TW563003B - The method of exposure for ridding surplus photoresist on the edge of wafer - Google Patents
The method of exposure for ridding surplus photoresist on the edge of wafer Download PDFInfo
- Publication number
- TW563003B TW563003B TW92100554A TW92100554A TW563003B TW 563003 B TW563003 B TW 563003B TW 92100554 A TW92100554 A TW 92100554A TW 92100554 A TW92100554 A TW 92100554A TW 563003 B TW563003 B TW 563003B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- exposure
- edge
- etching
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- -1 Ar + Chemical class 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
563003 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種去除晶圓邊緣多 ^ ’尤指一種利帛曰曰曰®自身對準以員^之曝光方 中可更為精準去除多餘光阻之光罩曝了後於乾式蝕刻 【先前技術】 按一般對於積體電路元件之製作，俜不斷I 長、微影與蝕刻等製程，俾於 ^不斷重複薄膜成 )上建構精細之電路佈局，其：體晶® (Wafer 積等方法提供積體電路元件製作上所+主要係以氣相沉 介電層、導電層· · ·…等）；微旦彡夕^ t的、、且成物質（如： 括有曝光與顯影等光阻圖宰^ ^ 耘步驟，則主要係包 :作，俾利用該光阻圖案 =案底Λ的薄膜或是基材進行選擇性之餘刻；而蚀刻 =ng刻 則是將未被光阻圖案所覆蓋的薄膜或^ 般而口姓刻製程分為乾式蝕刻與濕式蝕刻，其中 =式蝕刻係以化學反應來進行薄膜的蝕刻，其具有於不同 質間反應時間迅速及於不同材質間的高蝕刻選擇性等特 點，但由於難以控制蝕刻進行方向（等向性蝕刻），因此 需精準的拿捏製程上誤差值，且易因為操作不當，而導致 1度蝕=或造成底切現象，甚至最後完全被蝕刻劑蝕穿， 1使大罝半成品晶片損毀報廢，徒然浪費時間人力與材料 、本，故不常直接採用於垂直切面結構之蝕刻製程上；而 第5頁 563003 五、發明說明（2) 乾式敍刻有 高能量的惰 子衝擊的方 刻（P 1 a s m a 性，使經薄 增加蝕刻選 子（如：CR 獲得非等向 然而， 之氣體常會 在設備與晶 載具1 1設 旋轉軸座1 常藉由陶質 圓A，使不 具1 3與晶 導致於後續 之結構，故 a hole )的 邊緣位置之 落在預定之 C之下，使 之弊端目前 (1 ) 很多種 性氣體 式進行 etch : 膜蝕刻 擇性， i、chf3 性與高 在乾式 產生若 圓表面 備上， 2進行 夾具1 會產生 圓A的 烘烤製 為了避 蝕刻製 蝕刻， 曰曰曰圓I虫 之在烘 現有的 如我國 接觸端點上（如：第 圖所示 ’其中最典型的方法係以電漿反應產生 離子（如·· Ar+，Xe+……等），而以離 薄膜的姓刻，此種餘刻方式稱為電漿餘 1 ’其主要優點係具有極佳的非等向 後晶圓形成邊緣更為工整垂直，且為了 因此該電漿蝕刻的方式大都採用活性離 、GF6 ···等）來進行薄膜银刻，以同時 姓刻選擇性之特點； 蝕刻過程中若採用碳（C )氫（η )成分 干南分子微粒B (Particle)散佈附著 (如第一圖所示），係將晶圓a置設於 再固定於旋轉軸座1 2上端，以利用該 光阻旋轉塗佈（Spin — c〇ating)，且通 3 (Ceramic Clamping)夾持固定該晶 搖晃偏移，也因此使該微粒B淤積於夾 之 矛壬中產生氣化爆裂，而破壞整個介電層 免上述之情形發生，通常在介層孔（^ 程中，於晶圓周圍以邊緣光阻圖案進行 但卻易因夾具1 3位置誤差，使微粒b 刻位置之外，而殘留於該邊緣光阻圖案 烤的過程產生爆裂情形，因此針對上述 解決方案大致如下，其中： 申請案號第88 1 1 8 0 0 9號「蝕刻機台上 曰曰
563003 五、發明說明（3) 圓傳送位置的 有規格，而將 其於實際操作 校準在預設的 形成於製程上 (2 )另 反覆沖洗，以 其仍會因不慎 曰曰圓報廢之不 由此可見 多缺失，實非 本案發明 亟思加以改良 成功研發完成 校正方法」 夾具之位置 上需經由反 誤差範圍内 無謂的時效 一種方法則 避免需校正 而造成溶劑 良率的上升 ，上述現有 一良善之設 人鑑於上述 創新，並經 本案去除邊 ，其係提供一種可配合夾具之原 準確的控制在容許誤差範圍；惟 復試驗，以將夾具與晶圓之位置 ，如此即增加於製程上麻煩，而 浪費。 是傳統利用蝕刻溶劑於晶圓侧緣 凋整夾具與晶圓位置之麻煩，然 反濺至晶圓上端，甚而導致整片 〇 ，習知解決方法於實務上仍有諸 計者，而亟待加以改良。 習知系統所衍生的各項缺點，乃 多年苦心孤詣潛心研究後，終於 緣多餘光阻之曝光方法。 【發明内容】 光阻要即在於提供一種去除晶圓邊緣多餘 其係可更精準的去除多餘之光阻，進達 可同時提升製造效率及良率。 疋逆 -於為二，ί!上述之目❸’本發明主要係將晶圓之背部黏 圓自身背面作為光罩，⑸i可透光性載具上，俾利用晶 面性的曝光，而益需^過該載具之可透光1生’進行全 令與戰具對應準確的誤差值。 〜
第7頁 563003
五、發明說明（4) 【實施方式】 晶圓邊緣多餘光 一操作機台2 之曝光步驟，其 請參閱第二圖，本發明所提供之去除 阻之曝光方法，其主要係將晶圓A置設於 (如第二圖所示），而進行去除多餘光阻 中該操作機台2係包括·· 之載具3㈣其直徑係大於晶圓A，俾供晶圓A ，月面A 1黏設於該載具3上端後，再藉由陶質夾具3工 (Ceramic Clamping)予以夾持定位； 一旋轉軸座4，係於至少Λr + a 述之載具3，#以帶動载“成支點4 1來支摔前 coaUng)的製程；動戰"3進仃光阻旋轉塗佈（spin — 翻轉枢軸5，係設於旋轉舳 接，以令該載具3可做翻轉2兩侧而與載具3軸 光顯影製ί裝置6、又於前述載具3之上端，肖以進行曝 中：其實施情形之步驟係由以下第三圖至第五圖所述，其 首先（如第三圖所示、 該可透光載具上後（立中a同係將該晶圓Α之背部黏設於 4. 25叶），藉由夾且3' :圓之直徑約為4时，載具則為 圖所示），而該晶圓卿=:;=參閱第三之二 所構成的蝕刻層A ?ά、—扳A 1上依序形成由氧化物 (如第三之一圖所示）；復晶矽所構成之蝕刻保護層A 3
$ 8頁 563003 、發明說明（5) 轉軸座4旋轉而以旋轉塗佈（spi…t 的方式將光阻分佈於預設有光阻圖案C之晶圓A上； 將塗佈有光阻圖案c之可透光載具3翻轉至背面（如 第四圖所不），使該可透光載具3之背面對映曝光裝置6 二以利用該載具3之可透光性，冑上端之晶圓A之邊緣可 知到全面性之曝光後，再將其翻轉歸位，以將該載且 之光阻透過顯影製程去#(如第五圖所示），如此即可有 效避免於介層孔（via h〇le )的蝕刻後製程 異常狀況者； m 另外值得一提的是，由於該晶圓A係以本身作為光罩 (self-masking )，如此即可黏設於載具3所包含範圍内 之任一點，而無需經過複雜的計算考量夾具與晶圓間是否 與載具對應準確的誤差值，俾可直接進行光阻旋轉塗佈以 及顯影與蝕刻之後續製程，並可更精準的去除多餘之光阻 ’進達同時提升製造效率及良率之目的。 【特點及功效】 本發明所提供之去除晶圓邊緣多餘光阻之曝光方法， 與其他習用技術相立比較時，更具有下列之優點： 1、可更精準的去除多餘光阻，且無溶劑反濺的顧慮。 2 可避免如傳統之光罩設計法’須有較大的容許誤差範 圍來克服由晶圓前製程到晶圓背部製程所產生的機& 誤差。 风 3、操作簡單方便，並可降低製作成本。
563003
第ίο頁 563003 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 第一圖係為習用操作機台之置設晶圓示意圖。 第一之一圖係為習用晶圓於電漿蝕刻後殘留微粒之情形. 第二圖係為本發明操作機台之配置示意圖。 第三圖係為本發明操作機台置放晶圓至載具之情形。 第三之一圖係為本發明晶圓之剖視實施示意圖。 第三之二圖係為本發明於操作機台置放晶圓定位後之上視 圖。 第四圖係為本發明翻轉載具而由背面透光之剖面示意圖。 第五圖係為本發明去除光阻之動作示意圖。 【主要部分代表符號】 11... …載 具 1 2… …旋 轉 軸 座 13... • · ·夾 具 2 ... • · ·操 作 機 台 3… • · ·可 透 光 載具 3 1… • ·.夾 具 4… …旋 轉 轴 座 4 1… • · ·支 點 5… …翻 轉 才區 轴 6… …曝 光 裝 置 A… 圓 A 1… …基 板 A 2· ·. 刻 層 A 3… 刻 保 護層 B… …微 粒 C ... …光 阻 圖 案
Claims (1)
1、 一種去除晶圓邊緣多餘光阻之曝光方法，其步驟 係包括： 將該晶圓之背部黏設定位於具可透光載具之操作機台 上； 將上述之載具以光阻旋轉塗佈的方式分佈預設有光阻 圖案之晶圓上； 將塗佈有光阻圖案之載具翻轉至背面，而由背面對晶 圓進行曝光後，再將其翻轉歸位，以將該載具多餘之光阻 透過顯影製程去掉者。 2、 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該晶圓 係於基板上依序形成蝕刻層及蝕刻保護層者。 3、 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述之 钱刻層係為氧化物。 4、 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述之 蝕刻保護層係為複晶矽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW92100554A TW563003B (en) | 2003-01-10 | 2003-01-10 | The method of exposure for ridding surplus photoresist on the edge of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW92100554A TW563003B (en) | 2003-01-10 | 2003-01-10 | The method of exposure for ridding surplus photoresist on the edge of wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW563003B true TW563003B (en) | 2003-11-21 |
| TW200412473A TW200412473A (en) | 2004-07-16 |
Family
ID=32466896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW92100554A TW563003B (en) | 2003-01-10 | 2003-01-10 | The method of exposure for ridding surplus photoresist on the edge of wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW563003B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114879454A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-09 | 致真存储(北京)科技有限公司 | 一种晶圆曝光方法 |
-
2003
- 2003-01-10 TW TW92100554A patent/TW563003B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114879454A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-09 | 致真存储(北京)科技有限公司 | 一种晶圆曝光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200412473A (en) | 2004-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0134438A2 (en) | Vacuum and/or electrostatic pinchuck for holding semiconductor wafers or other flat electrical components and method for making the same | |
| US20030016116A1 (en) | Method of depositing a thin metallic film and related apparatus | |
| CN101566799B (zh) | 一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法 | |
| CN103633022A (zh) | 半导体芯片分离方法 | |
| CN109979798A (zh) | 碳化硅晶圆湿法腐蚀方法 | |
| JP4220229B2 (ja) | 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法 | |
| CN1147923C (zh) | 晶体管t型发射极或栅极金属图形的制造方法 | |
| CN109904145A (zh) | 一种薄膜电阻的制造方法 | |
| US7192848B2 (en) | Method for manufacturing mesa semiconductor device | |
| CN106876252A (zh) | 半导体器件的刻蚀方法 | |
| US20040067654A1 (en) | Method of reducing wafer etching defect | |
| JP2003347279A5 (zh) | ||
| JP2007180273A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001230233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN104934293B (zh) | 一种金属层图形化方法 | |
| TW200412473A (en) | The method of exposure for ridding surplus photoresist on the edge of wafer | |
| TW200535991A (en) | Composite layer method for minimizing ped effect | |
| JP2003158069A (ja) | 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法 | |
| US20050085091A1 (en) | Wafer etching techniques | |
| JP4969776B2 (ja) | 水晶デバイスの製造方法 | |
| US7220680B1 (en) | Method for photolithography in semiconductor manufacturing | |
| JP2002299229A (ja) | 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク | |
| CN110133094B (zh) | 测试片及其制造方法和光刻胶缺陷的检测方法 | |
| JP2003007691A (ja) | エッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| CN1358327A (zh) | 使用钛硬掩模刻蚀金金属层的方法和装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |