TWI234217B - Method for analyzing wafer test parameters - Google Patents

Description

1234217 ---- 案號 m 135096 年目日 修正__ 五、發明說明（1) (一）、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製程參數分析方法，特別關於一種 晶圓測試參數之分析方法。 (二）、【先前技術】 在半導體製造技術中，要完成一半導體產品通常要經 過許多個製程，例如微影製程、蝕刻製程、離子植入製程 等；亦即在半導體製造過程中必須應用到龐大數量的機 台，以及許多繁瑣的程序。因此，熟悉該項技術者皆致力 於確保機台運作正常、維持或提高產品良率、偵測確認問 題點以及機台維修等作業，以期使半導體產品的生產速度 及品質能夠合乎客戶需求。 一般而言，要探討半導體製程的問題可以從下列數項 資料著手進行分析，包括製程參數資料、線上品質測試 (In-line QC)資料、缺陷檢測（defect inspection)資 料、樣品測試（sample test )資料、晶圓測試（wafer test ) 晶圓測 test ) (IDDQ 在 此時熟 測試， 接 項晶圓 資料以及封裝後測試（f i n a 1 t e s t )資料。其中， 口式資料乃疋對晶圓進行特性測試（p a u s e r e f r e s h 、功能測試（function test )及電源供應電流測試 t e s t )所得到的測試值。 著，在步驟1〇2中，熟知技術者會觀^晶圓的各 料$ a u吉果’以便找出晶圓測試結果有偏差的

第7頁 ---·^ 習知技術中，請參照圖1所示，首先進行步驟丨〇 1， 知技術者會針對每一晶圓進行各項晶圓測試項目的 如特性測试、功能測試及電源供應。 1234217 曰 修正

號 911350QR 五、發明說明（2) 產品；如圖2所示’在-片晶圓2中會切割成複數個晶格 、ΓΛ人中包括有複數個不良的晶格21 (以黑色顯示） 的晶格22(以白色顯示），而圖2即表示晶 圓測试芩數值的分布圖。 步驟103係由熟知技術者根據經驗，以及 產品之晶圓測試參數值分布圖，來判斷可： 有:广衣程站別’如微影製程、蝕刻製帛、離子植入製 程等。 ^後，在步驟104中，熟知技術者係檢查步驟1〇3所判 Ϊ之別中-的各機台’以便找出異常的機台。舉例而 二f 2 π二所7^的®分布圖，熟知技術者可以判斷有問題的 衣私站別為某-金屬層的形成過程有 進行此金屬層的製程站別，並檢杳 ^乂j 乂役子 機台、姓刻機台等。 i檢查出異常的機台’如沉積 一八2:要,t在習知技術中乃是利用人為經驗判斷來決 ，所以最後分析出來之結果的精確 度及了U將有待商榷；再加上半 2師期工程師之間的經驗傳承= 當半導體產品的測試結果發生 ：的呆作狀悲故 可能必須耗費許多=斷出疋哪一個環節出問題，因而 y “肩耗賈卉夕時間來進行相關研究 錯誤的判斷，如此一爽，又伯隊加制 世主有了月b做出 成本，還無法及時改盖線：：：：；程的效率、增加生產 了叹吾線上生產情形以提高良 t種能夠在半導體產品的晶圓測試資 第8頁 1234217 _案號 91135096 曰 修正一 五、發明說明（3) :發生異常時，快速且正確 的分析方法，…前半導體製造技“那重題 (三）、【發明内容】

有鋥於上述課題，士& aD 導體產品的晶圓測試資料= ; = = 半 疋」们％即出問畸的晶圓測試參數分析方法。 本电明之特徵係以良率高的產品為對昭组並 晶圓:則，項目相關之其他製程項目記錄於'資料庫中：各項 方法以m” ’依本發明之晶圓測試參數分析 方^係用以为析禝數批分別具有一批號之產品，复 ΐ!;台嘯，而每批產品中的每-片晶圓係至 、Β日員測5式項目之檢測以產生一晶圓測試參數值，晶 測试項目及其參數值、以及與晶圓測試項目相關的一樣品 測=項目、一線上品質檢測項目以及—製程站別係儲存= 一貪料庫中，本方法包括以下數個步驟： 依據良率將複數批產品區分為至少二產品組，包括一 高良率產品組及一低良率產品組； 依據高良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值以統 計分析方式產生一第一標準值； 比對低良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值與第 一標準值，以自低良率產品組之各批產品之批號中删除等 於或優於第一標準值之產品的批號； 於刪除動作之後，判斷低良率產品組之剩餘批號的數 量是否為零； 第9頁 1234217

修正 次：S判斷低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時，自 賢料庫中搜哥與晶圓測試項目相關之樣品測試項目、線上 品質，測項目或製程站別；以及 、、 a田判斷低良率產品組之剩餘批號的數量為零時，停止 ^另卜本發明亦提供另一種晶圓測試參數分析方法， 2 2分析複數批分別具有一批號之產品，其係經過複 一 :口所製得，而每批產品中的每一片晶圓係至少經過 厂晶圓測試項目之檢測以產生一晶圓測試參數值，此晶圓 、J 4員目包括對各晶圓之每一晶格進行複數種電性測試， 而晶圓測試參數值係為各種電性測試的統計結果，本方法 包括以下數個步驟： 一古依據良率將複數批產品區分為至少二產品組，其包括 阿良率產品組及一低良率產品組； ^ 依據高良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值以統 计分析方式產生一第一標準值； ⑨比對低良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值與第 一標準值’以自低良率產品組之批號中刪除等於或優於第 一標準值之產品批號； 於刪除動作之後’判斷低良率產品組之剩餘批號的數 量是否為零； 當判斷低良率產品組之剩餘批號的數量為零時，停止 分析動作，·及當判斷低良率產品組之剩餘批號的數量不為 零時’進行下列步驟：搜尋低良率產品組之各晶圓之每一 晶格的各種電性測試值；定義各晶圓上不合乎各種電性測

