TWI247737B - Sulfurpentafluoride compounds and methods for making and using same - Google Patents
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Description
1247737 (2004年7月修正)
玖變齄明謙明 發明所屬之技術領域 本發明是有關於具有含三取代基之矽基團的五氟化硫 化合物的製造及其使用方法，其中含三取代基之矽基的取 代基中，至少有一個是被阻礙的。本發明也是有關於這些 化合物的使用，例如當作液晶成分的前驅物、界面活性劑、 農用化學品及藥物成分中所用的生物活性化合物，或是用 於聚合物。 先前技術 有一些硏究團體對於將五氟化硫或五氟化硫基（sf5) 基團導入有機化合物的合成技術的開發有高度興趣，並且 已著手進行，人們相信sf5基團可給予這些有機化合物獨 特的性質，尤其是包括低的表面能，高耐化性，高的熱安 定性，高陰電性，疏水性，及高介電常數。例如SF5的陰 電性値高，在包立等級爲3.62，且其較強的拉電子能力使 它成爲許多商業化產品中之三氟甲基（“CF3“）所發現的一 個替代品。 含有SF5的有機成分已被用在許多應用，例如核發給 Hansen及Savu的EP 444 822中描述五氟化硫基氟化脂肪 族成分用來當作界面活性劑，文獻（Kovacina等人，Ind. Eng· Chem. Prod. Res. Dev. 1983, 22, 2，170)中描述含 SF5 的聚 合物是由單-及雙（五氟化硫）-取代的二乙炔製備。這些聚合 物可被溶在含氟的溶劑，而且不像相似的碳氫化合物那樣 1247737 (2〇〇4年7月修正) 對震盪敏感。美國專利第63 36,83 8號描述用於控制寄生 蟲感染的硫化五氟苯基吡哩。最近，核發給Kirsch等人 (“Kirsch”）的DE 19748 109描述一些五氟化硫衍生物的製 備，這些衍生物是用於製備液晶的介質。 乙炔基五氟化硫（SF5CCH)常常用來當作將SF5成分導 入複合有機化合物的合成中間物或傳送的煤介。現行分離 出SF5CCH的方法只能以小規模且多重步驟達成，可參考 例如 Hoover 及 Coffman, J. Am. Chem· Soc· 1964，29，3567 (“Hoover”）； Canish 等人 Inorg. Chem. 1985，24，3668 (“Canich”）。Hoover及Canich都描述以四步驟反應，以乙 炔與氯化硫或溴化硫的五氟化物來製備SF5CCH。這些反 應的產率在9到19%之間。Canich也描述一種經由 SF5CH = CHBr脫溴化氫的方法（產率49%)分離出乙炔基五 氟化硫，在第一個步驟中，由乙炔與SF5Br反應得到 SF5CH = CHBr的產率爲80〇/〇，此反應大約需費時4天並且 在57°C下進行，基於如此，在第二步驟完成後之乙炔基五 氟化硫的預期產率大約爲39%。SF5CH = CHC1乙炔脫鹵化 氫後的產率只有欲得到炔屬烴的1-2 %。如此低的產率是 沒效率，長循環時間使這些程序對大規模工業的應用而言 是不實際的，再者乙炔與SF5Br或SF5C1在高溫下反應可 能會爆炸。
乙炔基五氟化硫也可以其三甲矽基的衍生物進行脫含 三取代基之矽基來得到，可參考Wessel等人Chem. Ber. 1986, 1 19, 45 (“Wessel”）。就如後面所提到分離出SF5CCH 1247737 (2004年7月修正) 的方法中，乙炔基五氟化硫之三甲基矽的衍生物對工業化 規模生產是不可行的。以Wessel所描述製備乙炔基五氟化 硫之三甲基矽基衍生物的方法中’所分離出的產率只有 12%。 基於如此，此技術需要提供新的化合物來傳送SF5基團 到有機化合物中，基於此種應用，可能有進一步的需求來 提供可傳送一種含三取代基之矽基團到有機化合物中的新 化合物。另外此技術也需要安全的工業化程序製造SF5的 合成中間物，並具有較高的產率，較少的循環時間，較低 的製程溫度，較低揮發性，以及單一的反應容器。由於此 技術在分離出乙炔基五氟化硫之三甲基矽基的衍生物的困 難性，所以令人意外的是，在製造新的具有三取代基之矽 基五氟化硫化合物時，當含三取代基之矽基的取代基中至 少一個被阻礙時，可得到較高產率。 所有以上引用的文獻它們的全部通過參考方式被倂加 入於此。 發明內容 本發明部份是針對具有一個含三取代基之矽基基團的 含五氟化硫的化合物，具體來說，本發明的一個具體實施 例提供一種具有以下分子式的化合物： 1247737 (2004年7月修正) 其中，取代基R，R’及R”可以是一種烷基，一種含取代基 的烷基，一種芳香基，一種含取代基的芳香基或其組合， 而且這些取代基中至少一個是被阻礙的。以一個較佳的具 體實施例而言，R，R’及R”包含異丙基，以另一個較佳的 具體實施例而言，R及R’包含甲基而R”包含第三-丁基。 本發明的另外一個具體實施例提供一種由一個五氟化 硫基團及一個含三取代基之矽基所組成之化合物，其中的 含三取代基之矽基以一個C-C三鍵與五氟化硫基團鍵結。 此種含三取代基之矽基的取代基是選自烷基，含取代基的 烷基，芳香基，含取代基的芳香基或其組合所組成的族群， 而且至少有一個取代基被阻礙。本發明的另外一個具體實 施例提供液晶前驅物，它們包含本發明的化合物。 本發明的另外一個具體實施例揭示一種製造含三取代 基之矽基五氟化硫乙炔化合物的方法，其中含三取代基之 矽基上的取代基是選自烷基，含取代基的烷基，芳香基， 含取代基的芳香基或其組合所組成的族群，而且至少有一 個取代基被阻礙。此方法包含以下的步驟：將含三取代基 之矽基的乙炔化合物與含SF5的鹵化物在足以提供一種中 間物產物的條件下結合，將此中間物產物曝露在足以提供 乙炔化合物之鹼性的條件下。在某些較具體的實施例中， 這種結合的步驟是在溶劑中進行。 本發明的這些及其他面向將由以下詳細的描述變得更 明顯。 9 1247737 (2004年7月修正) 實施方式 本發明是針對具有三取代基之矽基基團的含五氟化硫 化合物的製造及其使用方法。本發明的化合物適合以它們 自己的型式使用或是將五氟化硫基團及/或含三取代基之 矽基傳送到不同的有機成分中。此外，本發明的製造含五 氟化硫化合物的方法的製造產率在此以前是達不到的。 本發明的化合物包含至少一個五氟化硫基團，此基團是 與一個具有三取代基之矽基以一個未飽和碳鍵相連接。較 佳的化合物是一種乙炔化合物，其中的五氟化硫基團是以 一個C-C三鍵與含三取代基之矽基團相連接。矽原子上的 取代基至少有一個是被阻礙的。這裏所用的”阻礙”或“立體 阻礙”是有關於自由基藉由其尺寸的效果阻礙或妨礙與另 一個分子進行特定的反應。有一些非限定的阻礙性烷基的 例子包括：大的一級（Γ )烷基（例如十八烷基或十九烷 基）；二級（2° )烷基（例如異丙基，異丁基，或異戊基）·，或 三級（3 ° )烷基（例如第三·丁基（“t-butyl”）或第三-戊基 (“t-pentyl”） 。 在某些較具體的實施例中，含五氟化硫化合物具有以下 分子式：
R R·—S ^~—SF5 D1* Π 此化合物中的矽基是含取代基的，較好的是R，R，及R，，自 由基的三取代基。取代基R，R，及R，，代表一個或更多的取 10 1247737 (2004年7月修正) 代基，相似的或是不同的，它們可以包含一種烷基，一種 含取代基的烷基，一種芳香基，一種含取代基的芳香基或 其組合。在矽原子上的這些取代基至少有一個是被阻礙的。
如前面所述，取代基R，R’及R”可以是一種烷基或是含 取代基的烷基，這裏所用的”烷基”包括直鏈，支鏈，或環 烷基，較佳的是含有1到20個碳原子，或者更好的是1 到10個碳原子。此亦適用於被含於其他基團（如鹵烷，烷 基芳香基，或芳烷基）的烷基單元。合適的”含取代基的烷 基”是含有包括雜原子取代基之烷基成分，其中的雜原子如 〇，N，S或鹵素原子；OCH3; OR (R = H，1到10個碳的烷 基或6到1 0個碳的芳香基）；1到1 0個碳的烷基或6到1 0 個碳的芳香基；N02; S03R (R=H，1到10個碳的烷基或6 到10個碳的芳香基）；或NR2 (R=H，1到10個碳的烷基 或6到10個碳的芳香基）。