TW582018B - Driving method of display device - Google Patents

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582018 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明領域 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 再f I裝 頁 本發明係關於可驅動各像素具有數位記憶體且使用於 攜帶電話或電子手冊之高畫質、低消耗電力的顯示裝置之 驅動方法。 關連技術 近年，液體顯示裝置活用其輕量、薄型、低消耗電力 之優點，以攜帶電話或電子手冊等小型資訊終端機之顯示 器被加以使用。如此小型資訊終端機，一般卻由電池所驅 動’致低消耗電力化成爲重要之課題。 訂 尤其在攜帶電話，被要求在待接時間中能以低消耗電 力顯示，可實現其所需之技術，則有如日本特開2001 -264814號公報所揭露之液晶顯示裝置。該液體顯示裝置 乃各像素具有數位記憶體，在待接時（以下稱靜態畫像顯 示時），僅使交流驅動液晶所需之交流驅動電路動作，將 其他周邊驅動電路之動作予以停止，而圖求大幅度之消耗 電力減低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述公報所開示之液晶顯示裝置，爲靜態晝像顯示時 促使液晶交流驅動，在數位記憶體側具有兩個開關元件。 且，將該兩個開關元件藉各自獨立之兩個記憶體控制信號 予以每幀交錯導通，俾使數位記憶體之輸出/反轉輸出（ 雙態輸出）交錯施加於像素電極，對應該週期使對向電極 反轉。藉此，對向電極之電位與像素電極之電位呈同相之 像素，其液晶層並不需要電壓，又對向電極與像素電極呈 -5- 本护國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 582018 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明説明（2 ) 反相之像素，其液晶層卻需要電壓。藉反覆如此動作，即 能將液晶予以交流驅動。 然，爲傳達上述記憶體控制信號所需之記憶體控制信 號線，由於存在有配線電阻或配線容量，致有記憶體控制 信號之波形在上升邊緣時間及下降邊緣時間發生延遲之情 形。藉此種延遲，如兩個開關元件同時導通時，數位記憶 體之輸出/反轉輸出即同時施加於像素電極，致無法向液 晶層施加正常之寫入電壓，而有時在靜態畫像顯示時呈顯 示不良。 發明之槪述 本發明之特徵，係在將多數掃描線及多數信號線以矩 陣狀配置時之各格子，具有：含像素電極、藉供給上述掃 描線之掃描信號促使上述信號線及上述像素電極間導通而 將供給上述信號線之影像資料寫入於上述像素電極的像素 開關元件、將寫入於上述像素電極之雙態影像資料予以保 持並能以輸出/反轉輸出雙方予以取出之數位記憶體、控 制上述像素電極及上述數位記憶體間之導通且爲取出上述 數位記憶體所保持上述雙態影像資料所需之兩個記憶體開 關元件、將分別導通/關閉控制上述兩個記憶體開關元件 所需之兩個記憶體控制信號加以傳達之記憶體控制信號線 的陣列基板，與含對向於所有上述像素電極予以配置之對 向電極的對向基板，與保持於上述陣列基板及上述對向基 板間之顯示層的顯示裝置驅動方法，於通常顯示期間，將 (請先閲讀背面之注意事項 寫本頁) 裝· 訂 中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 582018 A 7 B7 五、發明説明（3 ) 上述兩個記憶體開關元件均予以關閉促使上述像素電極及 上述數位記憶體間呈非導通，藉使上述像素開關元件所定 週期導通將供給上述信號線之影像資料寫入於上述像素電 極而進行顯示，於靜態畫像顯示期間，將上述像素開關元 件關閉促使上述信號線及上述像素電極間呈非導通，藉上 述兩個記憶體控制信號促使上述兩個記憶體開關元件避免 導通期間重複地以所定週期予以交錯導通，將上述數位記 憶體所保持雙態影像資料以輸出/反轉輸出交錯取出寫入 於上述像素電極以進行顯示。 圖示之簡單說明 圖1爲顯示一實施形態有關之動態矩陣型液晶顯示裝 置電路構成的電路圖。 圖2爲圖1液晶顯示裝置之槪略剖面圖。 圖3爲顯示圖1液晶顯示裝置之顯示像素構成的電路 圖。 圖4爲顯示圖3顯示像素之槪略構成平面圖。 圖5爲顯示圖1液晶顯示裝置之動作的信號波形時序 圖。 圖6爲顯示圖1液晶顯示裝置之製造方法的槪略剖面 圖。 符號說明 10 :顯示像素 11 :信號線 12 ··掃描線 13 :像素電 产勢中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） --^---^----批衣-- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 、π 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7- 582018 A7 B7 五、發明説明（4 ) 極 1 4 :像素開關元件 1 5 :對向電極 1 6 :液晶層 1 7 :數位記憶體開關電路（DM開關電路）1 8 :數位記憶 體 19 :記憶體控制信號線 19a :記憶體控制信號線 19b :記憶體控制信號線 21 :開關元件 22 :開關元件 23 :反相器電路 24 :反相器電路 25 :開關元件 27 :輸出端子 28 :反轉輸出端子 50 :透明絕緣基板 51 :非晶質硅U - Si)薄膜 52 :雷射光 53 :多晶硅膜 54 :活性層 54a :漏極領域 54b :源極領域 55 :閘 絕緣膜 56 :閘電極 57 :第一層間絕緣膜 58 :漏電 極 59 :源電極 60 :低電容率絕緣膜（第二層間絕緣膜) 61 : A1膜 100 :液晶顯示裝置 101陣列基板 102 :對向基板 103 :密封材料 110 :顯示像素部 120 :掃描線驅動電路 121 :移位寄存器 130 :信號線 驅動電路 131 :移位寄存器 132 :類比開關（ASW) 133 :視頻總線 實施形態詳述 以下’就將本發明有關顯示裝置驅動方法適用於具數 位記憶體之動態矩陣型液晶顯示裝置驅動方法時的實施形 態加以說明。又’在本實施形態，係將進行通常顯示之中 間色調顯示或動態晝像顯示所需影像資料稱作動態畫像資 料°又’將進行靜態晝像顯示之黑色顯示或白色顯示所需 之雙態影像資料稱作靜態晝像資料。又，將上述動態畫像 資料及靜態畫像資料總稱爲影像資料。 (請先閱讀背面之注意事項^填寫本頁) 裝· 寫木 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 582018 A7 B7 五、發明説明（5 ) 如圖1之電路圖所示，液晶顯示裝置100乃由形成有 多數顯示像素10之顯示像素部110、掃描線驅動電路120 及信號線驅動電路1 3 0所構成。 掃描線驅動電路120及信號線驅動電路130卻與後述 之信號線11、掃描線1 2及像素電極1 3 —體被形成於圖2 剖面圖所示之陣列基板1 0 1上。惟，掃描線驅動電路1 20 及信號線驅動電路1 30亦可配置於未圖示之外部驅動基板 上。 在顯示像素部110，陣列基板101上則以矩陣狀配置 有多數條信號線11及與其交叉之多數條掃描線1 2，且在 該矩陣之各格子形成顯示像素10。 顯示像素10係由像素電極13、像素開關元件14、對 向電極15、液晶層16、數位記憶體開關電路（以下稱爲 DM開關電路）17及數位記憶體18所構成。 在顯示像素10，像素開關元件14之源極與信號線11 、閘門與掃描線i 2、漏極與像素電極1 3乃分別相接。