JP4115699B2 - 電子ビームマスク及びこれを用いた半導体素子の形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電子ビームリソグラフィーに係り、特に、製造収率を向上できる電子ビームマスク及びこれを用いた半導体素子の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程では、半導体基板の小さい領域に注入される不純物の量を調節する工程を必要とし、この小さい領域を限定するためにリソグラフィー工程が行われる。すなわち、光、電子ビームまたはX線等により変形されるレジスト膜をウェーハの半導体基板の全面に形成し、所定のマスクを通過した紫外線、電子またはX線などを用いてレジスト膜を選択的に露光させる。次に、レジスト膜を現像し、かつパターニングし、レジストパターンを用いて半導体基板に半導体素子のパターンを形成する。
【0003】
紫外線などを用いてレジスト膜を選択的に露光させる光マスクは、1回の露光によりウェーハに光マスクのパターンを転写する。すなわち、光マスクに多数のチップに該当するパターンを形成して1回の露光工程により光マスクパターンの映像をウェーハに転写できるので、マスクの製造収率を高めることができる。しかしながら、光の回折現象により解像度及び層間整列度が各々1μm及び±3μmに制限されるという問題がある。
【0004】
一方、半導体素子の集積度が高くなるにつれ、リソグラフィー工程に当たってより高い解像度及び層間整列度が要求されている。この理由から、焦点化した電子ビームを用いて回路素子のパターンを形成する電子ビームリソグラフィーが出現するようになった。電子は、たとえ波動の性質を有していても、電磁波の波長が極めて短いため、紫外線を用いる場合に比べて電子ビームを用いたリソグラフィーは高集積化した半導体回路素子パターンの形成工程に好適である。
【0005】
図1は、電子ビームリソグラフィーシステムの一つであるSCALPEL(Scattering with angular Limitation inProjection Electron Beam Lithography)に用いられるマスクの断面図である。
【0006】
ウェーハ(図示せず)の背面にシリコン窒化膜(図示せず)及びレジスト膜(図示せず)を形成する。ウェーハの前面には約60nmのシリコン窒化膜よりなるメンブラン12を形成する。ウェーハの背面に形成されたレジスト膜を用いてその下部のシリコン窒化膜をパターニングする。パターニングされたシリコン窒化膜を用いてウェーハの背面をエッチングすることにより支持台10を形成する。
【0007】
一方、ウェーハの前面に形成されたメンブラン12上にはタングステンまたはクロムよりなるマスクパターン14を形成する。マスクに欠陥、例えば、タングステンまたはクロムパターンが形成されてはいけない位置にタングステンまたはクロムパターンが形成された場合には、レーザービームを用いてタングステンまたはクロムパターンを除去する。
【0008】
ここで、タングステンまたはクロムパターンの除去工程時に用いられたレーザービームがメンブラン12を損傷する場合がある。他の種類の欠陥、タングステンまたはクロムパターンが形成されるべき位置にタングステンまたはクロムパターンが形成されていない場合にはタングステンまたはクロムパターンを形成するために蒸着工程を行うが、このために追加時間が要求され、この蒸着工程により以前に形成されたマスクパターンに追加欠陥が生じる場合がある。
【0009】
一方、電子ビームリソグラフィーにおける電子ビームの露光は、現在の技術では1mm×1mmの電子ビームを用いてストライプ単位に順次行われるため、電子ビームの1回の露光によりウェーハ全体にマスクパターンの映像を転写することができない。したがって、電子ビーム露光工程を数回繰り返さなければならないため、光を用いるリソグラフィーに比べてマスクパターンの映像の転写のための電子ビーム露光工程の速度が遅いという問題がある。このため、電子ビームマスクパターンが形成されたメンブラン上に余裕空間が生じても、その余裕空間にダミーパターンを形成する実益がなかった。したがって、電子ビームマスクの収率は極めて低かった。
【0010】
【発明が解決しようとする技術的課題】
本発明が解決しようとする技術的課題は、収率を高めうる電子ビームマスクを提供することである。
【0011】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、収率を高めうる電子ビームマスクを用いた半導体素子の形成方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を達成するために、電子ビームマスクは、メンブランと、前記メンブラン上に形成され、多数のストライプよりなるメインパターンと、前記メンブラン上に形成されるが、前記メインパターンの多数のストライプのうち欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプとを含むダミーパターン群を含む。
【0013】
ダミーパターン群は、一例として、メインパターンのストライプ数の整数倍のストライプよりなり、他の例として、メインパターンの欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプだけを含みうる。
【0014】
さらに他の例として、ダミーパターンは、メインパターンのストライプの整数倍のストライプよりなる第1部分と、メインパターンのストライプのうち欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプだけを含む第2部分とを含む。このような電子ビームマスクとしては、ストライプが1mm×12mmであるSCALPELマスク、またはストライプが1mm×1mmであるPREVAIL(Projection Exposure with Variable Axis Immersion Lense)マスクなどがある。
【0015】
そして、メインパターン及び前記ダミーパターン群は多数のクロムパターンまたはタングステンパターンよりなり、メンブランはシリコン窒化膜よりなる。
【0016】
本発明による電子ビームマスクを用いて半導体素子を形成するための一例によれば、まず、メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンと、メインパターンの多数のストライプのうち欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプを含むダミーパターンとを含む電子ビームマスクを製作する。次に、電子ビームマスク内に存在する全てのストライプの欠陥を調べると共に、欠陥ストライプに関する情報を記憶する。次に、電子ビームマスク内でストライプの電子ビーム露光工程を行うが、このとき、欠陥ストライプに関する情報によりメインパターン及びダミーパターン群の欠陥ストライプの電子ビーム露光工程を行う代わりに、欠陥ストライプに対応するメインパターンまたはダミーパターン群の該当ストライプのビーム露光工程を行う。
【0017】
他の例によれば、欠陥ストライプの情報を記憶した後、欠陥ストライプに対応するダミーストライプを形成し、電子ビーム露光工程時に、メインパターンの欠陥ストライプに対応するダミーパターンのストライプも欠陥があることと発見される場合、追加形成されたダミーストライプの電子ビーム露光工程を行う。
【0018】
本発明による電子ビームマスクを用いて半導体素子を形成するためのさらに他の例によれば、まず、メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンを製作する。メインパターンが含む全てのストライプの欠陥を調べると共に、欠陥ストライプに関する情報を記憶する。欠陥ストライプに関する情報に基づき、メインパターンの欠陥ストライプに対応するダミーストライプよりなるダミーパターンを、メンブラン上に形成する。メインパターン及びダミーパターンが含まれた電子ビームマスクに対する電子ビーム露光工程を行う。電子ビーム露光工程中、欠陥ストライプに関する情報により、メインパターンの欠陥ストライプの電子ビーム露光工程を行う代わりに、欠陥ストライプに対応する非欠陥ダミーストライプの電子ビーム露光工程を行う。
【0019】
特に、DRAMセルのように、同一の形状を有するストライプが多数存在する場合には、メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンを形成する。メインパターンの多数のストライプのうち欠陥ストライプ及び欠陥ストライプと同一の形状を有する該当ストライプに関する情報を検索し、かつ記憶する。情報検索の結果により、欠陥ストライプに対応するダミーストライプを含むダミーパターン群を製作するかどうかを決める。次に、電子ビームマスク内でストライプの電子ビーム露光工程を行う。電子ビーム露光工程中、欠陥ストライプに関する情報により、欠陥ストライプを通じての露光工程時に、その露光工程を行う代わりに、メインパターンの該当非欠陥ストライプまたはダミーパターン群の対応非欠陥ストライプの電子ビーム露光工程を行う。
【0020】
前述した一例及び他の例の電子ビーム露光工程の完了後に、半導体基板上に形成され電子ビーム露光工程により選択的に露光されたレジスト膜を現像する。そして、現像されたレジスト膜を用いて半導体基板上に半導体素子パターンを形成する。
【0021】
【発明の実施の形態】
(電子ビームマスク)
図2は、電子ビームリソグラフィーシステムの一つであるSCALPELシステムに用いられるマスクの第1実施例の平面図である。シリコン窒化膜よりなるメンブラン16上の左側領域にはメインパターン18が、右側にはダミーパターン20が形成されている。メインパターン18はウェーハ(図示せず)に形成される半導体素子のパターンに対応するものであって、多数のストライプ21よりなる。すなわち、各々のストライプ21には多数のクロムまたはタングステンパターン(図1の14)が形成されている。
【0022】
ダミーパターン20の大きさはメインパターン18のそれと同一であり、含まれているストライプの数もメインパターンのそれと同一である。また、各ストライプ23には多数のタングステンまたはクロムパターンが形成されている。したがって、ダミーパターン20の各々のストライプ23はメインパターン18の各々のストライプ21に1:1に対応する。例えば、ダミーパターン20の第1列の左側からX軸の正の方向に3番目に位置するストライプはメインパターン18の第1列の左側からX軸の正の方向に3番目に位置するストライプと対応するように配置されている。
【0023】
メインパターン18及びダミーパターン20の多数のストライプ21、23のうち、欠陥が発見されたストライプ22a、22b、22cは内部が斜線で満たされて表示され、矢印は電子ビームの照射、すなわち電子ビーム露光工程が行われる方向を表わす。
【0024】
図3は、電子ビームリソグラフィーシステムの一つであるSCALPELシステムに用いられるマスクの第2実施例の平面図であって、シリコン窒化膜よりなるメンブラン24上にメインパターン26及び2つのダミーパターン28、30が形成されている。第1ダミーパターン28及び第2ダミーパターン30の各々の大きさはメインパターン26のそれと同一であり、各々が含んでいるストライプ27、29の数もメインパターン26のストライプ25のそれと同一である。メインパターン26、第1ダミーパターン28及び第2ダミーパターン30のストライプ25、27、29の各々は多数のタングステンまたはクロムパターンよりなる。
【0025】
