CN1235092C - 电子束曝光方法及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子束曝光方法，其使电子放射源(14)所放射的电子束(22)通过设于模版遮罩(18)的孔口后导引至曝光试样(12)，并将其曝光的方法，其中包括：将电子束于电子束到达模版遮罩孔口前置于以低速行进的低电场强度下，然后，将通过上述模版遮罩的孔口的电子束置于以高速行进的高电场强度下。本发明公开的电子束曝光装置包括：电子放射源；具有容许电子放射源所放射的电子束通过的孔口的模版遮罩；用以支撑曝光试样的支承台(16)；用以将电子束置于低电场强度下的低电场产生机构；及用以置于高电场强度下的高电场产生机构。

Description

电子束曝光方法及其装置

技术领域

本发明涉及电子束曝光方法及该方法中所使用的装置。

背景技术

已知有一种曝光方法，用以将半导体积体电路之类的微细几何图案转印在如硅晶圆的电子曝光试样上，使用设有构成上述图案的复数孔口的遮罩(模版遮罩(stencil mask))，以通过该模版遮罩孔口的电子束，使上述图案曝光于上述曝光试样上。

形成上述图案的模版遮罩为保持其适当的宽高比，(aspect ratio，孔口宽度对其高度的比例)，将其厚度尺寸设为极小。此类薄型模版遮罩具有欠缺机械强度及耐热强度的性质。

然而，当电子束通过或者横向穿过上述模版遮罩孔口时，其一部分电子束会照射到上述模版遮罩的孔口边缘或者照射到孔口的间隔部分。上述模版遮罩吸收照射到该处的电子束而热变形，因此形成在上述模版遮罩的图案也因之变形，而损及上述图案转印到上述曝光试样上的精准度。

以往为防止此种模版遮罩的热变形，曾揭示一种以行进速度慢因而能量较低的电子束通过上述模版遮罩孔口的提案(日本专利特开平11-135424号公报以及特开平9-274884号公报)。

上述特开平11-135424号公报所揭示的技术内容以施加低电压(2keV)的方式，使电子放射源所放射的电子束低速运动，并且将模版遮罩与曝光试样之间的间隔设为极小(50μm)。

根据该公报所述，以低速行进的电子束，亦即低能量状态的电子束，可抑制上述模版遮罩的热度增加。而且，利用上述模版遮罩与上述曝光试样相互间的狭窄间隔，在上述电子束以低速行进(因而行进时间较长)时，将该电子束因电子间的互斥作用而引起的横向扩散的情形限制在最小范围内，以防止该横向扩散造成上述曝光试样上所谓的图案模糊。然而，即使藉由上述方式，其解析度仍嫌不足。

因上述电子束处于低速因而低能量的状态下，因此在通过模版遮罩后，只能进入到上述曝光试样的光阻剂表层。因此，可形成上述图案的光阻剂需限于较薄(0.1μm以下)者，故难以适用于半导体制程中实用上所需的单层厚膜光阻剂(0.3μm以上)。再者，由于上述模版遮罩及曝光试样之间的间隔狭窄，因此，当使用表面粗糙度较大的曝光试样，或具有突起的曝光试样时，皆易损及上述模版遮罩。

另一方面，在上述特开平9-274884号公报所揭示的技术内容，先使电子放射源所放射的电子束置于高加速状态(以施加高加速用电压(50keV)来加速)下，接着在上述模版遮罩的正前方，使其于低加速状态(以施加低加速用电压(5keV)来减速)下通过上述模版遮罩孔口后，再使上述电子束回到高加速状态(以施加高加速用电压(50keV)来加速)。

根据该公报所述，以使上述电子束减速的方式，可避免对上述模版遮罩造成过大热负载，并且以使通过上述模版遮罩后的电子束再加速的方式，而使上述电子束到达上述曝光试样的时间缩短，既可避免上述曝光试样与上述模版遮罩之间的间隔狭窄化，又可将图案转印至单层厚膜光阻剂。

但是，上述电子束的再加速，并无助于防止因再加速瞬前的减速造成上述电子束往横向扩散，而产生所谓图案模糊的情形。

发明内容

本发明的目的是提供一种不会增加模版遮罩热负载，而且可提升曝光试样的曝光解析度的电子束曝光方法及其装置。

本发明的电子束曝光方法，将电子放射源所放射的电子束通过设于模版遮罩的孔口并引导至曝光试样，而使其曝光的方法，该方法包括：上述电子束于到达上述模版遮罩孔口前置于以低速行进的低电场强度下，然后，使通过上述模版遮罩的孔口的电子束置于以高速行进的高电场强度下。