又 像素電極1 3介DM開關電路1 7與數位記憶體1 8相接， 而該DM開關電路1 7之閘門與記憶體控制信號線1 9、源 極與像素電極丨3、漏極與數位記憶體1 8亦分別相接。 又，像素電極1 3亦以電氣性並聯與未圖示之補助容 量相接。又，記憶體控制信號線19雖如後述以19a，19b 配置兩條，但爲容易說明在圖1以一條記憶體控制信號線 1 9予以圖示。 如圖2所示，各像素電極1 3則被形成於陣列基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- ΠΠ1 (請先閱讀背面之注意事項 填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 582018 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（6 ) 101上，而與所有像素電極13相對之共用的對向電極15 卻被形成於對向基板1 02上。對向電極1 5即由未圖示外 部驅動基板上所配置之控制1C賦予所定對向電位。又， 像素電極1 3與對向電極1 5間以顯示層保持有液晶曾1 6 ，陣列基板101及對向基板102周圍卻由密封材料103予 以封住。又，圖2省略定向膜或偏光板等之圖示。 掃描線驅動電路120係由移位寄存器121及未圖示之 緩衝電路等所構成，依據未圖示外部驅動電路以控制信號 供應之Y時鐘信號（垂直時鐘信號）、Y起始信號（垂直起始 信號），對各掃描線1 2每一水平掃描期間予以輸出掃描信 號。藉該掃描信號掃描線1 2即呈導通電平，而該掃描線 1 2所連接之全部像素開關元件14皆呈導通狀態。 掃描線驅動電路1 20在通常之中間色調顯示或動態畫 像顯示時（以下稱作通常顯示時），對掃描線1 2供應掃描 信號依序促使呈導通電平，於靜態畫像顯示時，促使全部 掃描線1 2呈關閉電平。又，掃描線驅動電路1 20對應顯 示期間，將記憶體控制信號供給記憶體控制信號線1 9 ’ 以控制DM開關電路17之導通/關閉。本實施形態於通 常顯示時，促使記憶體控制信號線1 9呈關閉電平’於靜 態畫像顯示時，促使記憶體控制信號線1 9呈導通/關閉 電平。又，自未圖示外部驅動電路不介由掃描線驅動電路 120，而直接將記憶體控制信號供給記憶體控制信號線19 亦可。 信號線驅動電路1 30乃由移位寄存器1 3 1、類比開關（ (請先閱讀背面之注意事項 ^填寫本頁) •裝·

、1T 線 @^1^^中國國家標準（匚奶）八4規格（210/297公釐） -10- 582018 A7 B7 五、發明説明（7 ) 以下稱作ASW) 132等所構成，且自未圖示控制1C以控制 信號供應X時鐘信號（水平時鐘信號）、X起始信號（水平起 始信號）同時，自上述控制1C透過視頻總線1 33予以供應 影像資料。信號線驅動電路1 30卻依據X時鐘/ X起始信 號，藉由移位寄存器131向ASW132供應導通·關閉信號 ，而將視頻總線133所供應影像資料取樣於信號線。 在此，簡單說明實行通常顯示時之動作。由掃描線驅 動電路1 20輸出掃描信號，促使各掃描線1 2依序每一水 平掃描期間呈導通電平時，呈導通電平之掃描線1 2所連 接之全部像素開關元件14皆呈導通狀態。與其同步將動 態畫像資料取樣於信號線11時，所取樣動態畫像資料則 透過像素開關元件14被寫入於像素電極13。該動態畫像 資料即以寫入電壓被充電於像素電極13與對向電極15( 及未圖示補助容量）之間，對應該寫入電壓之大小由液晶 層16進行應答以控制自各顯示像素10之透光量。且藉將 如此寫入動作在一幀期間內1對所有掃描線1 2加以實施 ，而可完成一晝面分之影像。 其次，利用圖3之電路圖及圖4之平面圖以說明本實 施形態之顯示像素1 0電路構成。 DM開關電路17由兩個開關元件21，22所構成，並 被插入於數位記憶體1 8之輸出端子27及反轉輸出端子 28與像素電極13之間。