A7 570993 ____B7___ 五、發明說明（I ) 【發明所屬之技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一減少粒子發生之濺鍍靶、支持板或濺 鍍裝置內之構件，以及利用放電加工之粗化方法，係在濺 鍍靶表面之堆積再附著（redeposition)膜之非濺蝕部分、 或者是在濺鍍裝置內部之形成不必要之堆積（deposition) 膜之部分及其周邊等，利用放電加工來實施粗化處理或利 用放電加工及化學蝕刻來實施粗化處理，以防止前述再附 著膜或堆積膜之剝離，而抑制粒子發生。 【背景技術】 近年來，容易控制膜厚或成分之濺鍍法，被當作電子 及電氣零件用材料之成膜法之一而大量使用著。 該濺鍍法係使用以下此種之原理：使得由正電極和負 電極所構成之基板和靶呈對向，在惰性氣體等之環境氣氛 下，於基板和靶之間施加高電壓，產生電場，此時，電子 和惰性氣體發生撞擊，形成電漿，該電漿中之陽離子係撞 擊靶（負電極）表面，擊出靶構成原子，該飛出之原子係 附著在對向之基板表面上，來形成膜。 在藉由該濺鍍法來形成薄膜之時，粒子發生已變成値 得關注的大問題。該粒子，例如就濺鍍法中之起因於靶者 來說明時，在對靶進行濺鍍的情形，薄膜係堆積在基板以 外之薄膜形成裝置之內壁、位在內部之構件等之任一處。 靶之濺蝕部以外之面以及側面也不例外，可觀察到濺 鍍粒子堆積。 ___3_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 570993 ______B7_ 五、發明說明（，） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因it可想成，從位在薄膜形成裝置內之構件等剝離之 薄片直接飛散及附著在基板表面上’係粒子發生之重大原 因之一。 最近，由於LSI半導體元件之積體度不斷上升（64M 位元、256 Μ位元、甚至1G位元），線寬則成爲0.2/zm 以下而不斷微細化，因此，前述粒子所造成之配線之斷線 或短路之問題，係更加頻繁地發生。 如此般，隨著電子元件電路之高度積體化或微細化之 進展，粒子之發生係成爲更大之問題。 一般，濺鍍靶係藉由熔接、擴散接合或焊接等之手段 ，接合在尺寸更大之支持板上，但是，基於靶之穩定性， 因此，接合在支持板上之濺鍍靶側面，通常大多形成爲具 備越往支持板越寬廣之傾斜面。 .線 正如已知般，支持板係用背面來接觸冷卻材，而發揮 冷卻靶之功能，其使用熱傳導性良好之鋁或銅或其等之合 金等之材料。 濺鍍靶之側面，並非應受濺鍍之濺蝕部位。但是，由 於其接近靶之濺蝕面，因此，在濺鍍中飛來之濺鍍粒子會 附著，而有堆積之傾向發生。 一般，濺鍍靶之濺蝕面係藉由車床加工來成爲平滑面 ’並且，前述呈傾斜之側面係也同樣地進行車床加工。但 是已知，一旦附著之濺鍍粒子（堆積物）會從此種傾斜側 面等再度剝離，其會浮游而成爲粒子發生之原因。 基於電子元件電路之高度積體化或微細化之要求，爲 ____ 4___ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 570993 _____Β7____ 五、發明說明（；）） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) …了防止沘種粒子發生，已提案出，藉由噴砂處理（例如日 本專利特開平9-176843號）、熱熔噴鍍皮膜之形成（例如 曰本專利特開平9-176842號）、滾花（knudng)處理（例 如日本專利特開平10-330971號）、鈾刻處理、放電加工 .(例如日本專利特開平1 1-131224號）等，來使得靶、支 持板、甚至濺鍍裝置內之機器表面成爲粗面化，來提高附 著力，而防止所堆積之濺鍍粒子之再剝離。 但是，例如想要對靶、支持板以及濺鍍裝置內之機器 表面進行噴砂處理，藉由錨固效果來提高附著力的情形下 ，會有由於噴砂材之殘留而污染製品之問題發生。