在混合B S T 中,於澱積成層期間B / S比率的空間變化不大於約5 % 爲佳,不大於約1 %爲佳。 此等電活性材料的電、射頻.(R F )或微波應用包括 一般類別,諸如變容二極體替換、電容器、可調電容器、 可調濾波器、移相器、多工器(包括收發雙工器)、電壓 控制振蕩器、功率放大器(PA)、低雜訊放大器( L N A )、包括電源系統熱電效應的可調匹配網路,以及 一般阻抗匹配網路。 可以在移動式通訊系統中的組件、次要系統及/或系 統的設計利用該f - e材料的可調特徵,以達到: 1 )新能力以及自3 Ο Ο Μ Η z至〜3 0 G Η z的經 改良電(R F或微波)性能, 2 )較小尺寸, 3)較低功率消耗, 4 )重量較輕, 或是由特定系統設計需要決定此四項目的任何組合。 有很多陶瓷材料可作爲f - e薄膜或厚膜。薄膜可用 於比使用厚膜之裝置還小的裝置;薄膜通常最多澱積至 1 〇微米,而厚膜通常大於1 〇微米。 無線手機的特徵係其需要以低電壓操作,通常< 4 0 V D C,理想狀態則< 3 . Ο V D C。預期在未來的設計 中該電壓會進一步降低。因此,任何f - e可調裝置都必 須可以此種方式設計,以便由小D C調諧電壓產生適當電 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 1265985 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明(4 ) 場。製成適用幾何形狀的方式之一係設計由f - e材料薄 膜組成的可變電容器。此種小D C調諧電壓亦會使R F與 E -〇裝置的功率消耗減少。 可調電容器可使該f - e材料固定在小型零件上,並 且可以使用產生調諧小電壓必要之充分電場所需的小型幾 何形狀。爲了設計頻率範圍>800MHz (蜂巢式頻帶 )的可調濾波器與多工器,需要小數値電容器,如此若該 可變電容器用於分流供調諧.用之共振結構,則該R F訊號 不會減少·。 .如先前所述,施加偏壓時此等材料之電容變化係施加 偏壓時折射指數變化的電光現象。此等材料的光子應用係 具有諸如切換、分開、衰減、補償或組合等功能之相調變 器與主動導波器。 鈦酸鋇緦(B S T )係上述應用的適用材料。本文之 B S T亦指摻雜材料,其中以另外元素(諸如鉛)代替該 結晶晶格中一部分鋇或緦(通常不少於1 5 %,更常不少 於1 0 %,但是至多5 0 % )。或者,可使用諸如鎢、鋁 、鎂、鈣與其他元素代替晶格中的鈦以改良該B S T的性 質。當B a與S r具有+2價時,代表性價數亦具有+2 價。不過’也可以使用+3、+ 3及/或+1/ +5價摻 雜離子組合物之組合。+ 2價以外價數的陽離子可單獨用 於B S T的晶格結構中之空位。鉋與鉍即爲此等摻雜劑。 B ST係一種已知之鐵電材料,而且b a T i〇3係用於上 述應用的習知E -〇材料。B ST可摻雜大部分金屬元素 本紙張尺度適用巾國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂
1265985 A7 ________B7 五、發明説明(5 ) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了消除使光學與電裝置二者產生損失的顆粒邊界, 外延f - e材料最好是多晶f - e材料。迄今,供外延 B S T澱積用的最常見基材材料爲氧化鎂與氧化鑭鋁,其 係結晶晶格結構與B S T匹配的材料。氧化鎂與氧化鑭鋁 的重大缺點係目前僅能製成的晶圓尺寸非常小。此外,此 等小晶圓生產成本非常昂貴。而且其亦可能顯示不良晶性 與不良表面粗糙度。 較大晶圓絕對有很多好處。目前半導體工業正朝1 2 平方吋(3 0平方厘米)晶圓尺寸發展,以降低製造成本 。