JP2005294301A - プラズマ処理装置用下部電極 - Google Patents
プラズマ処理装置用下部電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005294301A JP2005294301A JP2004102850A JP2004102850A JP2005294301A JP 2005294301 A JP2005294301 A JP 2005294301A JP 2004102850 A JP2004102850 A JP 2004102850A JP 2004102850 A JP2004102850 A JP 2004102850A JP 2005294301 A JP2005294301 A JP 2005294301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- etching
- aluminum alloy
- plasma processing
- chemical etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 ワークにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に備えられるアルミニウム合金で形成された下部電極であって、この下部電極の平坦な表面は、化学的エッチング処理のみにより生起させられた、Raで 1μm ≦Ra≦6 μm である粗さの凹凸を有し、下部電極表面 (アルミニウム合金表面) とウエハ表面との表面同士の接触面積を小さくして、スティッキングを防止する。
【選択図】 なし
Description
(表面粗さRa)
先ず、化学的エッチング処理後の、下部電極の表面粗さRaは、1 μm 以上でかつ6 μm 以下の、1 μm ≦Ra≦6 μm の範囲とすることが必要である。
Claims (5)
- ワークにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に備えられるアルミニウム合金で形成された下部電極であって、この下部電極の平坦な表面はRaで 1μm ≦Ra≦6 μm である粗さの凹凸を有しており、この凹凸が下部電極表面の化学的エッチング処理のみにより生起させられていることを特徴とするプラズマ処理装置用下部電極。
- 前記化学的エッチング処理がアルミニウムを1 〜20g/l 溶解したアルカリ系水溶液にて行なわれる請求項1に記載のプラズマ処理装置用下部電極。
- 前記アルミニウム合金が圧延板または押出材である請求項1または2に記載のプラズマ処理装置用下部電極。
- 前記下部電極が前記凹凸を有する表面に更に陽極酸化処理皮膜を有している請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用下部電極。
- 前記下部電極表面が、アルミニウム合金素材の内部側を、下部電極表面として切り出したものである請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用下部電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004102850A JP4452113B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | プラズマ処理装置用下部電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004102850A JP4452113B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | プラズマ処理装置用下部電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005294301A true JP2005294301A (ja) | 2005-10-20 |
JP4452113B2 JP4452113B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=35326942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004102850A Expired - Fee Related JP4452113B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | プラズマ処理装置用下部電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4452113B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180291A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材 |
JP2008303442A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004102850A patent/JP4452113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180291A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材 |
JP2008303442A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4452113B2 (ja) | 2010-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7033447B2 (en) | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus | |
KR100286206B1 (ko) | 스퍼터링타켓트및그의제조방법 | |
WO2003012162A1 (en) | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces | |
JP5301531B2 (ja) | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット | |
TW200524833A (en) | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods | |
JP4739368B2 (ja) | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び粗化方法 | |
IL184622A (en) | Process for producing a quartz glass component for use in semiconductor manufacture and component produced by this process | |
EP2853617A1 (en) | Sputtering target | |
KR20120124405A (ko) | 순구리판의 제조 방법 및 순구리판 | |
TW201512434A (zh) | 被覆工具及其製造方法 | |
JP5065772B2 (ja) | プラズマ処理装置用部材およびその製造方法 | |
JP2005158933A (ja) | 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法 | |
KR102080367B1 (ko) | 스퍼터링용 티탄 타깃 | |
JP4452113B2 (ja) | プラズマ処理装置用下部電極 | |
WO2006134779A1 (ja) | シリコンウェーハ熱処理用石英ガラス治具及びその製造方法 | |
KR101293434B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치용 부재 및 그의 제조방법 | |
JP5416436B2 (ja) | 耐クラック性および耐腐食性に優れたアルミニウム合金部材、ポーラス型陽極酸化皮膜の耐クラック性および耐腐食性の確認方法、並びに耐クラック性および耐腐食性に優れたポーラス型陽極酸化皮膜の形成条件設定方法 | |
JP5416437B2 (ja) | 半導体や液晶の製造設備における真空チャンバ或いはその真空チャンバの内部に設けられる部品の材料に用いられるアルミニウム合金部材 | |
JP4774014B2 (ja) | AlまたはAl合金 | |
TWI389766B (zh) | 被研磨物固定用載體 | |
JP4517364B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP2008264952A (ja) | 多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法 | |
JP2006196491A (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
US20080118412A1 (en) | Coated aluminum material for semiconductor manufacturing apparatus | |
JP5000315B2 (ja) | 半導体製造装置用治具の製造方法及び半導体製造装置用治具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090616 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090908 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090908 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4452113 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |