TWI238082B - Method for fabricating three dimensional structures - Google Patents

Description

1238082 玖、發明說明： 【相關申請案之交互參照】 曰申請之美國專利申請案 其整個揭示内纟併於此做 本發明案是1 999年12月 第09/457,173號的部分接續案 為參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明概括而言係關於 關於使用姓印術之一層接一 法。此種結構包括多孔性三 成外來物體囊膜並且增加相 性和暫時性植入的醫療裝置 衣造三維結構的方法，尤其係 層的過程來製造三維結構的方 ^結構，其係用⑨想、要減少形 鄰血管形成的應用，例如永久 〇 【先前技術】 具有生物組成之可植入的醫療装置乃用於多種目的， 例如體内的化學感應器、受控制的藥物釋放系統以及用於 細胞療法之生物混成的人工器官。舉例而言，參見Co 1 ton 的「可植入之生物混成的人工器官」（Implantable Biohybrid Artificial 0rgans)(4 Cell Transplant j 415-36，1 995年）。所有這些裝置的共通需求就是經由周圍的 軟組織讓大和小分子能夠適當地灌注進出血流。發展用於 這些用途之裝置時的一個嚴重問題則是在植入裝置周圍形 成了無血管的纖維狀囊膜。囊膜由以下所構成：（1)位在材 料一組織界面的一層巨噬細胞和/或外來物體巨細胞’其 1238082 由（ii)最高達100微米厚的無血管區域所覆蓋，該區域包 含嵌埋於膠原基質的多層纖維母細胞，此區域轉而由（iii) 血g和纖維母細胞區域所覆蓋，該區域乃位於鬆鬆連結的 組織基質中。參見Spector等人的「對於生物材料的局部 、、且織反應」（The Local Tissue Response to

Biomaterials)(5 Crit. Rev· Biocompat ， 269-95 ， 1989 年）。此囊膜在血管系統和裝置之間產生了額外的擴散距 離。此外，組織囊膜本身的傳輸性質可能就不良，如穿過 形成於老鼠皮下植入的矽膠上之纖維化組織囊膜的葡萄糖 滲透測量所證實的。通過此囊膜的有效擴散係數估計要比 在水中的數值低一到兩個數量級，參見Freeman等人的「 葡萄糖通過老鼠囊膜之大量傳輸阻力的研究」（A study of the Mass Transport Resistance of Glucose across Rat Capsular Membranes)(110 Mater. Res. Soc. Symp. Proc. ’ 773-78，1 989年）。此種養分和氧減少擴散透過外來物 體纖維狀囊膜，對於植入生物混成的人工器官之組織的存 活能力和/或功能有負面的影響。

Brauker發現當皮下植入某些特定的微孔性材料時， 由於其型態和微觀結構，會在與宿主組織的界面處引發永 久性的新血管形成。參見Brauker等人的「薄膜微觀結構 所導引之合成薄膜的新血管形成」（Neovascularization of Synthetic Membranes Directed by Membrane Microarchitecture)(29 J. Biomed. Mat. Res. 5 1517-24 ，1 995年）。此結果係以多樣之製造方法（包括溶劑蒸發和 1238082 風毖）使用夕種聚合物所做成之薄膜而觀察到的。多變之化 成的薄月吴皆觀察到此種行為的事冑，則顯示微觀結構（ 而非化學組成)在刺激巨噬細胞遷移和新血管形成方面是極 :要的。光學顯微的觀察顯示引發新血管形成的材料具有 工隙或開口 ’其允許宿主的炎症性細胞(inflammatory cell :例如單核白血球和巨嗟細胞）入侵薄膜。此外，—旦在薄 朕裡’許多這些細胞維持著非平坦的型態，並且不會附著 於材料之極薄的結構性組件。覆蓋著界面處之血管系統的 纖維狀囊膜也可能形成於這些材料的周圍mi觀察到 產生厚的纖維狀囊膜而在材料—組織界面沒有新血管形成 的材料’其空隙太小致使宿主的炎症性細胞無法侵入，或 者其空隙對於實質上所有入侵薄膜的宿主細胞而言都夠大 而此附著亚平坦於材料的内部結構性組件上（後者提供夠 大的内β面積供細胞附著）。Brauker概略地發現當薄膜孔 洞的名義尺寸為大、約].〇微米或更大時，炎症性細胞的穿 透有所增加’並且相鄰於薄膜的血管結構有所增加。 再者Padera不範了植入的第一週裡於薄膜微觀結構 ㈣動之新血管形成過程中發生的主要情況。參見 寺人的「薄膜微觀結構所驅動之新血管形成的時間進程」 (Time Course of Me.brane Microarchxtecture-Dnven Ne〇VaSCUlariZati〇n)(17 —materials，277-84，1 996 年 )植入一天之後，佰主的炎症性細胞遷移至薄膜中。它 們的數量增加了七天，再維持固定不變21天，並且在挪 π 4大約減J 了-半。在第—週的後植入期間，隨著時間 7 1238082 增加，發現血管愈靠近材料— .^ 、，且織界面。三天後血管首先 抵達界面，接著十天快速地增加， …灸緩忮增加21天。21 後直到11個月（pacjera的實驗 ,^ ^ J男驗維持時間），緊密的血管 、、、口構在界面處的密度實際上維持 U疋不受。纖維狀囊膜早 在七天的後植入就開始形成，並 ,.^ 且囊膜繼績成熟，直到纖 、准母細胞死亡或遷移離開而留下幾 的膠原基質為止。 Μ非細胞組成之類似苑 這些結果與正常傷口癒合所見的情況進程相關。在正 常的傷σ癒合中’冑24〜48小時裡，嗜中性白血球是傷口 處之主控的細胞類型，其殺死和吞嗤任何存在的細菌。此 後巨嗟細胞變成主控的細胞’其從此區域移除細胞的和外 來的殘骸。在三到四天裡’纖維母細胞從周圍的連接组織 遷移出來進入受傷的區域’並且開始合成膠原，其快速地 填充受傷的空間。此時新的血管開始長入此區域，以供應 傷口中新陳代謝活躍之纖維母細胞和Η細胞所需的氧= 養分。正常傷口癒合和薄膜微觀結構所驅動的新血管形成 之間的重要差異在於：在正常傷口癒合中，血管在第二週 開始退回，但是在薄膜微觀結構所驅動的新血管形成中， 血管保持在界面處。雖然成熟的疤在正常傷口中是無血其 的並且非細胞組成的，但是在薄膜微觀結構所驅動的新血 管形成中，許多血管仍堅持留在其他大大地非細胞所組成 之疤中的材料一組織界面。此種堅持相鄰的血管結構對於 維持供給人工器官裝置之生物組件的養分和氧會有幫助， 也因此對其存活能力有所助益。 1238082 -些示範新血管形成之微觀結構效應的初 使用其表面結構尺寸和間隔係隨機產生的薄膜，=乃 不結構。共同擁有的美國專利第“Ο?， 二 二：併於此做為參考)描述了 -種用以握持活細胞: 形衣成的（miW)fab⑽ted)多孔性層狀 = ::狀的多㈣物所組成，而具有㈣定之週I::: ^雖h些結構在其層合的二維平面中是規則的，但日 匕們在弟二維平面中是不規則的，有時是壓縮的。此造 界定較不好的結構，其中某些間隙被聚合物網的股線阻矜 於相鄰層之外。雖'然也發現這些結構在植人動物時_般: 在結構/組織界面處促進新血管形成，但是「被阻擋的」曰 (blocked)間隙並不允許炎症性細胞入侵結構的那些部分。 美國專利第5, 797, 898號揭示可植入的微晶片藥物傳 遞裝置，用以控制多種化學物質和分子的釋放速率和時間 。雖然先前技藝中的其他系統和方法則揭示了一般用於植 入之生物相容的結構，但是未能揭示可以精確形成於多維 的結構。舉例來說，某些先前技藝的技術依靠生物相容的 發泡體以製造可植入的結構。對於某些應用而言，此種結 構已經足夠。然而在其他的應用中，精確控制各種内部的 結構維度是很重要的，而此種發泡體提供的維度控制並不 夠0 由Pekkarinen和Brauker所共同受讓的美國專利申請 案第09/731,486號（2000年12月7日申請，此後稱為 Pekkarinen等人的申請案）揭示了一種多孔性三維結構， 1238082 其係用於想要減少形成物體囊膜並且增加相鄰血管形成的 應用。Pekkarinen等人的申請案反映了對上述技藝的實質 改良。Pekkarinen等人之申請案的整個揭示内容併於此做 為蒼考。 此技藝中也已經知道使用快速原型法和立體蝕印技術 來產生二維結構。一種先前技藝的方法牵涉到對每一層樹 脂的廣範圍曝光都產生一遮罩層，並且需要大而複雜的機 器。其他做法則使用所謂樹脂的「雷射寫入」（laser — writing)來產生每一層，並使產生的層下降以容納下一樹 脂層。然而這些先前技藝並不允許對於層的厚度和層的特 徵解析度（例如相對於反射於該層中的二維圖案而言）有足 夠控制之一層接一層的製造，以製造類似於pekkahnen等 人之申請案所揭示的結構。 【發明内容】 雖然Pekkarinen等人的申請案所揭示和請求的發明代 表了此技藝的實質改良，但是想要有進一步的改進。舉例 而口 乂不同的做法來製造類似於Pekkarinen等人之申請 案所述的結構，乃認為是有利的。一種這類的做法包括減 少必需的製程步驟數目。此外，有額外層的改良也可能是 心要的以—維控制和三維控制兩者而言，其他的改善包 栝對敢終結構提供較大的控制。 簡5之，就某一方面來看，本發明關於一種製造具有 至少第一層和第二層之三維結構的方法。此方法包括提供 1238082 基板層。可光影像化（photoimageable)之材料的第一彼覆 乃施加於基板層。製備第一遮罩，其具有對應於所要製造 的三維結構之第一層的圖案。可光影像化之材料的第一彼 覆以曝光來源透過第一遮罩而曝光，如此提供三維結構的 第一層。可光影像化之材料的第二披覆施加至次於三維結 構的第一層。製備第二遮罩，其具有對應於所要製造的三 維結構之第二層的圖案。可光影像化之材料的第二披覆以 曝光來源透過第二料而曝光，如此提供三維結構的第二 層。该第-和第二披覆並非對應於三維結構之層的區域則 加以顯影和移除。 — …π 个贯明關於一種製造具有至少第一 層和第二層之三維結構的方法。此方法包括提供基板層 可ί料化之材料㈣—披覆乃施加在次於基板層的位j :遮罩’其具有對應於所要製造的三維結構第一 :置弟—㈣的圖案。第—披覆以曝光來源透過第一 化之材料的第-二Γ 少第一部份。可光影. 0弟一披復施加至次於第一層。製 其具有對應於所I制1M f弟一遮罩， 的圖案。第二=結構第二層之至少第-部伤 形成第曝光來源透過第二遮軍而曝光，如此 部份。應用顯影過程1移除可光 -象:匕之材料並非對應於第一和第二層的區域。 就又-方面來看’本發明關於 之結構的方法。此，士槿勺4“ 、用於植入宿主 第-和第二層，並三維結構1具有至少 亚且尺寸和造型做成能產生炎症性外來物 11 1238082 體反應。第-和第二層當中至少一者具有多個開口，其尺 寸做成能允許宿主的流體和炎症性細胞通過該開口而遷移 至多孔性三維結構的内部體積#，並且其尺寸#立成能促進 炎症性細胞之非平坦的型態。當植入宿主時，豸多孔性三 、准、-構促進相鄰於該結構的血管形成。此方法包括提供建 冓矛女排成植入佰主之微形製成的醫療植入裝置。微形製 成=衣置包括基板層，其上可以製造多孔性三維結構。可 光影像化之材料的第-披覆乃施加於基板層。製備第-遮 罩，其具有對應於所要製造的三維結構第一層之至少第— 部份的圖案。第一披覆以曝光來源透過第一遮罩而曝光， “匕：成弟—層的至少第-部份。可光影像化之材料的第 一披覆施加至次於第一層。萝 所I制、土 μ 衣備弟—遮罩，其具有對應於 的三維結構第二層之至少第_部份的圖案。第二 皮设以曝光來源透過第- 至φ笛一都八曝先，如此形成第二層的 一 -弟一邛伤。應用顯影過程， 並非對應於第一和第二層的區域。…心像化之材料 就再一方面來看，本發明關 維处槿m 不知月關》《造具有多層之三 ϋ冓〇方法。此方法包括提供基 的第_拙费穴#丄各 败了先影像化之材料 … 在次於基板的位置。製備第-遮罩，1 :輪於所要製造的三維結構多層當中一層之至少第： 口知的圖案。第一披覆以曝光來源 如此形成多層當中-層的至少第-部：第曝光， 來源曝光之後，可光影像化之 ：：披復以曝光 第-披覆。第二披覆權來源透過第：:二至次於 、昂遮罩而曝光，如 12 1238082 此形成多層當中一層的至少第二部份。 就其他方面來看，本發明關於根據在此所揭示之方法 所製造的三維結構，包括具有多孔性三㈣構之生物相容 的結構’纟尺寸做成當植人宿主時能促進相鄰於該結構的 血管形成。就某-形式而言，此結構也包括結合該三維結 構的植入裝置，如此使得三維結構促進相鄰於該植入裝置 的血管形成。 另外可以選擇的是本發明可以包括各種其他的裝置 方法和系統。 在此之後，其他的目的和特色部分會是顯而易見的 部分則會加以指出。 【實施方式】 概括而言，美國專利申請案第09/457,1 73號（其併於 此做為芩考，並且本案主張基於此的優先權）揭示微孔性 過濾薄膜以及製作此種薄膜的方法。更特定來㉛，此案揭 不一種過濾器’其具有單獨整體的聚合性過濾層（包括微 米寺級之精確造型的孔洞）以及聚合性支承層。當中揭示 的多種製作過濾薄膜之方法的一種乃包括將第一層聚酿亞 月女錠轉塗覆於矽晶圓上。此第一層透過遮罩而暴露於光源 ，该遮罩界定出微米等級的孔洞或支承結構當中一者的圖 案。之後將第二層聚醯亞胺旋轉塗覆於第一層上，如此以 於其間產生界面。第二層然後透過遮罩而暴露於光源，該 心罩"疋出被米專級的孔洞或支承結構當中另一者的第二 13 1238082 案。從第-和第二聚醯亞胺層移除選 出微米等級的孔洞和支承結構。將 —以界定 -起硬化，如此以移除其間的界面，並：：：：酿亞胺層 過濾層〜支承結構。 生早獨整體的 現在參見圖式，圖丨是根據本 r孔三__分立體圖。此種、:=暫= 此二產生炎症性外來物體反應，而 具有第( :、：/;力物。圖1所示範的範例性結構 八有弟一樑桁^厂化幻層12、第二栂柄 -和第二樑桁層12、14的柱層16。 θ卩及連接第 在所示範的具體態樣中，每一樑衔層12 開口 18、2°。在-具體態樣中，每-樑衔層的門：： 於其他樑桁層的開口，並且柱声j ，口乃技準 都柱層16的母-根桎子在長度上 ::::二:的尺寸和造型乃做成能允許宿主動物的 二==過該開口而遷移至多孔性-維結構的 内^積裡。雖_丨示範概略方形的.， 會到開口可以具有其他形狀，包括均勾的和不均一句：：： 外，也可以使用不同長度和形狀的柱 椅層有時也可以稱為❹（⑽fiQld) / = 了㈣㈣ 勹厲木Ucaiiold)。在所示範 :中，柱r6的每一根柱子具有實質相等的長度，並 貝上垂直疋位於每-樑桁層12、14，藉此界 實質對稱的結構。 牡一.，隹上 在一具體態樣中’開口的尺寸乃做在公差中，例如揭 示於P—等人的申請案者(美國專利申請案第 14 1238082 圖5〜9是根據本發明諸方面來製造多孔性三 如圖1和4所示範的結構)之方法的示意圖。圖5 造具有兩個標街層(在圖”概括以參考數字I: 不）和兩個柱層（在圖9中概括以參考數字Ml 日 之範例性多孔三維結構的步驟。 曰/、 一飪厣Μ Ώ 5和6不乾關於製備第 柱層56的有關步驟。圖5顯 滿Ft。岡β π — 弟柱層56的一個截面 視圖圖6頭示第一柱層56的俯损 樑街層52、54和第二柱声58 ；^圖7和8示範添加 個截面視圖，而圖8干=Γ其圖7示範此結構的-㈡而圖8不減弟二樑#層54來看的俯視圖。 :、该理解到關於每一層的基本步驟大致是相同的；在此如 而要則會时論製備接續層之間的差異。 圖5所不，多孔性二維結構開始於基板層⑼。在一 具體態樣中’基板層6〇包括梦晶圓，例如適合用於半導^ 製程的晶圓。其他的基板材料例如包括玻璃、石英和^ 。料優^容易以具有極佳品f特性（例如極度平坦）的 □形式來U于。使肖石夕的另—個優點在於微機電系統 (micro仏咐㈣㈣抓㈣洲⑽，随）裝置可以做在 土板中（例如伴&著二維結構）。石夕也具有原生的氧化物 ’其可以在基於氫氟酸的溶液中蝕刻，藉以簡化處理。然 :當使用非石夕材料做為基板時，可以在結構層和基板之間 提供-或多個犧牲層。犧牲層允許餘刻或其他的技術，而 能使製造出來的結構釋出。 一層可光影像化的材料乃以此技藝中所知的多種方式 力方' 基板層6 0 (或犧牲層）。如果結構是預定做為醫療用 16 1238082 途，例如植入宿主，則可光影像化的材料最好包括政府認 可之生物相容的材料。舉例來說’在一具體態樣中的生物 相容之可光影像化的材料包括認可的聚醯亞胺，其係以旋 轉塗覆的方式施加在基板層6Qjl，達到對應於所要製造之 層（例如柱層56)高度/厚度的肋厚度64。肋厚度一般是指 層厚度。 HD M1Cr〇Systems，LLC提供一系列之可光界定的 (Photodefmeable)聚醯亞胺產品，適合用於本發明某些方 面，其具有多種製程參數以及顯影和清洗溶液。舉例：言 ’以PI 2770系列來販售的產品包括負色調材料，其使用 ^線或I線曝光，並且在氫氧化四甲基銨（雇心容液中顯 影，而以水清洗。PI 2770系列的典型膜厚是在4〜9微米 左右可以在凝轉塗覆期間調整基板的旋轉速率從小於大 約1 000RPM到大約6000〜7000RpM，而由相同等級的產品得 到此範圍的厚度。典型的旋轉是在6〇秒左右。肋 Microsystems也提供負色調的273〇系列產品，其適合用 於本發明諸方面。2730系列產品允許從大約丨微米到大約 12彳政米的膜厚，並且使用G線曝光，而以可得自dE 9〇4〇 的產品做溶劑顯影，接著以可得自RI 9180的產品來清洗 。其他的產品線包括正色調之可光界定的聚醯亞胺材料， 例如HD 8000和肋8001。如上所示，當用於醫療用途時 ’例如植入宿主，則可光界定的聚醯亞胺包括政府認可之 生物相容的材料，其結構類似於在此所討論的範例性材料 17 1238082 广W化學公司提供非聚醯亞胺之可光影像化的聚合物 產°口商標為CYCL0TENE，其可以用於本發明某些方面。 ArCh化學品公司提供商標為麵IMIDE的產品，包括7_ 矛7800系列的產品，其亦適合用於本發明諸方面 〇 G線曝光包括435奈米波長的曝光來源。I線曝光包括 365奈米波長的曝光來源。超過35〇奈米的曝光來源一般 視為UV來源。在150〜3〇〇奈米等級的曝光來源一般視為 DUV來源。 聚醯亞胺的塗覆（也就是旋轉…等等）和其他特定的製 程步驟可以使用多步驟系統來完成，例如MTI targetrack 系、、先’其可知自紐澤西州parsi卯的Machine Technology 公司。 為了製出有興趣之層的所要結構特徵，乃製備遮罩66 。遮罩66具有對應於所要製造的層之截面的圖案。舉例來 °兒§製備柱層時’遮罩6 6最好包括一系列的方形和/矩 形圖案，其在尺寸和形狀上對應於所要柱子之最小的兩個 、'隹度。在一具體怨樣中，遮罩6 β包括具有鉻層之做出圖案 的石英遮罩。製備適當的遮罩66後，遮罩66則定位在晶 圓6〇和曝光來源70(例如在350奈米或更大之等級的υν 曝光來源，或者在大約150和300奈米之間的Duv曝光來 源）之間，而離可光影像化的材料層62(例如聚醯亞胺）有 丰又距# 68。遮罩66允许UV或DUV光只曝光可光影像化 之材料62的部分72。由於曝光的結果，可光影像化之材 18 1238082 料62的曝光部分72變成交聯的。如底下更詳細地解釋， 可光影像化之材料62的未曝光部分稍後以顯影過程加以移 除，而不會移除交聯的材料。 對於給定層的曝光長度（在此有時稱為曝光時間）係包 括表所要建造之結構的製法條件中。—般來說，曝光時間 包括考慮所要製造的層厚和所使用之可光影像化的材料。 由方、得孤方、本揭不内容，現在應該了解到關於曝光時間所 需的精確度可以多冑，依據所考慮的層而定。舉例而言， 樑街層曝光太長可以導致「穿透」（penetrating)到較低/ 軚早層（例如較低之柱層的未曝光部分）以及使可光影像化 的材料曝光自較低/較早層，因而使目前樑桁層的厚度增 加超過目前可光影像化之材料的厚度。另，，例如圖 1和7所不耗的對稱結構，柱層過度曝光的後果較不嚴重 :因、為過度曝光單純抵達具有相同形式的前一層中(也就 是說它不會有害地衝擊最終的結構幾何）。事實上，在某 ·-用中曝光「抵達前一層中」（reaching into a P i〇r layer)可以是想要的，因為它允許交互顯影至之前 的層曝允許柱子被交互顯影至之前的層）。 關於此點，已經以與「負色調」（negative tone)材料 (有4稱為負光阻或不可溶的光阻）—致的詞來描述可光影 ::的材’斗62。使用負光阻，則曝光和顯影期間形成的圖 :是遮軍圖案的相反（負的影像），如® 5〜9所示範的。此 卜負光阻的曝光部分變成實質上較不溶於顯影溶液。因 此’負光阻層的曝光部分在顯影之後仍會留下。 19 1238082 正色調材料（例如正色調的聚醯亞胺）也可以用於本發 明諸方面。使用正色調材料（有時稱為正光阻或可溶的光 阻），則曝光和顯影期間形成的圖案是遮軍圖案的「影像 」（image)。因為正弁阳|雨 *路於輻射來源（例如Uy或DUV來 源）之後可溶於顯影溶液，所以在顯影期間會移除曝光的 部分。 此外，如果使用正色調之可光影像化的層，則標析層 過f曝先早純造成開放區域過度曝光，而不會在結構中引 起嚴重的不良後果(除非過度曝光很嚴重）。但是欄柱過度 1::以導致材料自所要保護的前-層曝光掉。據此，由 於传ϋ於本揭示内空日—& 一 、 見在應该了解到在此以負光阻所揭 示和彳田述的方法可以適用於正光阻材料。 同時’雖然前面的敘述牵涉到每一層一 =的方案’但是基於多種理由，每一層/曝光也可以 個遮罩。舉例來說，一層可光影像化的材料可以旋 ::復上去(例如5微米厚），並且透過第-遮罩而曝光， 生攔/柱―。之後，第一遮罩可以由對應於標街圖案（ 主子）的第二遮罩所取代。相較於該材料的第一曝光 看二’如果材料以減少的劑量(以曝光能量和/或時間來 區：過第二「樑桁」遮罩來曝光，則可以形成包括樑街 能^和柱子區域兩者的單一層。對於某些格子結構的具體 心枚而言，乃偏好此種做法。 圖6 7F乾才主層56的俯視圖’其包括由於Μ(或刪）曝 %所交聯的材料。 20 1238082 應該了解到額外已知的製程步驟常常是有用的。舉例 來說，此技藝中已知將一薄層的附著促進劑施加於基板， 以幫助聚醯亞胺在旋轉塗覆期間黏著。 圖10A〜10C是根據本發明諸方面來示範製造三維結構 的範例性方法之相關步驟的流程圖。目⑽適合根據 圖5〜9所示範之過程來製造三維結構的方法。在方塊1〇2 提供適合的基板層60(例如矽晶圓）。在方塊ι〇4，生物相 容之可光影像化材料62(例如聚醯亞胺)的第一披覆乃施加 於基板層6G。製備第—遮罩，其具有對應於所要製造的多 孔性三維結構之第—層（例如柱@ 56)的圖案（方塊⑽）。 在方塊1G8’第-披覆透過第—遮罩而暴露於μ(或顺） 月έϊ，以使可光影像化之材_ 62的曝光部分交冑。之後在 方塊110〜m，為了所要製造之三維結構的第二層(例如樑 街謂和任何後續幾層，大致上重複此過程。在方塊ιΐ8 ，任何留下之聚醯亞胺的去g止 ^ 妝的禾曝先區域乃加以顯影和移除。 視需要可以選擇使用超音波授動，以幫助顯影過程。在方 塊120 ’硬化所製成的結構，並且從基板層60釋放。當使 用_能量時’此方法可以稱為DUV #印法。 應該理解到如果想要的話可以採用額外的處理步驟。 舉例來說’軟性硬化（有時稱為部分硬化或軟烤）可以應用 於每一層之間或者某些選定的層之間。此顯示於圖10A的 ^ K以虛線顯不）。此種在曝光前進行於可光影像化 之材料上的軟性硬化， 智 乃專助赶走夕餘的溶劑，並且傾向 減 >、材料在曝光前於晶圓主 尤引方、曰曰B表面上位移的機會。材料位移可 21 1238082 以造成層厚的不均勻，而劣化钮印法的結果。軟性硬化也 可以幫助適當地一起形成諸層，藉此改善最終結構的整合 性。雖然圖ίο示範的軟性硬化只發生一次，而為第二層處 理的一部份，但是軟性硬化也可以用於每一層。 當想要時，可以在熱板或類似裝置上進行大約 ^類(例如訊)、大約i分鐘的軟烤。真正的溫度和 時間會有所變m據例如所用的材料和彼覆的厚度而 定。最終的硬烤（最終的硬化）則在35〇〇c左右進行一小時 或更久（例如二小時）。可得自商標4 blue M的一種烤箱係 t合此種硬烤。最終硬烤的溫度乃選擇高於《亞胺的玻 璃轉變溫度，並且會將諸知— s將渚層拉在一起成為單獨整體的樣品 。舉例而以此種最終烘烤來-起處理兩層分別施加的 聚醢亞胺’則無法分辨兩層之間的界面。如上所述，献板 和聚醯亞胺的塗覆（也就是旋轉...㈣）可以使用多步驟夺 統來完成’例如MTI TARGETRAGK f、統，其可得自紐澤 ParSippany 的 Machine Techn〇1〇gy 公司。 如上所述，第一層之後的每— 步驟所製造。換言之，在」/ 致重複相似的 .在疋成一層以後，如果想要有另一 層，貝"“口可光影像化之材料的另 > 、 對應於所要製造之屏古声/ 是（也就疋鉍加成 罩並且定位度的肋厚度），冑備另一遮 罩亚且疋位於曝光來源和可 光影像化材料的多個部分透 、才料之間’亚且可 的材料而定曰显 ·〜罩而破UV(或DUV，視所用 的材枓而疋)„曝光所交聯。添 製備額外結構層的過程㈣稱為Μ / 材料以 ”、、曰σ 。如果後續層不同於 22 1238082 月❼層則使用不同的遮罩。舉 的遮罩具有對雁_ u ’用於製備樑桁層 备夕iiS於樑桁層視圖（例如圖8所示者）的形式。 -或：二“生：维結構的後續層是要實質上等同於之前的 些應用二者：：相似層最好使用相同的遮罩。然而在某 时… 有所差異。舉例而言，相較於圖Η 的摩巳例性結構决善 形狀的結構。者广明方法可以用於製造具有更複雜 給每一 財慮此種差異的方式是提供特殊的遮罩 。然而，㈢，以在此種層之間達成所要的幾何特性差別 二而3種方式是使曝光來源(例如UV來源70)不對 …、e f〇CUS)。藉由不對焦，即使使用相同的遮罩，所得 “曰有不同於「相關層」（related layer)的幾何特性， 猎此允許使用比較少組的遮罩。 成所要數目層的層合和曝光之時，整個結構最好 二，以移除實質上所有未被暴露於UV能量（或DUV 里/^驷之生物相容的可光影像化材料（例如聚醯亞胺） …般“ ’顯影牽涉到將結構暴露於基於溶劑的溶液。 確切的_影方式和所用的溶劑類型一般依據所用之可光影 像化的材料而定。此種考量已相關於適合用於本發明諸方 面之，例性可光影像化的材料而討論如上。在一具體態樣 中超曰波授動幫助抵達結構深處角落的顯影。移除剩餘 之生物相谷的可光影像化材料之後，此結構最好加以硬化 亚且藉由钱刻樣品表面上的薄孰化物，將結構從基板層 60舉起刀開。在此所述方法的結果是製出三維的格子結構 ’其沒有在嚴峻的型態上處理後續層，此係先前技藝之方 23 !238〇82 法所需要的。其他的優點包括精確控制層厚（其轉而控制 “結構的諸層厚度）、實質上任何三維結構的微米和次 Μ米解析度以及比較少的處理工具。 圖10Β示範另一種製造三維結構之範例性方法的相關 步私。圖1 0Β在幾個方面係類似於圖i 〇Α。一般而言，圖 1〇β是要強調對於某些結構和/或層（例如高的柱層）來說 乃而要多次重複施加材料和曝光。此在圖丨中以方塊 1 32 142和方塊144〜148來顯示。舉例來說，高的柱層可 月匕而要施加幾次可光影像化的材料，透過相同的遮罩將每 一次施加的材料曝光，以便產生具有所要高度的柱層。 在某些情況下多次重複可能是有用的一個原因在於典 型之可光影像化的材料產生大約2:1或差不多的高寬比= +例而。直徑一微米的柱子乃良好界定成大約2微米 的南度（層厚）。然而，在此所揭示的發明方法藉由使用一 層接一層的做法而允許解析度超過2 :丨。因此，例如使用 本發明，可以達成大約8微米高、直徑大約丨微米的柱子 。對方；此種柱子來說，或可使用圖丨〇β所示範的方法，以 旋轉塗覆/曝光四層聚醯亞胺披覆，每層高度大約2微米 ，而得到一層8微米的柱子。 此外最終的硬化（例如圖1 〇A的方塊1 20和圖1 〇B的 方塊150)可以導致層厚的收縮。如果更精確的層尺寸對於 給定應用而言是很重要的，則可以比較厚的程度來施加諸 層可光影像化的材料，以補償收縮。 圖10C示範另_種製造三維結構之範例性方法的相關 24 1238082 步驟。圖10C在幾個方面係類似於圖10A和1〇β。圖i〇c 示範對於可光影像化之材料的第一披覆使用多個遮罩。此 例如示範於方塊1 66〜1 70。 本發明製造植入宿主之多孔性三維結構的諸方法，其 另外優於先前技藝之方法的優點在於本方法允許每一新層 變成與前-層交聯。此允許更加控制每一層的校準、可 改進最終結構的結構整合性以及藉此確保與宿主有更大的 生物相容性。校準標記對於改善多孔性三維結構諸層之間 的校準乃有用的。有可以得自積體電路工業的標準，例如 像是暗視野校準系統（dark field alignment sy伽， DFAS)。DFAS牵涉到一組標線以及内後於触印術而在所處 理之晶圓（例如基板60)外圍上的+和_標記，以提供校準袁 考點。 先則技藝的技術，例如今L客曰》iZ· J °千夕目刚的微機電系統（MEMS) 技術，傳統上製出的三維部件基本上是擠壓突出的二維圖 ^㈣之下’針對層狀製造之本發明的諸方面則允許簡 化的過程、提供更多層以及增加三維的彈性。相較於先前 技藝的快速原型法而言’本發明的層狀製程允許更精細的 解析度。舉例來說，快速原型化技術提供在1〇,〇微米範 圍的解析度。在此所揭示的層狀製程則提供微米等級的解 析度。舉例而言，以目前可彳旱的刺 曰月』!件的材枓和設備，層厚和側向 姓印界定可以向下達到大約〇·5微米。同時，隨著材料和 /或設備的進步，將來可能有更高的解析度。 本發明方法之諸方面的另外優點在於本方法使其本身 25 1238082 可與其他微形製成的裝置相結合。舉例來言兒，多孔性三維 結構yx結合例如感應器、、微形幫浦、微晶片醫藥傳遞裝 置::·等的植入裝置來製㊄。因此，本方法可以適用於在植 置上开y成生物相谷的表面/層，以藉由促使相鄰於裝 勺&形成而改善此種植入裝置植入宿主時的生物相 容性。在一形式中，乃製備三維的袼子結構（例如類似於 圖1和4所示範的），之後則施加至植人震置。簡單的施加 包括將兩種結構（也就是植入裝置和格子）結合在一起。更 複雜的施加包括整合兩種結構的底層（例如將格子直接製 作於上面製有植入裝置的同一個基板/晶圓上），或者在 製造期間或之後把格子包住可能的植入物。 圖11A是製造於與植入裝置（概括以參考數字料所指 不）共用基板92上之多孔性三維袼子（概括以參考數字9〇 所指示）的示意代表圖。在一具體態樣中，格子9〇的諸尺 度方面乃依據Pekkarinen等人之申請案的揭示内容來選擇 ，而當適宜地植入宿主時，可以促進鄰近於植入裝置94之 區域的血管形成。如上所述，植入裝置94可以包括一或多 個適合植入宿主的微結構’此種結構包括微形感應器、微 九桌4、微晶片％藥傳遞裝置和/或通訊電子儀器以及類 似者。在所7F範的具體態樣中，植入裝置94示意地表示成 具有流體胞格96之可植入的流體傳遞結構，流體胞格96 乃建構並安排以回應於控制器98的控制輸入而釋放流體（ 例如醫藥）。應該體會到由於本發明的好處，此種可以配 合多孔性三維結構來使用的植入裝置係多變而眾多的。 26 1238082 ^ μ丄 < 夕札性三維格子 的示思代表圖。在所示範的且妒 乾的具體恶樣中，植入裝置94乃事 亚且包括上面製造格子的基板。此種結構在最 終形式不需要舉起分開。 再长取 —要了解到在此揭示和描述的製造方法可以延伸於製造 額外的結構。圖12和13以示音沾π々乂 太菸明噹古 /、思的形式不範一種可能根據 本卷月堵方面所製造的結 菸日古二 更知疋來說，圖12是根據本 毛月5者方面而對應於圓 表圖。圖13是圖12所1…20°之三維結構的示意代 疋固12所不思地顯示之噴嘴的爆炸圖。 化的厂包括—系列㈣心其可以具有均勻或變 声接一声二層係以貫質上類似於有關圖5,所述之一 層接層的方式所製備。舉 使用具有環形圖宰的”二 《一層2〇4的製備乃 厚度乃對應於第—；9心α 之了先办像化材料的 都類似，而m S 的厚度。後續幾層的製備也 列的環狀圖係採旋轉塗覆，並且曝光於-系 致不斷減少的= +口疋不，史的外徑和大 大致呈圓錐形之 U大致呈圓柱形之外形和 v <貝通開口的結構。 在建構一 iJt ,

使用$ n a '、、°溝k，例如圓錐形喷嘴200，每一層可以 1更用不同的蝕印 ^ TU UV或卯V光）vr、 卜可以選擇的是曝光來源（例如 可以是聚焦/不對隹的 大/稍小的内抑 ，、、、的以達成®錐形之稍 備扭银 Λ。以此種不對焦的做法，每一迻罩可At制 備好幾層（例如 母k罩可此製 〜層h關灰此方面’不對焦會是相對於曝 27 1238082 光來源和遮罩之間所維持的 本务明之層狀製造技術的另外優點在於每一声 可以是獨立的，而在可光影像 、予又 尤〜傢化之材枓的施加和曝光劑量 方面/、有所要的調整。舉例來說，依據所要的，每— 不之可光影像化的聚醯亞胺和/或不同的旋 ι度以產生不同的厚度。 狀梦：=:之前的敘述，現在應該能體會在此所述的層 1=:來產生具有很多很多層的三維結構。當 隻”乃層的方式來進行’同時稍後才做顯影，列 後，，層乃凝轉塗覆(或者是層合)於實質上平坦的前—声上 。相對來看，先前技藝的技 θ 顯影)所產生的不平嗜上進 丁-孓心上進仃處理。此種在 型態上進行處理會使蝕印势 一的 乃因為在不平二1二 =:極為困難而不可行，此 導致較不均勻的層厚。此種均勻度的缺乏則引起聚：、)： 光和顯影的問題。此外，當 '、^ 多孔性社椹Β西/ 田層；疋很重要時（例如當製造 生、，、。構疋要促進植入宿主時形成血管） 均勻可能使結構不能用。因此， 、又、不 :明確可區別的優點，其不為先前技藝所知，以致可 过的層數極咼，並且提供較佳的血管形成。 、 最後，雖然前面的敘述和所附圖式係概 土 用於植入的獨立物件和小物 卜、、·’ 、k要 以放大的。舉例而言，揭示的方=在此揭示的方法是可 的三維結構。類似的，也可以以用於製造晶圓尺寸 以早一抵次來製造多個結構。 28 !238〇82 签於以上所言，可以看出達成本發 及得到其他有利的結果 、當f紹本發明或其較佳具體態樣的元件時，冠詞「一 Λ」辛 所s月的」（a、an、the和said)是指有一或 多個元件。「包括 .· ^ 」（comPrising、including)和「具有 (having)等詞是|古 八 」 其他額外^件。 括性的，意指可以有非所列元件的 偏離太於了此可以在上面架構和方法中做出多種改變而不 偏離本發明的範圍， 示的所右塞私B 上面敘述所包含的或者伴隨圖式所 7F々斤有事物是要解 °、成不靶性的，而不是限制的意思。