TWI243405B - Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device - Google Patents

Description

1243405 A7 _______B7 五、發明説明（1 ) 本發明是關於一種微影投影裝置，包括： -一供應輻射投影光束之輻射系統； _ 一支撐佈圖裝置之支撐結構，佈圖裝置依據所需的圖案 提供投影光束的圖案； -一用以支持基板之基板平台；及 -一投影系統，將佈圖後的光束投影在基板的目標區。 此處所稱的”佈圖裝置"可廣泛解釋為一種能根據基板目 寺示區的圖案所需，提供具有斷面圖案之輻射光束的裝置， 本文中亦可使用術語”光閥，，來稱呼。一般而言，該圖案對 應到裝置在其目標區所產生的特殊功能層，例如積體電路 或其他裝置（如下）。舉例而言，此種佈圖裝置包括： -光罩：在微影製程中光罩的概念眾所週知，光罩的形式 包括二位元，交替相位移轉，及衰減相位移轉，以及各 種混合式光罩。在輻射光束的路徑上放置此種光罩可根 據光罩上的圖案，會使照射在光罩上的輻射根據光罩上 的圖案選擇性地傳導（傳導型光罩）或反射（反射变光罩）。 一種光罩的例子是，支撐構件通常是光罩平台，用來j 保光罩能保持在輻射光束路徑的所需位置，炎玎根據而 要相對光束作移動。 _可程式鏡列：一種此裝置的例子是陣列式玎定址表面， 其具有兼具黏彈性控制層及反射面。此種設備的基本、 理是（舉例），反射面的定址區域將入射光反射成衍射光# 而未定址的區域則將人射光反射成非衍射光。使用適: 的濾鏡，可將該非衍射光從反射光束中濾掉’/、留彳 -4 - 一 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1243405

射光，:在此種方法中’根據陣列式可定址面的定址圖案 το成光束佈圖。另_種可程式鏡列的實施例是採用多微 鏡陣列配置；^加適當的局部電場或採用壓電致動裝 置，可對每片微鏡相對其鏡軸做各別偏斜。同樣地，微 鏡是以陣列式可定址形式分布，因此定址的鏡片與未定 址的鏡片對入射輻射光束的反射方向不同；彡過此種方 法反射光束可根據陣列式可定址鏡的定址圖案來佈 圖。这種陣列式可定址形式可利用適當的電子裝置操 作。在上述兩個情形中，佈圖裝置可包括一或多個可程 式鏡片陣列。關於更多的鏡列資訊請參考，如美國專利 US 5’296,891 及 US 5,523，193，及 PCT 專利申請案號 WO 98/38597及WO 98/33096，在此併入本文做參考。 在可程式鏡列的例子中，該支撐結構可為框架或平台， 舉例而言，可根據需要設計成固定式或可移動式。 -可程式LCD陣列：此種結構的範例如美國專利 5,229,872，其併入本文做參考。如上述，支撐結構可為 框架或平台，舉例而言，可根據需要設計成固定式或可 移動式。 為了簡化說明，在本文中直接舉用光罩及光罩平台的範 例；然而，基本原理請參考上面提出的佈圖裝置内容。 微影投影裝置可應用在如積體電路（ICs)的製造之技術' 在此例中，佈圖裝置可根據1C的:各層產生一電路圖案，且 此圖案可映射在事先塗布有一層輻射感光材料（光阻）之基板 (石夕晶圓）的目標區（例如，包括一或多顆晶片，上^通常，單 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1243405 A7

片曰日圓包含由相鄰目標區所形成的整個 投影系統一次推扞、查妗^ 狀、、，。構，可經由 A 連續輻f在現行設備中， 平〇上的光罩進行佈圖，主要區分 △。名刀馮兩種不同形式的機 ^日二—種微影投影設備中，_次將整個光罩圖案曝 先在目^區上。另—種裝置収，投影 μ 的參考方向(，，掃描，，方向)掃描光罩並照射St :、’同時平行或垂直該方向同步掃描基板平台；、甬 常，因為投影系統具有放大因子乂（通常 二缸^ 是式择描光革平台速度的M倍。::微= 更夕貝訊，如US 6,046,792中所述，其併入本文做參考。 在使用微影投影設備的製程中，將圖案（例如，光罩上的 圖案）成像在局部塗布有輻射感光層（光阻）的基板上。在成 像步驟之前，基板可能經過各種處理步驟，如整齊化，光 阻塗布及預烤。在曝光後，基板會進行其他處理程序，如 曝光後烘烤（PEB)，顯影，長烤及成像特徵的量測及檢驗。 此種程序是裝置，例如IC各層在佈圖時的基本程序。佈圖 後的層會進行各種處理，如蝕刻，離子植入（摻雜），金屬 化，氧化，化學機械研磨等，目的在完成各層的製作。如 果需要許多層，則每新的一層即需重複上述程序。最後將 裝置陣列形成在基板（晶圓）上。接著，利用切割技術將各個 裝置分離，之後將個別裝置黏著在載板上，並進行電性焊 接。關於製程處理的資訊，舉例;，請參考”微晶片製造：半 導體製程指南’’（"Microchip Fabrication : A Practical Guide to Semiconductor Processing”），第三版，peter -6- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1243405 A7 B7

van Zant ^ McGraw Hill Publishing C〇„ 1997, ISBN 0-07-067250-4，併入本文做參考。 為了簡化起見，投影系統此後稱做，，透鏡組"；缺而，此 術語可廣泛解釋為各種形式的投影系統，舉例.，包括折射 光學，反射光學’及陰極屈光系統，系統亦可包括用 來引導’塑形或控_射投影光束所f的任何零件，這類 零件在下^中亦統稱為"透鏡組"。再者，微影設備可且有 兩個或兩個以上的基板平台（及/或兩個或兩個以上的光罩平 台）。在此種”多平台式，，的裝置中，多具平台 或著讓-或多具平台處於準備階段，而其他平台執行曝光 處理。雙平台微影設備描述於，舉例，us 5,969,441或 WO 98/40791中，併入本文做參考。 在微影投μ理巾，照射在総±之光量（亦即，於曝光 期間照射在每單位面積上的能量）的精確控制相當重要。已 知光阻具有相當敏銳的門檻值，因此如果單位面積接受到 的能量超過該⑽值’則曝光’否則保持未曝光的狀態。 縱使衍射效應導致祕密度在特徵姐產生逐漸擴大的鳥 尾形狀，在進行光阻顯影時，亦可在特徵邊緣產生尖銳的 邊緣。如果光束密度不正確’曝光密度曲線會與光阻門樣 值交叉在錯誤的點上。正確的成像很難控制。 已知的微影設備在ϋ射系統特定點上監測光束強度，並 校正該點與基板平面之間由於設備所造成的光量吸收。光 束強度的監測使用偏光鏡’將輕射系統内之投影光束的已 知分量轉向至能3:感測器。能量感測器測量光束已知分量 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱) 1243405

二7正：此決定輻射系統在該點處的光束能量。設備吸 讀在偏紐下方，以能量感測器取代基板，執 校正。能量感測器的輪出可有效地測量輻射源 :::支化並結合設備下游部能量吸收的校正結果來預測 基板表面的能量準位。在一些例子中，基板表面之能量準 位的預測可當作曝光參數，例如輻㈣統設定值。接著， 可調整曝光參數，例如持續時間或掃福速度，及/或賴射源 的輸出來控制照射到光阻上的光量。 然而’已知的光量控制方法考慮到輻射光源的輸出變化 同時預測在能量感測器下游的吸收變化，並非所有的吸收 變化皆能容易地或精破地預測。尤其是使用較短波長之曝 光輻射的設備（應用在極小特徵的成像，如193 nm，157 nm，或126 nm)。此種波長嚴重地遭空氣或其他氣體所吸 收，採用&類波長的微影設備必須灌人非吸收氣體或在真 二狀恶下才Hb使用。灌入氣體成分的變化或洩漏會導致設 備下游部之光束吸收的變動無法預測，便無法計算出照射 在光阻上的光量。 因此，本發明的目的是提供一種增進之光量感測器及控 制系統，可避免或減少習知能量感測器及光量控制系統的 問題。 本發明的此項及其他目的可藉由微影設備達成，其特徵 進一步包括： 二 一感測器，用以偵測該投影光束通過該投影系統所產生 的冷光輻射。 8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 1243405 A7 B7 五、發明説明（6 ) 舉例而言，感測器可包括一顆或多顆光二極體，用以偵 測投影光束輻射（例如紫外光）與投影系統材料（例如氟化鈣 或石英透鏡元件）相互影響所產生的冷光輻射。冷光輻射密 度表示傳送到基板的劑量。不同於其他劑量感'測器，由於 冷光輻射是投影光束輻射與透鏡互相影響的固有特性，不 會對投影光束產生阻礙或轉向。再者，不同於其他劑量量 測，冷光輻射可由投影系統在相當靠近基板的情況下量測 出來，不需考慮因輻射源與基板之間光路徑的傳送變化而 造成的誤差。冷光輻射可在投影系統的側邊或端部之外測 得，因此可避免佔用投影系統與基板之間有限的空間。 根據一較佳實施例，感測器包括數顆偵測器。這些偵測 器可捕獲從不同方向射出的冷光輻射並將捕獲的冷光輻射 加總以產生訊號。根據本發明另一實施例，設置有輻射導 引，將從多個方向射出的冷光輻射引導至單一偵測器。此 種方式可降低成本並減少多顆偵測器在電路設計上的複雜 性，並可將該單一偵測器設置在離投影系統較遠之處，藉 此降低空間並方便偵測器的更換作業。 特殊的發光模式及投影光束的佈圖可產生不同類的冷光 輻射。因此，縱使在基板上實際的劑量相同，冷光輻射的 方向會隨著不同的發光設定及圖案設計而變化。由於可偵 測出來自多個方向所發出的冷光輻射（使用多顆偵測器或使 用導波設置及單一偵測器），上述任一種較佳實施例可避免 此項問題；因此不論使用何種發光模式或投影光束的佈圖 方式，獲得的訊號可代表實際劑量。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1243405 A7 B7 五、發明説明（7 ) 根據本發明另一方面，提供一種裝置製造方法，其步驟 包括： -提供至少局部覆蓋有一層輻射感光材料之基板； -提供一使用一輻射系統之輻射投影光束； · -使用佈圖裝置對投影光束提供截面圖案； -將佈圖後的輻射光束，投影在該基板上位於輻射感光材 料層上方的目標區上， 其特徵在於下列步驟： 偵測該投影光束通過該投影系統所產生的冷光輻射。 雖然在本文中，本發明之設備是用來製造1C，應能理解 此種裝置能有多種可能的應用。例如，本設備可用來製造 整合之光學系統，磁領域記憶體的導引及偵測圖案，液晶 顯示面板，薄膜磁頭等。對於熟悉相關技藝之人應能理 解，在各種應用場合中，本文中使用的術語”晶圓”或’’晶片 ”可分別用更廣泛的術語”基板’’及’’目標區域”來取代。 在本文中，術語輻射及光束用來涵蓋所有形式的電磁輻 射，尤其是紫外線輻射，例如波長為365，248，193，157 或 1 26 nm 〇 以下參考附圖，以範例方式描述本發明實施例，其中·· 圖1顯示本發明實施例之微影投影設備； 圖2顯示本發明第一實施例之投影透鏡系統以及冷光輻射 感測器局部之縱斷面示意圖；二 圖3顯示圖2實施例之感測器之橫斷面示意圖； 圖4顯示本發明第二實施之感測器之橫斷面示意圖；及 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1243405 A7 ____B7 五、發明説明（8 ) 圖5顯示本發明第三實施例之投影透鏡系統局部以及冷光 輻射感測器之縱斷面示意圖； 在圖中，參考標號對應元件符號。 第一實施例 · 圖1顯示本發明實施例之微影投影設備的示意圖。設備包 括： -輻射系統LA，Ex，IL，用來提供輻射投影光束PB(如uv 輻射）； -一第一目標平台（光罩平台）MT，用來支持光罩MA(如光 柵），並與第一定位裝置連接，相對p]L精確地對光罩做定 位； -一第二目標平台（基板平台）WT，用來支持一基板W(例如 塗布有光阻劑的石夕晶圓），並與第二定位裝置連接，以相 對PL精確地對基板做定位； -一投影系統（”透鏡”）PL(例如，石英及/或CaF2透鏡系統 或陰極屈光系統，包括利用此種材料製成的透鏡元件）， 用來將光罩MA之受照區（透光區）成像在基板w的目標區 上C(包含一或更多顆晶片）。 此處所描述的設備是傳導型（例如，具有傳導式光罩）。然 而，通常亦可採用反射型（具有反射式光罩）。另一種方式 是’此設備可採用任何形式的佈圖裝置，如上述提及之可 程式鏡列型。 二 輻射系統包括一源LA(例如UV雷射），用以產生一輻射光 束。將此光束直接或經由條件裝置（例如，光束擴大器Ex) -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明（9 ) 後，送入發光系統（發光器）IL。發光器IL包括調整裝置 AM，用來設定光束在外部及/或内部之輻射強度的分布程 度（一般分別指的是σ-外部及σ-内部）。此外，通常包括有 其他各種元件，如積分器IN及聚光器CO。透過此種方式， 使得照射在光罩MA上的光束PB截面能達到所需的均勻性 及密度分布。 值得注意的是，如圖1，可將源LA設置在微影投影設備的 外殼内（如常用之實例般令源LA為一水銀燈），但也可以設 置在遠離微影投影設備處，將產生的輻射光束導入設備内 (例如，利用適當的指向面鏡協助）；當源LA是激勵雷射 時，通常採用後者方案。本發明及申請專利範圍包括這兩 種方案。 光束PB連續載擊位於光罩平台MT上，由光罩支持器所支 撐的光罩MA。光束PB穿過光罩MA後通過透鏡組PL，將光 束PB聚焦在基板W的目標區C上。藉由第二定位裝置的協 助（干涉量測裝置IF)，基板平台WT能夠精確地移動，例 如，以便將不同的目標區C定位在光束PB的路徑上。類似 地，第一定位裝置可用來精確地定位光罩MA與光束PB路 徑的相對位置（例如，在光罩MA從光罩庫作機械復歸後， 或在掃描期間）。通常，移動目標平台MT，WT分別提供長 程模組（粗定位）及短程模組-(微定位），圖1中沒有明確顯 示。然而，採用晶圓步進器時（相對於步進-掃描設備），光 罩平台MT只與短程致動器連接，或固定不動。 上述設備可應用在兩種不同模式： -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 1243405 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 1. 在步進模式，光罩平台MT基本上保持不動，整個光罩影 像在一次”閃光”下投影在目標區C。接著，沿著X及/或y 方向移動基板平台WT，使得光束PB能照射到不同的目標 位置C ; · 2. 在掃描模式，除了給定的目標區C無法在單次”閃光”下完 成曝光之外，基本上採用相同的方案。此外，光罩平台 MT可以速度v順著指定方向（所謂的”掃描方向”，例如X 方向）移動，使得投影光束PB掃描整個光罩影像；同時， 基板平台WT以速度V = Mv，依相同方向或反方向同步 移動，其中Μ是透鏡PL的放大倍率（典型地，Μ = 1/4或 1/5)。透過此種方式，可曝光相當大的目標區C，而又不 會喪失解析度。 圖2顯示介於光罩ΜΑ及晶圓W之間，投影透鏡PL的縱斷 面。投影透鏡PL由多片個別的透鏡元件疊置而成。一對偵 測器11，12，如光二極體，設置在接近晶圓W之投影透鏡 元件10的徑向兩側。投影光束ΡΒ通過投影透鏡組PL。如果 投影光束ΡΒ波長為193 nm，則投影透鏡元件10的材料可為 氟化鈣或石英。如果投影光束PB的輻射波長為157 nm，則 投影透鏡元件10的材料可為氟化鈣（現存的面鏡之一，包含 陰極屈光系統）。當這些投影透鏡元件10的材料經由投影光 束PB的雷射光照射後，產生一些冷光輻射，如標示LR之箭 頭所指。舉例而言，冷光輻射矣型上為可見光譜中綠色至 黃色光部分。投影透鏡元件10的材料與具有高能量，短波 長之投影光束PB的雷射輻射產生交互作用，將光束中的一 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1243405

微小部分轉換成具有長波長之冷光輻射LR。投影透鏡元件 ίο的材料大致上被冷光輻射lr所穿透。在雷射源LA的例子 中’冷光輻射的振幅正比（線性或幾乎線性）於投影光束PB 之雷射脈衝的脈衝能量。偵測器131，12對冷光.輻射]111感光 並產生輸出電流，透過此種方式，投影光束雷射脈衝的振 幅能藉由偵測器11，12的輸出電流加以測得。由於晶圓接 近且直接位於光學路徑上、投影透鏡元件1〇的下方，此種 量測亦可取得晶圓上曝光劑量的指示。 無娜投影光束P B通過投影透鏡元件1 〇的位置為何，皆可 作為冷光源。如圖2所示，冷光源的位置與發光模式有極大 的關係，亦即，通過投影光束PB及透鏡元件1〇的密度分 布。為了避免此一偵測訊號變動的潛在源，可設置一顆以 上的偵測器，例如圖2使用之一對偵測器11，12。然而，根 據本實施例，採用圖3的配置方式可獲致更令人滿意的結 果，其中將一圈8顆的偵測器11-18設置在投影透鏡元件1〇 之圓周的外圍。 線20，21顯示環形電路，用來並聯全部的偵測器11-18。 此種配置方式可加總來自偵測器11-18的訊號，藉以產生整 體感測訊號。 實施例2 除了偵測器以反射元件30-3 8(將冷光輻射導至單一偵測 器39)取代之外，圖4基本上顯示I與圖3相同的配置。投影透 鏡系統的内壁40亦具有反射性，與反射元件30-38結合，形 成反射輻射導引。如圖4，一顆特殊的反射元件36接收來自 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

