TWI235115B - Seamless, composite belts - Google Patents

Seamless, composite belts Download PDF

Info

Publication number
TWI235115B
TWI235115B TW088118200A TW88118200A TWI235115B TW I235115 B TWI235115 B TW I235115B TW 088118200 A TW088118200 A TW 088118200A TW 88118200 A TW88118200 A TW 88118200A TW I235115 B TWI235115 B TW I235115B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tape
layer
patent application
item
polymer
Prior art date
Application number
TW088118200A
Other languages
English (en)
Inventor
Brian Lombardo
Original Assignee
Scapa Group Plc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Scapa Group Plc filed Critical Scapa Group Plc
Application granted granted Critical
Publication of TWI235115B publication Critical patent/TWI235115B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001Manufacture of flexible abrasive materials
    • B24D11/005Making abrasive webs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/06Connecting the ends of materials, e.g. for making abrasive belts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

A7 1235115 __B7 _ 五、發明說明(/ ) 發明背景 本發明的目的是爲了產生一無縫隙的複合帶子,用以 改善半導體晶圓的拋光拋光,此由於與一半導體晶圓接觸 時帶子放得平坦,而沒有向上或者是向下彎曲的現象。 半導體晶圓的化學機械拋光(CMP)在積體電路的製造 中是相當新穎的技術。傳統的化學機械拋光法包含握住一 晶圓使其表面朝下,然後與一安裝在轉動轉盤上的一平坦 拋光墊相互接觸。這種安排是源自於傳統的玻璃拋光技 術。最近,一種新型的CMP工具已經由Ontrak Systems所 硏發出來,然後由Lam Research取得。如同美國專利 5,692,947中所描述的,該新工具使用一線性拋光組件,其 包含附著於一支撐用之環狀金屬帶子上的一傳統的平坦拋 光墊。最近並沒有單片帶子可以用在半導體晶圓拋光或者 Lam Research的工具上。
Scapa Group的一個部門已正硏發出一種可以使用在 Lam Research所擁有的工具上的無縫隙的複合帶子。在硏 發如此的一種帶子,使其整體上包含足夠的強度以及精密 的拋光表面,以及可以有效率和穩定地生產,有許多的困 難以及限制。一個特別且未預期到的問題是:這種原型的 帶子無法維持一平坦的表面,也就是說,在安裝用的滾輪 的間幅中,帶子的邊緣會向上或者是向下彎曲,由於與半 導體晶圓表面不均勻的接觸,這種現象會造成不良的拋光 表現。本發明克服這重要的問題。 發明綜述 3 _ _ _________ I. .-----------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1235115 A7 _B7___ 五、發明說明(:>) 本發明包含一種無縫隙的複合帶子’其被設計、構成 或者生產成在兩個滾輪的間幅中維持實質平坦的表面。本 發明的帶子典型具有一或多層的聚合物層,包含拋光層, 以及具有一或多層支撐的編織(woven)或者是非編織(non-woven)層。本發明的完成是藉著使用一或多個下列的方 式,來達成向上彎曲以及向下彎曲力量之間所必須的一種 平衡·· 1)改變在帶子中不同聚合物層以及支撐層的相對厚 度,2)改變在帶中不同層的硬度以及剛性,3)改變不同層 形成的溫度,4)改變支撐層的組成,以及5)事先對一或多 層的複合層施加應力。 本發明的帶子對於半導體晶圓的化學機械拋光特別有 用,在此維持與平坦晶圓整個表面的均勻接觸是非常重要 的。除此之外,本發明的帶子也可以運用到其他方面,包 含其他的拋光運用,印刷運用,以及材料處理的運用,譬 如在某些帶子與加工物件均勻接觸是很重要的地方。 發明簡述 本發明的無縫隙之複合帶子,典型是由鑄造、壓縮模 造或者射出成形一聚合物層到一支撐層之上而製成。該製 造過程典型包含升高溫度,以便於去熔解或者是使熱塑性 材料可以流動,或者是去混合以及硬化熱固性材料。然 而,該聚合性材料可以視需要以任何適當的溫度或者是不 同的溫度以及時間的順序來硬化。