TWI264041B - Electron beam mask having dummy stripe(s) and lithographic method of manufacturing a semiconductor device using an E-beam mask having at least one defective pattern - Google Patents

Description

1264041 五、發明說明（./ ) 發里背景 1·衣發明領域 本發明係有關於電子束微影。更特別地，本發明係有 關於一種電子束遮罩以及一種使用該遮罩製造半導體元件 的方法。 2.祖關習知技術之描沭 半導體元件的製造須要控制雜質到半導體基板小區域 的植入。一種微影製程被用來定義這個小區域。也就是， 光阻在晶片的整個表面上形成。紫外線、電子束或是X光 通過遮罩，以選擇性地將光阻曝光。接著，曝光的光阻被 顯影並產生圖案，因而一個半導體元件圖案在半導體基板 上面形成。 選擇性地將光阻以紫外線曝光的光罩，在一次曝光製 程中將影像轉移到晶片的整個表面。也就是，與複數個晶 片對應的圖案由光罩定義，然後光罩圖案的影像被一次轉 移到晶片上，因而此製程特徵在於高製造良率。然而，由 於通過遮罩的光繞射，解析度及定位各別被限制在1微米 及正負3微米。 同時，微影製程必須提供較高的解析度以及定位，以 ； 符合更高度積體化之半導體元件的要求。爲了這個理由， 丨 使用聚焦電子束作爲電子束(E-beam)微影的方法已經出現 | ’成爲生產闻密度電路兀件圖案的廣泛方法。雖然電子具 I 有波的性質，但是電子束的波長是極短的。因此，使用電 | 子束之滅影方法比使用紫外線的光微影方法還要適合於高 1 4__ 土纸張尺度適闬由國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - I s J ! s ^ 1 I I s I ------« I 丨訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1264041 A? ___B7_ 五、發明說明（>) 度積體化半導體電路的製作。 圖1是一^個電子束微影系統之遮卓的橫剖面圖。特別 是，該遮罩被使用在限角度散射投影式電子束微影 (SCALPEL)中，並且在此之後將稱作SCALPEL遮罩。在 SCALPEL遮罩中，氮化矽層及光阻層在晶片的背面形成。 一個以大約60奈米之氮化砂層製作的薄膜12在晶片的前 表面上形成。在晶片背表面的氮化矽層以該光阻層進行圖 案化。支撐柱10使用圖案化氮化矽層，以蝕刻晶片之背面 的方式來形成。同時’由鎖或是鉻製成的遮罩圖案14在薄 膜12上面形成。如果遮罩在形成時具有缺陷，也就是如果 鎢或是鉻的圖案被形成在他們不應該形成的地方，那麼這 些鎢或是鉻的圖案將以雷射光束移除。另外一方面，如果 鎢或是鉻的圖案在他們應該形成的地方沒有形成，那麼將 進行一個沉積製程以形成遺失的鎢或鉻的圖案。這種沉積 製程需要時間，而且會在先前形成的遮罩圖案中留下額外 的缺陷。 甚且，現在的電子束微影使用1毫米乘1毫米的電子 束來進行。因此，由遮罩的幾個圖案定義的幾個影像無法 僅在一次電子束曝光製程中被完全轉移到晶片的表面。也 就是，對每一個晶片必須重覆幾次電子束曝光製程。因此 ，電子束微影比使用光的微影製程要慢。換句話說，使用 電子束遮罩的電子束微影已經被歸類爲提供相當低良率的 方法。 ____5 度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）' ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 囔—— 訂---------線- A7 1264041 B7 ------------- 五、發明說明（1 ) 本發明摘要 」 依此，本發明的一個目標是提供一個電子束遮罩，以 該遮罩，電子束微影可以進行半導體元件的生產而達到比 以前相當更高之良率成爲可能。 相同的，本發明的一個目標是提供一種微影方法，用 來以電子束製造半導體元件，而且該方法提供一個比傳統 電子束微影製程相當更高的良率。 爲了完成上面提到的第一個目標，本發明提供了一種 電子束(E-beam)遮罩，其包含以下：一個薄膜、一個主要 圖案，其含有在薄膜上形成之複數個條帶、以及一個在薄 膜上備用空間中形成之各別的無缺陷的替代條帶，其與主 要圖案的每一個有缺陷的條帶相對應。（複數個）替代條帶 可以至少是一個替代圖案的一部分，每一個替代圖案含有 與主要圖案之條帶數量相同的替代條帶數量。或是換一種 方式，只有對應於主要圖案的有缺陷的條帶之替代條帶在 薄膜上形成。更甚者，當對應於主要圖案之有缺陷的條帶 之替代圖案之條帶也都具有缺陷時，替代條帶可以是與主 要及替代圖案分離之圖案的一部分。 該電子束遮罩可以是具有1毫米乘12毫米條帶的 SCALPEL遮罩，或是具有1毫米乘1毫米條帶的具有可變 軸浸入式鏡片投射曝光(PREVAIL)遮罩。主要及替代的圖 案由複數個鉻或是鎢的圖案製成，其對於電子束僅僅是半 穿透的，而薄膜由氮化矽製成。 爲了兀成弟一個目標，本發明提供製造半導體元件的 __—__6_ 本紙適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >Γ^97公爱) ---- …—Ϊ J—>--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1264041 A7 B7__ 五、發明說明（4 ) 光微影方法，在其中的每一個電子束曝光製程係使用無缺 陷的替代條帶，而不是使用主要圖案之有缺陷的條帶。 在此種方法的第一個方法中，電子束遮罩以含有主要 圖案及替代圖案的方式製造，該主要圖案由分佈在薄膜上 的複數個條帶組成，而替代圖案係由在薄膜上面、主要圖 案所包圍之範圍以外的備用空間中所形成之替代條帶組成 。