在微電子裝置製造當殿,較大尺寸陶瓷材料會可以獲得 類似節省成本效果。 目前,在1 0 Omm晶圓中可以得到C 一平面藍寶石 ,部分供應商很快將會引入1 5 0 m m晶圓。如此遠大於 氧化鎂與氧化鑭鋁的現有晶圓尺寸。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 已知藍寶石(單晶氧化石)優於氧化鎂與氧化鑭鋁之 處在於,其可以較低成本製造、加大晶圓尺寸、晶性優良 以及表面粗糙度最小。不過,B S T並沒有明顯的結晶晶 格匹配,而且實際上迄今在藍寶石上澱積外延B S T尙未 成功。其他相當重要的鐵電與電光材料是Ζ η Ο x ' P (L) ΖΤ 與 LiNb〇3。 發明總論: 本文中,將外延B S T澱積在藍寶石的C -平面上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -8- 1265985 A7 B7 五、發明説明(6 ) 雖然C -平面沒有明顯晶格匹配,但是本發明實施樣態之 〜係將B S T澱積在該C -平面,而且已經證實澱積成功 ° C -平面藍寶石保有上述氧化鎂與氧化鑭鋁的缺點。 雖然B S T具有較佳可變介電數値之一,但是可以使 用其他可變介電材料與電光材料,包括P L Z T (鈦酸鉛 鑭鉻)、:LiN6〇、Zn〇與 PZT(Pb/Zr/Ti 氧化物)以及證實於施加偏壓時改變介電性質的任何其他 材料。作爲該裝置活性材料的實際材料並非本發明範圍內 的限制因素。通常,最適用於本發明的材料具有鈣鈦礦結 構。根據本發明之較佳鈣鈦礦結構係立方結構。通常,適 用於本發明的鈣鈦礦結構爲式A + x B + ( 6 - x )〇3,其中A 與B陽離子或陽離子之混合物,而且1 一 3。 圖式簡沭 圖1顯示一結合本發明材料之電子裝置實例 圖2顯示一結合本發明材料之電子裝置實例 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 10 12 14 16/ 2 0 2 2 電子裝置 藍寶石 層 8 電極 光子裝置 藍寶石 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) -9 - 1265985 A7 B7 五、發明说明(7 ) 2 4 導波器 26/28 電極 g 去息體實施例詳細說明:. 圖1中,顯示電子裝置1 〇 (諸如電容器)。以 B s T層1 4塗覆藍寶石1 2之基材。在BS T上澱積一 種導體(諸如銅或金),並佈線形成交叉指形電極1 6與 丨8。該B S T層作爲介電質,如此感覺整個電極1 6與 1 8上之容量。藉由本發明之外延B ST,層1 4中可以 獲得邦常之高介電常數,因此就定電容器結構中產生較大 容量。此外’在電極1 6與1 8之間施加D C電位時,層 i 4內的介電常數改變。此現象可用以形成電壓可調濾波 器與前述其他裝置。 圖2中,顯示光子(或光學)裝置2 0的一部分。益 B S T層塗覆藍寶石2 2基材’其佈線形成導波器2 4。 電極2 6與2 8澱積在導波器任一側±。藉由調整電極之 間的D C偏壓,改變該B S T之折射指數(電光性質)。 如此影響導波器2 4內的光速°其可用以形成數種光子裝 置。 如前述,B S T係作爲本發明兼具鐵電與電光性質薄 膜的特別適用材料。P C T申請案 W 0 00/ 4 2 62 1中描述,藉由CCVD在單晶
