TWI228644B - Electron beam exposing method and device - Google Patents

Description

1228644 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關電子束曝伞 置。 丁术曝先方法及該方法中所使用之裝 【先前技術】 已知有一種曝光方法，、 以將半導體積體電路之類的 ^何圖案轉印在如石夕晶圓之電子曝光試樣上，使用役 有構成上述圖案之複數孔口的遮罩(模版遮罩(stencii。 mask))，以通過該模版遮 、早扎口的電子束，使上述圖案曝 光於上述曝光試樣上。 形成上述圖案的模版遮罩為保持其適當的寬高比， (P ct ratio孔口寬度對其高度之比例），將其厚度尺寸 設為極小。此類薄型模版遮罩具有欠缺機械強度及耐孰強 度之性質。 士然而電子束通過或者橫向穿過上述模版遮罩孔口 時’其-部分電子束會照射到上述模版遮罩之孔口邊緣或 者照射到孔口之間隔部分。上述模版遮罩吸收照射到該處 的^子束而熱變形’因此形成在上述模版遮罩的圖案也因 之變形，而損及上述圖案轉印到上述曝光試樣上的精準 度。 以往為防止此種模版遮罩之熱變形，曾揭示一種以行 進速度慢因而能量較低的電子束通過上述模版遮罩孔口之 提案（曰本專利特開平1卜135424號公報以及特開平9-274884號公報）。 314837 5 1228644 述特開平1 1-135424號公報所 施加低電壓（2kev)之方式，使 I不、技術内容係以 低等速運動，並且將模 = 丨源所放射的電子束 將极版遮罩與曝光 極小（50 // m)者。 奴之間的間Ik a又為 根據該公報所述，以低速 狀態的電子束，可抑制上……子束’亦即低能量 剎用μ、+、p 述核版遮罩的熱度增加。而且， 利用上述杈版遮罩與上 μ L ^ 尤忒樣相互間的狹窄間隔，在 束因電子間的互斥作用而引ΓΛ 將該電子 起之檢向擴散的情形限制在最 ’岡二 防止該橫向擴散造成上述曝光試樣上所謂的 糢糊:、然而’即使藉由上述方式，其解析度仍嫌不足。 □上述私子束處於低速因而低能量的狀態下，因此在 通過模版遮罩後，只能進人到上述曝光試樣的光阻劑表 層ύ此，可形成上述圖案的光阻劑需限於較薄（〇. 1 ^㈤ 以下⑷故難以適用於半導體製程中實用上所需的單層厚 膜光阻^ (0.3 "m以上）。再者，由於上述模版遮罩及曝光 ^式木八之間的間隔狹窄’因此，當使用表面粗糙度較大的曝 光試樣，或具有突起的曝光試樣時，皆易損及上述模版遮 罩。 另一方面，在上述特開平9-274884號公報所揭示的技 術内容，係先使電子放射源所放射的電子束置於高加速狀 態（以施加高加速用電壓（5〇keV)來加速）下，接著在上述模 版遮罩的正前方，使其於低加速狀態（以施加低加速用電壓 (5keV)來減速）下通過上述模版遮罩孔口後，再使上述電子 6 314837 1228644 束回到同加速狀恶（以施加尚加速用電壓（5〇keV)來加 速）。 根據該公報所述，以使上述電子束減速之方式，可避 免對上述模版遮罩造成過大熱負冑，並且以使通過上述模 版遮罩後的電子束再加速之方式，而使上述電子束到達上 述曝光試樣的時間縮短，既可避免上料光試樣與上述模 版遮罩之間的間隔狹窄〖，又可將圖案轉印至單層厚膜光 阻劑。 一但是’上述電子束的再加速，並無助於防止因再加速 瞬則之減速造成上述電子束往橫向擴散，而產生所謂圖案 糢糊的情形。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種不會增加模版遮罩熱負載， 而且可提昇曝光試樣之曝光解析度的電子束曝光方法及苴 装置。 一 本發明之電子束曝光方法，係將電子放射源所放射之 電子束通過設於模版遮罩之孔口並引導至曝光試樣，而使 其曝光之方法’該方㈣包括：上述電子束於到達上述模 版遮罩孔口 A係置於以低速行進之低電場強度下，缺後， 使通過上述模版遮罩之孔口的電子束置於以高速行‘進之高 電場強度下。 〇 較理想者係將上述低電場強度（v，】）、i $高電場強度 (V 2)以及用以產生该鬲電場強度而施加於上述模版遮罩 之電壓（V)設定為滿足關係式（v VV，2)/4V=1/F(F係指上述 314837 7 1228644 ::版遮罩之孔口與通過該孔口之上述電子束之聚焦點的距 ^俾以令通過上述模版遮罩孔口之電子束聚隹。 本發明之電子束曝光裝置，係包括··電子放射源；模 版遮罩’其係具有容許該電子放射源所放射之電子束通過 之：口’支承台’其係用以支撐承受通過該模版遮罩孔口 包子束而曝光之曝光試樣；低電場產生機構’其係用以 使上述電子束在電子束^達上述模版遮罩孔口前以低速行 進而置於低電場強度下；高電場產生機構，其係用以使通 過上！模版遮罩孔口的上述電子束’置於電子束以高速行 進之尚電場強度下。 上述低電場產生機構，係包括：與上述電子束行進方 向相關而配置於上述模版遮罩上游側之電極，以及盥， 極相連接之電源，而上述高電場產生機構則可包括：以I 述板版遮罩為電極，並與該電極相連接之電源。 本發明之電子束曝光裝置更含有：第2模版遮罩，盆 係與上述電子束之行進方向㈣而配置於上述模版遮罩^ 上游側，並且具有孔口大小大於上述模版遮罩孔口且盘复 相對應之孔口。 〃 /、 上述低電場 而與該電極 於含有上述第2模版遮罩之曝光裝置中， 產生機構更可含有以上述第2模版遮罩為電極 相連接之電源。 上述曝光試樣之支承台係可具備支樓位置變更機構， 其係用以變更上述曝光試樣之支撐位置，並藉此變更上述 曝光试樣與上述模版遮罩之距離。 314837 8 1228644 根據本發明，關於從電子放射源放射且經由模版遮罩 之孔口而導引至曝光試樣之電子束，以令電子束於到達上 述杈版遮罩孔口瞬前置於以低速行進之低電場強度下（低 加速度下）之方式，可使上述電子束所具有之能量保持在較 低之能階（level)。藉此，可使因入射至上述模版遮罩，且 照射到該孔口邊緣而由遮罩吸收之一部分電子束所導致之 上述杈版遮罩溫度上升以及由於溫度上升而引發的熱變形 得以減少。另外，關於通過上述模版遮罩之電子束，藉由 置於该電子束以高速行進之高電場強度下（高加速度下）的 方式，可將到達上述曝光試樣所需之電子束行進時間縮 短，以避免前述電子束於該期間產生橫向擴散，並藉此防 止上述曝光試樣所謂圖案模糊之現象產生，而達成高解 度曝光。 ° …進而’由於防止上述電子束橫向擴散，故可將上述曝 光試樣與上述模版遮罩之間的間隔設為較寬之間隔，藉此 可使上述模版遮罩之污染，亦即因 I 口聲尤而使上述曝光試樣 之光阻劑產生的蒸發物所造成之污毕诘 ^ ^ w < /T木我少，並且縮減上述 模版遮罩之洗淨次數，而可達到於、法 逆刻万、冼，尹時降低上述模版遮 罩之破損機率，以及因破損機牽隊彳 貝娀羊降低而使上述模版遮罩之 使用壽命得以增長之目的。進而， 」將表面粗糙度較大的 曝光試樣，與翹曲之曝光試樣作為曝光標的。 上述電子束所置入之上述低電場與高電場’係可分別 藉由本發明之電子束曝光震置之低電場產生機構與高電場 產生機構加以產生。上述低電場產生機構係包括斑… 314837 9 1228644 子束行進方向相關而配置於上述模版遮罩上游側之電極， =與該電極相連接之電源，而上述高電場產生機構係包 括將上述模版遮罩作為電極，而與該電極相連接之電源。 、將上述：電場強度(V，。、上述高電場強度(v，二：及 用以產生該高電場強度而施加於上述模版遮罩之電屙 設為滿足關係式（V，「v，2)/ 4V=卿係指上述模版^罩孔 口與通過該孔口之上述電子束之聚焦點的距離）時，可使通 過上述孔口之電子束具有所謂透鏡效應。藉此，使上述兩 子束對上述曝光試樣聚焦，而能獲得更深之焦點深度。I =果使得域電子束可料較多設於上述曝光試樣之光阻 内部深處’藉此’可轉印出更精確之細微圖案。 並且，藉此方式可於上述曝光 ’、 大之間隙(gap)。 仏之先阻劑中產生更為擴 利用具有曝光試樣之支擇位置變更機構的支承 上述曝光試樣時，可按照上述曝光試樣之表面形狀 體形狀1當設定上述曝光試樣與上述模版遮罩之相對二 離。而以變更上述曝光試樣與上述模版遮罩之距離或者間 …員义上迷施加電麼（V)，即可改變上述古+ 場強度(V，2)，藉此方式，可更容易進行用以獲得上：：： 效應之電場控制。 k透鏡 、上ϋ私子束進行曝光試樣之曝光時，除上 罩之外，更可配置具有開口大小大於上述模版遮罩^ 口反遮 對應孔口的第二模版遮罩。 口之 有關上述電子束之行進方6 旲版遮罩，因配置在 采仃進方向之原有模版遮罩（用以形成圖 ]〇 314837 1228644 案之模版遮罩）之上游側，上述電子放射源所放射之電子束 依序通過上述第二模版遮罩孔口與上述圖案形成用遮罩孔 口時’完全只照射上述第二模版遮罩，而不照射位於其下 游之上述圖案形成用模版遮罩。因此，可使上述第一模版 遮罩之熱膨脹更為降低’而轉印出更精確之細微圖案。

此外’當設置上述第二模版遮罩時，可配置以該第二 模版遮罩為電極而與該電極相連接之電源，藉此使上述低 速私動之笔子束得以加速至更高速。 【實施方式】 筝妝第1圖，該圖為本發明之電子束曝光裝置之一 例，整體以符號1 〇表示。 電子束曝光裝置（以下簡稱為「曝光裝置」）10係用在 將用以形成例如半導體積體電路的微細幾何圖案（以下簡 稱為「圖案」）投影轉移至如矽晶片（silic〇n wafer)之電子 曝光試樣（以下簡稱為「曝光試樣」）12的光阻劑13上。

供作上述用途的曝光裝置10係具備有··放射線源14， 此放射線源如同電子搶，可以放射出用以將上述圖案投影 並曝光於曝光試樣之光阻劑丨3上的電子；以及，支承台 16，其係如同用以支撐曝光試樣12的基座，另外，還具備 形成有上述所投影之圖案的板狀模版遮罩1 8。 放射線源1 4、支承台1 6及模版遮罩1 8，係配置在成 為曝光裝置1 0之一部分的柱體（column)(未圖示）所界定之 真空空間内。詳細言之，放射線源丨4及支承台1 6係分別 配置在上述柱體的最上方位置及最下方位置，而模版遮罩 314837 11 1228644 18則是與支承台16保持間隔，水平配置在支承台η的上 方又，曝光試樣1 2則與模版遮罩丨8呈平行而水平配置 在支承台1 6上。 八模版遮罩18係由石夕（Si)、碳化石夕（Sic)、氮化石夕_) 金剛石（diamond)、類鑽碳（diam〇nd Hkecarb〇n)等形成。模 版遮罩18上有複數個孔口（貫通孔）2〇。這些孔口⑼係^ 以規製上述圖案。 放射線源丨4所放射的電子束22，分別於模版遮罩18 的上方空間及下方空間形成的低強度電場及高強度電場内 加速。藉此，電子束22在到達模版遮罩的孔口 2〇前，是 在低電場強度下以低速行進，在通過模版遮罩18的—部= 的孔π 2G t ’則是在高電場強度下以高速行進，然後到達 曝光試樣的光阻劑】3，使其曝光。 為使作為電子放射源的陰極1 4放射出電子，在陰極 14的正下方配置電極（陽極）24，再將直流電源連接至險 極14及陽極24雙方，並且分別施加電壓-Vc、_%(第2 圖）。如第2圖所示，$些電壓-Vc、_ν(ν。<系分別 比藉由支承台1 6的地線接地使電壓設定為零（Vw = 〇)的曝 光試樣1 2的電壓還低。 遮/又電極（blanking electrode)28配置在陽極24下方。 直流電源30與該電極28及位於該電極28下方的模版遮罩 1 8相連接，並施加電壓。在陽極24及電極28上分別設有 可使陰極1 4所放射的電子束22穿透之孔。 陽極24及其電源26、與電極28、作為電極的模版遮 314837 1228644 罩18及此等之電源3〇係構成低電場產生機構32，並且在 模版遮罩18的上方空間產生上述低強度電場。 再者，將地線接地的直流電源34連接至作為電極的模 版‘罩18，亚且施加電壓_Vm(-Vm> -Va)。模版遮罩a 及電源34構成高電場產生機構36，並且在模版遮罩丨8的 下方空間產生上述高強度電場。 藉此，陰極14所放射的電子束22係藉由低電場產生 機構32在陰極14及陽極24之間加速，進而在陽極μ和 板版遮罩1 8之間加速，而且以低速行進。 此外，通過模版遮罩18的電子束22則係藉由高電場 產生機構36在模版遮罩18和曝光試樣12之 ^ I j训迷，而且 以南速行進。 在曝光裝置10中，為了使通過陽極24 取隹丄 〜兒子束22 承’、、、，在陽極24及其下方的電極28之間配 r η ΛΚ居、深圈 (i〇ciiSlng c〇u)38。 二，在曝光裝置!。中’為使電子束22能約在曝光試 木"（砰言之應是在光阻劑13上）上掃描，而配置上下2 個偏轉線圈（deflecting coll)4〇、42。藉此，能決定下2 之前進方向，俾使電子束22以一邊（上方）的鉍=電子束 改變行進方向’接著’以另一邊(下方)的偏轉線圈二40 過經事先決定之模版遮罩18上之預定孔口 2〇1 ，通 入曝光試樣1 2表面。 垂直射 例如在半導體製程的單層光阻劑曝光中， 所而之電壓設為約！ 0 k V (絕對值）。因此，可 士尤 I〉原 2 6、3 0、 314837 13 1228644 34的總電壓設為-10kV，將電源26、30的總電壓以及電源 34的電壓各設為-4kV和-6kV。 根據本發明，上述低電場強度下的電子束2 2係以低速 行進’因此其能階（energy level)較低，故，因電子束22

入射使模版遮罩1 8發熱的程度也較低，所以可減低模版遮 罩1 8的熱負載。並且，亦使有時作為曝光裝置1 〇的_部 分來使用的束線成形用聚焦線圈（未圖示）及偏轉線圈4〇、 42容易發揮其性能。 上述高電場強度下的電子束22，可以精確地朝向曝光 試樣12上的預定位置行進而不會產生位置偏移。藉此，可 在曝光試樣1 2上獲得較高解析度的曝光。 接著，參照第3圖。 將上述低電場強度（V、）、高電場強度（vy及作為電極 之模版遮罩1 8的電位_Vm設為滿足上述三者之關係式 (V'-V’OMVn^l/F，藉此可得到通過模版遮罩孔口 2〇之電 子束22進行聚焦之效應，也就是所謂的透鏡效應。 此處的F係表示模版遮罩的孔口⑼與電子束U的聚 焦點之間的距離（對焦距離）。而且，低電場強度 (-va)}/(Lm_La)及高電場強度v，2=(_vw_(_v叫心㈣。 此處，^七七係各表示從陰極！4至陽極24之間的 距離、從陰極1 4至模版遮罩丨8 之間的距離，及從陰極1 4 至曝光試樣1 2之間的距離，此 照第2圖)。此外，Va、Vm“早位為公尺⑽㈣(參 ¥〇1及Vw的單位為伏特（ν〇ι 因上述透鏡效應使電子束22 運仃I焦，而使電子束 314837 14 1228644 2 2得以到達曝光試樣的光阻劑1 3内部深處，而使該部分 曝光。藉此，可更精確地轉印上述圖案。 接著，參照用以表示本發明另一例之第4圖。 本例中的曝光裝置50，除了模版遮罩1 8之外還具備 有第2模版遮罩52，此點與第丨圖所示的曝光裝置i 〇不 同0 第2模版遮罩52是由矽（Si)、碳化矽（Sic卜氮化矽 (SiN)、金剛石（diamond)、類鑽碳（diam〇nd iikecarb〇n卜 鎢、鉬等形成，可任意選擇其厚度尺寸。第2模版遮罩5: 係與電子束22的行進方向相關，而配置在模版遮罩18(為 與「第2模版遮罩52」有所區別，以下稱作「圖案形成用 模版遮罩」）之上游側。詳言之，第2模版遮罩“係與圖 案形成用模版遮罩18保持間隔，而平行配置㈣案形成用

模版遮罩1 8之上方，缺你、乐、2 I …、後透過配置在兩個模版遮罩1 8、 52之間的如玻璃板類之絕緣體所構成的框部54，而成為盘 圖案：成用模版遮罩18合為一體之組裝體。 ’、 第2模版遮罩5，JL古命m & 二八"、圖案形成用模版遮罩1 δ的複 數孔口 20相對應的複數孔口 56。 ..,6 ^ ^ . 固中所不之例係將孔口 56的尺寸叹為大於孔口 2〇，如 π宁Α命π 弟5圖所不，亦可將孔口 56 §又疋成與孔口 2〇同樣的大小和形狀。 如第5圖所示，兩個模版 娜化…各設有…、2。，2而=在蒸鐘的 60的下面。兩個矽基板58、 石夕基板58、 周圍之凹润59、61 ，以補^又有圍繞孔口 ％、20 ，補強兩個模版遮罩52、μ。將模 314837 15 1228644 版遮罩52及矽基板60分別黏接於框部54的上面及下 面0 由於圖案形成用模版遮罩18上方配置第2模版遮罩 52’使得第二模版遮罩52承接到本該由圖案形成用模版遮 罩承接的一部分不必要的電子束22，所以，圖案形成 用模版遮罩1 8的熱變形亦因之減少。 在本例中，復設有直流電源62，其係將第2模版遮罩 52及圖案形成用模版遮罩18分別設為負電極與正電極。 若以上述方式，將電壓施加於兩個模版遮罩52, 18， 則不，變更電源30的電壓，即可改變低電場強度V，】的大 t。错此，可按照曝光試樣的光阻劑13厚度，輕易變更並 控制上述透鏡效應的焦點距離（焦點深度）F。 接著，參照用以表示本發明又一例之第6圖。 本例的曝光裝置70中，係曝光試樣12的支承台μ 有曝光試樣1 2的支標位晋變、爭滅播7。 义更機構72，此點與第4圖 所不的曝光裝置5〇不同。 支撐位置變更機構72係由可使支承台 動的杯咅έ士^4 广万向移 :、'，。構所構成，藉由操作支撐位置變更機構72，可 述構;及其上面的曝光試樣12上升下降，而改變上 攻構件之向度位置’如此，便可任意變更 版遮罩18夕mm 又又恭先忒樣12與模 、早i S之間的距離。 藉此可變更距離（Lw-Lm)而不用改變你Λ干 之值，！^ 个用汉义轭加電壓-Vm 因此，可變更高電場強度ν'。所以， 控制盍曝# 1 # A 了谷易變更、 〃 *先試樣的光阻劑I 3厚度相對應之 上述透鏡效應 314837 16 1228644 中的焦點距離F。 