第10頁 1234217 修正

圓之一目標晶格分

—案聽_ 91135DQR 五、發明說明（5) 圓測試 二標準 組中包 挑出； 項目或 參數分 測試項 正確地 所以能 減少生 參數值分布 值之晶圓挑 含目標晶圓 及自資料庫 製程站別。 析方法係以 目相關之其 判斷出有問 夠有效地減 產成本、並 试規格之晶格為目標晶格，並取得各晶 布圖；_將各晶圓之目標晶格分布圖與晶 S進行$圖動作，將重疊比率大於一第 出並定義為一目標晶圓；將低良率產品 $，Z大於一第三標準值之產品的批號 搜哥與晶圓測試項目相關之樣品測試 …承上所述，因依本發明之晶圓測試 =高的產品為對照組並將與各項晶圓 他衣程項目記錄於資料庫中，以便能夠 題的製程站別，進而找出異常之機台， >、人為判斷的錯誤來提高製程的效率、 及時改善線上生產情形以提高良率。 (四）、【實施方式】 ’說明依本發明較佳實施例之晶 中相同的元件將以相同的參照符 以下將參照相關圖式 圓測試參數分析方法，其 號加以說明。 請參照圖3至圖5，圖中 流程圖。此實施例係利用晶 並預計找出問題機台。 顯示本發明第一較佳實施例之 圓測試項目A之結果進行分析 如圖3所示，首先，在步驟3〇1中，依本 例之晶圓測試表數八批古、也 ^ 1 ^ 後步額2係將良率刀大析/等法二先搜…產品之良率’然 品設定為Α組-預設值（如7〇%)之數批產 34A「彳丄 良革產σ口級）產品，例如包括批號1、2、 -—— 〇步驟3 0 3所示）；以及將良率低於預設值 1234217 案號 91135096 五、發明說明（6) 如70% )之數批產品設定為β組（低良率產品組）產品， 例如包括批號6、7、8、9、及1〇 (如步驟3〇4所示）。 其中，每一批（lot )產品係具有一批號（1〇t number)，且每批產品包括有25片晶圓，而每批產品係經 過複數道製程的複數個機台。就一晶圓測試項目而言，例 如項目A，係對每片晶圓之每—個晶格（die)進行多道電 性測試，並獲得每一個晶格之電性測試參數值。對於每種 電性測試項目，皆設有一管制標準（c〇n忖〇i spe㈠。當 一晶格之電性測試參數值合乎管制標準，則算是通過此電 性測試項目；而當一晶格不合乎管制標準，則是無法通過 此電(·生測试項目，並且’纟此—階段，此晶格之晶圓測試 :目A就算是不合格（fail)。是故，# 一片晶圓之所有晶 格白經過晶圓測試項目A所包含之電性測試過程後，吾人可 =獲得此晶圓之晶圓測試參數分布圖，如圖2所示。此外， 无、头技術者可將此晶圓之晶圓測試項目A之合格晶格數目， η、晶格數目’獲得一數值，此數值稱為此晶圓之晶圓 展:、二數值。而一批產品（〇ne l〇t )之晶圓測試參數值 貝，疋八包含之總晶圓數之晶圓測試參數值之平均值。 。至於一批產品之良率，則是通過種種測試項目，包括 晶圓測試項目、線上品質檢測項目、樣品測試項目等等 试後所獲得之產品優劣之代表值。 、"巧苓見圖3之步驟30 5，會先就A組產品之晶圓測試資料 統計5析，找出A組產品中具有代表性之晶圓測試參數 I a。接著，參見步驟3 0 6，在B組產品中，以、作為標準， 刪除·品中，晶圓測試參數值等於或優於κΑ值之產品， 第12頁 、發明δ兀m w 邡即，在此低良率產品組中，過濾掉通過晶圓測試項目A (即其晶圓測試參數值優於KA)之產品批號。之後，步驟 3〇7判斷在B組產品中剩下的批數是否為零，若為零，則停 必分析動作。若批數不為零，則連接至圖4，此處需說明的 是，當批數不為零時，代表這幾批刻組產品中剩餘的產 於，其良率低之原因係可能與其晶圓測試項目A不 (fail )有關。 參見,4步驟401 ’當圖3之結果顯示出前述在b組產品 中剩餘的良率低之產品與晶圓測試項目A不合 自，經驗累:積資料庫中去搜尋相關可用之資訊。根關二往將 之錁驗，貝冰工程師追蹤問題時，會根據其經驗判 「當晶圓測試項目A不合格時，可能與何種原 ？， 其答案可能是：「應該要去追蹤樣品測試項目（sJ^ 」 test 目之 關0

