TWI236064B - Ceramic heater for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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1236064 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本i明係有關保持並加熱晶圓之陶t加熱， 2於半導體製財，對晶圓進行特定處理之半導體製造裝 【先前技術】 先别’各種有關使用於半導 干导达裝置《陶瓷加熱器的 猫&& 28258唬公報係提出一 種半導fe晶圓加熱裝置，其係 & …〜 ，、你埋叹電阻發熱體，並且備： 陶免加熱器，其係設置於 /、 伤Μ罢％丨 。円者，及凸狀支撐構件，其 係叹置於此加熱器之晶圓 ^ ρ, . ”、、面以外的面，並於反應容器 '^間形成氣密性密封者。 又，近來，為了降低製造成本，日 吋之大α # #x 日曰® <外徑係由δ吋朝12 保持日日回芡陶瓷加熱器的 ^ _ 、 知日曰圓載置於晶圓加敖器並 通电加熱黾阻發熱體時，亦要 、、 ’、口口 即曰n矣、、 日曰圓表面溫度之不均，亦 即日日0表面灸溫度均勻性以士1〇 佳。 - 下’甚至士0.5%以下更 〔專利文獻1〕 特公平6-28258號公報 包阻發熱體係形成於陶瓷加哉 計並配置圖案，以使載置晶圓;:二=或内部，其係設 ’為了提升晶圓表面之溫度均勾# 均勾加熱。亦即 體之線寬及鄰接之電阻發熱隔應:力=阻發熱 _ 在集配置電阻發熱
83933.DOC 1236064 然而’若因脅曰 阻發孰體之配二 溫度均勾性，而過度縮窄電 發熱體之配線間所生π刀放電現象，其係由電阻 步嚴重者，=電位差所造成者。此現象更進- # 知引起電阻發熱體之配 加熱器損傷。 〶的紐路，導致陶瓷 【發明内容】 有鑑於此種先前之事由，本發明之 半導體製造裝置用陶瓷 ：在於“、-種 圖案設計最適化，以保“電阻發熱體之 可防止加…/ 回表面之溫度均勾'，生，同時並 傷者。由於私阻發熱體間之短路所造成之損 用陶目& ’本發明係提供—種半導體製造裝置 :、、為’其特徵為其係具有位於陶究基板之表面或 4电阻發熱體，且於電阻發熱體之剖面， 體（底面與側面所形成之最小角度θ係設定為5。以上者： 。上述本發明之半導體製造裝置用陶资加熱器，其中將晶 0載置於晶-圓載置面並通電加熱電阻發熱體時，晶圓表面 敝不均在使用溫度時為±10%以下，而以職以下更 佳0 上述本發明之半導體製造裝置用陶瓷加熱器，其中前述 陶资基板係由氮化銘、氮切、氮氧化銘、或碳化珍之中 土八擇種所構成為佳。特言之，前述陶究基板以熱傳 導率100 W/mK以上之氮化鋁或碳化矽為佳。
83933.DOC 1236064 2 ’上述本發明之半導體製造裝置用陶宪加熱器 :;電阻發熱體係由镇m、銀、鎳、或銘 土 V選擇一種所構成為佳。 甚而，上述本發明之半導體製造裝置用陶瓷加埶哭，並 中珂述陶走基板亦可進一步於表面或内部配置電聚：’、 【實施方式】 ％ 、本發明者詳細檢討將陶资加熱器之電阻發熱體通電加熱 以使其升溫時，陶究加熱器發生破裂等損傷的現象，其: 果發現相鄰之電阻發熱體之配線係於其電位差最高的部: 短路，導致陶瓷加熱器受到破壞。 為了避免此種電阻發熱體之短路現象，發明者注目於電 阻發熱體之剖面形狀，特別是電阻發熱體之配線剖面（以； 亦僅稱電阻發熱體剖面）之底面與側面所形成之角度。