メインパターン26の欠陥ストライプ31a、31d及び31e及び2つのダミーパターン28、30の欠陥ストライプ31b、31c及び31fはその内部が斜線で満たされて表示され、矢印は電子ビームの照射または電子ビーム露光工程が行われる方向を表わす。
【0026】
図4は、SCALPELシステムに用いられる電子ビームマスクの第4実施例であって、シリコン窒化膜よりなるメンブラン32上にメインパターン34及びメインパターン34のストライプ33のうち欠陥ストライプ38a、38b、38cに該当するダミーストライプ36a、36b、36cが形成されている。メンブラン32上の余裕空間がメインパターン34の大きさと同じダミーパターンを形成できるほどではない場合、欠陥ストライプ38a、38b、38cに対応するストライプ36a、36b、36cだけを形成する。メインパターン34の欠陥ストライプ38a、38b、38cの電子ビーム露光工程を行う代わりに、ダミーストライプ36a、36b、36cの電子ビーム露光工程を行う。ダミーストライプ36a、36b、36cの各々には多数のタングステンまたはクロムパターンが形成されている。欠陥が発見されたストライプ38a、38b、38cは内部が斜線で満たされて表示され、矢印は電子ビームの照射または電子ビーム露光工程が行われる方向を表わす。
【0027】
図5は、SCALPELシステムに用いられる電子ビームマスクの第5実施例であって、シリコン窒化膜よりなるメンブラン40上にメインパターン42、メインパターン42と同一サイズ及び同数のストライプ43よりなるダミーパターン44が形成されている。また、電子ビームマスクは、メインパターン42の欠陥ストライプ48cに代えるダミーパターン44のストライプ48bに欠陥が生じた場合、その欠陥ストライプ48b、48cに代えて電子ビーム露光工程に用いられるダミーストライプ46をさらに含む。ダミーストライプ46はタングステンまたはクロムパターンよりなる。
【0028】
図2ないし図4に示されたように、欠陥が発見されたストライプ48a、48b、48cは、内部が斜線で満たされて表示され、矢印は電子ビームの照射が行われる方向を表わす。メンブラン46が1つのダミーパターンを形成するための空間以上の余裕はあるが、2つのダミーパターンを形成できるほどの空間を有しない場合、収率をさらに高めうるマスクとして図5の電子ビームマスクを採用できる。
【0029】
図2ないし図5は、ストライプの大きさが1mm×12mmであるスカーレットマスクに限って図示及び記述したが、本発明の思想はメインパターンが形成されたメンブラン上に余裕空間がある電子ビームマスクにはいずれも適用できる。例えば、ストライプの大きさが1mm×1mmであるPREVAIL(PRojection Exposure with Variable Axis Immersion Lenses)マスクにも本発明を適用できる。
【0030】
(電子ビームマスクを用いた半導体素子パターンの形成)
以下、図2及び図6を参照し、図2に示された電子ビームマスクを通じて、レジスト膜を電子ビームに選択的に露光させて、窮極的にウェーハ上に半導体素子のパターンを形成する方法について調べてみる。
【0031】
まず、段階112で、図2に示された電子ビームマスクを製作する。電子ビームマスクは1つのメインパターン(図2の18)及び1つのダミーパターン(図2の20)よりなる。従来には、メンブラン16上にクロムまたはタングステンパターンよりなるメインパターン18だけを形成し、ダミーパターン20が形成される領域は特別な用途として用いなかった。
【0032】
本発明では、従来に用いなかった余裕空間にメインパターン18と同一のストライプ数よりなるダミーパターン20を形成する。すなわち、メンブラン16の前面にタングステンまたはクロムを蒸着する。次に、フォトレジスト膜(図示せず)をコーティングしかつ露光する。露光されたフォトレジスト膜が現像されてパターニングされれば、これを用いて多数のタングステンまたはクロムパターンを形成する。したがって、メンブラン16上に不透明な物質よりなる多数のタングステンまたはクロムパターン(図示せず)よりなるマスクが完成される。
【0033】
次に、段階114で、メインパターン18及びダミーパターン20の全てのストライプ21、23の欠陥有無を調べると共に、欠陥のあるストライプ22a、22b、22cの数及び位置に関する情報は記憶装置(図示せず)に記憶する。ストライプの欠陥の調べは、記憶装置及びマスクの位置を移動させるマスクステージ(図示せず)に連結された制御装置(図示せず)及び制御装置に連結されたスキャナー(図示せず)を通じてなされる。
【0034】
図2は、例えば、メインパターン18の第1列の左側からX軸の正の方向に6番目に位置するストライプ22aと第3列の左側からX軸の正の方向に5番目に位置するストライプ22c及び、ダミーパターン20の第2列の右側からX軸の負の方向に6番目にあるストライプ22bに欠陥が生じたことを示している。
【0035】
次に、段階116で、図2の電子ビームマスクを用いたレジスト膜(図示せず)の電子ビーム露光工程を行う。タングステンソースなどの熱イオンソースまたは精度が良いガウシアンスポットを形成する電子放出ソースから生じた電子ビームは、各種のレンズ(図示せず)及びビームブランカー(図示せず)などを含む電子管(図示せず)を経て図2の電子ビームマスクに進む。電子ビームのスポットは1mm×1mmのものを用いる。電子ビームが生じる電子銃(図示せず)が固定され、この時、電子ビームマスクが置かれるマスクステージ及びその下部のウェーハが置かれるウェーハステージ(図示せず)はX軸の正の方向に移動させつつ、電子ビーム露光工程が行われる。電子ビーム露光工程の全般に亘ってウェーハステージは一定の速度で動く。
【0036】
まず、X軸の正の方向にマスクステージを所定距離移動させつつ、メインパターン18のストライプの電子ビーム露光工程を行う。図2に示されたように、メインパターン18の第1列のストライプのうち左側からX軸の正の方向に6番目に位置するストライプ22aに欠陥があるということが電子ビーム露光工程前に確認されたため、まず、欠陥ストライプ22aの直前に位置するストライプ、すなわち、X軸の正の方向に5番目に位置するストライプまで電子ビーム露光工程を行う。
【0037】
次に、段階118で、制御装置は欠陥のあるストライプの電子ビーム露光段階がきたという情報を記憶装置から受信する。段階120で、制御装置は、マスクステージをX軸の正の方向に移動させてダミーパターン20の6番目に位置するストライプ上に電子ビームを照射させる。この時、半導体ウェーハのうち、欠陥のあるメインパターンの第1列の6番目に位置するストライプに含まれたクロムまたはタングステンパターンの映像が転写される部分が、ダミーパターン20の6番目に位置するストライプの下部に位置するように、制御装置はウェーハステージを移動させる。
【0038】
次に、段階122に進み、マスクステージをX軸の正の方向に移動させつつ、第1列のストライプの電子ビーム露光工程を行い続ける。マスク全体の電子ビーム露光工程が完了していない場合には、段階124から段階116に戻り、電子ビーム露光工程を繰り返す。すなわち、マスクステージをY軸の負の方向に移動させて、第2列のダミーパターンの最右側に位置するストライプに電子ビームを照射させる。そして、マスクステージをX軸の負の方向に移動させつつ、第2列のストライプの電子ビーム露光工程を行う(段階122)。
【0039】
ダミーパターン20の第2列のストライプのうち右側からX軸の負の方向に6番目に位置するストライプ22bに欠陥が生じたため(段階118)、ダミーパターン20の右側からX軸の負の方向に5番目に位置するストライプの電子ビーム露光工程後に、メインパターン18の右側から6番目に位置するストライプに電子ビームが照射されるようにマスクステージをX軸の負の方向に移動させる(段階120)。
【0040】
第2列のストライプ電子ビーム露光工程を完了した後(段階122、段階124)、制御信号によりメインパターン18の第3列の左側のストライプに電子ビームが照射されるようにマスクステージをY軸の負の方向に移動させる(段階124、段階116)。第3列のストライプの電子ビーム露光工程は、第1列のストライプ電子ビーム露光工程と同一である。
【0041】
第4列の電子ビーム露光工程は第2列の電子ビーム露光工程と同一であるが、第4列の電子ビーム露光工程が始まるダミーパターンの第4列のストライプには欠陥がないため、段階118から段階124に進んでダミーパターン20側で電子ビーム露光工程を完了する。
【0042】
そして、電子ビーム露光工程が完了すれば、段階124から段階126に進んで電子ビームマスクを通過した電子ビームにより選択的に露光されたレジスト膜の現像工程を行う。各々のストライプ内に配置されたクロムまたはタングステンパターンを通過した電子ビームによるレジスト膜の露光密度は低いのに対し、クロムまたはタングステンパターンの間を通過した電子ビームによるレジスト膜の露光密度は高くなる。すなわち、マスクパターンの映像がレジスト膜に転写される。このように、レジスト膜を現像した後、段階128で、これを用いて半導体素子パターンを形成する。
【0043】
以上の説明によれば、メインパターン18が欠陥ストライプ22a、22cを有していても、メインパターン18と同一のストライプ数よりなるダミーパターン20の該当ストライプに欠陥が発見されなかった場合には、メインパターンの欠陥ストライプの電子ビーム露光工程を行う代わりに、ダミーパターンの該当ストライプを用いた電子ビーム露光工程を行うことができる。
【0044】
現在の技術において、電子ビームマスクのストライプに欠陥が現れる確率は約5%である。メンブラン16上にメインパターン18及び1つのダミーパターン20を用いて電子ビームマスクを形成する場合には、マスクのメインパターン18の欠陥ストライプに対応するダミーパターン20のストライプが欠陥を有する確率は0.25%(0.05×0.05×100)である。すなわち、メインパターンだけよりなるマスクを用いる場合のマスク収率が95%であるのに対し、メインパターン18及び1つのダミーパターン20としてマスクを用いる場合のマスク製造収率は99.75%に高くなる。
【0045】
一方、図3は、メインパターン26に2つのダミーパターン28、30よりなる電子ビームマスクの平面図であって、メンブラン24上にメインパターン26と第1ダミーパターン28及び第2ダミーパターン30が形成されている。図3の電子ビームマスクを用いた半導体素子製造工程を図6のフローチャートに基づき説明する。図3に示された電子ビームマスクを形成する(段階112)。ダミーパターンをもう一つ形成した点を除いては、図2の電子ビームマスク形成方法と同一である。段階114で、マスクの全てのストライプを調べて欠陥を感知し、欠陥ストライプの数及び位置に関する情報を記憶装置に記憶する。
【0046】
次に、段階116で、図3の電子ビームマスクを用いた電子ビーム露光工程を行う。詳述すれば、マスクステージをX軸の正の方向に移動させてメインパターン26の第1列のストライプの電子ビーム露光工程を行う。第1列の左側からX軸の正の方向に3番目に位置するストライプ31aに欠陥があるため、段階118で、欠陥ストライプ31aの電子ビーム露光工程がきたということが制御装置に伝達されれば、段階120に進んで欠陥ストライプ31aに電子ビームを照射する代わりに、第1ダミーパターン27のX軸の正の方向に3番目に位置するストライプに電子ビームが照射されるように、制御装置はマスクステージを移動させる。
【0047】
そして、第1ダミーパターン28の第1列の残りのストライプの電子ビーム露光工程を行う(段階122)。マスク全体に対する電子ビーム露光工程が完了していないので、段階124を経て段階116に戻り、第1ダミーパターン28の第2列の右側のストライプから電子ビーム露光工程を行う。
【0048】
ここで、第1ダミーパターン28の第2列の右側からX軸の負の方向に4番目に位置するストライプ31cにも欠陥があり、メインパターン26の右側からX軸の負の方向に4番目に位置するストライプ31dにも欠陥があるため、第1ダミーパターン28の第2列の右側からX軸の負の方向に4番目にある欠陥ストライプの電子ビーム露光工程がくれば(段階118)、制御装置は、第2ダミーパターン29の該当非欠陥ストライプに電子ビームが照射されるようにマスクステージを移動させる。
【0049】
第2列のストライプの電子ビーム露光工程は第2ダミーパターン30で完了する。次に、Y軸の負の方向にマスクステージを移動させて第2ダミーパターン30の第3列のストライプの電子ビーム露光工程を行う(段階122)。第4列のストライプの電子ビーム露光工程が残っているため、段階124から段階116に戻り、第4列のストライプの電子ビーム露光工程を行う。
【0050】
第2ダミーパターン30の右側からX軸の負の方向に6番目に位置するストライプ、すなわち、欠陥ストライプ31fの電子ビーム露光工程がくれば(段階118)、段階120に進み、制御装置はマスクステージをX軸の負の方向に移動させて第1ダミーパターンの第4列の該当ストライプに電子ビームを照射させる。なぜなら、メインパターン26の該当ストライプ31eには欠陥があるからである。そして、第4列の残りのストライプの電子ビーム露光工程を行い、段階124でマスク全体の電子ビーム露光工程を完了する。次に、段階126でレジスト膜を現像し、段階128で現像されたレジスト膜を用いて半導体素子パターンを形成する。
【0051】
現在の半導体マスク製作技術からみたとき、マスクのストライプに欠陥が生じる確率が5%であるため、メインパターン及び2つのダミーパターンのうちいずれか一方のパターン内で欠陥を有するストライプに対応する残りの2つのパターンの対応ストライプが欠陥ストライプである確率は0.0125%(0.05×0.05×0.05×100)である。したがって、従来のマスクを用いる場合のマスクの製造収率は95%であるのに対し、図3によるマスクを用いる場合の収率は99.9875%に高くなるということが分かる。
【0052】
図2及び図3は各々、ダミーパターンが1つ及び2つ含まれたマスクを示したものであるが、余裕空間が確保されれば、メインパターンが形成されるメンブラン上に3つ以上のダミーパターンを含む電子ビームマスクを製造してマスクの製造収率をさらに高めうるということは当業者にとって自明である。なお、ダミーパターンを形成するためのコスト及び要求される時間などを考慮すれば、ダミーパターンの数を1つまたは2つにすることが望ましい。
【0053】
また、図2及び図3の電子ビーム露光工程は、メインパターン及びダミーパターンの区分なしにX軸の負の方向に行い、Y軸の負の方向に行い、再びX軸の負の方向に行い、Y軸の負の方向に行うという過程を繰り返した。しかし、メインパターンのストライプの欠陥がある場合に限ってダミーパターンの該当ストライプの電子ビーム露光工程を行い、所定列の電子ビーム露光工程は必ずメインパターンのストライプから始めてX軸の正の方向だけに工程を行ってもよい。
【0054】
図4の電子ビームマスクを用いてウェーハ上に半導体素子を形成する段階を図7のフローチャートに基づき説明する。
【0055】
段階152で、従来より一般に用いられてきた電子ビームマスク、すなわちメインパターン34だけをメンブラン32上に形成する。段階154では完成された電子ビームマスクのストライプの欠陥有無を調べると共に、欠陥ストライプの数及び位置に関する情報を記憶装置に記憶する。
【0056】
図4のメインパターン34には欠陥ストライプ38a、38b、38cが3本存在する。第1欠陥ストライプ38aは第1列の左側からX軸の正の方向に4番目に位置しており、第2欠陥ストライプ38bは第3列の左側からX軸の正の方向に3番目に位置しており、第3欠陥ストライプ38cは第4列の右側からX軸の負の方向に3番目に位置している。段階156では、段階154で得られた情報に基づき、メンブラン32上の余裕空間に3本のダミーストライプ36a、36b、36cを形成する。図4では、第1列の右側に3本のダミーストライプ36a、36b、36cをいずれも形成したが、マスクステージの動線を考慮して、欠陥ストライプが生じた列の右側または左側に該当ダミーストライプを各々形成しても良い。すなわち、第1ダミーストライプ36aは第1列の右側(または左側)に、第2ダミーストライプ36bは第3列の右側(または左側)に、そして第3ダミーストライプ36cは第4列の右側(または左側)に形成できる。
【0057】
第1ないし第3ダミーストライプ36a、36b、36cを形成するためには、メインパターン34が形成されたメンブラン32上の余裕空間にクロムまたはタングステン層を形成する。そして、基板にフォトレジスト膜(図示せず)を全面コーティングした後、メインパターンの周りの空間(メインパターンの左、右、上、下の領域)にダミーストライプが形成される領域だけを露光(または遮断)する。そして、レジスト膜を現像し、これを用いてダミーストライプ36a、36b、36cを完成することにより、メインパターン34及びダミーストライプ36a、36b、36cよりなる図4の電子ビームマスクを完成する。
【0058】