所有追些電子束遮卓的條帶被檢測是否具有缺陷，而且 有關有缺陷的條帶的資訊被儲存。然後使用電子束遮罩中 的這些條帶來將光阻曝光。特別是，基於儲存的資訊，電 子束曝光製程是以主要圖案的無缺陷的條帶以及替代圖案 中kf應於主要圖案有缺陷的條帶的無缺陷的條帶來進行。 然而’如果對應於主要圖案有缺陷的條帶之替代圖案 的替代條帶也發現有缺陷的，那麼在薄膜中由主要以及替 代圖案包圍區域以外的任何備用空間中，一個額外的替代 條帶被製成。當微影製程達到該主要圖案的有缺陷的條帶 時’下一個電子束曝光製程使用此額外的替代條帶，而不 是使用主要圖案的有缺陷的條帶以及相對應替代圖案的有 缺陷的條帶。 1 在另一種方法中，主要圖案的條帶在薄膜上面形成， I 而這些條帶被檢測是否具有缺陷，然後每一個對應於主要 j 條帶之有缺陷的條帶的替代條帶在薄膜上面由主要圖案包 ； 圍區域之外的備用空間中形成。電子束曝光製程序列地使 用主要圖案的無缺陷的條帶，以及每一個對應於主要圖案 各別的有缺陷的條帶的無缺陷的替代條帶來實施。 本帽鮮（CNS)A4 規^^ f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -------—訂·------------ 1264041 A7 一一咖邮一抑一=一·||Μ _ 1 一~ **一· 1 r ，/' |五、發明說明（：·(、.） ! 本發明也可以應用在半導體元件製造中，其中相同的 電路圖案在橫跨於半導體基板的數個地方，也就是在 I DRAM單元中被重覆製作。 I 特別是，包含複數個條帶的主要圖案在薄膜上形成。 條帶中的某些個具有相同的內部圖案，其與製造DRAM單 元之本質一致。這些條帶被檢測是否具有缺陷，而且指示 那幾個條帶具有相同的圖案以及那幾個條帶具有缺陷的資 訊被儲存。一項針對是否所有具有相同圖案的條帶都具有 缺陷的決定被做下來。如果是這樣的話，對應於相同圖案 的有缺陷的條帶的替代條帶是在薄膜上由主要圖案包圍範 圍之外的備用空間中形成。 然後’電子束曝光製程係根據儲存的資訊進行。更特 定地’該電子束曝光製程以序列方式實施，在其中該電子 束被導引通過主要圖案的無缺陷的條帶。在所述之序列過 程中’當進程到達主要圖案之有缺陷的條帶時，電子束被 導引通過主要圖案中與有缺陷的條帶具有相同圖案的一個 條帶，只要該條帶是沒有缺陷的。然而，如果所有具有相 | 同圖案的條帶都具有缺陷，那麼電子束被導引通過相對應 I 之替代條帶。 | 在上面描述的方法中，在電子束曝光製程完成之後將 I光阻層顯影，然後使用該顯影光阻層在半導體基板上形成 丨 半導體件圖案。 附圖簡略 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- 訂-------------線·

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A7 1264041 _____B7 五、發明說明（[；) 本發明上述的以及其他的目標、特質以及優點在參考 以下較佳實施例詳細描述，並配合其中所附之參考附圖之 後將會變得更加明顯，其中： 圖1是一個SCALPEL(限角度散射投影式電子束微影) 之遮罩橫剖面圖； 圖2是一個依照本發明之電子束遮罩的第一實施例的 平面圖； 圖3是一個依照本發明之電子束遮罩的第二實施例的 平面圖； 圖4是一個依照本發明之電子束遮罩的第三實施例的 平面圖； 圖5是一個依照本發明之電子束遮罩的第四實施例的 平面圖； 圖6是一個依照本發明在晶圓上形成半導體元件圖案 之微影方法第一實施例的流程圖，其使用圖2及圖3的電 子束遮卓； 圖7是一個依照本發明在晶圓上形成半導體元件圖案 之微影方法第二實施例的流程圖，其使用圖4的電子束遮 罩； 圖8是一個依照本發明在晶圓上形成半導體元件圖案 之微影方法第三實施例的流程圖，其使用圖5的電子束遮 罩；並且 圖9是一個依照本發明用來形成DRAM圖案單元之微 影方法的流程圖。 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----- 訂---------線- A7 1264041 五.、發明說明（：：_ ) 元件符號說明· 10 ·支撐柱 12 ·薄膜 14 ·遮罩圖案 16、24、32、40 ·薄膜 18、26、34、42 ·主要圖案 2卜 23、25、27、29、43、48b ·條帶 20、28、30、44 ·替代圖案 22a、22b、22c、31a、31b、31c、31d、31e、31f、38a、38b 、38c、48c ·有缺陷的條帶 46 ·替代條帶 112、114、116、118、120、122、124、152、154、158、 164 ·步驟 較佳實施例詳細描述 圖2展示一個使用在SCALPEL電子束微影系統中之遮 罩的第一實施例。該遮罩由一個基板（晶圓），以及一個以 氮化矽製作的薄膜16所組成。一個主要圖案18在薄膜16 : 的一邊(在圖的左邊)形成，而一個替代圖案20在薄膜16 的另外一邊(在圖的右邊)形成。主要圖案18對應於要被製 作的半導體元件圖案，也就是被曝光的所有光阻區，其包 ! 含複數個條帶21。每一個條帶由複數個鉻或是鎢的圖案（ 圖1的14)製成。替代圖案20具有與主要圖案18相同的大 小，而且該替代圖案20含有與主要圖案18相同數量的條 ___ 10 木紙m適用由國a家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ —- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) H · n n i·— = - I— in n 一 ^ I n in I n Βϋ 線 A7 1264041 I五.、發明說明（卩） ! 帶。各別的條帶23也由複數個相同之鎢或是鉻圖案組成。 | 因此，替代圖案20的條帶23具有與主要圖案18之各別條 | 帶21之一對一對應。