1227265 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 發明背景 發明領域 本發明係關於一種磨光組成物而彼係用於磁碟基材表 面的最終磨光，在用於記憶硬碟的磁碟基材之製備中，即 用於例如電腦的記憶裝置。更明確地，本發明係關於一種 磨光組成物而彼係用於製備記億硬碟而彼係由例如Ni-P碟、 N 1 - F e碟、鋁碟、碳化硼碟或碳碟所代表者，尤其是一種磨 光組成物彼可提供高材料移除速率，在一用於最終磨光帶 有良好的表面粗糙度的高反射表面磨光方法之中，且彼同 時可用於用以得到卓越的最終處理表面的生產技藝，而此 卓越的最終處理表面係用於有具有大容量及高紀錄密度的 磁碟裝置。此外，本發明係關於一種使用該磨光組成物而 磨光記憶硬碟之方法。 背景討論 已有持續的努力以針對記憶硬碟進行微型化與較大的 容量，而此記憶硬碟係用於磁碟裝置而彼爲記憶介質之一 例如電腦，且磁性介質正由慣常的塗覆類型介質改向薄膜 介質，而彼可經由濺射、電鍍或其它方法製備。 碟基材（以下簡單地引述爲〃基材"）目前彼已最廣汎的使 用者，爲一種其具無電極Ni-P鍍層膜而形成在空白材料上。 在此，空白材料爲一種得自整飾鋁或其它基底板經由車床 加工而採用鑽石車工，採用PVA磨石重疊而彼製備可經由固 定S i C硏磨材料或其它方法，爲了平行化或平面化。然而， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 裝 „ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 1227265 A7 B7 五、發明説明（21 經由該各種整飾方法，相對大的波紋不能完全地移除。同 時，無電極Ni-P鍍層膜將沿著波紋而形成在空白材料上。據 此，該波紋亦將保持在基材上，且有時將形成結節或大的 凹坑。在此，π結節"爲直徑在至少約50 // m的凸塊，其係 由凸起於電鍍表面而形成而在該部分係已將雜質帶入Ni-P鍍 層膜中者。在此"凹坑"爲凹陷彼係經由在基材表面上磨光而 形成者，且在這些之中，"細微凹坑"爲直徑在少於約1 0 // m 的凹陷。 另一方面，隨著記憶硬碟容量的增加，表面紀錄密度 增加的速率在每年數十％。據此，在記憶硬碟上由預先決定 量的紀錄資料佔據的空間，比以往更狹窄，且紀錄所須之 磁力傾向爲弱。據此，針對最近的磁碟裝置，須將頭部的 飛行高度降至最低，而彼爲介於磁頭與記憶硬碟之間的空 間，且目前頭部的飛行高度降至不高於1.0微英寸（約0.025 V m)之水準。 此外，可有時可在磨光之後執行所謂的組織化（ textunng)以將同中心的圓形刻線（scoreiines)賦予基材，而 此磨光係爲了預防讀取或書寫資料的磁頭黏於記憶硬碟上 ，且預防在記憶硬碟上磁場的非均勻性而此非均勻性係由 於在特定方向上的刻線不同於記憶硬碟的旋轉方向，彼係 經由磨光而形成在基材表面上。最近，爲了進一步的降低 頭部的飛行高度，執行光組織化而其中進一步的降低形成 在基材上的刻線，或使用不含刻線（scorelines)的非組織化 基材而彼係未作組織化者。也已發展出支撐該磁頭低飛行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） L. t衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本百〇 、v5 線 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -5- 1227265 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3) 高度的技藝’且頭部的飛行高度之降低正漸增地推進。 當記憶硬碟表面具有波紋，頭部將隨著記憶硬碟的波 紋上下移動’而彼係以非常高速旋轉。然而，若波紋超過 一特定高度’或若波紋之寬度相對小於此高度，頭部將不 再能夠跟隨波紋，且頭部將碰撞到基材表面，如此造成所 謂的"頭部壓扁”，從而使磁頭或在記憶硬碟上表面的磁性介 質可能受損’其可能引起磁碟裝置的困難，或其可能引起 讀取或書寫資料的錯誤。 另一方面’當於記憶硬碟表面上存在數# m的微突出， 頭部壓扁也可能發生。此外，當凹坑存在記憶硬碟上，彼 很可能使資料不能完全地書寫，如此導致資料的缺陷即所 謂的"小段缺陷"或資料讀取失效，彼將導致錯誤。 據此，彼係·重要的在磨光步驟中將基材的表面粗糙度 降至最低，即在形成磁性介質之前的步驟，且同時，必須 完全地移除相對大的波紋與微突出、細微凹坑及其它表面 缺陷。 爲達上述目的，通常經由一磨光步驟進行最後修整， 彼係採用一種磨光組成物（以下有時稱爲”淤漿"，基於其本 質）而其中包含氧化鋁或其它各種硏磨料及水與各種磨光促 進劑。然而採用單一的磨光步驟，彼已難於滿足下列所有 須求：爲去除在基材表面上的相對大的波紋與表面缺陷如 結節及大的凹坑且在特定時間內將表面粗糙度最小化。據 此，已有硏究其中包含二個或更多步驟的磨光方法。 在一案例之中其中磨光方法包含二種步驟，第一步驟 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X 297公釐） L. 辦衣----^----ir------i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -6- 1227265 A7 B7 五、發明説明（4) 中磨光的主要目的將在於去除在基材表面上的相對大的波 紋與表面缺陷如結節及大的凹坑，即作整飾。據此，須要 的磨光組成物係帶有高的矯正上述的波紋及表面缺陷之能 力，而未形成其不能經由在第二步驟中的磨光而移除的深 刮痕，而不在將表面粗糙度最小化。 在第二步驟中，即最後修整或最終磨光磨光，之目的 ，在於將基材的表面粗糙度降至最低。據此，其重點在於 此磨光組成物能夠將表面粗糙度最小化且能預防形成微突 出、細微凹坑或其它表面缺陷，而不是彼具有高的矯正大 的波紋或表面缺陷能力如在第一步驟中磨光所須要者。此 外，基於生產率之觀點，彼亦重要者在於材料移除速率要 高。表面粗糙度之程度係取決於生產基材的方法、作爲記 憶硬碟的最終紀錄容量及其它條件。然而，取決於所欲求 表面粗糙度之程度，可使用包含多於二步驟的磨光方法。 此外，最近，在加工空白材料上已有改良，採用PVA硏 磨器以降低加工成本，從而在使用主要的磨光組成物之前 降低空白材料的表面粗糙度，使其係關於在磨光之前鍍層 基材的表面粗糙度或波紋的品質，可調至於慣常的第一磨 光步驟之後的水準。若執行該加工，慣常的第一磨光步驟 將不必要，且將會僅須要所謂的最終磨光。 爲達述目的，尤其是在最終磨光中，彼已慣常經由一 種磨光組成物進行磨光，而此組成之製備係使用一方式其 中係氧化鋁或其它硏磨料徹底硏磨且調至適合的粒度，將 水加入其中，且將硝酸鋁或各種有機酸及其它磨光促進劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） L. 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227265 A7 B7__ 五、發明説明（5) 加入其中，或其中包含膠體狀二氧化矽及水的磨光組成物 。然而，經由前者磨光組成物所作之磨光帶有問題在介於 機械的成分及化學的成分之間的平衡係不良的，且微突出 或細微凹坑趨向形成。經由後者磨光組成物的磨光帶有問 題在使材料移除速率太低而須長時間磨光，且生產率低， 作爲基材底面下垂指數的滾動（或"磨下"）趨向於劣化，或於 磨光之後的淸洗趨向有困難。 爲解決該問題，JP-A- 1 0-2044 1 6提出一種磨光組成物而 其中包含硏磨料及鐵化合物。揭示於此文獻中的磨光組成 物係打算解決上述的問題，且彼具有高材料移除速率且能 提供一種具有小表面粗糙度的磨光表面。然而，經由本案 發明人進一步的硏究，據發現採用此揭示於磨光組成物而 以確保高磨光效率，須要大量的鐵化合物，尤其是硝酸鐵（ III)或硫酸鐵（III)。在此，有問題在於此組成物的pH傾向於 低達少於2.0。 本發明槪要 本發明目的一在解決上述的問題，並提供一種磨光組 成物其帶有高材料移除速率且能預防形成微突出、細微凹 坑及其它表面缺陷，如迄今爲止須要用於磨光組成物者且 其進一步的使其可能達成高材料移除速率，甚至在高於2.0 的pH之下。 本發明提供用以製造記憶硬碟的磨光組成物，其中包 含至少以下成分（a)至（d): 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210Χ29_ϋ| ) 裝 ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227265 A7 B7 - ---—~^ ---—--- 五、發明説明（〇) (a) 基於磨光組成物總量，〇. 1至5 0 w t %的至少一種硏磨 料，其係選自一類群而此類群係由二氧化矽、氧化鋁、氧 化鈽、氧化锆、氧化鈦、氮化矽及二氧化錳所組成， (b) 基於磨光組成物總量，0.001至10 wt%的至少一種過 碘酸鹽成分，其係選自一類群而此類群係由過碘酸、過_ 酸鉀、過碘酸鈉及過碘酸鋰所組成， (C)基於磨光組成物總量，0.01至30 wt%的至少一種過 氧二硫酸鹽，其係選自一類群而此類群係由過氧二硫酸毅 、過氧二硫酸鉀及過氧二硫酸鈉所組成，及 (d)水，且 其帶有pH在2至7。 此外，本發明提供一種一種製造記憶硬碟的方法，其 中包含將記憶硬碟用基材作磨光，彼係採用一種用以製造 記憶硬碟的磨光組成物，其中包含至少以下成分U)至（d) (a) 基於磨光組成物總量，0.1至50 wt%的至少一種硏磨 料，其係選自一類群而此類群係由二氧化矽、氧化鋁、氧 化鈽、氧化銷、氧化鈦、氮化矽及二氧化錳所組成， (b) 基於磨光組成物總量，0.001至10 wt%的至少一種過 碘酸鹽，其係選自一類群而此類群係由過碘酸、過碘酸鉀 、過碘酸鈉及過碘酸鋰所組成， (c) 基於磨光組成物總量，0.01至30 wt%的至少一種過 氧二硫酸鹽，其係選自一類群而此類群係由過氧二硫酸銨 、過氧二硫酸鉀及過氧二硫酸鈉所組成，及 (d) 水，且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---·------裝----^----訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227265 A7 - -—- ___^ B7___ 五、發明説明（7) 其帶有pH在2至7。 本發明中用以製造記憶硬碟的磨光組成物具有高材料 移除速率且能提供一種具有小表面粗糙度的磨光表面且進 一步的能預防形成微突出、細微凹坑或其它表面缺陷，且 彼亦使其有可能以得到高材料移除速率，甚至在高於2.〇的 pH之下。 此外’依據本發明中製造記憶硬碟的方法，材料移除 速率高，且彼有可能得到記憶硬碟而帶有小表面粗糙度及 極少的微突出 '細微凹坑或其它.表面缺陷。 本發明較佳的具體實施例之詳細敘述 •硏磨料 其適用於在本發明磨光組成物成分之中作爲主要硏磨 料者’係選自一類群而此類群係由二氧化矽、氧化鋁、氧 化铈、氧化鈦、氮化矽、氧化锆及二氧化錳所組成。此硏 磨料不限於此類之中任何特定的一項，但較佳者爲二氧化 矽。二氧化矽包括膠體狀二氧化矽、燻過的二氧化矽及許 多其它型態而彼差異在於其生產之方法或在其性質。 同時，氧化鋁包括α -氧化鋁、5 -氧化鋁、0 -氧化鋁 、/c -氧化鋁及其它形態上不同之物質。此外，彼包括一項 稱爲燻過的氧化鋁而此係由其生產方而命名者。 氧化鈽由氧化反應數之不同而包括三價及四價者，且 由結晶系之不同彼包括六方晶系、等軸晶系及面心主方晶 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（) 一 " -10 - 裝 ； 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1227265 A7 B7 五、發明説明（g) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由結晶系統而言氧化鉻包括單斜晶系、四方晶系及非 結晶形者。此外，彼包括一項稱爲燻過的氧化鍩而此係由 其生產方而命名者。 由結晶系統而言氧化鈦包括單氧化鈦、三氧化二欽、 二氧化鈦及其它者。此外，彼包括一項稱爲燻過的二氧化 鈦而此係由其生產方而命名者。 氮化矽包括α -氮化矽、/3 -氮化矽、非結晶形的氮化矽 及其它形態上不同之氮化矽。 由彼形態學而言錳二氧化錳包括α -二氧化錳、0 -二氧 化錳、r -二氧化錳、3 -二氧化錳、ε -二氧化錳、7；-二氧 化錳及其它者。 針對本發明組成物，當須要時此類硏磨料可隨意的合 倂使用。當彼合倂使用，合倂之方法，及相應的硏磨料之 比例未特別限制。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 在此類硏磨料之中，膠體狀二氧化矽，較佳的用作爲 本發明的硏磨料。作爲生產膠體狀二氧化矽之方法，通常 使用一方法在其中將矽酸鈉或矽酸鉀作離子交換以得到超 微粒膠體狀二氧化矽且然後作顆粒生長、一方法其中使用 酸或鹼將烷氧基矽烷水解、或一方法彼係在溼系統之中將 有機矽化合物加熱且分解。
上述硏磨料係呈硏磨料顆粒，而經由機械的作用，將 待磨光表面作磨光。其中，二氧化矽之粒度通常在0.005至 0.6 // m，較佳者在0.0 1至0.2 # m，而平均粒度係使用B E T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 1227265 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（d 方法作表面積測量再轉化而得。同樣地，氧化鋁、氧化鍩 、氧化鈦及氮化矽之粒度通常在〇. 〇 1至1 // m，較佳者在 0.05至0.3 A m，而平均粒度係經由雷射繞射粒度分佈測量 裝置作測量。此外，氧化鈽及二氧化錳之粒度通常在0.01至 1 // m，較佳者在0.05至0.3 A m，而平均粒度係經由掃描式 電子顯微鏡作觀察。 若此類硏磨料之平均粒度超過上述的範圍，磨光表面 之表面粗糙度傾向爲不佳，或傾向於產生刮痕。另一方面 ，若彼小於上述的範圍，材料移除速率傾向非常低且係不 切實際的。 在磨光組成物中硏磨料含量之變化取決於所使周硏磨 料的類型。當硏磨料爲二氧化矽或氧化鋁，彼通常在〇.丨至 40 wt%，較佳者在1.0至15 wt%，基於組成物的總量。當硏 磨料爲氧化鈦、氮化矽或二氧化錳，彼通常在〇.丨至3 〇 w t % ’較佳者在0 · 5至1 5 w t %。當硏磨料爲氧化鈽或氧化鍩，彼 通常在0.5至50 wt%，較佳者在1至25 wt%。若硏磨料之含 量太小，材料移除速率傾向爲低，且若彼太大，可能無法 維持均勻的分散，且組成物之黏度傾向爲高到使操作將有 困難。 促進劑 此外，本發明磨光組成物特色在彼含有過碘酸鹽成分 作爲磨光促進劑。 在本發明磨光組成物中過碘酸鹽成分之含量其變化取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） L - ----- n I n I - I - ! T I In 1 I I] I · 、\5 务 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227265 A7 __B7_ 五、發明説明（& 決於特定的化合物之效應。然而，彼通常在0.001至10 wt% ，較佳者在0.01至5 wt%，更佳者在0.1至5 wt%，基於磨光 組成物的總量。若過碘酸鹽成分的用量小，在磨光組成物 中將不能有效地得到過氧二硫酸鹽之化學效應，從而使磨 光性能傾向爲低，此係不經濟的。另一方面，甚至若彼過 度地使用，將不能進一步的增進磨光性能，且彼將是不經 濟的。 促進助劑 此外，本發明磨光組成物特色在彼含有過氧二硫酸鹽 。此過氧二硫酸鹽據信經由過碘酸鹽成分的化學作周可促 進磨光加速效應，而作爲磨光促進助劑。過氧二硫酸鹽加 入用量之變化可取決於上述過碘酸鹽成分之用量，但彼通 常在0.01至30 wt%，較佳者在0.1至10 wt%，基於磨光組成 物的總量。若彼用量小，磨光效率傾向爲低，係不經濟的 。另一方面，若彼用量太大，增進之程度傾向爲小，從而 傾向於造成經濟上的缺點。不僅如此，經由過多的過氧二 硫酸鹽於貯存期間分解將形成氧，從而於貯存期間容器內 壓力傾向爲過高，且在極端案例之中，容器將會斷裂或展 現可能有危險的情況。因此，須要小心。 緩衝成分 此外，當須要時，本發明磨光組成物可含有緩衝成分 。此緩衝成分較佳者爲有機酸，尤其較佳者爲檸檬酸、蘋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29*7公釐） L^----：----1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 1227265 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 A7 B7
五、發明説明（A 果酸或順丁烯二酸。該有機酸之效應在將磨光組成物中pH 範圍降低在2至7，更佳者在2至5。該效應並非實質上須要 的，但經由降低pH値，將可使用較少量的過碘酸鹽成分而 獲得良好的磨光性能，如已發現在酸性的溶液中氧化電位 會增強。換言之，緩衝成分用量可以小而無任何問題，除 了將須要大量的過碘酸鹽成分以達成良好的磨光性能。另 一方面，若彼用量太高，pH値很可能少於2.0，從而磨光組 成物可能展現對使用者皮膚過敏或可能造成對磨光機器的 腐蝕，且操作上將須要小心。用以降低淤漿pH値的較佳的 酸爲順丁烯二酸，因爲據發現順丁烯二酸促進過碘酸鹽之 穩定性。可使用其它酸類，然而，可能降低過碘酸鹽之長 期穩定性，且此淤漿可能改變爲粉紅色且產生碘酸鹽氣味 磨光組成物 此外，本發明磨光組成物可以儲存溶液的形式製備及 儲存或被運送，且此儲存溶液具有相對地高濃度，且可經 由稀釋而使用，當實際上作磨光處理時。上述的較佳的濃 度範圍爲當實際磨光處理的濃度。無須贅言，當使用該方 法，當彼在儲存或被運送狀態，此磨光組成物將爲具有較 高濃度的溶液。此外，基於操作效率之觀點，宜使磨光組 成物以該濃縮形式製備。 此外，爲了於本發明磨光組成物貯存期間預防過氧二 硫酸鹽的分解，此磨光組成物可分爲二個或更多組成物而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） nb --- - 1--- I - - - - I 1 ....... ii - 士^I II 11—- ill In \"""Ψ ------- m ......I -----------1 ------- 爻 - 、v* 痛 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 1227265 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7
五、發明説明（A 儲存。特別地，僅硏磨料及過碘酸鹽成分可以高濃度液體 的形式製備及貯存，而使過氧二硫酸鹽，或過氧二硫酸鹽 及緩衝成分’或之二種混合物，可溶解加入，當在磨光操 作之則丘即將儲存溶液稀釋。否則，過碘酸鹽成分、過氧 二硫酸鹽及緩衝成分可以預先決定比例混合在粉末形式之 中而儲存，故當須要時此混合物及硏磨料可分散/溶於水， 立即在磨光操作之前。藉由使用該方法，可以相對地高濃 度貯存。 當製備上述磨光組成物.中，可進一步的加入各種已知 的添加劑爲了安定或維持產物之品質，或取決於處理物件 的類型、磨光條件或其它加工條件之需要。該添加劑較佳 的實施例包括（a)纖維素、羧基甲基纖維素及羥乙基纖維素 、及其它纖維素，（b)乙醇 '丙醇及乙二醇、及其它水溶性 醇類’（c)烷基苯磺酸鈉及萘磺酸的福馬林縮合物、及其它 界面活性劑，（d)木質素磺酸鹽及聚丙烯酸酯、及其它有機 聚陰離子物質，（e)聚乙烯醇、及其它水溶性聚合物（乳化劑 )，及（f)精胺酸鈉、碳酸氫鉀、及其它殺菌劑。 詳細的機制尙未淸楚地瞭解，考量爲何本發明磨光組 成物基材磨光中具有高材料移除速率且能提供一種具有小 表面粗糙度的磨光表面而帶有極少的微突出、細微凹坑或 其它表面缺陷。然而，彼可說明如下，採用Nl_p鍍層的基材 作爲實施例。 考量在磨光Ni-P鍍層中高速之原因，考量Ni-P鍍層表面 經由與過碘酸鹽成分的氧化，且Ni_P鍍層表面從而變脆，將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 裝 ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 1227265 A7 B7
五、發明説明（A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由硏磨料的機械作用而立即移除。供選擇地，Ni-P係經由 氧化還原反應而溶解而此氧化還原反應係經由採用微粒的 機械磨耗而加速。此外，存在於此淤漿中的過氧二硫酸鹽 將促進過碘酸鹽成分的氧化作用。另方面考量，過氧二硫 酸鹽將造成對Ni-P鍍層表面適於氧化作用，而使表面粗糙度 將小，且微突出、細微凹坑或其它表面缺陷將極微。 製作記憶硬碟 製備依據本發明的記憶硬碟之方法，包含採用上述的 磨光組成物將記憶硬碟磨光。 此作磨光記憶硬碟之基材可以，例如爲Ni-P碟、· NTi-Fe 碟、鋁碟、碳化硼碟、碳碟或其類似者。其中，宜使用Ni-P 碟或鋁碟。 製備本發明記憶硬碟之方法可使用任何慣常的記憶硬 碟之磨光方法或任何磨光條件之組合，只要使用上述的磨 光組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如，作爲磨光機器，可使用單一的側磨光機器、雙 側磨光機器或其它機器。此外，磨光墊可爲絨面革型、非 編織型 '棉絮型、舉起型或其類似者。 此外，使用於製備本發明記憶硬碟之方法中的磨光組 成物具有高材料移除速率且同時提供平坦的磨光表面。據 此’磨光方法可在一步驟中執行，或可於不同之磨光條件 之下在二或更多步驟中執行。在一案例之中其中磨光方法 係在二或更多步驟中執行，宜將使用上述磨光組成物的磨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） -16- 1227265 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7
五、發明説明（A 光步驟列爲最終磨光步驟，即將針對一預先磨光的基材採 用上述的磨光組成物作磨光。此外，爲更有效地採用本發 明磨光組成物進行磨光，宜調整此預先磨光基材之表面粗 糙度爲Rt最多30 A，而彼係經由接觸式表面粗糙度計作測 量。 目前，本發明磨光組成物將參照實施例而進一步詳細 敘述。然而，須瞭解本發明並不限制於該特定的實施例。 製備磨光組成物 首先，將過碘酸鹽成分、過氧二硫酸鹽酸及緩衝物完 全地溶於水，然後將膠體狀二氧化矽（一級粒度：3 5 nm， 且已作預分散）加入其中，如表1所列，且混合以得到實施 例1至6及比較例1至3之測試試樣。 磨光試驗 然後，使用上述磨光組成物及經由DISKLITE-1312(由 Fujimi Incorporated製作）預先磨光的基材，執行磨光試驗。 磨光條件如下。 磨光條件 磨光機器：雙側磨光機器 目的爲磨光：3.5"無電極Ni-P基材（在第一步驟中已磨 光者；表面粗糙度Ra = 16 A) 磨光片之數目：2片/1載體X 5載體 X 2試驗=20片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇X 297公 裝 ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 1227265 Α7 Β7 五、發明説明（4 磨光墊：P〇ntex DPC 5 3 50(由美國 Rodel Inc.製作） 處理壓力：6 0 g / c m2 平臺旋轉速度：40 rpm 磨光組成物之供應速率：1 0 0 c c / m i η 磨光時間：12分鐘 於磨光之後，將基材連續地淸洗且乾燥，且然後，測 量經磨光的基材減少之重量。執行測量，考量針對所有作 磨光的20碟，且·材料移除速率係得自其平均。所得到，結果 如展不於表1。 L---------t-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -18_ 1227265 A7 B7 五、發明説明（i Γ L 寸.寸 000 :re 6·Ι 6.CN1 o.co 寸.CNi ι'τ 寸.寸 寸·寸 Γ17 02 6Γ0 ΟΟΓΟ ΟΟΓΟ coso (UILlI/m 7/ ί ί (15 sro ΟΓΟ 600 ：r«hlli sro ΙΓΟ γι 鍫：r 叢Η1ί 6Γ0 Γ5 ：Γithlli OCNOΓΐ 瀣 Ζ：蟹hli 001 001 001 001 001 001 001 001 001 001 οοζ οοί 001 ooocnssm 6~si 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 蘅^祕(1/3)蘅賴 3> 祕 s 0·卜o.u ς·Α ς.Α ς.Α 00·/, Q' L °L 0.Lod O.CNI 〇.ςι (Is QHZ .όΙΗ QHZ .ΟΙΗ 6Ξssil 015 01s 015 0i 0i 0i Γ L 1' L Γ L V L rr- 6.9 6.9 Ξ 6.9 eoo (％1TY0^AJ、> 0 I孽辑fc 6 冕辑{$1( OOM}辑« U赵辑M 9「#辑« -^ ^ « Η咳« U咳辑J § I冢辑J 黯0 S * I撇
Hdteii Κ1ΚΥ 另ifH〇5* 6^2 6.93冢鎰另 ΓΑ 鎰丑 _ 批衣 „ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227265 A7 B7 五、發明説明（士 由展示於表1之結果，明顯地本發明磨光組成物展示高 磨光性能，當相較於作爲比較例的其中僅內含過碘酸鹽的 組成物、其中僅內含過氧二硫酸鹽的組成物或其中加入碘 酸鹽而取代過碘酸鹽的組成物。此外，當加入緩衝成分， 可得到實質上相同磨光性能而有較少量的過碘酸鹽成分， 相較於其中未加入緩衝成分的案例。 此外，使用接觸式表面粗糙度計，Tencoi· P12(由美國 T e n c 〇 r i n s t r u m e 111 s公司製作，測量基材的表面粗縫度。結 果，介於實施例與比較例之間無實質上的差異，且明顯地 在實施例與比較例兩者中，得到非常光滑的表面而Ra値在 少於4.0 A。此外，在暗房之中於聚光燈之下目視觀察刮痕 ，從而在介於實施例與比較例之間刮痕之數目無實質上不 同，且彼發現於實施例與比較例兩者中，得到良好的表面 而帶有極微的刮痕。 如敘述於前者，本發明磨光組成物具有高材料移除速 率且能提供一種具有小表面粗縫度的磨光表面且能預防形 成微突出、細微凹坑或其它表面缺陷，且彼進一步的特色 在展現高材料移除速率，甚至在高於2.0的pH之下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20-