裝 訂

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五、發明説明（12 ) 射，將輻射環繞導引至偵 為了清楚，由其他反射元 ’但其導光路徑僅以箭號 透鏡元件10之楔形區42的冷光輻射 測區39(如圖顯示的斜線區44)。 件所引導之冷光輻射則加以省略 方向表示。 可使用如光纖等其他適合的輻射導引，將來自投影透鏡 元件ίο之不同區的冷光輻射導到單一偵測器39上。 實施例3 如圖5 ’除了從透鏡罩5〇(結合氣體淨化機器）的外部觀察 來自投影透鏡元件10的冷光輕射LR之夕卜，此實施例與前述 實施例之各方面皆相同。此種方式簡化了冷光輻射偵測器 的女裝並增進了後續的易使用（操作）性。 雖然在圖5中顯示如同第一實施例之偵測器n&12，亦可 採用上述第一實施例之方式，利用徑向導引及單一偵測器 取代。 在第三實施例中可看出，冷光輻射感測器系統設置在投 影透鏡元件10的前方，接近晶圓W的位置（不同於圖3及圖4 中’與技衫透鏡元件1 〇設置在同一平面）。感測器系統偵測 由最靠近晶圓W之投影透鏡元件10表面所發出的冷光輻 射。當然，藉由適當的輻射導引及/或反射元件，偵測器或 感測器系統的偵測器可設置在透鏡罩5〇的外側。 在本發明之上述的實施例中，在曝光時，來自冷光輻射 感測器系統的訊號可整合所有的脈衝訊號以產生整合的感 測訊號，藉此取代使用個別的脈衝。另一種方式是，將計 算後的輻射劑量儲存在記憶體中，藉以保存由先前脈衝所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明（13 ) 傳送過來的輻射劑量歷史紀錄。既然基板上既定目標區域 的曝光是由一連串脈衝傳送過來的輻射劑量來進行，使用 先前的脈衝歷史（組成目前曝光）以便對後續曝光之脈衝做必 要的校正。在任何情況下，對計量控制之任何必要的校正 及調整是有用的。舉例，藉此調整輻射源LA的密度，調整 快門開啟的時間，調整位在發光系統之孔徑平面的虹膜開 啟程度，調整脈衝反覆率，調整步進-及-掃描設備之掃描速 度，或這些參數之適當組合。 此外，除了發光系統的能量感測器之外，亦可使用冷光 輻射感測器，兩者皆可支援劑量控制。冷光輻射感測器能 提供在曝光期間關於晶圓表面周圍有用的資訊。舉例，在 掃描期間，能使用冷光輻射感測器來微調雷射脈衝的設定 點。再者，投影透鏡元件的冷光能隨著時間（尤其是隨著長 的時間距離，例如透鏡壽命）來變化。這些參數可含括在微 影投影設備的劑量控制設定中，藉此補償由感測器測得之 冷光輕射的飄移。 雖然上面已有對本發明之實施例作一說明，應能理解本 發明仍可做其他各種實施。本發明不受上述實施例限制。 元件符號對照表 10 投影透鏡元件 11-18偵測器 - 20,21晶圓二 30-3 8反射元件 39 偵測器 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1243405 A7 B7 五、發明説明（14 ) 40 内壁 42 楔形區 44 斜線區 50 透鏡罩 AM 調整裝置 CO 聚光器 Ex 光束擴大器 IF 干涉量測裝置 IL 發光系統（發光器） IN 整合器 LA 源 MT 光罩平台 MA 光罩 P 投影光束 PB 投影光束 PL 投影透鏡 W 基板/晶圓 WT 基板平台 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