)之某一個項目、或者庫^P旅木 P “-個項目、W 蹤線上品質檢測項 某 、 5 可以直接判斷與哪一個π h 」是故，此-經驗累積資料庫係由資深工； 驗輸入,糸：二用入以提供一種電腦自動判斷追蹤路徑 向。當幻，此經驗累積資料庫，亦可由電腦自、 後續問題追蹤過程中所獲得之經驗自行儲 丁 累： 資料庫中。 、、、工驗累積 值為組產品經過步 步驟4M中，當此經驗累積f料庫顯示晶 與〆樣品測試項目相關時，則進行步驟4〇3，插二、 品之此樣品測試項目資料，同樣地，進行統1組產 作，求出其具代表性之樣品測試參數值（可二、斤的動 υ 城装，缶励/1 η /1及… ^崎—平均值 3 Ο 6彳所剩餘之產品的樣品測試結果等於或優於〜值之產沖 批號冊J除'然後’步驟4 〇 5判斷剩餘之產品批號是否為零/ 若為零，則停止分析動作；若不為零則進行步驟406，其係 自組驗累積資料庫中搜尋當樣品測試項目不合格時，應追 踉之項目。若經驗累積資料庫顯示應追蹤一製程站別（步 驟4 0 8 ) ’則連接至圖5之流程。若經驗累積資料庫顯示應 追路：一線上品質檢測項目（步驟4 〇 7 )，則連接至步驟 41〇。 一麥見步驟40 9所示，此步驟係經過步驟4〇1搜尋經驗累 積貪料：後’顯示晶圓測試項目Α與一線上品質檢測項目相 關〆：二1 0中、’搜哥Α組產品之線上品質測試資料，並 t ΐ為二;U出其具有，表性之線上品質測試參數值 準，將B組產品經過步驟3〇6後所剩餘之 心為祆 試資料等於或優於/zA之產品批號刪除：勺線上品質測 斷剩餘之產品批號是否為零。若為$步驟412中’判 若不為零，則進行步驟41 3，以便自經驗'累T止^分析動作； 當線上品質測試結果不合乎規格時，應追ρ積資料庫中搜尋 別（步驟414 )，然後連接至圖5之流^。縱哪一個製程站 參見步驟41 5，此步驟係經過步驟4 〇 1 $ 料庫後，顯示晶圓測試項目Α不合袼時，废、号座驗累積資 製程站別，此時連接至圖5之流程以進行彳^ = 2從之項目為一 請參照圖5所示，於步驟5 〇 1中，農4 :步驟。 製程站別係包括哪些機台，例如E 1，e 2 β大号被追蹤之 驟5 0 2係計算B組產品中，經過步驟3〇6、 3 ···。接著，步

第14頁 ~~二或步驟 411 1234217

----案號 9113509^ 五、發明說明（9) __^ 的刪除動作後，剩餘產品批號之產品經過此 等機台的機率。另外，步驟503係計算 : /之該 站，之該等機台的機率。然後，於步驟二產二 刀析手法，找出經過步驟306、步驟404 、通性 :後，B組產品之剩餘產品批號的產：驟動 、經過機率最高之機台，就是依本發明= ; 產品 試參數分析方法所分析出的可能有問匕：例之晶圓測 ^外’請參見圖6至圖10所示，圖中顯示依本發明第_ 車^佺貫施例之晶圓測試參數分析方法的流程圖。由圖6#: =、’自步驟601至步驟60 7係與圖3之流程相同，故不 f 帝^，其中，若步驟607判斷在β組產品中剩下的批數设 々呀，則連接至圖7。此第二較佳實施例係用以分析另—…、曰 圓測試項目，例如晶圓測試項目Β之方法。 曰曰

第15頁 ^ f見圖7，步驟7 0 1係搜尋經過步驟6 0 6的刪除動作後β =產品中剩餘批號之產品中，以取得所搜尋之每批產品的 每一片晶圓上每個晶格之複數種電性測試結果。在本實施 幻2 有些電性測试項目係依層別來進行測試，是故，可 $付名^層別之電性測試參數值。接著，於步驟7〇2中，將不 =測5式規袼之晶格定義為目標晶格’，an ，同時可獲得每片晶 圓，之，，目標晶袼分布圖8，如圖8所示，其中，目標晶格8 1 以a。表不，而其他晶格82以白色表示；需注意者，因有複 數種$性測試項目、複數個層別，故每片晶圓將會有複數 張目標晶袼分布圖，換言之，各晶圓的每一層別都會具有 η M 標晶格分布圖。接著，步驟7 0 3係將每片晶圓之 I234217 年 月 曰 ------- 案號 91〗350% 五、發明說明（10) (Ξ \ ^^ ^ ^ ffl 口 z所不）進仃豐圖動作。 晶圓測ί t其係判斷每片晶圓之目標晶格分布圖與 如30% :V否：μ圖的重疊比率是否大於-預設值，例 ’則此片晶圓不做標記（步驟7 〇 5 ) •甚是， 則將此片晶圓標記為目標晶圓” ζ”（步驟7 ^ * /λ, , 於其w片數之一定比例，例如大於等於50%， 則進盯步驟7G8以刪除此產品批號；乡{，則 唬（步驟7 0 9 )，並接著進行連接至圖9之流程>、。 參見圖9所示之步驟9()1，依本發明第二較佳 晶圓測成參數分析方法係自經驗累積資料庫中搜^與曰曰圓 :試：ΓΛν樣:°σ測試項目或製程站別。在步驟9 〇曰； 須目：關ΐ ’目、I t資料庫顯示晶圓測試項目β與-樣品測試 』行步驟9 0 3。""步驟90 3會搜尋Α組產品之 樣。口 H貝料，並進行統計分析以求出一代表值，例如 均值〜。接著，於步驟904中，以平均值〜為桿 產品經過步驟707後所保留之產品批號的樣品測試結果等於 或優於 '值之產品批號刪除。然後在步驟 步驟_之刪除動作後剩餘批號之數量是否為零中。：， = 若不為零，則進行步驟Μ6，以便自經驗 累積=4庫中搜哥與此樣品測試項目相關之製程站別。♦ 經驗累積資料庫顯示此樣品測試項目與； (步驟_)，則進㈣站別相關日才 £^^^_^如步驟9 0 8所示，當經過步驟9〇1搜尋麵給累積

第16頁 1234217 _案號91135096_年月日__ 五、發明說明（11) 資料庫後，顯示晶圓測試項目B與一製程站別相關時，則進 行連接至圖1 0所示之流程。 請參照圖10所示，其分析流程（步驟S01〜S04 )係與圖 5之步驟5 (Π〜5 0 4相同，故此處不再贅述。因此，依圖6、圖 7、圖9及圖1 0之分析流程，依本發明第二較佳實施例之晶 圓測試參數分析方法能夠搜尋出可能有問題之機台。 最後，請參照圖1 1與圖1 2所示，其係顯示依本發明第 三較佳實施例之晶圓測試參數分析方法。

如圖11所示，其中步驟S11〜S17係與圖3所示之步驟301 〜3 0 7相同，故此處不再重複敘述。接著，在步驟S1 8中，其 係搜尋經過步驟S1 6後所剩餘之每批產品是否具有缺陷 (defect );在本實施例中，此搜尋步驟係針對每批產品 之每片晶圓進行搜尋，若一批產品中包含一片以上之具有 缺陷的晶圓，則判定此批產品為具有缺陷之產品。若否， 則停止分析；若是，則進行步驟S1 9，挑出具有缺陷之產品 批號。接著，於步驟S20中找出具有缺陷之晶圓的缺陷分布 圖；需注意者，一片晶圓可能於不同的層別皆具有缺陷， 則此時一片晶圓會具有一張以上之缺陷分布圖。

接著，於步驟S2 1中，其係利用疊圖之方式比對由步驟 S20所找出之缺陷分布圖與該片晶圓之晶圓測試參數值分布 圖，並計算出二分布圖的重疊比率。然後，於步驟S22中判 斷重疊比率是否大於等於一預設值，例如為5 0 %，若否，則 略過此層別，當所有層別皆略過時停止分析；若是，則進 行步驟S 2 6。 同時，參見步驟S23，其係計算每片晶圓各層別之缺陷

第17頁 !234217 、------ 案號 91135096 __年月日_修正 五、發明說明（12) 上目。再於步驟S24中，將步驟S23所算出之缺陷數目除以 4晶圓不合晶圓測試規格之晶格數（d i es )，以求得一比 值。接著，於步驟S25中，判斷步驟S24所求得之比值是否 大於等於一預設值，如大於等於5 〇 % ;若否，則略過晶圓之 此層別；若是，則進行步驟S 2 6。 口 於步驟S 2 6中，其係將經過上述步驟分析後之產品批 號、層別資料及缺陷數目等資料挑出，以便之後進行連 至圖1 2所示之流程。 請參見圖12所示，步驟S3i係根據圖12之步驟S26所挑 出之層別，自經驗累積資料庫中搜尋與此層別相關之制 站別，而步驟S 3 2係顯示經過步驟s 3 1之搜尋後，應衣王 項目為-製程站別。由圖12中可知，步驟·S36^歲縱= 之步驟50卜504流程相同，故此處不再重複敘述。^ θ 步驟S31至步驟S36之分析流程，依本發明第二較佳/ ’ 之晶圓測試參數分析方法能夠搜尋出可能有問題之^ ^例 同時，根據圖11之步驟S26所獲得之缺陷數目，1口。 所示之步驟S37會進行統計分析之動作，盆係求出一如圖I2 來作為該層別之缺陷數目管制標準。π碎、’认止 代表值 丄《丨上 Μ日守，於步驟Μ 8 士 根據此一缺陷數目管制標準，依本$ 8中， 、日丨Ui明較佳貫施例之曰同 測滅參數分析方法能夠在後續製作此層別之產品 曰曰® 此產品之良率。 ’預測 綜上所述，由於依本發明之晶圓測試參數 以統計分析及共通性分析手法分析晶圓測試參n 而正確地判斷出有問題的製程站別，％ α I + 進 / , 進而找出有問韻说 1，所以能夠有效地減少人為判决媒客制===

第18頁 1234217 修正 案號 9Π35096 五、發明說明（13) 率、減少生產成本、並及時改善線上生產情形以提高良 率 〇 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離 本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均 應包含於後附之申請專利範圍中。

第19頁 1234217 _案號 91135096_年月日__ 圖式簡單說明 (五）、【圖式簡單說明】 圖1為一流程圖，顯示習知晶圓測試參數分析方法的流 程； · 圖2為^一不意圖’顯不晶圓之晶圓測試茶數值分布圖， 圖3為一流程圖，顯示依本發明第一較佳實施例之晶圓 測試參數分析方法的流程； 圖4為一流程圖，顯示延續圖3所示之流程圖的流程； 圖5為一流程圖，顯示延續圖4所示之流程圖的流程； 圖6為一流程圖，顯示依本發明第二較佳實施例之晶圓 測試參數分析方法的流程； 圖7為一流程圖，顯示延續圖6所示之流程圖的流程； 圖8為一示意圖，顯示晶圓之目標晶格分布圖； 圖9為一流程圖，顯示延續圖7所示之流程圖的流程； 圖1 0為*^流程圖’顯不延續圖9所不之流程圖的流程， 圖11為一流程圖，顯示依本發明第三較佳實施例之晶 圓測試參數分析方法的流程；以及 圖1 2為一流程圖，顯示延續圖11所示之流程圖的流 程。 元件符號說明： 1 0 1〜1 0 4 習知晶圓測試參數分析方法的流程 2 晶圓 21 不良的晶格 22 合格的晶格 301- 3 0 7 本發明第一較佳實施例之晶圓測試參數分析方

