KR20100130502A - 경피투과형 마이크로니들, 이의 제조방법, 경피투과형 마이크로니들용 몰드 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 경피 약물전달방법으로 사용되는 약물전달시스템 중 하나인 경피투과형 마이크로니들, 이의 제조방법, 경피투과형 마이크로니들용 몰드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 경피투과형 마이크로니들을 제조하기 위한 방법에 비해 간단한 공정으로 제조될 수 있으며 재현성 또한 우수한 경피투과형 마이크로니들의 제조방법 및 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법을 제공할 수 있다.
경피투과형 마이크로니들, 마이크로니들 템플레이트, 몰드, 경피투과형 고체약제, 적층구조, 리소그래피 공정
Description
본 발명은 경피 약물전달방법으로 사용되는 약물전달시스템 중 하나인 경피투과형 마이크로니들, 이의 제조방법, 경피투과형 마이크로니들용 몰드 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
약물전달시스템(drug delivery system, DDS)은 약리학적 활성을 갖는 물질을 다양한 물리화학적 기술을 이용하여 최적의 효력을 발휘하도록 세포, 조직, 장기 및 기관으로 전달을 제어하는 일련의 기술을 의미한다. 경구용으로 약물을 인체가 섭취하는 경우가 가장 일반적인 약물전달시스템이며, 이외 국부에 적용할 수 있는 경피투과형 약물전달시스템 등이 있다.
약물과 같은 약제학적 물질을 효율적이고 안전하게 투여하기 위한 중요성은 오래전부터 인식되어 왔다. 전통적인 액상의 약제를 주사하는 방법은 150년 이상 동안 금속재질의 주사기가 환자의 약물 투여에 사용되어 왔으나, 통증을 동반하며 약물의 주입이 일시적이라는 단점을 가지고 있다.
이와 같은 금속재질의 주사기를 사용한 약물 투여 방식을 개선하고자 현재 펜형 주사기보다 훨씬 작은 마이크로 크기의 경피투과형 마이크로니들(현미침)이 제작되어 활용되고 있다.
일반적으로 마이크로니들은 피부 미용 물질이나 약물을 피부 조직 내에 주입하거나 피부의 내부로부터 혈액과 같은 체액의 추출을 위한 기구이다. 마이크로니들은 국부적이면서 지속적인 약물 주입이 가능하고, 피부에 삽입 시 통증을 최소화할 수가 있으므로 최근 다양한 분야에서 사용이 매우 급증하고 있는 추세이다. 피부 미용 물질 또는 약물을 피부 조직에 투입시키는 것은 고통없이 지속적으로 수행할 수가 있어 이용이 간편하다는 장점이 있어 매우 유용하나 반면 흡수율이 낮으며, 특히 친수성이나 분자량이 크면 흡수율이 더욱 낮아지는 단점이 있게 된다. 이는 피부의 최외곽을 이루는 각질층이 외부 물질의 체내 침투나 체액의 외부 유출을 막게 되는 성질 때문에 발생되는 현상이며, 따라서 유로를 갖는 마이크로니들을 이용하면 각질층 아래의 표피층에까지 약물이 전달될 수 있으므로 약물의 전달 방식을 한층 개선시킬 수가 있다.
한국등록특허 제793615호에서는 나노딥펜(nano dip pen)으로 몰드를 형성한 후 이를 사용하여 마이크로니들을 제조하는 방법에 대해 개시되어 있다. 한국등록 특허 제793615호에서 개시된 바와 같이 나노딥펜(nano dip pen)으로 몰드를 형성하여 마이크로니들을 형성하는 경우 재현성이 떨어지는 문제점이 있다.
이에, 본 발명자들은 경피투과형 마이크로니들을 제조하는데 있어 재현성도 우수할 뿐만 아니라 간단한 방법으로 마이크로니들을 제조할 수 있는 방법에 대해 예의 연구한 결과, 기판 상에 감광성 고분자를 코팅한 후 리소그래피 공정을 통해 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 제조하여 몰드를 형성한 후 경피투과형 마이크로니들의 제조에 사용하는 경우 간단한 공정을 통해 우수한 재현성으로 경피투과형 마이크로니들을 제조할 수 있다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 목적은 경피 약물전달방법으로 사용되는 약물전달시스템중 하나인 경피투과형 마이크로니들, 이의 제조방법, 경피투과형 마이크로니들용 몰드 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,
기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 A);
상기 단계 A에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 B);
상기 단계 B에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 C); 및
상기 단계 C에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 D)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은,
기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 3);
상기 단계 3에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 4); 및
상기 단계 4에서 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 마이크로니 들을 제조하는 단계(단계 5)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법을 제공한다.
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것이 바람직하다.
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트의 최상단 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조될 수 있다.
본 발명에서 몰드를 형성하기 위해 사용되는 고분자는 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄, 폴리이소프렌 등을 단독 또는 공중합한 것을 사용할 수 있다.
본 발명은 종래의 경피투과형 마이크로니들을 제조하기 위한 방법에 비해 간단한 공정으로 제조될 수 있으며 재현성 또한 우수한 경피투과형 마이크로니들의 제조방법 및 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법을 제공하는 효과를 가진다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은,
기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 A);
상기 단계 A에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 B);
상기 단계 B에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 C); 및
상기 단계 C에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 D)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법을 하기에서 도면을 참조하여 단계별로 구체적으로 설명한다.
단계 A는 기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계이다. 보다 구체적으로 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 리소그래피 공정을 통하여 목적하는 패턴을 형성하기 위하여 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계이다.
단계 A에서 사용되는 기판으로는 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것이 바람직하나 유리, 수정(Quartz) 및 세라믹 평판재료 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 감광성 고분자로는 리소그래피 공정에 사용될 수 있는 것이면 제한되지 않고 사용될 수 있다. 예를 들면, SU-8 에폭시 고분자, 폴리비닐알코올 및 이들의 공중합체 등을 사용할 수 있다.
상기 감광성 개시제는 트리아릴리움 술폰니움염 (triarylium-sulfonium salts), 벤조일 퍼옥사이드 (benzoyl peroxide), 아조비스이소부틸로니트릴(AIBN:Azobisisobutylonitrile), 벤지온알킬에테르(benzionalkylether), 벤조페논(benzophenone), 벤질 디메틸 카탈(benzyl dimethyl katal), 하이드록시시클로헥실 페닐케톤(hydroxycyclohexyl phenylketone), 1,1-디클로로 아세토페논(1,1-Dichloro acetophenone), 2-클로로 티옥산톤(2-Chloro thioxanthone) 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
단계 B는 상기 단계 A에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계이다.
단계 B에서는 마이크로니들 템플레이트의 최하단에 해당되는 제1 고분자층을 형성하기 위하여 제1 고분자층의 패턴을 형성할 수 있도록 설계된 마스크 필름을 상기 감광성 고분자 위에 형성한 후 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성한다.
상기 마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층은 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조될 수 있으며, 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이로 제조되는 것이 바람직하다.
마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층을 형성하기 위하여 기판 상에 감광성 고분자를 스핀코팅하고 이후 리소그래피 공정을 수행하는 방법은 이미 집적형 회로(integrated circuit), 전자소자 패키징 등의 분야에서 널리 알려진 기술이므로 상세한 설명은 생략한다.
단계 C는 상기 단계 B에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계이다.
도 1은 단계 A 내지 단계 C를 수행하여 기판 상에 총 4단으로 형성된 마이크로니들 템플레이트를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하여 보다 상세히 설명하면, 기판(200) 상에 최하단의 제1 고분자층(101)을 상술한 단계 B에서와 같이 리소그래피 공정을 거쳐 형성한 후 제1 고분자층(101)보다 크기가 작은 제2 고분자층을 형성하기 위해 감광성 고분자층을 코팅하고 리소그래피 공정을 수행한다. 이와 같은 과정을 반복 수행하여 도 1에 나타낸 바와 같이 총 4단의 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트(100)를 형성할 수 있다.
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트(100)는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지도록 제조될 수 있으며, 마이크로니들 템플레이트(100) 중 최상단의 고분자층(102)은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조할 수 있으나, 상기 마이크로 템플레이트(100)의 제1 고분자층(101)과 동일한 형태로 제조하는 것이 바람직하다.
상기 마이크로니들 템플레이트(102)의 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것이 바람직하다.
마이크로니들 템플레이트(102)의 전체 높이가 0.3 mm 이하로 제조되는 경우 적층구조를 갖는 템플레이트 제작시 3단 이하의 구조를 가질 수 밖에 없는 문제점이 있으며, 패치형으로 경피형 마이크로니들 제작시에 곡면인 피부적용에 한계성이 있고, 반면 1.5 mm를 초과하여 제조되는 경우 감광성 고분자층의 기계적인 강도 및 경도가 저하될 수 있는 문제점이 있다.
도 2는 마이크로니들 템플레이트를 제조하기 위한 리소그래피 공정을 수행하기 이전에 기판 상에 마스크필름이 형성된 상태를 나타낸 도면이다.
도 2에 나타난 바와 같이 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 제1 고분자층을 형성한 후 감광성 고분자를 코팅하고 확대도에 나타낸 바와 같이 마스크필름의 패턴 형성부의 크기를 보다 작게 하여 제2 고분자층을 제조하고, 이와 같은 과정을 반복함으로써 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 제조할 수 있다.
단계 D는 단계 C에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하 여 몰드를 형성하는 단계이다.
상술한 바와 같이 기판 상에 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성한 후, 고분자를 적용하여 몰드를 형성할 수 있다. 본 단계에서 마이크로니들 템플레이트에 고분자를 이용하여 몰드를 형성하는 방법은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 실시할 수 있다.
본 발명에서 경피투과형 마이크로니들용 몰드를 제조하기 위해 상온이상 가열되면 탄성을 가지며 냉각시켜 경화시킬 수 있는 고분자를 사용하며, 이러한 고분자로는 폴리 디메틸 실옥산(poly dimethyl siloxane; PDMS), 폴리우레탄(poly urethane), 폴리이소프렌을 단독 또는 공중합하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하고, 그리고 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드를 제공한다.
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트 중 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조될 수 있다.
또한 마이크로니들 템플레이트 중 최상단의 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조될 수 있으나 제1 고분자층과 동일한 형태로 제조되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은,
기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 3);
상기 단계 3에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 4); 및
상기 단계 4에서 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 마이크로니들을 제조하는 단계(단계 5)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 경피투과형 마이크로니들의 제조방법 중 단계 1 내지 4는 상술한 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법의 단계 A 내지 D와 동일한 방식으로 수행된다.
또한, 본 발명은 기판 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하고, 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하며, 그리고 상기 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들을 제공한다.
본 발명에 따라 제조된 경피투과형 마이크로니들은 수 내지 수십 마이크로 크기로 형성되어 펜형 주사기를 대체할 수 있는 경피 약물전달시스템으로 활용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 한정되는 것은 아니다.
<
실시예
>
실시예
1 -
경피투과형
마이크로니들용
몰드의
제조
4인치 (지름 10 cm)의 크기를 가지는 실리콘 웨이퍼 상에 트리아릴리움 술폰니움염 감광성 개시제를 포함한 SU-8 에폭시 감광성 고분자를 스핀코팅하였다. 이와 같이 감광성 고분자가 코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 마스크를 형성한 후 마이크로 니들 템플레이트를 형성하기 위한 위치에 280 × 280 ㎛의 정사각형 패턴을 형성한다. 이후 UV(365 nm) 빛을 조사하여 제1 고분자층을 형성하였다. 이후 형성된 제1 고분자층 상에 상기 감광성 고분자를 스핀코팅하고 140 × 140 ㎛의 정사각형 패턴의 마스크를 형성한 후 이후 UV(365 nm) 빛을 조사하여 제2 고분자층을 형성하였다. 이후 형성된 제2 고분자층 상에 상기 감광성 고분자를 스핀코팅하고 20 × 20 ㎛의 정사각형 패턴의 마스크를 형성한 후 이후 UV(365 nm) 빛을 조사하여 제3 고분자층을 형성하여 900 ㎛의 높이를 가지는 총 3단의 마이크로니들 템플레이트를 제조하였고 이를 주사전자현미경 사진으로 촬영하여 도 3에 나타내었다. 이와 같이 제조된 총 3단의 마이크로니들 템플레이트가 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 65 ℃로 가열한 폴리 디메틸 실옥산(PDMS)을 적용하여 몰드를 형성하였고 이후 실온으로 냉각시켜 경화시킨 후 마이크로니들 템플레이트 및 실리콘 웨이퍼를 제거하여 경피투과형 마이크로니들용 몰드를 제조하였다.
도 1은 본 발명에 따라 기판 상에 총 4단의 적층구조로 형성된 마이크로니들 템플레이트를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 마이크로니들 템플레이트를 제조하기 위한 리소그래피 공정을 수행하기 이전에 기판 상에 마스크필름을 형성하는 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에서 제조된 마이크로니들 템플레이트를 주사전자현미경으로 촬영한 사진이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 마이크로니들 템플레이트 101 : 제1 고분자층
102 : 최상단 고분자층 200 : 기판
300 : 마스크
Claims (19)
- 기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 마이크로니들을 제조하는 단계(단계 5)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계 4에서 고분자를 적용하여 몰드를 형성한 후 마이크로니들 템플레이트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 감광성 개시제는 트리아릴리움 술폰니움염, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 벤지온알킬에테르, 벤조페논, 벤질 디메틸 카탈, 하이드록시시클로헥실 페닐케톤, 1,1-디클로로 아세토페논 및 2-클로로 티옥산톤으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 감광성 고분자는 SU-8 에폭시 고분자, 폴리비닐알코올 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트의 최상단 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛ 의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계 4에서 몰드를 형성하기 위해 사용되는 고분자는 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄 및 폴리이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2중 이상의 공중합체인 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법.
- 기판 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하고, 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하며, 그리고 상기 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들.
- 제7항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구 조를 가지며 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들.
- 제7항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트 중 최하단층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트 중 최상단층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들.
- 기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 A);상기 단계 A에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 B);상기 단계 B에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 C); 및상기 단계 C에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 D)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 D에서 고분자를 적용하여 몰드를 형성한 후 마이크로니들 템플레이트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 감광성 개시제는 트리아릴리움 술폰니움염, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 벤지온알킬에테르, 벤조페논, 벤질 디메틸 카탈, 하이드록시시클로헥실 페닐케톤, 1,1-디클로로 아세토페논 및 2-클로로 티옥산톤으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 감광성 고분자는 SU-8 에폭시 고분자, 폴리비닐알코올 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트의 최상단 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 4에서 몰드를 형성하기 위해 사용되는 고분자는 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄 및 폴리이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2중 이상의 공중합체인 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법.
- 기판 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하고, 그리고 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드.
- 제17항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0.3∼1.5 mm인 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드.
- 제17항에 있어서,상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트 중 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제 조되며, 마이크로니들 템플레이트 중 최상단의 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드.
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