例如一 般被使用作爲噴砂材之氧化鋁、氧化锆、SiC等之球珠， 其電氣傳導性差，由於充電會造成異常放電之原因，又有 時球珠本身會落下而污染製品。 .線· 又，堆積在殘留噴砂材上之附著粒子，其密合性低，有 容易剝離之問題發生，並且，還新產生由於附著膜之選擇性 不均一的成長所造成之剝離問題，並無法根本地解決問題。 由此本發明人等先前提案出：在濺鍍靶側面等，具備 中心線平均粗度RalO〜20//m熱熔噴鍍皮膜而減少粒子發 生之濺鍍靶（日本專利特願2000-314778號）。 該技術本身，相較於習知方法，具有能夠顯著防止附 著膜之剝離且抑制粒子發生之效果。但是，在利用該熱熔 噴鍍來進行表面處理的情形下，會有不容易控制熱熔噴鍍 皮膜之厚度、熱熔噴鍍膜從被處理物剝離以致於污染製品 之問題發生。 ______ 5 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽x 297公^ 一 — 570993 B7 五、發明說明（令） 此外，在利用滾花來進行表面粗化的情形下，有來自 滾花用治具之金屬污染之可能性，並且，因爲在施加過滾 花處理之構件上，不容易再一次地重覆進行滾花處理，所 以，會有裝置用構件等無法再使用之問題發生。 此外，在利用蝕刻進行粗化處理的情形下，雖可得到 大的表面粗度，但是，會有不容易適用在複雜之3維形狀 、在原理上不容易形成強固錨定之俯角之問題發生。 這點，在利用放電加工進行粗化處理的情形下，有大 槪能獲得解決之可能性。但是，利用放電加工進行粗化處 理之第1個問題，係在一般之放電加工下之堆積膜之耐剝 離性並不充分。 【發明之揭示】 本發明，係有鑑於前述問題，其目的係提供一減少粒 子發生之濺鍍靶、支持板或濺鍍裝置內之機器，以及利用 放電加工之粗化方法，藉由謀求放電加工皮膜之改善，而 更有效地直接防止從靶、支持板或其他濺鍍裝置內機器之 不必要膜之堆積面所發生之該堆積物之剝離及飛散。 爲了解決前述課題，經本發明人深入硏究的結果認知 到’藉由改善放電加工所形成之表面，可效率良好地抑制 成膜中之粒子發生。 本發明係根據該認知，來提供： 1. 一種減少粒子發生之濺鍍靶、支持板或濺鍍裝置內 之機器’係在濺鍍中不必要膜之堆積面上形成放電加工痕 ____ 6 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂··---.-----線」 A7 570993 五、發明說明（< ) 者，其特徵在於：該放電加工痕係由傾斜成俯角未達90。 之多數突起所構成。 2. —種減少粒子發生之濺鍍紀、支持板或濺鍍裝置內 之機器，係在濺鍍中不必要膜之堆積面上形成放電加工痕 者，其特徵在於：該放電加工痕係由傾斜成俯角未達90。 之多數突起所構成，並對這些放電加工處理部進一步施加 化學蝕刻處理。 3. 如前述1或2之減少粒子發生之濺鍍靶、支持板或 濺鍍裝置內之機器，其中，具有放電加工痕之表面之最大 表面粗度Ry爲30//m以上。 4·一種濺鍍中所形成之靶、支持板或濺鍍裝置內之機 器之不必要膜之堆積面之利用放電加工之粗化方法，其特 徵在於=對濺鍍中所形成之靶、支持板或濺鍍裝置內之機 器之不必要膜之堆積面，進行放電加工，以在放電加工面 ，形成由傾斜成俯角未達90°之多數突起所構成之放電加 工痕。 5· —種濺鍍中所形成之靶、支持板或濺鍍裝置內之機 器之不必要膜之堆積面之利用放電加工之粗化方法，其特 徵在於：對濺鍍中所形成之靶、支持板或濺鍍裝置內之機 器之不必要膜之堆積面，進行放電加工，以在放電加工面 ，形成由傾斜成俯角未達90°之多數突起所構成之放電加 工痕，並對這些放電加工處理部進一步施加化學蝕刻處理。 6.如前述4或5之利用放電加工之粗化方法，其中，具 有放電加工痕之表面之最大表面粗度Ry係爲30//m以上。 _____7__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -i].---^-----線」 A7 570993 五、發明說明（b ) 7.如前述4〜6中任一之利用放電加工之粗化方法，其 中，在純水或超純水之加工液中，進行放電加工。 【圖式之簡單說明】 圖1係藉由一般所進行之放電加工來形成加工痕之槪 念圖。 圖2係顯示高純度Ti之藉由一般所進行之放電加工來 形成表面加工痕之SEM (電子顯微鏡）照片。 圖3係局部（一側）由傾斜成俯角未滿90°之多數突 起所構成之本發明之放電加工痕之槪念圖。 圖4係整個周圍由傾斜成俯角未滿90°之多數突起所 構成之本發明之放電加工痕之槪念圖。 圖5係顯示本發明之施加放電加工之表面加工痕之 SEM相片。 圖6係顯示本發明之由具有未滿90°俯角之蘋果狀突 起所構成之放電加工痕以及之後進行化學蝕刻處理之例子 之示意圖。 圖7係顯示本發明之由具有未滿90°俯角之蘋果狀突 起所構成之放電加工痕以及之後進行化學蝕刻處理之其他 例子之示意圖。 圖8係本發明之進行放電加工處理後進行化學蝕刻處 理之狀態之表面SEM像之一例。 圖9係顯示放電加工液使用超純水來實施本發明之放 電加工的情形下，表面加工痕之SEM相片。 ___8____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 570993 ___B7____ 五、發明說明（β ) 【發明-之實施形態】 一般，放電加工係用來對金屬等之被加工物進行鑽孔 或切撕等之加工方法；通常在白燈油等之加工液中浸漬被 加工物，在接近之電極上施加電壓，利用其和被加工物之 微小突起間產生之放電所帶來之熱量和加工液之蒸氣壓之 作用，來重複地進行突起部或突出部之除去，以加工爲既 疋之形狀。 因此，放電加工面係形成有微小之突起或突出部。本 發明係利用此種微小凹凸之錨定效果，來減少在濺鍍中之 所形成之堆積膜或再附著膜之剝離。 利用放電加工之粗化處理，可使用一般之放電加工機 來進行。加工電源一般係使用脈衝電源，來調節電壓、電 流、脈衝波形、放電時間、加工液和電極材質等，而得到 必要之加工形態。 電極一般除了使用銅、黃銅、碳之外，考慮到來自電 極之污染，則可以使用相同於被加工材之金屬等；加工液 可以使用前述白燈油、水、水玻璃等。被加工物一般必須 爲導電體，可使用金屬或導電性陶瓷，但是，在使用電解 液作爲加工液的情形下。非導電性材料也可以利用放電加 工來做成粗面。 一般，放電加工面之粗化面，係具有和緩之丘陵狀起 伏’按照被加工物之材料，適當地選擇放電加工條件，可 形成本發明之由傾斜成俯角未滿90。之多數突起所構成之 放電加工痕。 __________9 ___— 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-'OJ· n ϋ n «Ί n n ϋ I i n n ·ϋ n ϋ n ϋ n 1ϋ 1 I n n ·1 n ϋ ϋ I n ϋ n I A7 570993 ___B7___ 五、發明說明（2> ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 通嚅形成之具有和緩丘陵狀起伏之粗化面’比起前述 噴砂處理所形成之凹凸’其錨定效果明顯著的較差雖是已 知的，但是，本發明之放電加工痕’係比前述噴砂處理戶斤 造成之錨定效果，更加良好。 此外，本發明對該放電加工處理部施加化學蝕刻處理 ，則可更進一步改善錨定效果。 圖1係顯示藉由一般所進行之放電加工來形成之加工 痕之槪念圖。出現在放電加工痕上之多數突起，如圖1所 示，係具有俯角、也就是母材表面和突起之夾角0超過90 °之傾斜面。 線 圖2係高純度Ti之藉由一般所進行之放電加工來形成 之加工痕表面之SEM照片’出現在放電加工痕上之突起’ 係呈現具有和緩傾斜面之圓錐型形狀。已知這種圓錐型突 起之錨定效果小。此外’該情形下之放電加工條件，與後 述之圖4之放電加工痕（本發明）之形成條件，係反轉電 極極性來進行加工的情形。 相對於此，圖3及圖4顯示由傾斜成俯角未滿90°之 突起所構成之本發明之放電加工痕之槪念圖。如圖3及圖 4所示，突起係具有俯角、也就是母材表面和突起之局部 或全周之側面之夾角Θ爲未滿90°之傾斜面。 圖5係使用碳電極，在白燈油之加工液中，以脈衝電 流6.5A、脈衝連續時間5//sec之條件，對高純度Ti進行 2分鐘40秒鐘放電加工之表面SEM相片。藉此來形成傾 斜成圖4所示俯角之突出部（蘋果型）所構成之放電加工 _ ίο ____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 570993 ______ B7 _ 五、發明說明q ) •痕。在替情形下，若加長脈衝連續時間，則更容易形成這 種蘋果型物體。 由於放電加工係在加工液中進行處理，須考慮母材上 之加工液的殘留。因此，必須使用雜質少之加工液，最好 是按照污染之狀況或用途，使用無雜質存在之超純水，或 者是重新更換液體。 基於上述，加工液最好使用純水、甚至超純水，例如 可以使用被加工材之靶之雜質等級以下之純水或超純水。 使用作爲加工液之純水，係可以使用在供應口爲1ΜΩ · cm以上者。超純水，可使用一般稱爲超純水者，例如在供 應口之全二氧化砂lOOwtppb ( 1CT9)以下、比電阻14ΜΩ • cm以上、重金屬l〇wtppb ( 10_12)以下者。此外，在放 電加工中，由於Ti離子、Ti微粒子之增加，因此，一般會 使比電阻降低。 傾斜成俯角未滿90°之突起，可依被加工材之種類， 藉由調整適當放電加工條件來達成，其主要出現的位置， 係藉由加工油氣化及膨脹之狀態下被急速冷卻所形成之球 狀塊附著在母材表面上之部位，以及在電弧所形成之坑狀 凹部之外輪部呈懸垂之部位。 這種俯角，在放電加工過之表面上所堆積之濺鍍膜因 熱應力而要從母材剝離之時，可發生壓向母材側之應力， 而防止剝離。具有放電加工痕之表面之最大表面粗度Ry 最好爲30/zm以上。 此外，爲了得到此種形態之放電加工痕，因此，必須 ____ 11 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚) — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •A__w ^·.---^-----線」 A7 570993 五、發明說明（v〇 ) 採用本Γ身爲高熔點且加工速度快之材質之電極，並調整脈 衝電流之極性、其大小和脈衝連續時間。可說此種放電加 工痕在一般之放電加工處理條件下，並無法實現。 藉由利用以上之放電加工所造成之表面性狀改善，可 直接且有效地防止由靶、支持板和其他濺鍍裝置內之機器 之不必要膜之堆積面所發生之該堆積物之剝離和飛散，而 顯著地減少粒子發生，故具有優異之特長。 前述本發明之放電加工痕，係具有放電加工特有之優 點。亦即，即使母材表面變粗糙，或者是殘留有堆積膜， 也和最初施加放電加工處理之構件同樣地，可以重複地進 行放電加工處理。 其代表著能大幅延長濺鍍裝置（真空裝置）內部機器 之耐用時間；在實用上，極爲重要。但是，母材會削減， 因此有不能無限地重複進行放電加工之限制。 此外，加工前之底材處理可以是粗糙的，具有能大幅減 輕機械加工之特長。此外，藉由對放電加工時之電極形狀或 加工製程下工夫，就算在熱熔噴鍍、滾花和蝕刻不容易處理 之3維複雜形狀的情形下，也能夠在表面上形成可防止堆積 膜或再附著膜剝離之放電加工痕，而具有顯著的優點。 本發明係除了前述之外，也可以在放電加工部進一步 施加化學蝕刻處理，以更加改善錨定效果。 因放電所造成之熱而呈氣化及膨脹狀態之加工液經急 速冷卻所形成之前述球狀（蘋果型）突起物之內部，係經 常爲空洞，其表面溶解而成爲平滑之狀態。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