124348591 102445號專利申請案 /tit」$ 中文申請專利範圍替換本(92年2月）您 3^: Do . / 〆 六、申請專利範圍 1. 一種微影投影設備，包括： 一用以提供輻射投影光束之輻射系統； 一佈圖裝置，用來根據想要的圖案對投影光束佈圖； 一用以保持基板之基板平台； 一投影系統，將佈圖後的光束成像在基板的目標區 上， 其特徵進一步包括： 一感測器，用以偵測該投影光束通過該投影系統後所 產生之冷光輻射。 2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中配置該感測器用以偵 測來自該投影系統其至少一透鏡元件所產生的冷光輻 射。 3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中配置該感測器用以偵 測來自該投影系統其至少最接近基板平台之透鏡元件所 產生的冷光輻射。 4. 如申請專利範圍第1，2或3項之設備，其中該感測器包括 至少一偵測器。 5. 如申請專利範圍第4項之設備，其中各個偵測器提供有輻 射導引，用以將冷光輻射引導至各個偵測器。 6. 如申請專利範圍第5項之設備，其中該輻射導引包括至少 一反射元件及光纖。 7. 如申請專利範圍第5項之設備，其中各個偵測器遠離該投 影系統。 8. 如申請專利範圍第4項之設備，其中各個偵測器包括光二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405

極體或光數增倍管。 如申睛專利範圍第4項之設備，包括多顆偵測器及一用來 加總偵測器輸出的裝置。 〇· ^申睛專利範圍第1，2或3項之設備，其中該感測器包括 夕顆裱繞在該投影系統之一透鏡元件四周的γ貞測器，用 以伯測來自透鏡元件的冷光輻射。 u’ T申請專利範圍第1，2或3項之設備，其中該感測器包括 夕顆環繞在該投影系統之一透鏡元件四周的反射元件， 將來自透鏡元件的冷光輻射導到單一偵測器。 12.如申請專利範圍第i，2或3項之設備，其中該感測器包括 至少一偵測器，用以偵測最靠近基板平台之投影透鏡元 件表面所發出的冷光輻射。 如申印專利範圍第丨，2或3項之設備，進一步包括一積分 器’用以積分該感測器隨時間的輸出。 14.如申請專利範圍第V，2或3項之設備，進一步包括一控制 ‘為，對該感測器的輸出做出響應，用以控制在一次曝光 動作中，由該投影光束所傳送過來的劑量。 5 ·如申叫專利範圍第丨，2或3項之設備，其中該輻射系統適 合提供該投影透鏡具有波長小於2〇〇 nm的輻射。 以如申請專利範圍第丄，2或3項之設備，其中該投影系統包 括至少一利用氟化鈣及石英製成透鏡元件，其中該冷光 轄射之發光是在可見光譜内。 .如申吻專利範圍第1，2或3項之設備，其中該佈圖裝置包 括用以保持光罩之光罩平台。 -2 - t紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格~ 1243405 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 18. —種裝置製造方法，包括步驟： 提供一局部覆蓋有一層輻射感光材料之基板； 提供一使用一輻射投影系統之輻射投影光束； 使用佈圖裝置對投影光束提供截面圖案； 將佈圖後的輻射光束投影在該基板上位於輻射感光材 料層上方的目標區上， 其特徵在於下列步驟： 偵測該投影光束通過該投影系統所產生的冷光輻射。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）