該聚合物層可以是任何 適當的材料或者是材料的組合。其可以是實心的或者是多 孔的,其可以含有任何種類的塡充物質以及活化或鈍性的 4 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ 297公釐) -----------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1235115 • A7 ____ B7 ___ 五、發明說明(5 ) 成份或其組合。典型上,使用一個實質呈圓柱形的模子來 製造具有對稱特性而無捻接或縫隙的帶子。該鑄模可以是 靜態的,或者是旋轉方式的,例如以離心力的方式鑄造。 另外一種製造具有對稱性特質的帶子的方法包括在一轉動 的圓柱核心或者是滾輪上形成該帶子。該帶子的製造也有 可能是藉由將一聚合物層連續擠出在一管狀的支撐材料 上,然後再將其切割成所需寬度的帶子。 典型地需要一種至少包含兩不同層的複合帶子,以提 供精確的拋光表面以及帶子所必須的機械強度。該拋光層 可以是光滑的或者是有紋路的,以及可以具有任何適當的 凹槽圖案、凹陷或者是凸起的外觀,其可以是模造成的, 或者是經由其他第二次操作的機械加工來達成。該支撐層 可以是由任何編織或者是非編織的織物所構成,其可以是 天然的或者是人工的、有機或者是無機的材料。 然而,當該帶子是靜止不用的時候以及當其是在拉伸 情形下裝到滾輪上時,該複合結構會導致內部應力的不均 勻,這種現象經常導致在安裝用滾輪的間幅中的帶子邊緣 會向上或者是向下彎曲。通常這種不均勻的內部應力所產 生的原因是由於使用具有不同熱的或者是分子收縮速率, 或者是不同的拉伸、剪力以及壓縮特性的材料。在這種造 成帶子彎曲的潛在因素了解之後,藉著匹配不同材料的特 性’或者是尋找一種可以同時提供拋光以及機械強度的單 一材料,去尋求一種完全消除這種內部應力分布不均勻現 象的方法是合乎常理的。然而,一單一組成的帶子’其是 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公爱) -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1235115 A7 _ B7 __ 五、發明說明(4〇 無縫隙的而且已經形成實質呈圓柱體的形狀,譬如一種實 心橡膠或者是氨酯的帶子,該帶子在安裝用的滾輪的間幅 中是無法完全平坦的,事實上其邊緣會向下彎曲。本發明 的一個令人訝異的特性是這些帶子一定具有複合結構,使 得該無縫隙的拋光帶子在與晶圓接觸的間幅中提供平坦的 表面。 該複合結構是必須的,以便當帶子跨於安裝用的滾輪 之間時,可使帶子上向上彎曲以及向下彎曲的力量是均衡 的。要平衡向上彎曲以及向下彎曲的力量的方法,可以藉 著以下其中之一或者是組成來達成:1)改變在帶子中不同 聚合物層以及支撐層的相對厚度,2)改變在帶子中不同層 的硬度以及剛性,3)改變不同層形成的溫度,4)改變支撐 層的組成,5)事先對該一或多層的複合層施加應力。此 外,也可能藉著形成一具有擁有反抗彎曲能力的交互式區 域的帶子,來產生向上彎曲以及向下彎曲的力量的適當均 衡。該交互式向上彎曲以及向下彎曲的區域會趨向抵銷彼 此之間的力量,而使得該帶子在跨過安裝用的滾輪的間幅 中會實質是平坦的。 具有所需的向上彎曲以及向下彎曲的力.量均衡而使得 該帶子平坦的帶子結構例子包含: 1) 三層帶子,在此一編織織物藉著熱鑄造聚氨酯而覆 蓋在其兩側,其中氨酯的頂層是比底層來得厚。 2) 兩層帶子,在此一鬆散編織的網狀織物,其藉著熱 鑄造聚氨酯而覆蓋在其外側或者是頂部。 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) I 1II1II — — — — — — ·1111111 ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1235115 • A7 _:____ __ B7___ 五、發明說明(f ) 3) 兩層帶子’在此一熱鑄造聚氨酯層與纏繞增強的細 繩共同形成。 4) 兩層帶子’在此該熱鑄造聚氨酯層形成在一事先施 加應力的織物上,該織物在該鑄造期間是處於拉伸狀況 5) 兩層帶子,在此一織物層被一聚氨酯層覆蓋,該聚 氨酯層在一較高溫度中完成硬化循環之前先在室溫中固 化。 6) 三層帶子’在此有相同厚度的頂層以及底層,但頂 層由較底層更爲剛硬的材料所形成。 7) 三層帶子,在此具有一均勻厚度的頂層,然而該底 層的厚度是以正弦波形式改變,如此以產生緩和向上彎曲 以及緩和向下彎曲趨勢的交互式區域。 8) 三層帶子,在此具有一海綿狀頂層,以及一實心的 底層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I ^---^-----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1235115 六、申請專利範圍 丨·—種無縫隙的複合帶子,其在兩分隔開的安裝用表 面之間幅中保持實質平坦的表面,該帶子包括一或多層聚 合物層,以及包括一或多層支撐的編織或者是非編織層’ 以及更進一步包括結構特性,以達成在向上彎曲以及向下 彎曲力量之間的一種平衡,該力量是施加在安裝用表面之 間幅中的帶子上。 