Mg〇上澱積外延B S T,該申請案之教示係以提及的方 式倂入本文。如本文所述,亦可藉由C CVD在藍寶石C 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1265985 A7 _ _ B7 五、發明説明(8 ) 一平面上生長外延B S T。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 外延B S T澱積作用的較佳澱積方法係燃燒化學蒸氣 澱積作用(CCVD),其描述於美國專利 5,652,021號,該專利之教示係以提及的方式倂 入本文。不過,預期可以使用其他澱積技術(諸如習用化 學蒸氣澱積(CVD)、溶膠-凝膠與物理蒸氣澱積 (PVD))澱積外延薄膜至最多2000毫微米厚。預 期經改良澱積技術可使最大厚度高於此一厚度。B S 丁膜 的理論厚度爲分子單層;因此由分子大小決定最小厚度。 實務上,爲了確保形成連續層,該澱積層之厚度通常至少 約5毫微米厚。目前,大部分澱積之外延B S T介於約 25與約1000毫微米厚。 以C CVD將B ST澱積在C —平面藍寶石上時,澱 積作用爲外延式,至少在局部區域內如此。結晶晶格實質 上爲1,1,1。 某些適用於澱積鋇、緦與鈦的C C V D中之化學先質 係: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B a 2 -乙基己酸鋇、硝酸鋇、乙醯丙酮酸鋇水合 物、雙(2,2,6,6 —四甲基一 3 ,5 —庚二酸)鋇 水合物
Sr 硝酸緦、2 —乙基己酸緦、雙(2,2,6, 6 —四甲基—3,5 —庚二酸)緦水合物 T i 異丙氧化鈦(I V )、乙醯丙酮酸鈦(I V ) 、(二—異丙氧化)雙(乙醯丙酮酸)鈦、正一丁氧化鈦 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' "~ ~ -11 - 1265985 A7 __ B7 五、發明説明(9 ) (IV) 、2 -乙基庚氧化鈦(iV)、氧化雙(乙醯丙 酮酸)鈦(IV) 先質化學物質(即’含B a先質、含s r先質、與含 T i先質,全部混合在一起,形成在適當溶劑中之溶液, 此等溶劑係例如甲苯、丙烷或甲苯/丙烷混合物)之混合 物化學計量決定所製造之B S T化學計量。可製造之外延 層的化學計量不一定精確地相當於該先質溶液的化學計量 ;不過,可以實驗預測決定澱積所需化學計量之外延層需 要的先質溶液之化學計量。因爲C C V D係仰賴先質化學 物質燃燒而進行之燃燒方法,所以該方法中暗含B S T化 合物之氧含量。若使用其他蒸氣澱積方法,則必須供應氧 〇 可以藉由適當摻雜劑改變該B S T之特徵。特別重要 的是取代該結晶晶格中之鋇、總或鈦的元素。較佳元素包 括鉛、鉋、鉅、鈣、鎢與錳。可使用之另外元素包括鋰、 鈉、鉀、鉚、鎂、銃、釔、鉻、給、釩、鈮、鉻、鉬、 、鐵、釕、鈷、鍺、銥、鎳、鈀、銅、銀、鋅、鎘、汞、 鋁、鎵、銦、鉈、鍺、錫、銻、鉍與碘。 藉由摻雜劑的取代作用改變該B S T膜中之鐵電效應 ,其中該摻雜劑以一或多種不同大小之離子取代較少部分 之離子,稍微改變該晶格結構及/或電荷。此種離子取代 佔該鋇離子的約0 . 1與約5 %之間。C s +略大於該鋇離 子,而且是一種可用以取代鋇之離子。因爲B a爲+ 2價 ,而C s爲+ 1價,所以可使用與電荷平衡離子等莫耳比 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 1265985
、發明説明(10 之C s 1,Ba+3爲較佳之電荷平衡離子。 除了 Ba、Sr與Ti以外,以CCVD澱積元素的 常用先質明細(其不應視爲限制)包括: A g 硝酸銀、三氟醋酸銀.、醋酸銀、環己烷丁酸銀 、2 —乙基己酸銀 A 1 硝酸鋁非水合物、乙醯丙酮酸鋁、三乙基銘、 另一丁氧化鋁、異戊氧化鋁、雙(2 -乙基己酸)~氧化 鋁 A u 氯三乙基膦金(I)、氯三苯基膦金(I) B 三甲基硼酸起、三甲氧基環硼氧烷 B i 硝酸鉍(I I I )五水合物、2 -乙基己酸鉍 (III):新己酸鉍、三苯基鉍 C d 硝酸鎘四水合物、2 -乙基己酸鎘
Ce2—乙基己酸鈽 C r 硝酸鉻(I I I)非常合物、2 -乙基己酸鉻 (I I I )、硫酸鉻(I I I )水合物、六羰基鉻、乙醯 丙酮酸鉻(I I I ) c u 2 —乙基己酸銅(I I)、硝酸銅(I I)三 水合物、乙醯丙酮酸銅(I I)水合物
Co 苯二甲酸鈷、八羰基二鈷、硝酸鈷(I I )六 水合物 F e 硝酸鐵(I I I )非水合物、乙醯丙酮酸鐵( III)
In 硝酸銦(I I I)水合物、乙醯丙酮酸銦( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} .β. -訂_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1265985 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 , _B7 _五、發明説明(彳彳)III) I r 六氯銥酸(IV)二氫、乙醯丙酮酸銥( I I I )、十二羰基四銥 K 乙氧化鉀、第三—丁氧化鉀、2,2 ’ δ ’ 6 一四甲基庚一3,5 —二酸鉀 La 2 —乙基己酸鑭(I I I )、硝酸鑭六水合物 、乙醯丙酮酸鑭(I I I )水合物、異一丙氧化鑭( III)、三(2,2,6,6—四甲基一3’5_庚一 酸)鑭(I I I )Li 2,2,6,6 —四甲基一3,5 -庚二酸鋰 '乙氧化鋰、第三-丁氧化鋰 Mg 苯二甲酸鎂、2 -乙基己酸鎂、雙(2,2, 6,6 -四甲基一 3,5 -庚二酸)鎂二水合物、乙醯丙 酮酸鎂、硝酸鎂六水合物 Mo 鉬酸鋁四水合物、六羰基鉬、二氧化雙(乙醯 丙酮酸)鉬(I V ) N a 2,2,6,6—四甲基一3,5 —庚二酸鈉 、乙氧化鈉、第三一丁氧化鈉 N b 乙氧化鈮(又)、肆(2,2,6’6—四甲 基一 3,5 -庚二酸)鈮(IV) 、(2 —乙基己酸)鈮 (IV) N i 硝酸鎳(I I)六水合物、乙醯丙酮酸鎳( I I ) 、2 —乙基己酸鎳(I I )、苯二甲酸鎳(1 1 ) 、羰基鎳 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 1265985 A7 ^^^__________ 五、發明説明(12) P 三乙基磷酸酸、三乙基亞磷酸鹽、三苯基ggp 酸鹽 P b 2 —乙基己酸鉛(I I)、苯二甲酸鉛、雙( 2,2,6 ,6 — 四甲基—3,5 —庚二酸)鉛(I I) 、硝酸鉛
Pd 亞硝酸二氨鈀(I I)、乙醯丙酮酸鈀(I I )、六氯鈀酸銨(IV) p t 乙醯丙酮酸鉑(I I )、六氟乙醯丙酮酸鉑( I I )、二苯基(1,5 —環辛二烯)鉑(I I )、亞硝 酸二氨鉑(I I ) '亞硝酸四氨鉑(I I ) R u 乙醯丙酮釕(I I I )
Si 四乙氧基矽烷、四甲基矽烷、二矽酸、偏矽酸 S η氯化錫(I I )二水合物、2 —乙基己酸錫( I I )、四一正一 丁基錫、四甲基錫
W 六羰基鎢、氟化鎢(V I )、鎢酸 Υ 2 -乙基己酸釔(I I I )、硝酸釔(I I I
)六水合物、異一丙氧化釔(I I I )、苯酸釔(I I I ) Y b 硝酸鏡(I I I ) Ζ η 2 -乙基己酸鋅、硝酸鋅六水合物、醋酸鋅 Z r 2—乙基己酸鉻(IV)、正—丁氧化鍩( IV)、六氟乙醯丙酮酸鉻(IV)、乙醯丙酮鉻(IV )、正一丙氧化鉻(IV)、二硝酸氧化锆 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _#· -訂' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 1265985 A7 B7 五、發明説明(13) 襄施例