« — — ΙΊΙ — — — -- - - -----II - — — — — — —----I _12_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 570993 _______B7_______ 五、發明說明（I丨） 將II些空洞和外部空間隔開之外殼具有非常薄之部分 。如圖6之示意圖所示，因飩刻會使得此種外殼部之變薄 部分發生破裂，而連通至空洞內部，成爲複雜形狀，而進 一步增加錨定效果。 此外，外殼未破裂之放電加工痕跡之球狀（蘋果型） 突起物，係藉由蝕刻，如圖7所示，在該突起物之表面上 形成許多微細之凹凸，同樣能增大錨定之效果。 圖8，係將可實現圖5形狀之條件下進行放電加工處 理之純Ti製試料，浸漬在氫氟酸和硝酸之混合水溶液中 10秒鐘之狀態下之表面SEM像。 如圖6之示意圖所示，在球狀突起物側面之局部可看 到貫通孔（箭號）打開之狀態。 由於放電加工過之結晶組織容易被蝕刻液所侵蝕，故 容易形成微細之凹凸，可以容易進行蝕刻，且可以大幅增 大錨定之效果，而具有顯著之特長。 本發明之利用放電加工之處理或是利用放電加工及蝕 刻之處理，例如應用於靶的情形下，也能應用在矩形、圓 形和其他形狀之靶。在該情形下，對於非濺蝕部之靶側面 之加工也是有效的。 靶側面雖大多爲傾斜面，但也可適用在具有垂直面、或 連續於該等面之平面之濺鍍靶上。本發明係包含這些全部。 特別是關於來自靶側面之粒子發生，雖然容易被忽視 ，但可觀察到，一旦附著之濺鍍粒子（堆積物）從濺鍍靶 之傾斜側面再度剝離，發生浮游，而成爲粒子發生之原因。 _ 13___ I紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公H ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) il-·---------線- A7 570993 ___B7__ 五、發明說明（IX) 並i，此種堆積物之剝離，比起平坦周邊之濺蝕面附近 ，遠離此處之部位之堆積物的剝離係較多。因此，極容易應 用於這種側面上，且能有效抑制粒子發生，而具有優點。 此外，作爲支持板，係可以使用一般所採用之銅、銅 合金系、鋁、鋁合金系等，這些並無特別之限制。關於濺 鍍裝置內之機器，材料並沒有特別的限定，可以施加在不 鏽鋼之其他材料表面上。 也能使用在濺鍍靶側面爲傾斜面的情形下，特別是接 合在支持板上之濺鍍靶側面，係具有越往該支持板越寬廣 的傾斜面之濺鍍靶上。 特別是，本發明最好是，涵蓋濺鍍靶之側面和支持板 之面，連續地實施本發明之放電加工或者放電加工及鈾刻。 正如前述，在靶側面和支持板間，因材質之差異、由 於該差異所造成之熱膨脹之差異、甚至材料間所產生之明 顯的高低差，而成爲粒子發生之原因，但藉由在該部位實 施具有強固錨定效果之放電加工或者是放電加工及蝕刻， 即可有效地防止粒子發生。 【實施例及比較例】 接著，說明本發明之實施例及比較例。此外，實施例 僅只是本發明之一例，本發明係不限於該實施例。也就是 說，根據本發明之技術思想之變形或其他形態，係完全包 含在本發明中。 ___ 14____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
· ϋ I n XI n ϋ ϋ I ϋ n n I n —.1 n I n I n n n n n ϋ ϋ n n ϋ n I A7 570993 J、發明說明（、々） (實施。例1、2及比較例1〜4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [耐剝離性試驗] 製造經放電加工（EDM)、噴砂及拋光硏磨過之純鈦 製試料，在到達真空度爲1.3Xl03Pa以下之環境氣氛，使 20vol% Ar和80 vol% N2之混合氣體在0.8Pa之壓力環境氣 氛中，對鈦靶進行濺鍍，在試料上，形成總厚度大約10// m左右之Ti-N膜。EDM之加工條件係使用碳電極，在白 燈油之加工液中，以脈衝電流6.5A、脈衝連續時間5//sec ，對高純度Ti進行2分40秒。 就實施例1和實施例2而言，利用放電加工之表面形 態，係由本發明範圍內之傾斜成俯角未滿90°之多數突起 所構成（蘋果型），粗面分別爲Ry69/zm及Ry35#m ;比 較例1係Ry55//m、表面形態係混有圓錐型和蘋果型；比 較例2係Ry28/zm、表面形態爲圓錐型；比較例3係藉由 SiC#30來進行噴砂處理者（Ry爲21/zm);比較例4係 拋光硏磨者（Ry爲2/zm)。 