在DM開關電路17，開關元件21 之閘門連接於記憶體控制信號線19a，開關元件21之閘 門連接於記憶體控制信號線19b。且，自掃描線驅動電路 (^#^^|摩^0用中國國家標準（〇奶）八4規格（21〇\ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項 ^填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 582018 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 _B7_五、發明説明（8 ) 120對記憶體控制信號線19a , 19b供應記憶體控制信號’ 而可獨立控制各開關元件21，22。 在靜態畫像顯示期間，記憶體控制信號線19a，19b 以每一幀可交錯呈導通期間地被供應記憶體控制信號。此 時’避免開關元件21, 22之各導通期間重複’乃將兩記 憶體控制信號之導通期間脈衝寬幅設定爲比關閉期間脈衝 寬幅狹窄。具體是，使導通期間脈衝寬幅比關閉期間脈衝 寬幅，至少狹窄記憶體控制信號線19a，19b之時間常數 所致上升時間及下降時間分地，將該脈衝之上升域與下降 域加以切斷。 數位記憶體1 8由兩個反相器電路23 , 24與開關元件 25所構成。其中，開關元件25與像素開關元件14爲通 道反向之開關元件，該等像素開關元件14、開關元件25 卻由CMOS電晶體（互補金氧半導體）予以構成。又，開關 元件25之閘門則連接於與像素開關元件14之閘門相同的 掃描線1 2，藉所供給之掃描信號，而同時控制像素開關 元件14、開關元件25之導通/關閉。但’像素開關元件 14與開關元件25之導通/關閉卻處於反轉關係。即，像 素開關元件14呈導通時，開關元件25呈關閉，像素開關 元件14呈關閉時，開關元件25呈導通。 反相器電路23，24之正極側與負極側’係分別連接 於未圖示之正電源配線與負電源配線，且由未圖示之電源 電路予以供應High電源電壓與Low電源電壓。在後述之 靜態畫像寫入幀，自數位記憶體1 8之輸出端子27所輸入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "01471 I (請先閱讀背面之注意事項 1?%寫本頁) 裝· 訂 線 582018 A7 B7 五、發明説明（9 ) 靜態晝像資料如是對應黑色顯示之寫入電壓時’例如，反 相器電路23之輸出側則保持High電源電壓，反相器電路 24之輸出側卻保持Low電源電壓。又’所輸入靜態畫像 資料如是對應白色顯示之寫入電壓時’例如’反相器電路 23之輸出側則保持Low電源電壓’反相器電路24之輸出 側卻保持High電源電壓。 接著，利用圖5所示之信號波形時序圖予以說明如上 述構成之液晶顯示裝置1〇〇的動作。 在通常顯示期間，使記憶體控制信號線19a，19b皆 呈關閉電平，將上述兩個記憶體元件均予以關閉，促使像 素電極1 3與數位記憶體1 8之間呈非導通。且使像素開關 元件14所定週期導通將信號線11供應之影像資料寫入於 像素電極1 3以進行顯示。即，在該期間，藉向掃描線驅 動電路1 20供應Y時鐘信號、Y起始信號，及向信號線驅 動電路130供應X時鐘信號、X起始信號，而進行全彩色 之中間色調/動態畫像顯示。又，圖中之1 Η期間爲一水 平掃描期間，同步於該每1 Η期間所輸出X起始信號， 卻自掃描線驅動電路1 20輸出掃描信號。 另，自通常顯示切換爲靜態畫像顯示時，且在由通常 顯示移至靜態晝像顯示之最後一幀（靜態晝像寫入幀），使 記憶體控制信號線19a呈導通電平，使記憶體控制信號線 19b呈關閉電平。而，在像素開關元件14由於掃描信號 致呈導通狀態之間，將靜態畫像資料取樣於信號線11， 透過像素開關元件14及開關元件21將其寫入於數位記憶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) •裝.