2·如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其具 有不同的厚度之多數個聚合物層。 .3.如申請專利申請範圍第1項之無縫隙的複合帶子, 其具有不同硬度或剛性之多數個聚合物層。 4. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其具 有在不同的溫度中形成之多數個聚合物層。 5. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其具 有不同的組成之多數個聚合物層。 6. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其中 一或多層的聚合物層以及支撐層是被事先施加應力。 7. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其中 該帶子具有圍繞帶子長度的交互式區域,該區域具有反抗 彎曲的能力。 8. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其中 該帶子實質上是圓柱狀的。 9. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其中 該帶子是三層帶子,擁有藉著熱鑄造聚氨酯而覆蓋在其兩 側的編織織物層,以形成一頂部以及底部聚合物層,其中 ·』-----·................裝..............·訂................線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公變) 1235115 £5ΰ C8 D8 ------- 申請專利範圍 聚氨酯的頂層是比底層來得厚。 二!=靑=範,1項之無_的複合帶子,其中 3巾、疋:m,推有—鬆散且以熱鑄造聚氣醋覆蓋的 編織網狀織物層。 u.如申請專利軸第1項之無_t的複合帶子,其中 該帶子是兩層帶子’擁有與纏繞增強的 共同形成的 一熱鑄造聚氨酯層。 12. 如申請專利軸第丨項之無縫隙随合帶子,其中 該帶子是麵帶子’ ㈣氨隨雜在一被事 先施加應力的織物層上’該織物在該鑄造期間是處於拉伸 狀況。 13. 如申I轉利範11第1項之無縫隙的複合帶子,其中 該帶子是兩層帶子,擁有聚氨酯層覆蓋的織物層,該聚氨 酯層在一較高溫度中完成硬化循環之前先在室溫中固化。 14·如f請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其中 S亥帶子是二層帶子,其在支撐層的任一側具有相同厚度的 頂部以及底部聚合物層,以及頂部聚合物層由較底部聚合 物層更爲剛硬的材料所形成。 15. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其中 該帶子是三層帶子’具有在支撐層之上的均勻厚度的聚合 物頂層,以及在該支撐層之下而厚度是以正弦波形式改變 底聚合物層,如此以產生緩和向上彎曲以及緩和向下彎曲 趨勢的交互式區域。 16. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其 中該帶子是三層帶子,具有一夾在頂部及底部聚合物層之 度適用中國國家標準«^^)八4規格(210>< 297公釐) —I,......................裝-..............訂................線 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1235115 C8 D8 六、申請專利範圍 支撐層,而其中該頂部聚合物層是由海綿狀聚合物所形成 且底部聚合物層是由實心聚合物所形成。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 17. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其 中該結構性質包括下列性質中之一或一種組合: (a) 改變在帶子中不同聚合物層以及支撐層的相對厚 度; (b) 改變在帶子中不同層的相對硬度及剛性; (c) 改變不同層形成的溫度; (d) 改變支撐層的組成;以及 (e) 事先對一或多層的複合層施加應力。 18. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其 中聚合物層中之一層爲拋光層。 19. 如申請專利範圍第1項之無縫隙的複合帶子,其 中該兩分隔開的安裝用表面即爲滾輪。 20. 如申請專利範圍第19項的之無縫隙的複合帶子, 其中該滾輪爲用作拋光鈔或半導體晶片的化學機械拋光工 具之部件。 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW088118200A 1998-10-26 1999-10-21 Seamless, composite belts TWI235115B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10560698P 1998-10-26 1998-10-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI235115B true TWI235115B (en) 2005-07-01

