TW594442B - Resist removing method and apparatus - Google Patents

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五 、發明説明（ A7 B7 經满部中决標導局員Η消費告竹社印f 因 圖 領域 本發明係關於-種光阻移除方法、光阻移除裝置以及 =該方法製得之半㈣元件。更特定言之，本發明係有 ^用於底材上光阻之新穎纽料材㈣光轉除方法與 裝置。

iUUtMMJL 光阻移除程序於半導體元件之製造中係—主要的程 序。舉例而言，》不同的半導體元件製造程序，如:姓刻 程序（乾或濕）或-離子植入程序之後，用於作為半導體底 材上光罩的光阻圖案必須被移除。且，若光阻圖案係有偏 差時，則必須將其移除以形成一新的光阻圖案。不同的材 料層如氧化層、銘層、多晶石夕層、金屬石夕化物層或聚 醯亞胺層可能存在於光阻層底下。因此，光阻移除程序的 一重要考量為儘快的將光阻層完全移除，且不侵蝕底下的 層。 一目前廣泛使用之光阻移除劑係包含一鹼性胺，如羥 基胺、二乙醇胺、一元乙醇胺或甲基乙醇胺及一極性溶劑， 如水或乙醇，作為其基本成分。 由於該習知的光阻移除劑無法將聚合物完全移除， 此另需要一預移除步驟來移除聚合物。當施行使用光阻圃 案作為光罩之電漿蝕刻或反應性離子蝕士（RIE)時，聚合 物係一藉由構成光阻之成份，如碳（c)、氫（H)或氧（〇)與 電衆反應所產生之物質。特別是，當一金屬層形成於光阻 圖案底下時，則產生一有機金屬聚合物。若該聚合物或有 本紙張尺度4/种目时鱗{~CNS)A4im ( 210X297^1 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 冬· -4- ^^442

發明説明（ 機金屬聚合物沒有被移除，例如仍存在於一接觸孔或介層 洞中時，則可能導致接觸電阻增大並使半導體元件產生缺 限。因此，在使用光阻移除劑前，必須於預移除步驟期間 在底材上使用一聚合物移除劑，如硝酸溶液。 習知的光阻移除劑可能侵蝕底下的層。一典型易於被 侵餘之底下層為金屬層。此乃由於光阻移除劑主要係由易 於侵蝕金屬層之鹼溶劑或水所組成。因此，於施行一後移 除清洗步驟前，必須先執行一用以防止侵蝕之後移除步 驟。於後移除步驟中，舉例而言，可使用異丙醇（IpA)。 因此，由於硝酸處理步驟（預移除步驟）與IpA處理步 驟(後移除步驟)通常係亦被執行，因而使光阻移除程序變、 得更複雜而延長加工時間，藉而減低生產率。且，由於同_ 時需求預移除物料，如硝酸，與後移除物料，如ιρΑ，以 及光阻移除材料，因而增加了製造成本。此外，由於需要 不同的槽來容納确酸與⑺八，使得光阻移除裝置變得不期 望地龐大。 發明概沭 經满部中戎標準局負_τ消费告作社印¥ ---------衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之一目的在於提供一種光阻移除方法，其實質 上克服由習知技術之限制或缺點所產生之一或更多的問 題。 本發明之另-目的在於提供一種用於‘方法之光阻移 除裝置。 因此，為了獲得本發明之上述目的或其他目的及優 點 &阻移除方法係牵涉到提供-底材及形成一光阻於 經满部中次標準局貝二消費合竹社印f 594442 A7 -___ B7 五、發明説明（3 ) ~ ^ ~--- 該底材上。接著，該底材係與一包含有吨醇燒氧基炫酿 胺之光阻移除劑接觸，以自底材將光阻移除。 W本發明之另一面觀之，該底材係與_包含有一N烷 醇烷氧基烷醯胺與及一侵蝕抑制劑之光阻移除組成物接 觸。可添加一極性物質至該組成物中。 就本發明之另一面觀之，該光阻移除組成物包含有烷 醇醯胺及烧基烧氧基烧酸醋。較佳地，該光阻移除組成物 包含有一侵蝕抑制劑及一極性物質。 就本發明之另一面觀之，係揭露一種用於自一包含有 光阻移除劑來源之底材上移除光阻的裝置，該光阻移除劑 包含有N烧醇院氧基烧醯胺。一供應單元係與該來源流動、 傳遞，藉此供應光阻移除劑。一與該供應單元流動傳遞之· 光阻移除單元係導引該光阻移除劑與置於光阻移除單元中 之底材接觸，藉而自底材將光阻移除。 就本裝置發明之另一面觀之，該來源係一光阻移除組 成物之來源。該組成物可為N烷醇烷氧基烷醯胺及一侵蝕 抑制劑，或可為烷醯胺及烷基烷氧基烷酸酯。一侵蝕抑制 劑，或一極性物質，或兩者皆可添加至供應的組成物中。 本發明之光阻移除方法可藉由一簡易的程序於短時間 内且不侵蝕光阻之底下層而將光阻及聚合物完全移除。而 本發明之裝置可隨之簡易與略小。 1式簡罩說明 第1圖係一流程圖，其中實線表示使用一根據本發明 之光阻移除劑或光阻移除組成物之光阻移除方法，而虛線 丨丨 镰衣！ f«先閱讀背面之注意事項'再填寫本頁〕 、-口 - 本紙張尺度刺巾_家料（CNS ) 公釐j 594442 A7 〜一__!Z_____ 五、發明説明（4 ) 表示除去使用本發明之習知步驟； 第2圖係使用一根據本發明之光阻移除劑或光阻移除 組成^之光阻移除裝置的方塊圖； 第3圖係使用一根據本發明之光阻移除劑或光阻移除 組成物之平面型光阻移除裝置； 第4圖係使用一根據本發明之光阻移除劑或光阻移除 組成物之垂直型光阻移除裝置；及 第5圖係例示說明光阻組成物中成份含量的改變，其 係藉由氣體光譜儀以8小時為間隔而量測48小時。 較佳實施例之說明 其後’將說明一醯胺化合物、光阻移除劑與光阻移除 組成物及其等之製備方法。本發明係有關用以移除使用其 等之光阻移除方法及使用於光阻移除方法中之光阻移除裝 置，此等將會詳細說明。 使用於本發明中之一新穎的醯胺化合物為N烷醇烷氧 基烷醯胺。詳言之，該N烷醇烷氧基烷醯胺係以式（1)表示： R4-0-R3-C0-N-R1R20H ⑴ 經濟部中决標準局貝-I-消費合作社印f. (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 其中，I為一氫原子、ClS(：5之烴基（即一具有1至5碳原 子之非環狀烴基）、或具有丨至3環之芳烴基；R2為一 ^至匕 之烴基或具有丨至3環之芳烴基；而心及心係各自獨立為& 至I之烴基。於較佳實施例中，&為氫，彳心為， R3 為-CH2CH2-，而 R4為·ch3。 使用於本發明中之醯胺化合物包括一與光阻產生親核 反應之經基（-0H)，&一與該經基（_0H)產生親水反應之院

