TW556288B - Method for thermally treating substrates - Google Patents

Method for thermally treating substrates Download PDF

Info

Publication number
TW556288B
TW556288B TW090129647A TW90129647A TW556288B TW 556288 B TW556288 B TW 556288B TW 090129647 A TW090129647 A TW 090129647A TW 90129647 A TW90129647 A TW 90129647A TW 556288 B TW556288 B TW 556288B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
expected value
value curve
substrate
temperature
heating
Prior art date
Application number
TW090129647A
Other languages
English (en)
Inventor
Jakob Szekeresch
Peter Dress
Uwe Dietze
Werner Saule
Original Assignee
Steag Hamatech Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Steag Hamatech Ag filed Critical Steag Hamatech Ag
Application granted granted Critical
Publication of TW556288B publication Critical patent/TW556288B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Description

發明說明(1·) 本發明係關於-種熱處理基板之方法,其巾,基板將分 別藉由許多彼此分離而可調控之加熱單元來進行加熱。 在半導體工業之應職域巾,此雜置可在基板, 特別是微影鮮,塗層處雌狀後之接續處理過程中,應 用此裝置熱處S基板之過程,可以達到硬化板層及對板層進 行則置化學處理之目的。在熱處理之過程中,重要的是能儘 可能的對板層断等量並鱗之触,此對絲擔續處理 過私中之可應用性甚為重要。但是其中常會產生之問題是, 在對各個加鮮元進行等量之糖作業時,由於邊際效應, 基板往往無法得到等量之處理效果。因此,如同習知之解決 万式之建議,在減理之職酸,讓練邊緣之加熱單元 的加熱私度稍微弱-些,因為基板之中央部份在開始之時有 相對較大量之待加熱物質。經過—段時間後,基板邊緣部份 足加熱單7G即會因較高之熱輻射散逸,而對其進行較強之加 熱作業。 在由同一申清人所提出之專利申請案DE_A_199 〇7 497 中’提出熱處理基板之裝置及方法,其中將由許多彼此分離 而可調控之加鮮絲對加敵進行加熱傾,織再透過 此些加熱板,來對放置於其上方之基板進行加熱。此些單一 之加熱單元會分別經由一 PID調節器來進行調控,同時將 以應然值曲線之形式,來預定所需之應然值。此處所指之應 然值曲線是隨時間變化,特別是指在不同之時間區段,而改 變之預定數值。 在處理程序中,將量測與加熱板隔開之基板表面之溫度 556288 A7 B7 五、發明說明(2·) 刀佈狀況並參考此基板表面之溫度分你狀況,及與其相對 應之應然值曲線,來決定每一加熱單元所應改變之應然值設 疋’並分別將此資訊傳輸導向PID調節器。透過此方式, 將可以在處理過程中進行應然值曲線之修正,以便維持基板 表面之溫度均衡程度。 訂 可是採用此方法往往會產生以下之問題··此處理方式只 在基板表面出現溫度不均衡狀況時,才開始啟動進行,以使 溫度之不均衡狀況可經由每一加熱單元之應然值曲線之改 變來改善。此對處理過程中未來即將出現之溫度不均衡狀態 是無法預期而事先防制的。即使是在處理過程中已出現之問 題’例如出現一過高溫值之溫度不均衡狀況,因為每一加熱 單元所设定之應然值曲線與前一次之設定相同,因此在其下 一基板處理過程中,也無法因此而事先預防。因而在下一次 之處理中,可以預期同樣會出現與前一次處理相同之問題。 在此習知之技術基礎上,本發明之任務在於,提出能自 動進行程序控制最佳化之一熱處理基板之方法,以提高一處 理基板表面之溫度均衡程度。 