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案號91135096_年月日_修正 圖式簡單說明 法的流程 4(Π 〜415 延續步驟3 0 7之流程 5(Π 〜504 延續步驟40 8、步驟414或步驟415之流程 6(Π 〜607 本發明第二較佳實施例之晶圓測試參數分析方 法的流程 7(Π 〜709 延續步驟6 0 7之流程 8 目標晶格分布圖 81 目標晶格 82 其他晶格 901 〜908 延續步驟7 0 9之流程 S(H 〜S04 延續步驟9 0 7或步驟9 0 8之流程 SH 〜S26 本發明第三較佳實施例之晶圓測試參數分析方 法的流程 S3 卜S38 延續步驟S26之流程

第21頁

Claims (1)

1234217 _案號 911350% 々、申請專利範圍 1 呈右一一種Λ圓測試參數分析方*，其係用以分析複數批分別 /曰，二狁之產扣，该複數批產品係經過複數個機台所製 J之怜二批產品中的每一片晶圓係至少經過-晶圓測試項 4曰r $以產生一晶圓測試參數值，該晶圓測試項目及與 =曰曰圓測試項目相關的一樣品測試項目、一線上品質檢測 及一製程站別係儲存於一資料庫中，該資料庫亦儲 存t该晶圓測試參數值，該晶圓測試參數分析方法包含： 依據良率將，複數批產品區分為至少二產品組，該等產品 組包含一咼良率產品組及一低良率產品组； 依據該高良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值以 分析方式產生一第一標準值； 比對ί低良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值與該第 一標準值，以自該低良率產品組之各批產品之批號中 除等於或優於該第一標準值之該批產品的批號； 於刪除動作之後，判斷該低良率產^且之剩餘批號的 是否為零； 双ι 當=斷該低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時，自誃 貧料庫中搜尋與該晶圓測試項目相關之該樣品測試項μ 目、该線上品質檢測項目及該製程站別豆中之至少〜· 以及 八 ； 當判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量為零時，停止 尋動作。

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二中萄5亥資料庫之搜尋動作的結果顯示該晶圓測試項目與 二樣品測試項目相關時，該晶圓測試參數分析方法更包 依據該高良率產品組之各批產品的樣品測試項目之結果以 統計分析方式產生一第二標準值； 比對该低良率產品組中剩餘批號之產品的樣品測試項目之 結果與該第二標準值，以自該低良率產品組之剩餘批號 中刪除等於或優於該第二標準值之該批產品的批號； ;刪除動作之後，判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量 是否為零； 田判wf该低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時，自該 資料庫中搜哥與該樣品測試項目相關之該線上品質檢剛 項目及該製程站別其中之至少一；以及 當判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量為零時，停止搜 尋動作。 3、如申請專利範圍第2項所述之晶圓測試參數分析方法， 其中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該樣品測試項目與 該線上品質測試項目相關時，該晶圓測試參數分析方法更 包含： 依據該高良率產品組之各批產品的線上品質測試項目之結 果以統計分析方式產生一第三標準值； 比對該低良率產品組中剩餘批號之產品的線上品質測試項 目之結果與該第三標準值，以自該低良率產品組之剩餘

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月 _g___ 批號中刪除等於或優於該第 號； ‘標準值之該批產品的批 ;冊！除動作之後，判斷該低良率產品組之剩餘批號的數 是否為零； 田=斷该低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時，自該 ί =庫中搜尋與該線上品質測試項目相關之該製程站別 其中之至少一；以及 當^斷該低良率產品組之剩餘批號的數量為零時，停止搜 4甘、心如^申請專利範圍第3項所述之晶圓測試參數分析方法 曰、:s該貧料庫之搜尋動果顯示該气 :與該製程站別相關時，該晶圓測試參數分析方項 搜尋該高良率產π h 搜尋該低良率ί:::該製程站別所經過之機台； 過之機台；ir剩餘批號之產品於該製程站別所經 判η:良率產品組中剩比號之產品經 良率產品組經過機率的機台。 +…亥局 5苴：刹申二^專利範圍第4項所述之晶圓測試參數分析方法， ^之產σ 通性分^手法來判斷該低良率產品組中剩於’ ^ ° 口、！過機率高於該高良率產品組經過機率的機：：