较理想的情况是将上述低电场强度(V′1)、上述高电场强度(V′2)以及用以产生该高电场强度而施加于上述模版遮罩的电压(V)设定为满足关系式(V′1-V′2)/4V＝1/F(F是指上述模版遮罩的孔口与通过该孔口的上述电子束的聚焦点的距离)，使得通过上述模版遮罩孔口的电子束聚焦。

本发明的电子束曝光装置，包括：电子放射源；模版遮罩，其具有容许该电子放射源所放射的电子束通过的孔口；支承台，其用以支撑承受通过该模版遮罩孔口的电子束而曝光的曝光试样；低电场产生机构，其用以使上述电子束在电子束到达上述模版遮罩孔口前以低速行进而置于低电场强度下；高电场产生机构，其用以使通过上述模版遮罩孔口的上述电子束，置于电子束以高速行进的高电场强度下。

上述低电场产生机构，包括：与上述电子束行进方向相关而配置于上述模版遮罩上游侧的电极，以及与该电极相连接的电源，而上述高电场产生机构则可包括：以上述模版遮罩为电极，并与该电极相连接的电源。

本发明的电子束曝光装置更含有：第2模版遮罩，其与上述电子束的行进方向相关而配置于上述模版遮罩的上游侧，并且具有孔口大小大于上述模版遮罩孔口且与其相对应的孔口。

于含有上述第2模版遮罩的曝光装置中，上述低电场产生机构更可含有以上述第2模版遮罩为电极而与该电极相连接的电源。

上述曝光试样的支承台可具备支撑位置变更机构，其用以变更上述曝光试样的支撑位置，并藉此变更上述曝光试样与上述模版遮罩的距离。

根据本发明，关于从电子放射源放射且经由模版遮罩的孔口而导引至曝光试样的电子束，以令电子束于到达上述模版遮罩孔口瞬前置于以低速行进的低电场强度下(低加速度下)的方式，可使上述电子束所具有的能量保持在较低的能阶(level)。藉此，可使因入射至上述模版遮罩，且照射到该孔口边缘而由遮罩吸收的一部分电子束所导致的上述模版遮罩温度上升以及由于温度上升而引发的热变形得以减少。另外，关于通过上述模版遮罩的电子束，藉由置于该电子束以高速行进的高电场强度下(高加速度下)的方式，可将到达上述曝光试样所需的电子束行进时间缩短，以避免前述电子束于该期间产生横向扩散，并藉此防止上述曝光试样所谓图案模糊的现象产生，而达成高解析度曝光。

进而，由于防止上述电子束横向扩散，故可将上述曝光试样与上述模版遮罩之间的间隔设为较宽的间隔，藉此可使上述模版遮罩的污染，亦即因曝光而使上述曝光试样的光阻剂产生的蒸发物所造成的污染减少；并且缩减上述模版遮罩的洗净次数，而可达到于洗净时降低上述模版遮罩的破损机率，以及因破损机率降低而使上述模版遮罩的使用寿命得以增长的目的。进而，可将表面粗糙度较大的曝光试样，与翘曲的曝光试样作为曝光标的。

上述电子束所置入的上述低电场与高电场，可分别藉由本发明的电子束曝光装置的低电场产生机构与高电场产生机构加以产生。上述低电场产生机构包括与上述电子束行进方向相关而配置于上述模版遮罩上游侧的电极，以及与该电极相连接的电源，而上述高电场产生机构包括将上述模版遮罩作为电极，而与该电极相连接的电源。

将上述低电场强度(V′1)、上述高电场强度(V′2)、以及用以产生该高电场强度而施加于上述模版遮罩的电压(V)设为满足关系式(V′1-V′2)/4V＝1/F(F是指上述模版遮罩孔口与通过该孔口的上述电子束的聚焦点的距离)时，可使通过上述孔口的电子束具有所谓透镜效应。藉此，使上述电子束对上述曝光试样聚焦，而能获得更深的焦点深度。其结果使得上述电子束可到达较多设于上述曝光试样的光阻剂较厚的内部深处，藉此，可转印出更精确的细微图案。并且，藉此方式可于上述曝光试样的光阻剂中产生更为扩大的间隙(gap)。