例如，在替代圖案20的條帶第一列 中’從左邊算來(X軸的正方向）第三條帶對應於在主要圖 案18的條帶第一列中，從左邊算來(X軸的正方向）的第三 條帶。 主要及替代圖案18及20的有缺陷的條帶22a、22b、 以及22c以對角橫斜影線顯示。圖中的箭頭顯示照射光阻 之微影製程的進程，也就是，電子束曝光製程。 圖3展示一個在SCALPEL系統中使用的遮罩之第二實 施例。參考圖3，一個主要圖案26以及兩個替代圖案28 及30被形成在氮化矽所製成的薄膜24上面。第一以及第 二替代圖案28及30的每一個具有與主要圖案26相同的大 小，而且該第一以及第二替代圖案28及30的每一個具有 與主要圖案26相同的條帶數量。主要圖案26、第一個替 代圖案28、第二替代圖案30的條帶25、27以及29均由鎢 或是鉻圖案所組成。 在該圖中，主要圖案26的有缺陷的條帶31a、31d、 I 以及31e以及兩個替代圖案28及30的有缺陷的條帶31b、 ； 31c、以及31f是以對角橫斜影線顯示。幾個箭頭顯示電子 ! 束曝光製程的進程。 圖4顯示一個使用在SCALPEL系統中的電子束遮罩之 第三實施例。參考圖4，一個主要圖案34以及對應於主要 圖案34之有缺陷的條帶38a、38b、38c的替代條帶36a、 ί I J i s --------------訂·---—----I . . ... (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適闬由國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1264041 r—~~_._________ I ________ j五 '發明說明（m ) 36b、36c被形成在由氮化矽製成的薄膜32上面。在此實施 例中，唯一被形成的替代條帶36a、36b、36c是該些對應 到主要圖案34之有缺陷的條帶38a、38b ' 38c者。當薄膜 32上面沒有足夠的備用空間可以給出與主要圖案34相同 大小的替代圖案使用時，此實施例特別有用。相同於前述 的實施例，各別的替代條帶36a、36b、以及36c是由複數 個鎢或是鉻圖案所組成。主要圖案34的有缺陷的條帶38a 、38b及38c再次以對角橫斜影線顯示，而幾個箭頭顯示電 子束微影製程，也就是電子束曝光製程的進程。 圖5展示了一個使用在SCALPEL系統中的電子束遮罩 之第四實施例。參考圖5，主要圖案42以及替代圖案44 係在由氮化矽製成的薄膜40上面形成。替代圖案44由具 有與主要圖案42之條帶相同的大小及數量之條帶43組成 。然而，在這個實施例中，當對應於主要圖案42有缺陷的 條帶48c之替代圖案44之條帶48b也具有缺陷時，電子束 遮罩以包含替代條帶46之方式組成，以同時替代有缺陷的 條帶48b以及48c。替代條帶46由鎢及鉻圖案組成。當薄 膜沒有足夠的備用空間來形成如圖3的實施例中之兩個替 代圖案時，可以使用圖5的實施例。 j 顯示在圖2到圖5的每一個實施例都是一個具有複數 I 個1毫米乘12毫米條帶的SCALPEL遮罩。然而，當形成 j 主要圖案的薄膜上面具有備用空間時，本發明也可以用在 所有的電子束遮罩中。例如，本發明可以用在具有複數個 1毫米乘1毫米條帶的可變軸浸入式鏡片投射曝光 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} f ♦ 1264041 五、發明說明d c ) (PREVAIL)遮罩。 現在參考圖6，使用如圖2顯示之遮罩以在晶圓上面 形成半導體兀件之圖案的方法將被描述’其係以遮罩選擇 性地將光阻曝光在電子束中進行。首先，在步驟112中， 一個如圖2所顯示的電子束遮罩被製造。該電子束遮罩包 含一個主要圖案18以及一個替代圖案20。在傳統習知技 術中，只有由鉻或鎢圖案之條帶所製成的主要圖案在薄膜 上形成，而且薄膜上的備用空間不被用作任何特定目的。 然而，在本發明實施例中，具有與主要圖案18相同條帶數 量的替代圖案20被形成在原本沒有使用的空間中。更特定 地，鎢或是鉻被沉積在薄膜16的整個表面上。接下來，鎢 或是鉻以光阻塗覆，產生的結構被放置在爐裏以烘烤光阻 層。該光阻層然後被曝光、顯影及產生圖案。然後使用該 圖案化的光阻層做爲遮罩，形成複數個鎢或是鉻圖案。因 此’遮罩以具有複數個以鎢或是鉻圖案的條帶的方式在透 明薄膜16上面製成。 在步驟114中，一項對於主要圖案18以及替代圖案 20的任何條帶21以及條帶23是否具有有缺陷的的決定係 被作出，而且顯示任何此種有缺陷的條帶之數量及位置的 ! 資訊係被儲存在電腦記憶元件裏。在這個步驟中，將該遮 | 罩安裝在一個平台上，該遮罩平台在一個控制器與記憶體 ; 元件整合之方向移動，然後以同樣連結於控制器的光學系 統掃瞄該遮罩來檢測出是否有缺陷。 在圖2中顯不的實施例，例如在步驟114中，遮罩的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n an i n 0 ϋ 11 n n n —«I n^OJa n n ϋ on ϋ I! »1* I ϋ i n a— a— n n - 本紙張尺度適用中國國家標準（cnS)A4規格（210 x 297公釐） 1264041 A7 E7 I五、發明說明（"）

I 掃描判斷出從主要圖案18之條帶21的第一列左邊算來(在 X軸的正方向)算起之第六條有缺陷的條帶22a中、從第三 列左邊算來(在X軸的正方向）之第五條有缺陷的條帶22c， 以及從替代圖案20之條帶23的第二列右邊算來(在X軸的 負方向)第六條有缺陷的條帶22b具有缺陷。這些有缺陷的 | 條帶22a、22b以及22c的位置被儲存在電腦的記憶元件中 〇 在步驟116中，使用一個電子束遮罩開始在一光阻區 進行電子束曝光製程。電子束從一個熱離子源中產生，例 如用來形成一個細密高斯點的鎢源或是場發射源。電子束 經由一個電子柱進到電子束遮罩，該電子柱含有各種鏡片 以及電子束熄滅裝置。在這個範例中，使用具有1毫米乘 1毫米光點的電子束。當支撐電子束遮罩的遮罩平台以及 支撐晶圓的晶圓平台在沿著X軸正方向移動時，產生電子 束的電子槍維持固定。進行電子束曝光製程時，晶圓平台 以一個等速度移動。 電子束曝光製程使用主要圖案18中的條帶，以對應於 條帶與條帶之間之預定增量移動平台上的遮罩，一個接著 另一個進行。 ! 然而，再次參考圖2，曝光設備辨認出主要圖案18第 ! 一列的條帶中左邊算來的第六條帶22a具有缺陷。結果是 1 ，電子束曝光製程被進行到有缺陷的條帶22a之前，也就 是直到主要圖案18第一列條帶之左邊算來第五條帶。 在步驟118中，控制器接收從記憶元件來的資訊，顯 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Ble fcvi 1 Bi-i _ 本紙張尺度適用由國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） A7 1264041 示電子束曝光製程已經進行到有缺陷的條帶。在步驟120 中，控制器沿著X軸正方向移動遮罩平台一直到達替代圖 案20的替代條帶(第一列條帶的第6條帶），也就是，在替 代圖案中對應於有缺陷的條帶的條帶◦在此同時，控制器 移動晶圓平台以使得光阻區域原本將接收主要圖案中有缺 陷的條帶之鉻或是鎢圖案影像來曝光，改由替代圖案20對 應條帶之鉻或是鎢圖案影像來曝光。 在步驟122中，遮罩平台被接續地在X軸的正方向移 動，使用在替代圖案20的第一列條帶的剩餘條帶，繼續電 子束曝光製程。步驟116到124重覆進行，直到電子束曝 光製程已經完成爲止。也就是，往Y軸的負方向移動遮罩 平台，以使用替代圖案第二列條帶之右邊算來的第一條帶 。然後遮罩平台往X軸的負方向移動，使用第二列之條帶( 步驟122)繼續電子束曝光製程。替代圖案20的第二列條帶 之右邊算來算起的第六條有缺陷的條帶22b被再次記得爲 具有缺陷的(步驟118)，因此遮罩平台被控制器往X軸的負 方向移動，以使得在達到替代圖案20的第二列的有缺陷的 條帶時，主要圖案18的第二列條帶右側算起第六條帶立即 被照射(步驟120)。 I 使用第二列中的條帶完成電子束曝光製程(步驟122以 ! 及124)之後，遮罩平台往γ軸的負方向移動，以開始照射 ! 1 主要圖案18第三列的條帶(步驟124以及116)。使用第三 列條帶的電子束曝光製程相似於使用第一列條帶的電子束 曝光製程。然而，替代圖案的第四列條帶沒有任何一個具 ~______ 15 >、尺度適用由國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂-------一線J -·ϋ ϋ f B— Ms _ A7 1264041 …______B7___ 五、發明說明（1J ) ‘/ 有缺陷，因此該製程在替代圖案20中完成。 已經以選擇性地以通過電子束遮罩之電子束所曝光的 光阻層在步驟122中顯影。電子束遮罩之薄膜16中由鉻或 是鎢覆蓋的部分，相較於沒有被鉻或是鎢覆蓋的部份對電 子束具有較低的穿透率。結果是，以通過各別條帶之鉻或 鎢圖案的電子束來曝光的光阻部分具有較低的曝光密度， 然而以通過各別條帶之鉻或鎢圖案之間的電子束來曝光的 光阻部分具有較高的曝光密度。依此，條帶的複數個影像 被各別地轉移到光阻層的區域中。在光阻被顯影之後，半 導體元件圖案在步驟128形成。 如上面描述的，當主要圖案18含有有缺陷的條帶’例 如有缺陷的條帶22a以及22c時，電子束曝光製程係使用 與替代圖案20中對應的條帶來進行，只要該等對應的條帶 沒有缺陷即可。依照目前生產條帶的技術，條帶在遮罩中 具有一個有缺陷的的機率爲5%。在這個提供一個主要圖案 18以及一個替代圖案20的實施例中，替代圖案20之中對 應於主要圖案18之一有缺陷的條帶的一個條帶也具有缺陷 的機率是〇.25%(0.05乘以0.05乘以100)。換句話說，當只 含有主要圖案的遮罩被使用時，遮罩製造良率是95% ’而 當含有一個主要圖案18以及一個替代圖案20的本發明遮 ! 罩被使用時，製造良率是99.75%。 接下來，以圖3的電子束遮罩來製造半導體元件的步 驟將參考圖6的流程圖來描述。首先，該電子束遮罩以圖 2中對製作電子束遮罩之描述的相似方式來製作。在步驟 _____16 __ 木紙張尺度適用由國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 訂---------線丨^--- A7 1264041

114中，主要圖案26以及替代圖案28及30的條帶25、27 、29之任何一個是否具有缺陷的決定被做出，而且任何顯 示這種有缺陷的條帶之數量及位置的資訊被儲存在電腦記 憶元件中。 電子束曝光製程然後在X軸正方向移動遮罩平台，在 主要圖案26的條帶第一列上進行製程。沿著X軸的正方 向從左側算起的第三有缺陷的條帶31a具有一個缺陷。因 此，一旦製程已經進行到有缺陷的條帶31a時，控制器移 動遮罩平台以使得第一替代圖案28之條帶27的第一列中 從左側(X軸的正方向）算起的第三條帶被電子束照射，而 不是有缺陷的條帶31a被照射(步驟120以及步驟122)。然 後步驟116到124被重覆，電子束製程係使用第一替代圖 案28的條帶繼續在第一列中進行，接下來，以第一替代圖 案28第二列條帶的右側算起的第一條帶做爲開始。然而， 從替代圖案28的第二列的右側算起的第四有缺陷的條帶 31c以及主要圖案26第二列條帶的右側算起的第四條帶 31d同時具有缺陷。因此，當該微影製程往X軸的負方向 進行到替代圖案28的第二列條帶右側算起第四條帶時(步 驟118)，控制器移動該遮罩平台以第二替代圖案30中之相 對應無缺陷的條帶進行照射。電子束曝光製程然後使用第 二替代圖案30第二列條帶的剩餘條帶來實施。然後電子束 曝光製程先往Y軸的負的方向移動遮罩平台(步驟122)，使 用第二替代圖案30第三列條帶的剩餘條帶來實施。步驟 116到步驟124再一次重覆，以使用第二替代圖案30的第 ___17 I 丨！ J I — Jill — — · l I I I ! I I · I I 1 . — i I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） A7 B7 1264041

四列條帶來實施電子束曝光製程。一旦該製程在往X軸的 負方向已經進行到第二替代圖案30第四列條帶的右邊算來 I 第六(有缺陷的)條帶31f(步驟118)時’控制器在X軸的負 1 方向上移動遮罩，以使得下一條被電子束照射的條帶是相 應的第一替代圖案28第四列條帶的(無缺陷的)條帶，因爲 在主要圖案26的對應條31e是有缺陷的(步驟120)。電子 束曝光製程然後使用第一替代圖案28第四列條帶的剩餘條 來完成整體的曝光製程(步驟124)。在步驟126中，光阻被 顯影，而在步驟128中，以該顯影光阻來形成半導體元件 圖案。 如已經在上面提到的，使用目前的技術來製造電子束 遮罩時，遮罩中條帶具有缺陷的機率是5%。因此，在主要 圖案中以及在另外兩個圖案的兩個對應條帶都具有缺陷的 機率是0.0125% (0.05乘以0.05乘以0.05乘以100)。結 果是，使用傳統遮罩的良率是95%，而使用圖3遮罩的良 率是 99.975%。 雖然圖2及圖3的實施例分別使用一個以及兩個替代 圖案，如果薄膜上面具有足夠的備用空間的話，本發明的 遮罩可以使用三個或是更多的替代圖案。然而，考慮製造 遮罩之所有相關成本以及所需要時間時，而不管由具有超 I 過兩個替代圖案的遮罩所提供的較高製造良率時，最好只 | 使用一個或是兩個替代圖案。 甚且，在使用圖2以及3所描述遮罩之電子束曝光製 程中，如果有需要的話，將重覆地依照往X軸正方向、γ ! I ---I J I-------· - I - I---^ --------- I I ----I ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1264041 I五、發明說明d() 軸負方向、X軸負方向、以及Y軸負方向的順序進行製程 。然而，該電子束曝光製程可以在主要圖案中的每一列只 | 在X軸的正方向移動來實施。 接下來，以圖4的電子束遮罩來製造半導體元件的步 驟將參考圖7的流程圖來描述。在步驟152中，只有一個 主要圖案34在薄膜32上面形成。接下來，主要圖案之條 帶的任何一個是否具有缺陷的判斷被做出，而且顯示任何 這種有缺陷的條帶之數量及位置的資訊係在步驟154中被 儲存在電腦記憶元件中。爲了這個範例，主要圖案34中發 現有三個有缺陷的條帶38a、38b、38c存在。第一有缺陷 的條帶38a是在第一列條帶左邊算來第四條帶，第二有缺 陷的條帶38b在第三列條帶的左邊算來第三條帶，以及第 三有缺陷的條帶38c在第四列條帶的右邊算來第三條帶。 在步驟156中，替代條帶基於在步驟154中獲得的資 訊所製成。特定地，三個替代條帶36a、36b、以及36c是 在薄膜32上面只要任何具有空間地方形成。雖然圖4顯示 所有三個替代條帶36a、36b、以及36c被一個接一個在一 個位置中形成的狀況，事實上，考慮到遮罩平台被移動的 方向，每一個替代條帶也可以在具有缺陷的條帶的該列右 邊或左邊形成。也就是，第一、第二、第三替代條帶36a 、36b、以及36c可以各別在主要圖案34之條帶33的第一 列的右邊(或是左邊）、第三列的右邊(或是左邊）、以及第四 列的右邊(或是左邊)形成。 爲了形成替代條帶，一個鉻或是鎢層在薄膜32上面具 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #

I I I I 線ΙΨ 1264041 a? __________B7 ______ 五…發明說明（^ ) 有備用空間的地方形成。在基板以光阻鍍膜之後，將被形 I 成在主要圖案旁邊（在圖的右邊、左邊、上面、或是下面) | 之(複數個)替代條帶區將會被曝光(或是遮蓋）。光阻然後被 顯影，並且替代條帶36a、36b、以及36c以該顯影光阻作 爲遮罩來形成。因此，由主要圖案34以及替代條帶36a、 36b、以及36c組成的一個電子束遮罩被完成。 在步驟158至164中，複數個電子束曝光製程被實施 。該電子束曝光製程以往X軸的正方向移動遮罩平台(步驟 158)來開始。在製程的第一序列中，該電子束被導引通過 主要圖案34第一列條帶中的複數個條帶。然而，在步驟 160中，第一列條帶的左邊算來第四有缺陷的條帶38a被檢 索爲具有缺陷的。因此，電子束曝光製程繼續進行到有缺 陷的條帶38a之前，也就是，直到使用左邊算來第三條帶 進行曝光製程時。 在步驟160中，該控制器以儲存在記憶元件中的資訊 決定該製程是否已經到達有缺陷的條帶。因此，在步驟 162中，控制器沿著X軸的正方向移動遮罩平台，以使得 第一替代條帶36a會接著被照射。當第一替代條帶36a在 電子束曝光製程中被照射之後，該控制器往X軸的負方向 移動該遮罩平台，以使得在第一有缺陷的條帶38a的正右 邊的條帶一個接著另外一個被照射(步驟164)。由於所有的 電子束曝光製程還沒有被完成，步驟158到步驟166被重 I 覆進行。也就是，該遮罩平台往y軸的負方向移動，以使 J 得從第二列條帶右邊算來第一條帶接著被照射。電子束曝 j 20 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------* !線丨^--- 紙ϋ度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）' A7 1264041 五，發明說明（^) 光製程使用第二列的條帶，以預先決定的增量往X軸的負 方向移動遮罩平台來實施。因爲在步驟154中第二列中沒 有任何一條帶被判斷爲具有缺陷的，電子束曝光製程在沒 有阻擾的情況下實施(步驟158到160) °當使用第二列條帶 的電子束曝光製程已經完成之後’遮罩平台往y軸的負方 向被移動，以達到主要圖案34第三列條帶從左邊算來第一 條帶(步驟158再一次進行）。 電子束曝光製程係使用第三列的條帶’以相同於對第 一列條帶所進行的方式實施。也就是’在使用主要圖案34 第三列條帶的左邊算來第一^條帶之電子束曝光製程（步驟 158以及步驟164)被實施之後，遮罩平台被移動以照射第 二替代條帶36b(步驟158、160以及162)。重覆步驟158、 160以及164，使用主要圖案34第三列左邊算起的第四條 帶開始的剩餘條帶來實施電子束曝光製程。然後重覆步驟 158到166，在其中以相同於使用第二列條帶之方式，在第 四列條帶中實施電子束曝光製程。然而，條帶的第四列右 邊算來第三條帶具有缺陷。因此，電子束曝光製程以第三 替代條帶36c來實施，而不是以第四列右邊算來第三條帶 I 。一旦完成所有的電子束曝光製程(步驟166)，光阻在步驟 I 168中顯影。最後，使用在步驟170中的顯影光阻來形成 | 一個半導體元件圖案。 I 接下來，使用圖5的電子束遮罩在晶片上形成半導體 元件圖案的過程，將以參考圖8的流程圖來描述。在步驟 180中’主要圖案42以及替代圖案44在薄膜40上面產生 _________21_ 本紙張尺度適用由國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 線丨Φ-! A7 1264041 五…發明說明（：ί ) 。回顧在主要圖案42中條帶41含有缺陷的條帶48a以及 48c，而且替代圖案44中的條帶43含有一個有缺陷的條帶 48b。因此，一項檢視係揭露了(在步驟183中)替代圖案44 中的有缺陷的條帶48b碰巧對應於主要圖案42的有缺陷的 條帶48c。因此在步驟184中，一個對應於有缺陷的條帶 48c以及48b的替代條帶46係在薄膜40上面之備用空間中 形成。替代條帶46以描述在圖7中與步驟156相關之相同 方法來形成。 當由主要圖案42、替代圖案44以及替代條帶46所組 成之電子束遮罩被製造後，在步驟186中，電子束曝光製 程在主要圖案42中的第一列條帶中開始(步驟186)。主要 圖案42的第一列條帶的左側算起第五條帶48a被確定具有 缺陷的。因此，在使用第一列左邊算來第四條帶之電子束 曝光製程被實施後，下一個電子束曝光製程在替代圖案44 第一列的對應無缺陷的條帶中來實施(步驟188、190、192 以及196)。使用第一列條帶的電子束曝光製程然後在替代 圖案44之中完成。步驟186到197的複數個各別步驟被重 覆，其中電子束曝光製程以在Y軸的負方向移動遮罩平台 ，在替代圖案44第二列條帶中實施。然而，在替代圖案 44第二列條帶右邊算來第四條帶48b以及主要圖案42第二 列條帶的右邊算來第四條帶48c都具有缺陷的。因此，當 使用替代圖案44第二列條帶的右邊算來在第三條帶的電子 束曝光製程被實施之後，遮罩平台被移動以使得下一個電 子束曝光製程在對應替代條帶46上，在步驟190、194、以 ___22 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-ϋ n 1 H n *1 H ϋ n n^OJa 1 n n IB I a— n I n I I

It a··— i n οϋ 88 il 1 A7 1264041 五…發明說明（K) 及196中實施。接下來，使用在第二列、第三以及第四列 其他條帶來實施電子束曝光製程，之後該製程被完成(步驟 197)。在步驟198中，以電子束曝光的光阻被顯影，然後 在步驟200中使用該顯影光阻半導體元件圖案被形成。 當使用圖4以及5的電子束遮罩來製造半導體元件時 ，即使主要圖案的條帶具有缺陷，而且即使是替代圖案的 相應替代條帶也具有缺陷，電子束曝光製程也可以成功地 實施(使用替代條帶36a、36b、36c及46)。 圖9顯示一個依照本發明製造DRAM單元的步驟流程 圖。製造DRAM需要將相同的影像轉移到橫跨基板之不同 的區域。因此，用來製造DRAM單元的遮罩將具有在其中 至少有一些條帶具有相同圖案之主要圖案。依此，當遮罩 具有如有缺陷的條帶所定義之相同圖案的無缺陷的條帶時 ，額外製造的替代條帶是不需要的。也就是，當本發明被 應用來製造DRAM單元時，DRAM單元的製造有的時候可 以在不產生替代遮罩圖案或是替代條帶的情形中進行。 在步驟202中，含有複數個條帶的主要圖案被製造， 然後該遮罩被檢視以決定是否具有缺陷的條帶，並且檢視 是否具有與有缺陷的條帶相同之影像所定義的任何的圖案 條帶（在此以後被對應於條帶）沒有缺陷的。檢視的結果被 儲存在記憶元件中(步驟204中）。 如果在步驟206中遮罩圖案之所有的對應條帶被決定 爲具有有缺陷的時，依據在遮罩薄膜中備用空間的大小以 及數量，一個或是複數個替代條帶、或是替代圖案在步驟 23 木今ϋ度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —一"—-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1264041 I五…發明說明（ 208中被製造。電子束曝光重製程在步驟210中開始。如 果電子束曝光製程已經準備好要照射主要圖案的有缺陷的 條帶時，即如在步驟212中所決定，電子束曝光製程改由 I 相應之一個無缺陷的替代條帶或是主要圖案中相應之一個 無缺陷的條帶來實施。步驟214、218、220以及222本質 上與圖7的步驟164、166、168、以及170相同，因此將不 再更詳細描述。 從以上所描述的本發明可明顯看出，影像絕對不會從 電子束遮罩的有缺陷的條帶轉移到光阻上。因此，使用該 遮罩製造的半導體元件具有很高的品質，也就是，使用根 據本發明的電子束遮罩以及微影方法可以被特徵化爲提供 高度良率的半導體元件製造方法。此外，微影製程可以被 程式化，以在最短的時間進行在特定遮罩之無缺陷的條帶 之間。 最後，雖然本發明已經結合其較佳實施例在上面描述 ，但對那些熟悉此項技術者來說，在本發明中進行各種的 改變以及修飾將會變得很明顯。因此，所有的這種改變以 及修飾將落在所附申請專利範圍的範疇中，其被看作在本 發明的實質精神以及範圍之中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） κϋ s-^ f i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 ον fl I ϋ ϋ .ϋ κι β— &1 I -I H ϋ 1 II I ϋ -ϋ