亦即 此種短路現象的冑生與否係取決於電阻發熱體之配線間 的距離、、施加電壓、電極形狀、及環境氣體壓力等因素。 在此，為了獲得加熱器之溫度均勻性，配線間距離係受限 於私阻發熱體 < 圖業設計，並由處理條件之施加電壓及環 境氣體壓力-所決定。 另一万面，電阻發熱體之配線間距離固定時，明確發現 配線剖面為j£方形4長方形時最不易引起短路，針狀時最 易引起短路。因此’發明者認為藉由處理陶瓷加熱器之電 阻發熱體的剖面形狀，可以防止因短路所造成的破裂，並 檢討其方法。 一般而言’陶資1加熱器之電阻發熱體係將導電膠印刷燒
83933.DOC 1236064 附於陶瓷燒結體或生板片上而形成者。模式性表示以此獲* 得之私阻I熱體之剖面形狀，理想上其係多圖示為如圖 l(b)<剖面為長方形之電阻發熱體讣，然而，實際上，由 於導電膠的滴垂及滲入，電阻發熱體3a必然成為如圖（a)之 ^有傾斜側面之大致梯形狀，與陶瓷基板2相接的電阻發熱 體3a之底面與侧面所形成之最小角度$則成為銳角。 因此，於圖1(b)所示之電阻發熱體的剖面，使電阻發熱 體3a之配線間距離£在〇5〜2〇 mm的範園内變化，同時， 將其底面與側面所形成之最小角度Θ設定為由2。開始逐漸一 又大私阻發熱體通電加熱時，檢視配線間是否產生短路 ° ^果發現’無論配線間距㈣為何’藉由將電阻發熱 體剖面之底面與側面所形成之最小角度Θ設定在5。以上， 即可避免配線間的短路。 再者，改變電阻發熱體剖面之底面與側面所形成之最小 角度θ的方法，係可於印刷塗佈電阻發熱體形成用之膠狀 物時，採用改變膠狀物稀釋量以改變膠狀物黏度等方法。
本發明之料加絲中，即使電阻發熱體之底面與側面 :形成的最-小角度Θ為5。以上，#電阻發熱體之配線間距 咅广亦即一般為配線距離L未滿〇. 1 mm時，則必須注 思配線間易發生短路。 如此，本發明之陶瓷加熱 ^ w设恐Μ刮面之底而 與側面所形成之最小角度θ設定為5。以上畔 〜0表面溫度的不均(溫度均勻性），在使 用溫度時維持在±1.0%以下，更 在使 Γ文佳者在±0.5%以下。
83933.DOC -9- 1236064 然而，若電阻發熱體之配線間距離L過大，電阻發熱體 通電加熱時，晶圓表面溫度之不均變大，難以達到期望的 溫度均勻性。考量此點，電阻發熱體之配線間距離L以5 mm 以下為佳。 其次，按照圖2〜3說明本發明之陶瓷加熱器之具體構造 。圖2所示之陶瓷加熱器1係於陶瓷基板2a之表面上設置特 定電路圖案之電阻發熱體3，並藉由玻璃或陶瓷所構成之接 著層4，將另外的陶瓷基板2b接合於該表面上。再者，電阻 發熱體3之配線圖案之配線寬以5 mm以下，甚至1 mm以下 為佳。 又，圖3所示之陶瓷加熱器11之内部係具備電阻發熱體13 及電漿電極15。亦即，與圖2之陶瓷加熱器相同，陶瓷加熱 器11係以接著層14a將表面上具有電阻發熱體13之陶瓷基 板12a與陶瓷基板12b接合，同時，該陶瓷基板12a之其他表 面係藉由玻璃或陶瓷所構成之接著層14b，而與設置電漿電 極15之另外的陶瓷基板12c接合。 再者，製造圖2及圖3所示之陶瓷加熱器時，除了接合各 別之陶瓷基-板的方法以外，亦可準備厚度約0.5 mm之生板 片，於各生板片上以導電性膠狀物印刷塗佈電阻發熱體及/ 或電漿電極之電路圖案，其後，將此等生板片及配合需要 所使用之一般的生板片積層至所需厚度，同時燒結而一體 化。 實施例 (實施例1) 83933.DOC -10- 1236064 將燒結助劑及膠著劑添加於氮化鋁（A1N)粉末，並以球磨 機分散混合。以喷霧乾燥使此混合粉末乾燥後，將其沖壓 成型為直徑380 mm、厚度1 mm之圓板狀。將獲得之成型體 置於非氧化性環境氣體中，以溫度800°C脫脂後，再以溫度 1900°C燒結4小時，從而獲得A1N燒結體。此A1N燒結體之 熱傳導率為170 W/mK。將此A1N燒結體之外周面研磨至外 徑為300 mm，備妥陶瓷加熱器用之A1N基板2片。 於1片之上述A1N基板之表面上印刷塗佈將鎢粉末及燒 結助劑混合攪拌於膠著劑所得之膠狀物，形成特定之電阻 發熱體之配線圖案。此時，藉由改變印刷網版或膠狀物黏 度，以於電阻發熱體之剖面，使其電阻發熱體之底面及側 面所形成之最小角度0 (以下稱剖面最小角度0 )及鄰接之 配線間距離L變化。其後，將此A1N基板置於非氧化性環境 氣體中，以溫度800°C脫脂後，再以溫度1700°C燒成，從而 形成W之電阻發熱體。 又，於剩餘1片之上述A1N基板之表面上印刷塗佈將Y203 系接著劑與膠著劑混合攪拌之膠狀物，以溫度50(TC脫脂。 將此A1N基板之接著劑與上述A1N基板之電阻發熱體之形 成面重疊，以溫度800°C加熱接合，如此，製作具有圖1構 造，且如下述表1所示之配線間距離L及剖面最小角度0相 異之各試料的陶瓷加熱器。 以此獲得之各試料之陶瓷加熱器，由形成於晶圓載置面 之相反側表面之2個電極，以200 V之電壓使電流流入電阻 發熱體，而將陶瓷加熱器之溫度提升至500°C，檢視陶瓷加 83933.DOC -11 - 1236064 熱器是否發生破裂。又，將厚度。8職 曰问及职” 直僅300 mm之石夕 曰日0載置万；陶瓷加熱器之晶圓載置面上， 分佈，以电捏θ "、里其表面溫度 刀怖以衣仵500 C時弋晶圓表面的溫度 又 久Θ勻性。 所示即為各試料所獲得之結果。 表1 ^ ^~—---^— —______ 試料 剖面最配線間距離加熱器破500 時晶圓 η 小角度0 L(mm) 裂發生頻率表面溫度均
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由上述表1所示結果可知，於氮化鋁加熱器中，藉由將電 阻發熱體之剖面最小角度θ設定為5。以上，可使加熱升溫 時 < 加熱器不致發生破裂。且，藉由將電阻發熱體之配線 間距離L設定在〇·5〜5 mm的範圍内，可獲得土 〇5%以内的 溫度均勻性。 (實施例2) 將燒結助劑及膠著劑添加於氮化矽（ShN4)粉末，並以球 磨機分散混合。以喷霧乾燥使此混合粉末乾燥後，將其沖 壓成型為直徑380 mm、厚度1 mm之圓板狀。將此成型體置 於非氧化性環境氣體中，以溫度8〇〇。〇脫脂後，再以溫度 1550°C燒結4小時，獲得以川4燒結體。此以川4燒結體之熱 傳導率為20 W/mK。將此以川4燒結體之外周面研磨至外徑 為30〇mmr備妥陶瓷加熱器用之8丨3队基板2片。 毛1片之上述ShN4基板之表面上印刷塗佈將鎢粉末及燒 結助劑混合攪拌於膠著劑所得之膠狀物，以形成特定之電 阻叙熱體之配線圖業。此時，藉由改變印刷網版或膠狀物 黏度，以於電阻發熱體之剖面，使其電阻發熱體之剖面最 J角度0及鄰接之配線間距離L變化。其後，將此以#4基 板置於非氧化性環境氣體中，以溫度8〇(rc脫脂後，再以溫