利用具有曝光试样的支撑位置变更机构的支承台支撑上述曝光试样时，可按照上述曝光试样的表面形状与其整体形状，适当设定上述曝光试样与上述模版遮罩的相对距离。而以变更上述曝光试样与上述模版遮罩的距离或者间隔的方式，无须改变上述施加电压(V)，即可改变上述高电场强度(V′2)，藉此方式，可更容易进行用以获得上述透镜效应的电场控制。

以上述电子束进行曝光试样的曝光时，除上述模版遮罩之外，更可配置具有开口大小大于上述模版遮罩孔口的对应孔口的第二模版遮罩。上述第二模版遮罩，因配置在有关上述电子束的行进方向的原有模版遮罩(用以形成图案的模版遮罩)的上游侧，上述电子放射源所放射的电子束依序通过上述第二模版遮罩孔口与上述图案形成用遮罩孔口时，完全只照射上述第二模版遮罩，而不照射位于其下游的上述图案形成用模版遮罩。因此，可使上述第一模版遮罩的热膨胀更为降低，而转印出更精确的细微图案。

此外，当设置上述第二模版遮罩时，可配置以该第二模版遮罩为电极而与该电极相连接的电源，藉此使上述低速移动的电子束得以加速至更高速。

附图说明

图1为本发明电子束曝光装置的概略图。

图2表示图1所示的装置中施加于各电极的电压与电极间的电位梯度(电场强度)图。

图3为透镜效应的说明图。

图4表示本发明的电子束曝光装置的另一例的与图1相同的概略图。

图5表示本发明的电子束曝光装置的又一例的与图1相同的概略图。

图6表示成为层次结构的两个模版遮罩的剖视图。

其中：

10、50、70为曝光装置；        12为曝光试样；

13为光阻剂；                14为放射线源(阴极)；

16为支承台；                18、52为模版遮罩；

20、56为孔口；              22为电子束；

24为阳极；                  26、30、34为直流电源；

28为电极；                  32为低电场产生机构；

36为高电场产生机构；        38为聚焦线圈；

40、42为偏转线圈；          58、60为硅基板；

59、61为凹洞；              72为支撑位置变更机构。

具体实施方式

参照图1，该图为本发明的电子束曝光装置的一例，整体以符号10表示。

电子束曝光装置(以下简称为曝光装置)10用在将用以形成例如半导体积体电路的微细几何图案(以下简称为图案)投影转移至如硅晶片(silicon wafer)的电子曝光试样(以下简称为曝光试样)12的光阻剂13上。

供作上述用途的曝光装置10具备有：放射线源14，此放射线源如同电子枪，可以放射出用以将上述图案投影并曝光于曝光试样的光阻剂13上的电子；以及，支承台16，其如同用以支撑曝光试样12的基座，另外，还具备形成有上述所投影的图案的板状模版遮罩18。

放射线源14、支承台16及模版遮罩18，配置在成为曝光装置10的一部分的柱体(column)(未图示)所界定的真空空间内。详细地说，放射线源14及支承台16分别配置在上述柱体的最上方位置及最下方位置，而模版遮罩18则与支承台16保持间隔，水平配置在支承台16的上方。又，曝光试样12则与模版遮罩18呈平行而水平配置在支承台16上。

模版遮罩18由硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、金刚石(diamond)、类钻碳(diamond-likecarbon)等形成。模版遮罩18上有复数个孔口(贯通孔)20。这些孔口20用以规制上述图案。

放射线源14所放射的电子束22，分别于模版遮罩18的上方空间及下方空间形成的低强度电场及高强度电场内加速。藉此，电子束22在到达模版遮罩的孔口20前，是在低电场强度下以低速行进，在通过模版遮罩18的一部分的孔口20后，则是在高电场强度下以高速行进，然后到达曝光试样的光阻剂13，使其曝光。

为使作为电子放射源的阴极14放射出电子，在阴极14的正下方配置电极(阳极)24，再将直流电源26连接至阴极14及阳极24双方，并且分别施加电压-Vc、-Va(图2)。如图2所示，这些电压-Vc、-Va(-Vc＜-Va)分别比藉由支承台16的地线接地使电压设定为零(Vw＝0)的曝光试样12的电压还低。