Claims (1)

1264041 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· 一種f在微影製程中用於將光阻之選擇的區域曝光 於電子束的^子束遮罩，該遮罩係包含： 一個薄膜； 一個具有複數個條帶的主要圖案，其係覆蓋在該薄膜 上面’該主要圖案的條帶的數量係對應於在微影製程過程 中使用該遮罩將被曝光於電子束之單一光阻區域之總數， 每一個該條帶由圖案中的材料組成，而該材料對於電子束 是較不具穿透性的，其中該薄膜中被該材料覆蓋的部分相 較於沒有被該材料覆蓋的部分具有較低的電子束穿透率， 每一個該條帶的材料圖案係定義被轉移到各別的光阻區域 中之影像，其係以導引電子束穿過條帶然後到達光阻區的 上面，而且該條帶中至少一個條帶具有缺陷，每一個有缺 陷的條帶含有妨礙該材料的圖案影像被正確轉移到光阻的 缺陷；以及 至少一個替代條帶，其係覆蓋在該薄膜上，在該主要 圖案所包圍的空間之外的備用空間中形成，每一個該至少 一個替代條帶由具圖案的材料組成，而且該材料對於電子 束較不具穿透性的，該至少一個替代條帶由無缺陷的替代 條帶組成，該替代條帶定義一個影像，其對應於主要圖案 中的各別該有缺陷的條帶，但是不具有缺陷的條帶之缺陷 ’每一個該主要圖案有缺陷的條帶在該薄膜上具有一個相 應無缺陷的替代條帶， 藉此’在微影製程中，以穿過遮罩中主要圖案之該有 缺陷的條帶之電子束來曝光的光阻區域可以改用穿過相應 _ 1 0張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210>< 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\u 口 線 04 5 12 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 無缺陷的替代條帶之電子束來曝光，以使得所有的光阻區 域都是使用遮罩的無缺陷的條帶來曝光。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 2. 如申請專利範圍第1項之電子束遮罩，其中覆蓋該 薄膜的替代條帶總數是主要圖案中之該條帶的總數之整數 倍數，其中該薄膜被至少一個替代圖案覆蓋，其具有與主 要圖案相同條帶數量的替代條帶數量。 3. 如申請專利範圍第1項之電子束遮罩，其中只有覆 蓋該薄膜的替代條帶是對應於主要圖案之有缺陷的條帶的 替代條帶。 4. 如申請專利範圍第1項之電子束遮罩，其中只有覆 蓋該薄膜的替代條帶包含至少一個替代圖案，每一個替代 圖案含有與主要圖案中相同條帶數量的替代條帶，而且至 少一個該無缺陷的替代條帶對應於主要圖案中該相應有缺 陷的條帶。 5. 如申請專利範圍第1項之電子束遮罩，其中該每一 個條帶都是1毫米乘12毫米。 6. 如申請專利範圍第2項之電子束遮罩，其中該每一 個條帶都是1毫米乘12毫米。 7. 如申請專利範圍第3項之電子束遮罩，其中該每一 個條帶都是1毫米乘12毫米。 8. 如申請專利範圍第4項之電子束遮罩，其中該每一 個條帶都是1毫米乘12毫米。 9. 如申請專利範圍第1項之電子束遮罩，其中該每一 個條帶都是1毫米乘1毫米。 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 04 I 12 A8B8C8D8 κ'申請專利範圍 10·如申請專利範圍第2項之電子束遮罩，其中該每s 個條帶都是1毫米乘1毫米。 11. 如申請專利範圍第3項之電子束遮罩，其中該每％ 個條帶都是1毫米乘1毫米。 12. 如申請專利範圍第4項之電子束遮罩，其中該每_ 個•條帶都是1毫米乘1毫米。 13. 如申請專利範圍第1項之電子束遮罩，其中該材料 係從一群由鉻以及鎢所組成的群組中選擇出，而且該薄月莫 是以氮化矽製成。 K如申請專利範圍第2項之電子束遮罩，其中該材料 係從〜群由鉻以及鎢所組成的群組中選出，而且該薄膜遥 以氮化矽製成。 !5·如申請專利範圍第3項之電子束遮罩，其中該材料 係從〜群由鉻以及鎢所組成的群組中選出，而且該薄膜裹 以氮化矽製成。 16·如申請專利範圍第4項之電子束遮罩，其中該材料 係k〜群由鉻以及鎢所組成的群組中選出，而且該薄膜韙 以氮化矽製成。 八Π.一種用在製造半導體元件製程的微影方法，其係包 含以下的步驟： 在薄膜上面產生一主要圖案以及至少一個替代圖案以 製造一個電子束遮罩，該主要圖案包含複數個條帶，該等 替代圖案含有複數個替代條帶，該主要圖案中條帶的數毚 與每一個該替代圖案中條帶數量相同，並且 ______ 3 本紙張尺度適財®Ϊ家群(CNS)A4規格(210 X 297^¾------ 、 . 、ΤΓ% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 398892 ABCD 1264041 申請專利範圍 母一個該條帶含有一種具有圖案的材料，並且該材料 對電:子束較不具穿透性的，其中薄膜中被覆蓋以該材料的 部分比薄膜中沒有覆蓋以該材料的部分具有對於電子束的 較低穿透率’每一個該條帶材料圖案係定義影像，該主要 圖案的條帶以及每一個該替代圖案的條帶，對其中的圖案 來說，其係彼此對應的； 接下來檢視該遮罩以找出該等條帶的有缺陷的條帶， 該條帶中的有缺陷的條帶是那些具有缺陷的、可能妨礙其 中的影像被電子束正確地轉移到光阻的條帶，並且儲存可 以指示該等條中的哪些帶是具有該缺陷的資訊；並且 以序列的方式導引電子束穿過電子束遮罩之各別條帶 以到達光阻區域上面，其中電子束被一個接著一個導引穿 過條帶，只要是該條帶都沒有缺陷，而且在其中，基於該 儲存資訊，當在該序列過程中達到替代以及主要圖案中的 該有缺陷的條帶時，電子束被導引改從該替代圖案以及主 要圖案中之一之外面的一個條帶中穿過，而且該條帶具有 與該有缺陷的條帶的對應，但是其本身是沒有缺陷的，否 則將妨礙電子束正確地將影像轉移到光阻上面。 18.如申請專利範圍第17項之方法，其中該電子束遮 罩製造包含生產複數個該替代條帶。 19·如申請專利範圍第17項之方法，其中如果該檢視 係揭露出每一個對應於該主要圖案條帶中之一有缺陷的條 帶之該替代條帶也都具有缺陷的時候，該方法進一步包含 在該薄膜之上產生各別額外替代條帶，其對應於主要圖案 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公箸) .......................---------------訂----------------線-· (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) A8 B8 C8 D8 其中該電子束遮 其中該電子束遮 1264041 、申請專利範圍 以及替代圖案之有缺陷的對應條帶，其在由主要圖案以及 替代圖案所包圍的範圍之外的備用空間中，而且在其中， 一旦電子束被導引穿過遮罩條帶的序列已經進行到主要圖 案以及替代圖案的具有缺陷的對應條帶時，該序列包含導 引電子束穿過額外替代條帶’而不是穿過主要圖案以及替 代圖案的有缺陷的對應條帶。 20. 如申請專利範圍第17項之方法，其進一步包含接 著將光阻顯影以及使用該顯影後的光阻來製造半導體元件 圖案。 21. 如申請專利範圍第Π項之方法 罩製造包含生產1毫米乘12毫米的條帶 22. 如申請專利範圍第17項之方法 罩製造包含生產1毫米乘1毫米的條帶。 23. —種用在製造半導體元件之製程的微影方法，其包 含以下的步驟： 、 在一薄膜上面產生含有複數個條帶的主要圖案； 接下來檢視該遮罩以揭發該等條帶的有缺陷的條帶， 該條帶的有缺陷的條帶是那些具有有缺陷的、可能妨礙_ 中的影像藉由電子束正確地轉移到光阻的條帶，並且儲^ 可以顯示該等條帶中的哪些是具有缺陷的資訊； 基於該儲存的資訊，接下來在該薄膜上面，由胃 Η案所包圍範圍之外的備用空間中產生對應於主要匱 缺陷的條帶的數目之個數的替代條帶，每一個該替代條帶 係定義一個對應於主要圖案之各別有缺陷的條帶影像但不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) '1T: 線 04 § 2 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 具有缺陷，而且 每一個該條帶係包含具有圖案的材料，而該材料對電 子束較不具穿透性的，其中薄膜中被該材料覆蓋的部分Z 沒有被該材料覆蓋的部分具有更低的電子束穿透率；並且 以序列的方式導引該電子束穿過電子束遮罩之各別條 帶到達光阻區域上面，其中只要是該主要圖案條帶都沒^ 缺陷，該電子束就被導引穿過一個接著一個的條帶，而且 在其中基於該儲存的資訊，當在該序列過程中達到主要圖 案中的該有缺陷的條帶時，電子束被導引改從該替代條帶 中的對應一條帶中穿過。 24.如申請專利範圍第23項之方法，其進一步包含接 者將光阻顯影以及使用該顯影後的光阻來製造半導體元件 圖案。 25·如申請專利範圍弟23項之方法，其中該等條帶係 以1毫米乘12毫米來製造。 26·如申請專利範圍第23項之方法，其中該等條帶係 以1毫米乘1毫米來製造。 27·一種用在製造半導體元件之製程的微影方法，其係 包含以下的步驟： 製造一個電子束遮罩，其係藉由在薄膜上面產生主要 圖案’該主要圖案包含複數個條帶，每一個該條帶含有一 種圖案的材料，並且該材料對於電子束較不具穿透性的， 並且薄膜中被覆蓋以該材料的部分對於電子束比薄膜中沒 有以δ亥材料覆蓋的部分具有較低的穿透率，每一個條帶之 ________ 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公釐） ............T-..........#.................訂..............線Φ (請先閲讀背面之注意事項、再塡寫本頁} 1264041 As B8 C8 D8 " --^----- 六、申請專利範圍 圖案係定義影像，並且至少某些條帶具有相同的圖案； (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) ί女下來檢視該遮罩以揭發該等條帶中的有缺陷的條帶 ’該條帶中有缺陷的條帶是那些具有缺陷、可能妨礙其影 像藉由電子束正確地轉移到光阻的條帶，並且儲存指 些條帶是具有相同的圖案以及哪些條帶是具有缺陷的資訊 :以及 根據該檢視，當該至少某些具有相同的圖案之條帶全 部是有缺陷的條帶時，在該薄膜上面，由該主要圖案所包 圍範圍之外的備用空間中產生替代條帶，該額外的替代條 帶是由對於電子束較不具穿透性的材料所製成，該材料之 額外的替代條帶具有與主要圖案之該至少某些條帶相同的 圖案，並且該額外的替代條帶不具有任何缺陷，並且 接著，基於所述之儲存的資訊，以一種序列的方式導 引電子束穿過電子束遮罩之各別的條帶以到達光阻區域上 面，其中電子束被導引穿過主要圖形中沒有缺陷的條帶， 並且其中基於所述之儲存的資訊’當在所述之序列過程中 到達主要圖形中的所述有缺陷的條帶時，電子束被導引改 從主要圖形之另外的一個條帶中穿過，而且該條帶具有與 所述之有缺陷的條具有相同圖案’只要該另外的一個條帶 不是有缺陷的條帶即可，但是其中當主要圖形之該至少某 些條帶都有缺陷時，電子束則改由導引通過該額外的替代 條帶。 7 本紙張尺时酬家鮮(CNS)A4赌⑽X 297公變)