1234217 案號 91135096 六、申請專利範圍 6、如申請專利範圍第j 其中當該資料庫之搜尋 該線上品質測試項目相 包含： 依據該高良率產品組之 果以統計分析方式產 比對該低良率產品組中 目之結果與該第三襟 抵號中刪除等於或優 號； 於刪除動作之後，判斷 是否為零； 當=斷該低良率產品級 貪料庫中搜尋與該線 別；以及 當=斷該低良率產品紐 尋動作。 曰 修正 項所述之晶圓測試爹數分析方法 動作的結果顯示該晶圓測試項目與 關時，該晶圓測試參數分析方法更 各批產品的線上品質測試項目之結 生一第三標準值； 剩餘批號之產品的線上品質測試項 準值，以自該低良率產品組之剩餘 於該第三標準值之該批產品的批 5亥低良率產扣組之剩餘批號的數量 之剩餘批號的數量不為零時，自該 上品質測试項目相關之該製程站 之 止搜 剩餘批號的數量為零時，_ 如申清專利範圍第6項 之晶圓 =當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該線法， ;與該製程站別相關時，該晶圓測試參數分以：：項 场变 上 =該高良率產品組於該製程站別所經過之機台； 号該低良率產品組中剩餘批號之產品二吐 次表私站別所經 第25頁 1234217

判斷忒低良率產品組中剩餘批號之產品經過機率高於該高 良率產品組經過機率的機台。 ^ 案號 911350% 六、申請專利範圍 過之機台；以及 8甘r如申明專利範圍第7項所述之晶圓測試參數分析方法， 共通性分析手法來判斷該低良率產品組中剩餘批 虎之產經過機率高於該高良率產品組經過機率的機台。 V中如:圍第1項所述之晶圓測試參數分析方法， ;制二二貝；庫之搜尋動作的結果顯示該晶圓測試項目| Υ衣私站別相關時，該晶圓測試參數分析方法更包含.一 該高良率產品組於該製程站別所經過之機台； 搜；：2率產品組中剩餘批號之產品於該製程站別所經 過之機台；以及 判率產品組中剩餘批號之產品經過機率高於該高 良率產品組經過機率的機台。 U::專利範圍第9項所述之晶圓測試參數分析方法， ;; /、通性分析手法來判斷該低良率產品組中剩餘& 號之產品經過機率高於該高良率產品組經過機率批 11 i如申凊專利範圍第丨項所述之晶圓測試參數分 ”中當判斷該低良率產品組之剩的方^， 該晶圓測試參數分析方法更包含： 个為零時，

1234217 _案號91135096_年月日_«_ 六、申請專利範圍 判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品是否有缺陷； 當判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品無缺陷時，停止 搜尋動作； 當判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品有缺陷時，取得 具有缺陷之產品的批號； 於具有缺陷之該批產品中取得缺陷所在之各晶圓上的複數 個層別，其中各層別分別具有一缺陷分布圖； 分析具有缺陷之該批產品的各晶圓之晶圓測試參數值分布 圖， 將該複數個層別之缺陷分布圖與該晶圓測試參數值分布圖 進行疊圖動作，以依據重疊比率自該複數個層別中取得 至少一重疊比率較高之目標層別；以及 自該資料庫中搜尋與該目標層別相關之製程站別。 1 2、如申請專利範圍第1 1項所述之晶圓測試參數分析方 法，其中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該目標層別與 該製程站別相關時，該晶圓測試參數分析方法更包含： 搜尋該高良率產品組於該製程站別所經過之機台； 搜尋該低良率產品組中剩餘批號之產品於該製程站別所經 過之機台；以及 判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品經過機率高於該高 良率產品組經過機率的機台。 1 3、如申請專利範圍第1 2項所述之晶圓測試參數分析方

第27頁 1234217 _ 案號 91135096___f I 曰 铬 ff___ 六、申請專利範圍 法，其係利用共通性分析手法來判斷該低良率產品組中剩 餘批號之產品經過機率高於該高良率產品組經過機率的機 台。 1 4、如申請專利範圍第丨丨項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含： 依據該目標層別之缺陷數目以統計分析方式產生一作為該 等目標層別之缺陷管制標举的第四標準值。 1 5、如申請專利範圍第1 4項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含： 依據該第四標準值預測在後續製程中，進行至該目標層別 之產品的良率。 1 6、如申請專利範圍第1項所述之晶圓測試參數分析方法， 其中當判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時， 该晶圓測試參數分析方法更包含： 2斷該低良率產品組中剩餘批號之產品是否有缺陷； 畜判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品無缺陷時， 搜尋動作； 田判斷该低良率產品組中剩餘批號之產品有缺陷時，取得 具有缺陷之產品的批號； 、 、/、β缺陷之該批產品中取得缺陷所在之各晶圓上的複數 個層別’其中各層別分別具有一缺陷分布圖； 1234217 _案號 91135096_年月日__ f、申請專利範圍 計算該複數個層別上的缺陷數目； 分析具有缺陷之該批產品的各晶圓之晶圓測試參數值分布 圖， 將該複數個層別之缺陷分布圖與該晶圓測試參數值分布圖 進行疊圖動作，以取得其重疊比率； 分別計算各晶圓之複數個層別上的缺陷數目與晶圓測試參 數值不合乎規格之晶格數的比值； 判斷該重疊比率是否大於或等於一第五標準值；

當判斷該重疊比率小於該第五標準值時，略過該層別； 當判斷該重疊比率大於或等於該第五標準值時，將該層別 標示為一第一缺陷層； 判斷該比值是否大於或等於一第六標準值； 當判斷該比值小於該第六標準值時，略過該層別； 當判斷該比值大於或等於該第六標準值時，將該層別標示 為一第二缺陷層； 搜尋包含有至少具有該第一缺陷層及該第二缺陷層其中之 一之晶圓的該批產品及其批號；以及 自該資料庫中搜尋至少與該第一缺陷層及該第二缺陷層其 中之一相關之該製程站別。

1 7、如申請專利範圍第1 6項所述之晶圓測試參數分析方 法，其中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該第一缺陷層 及該第二缺陷層其中之至少一與該製程站別相關時，該晶 圓測試參數分析方法更包含：

第29頁 1234217 申請專利範圍

六 搜尋該高良率產品組於該製程站別所 搜尋包含有至少具有該第一缺陷層及2之，台； 一之晶圓的該批產品於該製程站別胼a、a 旧屬，、干之 判斷包含有至少具有該第一缺陷層m機台… -之晶圓的該批產品經過機率高於=層其中之 機率的機台。 、。亥同良率產品組經過 如申睛專利範圍第17項所述之晶圓測試參數分析方 L ’其係利用共通性分析手法來判斷包含有至少具有該第 :缺，層及該第二缺陷層其中之一之晶圓的該批產品經過 機率高於該高良率產品組經過機率的機台。 1 9、如申請專利範圍第丨6項所述之晶圓測試參數分析方 法’更包含： 依據该第一缺陷層及該第二缺陷層其中之至少一的缺陷數 目以統計分析方式產生一作為該第一缺陷層及該第二缺 陷層其中之至少一的缺陷管制標準的第七標準值。 2 0、如申請專利範圍第丨9項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含： 依據該第七標準值預測在後續製程中，進行至該第一缺陷 層及該第二缺陷層其中之〆的該批產品之良率。 2 1、一種晶圓測試參數分析方法，其係用以分析複數抵分

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修正 制ΐ有一批唬之產品，該複數批產品係經過複數個機台所 二侍，而每批產品中的每一片晶圓係至少經過一晶圓測試 八目之檢測以產生一晶圓測試參數值，該晶圓測試項目包 二Ϊ各晶圓之每一晶袼進行複數種電性測試，而該晶圓測 數值係為該複數種電性測試的統計結果，該晶圓測試 項目及與該晶圓測試項目相關的一樣品測試項目、一線上 品質檢測項目以及製程站別係儲存於一資料庫中，該資料 庫亦儲存有该晶圓測試參數值，該晶圓測試參數分析方法 包含： 依據良率將δ亥複數批產品區分為至少二產品組，該等產品 、、且包含一咼良率產品組及一低良率產品組； 依據該高良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值以統計 分析方式產生一第一標準值； 比對該低良率產品組之各批產品的晶圓測試參數值與該第 才不準值’以自該低良率產品組之各批產品之批號中刪 除等於或優於該第一標準值之該批產品之批號； 於刪除動作之後，判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量 是否為零； 當判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量為零時，停止分 析動作；以及 當判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時，進行 下列步驟： 搜哥該低良率產品組之各晶圓之每一晶袼的該複數種電 性測試值，

1234217 案號 911350% 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 疋義各晶圓上不合乎該複數種電性測試規格之晶格為目 標晶格，並取得各晶圓之一目標晶格分布圖， 將各晶圓之該目標晶格分布圖與該晶圓測試參數值分布 圖進行疊圖動作， 將重疊比率大於一第二標準值之晶圓挑出並定義為一目 標晶圓， 將該低良率產品組中包含該目標晶圓之數目大於一第三 標準值之產品的批號挑出，及 自該資料庫中搜尋與該晶圓測試項目相關之該樣品測試 項目及該製程站別其中之至少一。 、 2 2、如 法，其 目與該 包含： 依據該 統計 比對該 結果 中刪 於刪除 是否 當判斷 資料 申請專利範圍第2 1項所述之晶圓測試參數分析方 中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該晶圓測試項 樣品測試項目相關時，該晶圓測試參數分析方法更 高良率產品組之各批產品的樣品測試項目之結果以 分析方式產生一第二標準值； 低良率產品組中剩餘批號之產品的樣品測試項目之 與該第二標準值，以自該低良率產品組之剩餘批號 除等於或優於該第二標準值之該批產品的批號； 動作之後，判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量 為零； α亥低良率產品組之剩餘批號的數量不為零時，自該 庫中搜尋與該樣品測試項目相關之該製程站別；以

第32頁 1234217 --—案號QIURnQR_ 年一g 日 修正 ____ 六、申請專利範圍 及 §判斷5亥低良率產品組之剩餘批號的數篁為零時，停止搜 尋動作。 2 3、如申請專利範圍第2 2項所述之晶圓測試參數分析方 法’其中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該樣品測試項 目與該製程站別相關時，該晶圓測試參數分析方法更包 搜哥a亥南良率產品組於該製程站別所經過之機台； 搜哥该低良率產品組中剩餘批號之產品於該製程站 過之機台；以及 ‘ 判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品經過機率 良率產品組經過機率的機台。 ό 24、如申請專利範圍第23項所述之晶圓測試參數分 法，其係利用共通性分杯：丰法夾才丨 斤方 钤也啼夕吝α Γ 析手匈斷該低良率產品組中乘 餘批唬之產口口經過機率高於該高良 τ $ A。 、千座卩口組經過機率的拍 '二Τί 2範圍第21項所述之晶圓測試參數分析方 '/、田。〆貝料庫之搜尋動作的結果顯示該晶圓測試項 目與該‘程站別相關時，該晶圓剛試參數方法更包 含·· 搜尋該高良率產品組於該製程站別所經過之機台；