這裏所謂的”鹵素”包括氟，氯， 溴，以及碘。在某些較具體的實施例中，R，R’及R”各別 是2°或3°烷基基團或Γ ，2°以及3°烷基基團與至少 一個2°或3°烷基的組合。較佳的取代基是R，R’及R” 各自是異丙基，或是R及R’是CH3且R”是第三-丁基。 取代基R，R’及R”也可以是一種芳香基或是含取代基 的芳香基，這裏所謂的”芳香基”爲六到十二個碳所形成的 環，並具有芳香族的特性。這裏所謂的”含取代基的芳香基” 包括具有取代基之芳香基環，其中的取代基包括雜原子如 0, N，S或鹵素原子；OCH3; OR (R=H，1到10個碳的烷 基或6到10個碳的芳香基）；1到10個碳的烷基或6到10 11 1247737 (2004年7月修正) 個碳的芳香基；N02; S03R (R=H，1到10個碳的烷基或6 到10個碳的芳香基）；或NR2 (R = H，1到10個碳的烷基或 6到10個碳的芳香基）。 本發明的化合物較好是以二步驟程序製備，如下面所示 的步驟I及II，此程序可在單一反應容器中完成。當矽原 子上的取代基至少一個被阻礙時，此種二步驟程序所製造 出產物的產率優異，大約是理論產率的80%到大約99%， 相對的，當矽原子上的取代基比較沒有阻礙性（例如CH3) 時，會因爲在第二或脫去步驟中含三取代基之矽基裂解使 得到產物的產率較低。在步驟I中，一種含取代基的矽基 乙炔（較佳的是一種三取代的矽基乙炔）與一種含SF5的鹵 化物反應，形成一種乙烯的五氟化硫基中間物，其中的三 取代的矽基乙炔至少一個取代基是被阻礙的，矽原子上的 取代基可以是這裏所揭示的任何取代基。在步驟II中，乙 烯的五氟化硫基中間物的氫及鹵化物在鹼的存在下形成最 終的產物。
R | SF5Br I R，一Si—=->
I R，，
R'-Si—=—SF5 I R，，
II 此程序的第一步驟包括一種含三取代基的矽基乙炔化合物 12 1247737 (2004年7月修正) 與一種含SF5的鹵化物（例如SF5Br或SF5C1)反應形成一種 具有鹵化物原子及一種SF5基團在相鄰碳上的烯屬羥中間 物，其中矽原子上的取代基中至少一個是被阻礙的，這反 應可以在溶劑中進行，具體的實施例中有使用溶劑，要選 擇與含SF5的鹵化物或中間物產物不會反應的溶劑。合適 的溶劑包括（但不限定）碳氫化合物（例如戊烷或己烷）；鹵化 碳（例如Freon 113);醚類（例如乙醚（Et20)或四氫呋喃 (“THF”)）；腈類（例如CH3CN);或芳香族化合物（例如苯并 三氟化物）。反應溫度可以在-78°C到溶劑的沸點之間。第 一步的反應時間在大約〇小時或立即至大約8小時的範圍 內，較佳的是在大約〇. 1到大約6小時之間，更好的是在 大約0.5到大約4小時之間，預期的中間物產物的產率是 理論產率的大約80%到大約99%之間。 在第二或脫去步驟中，第一步驟的乙烯的五氟化硫基中 間物產物與鹼結合，形成含三取代基之矽基五氟化硫的乙 炔化合物。這裏所謂的“鹼”是任何能交換負電荷離子的化 合物，例如（但不限定是）氫氧化物、鹵化物、烷氧化物、 醯胺、有機鋰或有機鎂離子。合適之鹼的例子包括鹼金屬 及鹼土金屬的氫氧化物。在某些具體實施例中，第二步驟 可以在溶劑存在下進行，可用在第二步驟的溶劑包括任何 用於第一步驟的溶劑以及水。第二步驟的溫度可以在-78°C 到溶劑的沸點之間。第二步驟的反應時間在大約〇小時到 大約24小時的範圍內，或者較佳的是在大約1到大約1 6 小時之間。預期的乙炔化合物的產率是理論產率的大約 13 1247737 (2004年7月修正) 80%到大約99%之間。乙炔化合物的分子量大約是225到 大約800的範圍內，或者較佳的是在大約225到大約400 之間。最終的產物可用標準程序（例如蒸餾或層析法）加以 純化。 本發明的化合物可以用來當作任何需要將SF5及/或含 三取代基之矽基基團導入成分中之有機成分中的合成中間 物或起始試劑。這些化合物可用來當作一些衍生物的起始 試劑，包括（但不限定於）飽和的醚類、乙烯基醚類、吡唑、 環狀烯屬烴、以及含SF5的烯屬烴及炔屬烴。這些化合物 也可用來當作含CF5基團試劑之有吸引力的替代物。在此 方面，本發明的化合物可以用於液晶組成物中的前驅物， 例如在美國專利第5,728,3 19號及5,792,386號中所揭示液 晶組成物，來代替含有CF5基團的衍生物。含三取代基之 矽基可在製備液晶成分時被抽取出。本發明的化合物也可 用在界面活性劑中，例如在EP 444822中所描述的化合 物。本發明化合物的另一種用途包括藥物成分中的前驅物 或試劑，例如在美國專利第6,136,838號中所描述的組成 物。 本發明的化合物可以藉由一般的逐步-成長、鏈-成長或 接枝聚合物的技術或程序而導入聚合物中，例如聚丙烯酸 酯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、及聚乙烯基醚。在一 些例子中，本發明的乙烯未飽和化合物可以均聚合製造均 聚合物，或與可進行共聚合的單體行共聚合製造無規則、 交替型、嵌段型或接枝聚合物。在這些應用中，此化合物 14 1247737 (2004年7月修正) 中的含三取代基之矽基不是在完成聚合物成分之前被去除 掉，就是被留在聚合物中以提高聚合物的某些性質（例如黏 著強度）。 本發明將以下列更詳細的例子來說明，但必須了解本發 明不受限於這些例子。氣相層析（“GC”）分析是在30米的 RTX-5管柱中進行。這些實施例的G.C.M.S.圖譜是用 Hewlett Packard 5 890 系列 11 G.C.及 5 9 72 系列得到，質量 選擇的偵測器是用HP_5MS。這些實施例的核子NMR分析 是用 Bruker CP-3 00FT 光譜儀，在 282.4 MHz (19F)，3 00.1 3 MHz (4)下操作，化學位移是參考CFC13 (19F)及CHC13 (iH)。這些實施例的結果列在表1中。 實施例 比較例1: SF5Br加成到三甲基矽基乙炔 將一個包含20毫莫耳的三甲基矽基乙炔，1〇毫升的 Freon 113以及17毫莫耳氟化鉀的反應混合物裝進一個30 毫升裝配有一個磁石攪拌棒的不銹鋼Parr反應器中，將此 反應器與一個裝配二個3 00 cc不銹鋼的壓載物、壓力錶、 鈉鹼石灰的汽水閥以及一個真空泵的不銹鋼真空管線相 接。將此反應器抽氣並利用乾冰/丙酮浴將之冷卻至 -35t。然後將25毫莫耳量的SF5Br壓縮到混合物中，將 此反應器密封並在攪拌下回到室溫。3個小時後，將此反 應器洩壓及以氮氣清洗，將反應混合物慢慢加入冷的重碳 酸鈉溶液中，將有機層分離出並以迴轉蒸發去除溶劑。此 15 1247737 (2004年7月修正) 中間物（1-溴-卜三甲基矽基五氟化硫基乙烯）的純度以 氣相GC分析爲95%。此中間物的分子量爲305。此中間物 的 NMR結果爲：4 NMR δ 0.3(s，9H)，7.5 (1H，m); 19F NMR δ 64 (4F，d)，80 (1F，pent) ° 在脫去的步驟中，將20毫莫耳的1-溴-1-三甲基矽基-2-五氟化硫基乙烯中間物與25毫升癸烷及60毫莫耳氫氧化 鉀粉末混合，並在室溫下攪拌17小時’再將此溶液過濾。 GC分析發現此溶液含有44%的產物（1-五氟化硫基-2-三甲 基矽基乙炔），相信當矽原子上的取代基比較不被阻礙時 (例如CH3)，所得的產物會因爲在第二或脫去步驟中含三 取代基之矽基的斷裂而造成較低的產率。 此產物的分子量是224。此產物的NMR結果如下所示： lU NMR δ 0.9 (9H? s); 19F NMR δ 75 (1F? pent )? 80 (4F? d); GC/MS m/z = 209 (CH3)2SiC2SF5 + ; 127 SF5 + ; 89 SF3+。 實施例2 : SF5Br加成到第三-丁基二甲基矽基乙炔 中間物產物（1 -溴-1 -第三-丁基二甲基矽基-2-五氟化硫 基乙烯）是以上述比較用實施例1的描述所製備，它是由 一種含有20毫莫耳第三丁基二甲基矽基乙炔、10毫升 Freon 113及17毫莫耳氟化鉀的初始反應混合物所製備。 GC分析發現此中間物產物（1 -溴-1-第三-丁基二甲基矽基 -2-五氟化硫基乙烯）的純度爲98 %。此中間物產物的分子 量是347。此中間物的NMR結果如下所示：4 NMR δ 0.35 s(6H)，1.0 s(9H)，7.6 (m，1 H); 19F NMR δ 65 (4F，d)，80 (IF, 16 1247737 (2004年7月修正) pent) 〇 在脫去的步驟中，將20毫莫耳的1-溴_1-第三-丁基甲 基矽基-2-五氟化硫基乙烯中間物與25毫升戊烷及60毫莫 耳氫氧化鉀粉末混合，並在室溫下攪拌17小時，再將此溶 液過濾且以迴轉蒸發去除溶劑。 GC分析發現此溶液含有97%的產物（1-第三-丁基二甲 基矽基-2_五氟化硫基乙炔），相信比起比較用之實施例1 有較高的產率，因爲矽原子上的一個取代基被阻礙。在0.5 Torr及室溫下配合在冰/丙酮浴中的容器進行真空蒸餾將 此產物進一步純化。此產物的分子量是266。此產物的NMR 結果如下所示：4 NMR δ 0.2 s，0.9 s; 19F NMR δ 76 (1F， pent)，81 (4F，d); GC/MS m/z = 266 tBu(CH3)2SiC2SF5 + ; 247 tBu(CH3)2SiC2SF4+; 209 (CH3)2SiC2SF5 + ; 127 SF5; 57 tBu+。 實施例3: SF5Br加成到三異丙基矽基乙炔 中間物產物（1 -溴-1 -三異丙基矽基-2-五氟化硫基乙烯） 是以上述比較用實施例1的描述所製備，它是由一種含有 2〇毫莫耳三異丙基砂基乙炔、10毫升Freon 113及17毫 莫耳氟化鉀的初始反應混合物所製備。GC分析發現此中間 物（1 -溴-1 -三異丙基矽基-2-五氟化硫基乙烯）的純度爲 9 0%。此產物的分子量是389。此中間物的NMR結果如下 所示：4 NMR δ 1.6 (21H，m)，7.8 (1H，m); 19F NMR δ 64 (4F，d)，80 (1F，pent)。 在脫去的步驟中，將20毫莫耳的i-溴-i-三異丙基矽基 17 1247737 (2004年7月修正)
-2-五氟化硫基乙烯產物與25毫升戊烷及60毫莫耳氫氧化 鉀粉末混合，並在室溫下攪拌1 7小時，再將此溶液過濾且 以迴轉蒸發去除溶劑。GC分析發現此產物（1-五氟化硫基 -2-三異丙基矽基乙炔）的純度爲90%，相信比起比較用之 實施例1有較高的產率，因爲矽原子上的一個取代基被阻 礙。在0.5 Torr及26°C下進行真空蒸餾將此產物進一步純 化。此產物的分子量是308。此產物的NMR結果如下所示： !H NMR δ 1.1 (m? 21H); 19F NMR δ 76 (1F? pent), 81 (4F? d); GC/MS m/z = 308 (iPr)3SiC2SF5 + ； 265 (iPr)2SiC2SF5+ ° 實施例4: SF5Br加成到三異丙基矽基乙炔且不分離出中間 物產物
將一個包含90毫莫耳的異丙基矽基乙炔以及140毫升 戊烷的反應混合物裝進一個300毫升裝配有一個磁石攪拌 棒的不銹鋼Parr反應器中，將此反應器與一個裝配二個 300 cc不錄鋼壓載物、壓力錶、鈉驗石灰的汽水閥以及一 個真空泵的不銹鋼真空管線相接。利用乾冰/丙酮浴將此混 合物冷卻至-3 5°C並將之抽氣。然後將46毫莫耳量的SF5Br 壓縮到混合物中，將此反應器密封並在攪拌下回到室溫。 1.5個小時後，將此反應器再冷卻-35°C，並將另外46毫莫 耳量的SF5Br壓縮到混合物中，2個小時後將此反應器洩 壓並以氮氣清洗，將反應混合物慢慢加入冷的重碳酸鈉溶 液中，將有機層由混合物中分離出。此中間物產物（1-溴-1-三異丙基矽基-2-五氟化硫基乙烯）的純度以氣相GC分析 18 1247737 (2004年7月修正)
爲95%。將276毫莫耳的氫氧化鉀粉末加入含有此中間物 的有機層並且攪拌隔夜，將此溶液過濾出並以迴轉蒸發去 除溶劑。此產物（1-五氟化硫基-2-三異丙基矽基乙炔）的純 度以GC分析爲95%。此產物的分子量爲308。此產物的 NMR 結果爲：4 NMR δ 1.1 (m，21H); 19F NMR δ 76 (1F， pent), 81 (4F? d); GC/MS m/z = 308(iPr)3SiC2SF5 + ； 265 (iPr)2SiC2SF5+。
19 1247737 (2004年7月修正) 表1 中間物產物 產物 產物(％ 產率） 分子量 比較例1 Br 1 (CH3)3Si—C=C-SF5 Η (CH3)3Si-C 三 C-SF5 44% 224 實施例2 Br 1 tBu(CH3)2Si—C=C—SF5 H tBu(CH3)2Si-CEC-SF5 97% 266 實施例3 Br 1 (iPr)3Si—C=C-SF5 H (iPr)3Si-CEC_SF5 90% 308 實施例4 Br 1 (iPr)3Si—C=C-SF5 H (iPr)3Si-CEC-SF5 • 95% 308 在本發明被詳述且參考具體的實施例的同時，熟悉本項 人士可在不違反本發明的精神及範圍下作出不同的更改及 修飾。 20
Claims (1)
- 申請專利範圍 1. 一種具有下面分子式的具五氟化硫基及三取代矽基乙 炔化合物， S — _ R1~S1-======—SFg I R-1其中，取代基R，R’及R”是選自烷基、含取代基的烷基、 芳香基、含取代基的芳香基，或其組合所組成的族群， 而且這些取代基中至少一個是具空間性阻礙的。 2. 如申請專利範圍第1項的化合物，其中取代基R，R’及R” 包含一烷基。 3. 如申請專利範圍第2項的化合物，其中R，R’或R”中的 至少一個包含第三-丁基。 4. 如申請專利範圍第3項的化合物，其中的R及R’包含 CH3且R”包含第三-丁基。5. 如申請專利範圍第2項的化合物，其中的R，R’或R”至 少一個包含異丙基。 6. 如申請專利範圍第1項的化合物，其中化合物的分子量 在225到800之間。 7. 如申請專利範圍第6項的化合物，此化合物的分子量在 225到400之間。 8 . —種液晶前驅物，其包含申請專利範圍第1項的化合物 的。 9. 一種具五氟化硫基及三取代矽基乙炔化合物，該化合物 21 1247737 (20〇4年7月修正) 包含： 一個五氟化硫基團；以及 一個含三取代基之矽基，該取代基是選自烷基、含取代 基的烷基、芳香基、含取代基的芳香基，或其組合所組 成的族群，而且這些取代基中至少一個是具空間性阻礙 的，其中含三取代基之矽基是以一個C-C三鍵與五氟化 硫基團鍵結。 10·如申請專利範圍第9項的化合物，其中該等取代基中的 至少一個包含一院基基團。 11. 如申請專利範圍第10項的化合物，其中該等取代基中 的至少一個包含第三-丁基。 12. 如申請專利範圍第10項的化合物，其中該等取代基中 的至少一個包含CH3。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項的化合物，其中該等取代基中 的至少一個包含異丙基。 14. 一種液晶前驅物，其包含申請專利範圍第9項的化合物 的。 15. —種製造具有下面化學式之具五氟化硫基及三取代矽 基乙炔化合物的方法， R1—Si~SF5 L π 其中，取代基R，R’及R”是選自烷基、含取代基的烷基、 芳香基、含取代基的芳香基，或其組合所組成的族群， 22 1247737 (2004年7月修正) 而且這些取代基中至少一個是具空間性阻礙的，此方法 包括下列步驟： 在足以形成一種中間物產物的條件下將一種含R，R，及 R”取代基的乙炔化合物與一種含SF5的鹵化物結合； 並且 在足以形成該乙炔化合物之條件下將此中間物產物曝 露在一鹼中。 16. 如申請專利範圍第15項的方法，其中該結合及曝露的 步驟是在相同的反應容器中完成。 17. 如申請專利範圍第15項的方法，其中該結合的步驟是 在溶劑中進行。 18. 如申請專利範圍第15項的方法，其中的乙炔化合物的 產率至少是理論產率的80%。 19. 如申請專利範圍第17項的方法，其中乙炔化合物的產 率至少是理論產率的90%。 23
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