在藍寶石上澱積B S T 此實施例中,使用C CVD方法在C -平面藍寶石上 澱積2 5 0毫微米厚之B a〇.6S r〇.4T i〇3塗層。該 Ba〇.6Sr〇.4T i〇3先質溶液包含〇 · 01 43重量 %之呈2 —乙基己酸緦形式S r、0 · 06 1 5重量%呈 2 -乙基己酸鋇形式之B a、〇. 〇 3 5 5重量%之(二 一異一丙氧化)(雙(乙醯丙酮酸)鈦、12 .6049 重量%甲本、0 . 0118重量%異丙醇、1.5333 重量-丁醇以及8 5 · 7 4 1 2重量%丙烷。該溶液 的固定流速爲2 . 〇ml/分鐘,於8 Ops i下之管尖 氧流速爲4 0 0 0 m 1 /分鐘。測得接近該基材前表面之 氣體溫度自9 0 0至1 1 0 〇°C。B ST澱積係外延,具 有1,1,1晶格結構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16-
Claims (1)
1265985 Α8 Β8 C8 D8 φ r 4 、六、申請專利範圍 1 附件3A ·· ^ 90 1 1 903 6號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國93年5月4日修正 1 · 一種材料,其係包含在一藍寶石基材的C -平面 上形成爲層的嘉晶(epitaxial) B a xS r i-χΤ i〇3,其 中x的値爲0至1。 2 ·如申請專利範圍第1項之材料,其中該層的厚度 係介於約1 0 0與約3 0 0 0毫微米之間。 3 ·如申請專利範圍第1項之材料,其中該層的厚度 係介於約3 0 0與約1 〇 〇 〇毫微米之間。 4 ·如申請專利範圍第1項之材料,其中該 B a X S r工- x T i〇3具有1 1 1定向。 5 ·如申請專利範圍第1項之材料,其中該 B a X S r i - X T i〇3係摻雜會改變其性質之離子。 6 ·如申請專利範圍第5項之材料,其中該摻雜離子 包括鉋與f必。 7 ·如申g靑專利範圍第1項之材料,其進一步包含對 該B a XS r i-χΤ i〇3層施加偏壓或rf訊號之導電電 極。 8 · —種材料,其係包含在一藍寶石基材上形成爲層 的磊晶(epitaxial ) BaxSri-xTi〇3,其中X的値爲 0 . 1 至 0 . 9。 9 ·如申請專利範圍第8項之材料,其中X的値爲 0 . 3至〇.7 。 本紙張尺度適财關家辟(CMS ) A4規格(210X297公董)~~~~ΓΤΙ ---~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 烦請委貝明示,本案修正後是否變更原實f内S 1265985 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 〇 .如申請專利範圍第8項之材料,其中X的値爲 0 · 4 至 0 . 6。 1 1 .如申請專利範圍第8項之材料,其中該層的厚 度係介於約1 0 0與約3 0 0 0毫微米之間。 1 2 .如申請專利範圍第8項之材料,其中該層的厚 度係介於約3 0 0與約1 0 0 0毫微米之間。 1 3 .如申請專利範圍第8項之材料,其中該 BaxSr^xTi〇3具有1 1 1定向。 1 4 .如申請專利範圍第8項之材料,其中該 B a X S r ! - X T i〇3係摻雜會改變其性質之離子。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之材料,其中該摻雜 離子包括鉋與鉍。 1 6 .如申請專利範圍第8項之材料,其進一步包含 對該B a x S r i - X T i〇3層施加偏壓或R F訊號之導電 電極。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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