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 ，圖Ϊ是根據本發明諸方面所製造之範 部分立體圖。 Η生一、准結構的 圖2是圖1所示範結構之 圄q日m Ί θ W砟分立體圖。 θ 3疋圖1所示範結構之第一層 體圖。 夕根柱子的部分立 圖4疋根據本發明諸方面所製造之一一 構的部分立體圖。 $ 一範例性三維結 圖5〜9是根據本發明諸方面來製造 如圖1和4所示範的範例性結構） =維結構（例 ρ, 1 Π Λ Β , ^ 去的示意圖。 1 疋根據本發明諸方面來示範 隹， 的範例性方法之相關步驟的流程圖—種製造三維結構 29 1238082 圖1 OB是根據本發明諸方面來示範另一種製造三維結 構的範例性方法之相關步驟的流程圖，其包括使用共同的 遮罩來製備多層。 圖10C是根據本發明諸方面來示範另一種製造三維結 構的耗例性方法之相關步驟的流程圖，其包括使用不同的 遮罩來製備一層。 圖 疋根據本發明諸方面而製造於與植入裝置共用 基板上之多孔性三維格子的示意代表圖。 圖11B是根據本發明諸方面而製造於植入裝置頂 之夕孔性二維格子的示意代表圖。 圖12是根據本發明諸方面所製 結構的示意代表圖。 贾爲之一維 圖：3疋圖i 2所不意地顯示之喷嘴的爆炸圖 (二）元件代表符號 各圖對應的參考符號表12 14 16 18 示對應的相同部件。 第一樑街層 第二樑桁層 柱層 開口 20

40 42 52 第三樑桁層 柱層 第一樑桁層 第二樑桁層 30 54 第一柱層 弟"一柱層 基板層 可影像化的材料層 肋厚度 遮罩 距離 曝光來源 可光影像化之材料的部分 多孔性三維格子 基板 植入裝置 流體胞格 控制器 喷嘴 一系列的層 第一層 31

Claims (1)

1. Ϊ238082 拾、申請專利範圍： 種製造三維結構的方法， 該結構具有至少第一 層和第二層，該方法包括： k供基板層； 施加可光影像化之材料的第— 制m斤 日]弟披覆於基板層； 製備弟一遮罩，其具有對庙 笛R 對應於所要製造的三維結構之 弟一層的圖案； 可光影像化之材料的第一址 ^ ^ 披设以曝光來源透過第一遮 罩而曝光’如此提供三維結構的第-層； 的 施加可光影像化之材料的篦-曰 结 ^ 卞的弟一披覆至次於三維結構 弟一層； 之 製備第二遮罩，其具有 第二層的圖案； 對應於所要製造的三維結構 可光影像化之材料的篦-士 ^ ^ 弟一披覆以曝光來源透過第二遮 罩而曝光，如此提供三維結構的第二層；以及 之 'u口私除β亥第—和第二披覆並非對應於三維結構 層的區域。 中·· 2.如申請專利範圍第1項所述之製造三維結構的 方法，其 可光衫像化之材料的第—披覆以曝光來源透過第—遮罩而曝 光，則使該第-披覆的曝光區域交聯； σ、/像化之材料的第二披覆以曝光來源透過 光，則使該第二披覆的曝光區域交聯;以及 + 顯影和移除該第—和第二被覆的區域，則移除了該第一和第 一披覆的未曝光區域。 32 !238〇82 中 3·如申請專利範圍第2項所述之製造三維結構的方法， 其 *三維結構包括用於植入宿主的多孔性三維結構，其能夠產生 炎症性外來物體反應，其中第—和第二層當中至少—者具有多個 開口，其尺寸做成能允許宿主的流體和炎症性細胞通過該開口而 遷私至多孔性三維結構的㈣體積裡，並且其尺寸做成能促進炎 症性細胞之非平坦的型態，並且當植入宿主時，該多孔性三維結 構促進相鄰於該結構的血管形成；以及 可光影像化之材料的第-披覆包括生物相容之可光影像化的 材料，如此施加可光影像化之材料的ρ披覆於基板層乃包括施 物相各之可光像化的材料於基板層，並且施加可光影像化 之材料的第二披覆於第一層乃包括施加生物相容之可光影像化的 材料於第一層。 4·如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方法，其 中生物相谷之可光影像化的材料包括聚醯亞胺，並且曝光來源包 括UV能量來源。 • 專心圍第3項所述之製造三維結構的方法，其 生物相谷之可光影像化的材料包括聚醯亞胺，並且曝光來源包 括DUV能量來源。 6.如^請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方法，其 =和層切—者具有對應於樑純層的截面，並且第一 和第二層當中另一者具有對應於桎區層的截面。 7·如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方法，其 進一步包括： 33 ^8082 孔性施容之可光影像化材料的第三彼覆至次於多 改二維結構的第二層； 製備第三遮罩，並且右料成 結構之第三層的圖案:、以及對應於所要製造的多孔性三維 過第=容之可光影像化材料的第三披覆以曝光來源透 的二：：而曝光，藉此該第三披覆的曝光區域變成交聯 和第二 孔性三維結構的第三@，並且第-、第二 弟二層是交聯的。 法，1申明專利乾圍第7項所述之製造三維結構的方 截其中弟三遮罩實質上等同於第-遮罩，並且第：層的 哉面實質上等同於第-層的截面。 並且弟-層’ 法9盆如申請專利範圍第7項所述之製造三維結構的方 、、中製備第三遮革乃包括使用第_遮罩。 法，复 申明專利範圍第9項所述之製造三維結構的方 源、[、:生物相合之可光影像化材料的第三披覆以曝光來 材過第三遮罩而曝光’乃包括使生物相容之可光影像化 的弟三披覆透過第一遮罩的曝光不對焦，如此第三層 具有不同於第一層的幾何特徵。 U.如申請專利範圍第7項所述之製造三維結構的方法， 其進一步包括： 力生物相谷之可光影像化材料的第四披覆至次於多 孔性二維結構的第三層； 衣備第四遮罩，其具有對應於所要製造的多孔性三維 結構之第四層的圖案；以及 34 1238082 生物相容之可 g四$ ''衫像化材料的第四彼覆以曝光來源透 過弟四遮罩而曝光， 的，如此提供二第四披覆的曝光區域變成交聯 二維結構的第四層，並且第一'第二 、弟二和弟四層是交聯的。 法，i月專利粍圍第1"員所述之製造三維結構的 =二:：遮罩實質上等同於f且第四層 的截面只質上等同於第二層的截面。 13·如申請專利範圍第u項所述 方法，其中製備第四迚里η “ &一“構的 、罩乃包括使用第二遮罩。 14·如申請專利笳 , ^ φ .圍苐13項所述之製造三維結構的 方法 其中生物相交 ,% ^ ^ °光影像化材料的第四披覆以曝光 來"、U㈣罩而曝光，乃包括使生 化材料的第四披覆透過 合之叮“像 ..^ ^ π ^ ^ 弟一‘罩的曝光不對焦，如此第四 層具有不同於弟二層的幾何特徵。 15 ·如申請專利笳閱 法 I巾Α . 3項所述之製造三維結構的方 ，、中基板層疋玻璃層、石英層或塑膠層。 法 :中範圍第3項所述之製造三維結構的方 其中基板層包括矽晶圓。 17·如申請專利範圍笼,ρ τΕ ^ ,^ ^ 乾圍弟16項所述之製造三維結構的 方法，其中生物相容之可氺 之了先衫像化的材料包括聚醯亞胺， 並且施加生物相容之可亦旦彡 ,.^ ^ ^ 〜 材料的第一披覆於基板層 乃包括旋軺主復肋厚度的聚醯亞胺於矽晶圓上。 18 _如申請專利簕圊筮 t甘* 3項所述n維結構的方 法，其T : 35 1238082 施加生物相容之可光影像化材料的第一披覆，乃包括 施加對應於所要柱子長度之第一厚度的聚醯亞胺，如此多 孔性三維結構的第一層對應於具有所要柱子長度的一或多 根柱子； 施加生物相容之可光影像化材料的第二披覆，乃包括 施加對應於所要樑街厚度之第二厚度的聚醯亞胺，如此多 孔性三維結構的第二㈣應於具有戶斤要樑桁厚纟的一或多 根樑桁；以及 第一和第二層是交聯的，如此一或多根柱子與一或多 根樑桁合作形成至少一部份的多孔性三維結構。 19·如申請專利範圍第3項所述之製^三維結構的方 法，其中： 施加生物相容之可光影像化材料的第一披覆’乃包括 施加對應於所要樑街厚度之第一厚度的聚醯亞胺，如此多 孔性三維結構的第—層對應於具有所要樑桁厚度的一或多 2乂夕很往丁興 根樑衍合作形成至少一部份夕 丨切的多孔性三維結構。 法 施加生物相容之可光影 施加對應於所要柱子長度之 孔性二維結構的第二層對鹿 根柱子；以及 弟一和弟二層是交聯的 20.如申請專利範圍第 其中生物相容之可光影 像化材料的第二披覆，乃包括 第二厚度的聚醯亞胺，如此多 於具有所要柱子長度的一或多 3項所述之製造三維結構的方 像化的材料包括聚醯亞胺，並 36 1238082 且顯影生物相容的可光号彡傻仆好44·夕# L ^ 兀〜诼化材科之弟一和第二坡覆的未 曝光區域乃包括施加顯影滚潘5炙了丨从 貝〜，合/夜至夕孔性三維結構，以顯影 和移除未曝光的聚醯亞胺彼覆區域。 之製造三維結構的 以幫助顯影未曝光 21·如申请專利範圍第2 0項所述 方法，其進一步包括使用超音波攪動， 的聚醯亞胺彼覆區域。 22.如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方 法，其進一步包括硬化多孔性三維結構。 、23.如中請專利範圍第3項所述之製造三維結構的彳鲁 法’其中基板層包括基於矽的材料，並且此方法進—步& · 括姓刻基於碎之材料表面上的薄氧化層而釋放基板層。 、24. >申請專利範圍第3項所述之製造三二結構的方- 法’其進-步包括在基板層和第一層之間提供一或多個犧 牲層。 25. 如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方 法，其進-步包括在曝光第—披覆之前軟性硬化第—披覆 ，以及在曝光弟一披覆之前軟性硬化第二披覆。 _ 26. 如申請專利範圍第3項所述之製造後三維結構的彳 · 其進-步包括施加多孔性三維結構至微形製成的感應 法 法 27. 如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方 其進-步包括施加多孔性三維結構至微形幫浦。 28. 如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方 其進-步包括施加多孔性三維結構至微晶片醫藥傳遞 37 1238082 裝置。 29·如申請專利範圍第3項所述之製造三維結構的方 法，其進—步包括施加多孔性三維結構至電子通訊裝置。 、、3甘〇· ”請專利範圍第1項所述之製造三維結構的方 法中可光影像化的材料包括正色調的聚醯亞胺，並且 曝光來源是UV來源或DUV來源。 J二如申請專利範圍第1項所述之製造三維結構的方 / ，、中可光影像化的材料包 刊了十a枯員邑调的聚醯亞胺， 曝光來源是UV來源或DUV來源。 兀且 32·如申請專利範圍帛丨項所述 法，其中三維結構包括第…—裂一、准⑽構的方 “苒匕栝弟_層、第二 此方法進一步包括： 王^力層，而 第二層；了“像化之材料的另—彼覆至次於三維結構的 製備另一遮罩，兑 一 /、有對應於三維結構之另一 案；以及 傅 < 力層的圖 可光影像化之材料的另— 、 1 彼復以曝光來源透過另 ^ 罩而曝光，以提供另_層。 、另一遮 33.如申請專利範圚 卞> .^ ^ 圍弟32項所述之製造三維牡檨,, 方汰，其中另一遮罩e 芦、、、口構的 I皁&不同於第一遮罩 遮罩。 乐一嶇罩的笫三 32項所述之製造三 遮罩或第二遮罩。 32項所述之製造三 維結構的 維結構的 34·如申清專利範圍第 方法，其中另一遮罩是第一 35.如申請專利範圍第 38 1238082 方法’其中第—層具有第# 並且另-層具有實質上等於第：：弟二層具有第二厚度， 度。 、 厚度或第二厚度的第三厚 36·如申請專利範圍第 方法，i> 32項所述之製造三維結構的 方法，其中施加第一披覆 h稱的 施加該等披覆而使之每—者披復和另一彼覆，乃包括 實質上平坦的。 f至少在暴露於曝光來源之前是 37. 一種用於植入宿主 之生物相容的結構，其包括： 根據申請專利範圍第1 二 員之製造方法所製造的三維結構，該 二、准V、吉構具有多孔性r维 ^ ^ 一、准、、、。構，而當植入宿主時，其尺寸做成能 促進相鄰於該結構的血管形成；以及 、n k在基板層上的植人裝置，藉此多孔性三維結構促 進相郤方、植入叙置的血管形成，目而有助於該植入裝置的 生物相容性。 3&如申請專利範圍第37項所述之生物相容的結構 ’其中基板層包括矽晶圓。 39·如申睛專利範圍第37項所述之生物相容的結構 ，其中植入裝置包括微形幫浦。 40.如申凊專利範圍第a?項所述之生物相容的結構 ，其中植入裝置包括微形感應器。 41 ·如申清專利範圍第3 7項所述之生物相容的結構 ，其中植入裝置包括醫藥傳遞裝置。 42·如申請專利範圍第37頊所述之生物相容的結構 ’其中植入裝置包括電子通訊裝置。 39 1238082 該結構具有至少第一層和 43· —種製造三維結構的方法 第二層，此方法包括： 提供基板層； 施加可光影像化之材料的第一披覆在次於基板層的位置； 製備第-遮罩，其具有對應於所要製造的三維結構第一層之 至少第一部份的圖案； 第-披覆以曝光來源透過第一遮罩而曝光，如此形成第—層 的至少第一部份； 曰 施加可光影像化之材料的第二披覆至次於第一層； 製備第二遮罩，其具有對應於所要製造的三維結構第二層之 至少第一部份的圖案； 曰 第二披覆以曝光來源透過第二遮罩而曝光，如此形成第二層 的至少第一部份；以及 " 應用顯影過程，以移除可光影像化之材料並非對應於第一和 弟二層的區域。 44.如申請專利範圍第 方法，其進一步包括： 43項所述之製造三維結構的 製備第二遮罩，其具有對應於所要製造的三維結構第 一層之第二部分的圖案；以及 在施加第二披覆之前，第一披覆以曝光來源透過第一 遮罩而曝光，藉此形成第一層的第二部分。 〜 45·如申請專利範圍第43項所述之製造三維結構、 方法，其進一步包括： 勺 製備第二遮罩，其具有對應於所要製造的三维結構μ 40 1238082 二層之第二部分的圖案；以及 #第二披覆以曝光來源透過第三遮罩而曝光，藉此形成 弟一層的第二部分。 其中： 後如申請專利範_ 43項所述之製造三維結構的方法， 二維結構包括用於植入宿主的多孔性三維結構，其能夠產生 炎症性外來物體反應，其中第—和第二層t中至少—者具有多個 開口，其尺寸做成能允許宿主的流體和炎症性細胞通過該開口而 遷移至多孔性三維結構的内部體積裡，並且其尺寸做成能促進炎 症性細胞之非平坦的型態，並且當植人宿主時，該多孔性三維結 構促進相鄰於該結構的血管形成；以及 可光影像化之材料的第—披覆包括生物相容之可光影像化的 ^料’如此施加可絲像化之材料的第—披覆乃包括施加生物相 谷之可光影像化的材料在次於基板層的位置，並且施加可光影像 化之材料的第二披f於第_層乃包括施加生物相容之可光影像化 的材料至次於第一層。 47_如申明專利範圍第a項所述之製造三維結構的 方法其中可光影像化的材料包括聚醯亞胺，並且曝光來 源包括UV能量來源。 48.如申凊專利範圍第43項所述之製造三維結構的 方法其中可光影像化的材料包括聚醯亞胺，並且曝光來 源包括DUV能量來源。 49·如申請專利範圍第43項所述之製造三維結構的方法， 其中第一和第二層當中一者具有對應於樑桁區層的截面，並且第 41 1238082 和弟-層當中另一者具有對應於柱 “ 包括袼子結構。 截面’猎此三維結構 5〇·如申請專利範圍第43項所述之 其中第-和第二層當中 、准結構的方法， 和第二層當中-者㈣ 份對應於购區，並且第一 子結構。 H 分對應於柱區，藉此三維結構包括格 % 方法請專利範圍第43項所述之製造三”構的 :去，“提供基板層乃包括提供玻璃 =冓的 層。 石央層或塑膠 士申吻專利範圍第43項所述之 方法’其中提供基板層乃包括提”晶圓/ 構的 53.如申請專利範圍第“ 方法，其中可光影像化的材料包括頁：，造三維結構的 用顯影過程乃包括施加顯影溶液以材料’並且應 可光影像化的材料，如此 路於曝光來源之 著未曝光之可光影像化的^成顯㈣程時仍實質上保留 54.如申請專利範圍第43項所述 方法’其巾可光影像化特料 、構的 用顯影過程乃包括施加顯 移料’並且應 之可光影像化的材料，如此/ .除未暴露於曝光來源 © ^ Λ ^ ^ -5Γ 4^ ^ ^ 凡成顯影過程時仍實質上保 ^者曝光之可先影像化的材料。 55·如申請專利範圍第 方法，^^ 3項所述之製造三維結構 方法其進一步包括硬化三維結構。 5 6 ·如申請專利範圍第 43項所述之製造三維結構的 42 1238082 方法 # 犧牲層：進一步包括在基板層和第-層之間提供一或多個 種用於植入宿主之生物相容的結構 κ據申請專利範圍第43 該、結構具有多孔㈣結構上的三維結構’ 能促進麵於該結構的血管形成；以及'植…，其尺寸做成 於植!=維結構的植入裝置，如此三維結構促進相鄰 容性？衣置的血管形成’藉此有助於該植入裝置的生物相 生物it如申請專利範圍第57項所述之用於植入宿主之 谷的結構，其中基板層包括矽晶圓。 生物Γ·/口申請專利範圍第57項所述之用於植入宿主之 谷的結構，其中植入裝置包括微形幫浦。 6〇.—如申請專利範圍第57項所述之用於植入宿主之 目谷的結構中植入裝置包括微形感應器。 61^如申請專利範圍第57項所述之用於植入宿主之 生物相谷的結構，其中植入裝置包括醫藥傳遞裝置。 62·如申請專利範圍第57項所述之用於植入宿主之 生物相容的結構，其中植入裝置包括電子通訊裝置。 63·種製造用於植入宿主之結構的方法，該結構包括多孔 H 一、准結構’其具有至少第―和第二層，並且尺寸和造型做成能 產生炎症性外來物體反應，其中第一和第二層當中至少一者具有 夕個開口，其尺寸做成能允許宿主的流體和炎症性細胞通過該開 口而遷移至多孔性三維結構的内部體積裡，並且其尺寸做成能促 43 1238082 進炎症性細胞之非平坦的型態，而當植人宿主時，該多孔性三維 結構促進相鄰於該結構的血管形成，該方法包括： k供建構和安排成植人宿主之微形製成的醫療植人裝置，該 微形製成的裝置包括基板層，其上可以製造多孔性三維結構； 施加可光影像化之材料的第一披覆於基板層； 製備第-遮罩，其具有對應於所要製造的三維結構第一層之 至少第一部份的圖案； 第一披覆以曝光來源透過第—遮罩而曝光，如此形成第4 的至少第一部份； 施加可光影像化之材料的第二披覆至次於第一層； 製備第二遮罩’其具有對應於所要製造的三維結構第二層之 至少第一部份的圖案； 弟-披覆以曝光來源透過第二遮罩而曝光，如此形成第二層 的至少第一部份；以及 應用顯影過程，以移除可光影像化之材料並非對應於第一和 弟二層的區域。 64.如申请專利範圍第63項所述之製造用於植入宿 主之結構的方法，纟中醫療植入裝置是微形幫浦、微形感 應器或醫藥傳遞裝置。 65· 一種製造二維結構的方法，該結構具有多層，該 方法包括： 提供基板； 施加可光影像化之材料的第一披覆在次於基板的位置 44 1238082 衣備乐-遮罩’其具有對應於所要製造的三維結構多 層當中一層之至少第一部份的圖案； 第一披覆以曝光來源锈讲楚 ,^ , 、, 運過弟一遮罩而曝光，如此形成 多層當中一層的至少第一部份； 第彼後以曝光來源曝光之後，施加可光影像化之材 料的第二彼覆至次於第一披覆；以及 第二披覆以曝光來源透過第一遮罩而曝光，如此形成 多層當中一層的至少第二部份。 66·如申請專利範圍第65項所述之製造三維結構的 方法，其進一步包括： .施加可光影像化之材料的另一彼覆在次於基板的位置 製備另一遮罩，直呈右 平，、具有對應於所要製造的三維結構多 層葛中另一層之至少一 Λη j'k 曰之至乂部份的圖案；以及 可光影像化之材料的另一劳 、、 披復以曝光來源透過另一遮 罩而曝光，如此形成三維έ 、隹〜構多層當中之另一層的 一 部份。 夕 67·如申請專利範圍第 其中： 65項所述之製造三維結構的方法， 火广！生構包括用於植人宿主的多孔性三維結構，其能夠產生 ==體反應，其中多層當中至少一層具有多個開口，其 尺寸做成月b允許宿主的流妒牙 孔性三維結構的内„積裡^^胞通過該開口而遷移至多 之非平坦的«，並尺倾絲㈣炎症性細胞 田板入值主時，該多孔性三維結構促進相 45 1238082 鄰於該結構的血管形成；以及 可光影像化的材料 。 生物相容之可光影像化的 68· 一種用於植入宿主 據申請專利範圍第65項之 物相容的結構，其包括根 具有多孔性三維結構^當植入宿主時： 做成月匕促進相鄰於該結構的血管形成。 -寸 69.如申請專利範圍第68項所述之用於植入宿 生物相I的結構’纟進―步包括相連於三維結構的植入裳 置如此二維結構促進相粦P於植入裝S的血管形$，藉此 有助於該植入裝置的生物相容性。 7 0 ·如申睛專利範圍第6 g項所述之用於植入宿主之 生物相容的結構，其中植入裝置是微形幫浦、微形感應器 、電子通訊裝置或醫藥傳遞裝置。 拾壹、圖式： 如次頁。 46