594442 經满部中央標準扃負Η消費告竹社印f Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 氧基（-OR4)。隨後，一具有根據本發明之醢胺化合物的光 阻移除劑係非常有效於移除光阻。因此，根據本發明之一 實施例’ N烧醇烧氧基烧醢胺化合物本身即構成一光阻移 除劑。 於另一實施例中，光阻移除劑組成物係包括N烷醇烷 氧基烧酿胺及一侵蝕抑制劑。且，此光阻移除劑組成物選 擇性地進一步包括一具有偶極距等於或大於3之極性物 舉例而言，於光阻移除組成物中，N烷醇烷氧基烷醯 胺的含量可為佔組成物總重量之5〇至99·9重量百分比（重 量％) ’而侵蝕抑制劑的含量可為〇 〇1至3〇重量❹/〇。於較佳 實施例中’N烷醇烷氧基烷醯胺的含量為7〇至9〇重量％， 而侵蝕抑制劑的含量為7至15重量％。甚者，具有偶極距 等於或大於3之極性物質的含量可為〇·〇丨至3〇重量％，而 較佳為3至20重量％ N烷醇烷氧基烷醯胺係一由上述式表示之化合物。 侵蝕抑制劑係由下式（2)表示： R6-(〇H)n (2) 其中，R6為一 (^至^之烴基、具有一-cooh基之^至匕的 皂基、具有1至3環之芳烴基，或具有丨至3環且於至少一環 中具有一-COOH基之芳烴基。整數11可具丨有一界於及包括 1至4在内之值。於較佳實施例中，&為苯環而侵蝕抑制劑 為鄰苯二紛，其中n為2。此外，三經基苯甲酸係一由式⑺ 表不之廣泛熟知的侵蝕抑制劑，其係可使用於本發明中。 本紙張尺度適用中國國家德橡(CNS ) A ---------- Μ 公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} «衣- 經滴部中决標準局貝_τ·消費告作社印製 594442 A7 __B7__ 五、發明説明（6 ) 對具有偶極距等於或大於3之極性物質，可使用水、 甲醇或二甲基亞颯。具有偶極距等於或大於3之極性物質 對交聯之聚合物及光阻係呈現一高溶解度。易言之，強鍵 結於光阻圖案之内側及曝露的底層表面上之聚合物可藉由 此極性物質而被有效地移除。再者，光阻移除本身係藉由 此極性物質而變得容易。 使用於本發明中之光阻移除組成物的另一實施例包括 烧醇胺，其係一胺化合物，及烷基烷氧基烷酸酯，其係一 酯化合物。且，選擇性地，可進一步包含一侵蝕抑制劑或 一具有偶極距等於或大於3之極性物質或兩者皆包含。 舉例而言’於此實施例中，烷醇胺之含量為光阻移除 組成物之10至70重量％，而烷基烷氧基烷酸酯之含量為1〇 至70重量％。於較佳實施例中，烷醇胺的含量為3〇至4〇重 量％，而烷基烷氧基烷酸酯為30至4〇重量0/〇。 於此實例中，侵蝕抑制劑之含量為光阻移除組成物之 〇·〇1至30重量％。於較佳實施例中，侵蝕抑制劑的含量為 7至15重量％。此外，極性物質之含量為光阻移除組成物 之0.01至30重量/〇。於較佳實施例中，極性物質為3至 重量％。 適合使用於本發明中之>^烷醇胺係由下式（3)表示：

Ri-nh-r2〇h 彳 (3) 其中，Ri為一氫原子、CjC5之烴基、或具有⑴環之芳 基；而心為-cec5之烴基或具有⑴環之芳煙基。於 較佳實施例中，Rl為氫而&為一元乙醇胺，即_CH2CH2_。 本紙張尺度適 ^##..TcNS ) ( 210χ1^ϊ1 ~ ---~— !: 4—, (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί 經满部中决標準局員Η消费合竹社印f A7 ---—__ Β7 五、發明説明（7 ) 適口使用於本發明中之燒基烧氧基烧酸醋係由下式⑷ 表示：

I R4-〇-R3-C〇〇.r5 ⑷ 其中，R3、R4及Rs各自獨立為^至^之烴基之任一者。較 佳的烷基烷氧基烷酸酯為甲基甲氧基丙酸酯，其中心為_ CH2CH2-、R4為-CH3 而 RA-CH3。 現在’根據最新的實施例之組成物的反應機構將被描 述。首先，如下列反應式（5)所示，藉由烷醇胺之親核反 應機構，產生光阻的分離。再者，藉由於烷醇胺中之羥基 的親核反應機構及於烷基烷氧基烷酸酯中之烷氧基的親水 反應機構，產生溶解。再者，侵餘抑制劑有效地防止底層， 特別是一金屬層，被侵蝕。進一步，極性物質，如水，則 使聚合物移除反應增至最大限度。

ΉΟ 為便於說明，描述於反應式（5)之機構係當h為氫時之例 子。 為了完全形成組成物，可將組成物加熱至一於室溫與 約120°c間之溫度。於較佳實施例中，組\成物係被加熱至 一約80C至約90C之溫度。加熱的原因乃在於加速藉由於 反應式（5)中之組成而生成N烧醇烷氧基烷醯胺之反應。另 一可供選擇的是，一反應催化劑，如鉑，可被添加至反應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --T>. -10- 594442 A7 -——____B7__五、發明説明（8 )式（5)中，以促進一較快速的反應。 ，用於本發明中之光阻移除組成物係如下表丨所示 於表1中，較佳組成物之含量係表示於括弧中。 表1 :光阻移除組成物 用於移除 光阻之組 成物 1 N燒醇 烷氧基 烷醯胺 (重量％) 50至 99 9 烷醇胺 (重量％) 烧基 烷氧基 烷酸酯 (重量％) 侵餘抑制 劑 (重量％) 極性物質 (重量％) 2 50至 99.9 (70至90) 〇·〇1 至 30 〇·〇1 至 30 (7 至 15) 0.01 至 30 (3 至 20) D A 10至 70 10至 70 4 10至 70 (30至40) 10至 70 (30至40) 〇·〇1 至 30 D 10至 70 (30至 40) 10至 70 (30至 40) 0.01 至 30 (7 至 15) 0.01 至 30 (3 至 20) 使用於本發明之光阻移除劑與光阻移除組成物具有絕 佳用以移除蝕刻副產物一光阻及聚合物的能力。且，其等 不會知：餘光阻底下的層，如一金屬層。此外，上述材料亦 丨丨丨— ^ 4! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1ΤΊ 經满部中央標準局貝_τ消費合作如印掣 較習知光阻組合物之組份便宜。 N烷醇烷氧基烷醯胺，本發明之醯胺化合物，係根據 本發明之下列方法製備。首先，將以式表示作為一胺 化合物之烷醇胺，與以式（4)表示作為一酯化合物之烷基 烷氧基烷酸酯混合。此烷醇胺與烷基烷氧基烷酸酯的混合 比率為1:1(重量比）。接著，進行胺與酯冬反應以製備以 式（1)表示之N烷醇烷氧基烷醯胺。為了供給足夠用於此反 應之能量，混合物之溫度係維持於室溫至約l2〇〇c之溫度 範圍内。於此方法之較佳實施例中，混合物係被加熱至約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -11- 594442 經满部中央標率局負J:消費合作社印4'J本 A7 B7 五、發明説明（9 ) 80°C至約90°C之溫度範圍。 例示於表1中之光阻移除組成物i或2係藉由將上述方 法製#之N烧醇烧氧基烧醯胺與一侵蝕抑制劑或一極性物 質或兩者以一合適的比例混合而製備。 再者，組成物1或2可根據下列方法製備。首先，將1〇 至70重量％之烧醇胺及10至70重量％之烷基烷氧基烷酸酿 與0至30重量％之侵蝕抑制劑或〇至3〇重量％之極性物質或 兩者相混合。接著，混合物之溫度係維持於室溫至約12〇 °C之溫度範圍内。於此方法之較佳實施例中，混合物係被 加熱至約80 C至約90 C之溫度範圍。反應之期間，亦即反 應時間係約1至約24小時，較佳為約1至約12小時。於加熱 完成後，反應物係單獨置放1至7小時，以使化學反應物穩 定。 因此，獲得一實質上由N烷醇烷氧基烷醯胺與侵蝕抑 制劑或極性物質或兩者所構成之組成物。可能存在少量的 未反應烷醇胺與烷基烷氧基烷酸酯。 反應之完成可由視覺或氣體色層法來確認。於視覺確 認中，觀察組份間之層分離至消失作為反應進行。當觀察 到分離的組份層完全消失時，則假定反應完成。當組成物 使用氣體色層法分析時，N烷醇烷氧基烷醯胺之區域百分 位數超過80%’則表示反應完成。區域百分位數係定義為 關於一組份在氣體色層法光譜中一峰值下之區域，係於所 有組份之所有峰值下被區域之總合劃分，且商數係乘予 100 〇

本紙張尺度適用中國國家標準（C^NS ) A4規格（210X297公釐T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-12- 594442 A7 B7 五 發明説明（ 經滴部中戎標準局負工消贽合竹社印f 於製備組成物3至5中，其等組份係以例示於表1之比 例混合，且接著於室溫至約1201之溫度範圍内反應1至24 小時。丨典型地，此等組成物3至5係在使用於移除光阻前即 首先被形成。然而，若當組成物3至5接觸光阻時，可將溫 度設定於上述溫度範圍内，則可省略上述分離反應步驟。 根據本發明用於移除光阻之方法將參考第1圖中之實 線步驟來描述。注意習知方法於第1圖中係藉實線與虛線 步驟兩者表示。各種用於完成半導體元件之方法，如蝕刻 (乾或溼）法或離子植入法，係使用一光阻圖案作為光罩來 執行。隨後，底材上之光阻圖案形成處係被允許與一列於 表1中之光阻移除劑或組成物接觸，以移除光阻或聚合物 或兩者（步驟110)。此係藉由將光阻移除劑或光阻移除組 成物置於一槽中並接著將底材浸於槽中來達成。選擇 地’光阻移除劑或光阻移除組成物可於底材移動穿過喷 時被喷灑至底材上。 光阻移除劑係被形成，而光阻移除組成物丨與？係被混 σ，且接著可被立刻攜至與底材接觸以於移除步驟中移除 光阻。顯示於表1中之組成物3至5係首先被混合，且接著 亦可被允許立刻接觸底材；然而，於執行移除步驟前， 成物3至5係較佳地給予時間來反應。此反應係於室溫至 120°C的溫度範圍内進行丨至^小時，且甚丨至可於未加熱下 進行。於較佳實關+，組成物A與底材上之光阻接觸 到反應完成後經過一相等的另外時間，如於反應完成後 額外的1至7小時。 性 霧 組 約 直 («先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- )94442 A7 B7 五、 發明説明（11 經濟部中决標準局負Η消費告竹社印製 本發明使用此等組成物之光阻移除方法可於抓或更 低，特別地，於45至7(TC的低溫下執行。接觸時間於約ι〇 至約3b分鐘之範圍内為佳。 選擇性地，當形成於底材上之結構具有一高熱阻時， 未加熱的組成物3至5可被置於一與底材接觸之光阻移除單 元中。Ik後，光阻移除單元之溫度可被調整至於室溫至上 述溫度範圍内之胺與醋可反應的溫度，以形成醯胺。接著， 藉由組成物形成醯胺之反應，與自底材移除光阻之反應係 可同時發生。亦即，於此方法中，於移除步驟前，組成物 3至5之分離反應可被省略。 此光阻移除材料，即光阻移除劑或光阻移除組成物， 可被施用至適合於短波長曝光之光阻，如用於ArF準分子 雷射（193nm)之光阻及用於習知^線（36511111)光源之光阻或 用於KrF準分子雷射（248nm)之光阻。 於光阻完全移除後，仍存在於底材上之光阻移除材料 與溶解的光阻係被沖洗掉（步驟130)。此沖洗步驟係使用 一沖洗用溶液，如去離子水來進行。若有需要，此沖洗步 驟可以兩步驟進行。最後，底材係藉由一使用空氣作為乾 燥劑之旋轉乾燥法或一乾燥法，例如，使用異丙醇作為乾 燥劑，以移除殘留於底材上之去離子水（步驟14〇),而 乾燥。 ' 於乾燥步驟140後，底材係被輸送至隨後的程序。與 光阻罩幕形成於隨後的步驟時’光阻係於該隨後步驟完 成後，經由顯示於第丨圖之該等步驟來移除。半導體元件 被 當 --------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 594442 A7 '^ ______Β7 五、發明説明（12) .~— 係經由此等重複的單元製造方法及光阻移除步驟來完成。 如第i圖所示，由於使用於本發明中之光阻移除材料 具有絶佳用以移除光阻或聚合物的能力，因此，不同㈣ 知技藝，預移除步驟100(虛線）為不需要的。且由於在 光阻底下的層係被防止遭受侵蝕，因此，亦不同於習知技 藝，後移除步驟120(虛線）可被省略。是故，與習知光阻 移除方法相較，根據本發明，光阻係可藉由一較簡易的方 法而被完全移除。職是，半導體元件之生產率得以顯著地 提升。 再者，如上所述，由於光阻移除方法係被簡化，因此， 根據本發明之光阻移除裝置可被製造的較小或較為緊密。 參閱第2圖，根據本發明之光阻移除裝置2〇〇簡易的包 括一光阻移除單元210、一沖洗單元220及一乾燥單元23〇。 亦即，不需要習知的預移除單元與後移除單元。因此，相 較於習知技藝，光阻移除裝置200所佔有之空間可被顯著 地減少。 本發明之光阻移除單元與一使用於本發明方法中之光 阻材料來源係一流動連通。 若光阻移除裝置200使用一浸潰法，單元21〇、22〇及23〇 係各對應於一獨立的槽。因此，不同於習知技藝，一硝酸 (hn〇3)預移除處理槽與一異丙醇（IPA)後移除處理槽為不 需要的，藉而去除該二槽之使用並顯著地減少光阻移除裝 置所佔有之空間。 使用一喷霧法之光阻移除裝置可被區分為水平型及垂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2]〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

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D ΑΊ Β7 五、發明説明（13) 經滴部中央標準局員工消費合竹社印f· 直型。 參閱第3圖，一水平型光阻移除裝置300係使用一水平 載體羌件340，如一傳輸器系統且被劃分為一光阻移除單 凡31〇、-沖洗單元32〇及_乾燥單元33G。—総之來源36〇 係含有N烷醇烷氧基烷醯胺或烷醇胺與烷基烷氧基烷酸 酯。該來源與光阻移除單元31〇為流動連通，如經由一供 應單70 37〇。習知分別用於沖洗用溶液與乾燥劑之來源362 與364係亦包含在内，且亦可經由供應單元37〇而分別與單 兀320及330以流動連通相連接。喷嘴312、322及332係安 裝於此等單元内，以喷灑適於各單元之功能的材料。於操 作中’ ^一底材被裝載於光阻移除單元31〇内時，一本發 明之光阻移除材料係自喷嘴3 12被喷灑出，以移除光阻。 接著’底材係藉由傳輸器系統34〇被連續地向沖洗單元32〇 水平傳輸。一沖洗用溶液係經由喷嘴322於沖洗單元32〇内 被噴灑。最後，底材係藉由傳輸器系統34〇傳輸至乾燥單 疋33〇，以隨後藉由喷嘴332而直接喷灑一乾燥劑，如空氣 或乾燥化學藥品，至底材上來加以乾燥。由於此水平型光 阻移除裝置僅包含三個單元，故裝置之尺寸可明顯地減 少0 參閱第4圖，一垂直型光阻移除裝置400係使用一垂直 可移動的底材載體440。此垂直型裝置亦包含一本發明之 光阻移除材料的來源460及一供應單元470,以供應光阻移 除材料。於較佳實施例中，底材載體440為可旋轉的。 者’於農置之内部係由三個以床結構、相互垂直設置， 再 且 --------#裝-- (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 . 本紙張尺度4用中國國家標準(YNS ) A4規格（210><297公釐 2 44 94 A7 五 經滴部中决標率局員Η消費告作社印製 -----------一 B7 、發明説明（， —- 非為獨立室之區域所構成。亦即，此等單元係由呈垂直關 係之一乾燥區域430、-沖洗區域42〇及一光阻移除區域41〇 所組咸。各別用於沖洗用溶液及-乾燥劑之來源462及464 可亦包含在内，且該等材料可經由供應單元47〇來傳送。 於實施例中，—單—輸送管45G係對此三個單元提供各別 的材料。 舉例而言，當一底材被裝載於底材載體440内時，載 體440係首先移至一區域，該區域係進行光阻移除且經由 供應單元470而自光阻移除來源46〇之光阻移除材料係經由 供應輸送管450被喷灑。於較佳實施例中，光阻移除材料 係經由一排氣輸送管（未示出）排出至外部。當光阻移除步 驟完成時，底材載體440係向下將底材移至沖洗單元42〇。 接者沖洗用》谷液係藉由供應輸送管4 5 0被喷灑至沖洗單 疋420内。最後，底材係隨後藉由底材載體44〇之垂直移動 而被載送至乾燥單元430來加以乾燥。 雖然第4圖僅顯示乾燥單元430、沖洗單元42〇及光阻 移除單元410係自底部至頂部成垂直的設置，此些單元亦 可以相反順序而垂直設置。 由於本發明之垂直型光阻移除裝置僅包含三個單元， 故相較於一習知的垂直型裝置，本發明裝置之尺寸可明顯 地減小。 ' 本發明之進一步詳細内容係於參考下列實施例下被描 述，然，必須暸解的是本發明係非受限於此等特定的實施 例0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -17- 594442 五 經_部中央椁準局員_τ消費告作社印t A7 B7 發明説明（15) 實施例i N乙醇甲氧基丙醯胺之製備 β此實施例中，200ml之作為一烷醇胺的一元乙醇胺 與200ml之作為一酯之甲基甲氧基丙酸酯係被混合。隨 後，此混合物係於90下加熱5小時。於加熱後，此反應 物係被置於室溫下5小時。 此最終所得之材料係藉由一氣體色譜法來分析，以確 認是否獲得N乙醇甲氧基丙醯胺產物。此外，產物係藉由 質子核磁共振CH-NMR)光譜來分析，以獲得組分之相對 量（以ppm計）。產物之NMR結果如下：6.8ppm(lH)、 3.7ppm(3H) ' 3.5ppm(3H)及約 2.8ppm(lH)。

實施例II N，N-第三丁基乙醇甲氧基丙醯胺之製備 於此實施例中，200ml之作為一烧醇胺的N，N-第三丁 基乙醇胺與200ml之作為一酯之曱基曱氧基丙酸酯係被混 合。隨後，此混合物係於90°C下加熱5小時。於加熱後， 此反應物係被置於室溫下5小時。 此最終所得之材料係藉由一氣體色譜法來分析，以確 認是否獲得N，N-第三丁基乙醇甲氧基丙醯胺產物。

實施例III 於N乙醇甲氧基丙醯胺之製備冲 評估一合適的溫度 於此實施例中，200ml之作為一烷醇胺的一元乙醇胺 與200ml之作為一酯之甲基曱氧基丙酸酯係被混合。隨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •18- 394442 - 丨丨丨 丨一―五、發明説明（I6、 後，為了確認適合此胺與醋反應之溫度，把Sum之不同溫度T被合成，並測量完全合成 需夺間。&成完成之時間係藉由時間消逝直到氣體色 譜法分析到醯胺之區域％超過8〇%時而決定。 反應溫度（°c) 25 35 45 55 反應時間（小時） 55 24 30 度與時間 ：----— .

—80 90 4 3 經消部中决標準局員.T消費合作社印f 田上面的結果可瞭解到反應無法於室溫下產生，且反 應係於較高溫度下較快產生。然而，考慮其他加工條件時 反應溫度以不超過12(TC為佳。因此，製備根據本發明之 醯胺化合物的溫度係期望於室溫至約12(rc間。於方法之 較佳實施例中，反應溫度係於約8〇〇c至約9〇〇c之範圍内。 實施例IV 光阻移除組成物之製備及 對其移除光阻之評估 7個光阻移除組成物係以不同含量之一元 甲基甲氧基丙酸酯（MMP)、鄰苯二酚及水 組成物係於80。(：下加熱5小時。之後，此 最終所得之材料係置於室溫下6小時，以完成組成物。 於表3所示 乙醇胺（MEA)， 來製備。隨後 表3:數種組成物之光阻移除性能 項目 MEA(ml) MMP(ml) 鄰苯二酚(g) 水(ml) 觀察結果 1 50 350 60 ιορ 〇 2 100 300 60 100 〇 3 150 250 60 100 Θ 4 200 200 60 100 Θ 5 250 150 60 100 —◎ 6 300 100 60 100 〇 (詞先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 594442 A7 B7 五、發明説明（17 ) 經滴部中央標準局貝Η消贽合作社印f [ —(〇：良好、◎··較佳、Θ :最佳） 硃使用上述光阻移除組成物而被移除之光阻係以下列 於各別7個底材片上之方法來製備。首先，硼磷酸矽酸鹽 玻璃（BPSG)層係形成一 5000A之厚度。接著，一鈦層及: 氮化鈦層係各形成一 200A之厚度，並被加熱。之後，一 鋁層沈積一 6000A之厚度，並隨後被流動。一作為一加蓋 層之氮化鈦層係形成於鋁層上，且隨後一層壓介電層係形 成一 10000A之厚度。接著，一光阻係塗覆於該層壓介電 層上，並執行被衫，以形成一介定一介層洞之光阻圖案。 此光阻圖案係被燒固且接著使用此光阻圖案作為一光罩， 藉一緩衝氧化蝕刻劑來蝕刻層壓介電層，以形成一曝露該 崔呂層之介層孔。 於形成該介層孔後’此7層底材係被含浸於各別包含 列示於表3中之7個組成物的7個槽中。此等槽中之溫度係 維持於60°C。於浸沒20分鐘後，此等底材係以水沖洗5分 鐘而後乾燥，且接著使用一掃瞄電子顯微法（SEM)來檢測 此等底材。此等底材基於SEM的觀察結果，係被分為良好 較佳、最佳三個等級，且這些等級係使用不同的符號來 示於表3中。底材之狀態係藉由殘餘聚合物及殘餘光阻 相對量來顯示。此良好的狀態係類似於熟習此技藝之人士 所熟知之使用一習知光阻移除組成物之狀態。此較佳的狀 態係與習知狀態比較，獲得改良者；而此最佳狀態係與 知狀態比較，獲得顯著地改良者。 350 50 60 100 S§ 之 習 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20· 594442 A7 _—_—__B7 —__ 五、發明説明（18)

實施例V 合適執行時間之評估 爲了確認合適的執行時間，使用表3中項目為4之組成 物，而光阻係以列示於表4中不同的執行時間來移除。其 他的執行條件則同於實施例IV。一鋁層及一石夕層之光阻 移除狀態及侵餘狀態係使用SEM來觀察。表4中所呈現移 除狀態之符號係同於表3。於表4中，一 “ X，，之符號係表 示底層未受侵蚀。 由表4之結果可發現一用於移除光阻之合適的反應時 間為10至30分鐘。 表4:不同時間之光阻移除性能

項目 MEA (ml) MMP (ml) 鄰苯二酚 (g) 水 (ml) 時間 (分鐘） 光阻移除能力 之觀察結果 (Al、Si)是 否有侵蝕 1 200 200 60 100 10 Θ "X — 2 200 200 60 100 15 ◎ X 3 200 200 60 100 20 ◎ X ~ 4 200 200 60 100 25 ◎ X 5 200 200 60 100 30 ◎ X (◎:較佳、Θ:最佳）

實施例VI 經滴部中决標绎局員η消贽告作社印f (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 合適執行溫度之評估 為了確認合適的執行溫度，使用表3中項目為4之組成 物，而光阻係以列示於表5中不同的執行溫度來移除。其 他的執行條件則同於實施例IV。一鋁層及一矽層之光阻 移除狀態及侵蝕狀態係使用SEM來觀察。相同的，一 “X” 之符就係表示底層未顯示受侵餘之效應。而一圓圈則表示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 594442 A7 五、發明説明（19) —~ 底層顯示受侵餘之效應。 由表5之結果可發現一用於移除光阻之合適的反應溫 度為-約45°C至約70°C之較低的溫度範圍内，此乃由於在 該範圍内底層未受可辨視之侵蝕。 表5:不同溫度之光阻移除性能 項目 MEA (ml) 200 MMP (ml) 200 鄰苯二酚 (g) 6〇-- 水 (ml) Too 溫度 (°C) 45 光阻移除能力 之觀察結果 ® -- (ATTsi)^ 否有侵蝕 X-- L 200 200 60 100 50 X — X 3 4 200 200 200 200 60 100 55 @ ' 60 100 60 ◎ X-- 200 200 60 100 65 ©~~~'~ X - 〇 200 200 60 100 70 X --

實施例VII 光阻移除能力之比較 於此實施例中，介層孔係使用同於實施例4之方法所 形成之光阻圖案來形成，光阻係以列示於表3中項目4之組 成物來移除，執行時間為2〇分鐘，而反應溫度為。最 終所得之材料係使用SEM來觀察，而觀察結果係顯示於第 3圖中。 經滴部中决掠準局員工消贽合作社印繁 於一比較實施例中，光阻係使用一習知光阻移除組成 物，以其他相同於上述實施例中之條件來移除，且接著最 終所得之材料係使用SEM來觀察。觀察結果係顯示於第4 圖中。 卜 當比較顯示第3及4圖中的SEM圖時，可發現當使用根 據本發月之光阻移除組成物時，光阻係可被完全的移除， 而當使用習知光阻組成物時，光阻則仍部分殘留。且，雖 本紙張尺 --—-——-_ -22- 594442 五 _I___ 經消部中央標準局員二消贽含竹社印f. Α7 Β7 發明説明（20) 然於本發明中底下的鋁層未受侵蝕，然而使用習知光阻移 除組成物之實施例中，鋁層則有部分受到侵蝕。

1 實施例VIII 光阻移除組成物之組份的消耗 於光阻移除期間，顯示於表3中項目為4之光阻移除組 成物之組份的量係藉由氣體色譜法以8小時間隔作分析。 分析結果係顯示於第5圖中，其中，為醯胺之區域％， △為一元乙醇胺之區域％，而□為甲基甲氧基丙酸酯之區 域％。由表5之結果可見醯胺之區域％為一約80%之常數， 甚至於48小時後。且，一元乙醇胺之區域％為一 3.4%之常 數。甲基甲氧基丙酸醋之區域％於24小時内自0.9減少至 〇·5，直到於40小時後，則幾乎變為〇。 咸認為本發明之組成物的主要活性組份為醯胺，醯胺 之含量甚至於48小時後仍少有改變，顯示本發明之組成物 於反應中不會快速消耗而可長時間使用。此顯示與習知光 阻移除組成物必須每隔24小時加以置換不同，本發明之組 成物明顯可提高生產率及減少製造花費。 本發明之醯胺化合物具有絕佳用以移除一光阻之能 力。因此，本發明具有此醯胺化合物之光阻移除劑或光阻 移除組成物係具有一絕佳用以移除一光阻之能力且可有效 地移除合物及有機金屬聚合物。且，光阻彳底下之層不會受 到侵钱。因此，當使用本發明之光阻移除劑或光阻移除組 成物時，不必執行一用以移除聚合物之預移除步驟及一用 以防止底下之層受侵蝕的後移除步驟。是故，光阻移除步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T' · -23- °^442 A7 ____________B7 _ 五、發明説明（21) ~ 驟可被簡化而程序時間亦可縮短。且，用於移除光阻所需 之酿度了。又疋至一較低溫度。再者，光阻移除裝置可被簡 化且放得更緊密。 熟此技藝之人士將瞭解到本發明之各種修飾及變化可 在不偏離本發明之精神或範圍下實現。因此，本發明及其 之修飾及變化係意圖包含於所附申請專利範圍及其相當之 範圍内。 元件標號對照·· 1!1. 4! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經滴部中次標準局員_!.消費告竹社印f 200 光阻移除裝置 400 垂直型光阻移除裝置 210 光阻移除單元 410 光阻移除區域 220 沖洗單元 420 沖洗區域 230 乾燥單元 430 乾综區域 300 水平型光阻移除裝置 440 垂直可移動底材載體 310 光阻移除單元 450 單一輸送管 312、 322、332 喷嘴 460 光阻移除來源 320 沖洗單元 462 沖洗用溶液來源 330 乾燥單元 464 乾燥劑來源 340 水平載體元件(傳輸器系統） 470 供應單元 360 光阻材料來源 362 習知沖洗用溶液來源 364 習知乾燥劑來源 370 供應單元 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） -24-

Claims (1)

1. 594442 第 117417號專利 ^ ^ Λ. J Τ.明案申凊專利範圍修正本 曰 1· 修正曰期：92年7月25 一種光阻移除方法，其包含： 提供一底材； 於該底材上形成一光阻；及 使該底材與一包含Ν燒醇院氧基燒醯胺之光阻移 除劑相接觸，以自該底材移除該光阻， 其中，於該接觸期間，該Ν烧醇烧氧基烧酿 胺係具有通式（1): 0) R4-0-R3-CO-N-H0H 其中： Ri為氫、一c丨至Q之烴基、或一具有 至3環之芳烴基； R2為一 Cl至C5之烴基或具有1至3 # 之芳烴基；及 $ r3及r4係各自獨立為_c]至 I R如:Γ專利範圍第1項之方法’其中，於該接觸期I R2 為-CH2CH2-， R3 為-CH2CH2_，及 R4 為-CH3。 3·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含· 沖洗該底材，及 乾燥乾底材。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210X297公楚)— -25- 申請專利範圍 4·如申凊專利範圍第！項之方法，其中該接觸係於— 价至耽範圍内之溫度下進行。 、在 5·如申請專利範圍第1頊夕古、土 ^ ^ 員之方法，其中該接觸係進行— 又10分鐘至30分鐘範圍内之時間。 6· 一種光阻移除方法，其包含； 提供一底材； 於該底材上形成一光阻；及 裝 使4底材與一包含N烧醇烧氧基烧醯胺及一侵餘 抑制劑之光轉除組絲相躺，以自該純移除該光 阻， 訂 其中，於該接觸期間，該N烷醇烷氧基烷醯胺係 具有通式（1): RrO-RyCO-N-R^OH (!) 其中： Ri為氣 C!至c5之烴基、或一具有1至 線* 環之芳烴基； R2為一 Ci至c5之烴基或一具有1至3環之 芳烴基；及 R3及R4係各自獨立為一 Cl至C5之烴基； "亥侵钱抑制劑係一具有通式（2)之化合物： R“〇H)n (2) 其中： R6為一（^至c5之烴基、一具有一-COOH基 之Ci至c5的烴基、一具有1至3環之芳烴基， -26 - 或一具有1至3環及—_c〇〇H基之芳烴基， 及 η為1至4之整數；且 曰該Ν院醇絲錢醯胺係佔該組成物之％至㈣ 重量百分比之範圍，及 曰該侵#抑制劑係佔該光阻移除組成物之讀至％ 重量百分比之範圍。 如：請專利範圍第6項之方法’其進一步包含於該接 疋成則冑-具有-偶極距不小於3之極性物質混合 於該光阻移除組成物中。 " 如申請專利範圍第7項之方法，其中，於該混合期間， 该極性物質係佔該光阻移除組成物之讀至3〇重量百 分比之範圍。 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包含： 沖洗該底材；及 乾燥乾底材。 如申請專利範圍第6項之方法，其中該接觸係於 C至70°c範圍内之溫度下進行。 如申請專利範圍第6項之方法，其中該接觸係進行— 段在10分鐘至30分鐘範圍内之時間。 一種光阻移除方法，其包含： 提供一底材； 於該底材上形成一光阻，·及 使該底材與-包含燒醇胺及炫基貌氧基貌酸 AS B3 C8 D8

   、申請專利範圍 光阻移除組成物接觸，以自該底材移除該光阻， ---Ί —J—-------弟 VI — (請先閱讀背面之注意事項hi寫本頁) 其中’於該接觸期間，該烷醇胺係以具有通式（3): Ri-NH-R2〇H (3) 其中： Ri為氫、一（^至（：5之烴基、或一具有1至3 環之芳烴基，及 R2為一 Ci至C5之烴基或一具有1至3環之 芳烴基； 该院基烧氧基烧酸酯係具有通式（4): R4_〇-R3-COO_R5 (4) 其中R3、R4及Rs係各自獨立為一 Cl至C5之 烴基；且 該烷醇胺係佔該組成物之10至7〇曹晉百分比之範 圍，及 该烧基烧氧基烧酸酯係佔該組成物之1 〇至重量 百分比之範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中，於該接觸期間： Ri為氯’及 R2 為-CH2CH2-。 14·如申請專利範圍第12項之方法，其中，於該接觸期間： R3 為-CH2CH2-， R4 為-CH3，及 R5 為-CH3。 15.如申請專利範圍第12項之方法，其進一步包含於該接 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

   、申請專利範圍 觸^成^，將一侵蝕抑制劑混合於該光阻移除組成物 中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 ·如申請專利範圍帛i 5項之方法，其中，於該混合期間， X k I虫抑制劑係一具有通式（2)之化合物： 〜(〇Η)η ⑺其中： I為一 ^至C5之烴基、一具有一 -C〇〇H基之 至的烴基、一具有1至3環之芳烴基，或一具有1 至3環及一 _C〇〇H基之芳烴基，及 n為1至4之整數。 17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，於該混合期間， 該侵蝕抑制劑係佔該光阻移除組成物之0 01至3〇重 量百分比之範圍。 18. 如申—請^利範㈣12項之方法，其進_步包含於該接 觸完成前，將-具有-偶極距不小於3之極性物質混 合於該光阻移除組成物中。 、 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，於該混合期間， 該極性物質係佔該光阻移除組成物之〇 〇1至％重 百分比之範圍。 20·如申請專利範圍第12項之方法，其中該接觸係於— 溫至12(TC範圍内之溫度下進行。 21·如申請專利範圍第12項之方法，其中該接觸係進行— #又在10分鐘至3 0分鐘範圍内之時間。 A如申請專利範圍帛12項之方法，其進一#包含於該接 量 室

   本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 ---r:--·1-------------t--------- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ： A8B8C8D8 、申請專利範圍 觸刖’於-室溫至Ι’οχ：範圍内之溫度下，加埶嗲光 阻移除組成物I ^ 〜 23.如甲請專利範圍第22項之方法，其中該接觸係於一 45 C異70 C範圍内之溫度下進行。 24·如申請專利範圍第匕項之方法，其進一步包含: 沖洗該赛材;及 . 乾餘該底材。 25· 一種光阻移除方法，其包含 ^ 提供一底栝; 於該底材上形成一光阻；及 使該底材與一光阻移除祖成物接觸，以自該底材移 除該光阻，該光阻移除組成物包含 佔该組成物之1 〇至7 〇重量百分比範圍内之院 醇胺， 佔該組成物之10至70重量百分比範爾 基烷氧基烷酸酯， . 'X 一佔該組成物之0.01至30重量百分比範圍内 之接蝕抑制劑，及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一具有一偶極距不小於3，且佔該組成物之Q.01 至30重量百分比範圍内之極性物質^ ^ 其中，於該接觸斯間，該统醇胺係以具有通式(3): R1-NH-R2OH (3) ^ t · 3 R〖為氫、一 c〗至c5之烴基、或一具有1至 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 申請專利範圍 環之芳烴基，及 =2為-c丨至c5之烴基或一具有…環戈 芳烴基； 忒烷基烷氧基烷酸酯係具有通式（4) ·· r4-〇-R3-coo_r5 ., (4) 、R3、R4及R5係各自獨立為一 Cl至C5之 烴基；且 該侵餘抑_係—具㈣式⑺之化合物： R-_n ⑺ 其中： R6為C1至c5之烴基、一具有一-C〇〇H基 之Q至C5的烴基、一具有丨至3環之芳烴基， 或一具有1至3環及一-CO〇H基之芳烴基， 及 η為1至4之整數。 申明專利範圍第25項之方法，其進一步包含於該接 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 觸前，於一室溫至12(TC範圍内之溫度下，加熱該光 阻移除組成物， 其中該接觸係於一 45°C至70°C範圍内之溫度下 進行。 27·如申請專利範圍第25項之方法，其中該接觸係於—室 溫至120°C範圍内之溫度下進行。 28·如申請專利範圍第26項之方法，其中該接觸係進行一 段在10分鐘至3 0分鐘範圍内之時間。 本紙張尺度適用中$國家標麥（CNS)A4規格（210 X 297公r3TT~---- 594442 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 2 9 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中該接觸係 段在10分鐘至30分鐘範圍内之時間 、 一種用於自一底材移除光阻之裝置，其包含· -光阻移除劑之來源’該光阻移除劑包含 烷氧基烷醯胺； &醇 一與該來源呈流動連通之供應單元，經此，誃、> 移除劑係被供應；及 /光阻 -與該供應單元呈流動連通之光阻移除單元， 以導引該光阻移除劑與置於該光阻移除單元内 : 材接觸，藉而自該底材移除該光阻， 底 /中，於該接觸期間，該μ醇燒氧基燒醯 胺係具有通式（1): R4-0-R3-C0-N-RJR20H (1) 其中： Rl為氫、一 Cl至CS之烴基、或 至3環之芳烴基； 』t R2為一 <^至C5之烴基或具有1 之芳烴基；及 R3及R4係各自獨立為一 C Μ主C5之故基。 31. —種用於自一底材移除光阻之裝置，其包人· -光阻移除組成物之來源，該級移除^成物包含 N烧醇烧氧基烧驗胺及一侵餘抑制劑； 一與該來源呈流動連通之供應單元，經此，該光阻 移除組成物係被供應；及 進行一 30 具有1 至3環 594442 AS B3 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 一與該供應單^流動連通之光阻移 以導引該光阻歸組成物與置於該光阻移除單元= 底材接觸，猎而自該底材移除該光阻， 其中，於該接觸期間，該N烧醇烧氧基院酿胺係 具有通式（1): R4~〇-R3-C〇-N-R1R2〇h 〇) 其中： Rl為氫、一 Cl至C5之烴基、或一具有i至3 環之芳烴基； R2為一（^至cs之烴基或一具有i至3環 芳烴基；及 R3及R4係各自獨立為一 Ci至C5之烴基； 該侵蝕抑制劑係一具有通式（2)之化合物： R6-(0H)n (2) 其中： R6為一 Cl至C5之煙基、一具有一 -COOH ^ ; 之Ci至C5的烴基、一具有1至3環之芳烴基 或一具有1至3環及一 -COOH基之芳烴基 及 η為1至4之整數；且 該Ν烷醇烷氧基烷醯胺係佔該組成物之50至 重量百分比之範圍，及 該侵蝕抑制劑係佔該光阻移除組成物之〇.〇 1至30 重量百分比之範圍。 之 基 99.9 (請先閱讀背面之注意事項HI寫本頁) 累：- --够 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 594442 A3 B8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 32. —種用於自一底材移除光阻之裝置，其包含· -光阻移除組成物之來源，該光阻移除組成物包含 烧醇胺及烧基烧氧基烧酸酉旨； 一與該來源呈流動連通之供庫置； 哎應早兀，經此，該光阻 移除組成物係被供應；及 -與該供應單元呈流動連通之光阻移除單元，其用 以導引該光阻移除組成物與置於該光阻移除單元内之 一底材接觸，藉而自該底材移除該光阻， 其中，於該接觸期間，該烷醇胺係以具有通式（3) ·· Ri-NH-R2OH W / 其中： ^為氮、一（^至C5之烴基、或一具有1至3 環之芳烴基，及 R2為一 C!至C5之煙基或一具有i至3環之 芳烴基； 該烷基烷氧基烷酸酯係具有通式（4): R4-〇-R3-COO-R5 (4) 其中R3、R4及Rs係各自獨立為一 Ci至C5之 烴基；且 該烧醇胺係佔該組成物之1 〇至7〇重量百分比之範圍，及 該烧基烧氧基烧酸酯係佔該組成物之丨〇至7〇重量 百分比之範圍。 33· —種用於自一底材移除光阻之裝置，其包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34- ---1 —-------裝 Ί — (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ;絲. 594442 8.8829 ABCD 六、申請專利範圍 · 一先阻移除組成物之來源，其包含 佔該組成物之10至70重量百分比範圍内之院 醇胺， 佔該組成物之10至70重量百分比範圍内之烷 基院氧基院酸酯， 一佔該組成物之0.01至30重量百分比範圍内 之侵蝕抑制劑，及 一具有一偶極距不小於3，且佔該組成物之 0.01至30重量百分比範圍内之極性物質 一與讀來源呈流動連通之供應單元，經此，該光阻 . .. . . 1 .. . ' .... .'； .. . .: ... . .. . . 移除組戍物係被供應;及 一與該供應單元呈流動連通之光阻移除單元，其用 以導引該光阻移徐組成物與置於該光阻移除單元内之 一底材接觸，藉而f該底材移除該光阻 其中’於該接觸期間，該烧醇胺係以具有通式(3): 其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ri為氫、一 c)至c5之烴基、或一具有^^^^1^ 環之芳烴基，及 R2 ^ - 〇! X Cy^M I m ^ 芳烴基;； 該烷基烷氧基烷酸酯係具有通式⑷: R4-〇"R3-CO〇.R5 "、 (4) 594442 (2) Λ ί § A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 烴基；且 該侵蝕抑制劑係一具有通式（2)之化合物 ΙΜ〇Η)η 其中： 及6為一 Ci至C5之烴基、一具有一-COOH基 之（^至匸5的烴基、一具有1至3環之芳烴基， 或一具有1至3環及一-COOH基之芳烴基， 及 η為1至4之整數。 34·如申請專利範圍第3〇、31、32及33項中任一項之裝 置，其進一步包含： 一沖洗用溶液之來源； 一連接至該光阻移除單元且與該沖洗用溶液之來 源呈流動連通之沖洗單元，以於該光阻移除後，以該沖 洗用溶液沖洗一置於該沖洗單元内之底材； 一乾燥劑之來源；及 一連接至該沖洗單元且與該乾燥劑之來源呈流動 連通之乾燥f元，以使用該乾燥劑乾燥仍殘餘在置於該 乾燥單元内之一底材上的沖洗用溶液。 35·如申請專利範圍第34項之裝置，其中·· 该光阻移除單元包含一移除槽； 該沖洗單元包含一不同於該移除槽之沖洗槽；及 忒乾燥單元包含一不同於該移除槽與該沖洗槽兩 者之乾燥槽。

   -56- 六 申清專利範圍 6.如申請專利範圍第3 裝 1 .^ 貝您威置其進一步包含一連接 鈐阻移除單元、該沖洗單元及該乾燥單元之整體載 二’以自該光阻移除單元水平地載送該底材經由該沖洗 早兀至該乾燥單元，其中： ^ ^ 1¾ ^ & ^ ^ ^ ^ ^ # ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ __ ^ ^ ii it ^ - % - ^ ^, n ^^ ^ ^ ^ ^ 組成物中之一者噴灑至該底材上， 貪 。、該沖洗單元進一步包含一經由該供應單元而與該 洗甩溶液噴灑至該底材上，及 it m ^ ^ w ^ 喷灑至談底材上。 37·如申請專利範圍第34項之裝置^ Μ 於該光阻移除單元彳、該沖洗單元及該乾躁單元間；及 一供應输送管，其係經由該供應單元而與該沖洗用 溶液之來源、該乾燥劑之來源及一光阻移除材料之來源 呈流動連通，以連續地向該底材喷灑該光阻移除材料、 該沖洗用溶液及談乾燥劑。 其中該光阻移除單元、該沖洗單元及該乾燥單元係 呈相亙垂直的設置。 其冲讓光阻移除材料係該光阻移除劑及該光阻移 除組成物中之一者。 -37. 本紙張尺度適用中國國家標攀(CNS)A4規格（210 X 297公釐）