遮没电极(blanking electrode)28配置在阳极24下方。直流电源30与该电极28及位于该电极28下方的模版遮罩18相连接，并施加电压。在阳极24及电极28上分别设有可使阴极14所放射的电子束22穿透的孔。

阳极24及其电源26、电极28、作为电极的模版遮罩18及这些的电源30构成低电场产生机构32，并且在模版遮罩18的上方空间产生上述低强度电场。

再者，将地线接地的直流电源34连接至作为电极的模版遮罩18，并且施加电压-Vm(-Vm＞-Va)。模版遮罩18及电源34构成高电场产生机构36，并且在模版遮罩18的下方空间产生上述高强度电场。

藉此，阴极14所放射的电子束22藉由低电场产生机构32在阴极14及阳极24之间加速，进而在阳极24和模版遮罩18之间加速，而且以低速行进。

此外，通过模版遮罩18的电子束22则藉由高电场产生机构36在模版遮罩18和曝光试样12之间加速，而且以高速行进。

在曝光装置10中，为了使通过阳极24的电子束22聚焦，在阳极24及其下方的电极28之间配置聚焦线圈(focusing coil)38。

又，在曝光装置10中，为使电子束22能够在曝光试样12(具体地应是在光阻剂13上)上扫描，而配置上下2个偏转线圈(deflecting coil)40、42。藉此，能决定电子束的前进方向，使电子束22以一边(上方)的偏转线圈40改变行进方向，接着，以另一边(下方)的偏转线圈42，通过经事先决定的模版遮罩18上的预定孔20，而垂直射入曝光试样12表面。

例如在半导体制程的单层光阻剂曝光中，可将该曝光所需的电压设为约10kV(绝对值)。因此，可将电源26、30、34的总电压设为-10kV，将电源26、30的总电压以及电源34的电压各设为-4kV和-6kV。

根据本发明，上述低电场强度下的电子束22以低速行进，因此其能阶(energy level)较低，故，因电子束22入射使模版遮罩18发热的程度也较低，所以可减低模版遮罩18的热负载。并且，亦使有时作为曝光装置10的一部分来使用的束线成形用聚焦线圈(未图示)及偏转线圈40、42容易发挥其性能。

上述高电场强度下的电子束22，可以精确地朝向曝光试样12上的预定位置行进而不会产生位置偏移。藉此，可在曝光试样12上获得较高解析度的曝光。

接着，参照图3。

将上述低电场强度(V′1)、高电场强度(V′2)及作为电极的模版遮罩18的电位-Vm设为满足上述三者的关系式(V′2-V′1)/4Vm＝I/F，藉此可得到通过模版遮罩孔口20的电子束22进行聚焦的效应，也就是所谓的透镜效应。

此处的F表示模版遮罩的孔口20与电子束22的聚焦点之间的距离(对焦距离)。而且，低电场强度V′1＝{-Vm-(-Va)}/(LmLa)及高电场强度V′2＝{-Vw-(-Vm)}/(LwLm)。此处，La、Lm、Lw是各表示从阴极14至阳极24之间的距离、从阴极14至模版遮罩18之间的距离，及从阴极14至曝光试样12之间的距离，这些的单位为公尺(Meter)(参照图2)。此外，Va、Vm及Vw的单位为伏特(Volt)。

因上述透镜效应使电子束22进行聚焦，而使电子束22得以到达曝光试样的光阻剂13内部深处，而使该部分曝光。藉此，可更精确地转印上述图案。

接着，参照用以表示本发明另一例的图4。

本例中的曝光装置50，除了模版遮罩18之外还具备有第2模版遮罩52，此点与图1所示的曝光装置10不同。

第2模版遮罩52是由硅(Si)、碳化硅(sic)、氮化硅(SiN)、金刚石(diamond)、类钻碳(diamond-likecarbon)、钨、铝等形成，可任意选择其厚度尺寸。第2模版遮罩52与电子束22的行进方向相关，而配置在模版遮罩18(为与第2模版遮罩52有所区别，以下称作图案形成用模版遮罩)的上游侧。详细地说，第2模版遮罩52与图案形成用模版遮罩18保持间隔，而平行配置于图案形成用模版遮罩18的上方，然后透过配置在两个模版遮罩18、52之间的如玻璃板类的绝缘体所构成的框部54，而成为与图案形成用模版遮罩18合为一体的组装体。

第2模版遮罩52具有与图案形成用模版遮罩18的复数孔口20相对应的复数孔口56。在图示中，将孔口56的尺寸设为大于孔口20，如图5所示，亦可将孔口56设定成与孔口20同样的大小和形状。

如图5所示，两个模版遮罩52、18是在蒸镀的SiN(氮化硅)膜上各设有孔口56、20，而形成在硅基板58、60的下面。两个硅基板58、60上各设有围绕孔口56、20周围的凹洞59、61，以补强两个模版遮罩52、18。将模版遮罩52及硅基板60分别黏接于框部54的上面及下面。

由于图案形成用模版遮罩18上方配置第2模版遮罩52，使得第二模版遮罩52承接到本该由图案形成用模版遮罩18承接的一部分不必要的电子束22，所以，图案形成用模版遮罩18的热变形也因此减少。

在本例中，还设有直流电源62，其将第2模版遮罩52及图案形成用模版遮罩18分别设为负电极与正电极。

若以上述方式，将电压施加于两个模版遮罩52，18，则不必变更电源30的电压，即可改变低电场强度V′1的大小。藉此，可按照曝光试样的光阻剂13厚度，轻易变更并控制上述透镜效应的焦点距离(焦点深度)F。

接着，参照表示本发明又一例的图6。

本例的曝光装置70中，曝光试样12的支承台16具有曝光试样12的支撑位置变更机构72，此点与图4所示的曝光装置50不同。

支撑位置变更机构72由可使支承台16上下方向移动的任意结构所构成，藉由操作支撑位置变更机构72，可使支承台16及其上面的曝光试样12上升下降，而改变上述构件的高度位置，如此，便可任意变更曝光试样12与模版遮罩18之间的距离。

藉此，可变更距离(Lw-Lm)而不用改变施加电压-Vm的值，因此，可变更高电场强度V′2。所以，可容易变更、控制与曝光试样的光阻剂13厚度相对应的上述透镜效应中的焦点距离F。

另外，极易于表面粗糙的曝光试样或翘曲的曝光试样等与模版遮罩18间的配置上，取得所需的间隔。

支撑位置变更机构72亦可适用于图1所示的曝光装置10。

如上所述，在本发明的曝光装置10、50、70中，从产生电子束22而入射至用以对其电子进行整形、偏转、图案转移等的遮罩18，52，再到达曝光试样12为止，照射能量加诸于电子束22的各电极(阴极14、阳极24、模版遮罩18、曝光试样12等)所需电压，皆予以分压后再施加。

一般如上所述，以地线接地的方式使曝光试样12的电压为零电压，将所需的最大电压值(负极性)施加于阴极14，将低电压值(负极性)依序施加于阳极24、模版遮罩18，而使电子束照射到曝光试样12。这可以藉由将曝光试样12保持在接地电位(零电位)，以避免形成于曝光试样12内部的电路等的绝缘性受到破坏，而其另一面，则需可产生最大电压值的电源。

此外，关于电子束22的放射及其整形和偏转，尤其是与上述相关的电极间的相对电压值不变时，若使这些电极的电位(例如增加负极性的电位)增力口，则作为接地电位的上述装置的框体和电场的相关形态发生改变，而无影响上述电子放射、整形、偏转的特性。为避免该问题，电压为可变时，最好施以不影响各电极与接地电位间的电场变化的电场屏蔽(shield)。

又，对不需要考虑破坏绝缘性问题的曝光试样(例如作为曝光光阻剂的照射特性评估的曝光光阻剂)而言，藉由在阴极14和曝光试样12间的任意位置选择接地电位，而可使用作为所需的电源电压最大值较低的电源(分散施加高电压的位置)。

再者，将电子束22的放射、整形、偏转相关区域的各电极电位设为一定，而且将电子束22的放射、整形、偏转特性予以固定，而在使通过这些区域的电子束22加速的区域中，可在模版遮罩18和曝光试样12之间，将所需的剩余能量施加于电子束22。此系因为在电子束22只进行加速的区域中对应可变电压的方法，将较在电子束22进行放射、整形、偏转的区域中对应可变电压的方法简单。使互相平行的模版遮罩18和曝光试样12之间的间隔缩小，并相反地将其电位为接地电位的上述框体和曝光试样12之间的间隔设为较宽，藉此可将电压增加时电场分布变化所造成的影响降低。此时，最好将正极性电压施加于曝光试样上。

以下是表示照射电子束的加速电压为6kV时，分别对阴极14/阳极24/模版遮罩18/曝光试样12附加的电压值的另一例。

(1)-4kV/-2kV/-2kV/+2kV(将接地电位设定在模版遮罩18与曝光试样12中间的例子)

(2)-2kV/-0kV/-0kV/+4kV(将阳极24与模版遮罩18设为接地电位，且将曝光试样12设为正电位的例子)

任一例中皆可在对阴极14施加的电压值和对曝光试样12施加的电压值之间任意选取电压值。第(2)例中，在装置结构上，在谋求电子束22的放射、及其整形、偏转等特性方面，不但可使成本降到最低，更能够获得稳定的特性。进而，以改变接地电位设定位置的方式，可稳定电子束22的放射、整形、偏转等特性，并可确保用以改变施加于电子束22的能量的装置结构、特性的稳定性。

本发明的上述曝光方法及曝光装置，除可适用于上述晶片(wafer)，上述曝光光阻剂的曝光外，亦可适用于遮罩(mask)的制造，微机电系统(MEMS：microelectro mechanical system)的制造等。

Claims (7)

1、一种电子束曝光方法，将电子放射源所放射的电子束通过设置于模版遮罩的孔口后导引至曝光试样，并使该电子束曝光的方法；使上述电子束于电子束到达上述模版遮罩孔口前置于以低速行进的低电场强度下，然后，使通过上述模版遮罩孔口的电子束置于以高速行进的高电场强度下；

其中，为使通过上述模版遮罩孔口的上述电子束聚焦，上述低电场强度V’1、上述高电场强度V’2、用以产生该高电场强度而施加于上述模版遮罩的电压V以及上述模版遮罩的孔口与通过该孔口的上述电子束的聚焦点的距离F，满足如下关系：(V’1-V’2)/4V＝1/F。

2、一种电子束曝光装置，包括：电子放射源；

模版遮罩，具有容许该电子放射源所放射的电子束通过的孔口；

支承台，用以支撑接收通过该模版遮罩孔口的电子束后而曝光的曝光试样；

低电场产生机构，用以使上述电子束在电子束到达上述模版遮罩孔口前，以低速行进而置于低电场强度下；以及，

高电场产生机构，用以将通过上述模版遮罩孔口的上述电子束，置于电子束以高速行进的高电场强度下；

其中，为使通过上述模版遮罩孔口的上述电子束聚焦，上述低电场强度V’1、上述高电场强度V’2、用以产生该高电场强度而施加于上述模版遮罩的电压V以及上述模版遮罩的孔口与通过该孔口的上述电子束的聚焦点的距离F，满足如下关系：(V’1-V’2)/4V＝1/F。

3、如权利要求2所述的电子束曝光装置，其中，上述低电场产生机构，包括：与上述电子束行进方向相关，而配置于上述模版遮罩上游侧的电极及与该电极相连接的电源，而上述高电场产生机构包括：以上述模版遮罩为电极，而与该电极相连接的电源。

4、如权利要求2所述的电子束曝光装置，其中，更包括：第2模版遮罩，其与上述电子束移动方向相关，而配置于上述模版遮罩的上游侧，而且具有孔口大小大于上述模版遮罩孔口且与其相对应的孔口。

5、如权利要求3所述的电子束曝光装置，其中，更含有第2模版遮罩，其与上述电子束的移动方向相关，而配置于上述模版遮罩的上游侧，并且具有开口大小大于上述模板遮罩孔口且与其相对应的孔口；上述低电场产生机构更含有以上述第2模版遮罩为电极而与该电极相连接的电源。

6、如权利要求2所述的电子束曝光装置，其中，上述曝光试样的支承台具有支撑位置变更机构，其用以变更上述曝光试样的支撑位置，并藉此变更上述曝光试样与上述模版遮罩的距离。

7、如权利要求4所述的电子束曝光装置，其中，上述曝光试样的支承台具备有支撑位置变更机构，其用以变更上述曝光试样的支撑位置，并藉此变更上述曝光试样与上述模版遮罩的距离。

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