剝離試驗之結果係顯示在表1。 表1 加工方法 Ry ( um) 表面形態 剝離試驗結果 實施例1 放電加工 69 許多帶俯角之蘋果型突 起 無剝離 實施例2 放電加工 35 許多帶俯角之蘋果型突 起 無剝離 比較例1 放電加工 55 混合有圓錐型和蘋果型1 局部剝離 比較例2 放電加工 28 許多圓錐型突起 大幅剝離 比較例3 噴砂處理SiC#30 21 SiC殘留 由殘留之大SiC表面 開始剝離 比較例4 拋光硏磨 2 鏡面狀 在膜厚5//m大部分 剝離 ____ 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） A7 570993 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表1所示，在實施例1和實施例2 ’並未發現剝離 。相對於此，可知在比較例1之表面形態混合圓錐型和蘋 果型者，有局部剝離，此外，在比較例2之圖2所示之圓 錐型放電加工痕，大幅發生剝離，在僅形成放電加工面所 造成之粗面，係發生堆積膜或再附著膜之剝離。 此外，比較例3可看到SiC之殘留，而產生由該殘留 之大SiC表面剝離之問題。此外，在拋光硏磨之比較例4 呈鏡面狀，但在膜厚5//m，大部分會發生剝離。 由以上得知：本發明之蘋果型放電加工痕，係在堆積 膜或再附著膜之耐剝離性上，非常地良好。 (實施例3及比較例5) [粒子發生量比較試驗] 對靶側面，以實施例1之條件，施加放電加工。使用 該靶實施濺鍍，按照累積電力量來測定0.2//m以上之粒子 發生數之變化。 此外，同時以比較例3之條件，同樣地計算對靶側面 進行噴砂處理的情形下之粒子發生數。 將該結果顯示在表2。表2所示之個數係表示在8吋 晶圓上之個數。 如該表2所示可看出，噴砂處理過之比較例5，在0〜 250kWh爲止，平均係發生16.2個/晶圓之〇.2/zm以上的 粒子，在實施例2，平均僅發生12·1個/晶圓之〇.2/zm以 上的粒子，而減少大約25%。 ____16____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 570993 A7 B7 五、發明說明（) 以上得知：本發明之放電加工痕、其抑制粒子發生 之效果顯著。 表2 累積電力 kWh 實施例3 (放電加工） 比較例5 (噴砂處理） 粒徑（㈣） 粒徑（" m) 0.3 0.2 0.3 0.2 01-50 6.25 21.20 9.18 27.64 51-100 3.20 10.70 4.00 18.50 101-150 3.30 9.00 6.00 11.80 151-200 2.90 8.40 3.60 10.50 201-250 4.30 11.30 7.50 12.60 (單位：個數/8吋晶圓） (實施例4及比較例6〜9) [耐剝離性試驗] 使用具有球狀（蘋果型）突起形態之放電加工（EDM )處理過之純鈦製試料，顯示蝕刻處理者（實施例4)、 無處理者（比較例6)、噴砂處理者（SiC# 30 (比較例7 ))、噴砂處理者（SiC# 100 (比較例8))以及拋光硏 磨者（比較例9)。 就各個例子而言，在達到真空度爲1.3Xl〇3Pa以下’ 使20vol% Αι·和80 vol% N2之混合氣體在〇.8Pa之壓力氣 氛中，對鈦靶進行濺鍍，在試料上，形成總厚度大約100 //m左右之Ti-N膜。EDM之加工條件係使用碳電極，在 白燈油之加工液中，以脈衝電流6.5A、脈衝連續時間5// sec，對高純度Ti進行2分40秒。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1Ί-·---：-----線—· 570993 A7 B7 五、發明說明（（b ) 將'剝離試驗之結果，顯示在表3。表中Ry係表示最大 表面粗度（// m)。 表3 加工方法 Ry ( ^m) 表面形態 剝離試驗結果 實施例4 放電加工+蝕刻 64 蘋果型球狀突起+ 蝕刻所造成之凹凸 一直到100/zm爲止 無剝離 比較例6 僅放電加工 67 蘋果型球狀突起 在32//m之時間點 有剝離 比較例7 噴砂處理（SiC#30) 21 有SiC殘留 由殘留之大SiC表面 開始一部分剝離 比較例8 噴砂處理（SiC#100) 17 有SiC殘留 在55 //m發生大幅 度之剝離 比較例9 拋光硏磨 2 鏡面狀 在膜厚5卿大部分 剝離 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