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 582018 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7_五、發明説明（10 ) 體18。 對於數位記憶體1 8寫入靜態畫像資料後，使像素開 關元件14呈關閉，使開關元件25呈導通。藉此，反相器 電路23，24即被環形連接。如先前說明，反相器電路23 ，24之各輸出側所保持High電源電壓、Low電源電壓， 乃被保持於該環形電路中。 在繼續之靜態晝像顯示期間，將像素開關元件1 4予 以關閉，促使信號線11與像素電極1 3間成非導通。如使 記憶體控制信號線1 9a呈關閉電平，使記憶體控制信號線 19b呈導通電平時，數位記憶體18所保持靜態畫像資料 ，即透過輸出端子27自呈導通狀態之開關元件25被予以 取出，更透過DM開關電路17之開關元件21被寫入於像 素電極13。在該靜態畫像顯示期間，自未圖示之控制1C 向掃描線驅動電路120及信號線驅動電路130之控制信號 或影像資料供應卻被予以停止。 在靜態畫像顯示期間，寫入於像素電極1 3之靜態畫 像資料，如短時間雖可保持該狀態，惟如長時間保持時由 於直流成分會致使液晶層1 6劣化，故在靜態畫像顯示期 間亦需加以交流驅動。本實施形態在靜態畫像顯示期間， 藉以一幀週期使記憶體控制信號線19a及記憶體控制信號 線19b交錯呈導通電平，俾使開關元件21，22交錯導通 ，將數位記憶體1 8所保持靜態畫像資料以輸出/反轉輸 出交錯取出寫入於像素電極1 3而進行顯示。又，對應該 週期促使對向電極1 5之電位反轉可實現交流驅動。 (請先閲讀背面之注意事寫本頁) -裝. 、11 中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 582018 A7 B7 五、發明説明（11 ) 即，藉使開關元件21，22交錯導通，像素電極13之 電位以交錯被輸出High電源電位/ Low電源電位，與其 同步使對向電極15之電位移動於High電源/ Low電源間 ，致在與對向電極15極性相同之顯示像素10對於液晶層 1 6不予電壓，在反極性之顯示像素1 0對於液晶層1 6付 予電壓，因此能進行黑或白之雙態顯示。 如先前說明，對記憶體控制信號線19a、記憶體控制 信號線19b供應之記憶體控制信號，爲避免開關元件21、 開關元件2 2之各自導通期間互相重複，係將兩個記憶體 控制信號之導通期間脈衝寬幅設定爲比關閉期間脈衝寬幅 狹窄。在圖5之例，即促使供給記憶體控制信號線19b之 記憶體控制信號的導通期間脈衝寬幅比供給記憶體控制信 號線1 9a之記憶體控制信號的關閉期間脈衝寬幅爲狹窄地 ，將其上升域與下降域予以切斷相當於記憶體控制信號線 1 9 b之時間常數所致上升時間及下降時間的時間分（圖中a 、b) 〇 又，促使供給記憶體控制信號線19a之記憶體控制信 號的導通期間脈衝寬幅比供給記憶體控制信號線19b之記 憶體控制信號的關閉期間脈衝寬幅爲狹窄亦可。或將兩個 記憶體控制信號之導通期間脈衝寬幅設定爲比各自之關閉 期間脈衝寬幅爲狹窄亦可。即’將任一方記憶體控制信號 之導通期間脈衝寬幅設定爲較狹小’兩個控制信號之導通 期間脈衝寬幅則呈比關閉期間脈衝寬幅爲狹窄，而可避免 各記憶體控制信號之導通期間重複。又’對向電極1 5之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 001474 7 ^ 衣-- (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 582018 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 電位雖以一幀週期反轉，惟僅在與記憶體控制信號之導通 期間脈衝寬幅相同期間向對向電極1 5施加電壓較佳。 自靜態畫像顯示切換爲通常顯示時，乃經過靜態晝像 最終幀再使兩記憶體控制信號線19a，1 9b皆呈關閉電平 ，且向掃描線驅動電路120及信號線驅動電路130分別供 應X / Y時鐘信號、起始信號及動態畫像資料。又，所謂 靜態畫像最終幀，卻是自靜態畫像顯示移至通常顯不時所 設定之準備期間，在該期間雖恢復掃描線驅動電路120及 信號線驅動電路1 30之驅動，然並不進行寫入影像資料。 因此，依據如上述驅動方法，在靜態畫像顯示期間之 每一幀切換，記憶體控制信號之上升時間與下降時間雖發 生延遲，自數位記憶體1 8取出靜態畫像資料之兩開關元 件2 1、22的各自導通期間則不會重複，且開關元件2 1、 開關元件22不會同時導通。藉此，數位記憶體1 8之輸出 /反轉輸出不致被同時施加於像素電極1 3，能經常將正 常寫入電壓施加於液晶層1 6。結果，在靜態畫像顯示時 亦能獲得優異之顯示品格。 又，靜態畫像顯示期間，由於在顯示像素部110進行 動作，僅爲以低頻率驅動之記憶體控制信號線19與對向 電極1 5而已，故在靜態畫像顯示期間，，能以低消耗電 力進行多色顯示。 又，將像素電極1 3設成以金屬薄膜所構成光反射型 像素電極時，由於不需背照光，致比使用背照光之透光型 構成，更加能以低消耗電力加以驅動。按，對於對角5cm (請先閲讀背面之注意事項-^填寫本頁) -事項用填寫太 -5-t»

X 〇〇^^7^適用中國國家標準（<：奶）八4規格（210\297公釐 -16- 582018 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΑΊ ____Β7五、發明説明（13 ) 、25萬像素之液晶面板以幀頻率60Hz進行靜態畫像顯示 結果，可使消耗電力呈5 m W。 繼之，利用圖6說明本實施形態所示液晶顯示裝置 100之製造方法。 在圖6，點線右側領域爲顯示像素部丨1 〇，左側領域 爲驅動電路部（掃描線驅動電路120、信號線驅動電路130) 。以下，依照圖6 A〜6F之順序進行說明。 圖6A :在玻璃等透明絕緣基板50上，藉電漿CVD 法予以堆積50nm厚之非晶質硅（a — Si)薄膜51，藉未圖示 XeCl激元雷射裝置對該非晶質硅薄膜51進行退火而加以 多晶化。在此，自XeCl激元雷射裝置之雷射光52卻沿圖 中箭頭方向掃描，該雷射光52照射領域被結晶化成爲多 晶硅膜53。此時，藉階段性地提高雷射照射能量以進行 多次照射，乃能有效地拔除非晶質硅薄膜中之氫，而防止 結晶化時之擦傷。又，照射能量設爲200〜500 mj / cm2。 圖6B :將多晶硅膜53利用光刻法予以圖案形成，而 形成薄膜電晶體之活性層54。 圖6C :由電漿CVD法形成硅氧化模之閘絕緣膜55 後，以噴塗法成膜鉬-鎢合金層，再予以圖案形成，則可 形成閘電極56。又，在該圖案形成時同時予以形成掃描 線。以閘絕緣膜55，其他尙可使用氮化硅膜或常壓CVD 法所成之桂氧化模。 在閘電極5 6形成後，使用閘電極5 6爲掩模，以離子 摻雜法將雜質注入活性層54，而形成薄膜電晶體之漏極 (請先閱讀背面之注意事項^填寫本頁) 項 裝· 訂 中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 582018 A7 ___B7 五、發明説明（14 )

領域54a、源極領域54b。以雜質，N— ch電晶體可使用磷 ’ P - ch電晶體可使用硼。像素部之電晶體卻爲抑制關閉 時之泄漏電流，使用LDD (Lightly Doped Drain)構造較爲有效。此時，對活性 層54注入雜質後再圖案形成閘電極56，促使所定量細碎 後，復進行低濃度雜質之注入。 圖6D :在形成有閘電極56之閘絕緣膜55上，藉電 漿CVD法或常壓CVD法予以形成硅氧化模之第一層間絕 緣膜57。 圖6E :在第一層間絕緣膜57及閘絕緣膜55形成通 達漏極領域54a、源極領域54b之接觸孔，由噴塗法在該 接觸孔形成A1膜，且加以圖案形成以形成漏電極58、源 電極59。此時，信號線亦同時形成。 圖6F :在形成有漏電極58、源電極59之層間絕緣膜 57上形成低電容率絕緣膜（第二層間絕緣膜）60。以低電容 率絕緣膜60，係可使用電漿CVD法製作之氮化硅膜，或 硅氧化模、有機絕緣膜等低電容率絕緣膜。且，在低電容 率絕緣膜60形成通達源電極59之接觸孔，而在該接觸孔 形成A1膜6 1，並藉圖案形成以形成像素電極。 藉以上方法，能在透明絕緣基板50上一體形成顯示 像素部11 0與驅動電路部。將如此形成之陣列基板1 〇 1與 形成有對向電極1 5之對向基板予以對向配置，將其周圍 由環氧樹脂所成密封材料103加以密閉，復藉將液晶組成 物注入於其內部並封住，而可完成液晶顯示裝置（參照圖 用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項 寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18- 582018 A7 _ B7 五、發明説明（15 ) 2卜 又，多晶硅（p — Si)TFT之電子移動度比起a— Si TFT 高兩位數，致可縮小TFT尺寸，連周邊驅動電路亦能一 體形成於透明絕緣基板50上。以周邊電路，爲圖高速化 、低消耗電力予以設成CMOS構造較宜。因此，在圖6C 之雜質摻雜工程，即使用保護掩模分爲P型雜質摻雜工程 及N型雜質摻雜工程之兩次進行。 (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) -裝. 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用中國國家標準（) A4規格（210X297公釐） ·巧-

Claims (1)

1. 582018 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種顯示裝置的驅動方法，係在將多數掃描線及 多數信號線以矩陣狀配置時之各格子，具有：含像素電極 、藉供給上述掃描線之掃描信號促使上述信號線及上述像 素電極間導通而將供給上述信號線之影像資料寫入於上述 像素電極的像素開關元件、將寫入於上述像素電極之雙態 影像資料予以保持並能以輸出/反轉輸出雙方予以取出之 數位記憶體、控制上述像素電極及上述數位記憶體間之導 通且爲取出上述數位記憶體所保持上述雙態影像資料所需 之兩個記憶體開關元件、將分別導通/關閉控制上述兩個 記憶體開關元件所需之兩個記憶體控制信號加以傳達之記 憶體控制信號線的陣列基板，與 含有對向於所有上述像素電極予以配置之對向電極的 對向基板，與 保持於上述陣列基板及上述對向基板間之顯示層，其 特徵爲： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在通常顯示期間，將上述兩個記憶體開關元件均予以 關閉促使上述像素電極及上述數位記憶體間呈非導通，藉 使±述像素開關元件所定週期導通將供給上述信號線之影 像資料寫入於上述像素電極而進行顯示， 於靜態畫像顯示期間，將上述像素開關元件關閉促使 ±述信號線及上述像素電極間呈非導通，藉上述兩個記憶 體控制信號促使上述兩個記憶體開關元件避免導通期間重 複地以所定週期予以交錯導通，將上述數位記憶體所保持 雙態、影像資料以輸出/反轉輸出交錯取出並寫入於上述像 (CNS ) A4規格（210X297公釐） 20 - 582018 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍2 素電極而進行顯示。 2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置的驅動方法， 其中，一方記憶體控制信號之導通期間脈衝寬幅係比另一 方記憶體控制信號之關閉期間脈衝寬幅爲狹窄。 3. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置的驅動方法， 其中，上述導通期間脈衝寬幅係比上述關閉期間脈衝寬幅 ，至少狹窄上述記憶體控制信號線之時間常數的上升時間 及下降時間分。 4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置的驅動方法， 其中，係配合上述兩個記憶體開關元件以所定週期交錯導 通之週期來使上述對向電極之電位反轉。 5. 如申請專利範圍第4項之顯示裝置的驅動方法， 其中，係僅在與上述記憶體控制信號的導通期間之脈衝寬 幅相同的期間對上述對向電極施加電壓。 6. 如申請專利範圍第1〜5項的其中任一項所記載之 顯示裝置的驅動方法，其中，上述數位記憶體所保持的雙 態影像資料爲對應於黑色顯示或白色顯示之寫入電壓。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 〇廢《|續^多用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）