TWI260800B - Structure of light-emitting diode and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1260800 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種發光二極體（Light-Emitting Diode ; LED)及其製造方法，特別是有關於一種具有高熱導 性以及加工特性佳的發光二極體及其製造方法。 【先前技術】 發光一極體係由一種具有同質結構（Homostructure)、 單異質結構（Single Heterostructure)、雙異質結構（Double Hetefostfucture ; DH)、或是多重量子井（Multiple Quantum

Well ; MQW)結構所堆疊而成的磊晶結構。能自然放射出不 同波長之光線的p-n接面二極體。由於發光二極體具有低 耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、反應速 度快、以及可發出穩定波長的色光等良好光電特性，因此常 應用於家電、儀表之指示燈、光電產品之應用光源、以及光 電通訊領域。 傳統的發光二極體，是在一個基板（|§u|3strate)101，一 個η型下包覆層，一個主動層、以及一個p型上包覆層，藉 由電流通過主動層的磊晶結構而發光，並藉由磊晶結構的各 種不同組成，改變發光二極體發光波長。 隨者發光一極體製程技術的進步，為了功能上的需求， 例如增加發光二極體的亮度、熱導性以及電流分散效果，或 進行後續加工，例如切割製程，經常會使用基板轉移 (Substrate Transferring)技術或晶片鍵合（Wafer Bonding), 1260800 另外形成至少一個材質 ^ J：中，且古& 、”、、、屬或ΙΠ_ν族化合物半導體的基 係經常被選擇作為第㈣性㈣ 禾一基板的理想材質。 1 具有良好的熱導性，但是銅的剛性不足且 程之中若所使用的第二基板是厚度較薄 的 日血於1 改季乂差良率不易提昇。又，雖然石夕 一叫7且兵肩殿彳 性，但熱性導較差會變取氺-一 癱 θ I先一極體凡件的工作性能。 — 因此有必要提供一籀因眭I目丄 種门時兼具加工性與導熱性的於 二極體結構以及製造方法 等.、、、r生的&先 • 及工作性能。 卞W艮手以 細膜f生與發光二極體元件可以 ，但熱性導齡m…·· 且具有較佳的加工 【發明内容】 道J二發明的目的就是在提供一種同時兼具加工性盘 導熱性的光二極體結構’其中此一發光二極體結構至少： 括.磊晶結構、粘著層、以及複式基材。粘著層，位於石曰 結構之-側。複式基材係藉由枯著層與蟲晶結構相互結：-複式基材至少包括：圖案化矽層以及金屬層。其中圖案 層具有複數個貫穿開口;金屬層係覆蓋於圖案化石夕層：上 且有-部份包埋於該些個貫穿開口之内，纟且^著層接 觸。 曰 本發明的另-個目的就是在提供一種發光二極體 的製造方法’以提高發光二極體元件的良率以及工作性能。 首先在-個第一基材之上形成一個蟲晶結構。接著：伊 1260800 並圖案化一個第二基材，使第二基材之第一表面具有至小一 個開口。之後，進行-個粘著製程，將第二基材之第 枯著於蟲晶結構遠離楚 又面 m": 材之一側上。再移除-部份的第 一基材，使該些個開口貫穿第二基材，並藉由該些個開口將 :部份之钻者層暴露出來。於該第二基材之上形成一個金屬 ㈢’使金屬層之-部份填充於該些個開口之内 接觸。之後移除第一基材。 〃枯者層 依，、、、以上所述的較佳實施例，本發明的特徵係石 晶結構上提供—個複式基材，此—複式基材可以兼I銅之ΐ 好的熱導性以及矽的良好加工性。 因此本發明之較佳實施例確實可以’提供—種解決習知 技術無法兼顧發光二極體元件之加卫性與熱導性，造成良率 下降或工作性能不佳的問題，以達到上述發明之目的 【實施方式】 本發明的特徵係一種同時兼具加工性與導熱性的發光 二極體結構，藉由在於蠢晶結構上提供一個可以兼具銅之良 好的熱導性以及矽的良好加工性的複式基材，改善發光二極 體元件之加工性與熱導性。 χ 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更㈣ 易懂’本說明#特舉較佳實施例，並配合所附圖 <,作詳細 說明如下： β 0 請參照帛1圖，第1圖係'根據本發明的帛—較佳實施例 所繪示之發光二極體結構的剖面示意圖。根據本發明=第一

126〇8〇〇 ::佳實施例’此一發光二極體結構至少包括 λ η λ 猫日日、、、口構 構叱之及複式基材300。點著層係位於蟲晶結 之一側。複式基材3〇〇係藉由枯著層1〇4盥 合。其中，複式基材3。。至少包括:有;二： 層108右^ ^案化石夕層黯、以及金屬層1〇8,其中金屬 二 有一部份覆蓋於該圖案化矽層106a之上，另外一部 为包埋於該些個貫穿開口 103之内。 ° 、去根據本^明的第一較佳實施例，上述蟲晶結構的製造方 〆先係在第一基材100之上形成一個磊晶結構1〇2。 和&凊參照第2圖，第2圖係根據本發明的第一較佳實施 蛀、曰示在第基材1 00之上形成一個磊晶結構1 02的製程 結構剖面圖。在本發明的一些較佳實施例之中，此一磊晶結 構102可以是由具有同質結構、單異質結構、雙異質結 構、或是多重量子井結構所堆疊而成。 在本發明的第一較佳實施例之中，第一基材i 〇〇較佳係 砷化鎵基板。磊晶結構1 〇2係藉由一磊晶製程所形成，包括 將一個N型構化鋁鎵銦（AlxGal-x)包覆層112、一個主動層 114、以及一個p型磷化鋁鎵銦（AlxGal-x)包覆層116，依序 沉積於第一基材100之上。其中主動層114係由磷化鋁鎵銦 材質所形成的多重量子井結構。在本實施例之中，磊晶結構 102更包括一個接觸層109形成於磊晶結構1〇2的P型磷化 鋁鎵銦包覆層116之上；以及一個反射層110形成於接觸層 109之上。 同時提供一個圖案化之第二基材1〇6。 1260800 5月參照弟3 a圖’第3 a圖传；tp姑士跋αα 口係根據本發明的第一較佳實施 例，繪示提供一個圖案化之第-Α，Λ/： 、 ;弟一基材106的製程結構剖面 圖。在本實施例之中，圖案化笫_ 、， 口杀化弟一基材106的形成方式係， 首先提供一個具有第一表面lu盘第— 昂一衣面115的石夕質基 板。接著在此一石夕質基板的第一丰 ^ ^表面111上進行一個圖案化 製程，例如利用蝕刻圖案化製程，藉以在第一表面ui之上 形成複數個開口 103。 凊參照第3b圖，第3b圖係根據本發明的第一較佳實施 例、、、曰不圖案化之後之第二基材j 〇6的結構俯視圖。在本發明 的一些較佳實施例之中，該些個開口 1〇3的形狀可以是，例 如圓形、方形、三角形、多邊形、不規則形、以及上述任意 組合；該些個開口 103的排列方式可以是規則排列或不規則 排列。在本實施例中，該些個開口 1〇3係複數個規則排列的 圓形開口。 接著進行一個粘著製程，將圖案化之第二基材1〇6的第 一表面111粘著於磊晶結構102遠離第一基材1〇〇之一側 上0 請參照第4圖，第4圖係根據本發明的第一較佳實施 例，繪示圖案化之第二基材丨06與磊晶結構丨〇2在完成粘著 製程之後的製程結構剖面圖。在本實施例之中，粘著製程係 先藉由，例如旋塗製程，在磊晶結構丨〇2的反射層丨丨〇上塗 佈有機材料、金屬材料、或上述任意組合，例如苯並環丁烯 (B-staged bisbenzocyclobutene ; BCB)樹脂、金鈹 / 金 (AuBe/Au)合金，以形成粘著層1〇4。然後再藉由粘著層ι〇4 1260800 使第二基材106之第一表面lu與反射層11〇相互粘合。在 本實施例之中，粘著層104係金鈹/金（八沾^八…合金層。 在凡成粘著製程之後，移除一部份的圖案化第二基材 10 6 〇 - 請參照第5圖，第5圖係根據本發明的第一較佳實施 ；例，繪示移除一部份的圖案化第二基材106之後的製程結構 -剖面圖。在本實施例之中，係採用，例如蝕刻製程或化學機 _械研磨製程移除一部份的圖案化第二基材1〇6，並使該些個 〇3貝牙圖案化第二基材106,並藉由該些個開口 1〇3 將粘著層104之一部份暴露出來。圖案化第二基材1〇6餘留 下來的部分則形成一個厚度範圍實質在於1μιη到2〇〇#m >之間的圖案化矽層106a。 接著在圖案化矽層l〇6a之上形成金屬層108。 明參知、第6圖，第6圖係根據本發明的第一較佳實施 Y列 ，一 如 灸口· 9不在圖案化矽層l〇6a之上形成金屬層1〇8之後的製 •釦結構剖面圖。金屬層1〇8可以藉由，例如濺鍍製程、陽極 氧化fj护 王或上述製程之任意組合來加以形成。其中，金屬 ^ 的厚度範圍實質在於0_5 μ m到100# m之間；且金屬 層 1 〇 8 ^ < —部份係填充於該些個被貫穿的開口 1〇3之内，並 與粘著層104接觸。 