83933.DOC -13- 1236064 度1700°C燒成，從而形成W之電阻發熱體。 又，於剩餘1片之上述Si3N4基板之表面上印刷塗佈將 Si02系接著劑與膠著劑混合攪拌之膠狀物，以溫度500°C脫 脂。將此Si3N4基板之接著劑層與上述Si3N4基板之電阻發熱 體之形成面重疊，以溫度800°C加熱接合，如此，製作具有 圖1之構造，且如下述表2所示之配線間距離L及剖面最小 角度0相異之各試料的陶瓷加熱器。 以此獲得之各試料之陶瓷加熱器，以200 V之電壓使電流 流入電阻發熱體，而將陶瓷加熱器之溫度提升至500°C，檢 視陶瓷加熱器是否發生破裂。又，將厚度0.8 mm、直徑300 mm之矽晶圓載置於陶瓷加熱器之晶圓載置面上，測量其表 面溫度分佈，以求得500°C時之晶圓表面的溫度均勻性。下 述表2所示即為各試料所獲得之結果。 表2 試料 剖面最小 角度0 (°) 配線間距 離 L(mm) 加熱器破 裂發生頻 率（N=5) 500°C時晶 圓表面溫度 均勻性（°c) 21 —Ί 20 0/5 士 2.85 22 7 10 0/5 土 2.50 23 7 5 0/5 土 0.91 24 7 1 0/5 土 0.81 25 7 0.5 0/5 ±0.67 26 5 20 0/5 土 2.85 27 5 10 0/5 土 2.50 83933.DOC -14- 1236064
±0.91 土0.8 1 ±0·67 士 2.85
士 2.50 ±0.91 ±0.81 土 0.67 ±2.85
2/5
(註)表中標示*之試料係為比較例。 土 2.50 ±0.91 ±0.81 ±0.67 由上述表2所示纟士罢^p + ^ 、、" Γ知，與實施例1之氮化鋁製之情況 相同：使為氮化碎製之陶宪加熱器，藉由將電阻發熱體 之』面最J、角度0设疋為5。以上，亦可使加熱升溫時之加 熱器不致發生破裂。3，拉 I 精由將電阻發熱體之配線間距離 L設定在0.5〜5 mm的範圍内，可獲得土 ι〇%以内的溫度均 勻性。 (實施例3) 將燒結助劑及膠著劑添加於氮氧化鋁（A1〇n)粉末，並以 球磨機分散混合。以喷霧乾燥使此混合粉末乾燥後，將其 沖壓成型為直徑3 8 0 mm、厚度1 mm之圓板狀。將此成型體
83933.DOC -15- 1236064 置於非氧化性環境氣體中，以溫度800°C脫脂後，以溫度 1770°C燒結4小時，獲得A10N燒結體。此A10N燒結體之熱 傳導率為20 W/mK。將獲得之A10N燒結體之外周面研磨至 外徑為300 mm，備妥陶瓷加熱器用之A10N基板2片。 於1片之上述ΑΙΟΝ基板之表面上印刷塗佈將鎢粉末及燒 結助劑混合攪拌於膠著劑所得之膠狀物，形成特定之電阻 發熱體之配線圖案。此時，藉由改變印刷網版或膠狀物黏 度，以於電阻發熱體之剖面，使其電阻發熱體之剖面最小 角度0及鄰接之配線間距離L變化。其後，將此A10N基板 置於非氧化性環境氣體中，以溫度800°C脫脂後，再以溫度 1700°C燒成，分別形成W之電阻發熱體。 又，於剩餘1片之上述A10N基板之表面上印刷塗佈將 Si02系接著劑與膠著劑混合攪拌之膠狀物，以溫度500°C脫 脂。將此A10N基板之接著劑層與上述A10N基板之電阻發 熱體之形成面重疊，以溫度800°C加熱接合。以此，製作具 有圖1之構造，且如下述表3所示之配線間距離L及剖面最 小角度0相異之各試料的陶瓷加熱器。 以此獲得之各試料之陶瓷加熱器，以200 V之電壓使電流 流入電阻發熱體，而將陶瓷加熱器之溫度提升至500°C，檢 視陶瓷加熱器是否發生破裂。又，將厚度0.8 mm、直徑300 mm之矽晶圓載置於陶瓷加熱器之晶圓載置面上，測量其表 面溫度分佈，以求得500°C時之晶圓表面的溫度均勻性。下 述表3所示即為各試料所獲得之結果。 83933.DOC -16- 1236064 表3 試料 剖面最小 角度Θ (°) 配線間距 離 L(mm) 加熱器破 裂發生頻 率（N=5) 500 °C時晶圓 表面溫度均 勻性rc) 41 7 20 0/5 土 2.85 42 7 10 0/5 土2.5 0 43 7 5 0/5 土 0.91 44 7 1 0/5 土 0·81 45 7 0.5 0/5 ±0.67 46 5 20 0/5 土 2.85 47 5 10 0/5 士 2.50 48 5 5 0/5 土 0·91 49 5 1 0/5 士 0·81 50 5 0.5 0/5 ±0.67 51* 4 20 0/5 士 2.85 52* 4 10 0/5 土 2.50 53* 4 5 3/5 土 0.91 54* 4 1 4/5 土 0.81 55* 4 0.5 5/5 ±0.67 56* 2 20 0/5 士 2.85 57* 2 10 2/5 士 2.50 58* 2 5 4/5 土 0.91 59* 2 1 5/5 土 0.81 60* 2 0.5 5/5 ±0.67 (註）表中標示*之試料係為比較例。
83933.DOC -17- 1236064 由上述表3可知，與實施例1之氮化銘製之情況相同，即 使為氮氧化鋁製之陶瓷加熱器，藉由將電阻發熱體之剖面 最小角度0設定為5°以上，亦可使加熱升溫時之加熱器不 會發生破裂。且，藉由將電阻發熱體之配線間距離L設定 在0 · 5〜5 mm的範圍内，可獲得土 1 · 0 %以内的溫度均勻性。 (實施例4) 利用同於實施例1之方法，製造氮化鋁燒結體所構成之外 徑300 mm之陶瓷加熱器用A1N基板2片。其次，使用此2片 A1N基板製作陶瓷加熱器時，除了將設置於1片A1N基板之 表面上之電阻發熱體的材料分別改變為Mo、Pt、Ag-Pd、 Ni-Cr以外，其餘則與實施例1相同，分別形成配線間距離L 及剖面最小角度0相異之W之電阻發熱體。 其次，在剩餘1片之A1N基板之表面上塗佈Si02系接合玻 璃，置於非氧化性環境氣體中以溫度800°C脫脂。將此A1N 基板之接合玻璃層重疊於上述A1N基板之電阻發熱體之形 成面，以溫度800°C加熱接合，從而獲得下述表4所示之配 線間距離L及剖面最小角度0相異之各試料之A1N製陶瓷 加熱器。〜 以此獲得之各試料之陶瓷加熱器，以200V之電壓使電流 流入電阻發熱體，而將陶瓷加熱器之溫度提升至500°C，檢 視陶资加熱器是否發生破裂。又，將厚度0.8 mm、直徑3 0 0 mm之矽晶圓載置於陶瓷加熱器之晶圓載置面上，測量其表 面溫度分佈，以求得500°C時之晶圓表面的溫度均勻性。下 述表4所示即為各試料所獲得之結果。 83933.DOC -18- 1236064 表4 試料 發熱體 剖面最小 角度 0 (°) 配線間 距離L (mm) 加熱器破 裂發生頻 率（N=5) 500 〇C 時 晶圓表面 溫度均勻 性（°c) 61 Mo 7 10 0/5 士 1.28 62 Mo 7 0.5 0/5 士 0.35 63 Mo 5 10 0/5 士 1.28 64 Mo 5 5 0/5 士 0.45 65 Mo 5 1 0/5 土 0.37 66 Mo 5 0.5 0/5 士 0.35 67* Mo 4 10 0/5 士 1.28 68* Mo 4 1 2/5 士 0.37 69* Mo 4 0.5 5/5 ±0.35 70 Pt 7 10 0/5 士 1.28 71 Pt 7 0.5 0/5 土 0.35 72 Pt 5 10 0/5 ±1.28 1 73 Pt 5 5 0/5 士 0.45 74 Pt 5 1 0/5 土 0.37 75 Pt 5 0.5 0/5 土 0.35 76* Pt 4 10 0/5 土 1.28 77* Pt 4 1 4/5 土 0.37 78* Pt 4 0.5 4/5 土 0.35 79 Ag-Pd 7 10 0/5 土 1.28 83933.DOC -19- 1236064
(註）表中標示*之試料係^ N i - Cr —--—-- 如上述表4所示，與實施例1所示之W之電阻發埶體的情 況相同，即使電阻發熱體為心^州、犯心所構成 之氮化銘製之陶資;加敎哭，由妒 …W 精由知電阻發熱體之剖面最小 角度0設定為5。以上，可佶加敎斗、、西D土、，| 便力"、、升/JGI時_^加熱器不致發生 破裂。且，藉由將電阻發熱體之配線間距離L設定在〇·5〜5 mm的範圍内，可獲得士 〇·5%以内的溫度均勻性。
83933.DOC -20- 1236064 (實施例5) 將燒結助劑、膠著劑、分散劑、乙醇添加於氮化銘（AIN) 粉末混合攪拌所得之膠狀物，利用刮刀法進行成型，取得 厚度約0.5 mm之生板片。 其次，將此生板片以80°C乾燥5小時之後，以膠著劑將鎢 粉末及燒結助劑混合攪拌為膠狀物，並印刷塗佈於1片生板 片之表面上，形成特定配線圖案之電阻發熱體層。此時， 藉由改變印刷網版或膠狀物黏度，以於電阻發熱體之剖面 ，使其電阻發熱體之剖面最小角度0及鄰接之配線間距離 L變化。 甚而，另外一片生板片亦以相同方法乾燥，並於其表面 上印刷塗佈前述鎢膠，形成電漿電極層。將此等具有導電 層之2片生板片及以相同方法乾燥之未印刷導電層之生板 片合計50片積層，施加70 kg/cm2的壓力，同時以140°C加 熱使之一體化。 將獲得之積層體置於非氧化性環境氣體中，以600°C脫脂 5小時後，再以100〜150 kg/cm2之壓力及1800°C的溫度進 行熱壓，從而獲得厚度3 mm之A1N板狀體。將此切出直徑 3 80 mm之圓板狀，並將其外周部研磨成直徑300 mm。以此 獲得各試料之陶瓷加熱器，其係具有圖2構造之内部具有W 之電阻發熱體與電漿電極者，且如下述表5所示，其配線間 距離L及剖面最小角度Θ相異。 以此獲得之各試料之陶瓷加熱器，以200 V之電壓使電流 流入電阻發熱體，而將陶瓷加熱器之溫度提升至500°C，檢 83933.DOC -21 - 1236064 視陶瓷;加熱器是否發生破裂。又，將厚度0.8 mm、直徑300 mm之矽晶圓載置於陶瓷加熱器之晶圓載置面上，測量其表 面溫度分佈，以求仔5 0 0 C時之晶圓表面的溫度均勻性。下 述表5所示即為各試料所獲得之結果。 表5 試料 剖面最小 角度0 Γ) 配線間距 離 L(mm) 加熱器破 裂發生頻 率（N=5) 500°C時晶圓 表面溫度均 勻性（°c) 97 7 20 0/5 土 1·86 98 7 10 0/5 士 1.29 99 7 5 0/5 士 0·47 100 7 1 0/5 士 0.41 101 7 0.5 0/5 士 0.36 102 5 20 0/5 ±1.86 103 5 10 0/5 士 1.29 104 5 5 0/5 土 0.47 105 5 1 0/5 士 0.41 106 5 0.5 0/5 士 0.36 107 4 20 0/5 士 1·86 108 4 10 0/5 土 1.29 109 4 5 4/5 土 0·47 110 4 1 4/5 土 0.41 111 4 0.5 4/5 土 0.36 112 2 20 0/5 土 1·86 83933.DOC -22- 1236064
-'-^ 如上述表5所示之結果可知，即使具有電阻發熱器及電浆 乱化鋁製《陶瓷加熱器，藉由將電阻發熱體之剖面 『J角度0汉疋為5以上’亦可使加熱升溫時之加熱器不 & & ± c JL ’精由將電阻發熱體之配線間距離匕設定 mi 在〇·5〜5 _的範圍h獲得士 〇·5%以内的溫度均勾性。 產業上之利用可能性 根據本發明可提供—種半 甘w _ 千等I埏裝置用陶瓷加熱器， /、係精由將電阻發敎體立丨〗 、w …^。面展面與側面所形成之角产蓋 =時T/圓表面之溫度均勻性，同時並可防止二 電阻發熱體間之短路所造成之損傷者。 L圖式間早說明】 圖1係模式性表示陶瓷加鼽哭、 圖，⑷為眘際之”且m刮面之剖面 剖面。一剖面，(b)為理想之電阻發熱體 圖2係概略表示本發明之陶堯加 圖。 …、-心 具岐例又剖面 :係柄表示本發明之陶Μ熱器之其他具體例之剖 【圖式代表符號說明】 1 ·. ·陶免加熱哭
83933.DOC -23- 1236064 2，2a，2b...陶瓷;基板 3, 3a，3b...電阻發熱體 4.. .接著層 11.. .陶瓷加熱器 12a，12b，12c...陶瓷基板 13.. .電阻發熱體 14a，14b...接著層 15.. .電漿電極 L·.·配線間距離 -24-
83933.DOC
Claims (1)
1236漱^2119013號專利申請案 ，:—_________________— 中文申凊專利範圍替換本(94年2月）丨g ;丨心【ϊU ^拾、申請專利範園： ⑥年 > 丨:丨ΧΓΪΊ ! l —種半導體製造裝置用㈣加熱器，其特徵為具有位於 陶究基板表面或内部之電阻發熱體，且於電阻發教體之 剖面’該電阻發熱體之底面與側面所形成之 係設定為5。以上。 2·如申請專利範圍第i項之半導體製造裝置用陶资加熱器 ’其中將晶圓載置於晶圓載置面並通電加熱電阻發熱體 時，晶圓表面溫度之不均在使用溫度時係為±1〇%以下。足 3·如申請專利範圍第2項之半導體製造裝置用陶资加熱器 ，其中前豸晶圓表面溫度之不均在使用溫度時係^ 士〇· 5 %以下。 、、、 4. 5. 6. 8. 如申請專利範圍第卜3項任—項之半導體製造裝置用陶 ，加熱益’其中前述陶资基板係由氮化銘、氮化珍、氮 虱化鋁或碳化矽中至少選擇一種所構成者。 人 如申請專利範圍第1〜3項任-項之半導體製造裝置用陶 资加熱器，纟中前述陶究基板係為熱傳導率_術贼以 上之氮化鋁或碳化矽。 製造裝置用陶瓷加埶哭 ασ* 率100W/mK以上之氮化 如申請專利範圍第4項之半導體 /、中的述陶堯基板係為熱傳導 銘或碳化石夕。 :申請專利範圍第1〜3項任一項之半導體製造裝置用陶 瓷加熱器，其中前述電阻發熱體係由鎢、鉬、鉑、麵γ 銀、鎳或鉻中至少選擇一種所構成者。 巴 如申請專利範圍第4項之半導體製造裝置用陶i加熱哭 83933-940225.DOC Ϊ236064
嫣、鉬、銷 鈀、銀、鎳或 ，其中前述電阻發熱體係由鎢、金 路中至少選擇一種所構成者。 造裝置用陶瓷加熱器
如申請專利範圍第5項之半導體製 其中前述電阻發熱體係由嫣 鉻中至少選擇一種所構成者。 夂 1〇.如申請專利範圍第1〜3項任一項之半導體製造襞置用陶 瓷加熱器，其中進一步於前述陶瓷基板表面或内部配置 電漿電極。 11·如申請專利範圍第4項之半導體製造裝置用陶瓷加熱器 ’其中進一步於前述陶資基板表面或内邵配置電装電梅 83933-940225.DOC 2-
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