另卜極易於表面粗棱的曝光試樣或魅曲的曝光試樣 寺與模版遮罩18間之配置上，取得所需的間隔。 支撐位置變更機構72亦可適用於第i圖所示的曝光裝 置 10。 、 如上所述’在本發明的曝光裝置1 0、50、70中，從產 〃束 而入射至用以對其電子進行整形、偏轉、圖案 =私等之遮罩1 8，52，再到達曝光試樣丨2為止，照射能 力諸方；電子束22的各電極（陰極14、陽極24、模版遮罩 18、曝光試樣12等)所需電壓，皆予以分壓後再施加。 般如上所述，以地線接地之方式使曝光試樣1 2的電 土為零電壓’將所需的最大電壓值（負極性）施加於陰極 4’將低電壓值（負極性）依序施加於陽㈣、模版遮罩η， 保知射到曝光試樣a這可以藉由將曝光試樣12 的+位（零電位），以避㈣成於曝光試樣12内部 ^路等之絕緣性受到破壞，而其另—面，則需可產^ 大电壓值的電源。 取 盘,此外’關於電子束22的放射及其整形和偏轉，尤A是 二述相關之電極間的相對電厂堅值不變時，若使這此電： 上二立(例如增加負極性的電位)增加，則作為接地 乂 4置之框體和電場的相關 、 诚·〜“ 电㈣相關形恶發生改變，而無影變上 可變時，笋杯^ 、 為、免该問題，電壓為 之電IT二 影響各電極與接地電位間的電場變化 <雙％屏蔽（shield)。 勿又亿 3M837 17 1228644 又，對不泰！本占 為曝光破壞絕緣性問題的◎試樣（例如作 陰極14和曝光二“生評估的曝光光阻劑)而言’藉由在 使用作為所間之任意位置選擇接地電位，而可 電壓的位置)而。*源電壓最大值較低之電源（分散施加高 電極=設I:"!束22的放射、整形、偏轉相關區域的各 特性予以固定，二’：且將電子束22的放射、整形、偏轉 而在使通過這些區域的電子束22加速之區 餘r旦^模版遮罩18和曝光試樣12之間，將所需之剩 =:::於電子束22。此係因為在電子束22只進行加 射、：二#應可變電壓之方法，將較在電子束22進行放 正 >、偏轉之區域中對應可變電a之方法簡單。使互 ::反：的模版遮罩18和曝光試樣12之間的間隔縮小，並 ==電位為接地電位的上述框體和曝光試樣以 間9間隔设為較寬，蕪 肖此了將毛壓增加時電場分布變化所 ;上。影響降低。此時’最好將正極性電壓施加於曝光試 以下係表示照射電子束的加速電壓為6kv時，分 陽極24/模版遮罩喝光試樣12附加之電壓值的 (f ΐν/ΐν/+2,ν(將接地電位設定在模版遮罩 1 8 /、曝光試樣1 2中間之例子） (2)-2kV/-〇kV/-〇kW+4kV(將陽極24與模版遮罩以設 為接地電位，且將曝光試樣丨2設為正電位之例） 314837 18 1228644 任一例中皆可在對陰極14施加的電壓值和對曝光試 樣1 2施加的電壓值之間任意選取電壓值。第（2)例中，在 裝置結構上，在謀求電子束22的放射、及其整形、偏轉等 特性方面，不但可使成本降到最低，更能夠獲得穩定的特 性。進而，以改變接地電位設定位置之方式，可穩定電子 束22之放射、整形、偏轉等特性，並可確保用以改變施加 於電子束22之能量的裝置結構、特性之穩定性。 本發明之上述曝光方法及曝光裝置，除可適用於上述 曰曰片（wafer) ’上述曝光光阻劑之曝光外，亦可適用於遮罩 (mask)的製造，微機電系統（MEMS : micr〇 eiectr。 mechanical system)白勺製造等。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明電子束曝光裝置之概略圖。 