同 2屬層1〇8依照所選擇的製造方法與製程步驟的不 見不同的結構變化，例如單層單一金屬結構、多声 異質金麗 士 曰 、、屬結構、單層合金結構、以及上述任意組合所組成之 在本實施例之中，金屬層1 08係藉由濺鍍製程所形 1260800 成’所使用的金屬材質至少包括銅、氧化銅、錄、鋼厂人 金、或上述任意組。依據濺鍍方式，例如互鍍、共鍍鎳^ 次鍵的不同，金屬層1〇8之結構會呈現，例如單層單x二 屬結構、多層金屬交互穿插結構、或單層銅/鎳合：質 之後藉由，例如蝕刻製程移除第一基材1〇〇以形 1圖所繪示的發光二極體結構。 D第 另外在本發明的第二較佳實施例系揭露另外— 發光二極體結構的方法。其中，藉由第二較佳實 2 的發光二極體結構’大致與第一較佳實施例相似 二： 佳實施例之差別僅在於圖案化矽層的形成方式有所不乂 請參照第7圖，第7圖係根據本發明的第二較°。 所繪示之發光二極體結構的剖面示意圖。根據本發明的= 實施例’此-發光二極體結構至少包括：蟲晶結構2〇 = 著層204、以及複式基材4〇〇。粘著層係位於磊晶結構加 之一側。複式基材彻係藉由枯著層2〇4與蟲晶結構2〇2 相互結合。其中’複式基材彻至少包括：有複數

口加的圖案化石夕層206a以及有一部份覆蓋於該圖宰J 層聽之上’另外一部份包埋於該些個貫穿開口 2〇3之内 的金屬層208。 根據本發明的第二較佳實施例，上述蟲晶結構的製造方 法’首先係在第-基材2⑽之上形成―個蟲晶、结構加。 請參照第8圖，第8圖係根據本發明的第一較佳實施 例，1 會示在第一基材200之上形成-個蟲晶結構202的製程 結構剖面圖。在本發明的-些較佳實施例之中，此一蟲晶社 1260800 構202可以是由具有同質钍婼 留 、 /另N貝、、力構、早異質結構、雙異質結構、 或是多重量子井結構所堆疊而成。 在本發明的第二較佳實施例之中，第一基材2〇〇較佳係 :化鎵基板。磊晶結構202係藉由—磊晶製程所形成，包括 將一個N型磷儲鎵銦包覆層212、—個主動層214、以及 一個P型磷化銘鎵銦包覆層216，依序沉積於第一基材2〇〇 之上。其中主動層214係由碟化銘鎵鋼材質所形成的多重量 :井結構。在本實施例之中，蟲晶結構202更包括一個接觸 層209形成於蟲晶結構2〇2@ p型碟化銘嫁铜包覆層216 之上；以及一個反射層21〇形成於接觸層209之上。 同時提供-個第二基材施。在本實施例之中，第二基 個具有第—表面211與第二表面215的石夕質層土。 進灯—個枯著製程’將第二基材206《第—表面211 粘著於磊晶結構202遠離第一基材2〇〇之一側上。 請參照第9圖，第9圖係根據本發明的第 例，繪示第二基材咖與蠢晶結構加在完絲 = 的製程結構剖面圖。在本實施例之中，枯著製程係先藉由後 :如:走塗：程，在蠢晶結構2〇2的反射層21〇上塗佈有機材 枓、至屬材料、或上述任意組合，例如苯並環丁稀樹脂、金 ^一至合金’以形成枯著層204。然後再藉由勒著層2〇4使 弟-基材2G6之第_表面211與反射層21()相互枯合 實施例之中，粘著層204係金鈹/金合金層。 在完成粘著製程之後，圖案化並移除一部份 20ό。 ^ 示 一&材 12 1260800 請參照第1〇a圖’第10a圖係根據本發明的第一較佳垂 :例’繪示圖案化第二基材206之後的製程結構剖面圖。： 本實施例之中，係採用，例如蝕刻製程或化學機械研磨製程 移除°卩伤的第二基材206，並形成複數個開口 2〇3貫穿第 二基材，使枯著層204之一部份暴露出來。第二基材2〇6 餘留下來的部分則形成一個厚度範圍實質在於一到· # m之間的圖案化矽層2〇6a。

月/…、第1 Ob圖，弟1 〇b圖係根據本發明的第一較佳實 鈿例、、曰不圖案化第二基材2〇〇之後的結構俯視圖。在本發明 的了些較佳實施例之中，該些個開口 203的形狀可以是，例 士圓形方形、三角形、多邊形、不規則形、以及上述任意 組合;該些個開π 2〇3的排列方式可以是規則排列或不規則 排列。在本實施例中，該些個開口 203係規則排列的圓形開 Π 〇 接著在圖案化矽層2〇6a之上形成金屬層2〇8。 # 明參照第1 1圖’第1 1圖係根據本發明的第二較佳實施 例、’、9不在圖案化矽層206a之上形成金屬層2〇8之後的製 矛σ構°〗面圖。金屬層20 8可以藉由，例如錢锻製程、陽極 氧化製程、或上述製程之任意組合來加以形成。其中，金屬 層2〇8的厚度範圍實質在於〇·5 // m到1〇〇 # m之間；且金屬 曰8之σ卩份係填充於該些個被貫穿的開口 2 0 3之内，並 與該粘著層204接觸。 金屬層208依照所選擇的製造方法與製程步驟的不 同，會呈現不同的結構變化，例如單層單一金屬結構、多層 13 ^26〇8〇q 二質金屬結構、單層合金結構、以及上述任意組合所組成之 麵群。在本實施例之中，金屬層208係藉由濺鍍製程所形 金所使用的金屬材質至少包括銅、氧化銅、鎳、鋼/鎳人 主、或上述任意組。依據濺鍍方式，例如互鍍、共鍍、: .屬二的不同，金屬層208之結構會呈現，例如單層單—铜質 - 、、告構、多層金屬交互穿插結構（銅/鎳/氧化銅/鎳）、或 _ 鋼/鎳合金結構 /曰 • 之後藉由，例如蝕刻製程移除第一基材200以形成如 7圖所繪示的發光二極體結構。 值侍庄意的是，在本發明的較佳實施之 體結構之盈S社娃々L 3 ^ ^ 猫日日、、Ό構之上更至少包括一個第一電極以

一 ^ ^ ^第1 2圖，第1 2圖係繪示在第一較佳實施例之發 光-極體結構上形成第一電極13〇以及第二電極"Ο的剖面 不意圖。在本發明的一些較佳實施例之中，第一電極"Ο 以及第二，極14〇係連接於蠢晶結構1G2之上，且第一電極 130以及第一電極14〇都位於圖案化石夕層之相同的一 首先藉由一個，例如蝕刻製程，由n型包覆層丄U爲 糊，往下經過主動& 114、直到暴露出-部份的P型— 。覆層11 6 ϋ以移除_部份之磊晶結構㈤。再藉由“ 如沉積製程，分別在Ν型白潔既5〇 L ^ 热 包覆層1丨2上，以及P型包覆7 116暴露出來的部分上， 形成第一電極130以及第二電;) 140 〇 14 1260800 在本發明的另外一些較佳實施例之中，第一電極73〇 以及第二電極140係連接於磊晶結構1〇2之上，第一電極 130以及第二電極140分別位於圖案化石夕^ i〇6a之不同的 兩側。 請參照第13圖，第13圖係繪示在第一較佳實施例之發 光二極體結構上形成第一電極13〇以及第二電極14〇的另外 一個剖面示意圖。 在此一實施例之中，第二電極14〇可以由金屬層1〇8 加以替代，只需藉由，例如沉積製程在N型包覆層丨Η上 形成第一電極1 3 0即可。 由上述本發明較佳實施例可知，本發明的技術優勢係藉 由在磊晶結構上提供一種複式基材，此一複式基材可以兼具 銅之良好的熱導性以及料良好加u來解決f知技術 無法兼顧發光二極體元件之加工性與熱導性，造成良率下降 或工作性能不佳的問題。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以 ，定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和 =内μ 了作各種之更動與〉閏飾，因此本發明之保護範圍 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 根據以上所述之較佳實施例，並配合所附圖式說明，當 能=本發明之目白勺、特徵、和優點有更深入的理解。但值二 “的疋為了清楚描述起見，本說明書所附之圖式並未按 15

Claims (1)

1260800 十、申請專利範圍 1 · 一種發光二極體結構，至少包括： 一磊晶結構； 枯著層’位於該磊晶結構之一側；以及 一複式基材，藉由該粘著層與該磊晶結構相互妗人 其中該複式基材至少包括： …口， 圖案化石夕層，具有複數個貫穿開口；以及 一金屬層，覆蓋於該圖案化矽層之上，其中該金 屬層之一部份包埋於該些貫穿開口之内，並與該粘著 層接觸。 2.如申請專利範圍第1頊所述之發光二極體結構， 其中該磊晶結構係選自於由同質結構、單異質結構、雙 異質結構、多重量子井以及上述任意組合所組成的一 族群。 3·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構， 其中該粘著層係選自於由一有機材料、金屬材料、以及上 述任意組合所組成之一族群。 4·如申請專利||目帛3項所述之發光二極體結構， 其中該粘著層之材質係選自於由苯並環丁烯（B_staged bisbenzocyclobutene; BCB)樹脂、金鈹 / 金（AuBe/Au)合金 18 1260800 以及上述任意組合所組成之一族群。 6·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結欉， 其中名金屬層之材質係選自於銅、氧化銅、鎳、鋼人 金、以及上述任意組合所組成之一族群。 、、合 7·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結 其中該金屬層之結構係選自於由單層單金屬結構、夕， 質金屬穿插結構、單層合金結構、以及上述任意組入曰異 成之一族群。 、’ σ所組 8·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構 其中該金屬層的厚度範圍實質在於〇_5/zm到1〇〇 如申明專利範圍第1項所述之發光二極體結構 其中該圖案化碎層的厚度範圍實質在於1 // m到200 “ 之間。 10·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構， 其中該貫穿開口的形狀係選自於由圓开[方形、三角形、 多邊形、不規則形、以及上述任意組合所組成之一族群。 U ·如申巧專利範圍第1項所述之發光二極體結構， 19 1260800 其中该貫穿開口的排列方式你、联 』刀八係璉自於由規則排列與不規 則排列所組成之一族群。 12·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構， 更至少包括-接觸層以及-反射層位於該粘著層與該磊 晶結構之間。 _ 13·如申請專利範圍帛1項所述之發光二極體結構， 更至J包括-第-電極以及一第二電極，連接於該蟲晶結 構之上，其中该第一電極以及該第二電極皆位於該圖案化 石夕層之相同的一側。 14·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構， 更至少包括一第一電極以及一第二電極，連接於該磊晶結 構之上，其中該第一電極以及該第二電極係分別位於該圖 馨 案化砍層之相異的兩側。 1 5 _如申請專利範圍第丨4項所述之發光二極體結 構，其中該第二電極係與該圖案化矽層接觸。 1 6·如申請專利範圍第1 5項與第1項所述之發光二 極體結構，其中該第二電極係該金屬層。 17. —種發光二極體結構的製造方法，該製造方法至 20 1260800 少包括： 提供一第一基材 形成一蟲晶結構，於該第一基材之上； 提供並圖案化一第-其私 币一暴材，使該第二基材之一第一表 面具有至少一開口 ； 進行一钻著製程，蔣今错-" 將4弟二基材之該第一表面粘著於 該磊晶結構遠離該第一基材之一側上；

移f該第二基材之—部份，使該些開口貫穿該第二基 材’並藉由該些開σ將該枯著層之—部份暴露出來； /成金屬層，覆蓋於該第二基材餘留下來的部分 上，其中該金屬層之一部份填充於該些開口之内，並且與 該粘著層接觸；以及 移除該第一基材。 18·如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構 的製造太、土 ^ 法’其中所形成之該磊晶結構係選自於由同質 …構、單異質結構、雙異質結構、多重量子井以及上 述任意組合所組成的一族群。 19.如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構 的：Μ 4 t、+ 义乃法’其中形成該磊晶結構之步驟更包括形成一接 觸層jit $ 久一反射層位於於該磊晶結構之上，遠離該第一基 材之一側。 21 !26〇8〇〇 2〇·如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構 的製t方去’其中形成並圖案化該第二基材之步驟係藉由 -蝕刻製程圖案化該第二基材之該第一表面。 2 1.如申睛專利範圍第1 7項所述之發光二極體結構 的製造方法，其中該第二基材係由矽所組成 22·如申睛專利範圍第17項所述之發光二極體結構 的製造方法’其中進行該粘著製程之步驟至少包括： 开々成一點著層，於該磊晶結構遠離該第一基材之 一側；以及 藉由該枯著層使該第二基材之該第一表面與該 磊晶結構相互連結。 • 23.如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構 7製造方法，其中該粘著層之材質係選自於由苯並環丁烯 树月曰孟鈹/金合金、以及上述任意組合所組成之一族群。 • 24·如申請專利範圍第丨7項所述之發光二極體結構 、製k方法其中移除该弟二基材之一部份之步驟，係選 自於由一蝕刻製程、一化學機械研磨製程、以及上述任意 組合所組成之一族群。 25.如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構 22 1260800 的製造方法，其中形成該金屬層之梦鱗係選自於由濺鍍製 程' 陽極氧化製程、以及上述之任意組合所組成之一族群。 26.如申請專利範圍第丨7項所述之發光二極體結構 的製造方法，更包括形成一第一電極以及一第二電極，連 接於該磊晶結構之上。 27_如申請專利範圍第17項以及第26項所述之發光 二極體結構的製造方法，其中該第一電極以及該第二電極 白位於該第二基材之相同的一側。 28·如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構 的製造方法，更包括形成一第一電極，連接於該蠢晶結構 上遠離該第二基材之一側。 29· —種發光二極體結構的製造方法，該製造方法至 少包括： 提供一第一基材 形成一蠢晶結構，於該第一基材之上； 提供一第二基材，其中該第二基材具有一第/表面以 及~弟二表面； 進行一粘著製程，藉由一粘著層將該第二基村之第一 db 面枯著於該磊晶結構遠離該第一基材之一側上； 移除该第二基材之一部份，在第二表面形成i少一開 23 1260800 口貫穿該第二基材，使該粘著層之一部份暴露出來； 形成一金屬層，覆蓋於餘留下來之該第二基材之上， 其中該金屬層之一部份填充於該些開口之内，並與該枯著 層接觸；以及 移除該第一基材。 30·如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 的製造方法’其中所形成之該磊晶結構係選自於由同質 結構、單異質結構、雙異質結構、多重量子井以及上 述任意組合所組成的一族群。 3 1 ·如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 的製造方法，其中形成該磊晶結構之步驟更包括形成一接 觸層以及一反射層位於於該磊晶結構之上，遠離該第一基 材之一側。 3 2 ·如申請專利範圍第2 9項所述之發光二極體結構 的製造方法，其中移除該第二基材之一部份之步驟係藉由 一触刻製程加以進行。 33 ·如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 的製造方法，其中該第二基材係由矽所組成 34·如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 24 1260800 的製造方法 套，其中進杆兮t ^ . 丁 δ亥粘著製程之步驟至少包括： 小成該粘著展 一側；以及 日，於該蠢晶結構遠離該第一基材之 11由該枯著層使令第-美#夕#笛,^ , 磊晶妗姐 尺4第一基材之该弟一表面與該 %攝相互連結。 3 5 · 如申妹直 的製造方隻明利乾圍第29項所述之發光二極體結構 /’其中該枯著層係由苯並環丁烯樹脂所組成。 36· l ^ ,, ^ 甲請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 的製造方、、夫 戌’其中移除該第二基材之一部份之步驟，係選 自於由一為 卿刻製程、一化學機械研磨製程、以及上述任意 組合所組成之一族群。 如申請專利範圍第2 9項所述之發光一極體結構 的製造方法，其中形成該金屬層之夕騍係選自於由濺鍍製 程、陽極氧化製程、以及上述之任意組合所組成之一族群。 38·如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 的製造方法，更包括形成一第一電極以及一第二電極’連 接於該磊晶結構之上。 39·如申請專利範圍第29項以及第38項所述之發光 二極體結構的製造方法，其中該第〆電極以及該第二電極 25 1260800 皆位於該第二基材之相同的一側。 40.如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構 的製造方法，更包括形成一第一電極，連接於該磊晶結構 上遠離該第二基材之一側。

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