Family

ID=22306791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088118200A TWI235115B (en) 1998-10-26 1999-10-21 Seamless, composite belts

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6213858B1 (zh)
EP (1) EP1126952B1 (zh)
JP (1) JP2002528277A (zh)
KR (1) KR20020018642A (zh)
AU (1) AU6354899A (zh)
DE (1) DE69914215T2 (zh)
TW (1) TWI235115B (zh)
WO (1) WO2000024550A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6464566B1 (en) * 2000-06-29 2002-10-15 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for linearly planarizing a surface of a semiconductor wafer
US6561889B1 (en) * 2000-12-27 2003-05-13 Lam Research Corporation Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same
US6572463B1 (en) * 2000-12-27 2003-06-03 Lam Research Corp. Methods for making reinforced wafer polishing pads utilizing direct casting and apparatuses implementing the same
US20030224678A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Applied Materials, Inc. Web pad design for chemical mechanical polishing
US8602851B2 (en) * 2003-06-09 2013-12-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled penetration subpad

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1994283A (en) * 1929-06-13 1935-03-12 Carborundum Co Manufacture of abrasive paper
US4337598A (en) * 1979-12-21 1982-07-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Endless belt with automatic steering control
US4715150A (en) * 1986-04-29 1987-12-29 Seiken Co., Ltd. Nonwoven fiber abrasive disk
RU2116186C1 (ru) * 1991-12-20 1998-07-27 Миннесота Майнинг Энд Мэнюфекчуринг Компани Лента с абразивным покрытием
US5486133A (en) * 1994-05-31 1996-01-23 Russell; Jerry Timing belt grinding apparatus and method
DE69512971T2 (de) 1994-08-09 2000-05-18 Ontrak Systems Inc., Milpitas Linear Poliergerät und Wafer Planarisierungsverfahren
KR19980702613A (ko) * 1995-03-02 1998-08-05 워렌리차드보비 구조적 연마재를 이용하여 기판을 텍스쳐링하는 방법
US5769691A (en) * 1996-06-14 1998-06-23 Speedfam Corp Methods and apparatus for the chemical mechanical planarization of electronic devices
JP2738392B1 (ja) * 1996-11-05 1998-04-08 日本電気株式会社 半導体装置の研磨装置及び研磨方法
US6328642B1 (en) * 1997-02-14 2001-12-11 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing
IT243153Y1 (it) * 1997-04-30 2002-02-28 Paolo Baratti Supporto flessibile per materiale abrasivo in fogli.

Also Published As

Publication number Publication date
DE69914215T2 (de) 2004-12-02
DE69914215D1 (de) 2004-02-19
AU6354899A (en) 2000-05-15
US6213858B1 (en) 2001-04-10
KR20020018642A (ko) 2002-03-08
JP2002528277A (ja) 2002-09-03
EP1126952B1 (en) 2004-01-14
EP1126952A1 (en) 2001-08-29
WO2000024550A1 (en) 2000-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101944542B1 (ko) 개방 망상 연마 패드를 형성하는 방법
TW466157B (en) Unsupported chemical mechanical polishing belt
TWI543845B (zh) 形成經結構為開放網路之研磨墊之方法
TW462906B (en) Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns
KR101099886B1 (ko) 제어된 침투성 서브패드
NO20053697L (no) Fremgangsmate for a produsere harpiksimpregnerte somlose belter og et belte for papirproduserende maskiner og tilsvarende industrielle anvendelser
TW201323151A (zh) 形成層狀開放網路研磨墊之方法
JP2001505489A5 (zh)
TW201534429A (zh) 具有基礎層及拋光表層之拋光墊
TWI235115B (en) Seamless, composite belts
ATE383655T1 (de) Doppelaufhärtungs-b-stapelbare unterfüllung für das wafer-niveau
TW200427548A (en) Controlled penetration subpad
US2743559A (en) Abrasive bands
JPS61238003A (ja) 繊維強化プラスチツク製反射鏡
TW552179B (en) Polishing pad and method for manufacturing the same
US4750827A (en) Processes for manufacturing substrates of mirrors made of resin concrete and corresponding mirrors
JPS62117732A (ja) 強化プラスチック製巻芯
JPS5930245A (ja) 円板状記録媒体の表面平滑化方法
JP2002075932A (ja) 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法
WO2020223455A1 (en) Chemical-mechanical polishing pad with textured platen adhesive
JP2766813B2 (ja) 型枠材
JP2003117838A (ja) 研削砥石、研削砥石の製造方法、研削砥石の製造装置および研削砥石保持装置
JP2003142638A (ja) 熱伝導材及びその製造方法
JPS62169609A (ja) クリ−ニングブレ−ドの製造方法
JPS63317303A (ja) 光沢表面を有するセメント系硬化体製品の製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees