TW594447B - Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby - Google Patents

Description

594447 玖、發明說明： 技術領域 本發明乃關於一種微影投影裝置，其包含： -輻射系統，供應輻射之投影光束； -支承結構’用以支承圖案化裝置，該圖案化裝置用以將 投影光束依照所望之圖案予以圖案化； -基板台用以握持基板；以及 -投影系統’用以將圖案化光束投影於該基板的目標部分。 本文所採用之“圖案化裝置，，一辭應廣義解釋為用以賦予 一輸入輻射光束具圖形化橫切面，對應於基板目標部分所 創建之圖案的裝置；“光閥，，一辭亦可用於文中。一般言之， 該圖案對應於目標部分所創建裝置中之特定功能層，諸如 積難電路或其他裝置等（請參見下文）。此等圖案化裝置之 範例包括： -掩模。掩模之概念為微影學所熟知，其包含諸掩模型式， 諸如二進位、交替相移與衰減相移，以及各種混合掩模 型式等。此掩模在輻射光束中之佈置，依據掩模上圖案 而導致輻射撞擊掩模之選擇性透射（透射性掩模）或反射 (反射性掩模）。於掩模情況下，支承結構當為一掩模台， 以確保掩模握持於輸入輻射束中之理想位置，且於必要 時能與光束相對移動。 -可程式化的鏡列。此裝置的範例為一具有黏彈性控制層 之矩陣編址表面及一反射性表面。此裝置之基本原理在 於該反射性表面之編址區將入射光反射為衍射光。同時 未編址區則將入射光反射為非衍射光。利用適當滤光器 非何射光即可將該自反射光束濾去，僅剩下衍射光；如 此’光束即成為依據該矩陣編址表面之編址圖案的圖案 化。可程式化鏡列之另一具體實例採用小型鏡，各鏡繞 一軸各自傾側而施加允宜之局部電場，或採壓電制動裝 置；者叙自屬矩陣編址式’以使編址鏡會將輸入輕射束 以不同方向反射至未編址鏡；如此，被反射光束即依據 矩陣編址鏡的編址圖案而圖案化。所需之矩陣編址可利 用適當電子裝置實施之。在上述之兩種狀況中，該圖案 化裝置可由一或多個可程式化鏡列構成。本文所述鏡列 之詳細資料，可參閱美國專利案第US 5,296,891號及us 5,523，193號，以PCT專利申請案w〇 98/38597號和w〇 98/33096號，錄於此以供參考。在可程式化鏡列情形下， t支承結構可屬框或台形式，依需要而採固定式或活動 式。 •可程式化之液晶顯示器列。此一建構之範例載於美國專 利第US 5,229,872號中，錄於此以供參考。一如前述，此 例中之支承結構可屬框或台形式，依需要而採固定式或 活動式。 為簡明計，本文之其餘邵分於一定之處或特別針對涉及掩 模與掩模台之範例，不過，其所述之一般原理應含於以上 所述圖案化裝置之廣泛敘文中。 先前技術 微影投影裝置可用於製造積體電路。在此情況下，圖案 化裝置可產生一個對應於積體電路個別層之電路圖案；此 594447 圖案可在塗覆輻射敏感性材料（光阻）之基板（矽晶圓）上目 標部分（例如含一或多個模具）造像。通常單一晶圓會含有 經投影系統一次照亮—部分地連續照亮各鄰接目標：：的 全部網路。在現行裝置中，其採用掩模台上掩模之圖案化 者，:於兩不同型機器間構成區別。在一型微影投影裝置 中’每-目標部分由將整個掩模圖案於 此-㈣稱為晶圓步進器。在另一常稱為人步暴： 知描裝置中’每一目標部分以既定參考方向(掃描方向）， 在投影光束下由漸進掃描照射，同時同步掃描與此方向平 仃或圯平仃炙基板台；蓋一般而言，投影系統會具一放大 因子=(吊小於丨），掃描基板台之速度“V”應為因子“M”乘 以掩才旲口#描《速度。有關本文所述微影裝置之詳情，請 參餘美國專利案第仍6，_，792號，錄於此以供參考。 、在採用微影投影裝置之製程中，將一圖案(例如掩模中） 於至少由#射敏感性材料（光阻）部分覆蓋之基板上造像。 在此造像步驟之前，基板可經各種程序，諸如底漆，光阻 塗料及f洪等。曝光後，基板可接受其他程序，諸如曝光 後火、.4像’硬烘以及成像圖之測量與檢查等。此程序系 列可用做將裝置之個別層，例如積體電路圖案化的準則。 此一圖案化層即可接受各项處理’諸如姓刻，離子植入（摻 f)、金屬化、氧化、化學-機械掘光等。-切皆屬完成-個 如果需要數層時，則全部程序或其變異須就 二士、重衩最後裝置系列即會呈現於基板（晶圓）上。此 等裝置P可知切或鑛技術分割’從而個別裝置即可安裝於 594447 載體或連接至針柱上。有關此等處理之進一步資料，請參 閱由McGraw Hill出版公司於1997年ISBN 0-07-067250-4第三版 之Peter van Zant著“微晶片製造，半導體處理實用指南，，一 書0 為簡明計，在以下說明中投影系統可稱為“透鏡”，不過 此一術語應以廣義解釋，涵蓋各型投影系統，包括折射光 學部件，反射光學部件以及反射折射光學部件等。輻射系 統並可包括根據導引、整形或控制輻射投影光束等各種設 計而操作的組件，此等組件在下文中可合稱或單獨稱為“透 鏡”。此外，微影裝置可屬一種含有兩個或多個基板台（及/ 或兩或多個掩模台）裝置。在此種多級裝置中，諸另增台可 =行使用，或在一或多台上實施準備步騾，而將其他一或 多台用於曝光。雙級微影裝置載於us 5,969,441及w〇 98Μ〇791中，錄於此以供參考。 為將基板台準確定位於投影透鏡之聚焦平面中而採用不 準感測器。微影投影裝置中所用之位準感測器可經兩㈣ 理從屬性。處理從屬性係—種㈣，其中位準感測器諸邊 度根據如何處理被測之基板而提供不同結果。例如，具有 光阻塗料之基板，實際上雖很平坦（即無傾斜），而對ς等 感測器而言或屬傾斜。同樣，即使_光阻表面與—裸基板 表面同高，但位準感測器可能測量此兩基板高度不同。第 一種誤差為傾斜處理從屬性，而第二種誤差為高度處理從 屬性。 此外，即使明顯相同的晶圓處理機就既定程序或會表現 594447 不同傾斜處理從屬性及/或高度處理從屬性。亦即··以根據 特定程序所處理之特定基板而言，所測得之高度及/或傾斜 處理從屬性可能於各機器間有所改變。此點就不同型機器 者亦真。在一製造設備中，通常有很多機器操作執行一特 定處理。測量並改正此機器至機器從屬性的現有方法乃就 每一機器各處理實施一種“聚焦能矩陣，，（FEM)。聚焦能矩陣 (及其於外部裝置上讀出）既屬費時，且就各機器各處理實 施而導致太多關機時間。因此，將機器間處理從屬性之声 異特性化，而無須就每機每處理測量完整之聚焦能矩陣當 具助益。 @ 發明内宏 本發明惑目的在於提供一種用以校準至少兩微影裝置之 位卞感測為，以改正機器間之位準感測器處理從屬性，而 典須就各機各處理實施聚焦能矩陣的方法。 如首揭所舉依本發明在微影裝置中達成此項及其他目 的’其特徵在於該裝置包含： 裝置，利用第一微影投影裝置測量第一組校平資料，以 供參考基板； ^ 、裝置：利用第-裝置測量第二組校平資料，以供依據選 定之程序而處理的基板； 裝置，利用第二裝置測量第三組校平資料，以供參考基 板； 裝置，利用第二裝置測量第四組校平資料，以供依據選 定之程序而處理的基板；以及 裝置’利用第—、第二、第三及第四各組校平資料， :計算-組與機器間位準感測器差異之位準感測 以供選定之程序。 、依據本發明之另一端’提供一種裝置製造方法，其包含 之步驟為： 口 k供個至少邵分由輻射敏感性材料所覆蓋之基板； -利用輻射系統提供一輻射之投影光束； 利用圖案化裝置使投影光束之橫切面具有一圖案； 守固木化之孝田射光束投影於輕射敏感性材料層之目標部 分上， 717 口 1孩造像之前提供—組依處理而定之參數，用以調整造 像主特徵化，該等參數由下列各項決定： 利调第一微影投影裝置測量第一組校平資料，以供來 基板； ’ 、利用第衣置測f第二組校平資料，以供依據所選定程 序而處理之基板； 利用第二裝置測量第三組校平資料，以供參考基板； 利用第二裝置測量第四組校平資料，以供依據選定程序 所處理之基板；以及 、利用第一、第二、第三及第四各組校平資料，計算出對 應於機器至機器位準感測器諸差異之位準感測器參數，以 供所選定之程序。 雖在本文中特別針對依據本發明採用此裝置於製造積體 電路，但應明確認知此裝置尚有其他可能用途。例如，、= -π - 594447 統、磁疇記憶體用之制導與偵測、

如離子束或電子束等。 可用以製造集成光學系 液晶顯示器面板、薄 式 士圖1係依據本發明特別具體實例以簡略圖示之微影投影 裝置（1)。此裝置包含·· “輻射系統（Ex ’ IL)，用以供應輻射（紫外線、電子束或“X，， 光，备射線）之投影光束（PB)。在本特例中’輻射系統並含一 無射源（LA); 第一目標台（掩模台）（MT)，配以掩模以握持掩模(例 如標線片），並連接至第一定位裝置，而將掩模定於與項目 (pL)相關之確切位置； 第二目標台（WT)(基板台），配以基板架以握持基板（…八例 如光阻塗覆之石夕晶圓），並連接至第二定位裝置，而將基板 定於與項目（PL)相關之確切位置； 投影系統（透鏡）（PL)(例如反折射、折射、反射及/或衍射 元件等），用以將掩模（MA)照亮部分在基板（w)之目標部分 (C)(例如含一或多個模具）上造像。 如圖所示，此裝置乃屬透射型式（具透射性掩模）。不過 594447 其亦可屬反射型式（具反射掩模）。此外，此裝置可採用另 一種圖案化裝置，諸如前文所示之程式化鏡列型式。 該源（LA)(例如雷射、燈具、“X”光、離子或電子源）產生 輕射光束。光束以直接或經由如光束擴展器等調節裝 置而饋入照明系統（IL)。照明器（IL)可含調整裝置（am)，以 置定光束中強度分佈之外及/或内輻射程度（通常分別稱為 σ-外，σ-内）。此外，其常含有各種其他組件，諸如，積分 器（IN)及電容器（c〇)。如此，投射於掩模（ΜΑ)之光束（ρΒ) 在其橫切面即具有理想的均勻性及強度分佈。 有關圖1，請注意該源（LA)可能在微影投影裝置内（蓋源常 為一水銀燈），也可能遠離微影投影裝置，其所產生之輻射 光束饋入該裝置（例如藉助於適宜導引鏡）。後者常屬該源 (LA)你一激態雷射時之情況。本發明及申請專利範圍涵蓋 兩者之情況。 孩光束（ΡΒ)隨即截擊握持於掩模台（Μτ)上之掩模（μα)。 經過掩模（ΜΑ)之光束（ΡΒ)隨即通過透鏡（pL)，後者將光束 (PB)聚焦於基板（W)之目標部分（c)上。藉助於第二定位裝置 (及干涉測量裝置IF)，基板台（WT)得以確切移動’例如將不 同之目標部分（C)定位於光束（PB)之路徑中。同樣，可利用 第一定位裝置將掩模（MA)確切定位於與光束（PB)路徑的相 關位置，例如，自掩模庫機械性檢索掩模（MA)之後或掃描 期間。總之，目標台（MT，WT)的移動將藉助長行程（粗略 定位）模組及短行程模組（精細定位）得以實現’其於圖丨中並 未明確顯示。不過，在晶圓步進器情況中(與步進及掃描裝 -13- 594447 置相反），可將掩模台（MT)僅連接至短行程制動器或可予以 固定。於造像期間，可利用標線調整標（Μι，M2)及基板調 整標（Pi，P2)以調整標線片和基板。 所頭示之裝置可用於兩不同模式中： 1·在步進模式中，掩模台（MT)保持完全靜止，全部掩模影 像一次投影（單一閃光）於目標部分（C)上。基板台（WT)隨即 移轉至‘X”及/或“y”方向，以便光束（ρβ)照射不同的目標部 分。 2·在掃描模式中，除該目標部分非於單一閃光中曝光外，其 餘情況完全相同。而掩模台（MT)可於一定方向（所謂之“掃 描方向例如y方向）以速度“v”移動，以便導致投影光束 (PB)掃描掩模影像；同時，基板台（WT)同時於相同或相反 方向/以V=Mv速度移動，其中M為透鏡（pL)的放大率（通常 1/4或1/5)。如此，較大目標部分（c)可獲曝光，而不致損 及解析度。 影響微影裝置造像品質之重要因素在於掩模影像於基板 上聚焦的準確性。實際上，由於投影系統（PL)焦點平面可 供調整的位置之範圍有限，系統的焦點深度很小，故晶圓 (基板）的曝光面積必須在投影系統（PL)之焦點平面中精確 疋位。如此，即宜瞭解投影系統（PL)焦點平面的位置及晶 圓頂表面的位置。晶圓固經高度平坦拋光，但亦會發生晶 圓表面偏離充分之完美平坦（視為不平坦）而顯著影響焦點 準確性。例如，可由晶圓厚度不一，晶圓變形或晶圓架上 的/了染物而導致不平坦。由於先前處理步驟所致之結構本 -14 - 594447 質亦頗影響晶圓高度（平细 因大都不屬重要。除文中—另=要f本發明卜不平坦之原 面，，者皆γ M ^ 有要求者外，以下有關“晶圓表 面者自和掩挺影像投影其上之晶圓τ§面。 在位準感測器操作之範例，， 實蝴夫去本工、 ^ +感測器於多點處測量 (7 Λ Ώ ^ . 乂置及晶圓表面之垂直位置 (zLS)，且弟二感測器，例 ^ ,9ji . ^ ^ 如厶干涉器，在各相同點處同 時測I基板台之垂直位 7 —7 7 &、 置（ZlF)。晶圓表面高度由 乙Wafer—ZLS-ZIFi^:足；。載晶圓 > 裳 五、A 1、— ，、基板口酼即轉移至曝光站，而 ^ ^ ^ ^ 、 垂直位置。高度圖則可視為在曝 光匕程中將晶圓定位於正確垂亩 A、、# a、 _ 在查直位置。該根據本發明採用 乂今·‘測為之範例揭示於美國專 ολααα^ 、夫01寻利案罘5，191，200號及公元 2000年3月6日提出之美國聋刹由 、 夭u寻利申凊案第09/519,875，兩案全 邵錄/於此以供本文參考。 如圖2中所示者，對位準感測器測量之誤差存在很多因 素。在所中’在基座（22)上配置—氣足⑽。基座 本身具原有傾斜。且基座不平坦（24)(表面狀態）可隨氣足⑽ 置於基座（22)狀況而造成另增之局部傾斜。氣足經由—组夾鲁 頭制動器（未顯示）轉合至一夾頭。夾頭制動器本身會有些 傾斜（26)，且若制動器經不當制動，會進_步增加其傾斜一。 夾頭（28)本身在表面狀態（3〇)及傾斜方面可能皆不完全平 坦。如果夾頭（28)不十分平坦’則可轉化成晶圓（32)不平-坦。而且’晶圓（32)本身可能不平坦’其可能呈楔形或其他 狀感。一切此等因素可使位準感測器測量之晶圓表面高产 為hm與其貫際南度“ha”不同。甚且其可能測量之傾斜“t ” -15- 與其實際傾斜“V，不同。此等高度及傾斜量度之誤差可使造 像韓射之焦點平面定位於錯誤平面，降低造像裝置之解析 ，。此外’自圖2中可見，若測得之傾斜與基板之實際傾斜 相反’賴施加至夾頭上之任㈣斜取㈣使之惡 非矯正。 圖3a-c簡略顯示兩種處理從屬性之範例。第一種，裸基板 (4〇m居實體高度“h”，而經處理之基板（42)，其在本财為 以光阻層(44)宝覆之基板’亦位居同一高度“h”。理論上血 型之高度測量統應蚊裸基板表面高度與經處理之基板 光阻層表面高度全同。不過，f際上經發現所測得之裸基 板（4〇)的高度“ha”常與所測得處理之基板（42)的高度“hb”不 同(㈣，'，，與“h”少許不同表示測量誤差而非處理從屬 性P且可能處理之基板（42，）的量度“m，，會進—步顯示如圖 3c所示之若干度傾斜，並導致一平均高度“he”，其仍與眘體 高度“h”不同。 、 在圖3a-c中，座標顯示為平坦基板在“χγ”平面中，而“z，， 方向與“XY”平面垂直延伸。以此座標系統，處理從屬性可 利用“Z”方向位移、繞“γ”軸旋轉及繞“X”軸旋轉等三參數而 予以特徵化。此三參數可在基板表面上多處測量，以產生 一組基板整體特徵化之參數。可選定測量點的數量以提供 所望之解析度，且可對應基板上若干照射區。 依據本發明具體實例之方法的範例，就兩機器特徵化之 特殊程序。就每一機器（Ma&Mb)而言，實施參考基板之高 度測量（z〇及根據特徵化程序所處理之基板的高度測量 -16- 594447 (Z2)。此等測量可於基板表面上一系列點（x，y)進行，且可 就每一點（X，y)自Z2減去Zi，計算出一組Δζ(χ，y)。此組對應 於該機器之高度處理從屬的圖像（包括晶圓厚度差，非理想 晶圓）。同樣，一組RX和Ry測量可就各機器而完成。本文雖 說明諸資料組，但亦可於單一點（X，y)而非一系列點進行測 量。此單一點應視為僅具一部份之組。 在一範例中，參考基板可為一裸基板或具有校準塗料之 基板，蓋冀其完全不具處理從屬性。另外，參考基板可屬 以採另一方法（FEM)特徵化之預定方式處理之基板。就此一 處理之參考基板而言，一旦知悉該基板之處理從屬性，則 可如使用另一種參考基板同樣方式使用之。在以下的公式 中使用“未處理” 一辭，不過請注意此等公式應含本文所述 之任有他種參考基板。 一特定位準感測器具有各點尺寸，其在一定裝置中屬可 變者。由於位準感測器資料在若干情形下隨點的尺寸而變 化，本發明的一具體實例在特特徵化之各微影裝置中，採 用具大致相同點尺之位準感測器。在某些情況中，點尺寸 不具大效應，故各微影裝置可具不同位準感測器點尺寸。 根據下式1-3即可了解所收集之資料。

Zreference_Zpr〇cessed—thickneSSpr〇eesseci_ thicknessreference+HPD process+Snoise + Sdrift [式 1 ] RXreference-RXpro cessed— wedgeRxprocessed-wed§eRxreference+TPDRxpr〇cess+

Bnoise+Sdrift [式 2]

Ry reference'Ry processed-W 0dgcRyprocessec[-WCdgcRy reference-^* TP DRy process-^"

Snoise+Sdrift [式3] -17- 594447 式1說明，就一對基板而言，其一為處理過，另一為未處 理’所測得之資料“Z”等於厚度差，加處理過之基板位準感 測器測量的高度處理從屬性，加兩個誤差因子，一因子為 相關偵測器噪音，另一為漂移因子。或2及式3兩者相似並 顯示所測得繞軸旋轉之變化等於處理過基板之楔，減去未 處理基板之楔，加傾斜處理從屬性及噪音與漂移的誤差因 〇 式4，5及6即可用以說明兩機器測量過程的關係： △HPDmi - M2 一(Zreference-Zprocess)M 1 _(Zreference-Zprocess)M2+ ^processed-Ml _Sprocesse(j一M2+Sreference-M2_Sreference-Ml + Sn〇ise—Ml-Sn〇ise_M2 + 8drift—Ml-Sdrift—M2 [式 4] 在式4中，sprQCessed& sreferenee全屬所測得厚度的誤差，且各 具每/一機器（Ml，M2)之值。

△ TPDRXmi -M2—(RXreference-RXprocess)Ml _(RXreference-RXprocess)M2+ SRxprocessed-M 1 _SRxprocessed-M2+SRxreference 一 M2-SRxreference_M 1 + SRxnoise-Ml-SRxnoise—M2+SRxdrift—Ml_SRxdrift-M2 [式 5] ATPDRyMl-M2=(Ryrefe rence"*Ryprocess)M 1 _(Ry reference· Ry pro cess)M2+ SRy processed—Ml ""^Ryprocessed 一M2+SRyreference-M2 _SRy reference一Ml + SRynoise-Ml-SRyn〇ise_M2+SRydrift-Ml-SRydrift-M2 [式 6] 同樣，完成一群機器各別之兩組量度後，可利用式4，5及6 比較任何兩機器。諸資料組經收集並以諸式計算後，其結 果可用以調整裝置之聚焦平面，以使各曝光皆屬或近於最 佳焦點平面。各參考及處理基板之另外資料組可就另外裝 置測量，以便以相同方式將兩個以上裝置特徵化。在將多 -18 - 594447 個裝置特徵化中，第三裝置可鱼 俛而去、， ”罘一或第二裝置比較，哎 與兩者艾組合比較。 在一定狀況下，高度處理從屬性纟 於# I日日 苹乂兩傾斜處理從屬性道 致更大問題。在此情況形下，可接 才 麵本發明具體會例之女、、土 僅測量各測點之高度量度。發明 ^ / ， 已確疋，採用950奈米以 下…光即可進一步降一位準感測器處理從屬性。 機器漂移可實施漂移校準。同樣，亦可 π y ,、、 〜用兩者乏技術，各公式之 祆差（ε)那分可降至很低位準， 量度。眘π ρ u » a 田卜、，巴對獲致處理從屬性之 冰一、 罕，、、、”、、占此矩陣（FEM)提供具更正 崔< T度，同時減少測量所需 一 而又王私時間。在一漂移改正 万法心關中，於各裝置上就各基板實施多次測量， ::::將兩基板輪流實施。可输製結果之資料點以顯示 。此-自經驗所確定之曲線可用以推斷漂移資 ^ 5木些情形下，以適於此曲線之函數計算所預料之 漂移。 η < 另有員考I，可採多個參考基板以提供降低之誤差。 同樣，考量扁妨正、、， 二 里在杈千<珂，可將待測基板以多個不同角度排 歹!J 〇 曰本毛月之特疋具體實例雖皆已說明如上，但請認知本發 月可私所祝明者以外之其他方式實施。說 限制。 】^ 守乂範例方式並參考附圖加以說明，附圖為： -19- 594447 圖1顯示本發明具實例之微影投影裝置； 圖2顯示導致位準感測器誤差之各種因素的簡圖；及 圖3a-c簡略例示處理從屬性。 諸圖中，對應參考符號表示對應元件。 圖式代表符號說明 1 微影投影裝置 EX，IL 輻射系統 PB 投影光束 LA 輻射源 MT 掩模台 MA 掩模 WT 基板台 W 基板 PL 投影系統 C 目標部分 IL 照明器 IN 積分器 CO 電容器 EX 光束擴展器 AM 調整裝置 IF 干涉測量裝置 Μ!，M2 標線調整標 Pi? P2 基板調整標 20 氣足

-20- 594447 22 基座 24 基座不平坦 26 傾斜 28 夾頭 30 外表狀態 32 晶圓 40 裸基板 42 處理之基板 44 光阻層

-21 -

Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍： 。。種方法，用以校準至少兩微影投影裝置之位準感測 以改正機器對機器之位準感測器處理從屬性，此方 法包含： 利用第一微影投影裝置對一參考基板測量第一组校平 資料； 、 一利用第一裝置對一依據選定程序所處理之基板測量第 ％校平資料； 和用第二裝置對該參考基板測量第三組校平資料； 利用第二裝置對該依據選定程序所處理之基板測量第 $級校平資料；以及 重利用第一、第二、第三及第四各組校平資料，計算出 ft應於該所選定程序之機器對機器位準感測器之差之一 2詛位準感測器參數。 U 时 •=申請專利範圍第1項之方法，其中參考基板係一裸基 • 2申請專利範圍第1項之方法，其中參考基板包括一其上 /、有校準光阻之基板。 4· t申請專利㈣第丄項之方法，其中該參考基板係根據預 ，弋艾程序經處理之基板，該方法尚含： 5 將預定程序之機器對機器處理從屬特徵化。 令中凊專利範圍第1項之方法，其尚包括： 利用第三裝置對該參考基板測量出第五組校平資料· =用帛三裝置對依據選定程序而進行另外測量之被處 基板測量第六組校平資料；以及 DV444/ 利用第組和第二組校平資料，及/或第三組和第四組 才又平具料，與第五組和第六組校平資料，以計算出對應 方、所選走私序之機器對機器位準感測器之差之一組位準 感測器參數。 6·如申,專利範圍第1項之方法，其中該測量包括在所測之 基板上夕個點之各點處進行多項測量。 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中該測量尚包括在所測 之基板上各測點處進行多項測量，且其中諸基板乃於測 量間交替測量。 8·如申㈣專利範圍第1項之方法，其中該測量尚包括該基板 於測！中裝載於夾頭上，且在兩測量間重裝載至夾頭上。 9.如申凊專利範圍第1項之方法，其中該測量尚包括利用各 4裝^置之位準感測器，該等位準感測器各具點尺寸，且各 點尺寸皆大致相同。 1〇·—種利用微影投影裝置之裝置製造方法，其包含： 將一圖案化之輻射光束於一具有輻射敏感材料層之基 板的目標區上造像；其特徵在於 在孩项造像之前，提出一組處理從屬性參數以調整造 像’該等參數係由下述決定： 利用第一微影投影裝置測量第一組校平資料以供未 經處理之基板； 萍J用第一裝置測量第二組校平資料，以供依據選定 程序所處理之基板； 、 利用第二裝置測量第三組校平資料以供未經處理之 基板； 利用第二裝置測量第四組校平資料以供經處理之基 板；以及 利用第一、第二、第三及第四各組校平資料，以計 异對應於機器對機器位準感測器之差的一組位準感測器 參數’以供選定的程序。 如申凊專利範圍第10項之方法所製造之裝置。 一種微影投影裝置，其包括： -輕射系統，用以提供輻射之投影光束； 一支承結構，用以支承圖案化裝置，此圖案化裝置用以 將該投影光束依照所望之圖案予以圖案化； -基板台用以握持基板； ，投影系統，用以將圖案化光束投影於基板之目標部分 上； 其特徵在於該裝置尚包括： 利用第一微影投影裝置以對一參考基板測量第一組 校平資料的裝置； 利用第一裝置以對一依據選定程序所處理之基板測 量第二組校平資料的裝置， 利用第二裝置以對該參考基板測量第三組校平資料 的裝置； 利用第二裝置對該依據選定程序所處理之基板測量 第四組校平資料的裝置；以及 利用第一、第二、第三及第四各組校平資料以計算 594447 出對應於該選定程序機器對機器位準感測器之差的一組 位準感測器參數之裝置。