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2，如申請專利範圍第2 5項所述之晶圓測試參數分析方 餘批i係利用共通性分析手法來判斷該低良率產品組中剩 “ 之產品經過機率高於該高良率產品組經過機率的機 2 7 、 如申請專利範圍第2 1項所述之晶圓測試參數分析方 /士 ’其中當判斷該低良率產品組之剩餘批號的數量不為零 日^ j該晶圓測試參數分析方法更包含： $斷該低良率產品組中剩餘批號之產品是否有缺陷； 當判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品無缺陷時，停止 搜尋動作； 當判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品有缺陷時，取得 具有缺陷之產品的批號； 於具有缺陷之該批產品中取得缺陷所在之各晶圓上的複數 個層別’其中各層別分別具有一缺陷分布圖； 分析具有缺陷之該批產品的各晶圓之晶圓測試參數值分布 圖； 將該複數個層別之缺陷分布圖與該晶圓測試參數值分布圖 進行疊圖動作，以依據重疊比率自該複數個層別中取得

第34頁 1234217 _案號 91135096_年月日__ 六、申請專利範圍 至少一重疊比率較高之目標層別；以及 自該資料庫中搜尋與該目標層別相關之製程站別。 2 8、如申請專利範圍第2 7項所述之晶圓測試參數分析方 · 法，其中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該目標層別與 . 該製程站別相關時，該晶圓測試參數分析方法更包含： 、 搜尋該高良率產品組於該製程站別所經過之機台； 搜尋該低良率產品組中剩餘批號之產品於該製程站別所經 過之機台；以及 判斷該低良率產品組中剩餘批號之產品經過機率高於該高 φ 良率產品組經過機率的機台。 29、如申請專利範圍第28項所述之晶圓測試參數分析方 法，其係利用共通性分析手法來判斷該低良率產品組中剩 餘批號之產品經過機率高於該高良率產品組經過機率的機 台。 3 0、如申請專利範圍第2 7項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含： 依據該目標層別之缺陷數目以統計分析方式產生一作為該 ® 等目標層別之缺陷管制標準的第四標準值。 3 1、如申請專利範圍第3 0項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含：

第35頁 1234217 案號 91135f)Qfi 曰 修正 六、申請專利範圍 一 依據該第四標準值預測在後續製程中，進行至該目標層別 之產品的良率。 32、如申 法，其中 時，該晶 判斷該低 當判斷該 搜尋動 當判斷該 具有缺 於具有缺 個層別 計算該複 分析具有 圖； 將該複數 進行疊 分別計算 數值不 判斷該重 當判斷該 當判斷該 可示不為 請專利範 當判斷該 圓測試參 良率產品 低良率產 作； 低良率產 陷之產品 陷之該批 ，其中各 數個層別 缺陷之該 圍第21 低良率 數分析 組中剩 品組中 品組中 的批號 產品中 層別分 上的缺 批產品 個層別之缺陷分 圖動作，以取得 各晶圓之複數個 合乎規格之晶格 疊比率是否大於 重疊比率小於該 重疊比率大於或 一第一缺陷層； 項所述之晶圓測試參數分析方 產品組之剩餘批號的數量不為零 方法更包含： 餘批號之產品是否有缺陷； 剩餘批號之產品無缺陷時，停止 剩餘批號之產品有缺陷時，取得 取得缺陷所在之各晶圓上的複數 別具有一缺陷分布圖； 陷數目； 的各晶圓之$ 、3丨^囫測试參數值分布 布圖與該晶圓測雙 其重疊比率 ' 參數值分布圖層別上的缺陷數目 數的比值； ，、日日圓測試參 或等於-第五標準 第五標準值時，略^，等於該第五標準；過該層別； 時， 將該層 別

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__案號 91135096 六、申請專利範圍 判斷該比值是否大於或等於^第六標準值； 當判斷該比值小於該第六標準值時，略過該層別； 當判斷該比值大於或等於該第六標準值時，將該層別標示 為一第二缺陷層； 搜尋包含有至少具有該第一缺陷層及該第二缺陷層其中之 一之晶圓的該批產品及其批號；以及 自該資料庫中搜尋至少與該第一缺陷層及該第二缺陷層其 中之一相關之該製程站別。 3 3、如申請專利範圍第3 2項所述之晶圓測試參數分析方 法，其中當該資料庫之搜尋動作的結果顯示該第一缺陷層 及該第二缺陷層其中之至少一與該製程站別相關時，該晶 圓測試參數分析方法更包含： 搜尋該高良率產品組於該製程站別所經過之機台； 搜尋包含有至少具有該第一缺陷層及該第二缺陷層其中之 一之晶圓的該批產品於該製程站別所經過之機台；以及 判斷包含有至少具有該第一缺陷層及該第二缺陷層其中之 一之晶圓的該批產品經過機率鬲於該高良率產品組經過 機率的機台。 34、如申請專利範圍第33項所述之晶圓測試參數分析方 法，其係利用共通性分析手法來判斷包含有至少具有該第 一缺陷層及該第二缺陷層其中之一之晶圓的該批產品經過 機率面於該高良率產品組經過機率的機台。

1234217 _案號 91135096_年月日_ifi_ 六、申請專利範圍 3 5、如申請專利範圍第3 2項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含： 依據該第一缺陷層及該第二缺陷層其中之至少一的缺陷數 目以統計分析方式產生一作為該第一缺陷層及該第二缺 陷層其中之至少一的缺陷管制標準之第七標準值。 3 6、如申請專利範圍第3 5項所述之晶圓測試參數分析方 法，更包含：

依據該第七標準值預測在後續製程中，進行至該第一缺陷 層及該第二缺陷層其中之一的該批產品之良率。

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