幻-·---^-----線U 正如圖3所示，比較例6之具有球狀（蘋果型）突起 形態之放電加工（EDM)處理過之純鈦製試料，雖在剝離 試驗顯示良好之結果，但是，即使如此，在成膜至32//m 左右之時，則看到Ti-N膜之剝離。 柜對於此，本發明之實施例4中之放電加工（EDM) 處理後之經過蝕刻處理者，係一直到l〇〇//m爲止，也未 發生Ti-N膜之剝離，而確認出具有良好之耐剝離性。此外 ，由於該比較例6係用以觀看蝕刻處理之效果，因此，並 無法否定本發明之放電加工處理以及藉此所造成之顯著效 果。 附帶一提，噴砂處理過之比較例7和比較例8，可看 到刺穿試料之噴砂材SiC之殘留，可看到Ti-N膜從該殘留 之SiC表面呈微剝離之現象，並且，在比較例8，於55// 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 570993 _____ B7 _ 五、發明說明（ \7) m，發生大面積之剝離。此外，在拋光硏磨來進行精加工 之比較例9，於膜厚5/z m，幾乎完全剝離。 由以上可知，本發明之具有蘋果型放電加工痕之經放 電加工及蝕刻處理之面，係在堆積膜或再附著膜之耐剝離 性上，表現相當良好。 (實施例5及比較例10) 使用相同於被加工材之純鈦電極，在超純水之加工液 中，對於高純度純鈦，實施放電加工。把該結果當作實施 例5，並且，爲了進行對比，以使用白燈油來實施放電加 工的情形，作爲比較例10。 放電加工條件，係脈衝電流6.5A、脈衝連續時間8// sec，進行4分鐘。 利用放電加工之表面形態，係顯示在圖9。正如該圖9 所示，可觀察到本發明範圍內之傾斜成俯角未滿90°之多 數突起（蘋果型者）。並且，粗面係更加散亂且複雜。 此外，在使用超純水加工液的情形下，正如表4所示 ，比起使用白燈油的情形，雜質係相當地少，具有不污染 被加工材之特徵。此外，就〇而言，在任何情形下，皆檢 測出0，但實施例5之檢測強度比起比較例10來得弱很多 〇 如此，可以確認出，在本實施例5，於超純水加工液 中進行放電加工的情形下，具有污染少並且可以提高堆積 膜附著力之顯著效果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂··---^-----線* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 570993 A7 _ B7___ 五、發明說明（J ) 此-外，對於該試料，在施加相同於實施例4之蝕刻處 理的情形下，能使耐剝離性更加提升。 表4 放電加工方法 依ΕΡΜΑ之檢測元素（除Ti以外） 實施例5 超純粹+Ti電極 〇 比較例10 白燈油+Ti電極 C、S、0、Ca、Si 【發明之效果】 藉由放電加工皮膜之改善、甚至藉由放電加工和化學 蝕刻處理，能獲得一減少粒子發生之濺鍍靶、支持板或濺 鍍裝置內之機器、以及利用放電加工之粗化方法或者利用 放電加工和化學蝕刻處理之粗化方法，以直接且有效地防 止從靶、支持板和濺鍍裝置內之機器等之不必要膜之堆積 面所發生之該堆積物之剝離及飛散，而具有優異的效果。 20 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·!丨·線JeL!!丨！ ------------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）