TW575538B - Temperature controlled in situ wax purification - Google Patents

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575538 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 _五、發明説明（彳） 發明範圍 本發明係關於一種稠漿烴類合成方法，其中原位將雜 質從含烴類合成反應粗鱲產品之烴類稠漿液體去除，更確 定地說，本發明係關於獨立地控制溫度使雜質從外處理區 的粗蠟去除。 發明背景 使用Fischer-Tropsch作業之烴類合成（H C S )方法是 熟知且揭示在此項技藝，在Fischei-Tropscli作業中，從例如 天然氣製成的合成氣體（C 0 + Η 2 )經由觸媒例如釕、鐵 或鈷觸媒轉化成多種產物包括氣體及液體烴類及氧化物及 通常是固體的高鏈烷烴鱲，通常，Fischer-Tropsch鱲經由將 其轉化成落在石油及中等蒸餾物沸騰範圍之間的低沸點鏈 烷烴而升級，此處理主要包括氫化，例如氫氣處理、氫異 構化及氫裂解，但是因爲新市場持續擴大，增加對高品質 鱲之需求，對於高品質Fischer-Tropsch鱲之改變及成長用途 包括例如食物容器、蠟紙、塗覆材料、電絕緣器、蠟燭、 鱲筆、標示及化妝品等，管理單位例如美國F D A及歐盟 S C F設定嚴格的純度要求，尤其是如果此鱲是用於食物 及藥劑應用。 Fischer-Tropsch蠘有許多需要的性質，其有高鏈烷含量 且實質上不含見於石油蠟之硫、氮及芳族雜質，但是，未 經處理的粗F i s c h e 1· - T1· 〇 p s c h鱲可含少但是明顯量在H C S反 應之稠漿中作爲副產物形成之鏈烷烴及氧化物（例如長鏈 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -4- 575538 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明説明（2 ) 一級醇類、酸類及酯類），因此，需要進一步處理粗 Fischer-Tropsch蠟以去除這些雜質，此額外處理是耗時及昂 貴作業之一部份，因爲Fisc her-Tropsch蠟通常進行氫氣處理 以便達到高純度，這些純化測量通常在與發生烴類合成的 反應器隔離之另一個反應器進行，從烴類合成作業生產純 化Fischer-Tropsch蠟的一種更有效且直接的方法提供此純化 方法原位在反應器位置進行，揭示在與本文同時提出之審 理中的美國專利申請案Docket 34906且倂於本文供參考，但 是，雖然典型Fisc her· Trops cli反應器主體之溫度合適在此發 生烴類合成反應，多種其他反應包括蠟純化，最適宜發生 在其他溫度，據此，如果溫度可以獨立控制用於原位與烴 類合成反應同時進行之選擇性反應將是一項進步。 操作Fischer-Tropsch作業之較佳模式是稠漿型作業，其 可在例如移動床系統或稠漿反應器中進行，此稠漿包含稠 漿液體及最後分離的觸媒，其中觸媒粒子是懸浮在液體烴 類且C 0 /氫氣混合物強迫通過觸媒/烴類稠漿使得C〇 /氫氣與觸媒之間有良好的接觸以引發及維持烴類合成作 業。 稠漿型作業超越固定床作業之優點是在反應過程中的 Fisch^-Tropsch作業產生的放熱有較佳的控制且經由施行循 環、回收及恢復步驟維持觸媒活性有較佳的控制，稠漿作 業可在批次或連續循環下進行，且在連續循環中，整個稠 漿可在系統中循環使得可較佳控制主要產物在反應區之駐 留時間。 ---------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -5- 575538 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 稠漿反應器係熟知用於進行高放熱、三相稠漿型 Fischer-Tropsch反應，其中進行此三項稠漿型烴類合成作業 之反應器有時候稱爲”氣泡管柱”，例如揭示在美國專利 5 ，348，982號，氣泡管柱反應器通常有多個管子 懸浮在殼型罩框內，管內塡入熱傳輸介質例如水，其可吸 收經由發生在罩框主體內管子殼邊的放熱反應產生之熱， 在此三相烴類合成（H C S )作業中，含Η 2及C〇混合物 之合成氣體（syngas)作爲第三相以氣泡向上通過反應器內 的稠漿其中該稠漿含液體烴類及含合適的Fischer-Tropsch型 烴類合成觸媒之分散的固體粒子，觸媒粒子通常保持分散 且經由合成氣體以氣泡向上通過稠漿之提升作用及經由水 力方式而懸浮在液體，通常稠漿液體是反應之產物，通常 是C 5 - C i 0 0烴類，較宜稠漿液體主要含高沸點鏈烷烴（ Fischer-Tropsch鱲）。 發明槪述 本發明係關於一種在合成反應區外部之處理區中，在 稠漿型烴類合成（H C S )作業中原位純化粗蠟產物之方 法，其中在外部處理區之反應溫度是與合成反應區之溫度 獨立地控制，此方法包括使含Η 2及C〇混合物之合成氣體 與含固體粒子烴類合成觸媒及烴類液體之合成稠漿在合成 區接觸，合成區之反應情形包括可有效形成煙類之第一個 反應溫度，其至少一部份在該反應情形是液體，在本發明 方法中，合成稠漿排出反應器並通入主稠漿體外部之處理 I---------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ

本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（2】0X297公釐） -6 - 575538 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 區，處理器體通入處理區並與合成稠漿接觸到至少部份去 除其中的雜質，因而形成經處理的稠漿，處理氣體也可視 需要在處理區中作爲提升氣體，在處理區之反應情形包括 第二個反應溫度，其係與在烴類合成區之第一個反應溫度 獨立地控制，經處理的稠漿與蠟收取裝置接觸其中至少一 部份精純化的液體烴類蠟從經處理的稠漿分離，經處理的 稠漿隨後可通入回到合成區後抽取，在一個較佳具體實施 例中，在抽取純化的蠟產物前使經純化的稠漿通過氣體解 離及去除裝置而將其中在處理區產生之廢氣去除。 附圖之簡要說明 圖1是配備外部提升管含可用於實施本發明方法的處 理區之稠漿型烴類合成反應器特定具體實施例之截面圖。 符號說明 10稠漿型HCS反應器 1 2圓柱形不鏽鋼容器 1 8合成稠漿 52烴類合成（HCS)區 1 4氣體進料管線 1 6氣體產物管線 1 5氣體空間 2 2盤. 1 9烴類液體產物抽取裝置 本紙張尺度適用Π國家標準（CNS—) A4規格（ 210X297公釐） ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575538 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 2 1管線 2 4氣體向下排放裝置 2 8實質上垂直的中空導管 2 6氣體排放杯狀物 2 7導管閥 6 2熱交換機 3 0橫向部位 3 4中空提升管 3 8處理區 6 4纜線加熱器 3 6管線 4 0上開口 4 2氣體排放及分離裝置 4 4外側容器 4 9經處理的稠漿 4 8氣體管線 5 4管線 50中空回收導管 6 6蠘抽取裝置 7 0半透牆 6 8管狀膜 7 2環狀空間 7 3熱交換機 8 4鱲產物管線 . -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -8- 575538 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 8 2關閉閥 發明之詳細說明 本發明係關於一種在合成反應區外部之處理區中，在 稠漿型烴類合成（H C S )作業中原位純化粗鱲產物之方 法，其中在外部處理區之反應溫度是與烴類合成區之溫度 獨立地控制，處理區是在合成區之外部且可以是例如中空 提升管或在Fischer-Tropsch反應器之合成區中與合成稠漿混 合之內部流體中的導管，外部處理區可以獨立地控制處理 區之溫度，處理器體注射至處理區後在此與從反應器之合 成稠漿混合且至少去除部份雜質例如污染鱲之鏈烷烴、一 級及二級醇、酸、酯或其混合物，處理氣體也可視需要作 爲提升氣體，較佳的具體實施例包括一個外部提升管且在 合成區、外部處理區、廢氣解離及分離裝置之間達到稠漿 循環且由於提升管中排氣之提升作用及重力之結果而回到 合成區，在下述較佳的具體實施例中，沒有使用或不需要 稠漿泵。 圖1說明一個本發明特定具體實施例之截面圖，稠漿 型HC S反應器1 〇在烴類合成（HC S)區5 2包括含 合成稠漿1 8之圓柱形不鏽鋼容器1 2，氣體進料管線 1 4將合成氣體（syngas)進料至反應器底部，反應器1 〇 在頂部也包括一個氣體產物管線1 6供去除收集在氣體空 間15之？丨$(：11^-1^(^$(：11型1'10 8反應之氣體產物及未經反 應之合成氣體，合成稠漿1 8包括烴類液體其中分散及懸 —————if- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575538 A7 B7 五、發明説明（7 ) 浮粒狀H C S觸媒，稠漿液體含H C S反應產物其在在稠 漿反應情形是液體，較宜是Fischer-Tropsch蠟及少量一級及 二級醇、酸、酯、鏈烷烴或其混合物，以小圓圈表示之氣 體氣泡包括上升的合成氣體及HCS反應之氣體產物，其 中含明顯量之蒸汽或水蒸汽，合成氣體經由位在盤子2 2 表面之適當氣體分配裝置以氣泡向上通入合成稠漿18之 底部。 烴類液體產物抽取裝置1 9例如過濾器是位在合成區 5 2內用於經由管線2 1從反應器抽取液體烴類產物也就 是粗？丨8(：]161\1^(^8(：11鱲，氣體排放管2 4包括一個實質上垂 直、中空的導管2 8，在其頂部有一個垂直擴大且向上開 口之氣體排放杯狀物2 6，用於在合成反應區排放從稠漿 之氣體氣泡，導管28配備一個導管閥27，導管28在 離開反應器處配備一個熱交換機6 2且隨後側面彎曲經過 橫向部位3 0其變成向上進入中空提升管3 4，其內部 3 8是處理區。 據此，合成稠漿1 8經由導管2 8離開反應器且通過 熱交換機6 2，其在此具體實施例中是設計用於冷卻稠漿 使低於反應器溫度後輸送經過橫向部位3 0並向上進入提 升管34內部之處理區38，在此具體實施例中，提升管 3 8及橫向部位3 0是包覆在纜線加熱器6 4內，加熱器 6 4及熱交換機6 2之結合是設計用於加熱/冷卻排出的 合成稠漿使高或低於合成區溫度，含氫氣的處理氣體經由 管線3 6通入提升管3 4靠近其底部之內部3 8，在此與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210;<297公釐） II——.——^-10------、w------Ψ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 575538 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 稠漿液體中的雜質例如鏈烷烴及氧化物（一級及二級醇、 酸、酯或其混合物）接觸，至少部份將其去除並形成處理 的稠漿及反應廢氣，注射進入處理區之處理器體含氫氣， 其可含其他氣體例如氮氣、c〇2、 H2〇、 CH4、 c2— c 4烴類，視需要從管線2 1之烴類合成產物（也就是未經 處理的Fischer-Tropsch鱲）可經由管線3 2回收，使其進入 提升管3 4之內部處理區3 8進行處理。 在此具體實施例中，處理氣體也作爲提升氣體，將處 理的稠漿向上、通過並排出上開口 4 0且進入含外側容器 4 4之氣體解離及分離裝置4 2，在氣體解離裝置4 2中 ，鱲處理反應期間產生的廢氣是從經處理的稠漿4 9分離 且經由管線4 8去除，視需要全部或部份的廢氣在經處理 以去除氧化物及其他雜質例如氮氣後可經由管線5 4回收 進入處理區，以避免再度污染經處理的蠟。 在此具體實施例中，從其中去除廢氣後之經處理的稠 漿4 9落下進入側邊容器4 4之底部且由此流經中空回收 導管5 0且回到反應器1 0之合成區5 2並在此與合成稠 漿1 8混合，蠟抽取裝置6 6包括具有半透牆7 0之回收 導管5 0且環繞較大直徑管狀膜6 8並在其間形成環狀空 間72，回收導管50也可配備熱交換機73，半透牆 7 0使純化的蠟過濾物而不是觸媒粒子通過進入環狀空間 7 2，因此從經處理的稠漿抽取純化的蠟過濾物通過稠漿 回收導管5 0之內部，純化的蠟過濾物可經由蠟產物管線 8 4原位從環狀空間7 2收集，關閉閥8 2使反應器1 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----；-----------、訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 575538 A7 __B7 五、發明説明（9 ) 在必要時與外部裝置隔離，例如用於隔離保養及修護，氣 體排放裝置4 2視需要可配備蠟抽取裝置，例如過濾器（ 沒有顯示），用於從經處理的稠漿抽取純化的蠟。 在本發明方法中，鱲之純化程度可經由獨立地控制與 相鄰烴類合成區之溫度無關之處理區之溫度而調整，在許 多情形中，此包括在高於相鄰反應器之溫度下進行蠘處理 ，根據美國專利5 ’ 2 8 8 ’ 6 7 3號之揭示，提升管之 溫度控制可經由一或多種增加或降低純化區之稠漿駐留時 間、利用排放反應之放熱本質、絕熱排放管、加入熱或冷 卻介質至此區域內、預先加熱排放氣體等而達成， ’ 6 7 3號專利說明排放區之溫度必須足夠高使去除任何 包含及溶解的C ◦且足夠低使最小化甲烷形成及蠟氫解， 這些說明也適用於本發明。 爲了達到最佳化的鱲純化，控制處理區之處理溫度在 從約1 9 3 — 2 3 2 °C之範圍，較宜約2 1 0 °C至2 3 2 °C，較低的溫度有效的情形是其中蠘含少量雜質及觸媒減 活化物質例如當合成反應區之溫度相當低，需要較高溫度 之情形是當鱲含較多的雜質，例如當合成反應區之溫度相 當高，本發明方法之另一個優點是當循環稠漿中的觸媒粒 子與作爲從蠟去除雜質之相同處理氣體接觸時，可同時去 除觸媒減活化物質。 受益於使用本發明方法之烴類合成方法在稠漿情形、 提升溫度及壓力下進行，壓力範圍通常是從1 一 1 〇 〇大 氣壓，較宜是10 - 50大氣壓，最宜是15 — 4 0大氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慧財產局®工消費合作社印製 -12 - 575538 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______B7 _五、發明説明（1〇) 壓，溫度範圍是從約1 7 5 °C至4 5 0 °c，較宜是1 7 5 它至4 2〇t：，更宜是1 7 5 t至3 0 0 °C，對於Fischer-Tropsch作業，進料氣體中的氫氣對一氧化碳之比例範圍是 從約〇 · 5至4 . 0，較宜是1 . 0至2 · 7 5，更宜誓 約1 · 5至2 · 5，合成氣體進料是在從約1至3 0公分 /秒之表面氣體速率範圍下經由氣體注射裝置例如氣泡蓋 、噴霧器或多重錐形排列注射進入含烴類合成產物（也就 是液體蠟）及觸媒之主要稠漿反應區，在稠漿型操作中， 稠漿通常含約1 0重量％至5 0重量％之觸媒固體，較宜 是3 0重量％至4 0重量％懸浮的觸媒固體，其中分散觸 媒之稠漿液體是在反應情形下是液體之反應產物，較宜此 稠漿液體主要含高沸點鏈烷烴及少量一級及二級醇、酸、 酯或其混合物，較佳的稠漿物質是Fischer-Tropsch蠟及大於 C i 〇之烴類。 烴類合成反應是高度放熱且反·應熱是經由當反應是在 管內進行時在殼與管反應器之殻側或當反應是在殻側進行 時在管內循環之熱交換物質去除，常用的熱交換物質可以 是具有高熱含量之任何物質，不論是否進行相變化，較佳 的熱傳送流體是水。 在烴類合成方法中使用的觸媒是已知在Fischer-Tropsch 合成中具有活性之任何觸媒，例如V I I I族金屬，不論 是在載體上或不是在載體上，都是已知的Fischer-Tropsch觸 媒，其中，較宜是鐵、鈷及釕，尤其是鐵及鈷，最尤其是 鈷，較佳的觸媒是負載在選自元素周期表I I I、 iv、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 ml. -13- 575538 A7 B7 五、發明説明（n) V、V I及V I I I族之無機耐熔氧化物，較佳的載體包 括二氧化矽、氧化鋁、二氧化矽一氧化鋁、I V B族氧化 物，最宜是二氧化鈦（主要是金紅石形式），且通常載體 之表面積是低於約1 0 0平方米/克，較宜是7 0平方米 /克及更低。 觸媒金屬是以觸媒的活性量存在，通常是約1 -100重量％，上限之情形是鐵觸媒，較宜是2-40重 量％，更宜是約2 - 2 5重量％，促進劑可加入觸媒中且 熟知於Fischer-Tropsch觸媒技藝中，促進既可包括釕（當其 不是主要的觸媒金屬）、銶、給、鈽及鍩，且通常存在量 是低於主要觸媒金屬（除了釘其可存在同等量），但是促 進劑：金屬比例必須至少是約1 : 1 〇，較佳的促進劑是 銶及給，可用的觸媒揭示在美國專利4，5 6 8，6 6 3 、4，663，305、4，542，122 號。

觸媒粒子大小很重要且粒子大小範圍是從可合理地過 濾至可合理地分散於稠漿相，粒子大小是1 - 2 0 0微米 ，較宜約2 0至1 5 0微米吻合這些要求，觸媒製備可經 由多種技術達成，典型的觸媒製備可包括浸漬，經由初始 溼化或其他已知技術之例如硝酸鈷鹽於二氧化鈦、二氧化 矽、或氧化鋁載體上，視需要隨後或先前用促進劑物質例 如高鍊酸浸漬，去除過量的液體並將觸媒前驅體在1 〇 〇 °C至1 2 5 °C乾燥，乾燥後或其連續·中在約3 0 0 t：-5 0 0 °C煅燒觸媒將鹽或化合物轉化成其對應的氧化物， 然後用氫氣或含氫氣之氣體將氧化物還原，在約3 0 0°C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁；> 衣· P. 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 • 14 - 575538 A7 B7 五、發明説明（12) - 5 0 〇 °C處理足夠時間始氧化物還原成元素或金屬之觸 媒形式，部份偏好一個氧化/還原之額外循環，其他及部 份較佳的觸媒製備方法揭示在美國專利 4，6 2 1，0 7 2號，倂於本文供參考。 在根據本發明進行的Fischer-Tropsch方法中，在不同溫 度下發生在提升管內的蠟純化反應之程度可經由紅外光譜 法測量相對酯含量而決定，鱲之氧化物含量（經由平均酯 含量舉例）反應發生在提升管內之純化程度，提升管之內 含物及反應器合成稠漿之內含物之間的溫差可隨後相關於 發生在提升管內之純化程度，下列非限制性實例進一步說 明本發明方法。 實例： 在配備外部提升管且其內部定義爲處理區之稠漿氣泡 管柱反應器內將氫氣與一氧化碳混合物（H2 : C〇= 2 · 1 )轉化成鏈烷烴，使用的觸媒是類似於美國專利 4 ’ 5 6 8 ’ 6 6 3號揭不的負載於一*氧化駄上的銘鍊觸 媒，在Fischer-Tropsch反應器中的烴類合成反應是在 275p s i a進行，進料是在16 · 7公分/秒之直線 速率下加入且C〇轉化率是5 0%。 在實例1中，反應器與外部提升管之間的稠漿導管閥 是關閉，因而防止合成稠漿離開反應器。 在實例2 a、2b、3 a及3 b中，稠漿導管閥是打 開，使得合成稠漿可離開反應器並循環經過提升管，氫氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ml----f — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575538 Α7 Β7 五、發明説明（13) 處理器體在約每分鐘9 0標準升下加入提升管之內部，提 升管內之溫度是經由熱交換機及加熱器控制。 經由紅外光譜法分析直接從反應器抽出的？“。^^ T r 〇 p s c h鱲樣本之平均酯含量，結果列在表1。 表1 實例 反應器(合成)溫 度(。〇 提升管(處理)溫 度(°c) △溫度(°C)(處理 溫度減合成溫 度） 平均酯含量(微 莫耳/克-蝶） 1號 210 一 — 3.50 2a號 210 499 -11 1.75 2b號 210 210 0 •50 3a號 210 210 -11 1.10 3b號 210 232 +11 沒有測量 根據結果顯示，在使稠漿循環通過加入處理器體的提 升管之全部實例中，平均酯含量都下降，而且當提升管內 之溫度相對於反應器之溫度增加時，平均酯含量下降，據 此，在增加溫度高於反應器合成溫度下進行蠘處理作業， 在這些實例中增加蠟純化程度，從這些結果，在外部提升 管內之蠟純化期間獨立地控制溫度有明顯的優點。 最後，雖然本發明之實施發現特別可用於原位在烴類 稠漿液體中從H C S反應之粗蠘產物去除雜質，其並不限 於此特定具體實施例，熟諳此藝者將了解且很容易地進行 實施本發明之多種其他具體實施例及改良而沒有偏離上述 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 575538 A7 B7 五、發明説明（14 ) 本發明之範圍，據此，附錄於下文之申請專利範圍將不限 制在上述之實體說明，申請專利範圍是架構在包括存在於 本發明之新穎可申請專利之全部特色上，包括全部特色及 具體實施例其經熟諳此藝者視爲同等於屬於本發明者。 衣 訂 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17-

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575538 地一'一. =~A8 I B8 公告潘. D8 ':.」视1_ .1 - ---~一~η—^-— 申請專利範圍 1 I ------------/ 附件2a : 第9 1 1 1 3 52 1號專利申請案（修正後無劃線） 中文申請專利範圍替換本 民國92年6月18日修正 1 . 一種用於形成烴類之稠漿合成方法，其包括： (a )在合成區中使含112及（：〇混合物之合成氣體在 反應情形下與固體粒子烴類合成觸媒在含該觸媒及烴類液 體之烴類合成稠漿中接觸，其包括第一個反應溫度可有效 從該合成氣體形成該烴類液體，其至少一部份是液體烴類 鱲； (b )將一部份該烴類合成稠漿加入該合成區外部之 處理區； (c )將含氫氣之處理器體加入該處理區其中該處理 器體在反應情形下接觸該部份之該烴類合成稠漿，其包括. 第二個反應溫度使形成含經處理的觸媒粒子及經處理的液 體鱲之經處理的稠漿；及 (d )使該經處理的稠漿與蠟抽取裝置接觸，使得從 該經處理的稠漿分離至少一部份該經處理的液體鱲。 2 ·根據申請專利範圍第1項之方法，還包括在步驟 (d )之前使該經處理的稠漿通過氣體去除裝置之步驟。 3 ·根據申請專利範圍第1項之方法，其中該觸媒包 括至少一種負載於載體上的V I I I族金屬。 4 .根據申請專利範圍第3項之方法，其中該金屬包 括鈷。 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ΓΤΊ " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   575538 ABCD 六、申請專利範圍 5 .根據申請專利範圍第4項之方法，其中該負載物 質是二氧化鈦。 6 .根據申請專利範圍第1項之方法，其中該處理區 包括實質上垂直的導管。 7 .根據申請專利範圍第6項之方法，其中該處理器 體在該實質上垂直的導管中作爲提升氣體。 8 .根據申請專利範圍第1項之方法，其中該經處理 的稠漿是再度加入該合成區。 9 .根據申請專利範圍第1項之方法，其中該第二個 反應溫度是等於或大於該第一個反應溫度。 1 0 .根據申請專利範圍第1項之方法，其中該第二 個反應溫度之範圍是從1 9 9 °C至2 3 2 °C。 1 1 .根據申請專利範圍第1 0項之方法，其中該第 二個反應溫度之範圍是從2 1 0 °C至2 3 2 °C。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 2 _