次に、段階158で、電子ビームを用いたレジスト膜(図示せず)の露光工程(以下では、電子ビーム露光工程と称する)を行う。まず、X軸の正の方向にマスクステージを移動させつつ、メインパターン34のストライプの電子ビーム露光工程をX軸の正の方向に行う。図4に示すように、メインパターン34の第1列のストライプのうち左側からX軸の正の方向に4番目に位置するストライプ38aに欠陥があるということが電子ビーム露光工程前に確認されたため、欠陥ストライプ38aの直前に位置するストライプ、すなわち、X軸の正の方向に3番目に位置するストライプまで電子ビーム露光工程を行う。
【0059】
段階160で、制御装置は欠陥のあるストライプの電子ビーム露光段階がきたという情報を記憶装置から受信する。段階162で、制御装置は、マスクステージをX軸の正の方向に移動させて第1ダミーストライプ36a上に電子ビームを照射させる。次に、第1ダミーストライプ36aの電子ビーム露光工程を行う。
【0060】
次に、段階164で、制御装置はマスクステージをX軸の負の方向に移動させて、第1欠陥ストライプ38aの直ぐ右側のストライプに電子ビームを照射させる。そして、第1列の残りのストライプに対する電子ビーム露光工程を行う。電子ビームマスクの電子ビーム露光工程が完了していない場合には、段階166から段階158に戻り、電子ビーム露光工程を行い続ける。すなわち、マスクステージをY軸の負の方向に移動させて、メインパターンの第2列の右側に位置するストライプに電子ビームを照射させる。
【0061】
そして、マスクステージをX軸の負の方向に移動させつつ、第2列の電子ビーム露光工程を行う(段階158)。第2列のストライプには欠陥が発見されなかったため、段階158から段階160を経て段階166に進む。第2列のストライプに対する電子ビーム露光工程を完了した後、制御信号によりメインパターン34の第3列の左側のストライプに電子ビームが照射されるようにマスクステージをY軸の負の方向に移動させる(段階166、段階158)。
【0062】
第3列のストライプの電子ビーム露光工程は第1列のストライプ電子ビーム露光工程と同一である。メインパターン34の第3列の左側からX軸の正の方向に2番目に位置するストライプの電子ビーム露光工程を終えた後(段階158、段階160)、段階162で、第2ダミーストライプ36bの上面に電子ビームが照射されるようにマスクステージを移動させる。次に、第2ダミーストライプ36bを通じての電子ビーム露光工程を行う。
【0063】
段階164で、メインパターンの第3列の左側からX軸の正の方向に4番目に位置するストライプに電子ビームが照射されるようにマスクステージを移動させた後、第3列の残りのストライプ38bに対する電子ビーム露光工程を行う。
【0064】
段階166から段階158に戻り、第4列のストライプを通じての電子ビーム露光工程を行う。第4列のストライプを通じての電子ビーム露光工程は第2列のそれと同一であり、但し、右側からX軸の負の方向に3番目に位置するストライプに欠陥があるため、この部分の電子ビーム露光工程は行わず、その代わりに、第3ダミーストライプ36cを通じての電子ビーム露光工程を行う。電子ビーム露光工程が完了すれば段階166から段階168に進み、レジスト膜の現像工程を行う。そして、段階170で、現像されたレジスト膜を用いて半導体素子パターンを形成する。
【0065】
図5の電子ビームマスクを用いてウェーハ上に半導体素子パターンを形成する過程を図8のフローチャートに基づき説明する。
【0066】
段階180で、1つのメインパターン(図5の42)及び1つのダミーパターン(図5の44)をメンブラン40上に製作する。メインパターン42は多数のストライプ41よりなり、ダミーパターン44も多数のストライプ43よりなる。メインパターン42には2つの欠陥ストライプ48a、48cが存在し、ダミーパターン44には1つの欠陥ストライプ48bが存在する。ここで、メインパターン42及びダミーパターン44の第2列の右側からX軸の負の方向に4番目に位置するストライプ48c、48bがいずれも欠陥を有している(段階183)。
【0067】
したがって、メインパターン42の欠陥ストライプ48cの代わりにダミーパターン44の欠陥ストライプ48bを用いて電子ビーム露光工程を行うことができないため、段階184で、メンブラン40上のメインパターン42及びダミーパターン44が形成されてから残った余裕空間に欠陥ストライプ48c、48bに対応するダミーストライプ46をさらに形成する。ダミーストライプ46を形成する具体的な方法は図7の段階156を説明する部分に記載されているため、ここでは省略する。
【0068】
メインパターン42、1つのダミーパターン44及びダミーストライプ46よりなる電子ビームマスクを製作した後、段階186に進んでメインパターンの第1列のストライプから電子ビーム露光工程を行う。電子ビーム露光工程中に、メインパターン42の第1列の左側からX軸の正の方向に5番目に位置するストライプ48aが欠陥を有しているということが電子ビーム露光工程前に確認されたため、4番目のストライプまで電子ビーム露光工程を行った後、段階188及び段階190で、マスクステージをX軸の正の方向に移動させてダミーパターン44の第1列の該当ストライプの電子ビーム露光工程を行う。第1列の電子ビーム露光工程を完了する。
【0069】
次に、段階197を経て段階186でマスクステージをY軸の負の方向に移動させて、ダミーパターン44の第2列のストライプの電子ビーム露光工程を行う。ここで、ダミーパターン44の第2列の右側の4番目のストライプ48b及びメインパターン42の第2列の右側の4番目のストライプ48cがいずれも欠陥を有している。したがって、ダミーパターン44の第2列の右側からX軸の負の方向に3番目のストライプまで電子ビーム露光工程を行った後、段階190を経て段階194に進み、対応するダミーストライプ46に電子ビームが照射されるようにマスクステージを移動させる。そして、ダミーストライプ46を通じての電子ビーム露光工程を行う。次に、第2列の残りのストライプ、第3列のストライプ及び第4列のストライプを通じての電子ビーム露光工程を行う(段階186、188、196、197)。次に、段階198で、電子ビームに露光されたレジスト膜を現像し、段階200では現像されたレジスト膜を用いて半導体素子パターンを形成する。
【0070】
図4及び図5の電子ビームマスクを用いて半導体素子を製造する場合には、メインパターンのストライプが欠陥として確認されるか、あるいはメインパターンの欠陥ストライプに代えるダミーパターンの該当ストライプも欠陥を有している場合にも、ダミーストライプ36a、36b、36c、46を通じて電子ビーム露光工程を行うことができる。
【0071】
図9は、本発明の思想を適用したDRAMセルの製造過程を示したフローチャートである。
【0072】
DRAMセルは、その特性から、同一の形状を有するストライプがマスクパターン(メインパターン)内に多数存在できる。したがって、欠陥のあるストライプと同一の形状を有するストライプがマスクパターン内に存在する場合には別途のダミーマスクパターンまたはダミーストライプを製作しなくても良い。
【0073】
段階202で、多数のストライプよりなるマスクパターンを製作する。そして、段階204で、マスクパターンの多数のストライプの欠陥有無及び欠陥ストライプと同一の形状を有するストライプ(該当ストライプ)がマスクパターン内に存在するかどうかを調べると共に、それに関する情報を記憶する。
【0074】
もし、マスクパターン内の該当ストライプにも欠陥が発見されれば、段階206から段階208に進み、余裕空間の広狭によりダミーストライプまたはダミーマスクパターンを製作する。次に、段階210で、マスクパターンを用いた電子ビーム露光工程を行う。なお、該当ストライプが欠陥ストライプではないということが明らかになれば、段階206から段階210に進んで電子ビーム露光工程を行う。
【0075】
電子ビーム露光工程のうち欠陥ストライプの電子ビーム露光工程の順番になれば、段階212で、欠陥ストライプを通じての電子ビーム露光工程を行う代わりに、対応するダミーストライプ、ダミーマスクパターンの該当ストライプまたはメインマスクパターンの該当ストライプを通じての電子ビーム露光工程を行う。以降の段階214、218、220及び222の内容は図7の段階164、166、168及び170のそれと同一なため、ここでは説明を省略する。
【0076】
DRAMセルの製造に際して本発明の思想を適用すれば、場合によっては別途の追加ダミーマスクパターンまたはダミーストライプを製作しなくても所望のDRAMセルを製造することができるという利点がある。
【0077】
【発明の効果】
以上述べたように、従来の電子ビームマスクには形成しようとする半導体素子に対応するメインパターンだけを形成していた。しかし、本発明による電子ビームマスクは、メインパターンのほかにダミーパターン及び/またはダミーストライプをさらに含む。したがって、メインパターンの所定のストライプに欠陥が生じる場合にも、メインパターンの欠陥ストライプに対応するダミーパターンの該当ストライプまたはダミーストライプを用いて電子ビーム露光工程を行うことができるので、窮極的にマスクの製造収率が上がる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 電子ビームマスクの一つであるSCALPELマスクの断面図である。
【図2】 本発明による電子ビームマスクの第1実施例の平面図である。
【図3】 本発明による電子ビームマスクの第2実施例の平面図である。
【図4】 本発明による電子ビームマスクの第3実施例の平面図である。
【図5】 本発明による電子ビームマスクの第4実施例の平面図である。
【図6】 本発明の第1実施例及び第2実施例の電子ビームマスクを用いてウェーハ上に半導体素子パターンを形成する過程を説明するフローチャートである。
【図7】 本発明の第3実施例の電子ビームマスクを用いてウェーハ上に半導体素子パターンを形成する過程を説明するフローチャートである。
【図8】 本発明の第4実施例の電子ビームマスクを用いてウェーハ上に半導体素子パターンを形成する過程を説明するフローチャートである。
【図9】 本発明の思想によりDRAMセルのパターンを形成する過程を示したフローチャートである。
【符号の説明】
10…支持台、
12、16、24、32、40、46…メンブラン、
14…マスクパターン、
20、27、28、29、30、44…ダミーパターン、
18、26、34、42…メインパターン、
21、22a〜c、23、25、27、31a〜f、33、38a〜c、41、43、48a〜c…ストライプ、
36a〜c、46…ダミーストライプ。
Claims (17)
- メンブランと、
前記メンブラン上に形成され、多数のストライプよりなるメインパターンと、
前記メンブラン上に形成され、前記メインパターンの多数のストライプのうち欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプだけを含むダミーパターン群と、
を含む電子ビームマスク。 - メンブランと、
前記メンブラン上に形成され、多数のストライプよりなるメインパターンと、
前記メンブラン上に形成され、前記メインパターンと同じパターンのストライプ群が1以上集まってなる第1部分と、前記メインパターンと前記第1部分との両方において欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプからなる第2部分とを含むダミーパターン群と、
を含む電子ビームマスク。 - 前記ストライプは、1mm×12mmである請求項1または2に記載の電子ビームマスク。
- 前記ストライプは、1mm×1mmである請求項1または2に記載の電子ビームマスク。
- 前記メインパターン及び前記ダミーパターンは多数のクロムパターンまたはタングステンパターンよりなり、前記メンブランはシリコン窒化膜よりなる請求項1または2に記載の電子ビームマスク。
- (イ)メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンと、前記メインパターンと同じパターンのストライプ群が1以上集まってなる第1部分とを含む電子ビームマスクを製作する段階と、
(ロ)前記電子ビームマスク内に存在する全てのストライプの欠陥を調べると共に、欠陥ストライプに関する情報を記憶する段階と、
(ハ)前記電子ビームマスク内でストライプの電子ビーム露光工程を行う段階と、
(ニ)前記(ハ)段階の前または後に、前記メインパターンと前記第1部分との両方において欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプからなる第2部分を、前記メンブラン上に形成する段階と、
(ホ)前記電子ビーム露光工程中、前記欠陥ストライプに関する情報により、前記メインパターンにのみ欠陥ストライプがある場合、当該欠陥ストライプに対応する前記第1部分のストライプに電子ビーム露光工程を行い、前記メインパターンと前記第1部分との両方において欠陥ストライプがある場合、当該欠陥ストライプに対応する前記第2部分のストライプに電子ビーム露光工程を行う半導体素子の形成方法。 - 前記第1部分は、前記メインパターンのストライプ数の整数倍のストライプよりなる請求項6に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記(ホ)段階後に、
(へ)前記電子ビーム露光工程により選択的に露光され、半導体基板上に形成されたレジスト膜を現像する段階と、
(ト)前記現像されたレジスト膜を用いて前記半導体基板上に半導体素子パターンを形成する段階をさらに含む請求項6に記載の半導体素子の形成方法。 - 前記ストライプは、1mm×12mmである請求項6に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記ストライプは、1mm×1mmである請求項6に記載の半導体素子の形成方法。
- (イ)メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンを製作する段階と、
(ロ)前記メインパターンが含む全てのストライプの欠陥を調べると共に、欠陥ストライプに関する情報を記憶する段階と、
(ハ)前記欠陥ストライプに関する情報に基づき、前記メインパターンの欠陥ストライ プに対応するダミーストライプよりなるダミーパターンを前記メンブラン上に形成する段階と、
(ニ)前記メインパターン及び前記ダミーパターンが含まれた電子ビームマスクに対する電子ビーム露光工程を行う段階と、
(ホ)前記電子ビーム露光工程中、前記欠陥ストライプに関する情報により、前記メインパターンの前記欠陥ストライプの電子ビーム露光工程を行う代わりに、前記欠陥ストライプに対応する前記ダミーストライプの電子ビーム露光工程を行う段階とを含む半導体素子の形成方法。 - 前記(ホ)段階後に、(へ)半導体基板上に形成されて前記電子ビーム露光工程により選択的に露光されたレジスト膜を現像する段階及び(ト)前記現像されたレジスト膜を用いて前記半導体基板上に半導体素子パターンを形成する段階をさらに含む請求項11に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記ストライプは、1mm×12mmである請求項11に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記ストライプは、1mm×1mmである請求項11に記載の半導体素子の形成方法。
- (イ)メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンを形成する段階と、
(ロ)前記メインパターンの多数のストライプのうち欠陥のあるストライプ及び前記欠陥ストライプと同一の形状を有する該当ストライプに関する情報を検索し、かつ記憶する段階と、
(ハ)(ロ)の情報検索の結果により前記欠陥ストライプに対応するダミーストライプを含むダミーパターン群を、前記メンブラン上に製作するかどうかを決める段階と、
(ニ)前記電子ビームマスク内でストライプの電子ビーム露光工程を行う段階と、
(ホ)前記電子ビーム露光工程中、前記欠陥ストライプに関する情報により、前記欠陥ストライプを通じての露光工程時に、その露光工程の代わりに前記メインパターンの前記該当ストライプまたは前記ダミーパターン群の対応ストライプの電子ビーム露光工程を行う段階と、
を含む半導体素子の形成方法。 - (イ)メンブラン上に多数のストライプよりなるメインパターンとメインパターンのうち欠陥のあるストライプに対応するダミーストライプを有するダミーパターンを含む電子ビームマスクを製作する段階と、
(ロ)全てのストライプの欠陥を調べると共に、情報を記憶する段階と、
(ハ)電子ビーム露光工程を行う段階と、
(ニ)電子ビーム露光工程のうちメインパターンで欠陥ストライプに会えば該当するダミーパターンのストライプに対して電子ビーム露光工程を行い、引き続き残りストライプ群に対してダミーパターンで露光工程を行う段階と、
(ホ)ダミーパターンで露光工程中欠陥ストライプに会えば該当するメインパターンのストライプに対して電子ビーム露光工程を行い、残りストライプ群に対して引き続きメインパターンで露光工程を行う段階と、を含む電子ビーム露光工程を行う半導体素子の形成方法。 - (ホ)段階後、露光工程のうち欠陥のあるストライプに会えば、欠陥ストライプがメインパターンにあるかダミーパターンにあるかによって(ニ)段階または(ホ)段階を繰り返すことを含む電子ビーム露光工程を行う請求項16に記載の半導体素子の形成方法。
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