第2圖係表示第i圖所示之裝置中施加於各電極之電 壓與電極間之電位梯度（電場強度）圖。 第3圖係透鏡效應之說明圖。 f 4圖係用以表示本發明之電子束曝光裝置之另一例 之與弟1圖相同之概略圖。 2 5圖係肖以表示本發明t電子束曝光裝置之又一例 之與第1圖相同之概略圖。 弟6圖係表示成為層次結構之兩個模版遮罩之剖視 圖。 10、50、70曝光裝置 12 曝光試樣 314837 19 1228644 13 光 阻 劑 14 16 支 承 台 18、 .52 20 ^ 56 孔 V 22 24 陽 極 26、 * 30 28 電 極 32 36 南 電 場產生機構 38 40、 42 偏 轉 線圈 58、 60 59、 61 凹 洞 72 放射線源（陰極） 模版遮罩 電子束 、3 4直流電源 低電場產生機構 聚焦線圈 矽基板 支撐位置變更機構 20 314837

Claims (1)

1228644 拾、申請專利範圍： 1 · 一種電子束曝光方法，係將電子放射源所放射之電子束 通過設於模版遮罩之孔口後導引至曝光試樣，並使該電 子束曝光之方法，其中，使上述電子束於電子束到達上 述模版遮罩孔口前置於以低速行進之低電場強度下，然 後，使通過上述模版遮罩孔口的電子束置於以高速行= 之高電場強度下。 2.如申請專利範圍第丨項之電子束曝光方法，其中，為使 通過上述模版遮罩孔口之上述電子束聚焦，而將上述低 電場強度（v，，）、上述高電場強度（v，2)及用以產生該高 電場強度而施加於上述模版遮罩之電壓⑺設為滿足關 3. 係式（V)(V，】-V，2)/4V=1/f(f係上述模版遮罩之孔口盘 通過該孔口之上述電子束之聚焦點的距離）。 ' 一種電子束曝光裝置，係包括：電子放射源； 杈版遮|係、具有谷許該電子放射源所放射之電子 束通過之孔口； 支承台，係用以支擋垃，j/r、s^ 工土 苻接收通過该模版遮罩孔口之電 子束後而曝光之曝光試樣； 用以使上述電子束在電子束到 以低速行進而置於低電場強度 低電場產生機構，係 達上述模版遮罩孔口前， 下，以及， 上述模版遮罩孔口 進之高電場強度 南笔場產生機構，係用以將通 的上述電子束，置於電子束以高遺 下。 314837 21 1228644 •如申請專利範圍第3項之電子束曝光裝置，其中 低電場產生機構，#'包括：與上述電子束行進方^上返 關’而配置於上述模版遮罩上游側之電極及與該：:目 連接之電源’而上述高電場產生機構係包括：以:…目 版遮罩為電極’而與該電極相連接之電源。 述板 5·如申請專利範圍第3項之電子束曝光褒置，政

==罩，其係與上述電子束移動方向相關包 、以杈版遮罩之上游側，而且具有孔口大 於上述模版遮罩孔口且與其相對應之孔口。 、 6·如申請專利範圍第4項之電子束曝光裝置，其中人 有第2模版遮罩’其係與上述電子束之移動方向相關： 而配置於上述模版遮罩之上游側，並且具有開口大小大 於上述模板遮罩孔口且與其相對應之孔口；上述低4 產生機構更含有以上述第2模版遮罩為電極而與該；琢 極相連接之電源。

如申請專利範圍第3 曝光試樣之支承台係 以變更上述曝光試樣 試樣與上述模版遮罩 如申請專利範圍第5 曝光試樣之支承台係 以變更上述曝光試樣 0式樣與上述模版遮罩

8. 項之電子束曝光裝置，其中，上述 具備有支撐位置變更機構，其係用 之支撐位置，並藉此變更上述曝光 之距離。 項之電子束曝光裝置，其中，上述 具備有支撐位置變更機構，其係用 之支撐位置’並藉此變更上述曝光 之距離。 314837