根據本發明熱處理基板之方法,其中基板將分別藉由許 多彼此分離而可調控之加熱單元來進行加熱,而各個加熱單 元都分別預定有一應然值曲線,其中,本發明所提出之任務 將可透過以下方法達成:亦即在熱處理過程中,隨時區域性 地量測與加熱單元隔開之基板之表面溫度,查測基板表面出 現之溫度不均衡狀況’並根據所測得之溫度不均衡狀況來決 定新的應然值曲線,並為接下來之處理程序重新設定新的應 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公釐)— ^ mm 556288 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(3·) 然值曲線。此方法可以達成自動進行程序控制最佳化,因為 每一加熱單元之應然值曲線都會重新預定,且為接下來之處 理程序做好新的準備工作,以便於在熱處理過程中出現之溫 度不均衡狀況能在決定新的應然值曲線的同時,就已列入作 為考量因素,並藉此事先防止溫度不均衡狀況在接下來之處 理過程中再度出現。藉由此方式便可產生應然值曲線之自動 最佳化,進而對基板進行一均衡之熱處理作業。 根據本發明特別建議之實施形式,在熱處理過程中所出 現之溫度不均衡狀況’可提前在決定新的應然值曲線之過程 中,便考慮進來作為進行修正之依據。例如在一定之溫度狀 態下或在處理過程中之一特定時刻,出現不均衡之溫度落 差’便可在溫度達到此預定溫度之前,或在時間達到此一特 定時刻之前,決定新的應然值曲線時便預先將不均衡之溫度 落差列入考慮,而提早進行處理及修正作業,藉由如此之方 式便可以在較低之溫度狀態下,或此一特定時刻之前,就先 排除溫度不均衡狀況。因此在狀況發生之前,便可藉此對所 查測之溫度不均衡狀況事先進行彌補平衡措施。此種預先參 考在一特定時刻或在特定溫度狀態出現之不均衡狀況,並將 其列入考量因素之方式,可以使處理過程中所出現之溫度不 均衡狀況獲得較好之改善。 最好能利用一些預定之表面選取點來量測基板表面之 溫度,如此一來便不需將所有的表面選取點都考慮進來進行 量測,以降低相對於系統所需之溫度計算量。為提高此方法 之準確性’將從各個分配有一表面選取點之表面區域上所量 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂1·——.----線泰
556288 A7 B7 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明(4·) 得之所有溫度量測值中所得之平均值,預定為此表面選取點 之溫度。其中將諸表面區域分配給表面選取點之分配方式, 在至少一量測週期内應維持固定,為在整個量測週期中可以 獲得等量之結果。 在本發明所特別建議採用之實施形式中,可依表面選取 點分配至加熱單元之比例分配方式,來決定新的應然值曲 線,藉此則可顧及加熱單元對不同表面選取點所產生之不同 影響程度。為維持一量測週期内等量之結果,將單一加熱單 元比例分配至表面選取點之分配方式,應在至少一量測週期 内維持固定。此單一加熱單元依比例分配至表面選取點之分 配方式卻可在決定新的應然值曲線時作改變,以便於根據此 分配方式來達到最佳化。 為產生一足之加熱曲線’此應然值曲線須在一定之時間 區段中進行應然值之改變。為使應然值曲線能更有彈性之變 化,最好能在決定應然值曲線的同時,重新選擇改變應然值 之時間區段之大小。 建議只在預定之臨界值出現溫度不均衡狀況時,才重新 預定新的應然值曲線,因為溫度不均衡狀況在低於一最佳化 系統之臨界值時’該系統將不再對其進行改善之處理作業。 建"*義在進行熱處理時’將基板置於介於各個加熱單元與一基 板間之一板片上。 本發明包含有用於熱處理基板之許多分離而可調控之 加熱單元,藉由對其應然值曲線進行最佳化之方法,可以達 成本發明之任務,其加熱單元將分別根據所預定之應然值曲 ---------------------訂 i·---I---線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
556288 A7
五、發明說明(5·) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 線來加溫;在加熱之過程中,將選定與加熱單元隔開之基板 表面之一些表面選取點來進行溫度量測,並且隨時查測在基 板表面產生之溫度不均衡狀況;同時,在處理程序中,將根 據溫度不均衡狀況預定新的應然值曲線,並將其應用在接下 來之加熱過程中;其中此些處理步驟應不斷重覆,直到在加 熱過程中之每個時刻,溫度不均衡狀況都在先前所預定之臨 界值之下。藉由以上所說明之方式,便可決定出一最佳之應 然值曲線。 建礒在微影光罩上採用本發明所提出之方法。 本發明將藉由以下所建議之實施例並配合一些圖示來 詳細說明;其中圖示分別說明如下: 圖一為根據本發明之熱處理基板系統之一侧視圖; 圖二a為一裝設於一加熱板上方之基板之示意圖; 圖二b為一表格,顯示各個加熱單元對基板上某一特定之 表面選取點之影響; 圖三為一顯示熱處理基板過程中,各個單一區塊在時間軸 上應然值分佈之變化狀況之圖,此單一區塊為一可區 域調控之加熱板(5x5之加熱區塊); 圖四a為一顯示加熱板上區域應然值分佈狀況之表格,其 中熱處理基板之過程將以110°C為一溫度目標值; 圖四b為一應然值曲線之圖表說明; 圖五為一預定應然值曲線之自動最佳化過程之循環流程 示意圖。 圖一顯示熱處理基板之裝置1之侧視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公H ' -9- -------—*------------訂---------線 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 556288
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 裝置1中包含有-關可_式之加熱板2;此加熱板 乃由-橫城縣上為-㈣之正方縣板3雜成。此底 板3—有-平坦之頂面5及-切分之底面6。此底面6乃分別 被藉由4個與加熱板之懒垂i之槽孔7分成共25個正方 形區塊8。此槽孔7之深度大約有底板3厚度之—半。加熱 板2之正方形區塊8分別設置有正方形之加熱單元ι〇,^ 加熱單元乃以—適#之方式,例如特方式與底板3之區塊 8連接,並與之共同構成諸加熱區塊。藉由將加熱單元 分別安置於讀孔7所分·之_ 8上,此加鮮元之熱 感應區域乃是彼簡立分開,彼此之間不會互娜響,亦即 加熱單元彼此之間不會规熱料應。可是此加熱單元ι〇 經由底板3彼此會產生足夠之熱聯結,以使底板3之頂面5 可以形成均衡之溫度分佈航,而轉每—域科之熱量 直接影響到細5之溫度®。麵個加鮮元10上均設置 有-未晴出之溫度感應器,如熱電偶,用來量測加 1〇之實際溫度。其巾也可制其他光學感應之溫度=應器 來取代熱電偶。 僅管加熱板2是由-整塊底板3戶斤組成,其中包括有用 來將底板3之頂面6分成許多區塊之槽孔7,纽要特別提 出,明的是,此底板3也可以完全用拼組方式來構成,而加 熱早tgIG乃直接或經由中介單元和底板3連接。同樣的, 本發明並不限於區塊8及加鮮元1G之實卿式及數目。 加熱板1之底板3之平坦頂面5與待處理之基板12相 鄰,例如介财間之間隔大小在ο·!至a5mm之間。如此基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵G x 297公爱) -10-
-------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tT-'ϊ——;----線在 556288
五、發明說明(7·) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 板是藉由在加熱板1上方之4個未圖繪出之固定裝置來加以 固定。在加熱板1及基板12之上方設置有_紅外線像機形 式之溫度量雌置17。此紅外雜機17是轉與加熱板1 隔開之基板12之頂面18所裝設。此紅外線像機17包含有 未詳細圖繚出之-裝有可動式鏡片之掃雜置,透過此鏡片 可以循序掃喊板12之整絲面ι8。透過鱗瞄裝置可以 疋成基板12之頂面18隨不同位置量測出來之溫度分怖狀況 圖’而且整個表面每秒掃瞄一次。 此紅外線像機17乃透過一資料傳輸線2〇與一電腦22 式之計算器連接。利用電腦來對紅外線像機所測得之數值進 行计算處理,並且藉此來量測出基板表面隨空間位置變 化而改受之度分侔狀況,以下將更詳細說明其處理程序。 在圖一中可進一步看到一程序調控裝置24,及一 pjD 調節器26,其中,此pid調節器乃分別與每一加熱單元1〇 及未圖繪出之溫度感應器連接,並共同形成一調節循環。此 PID調節器在調節每一加熱單元1〇之加熱效果時,乃依據 由程序調控裝置所預定之應然值曲線,亦即隨時間,特別是 時間區段而改變之溫度應然值序列,同時也依據經溫度感應 器所量得之實際溫度值來進行。 圖一顯示出其上置有基板12,例如微影光罩之加熱板1 之頂面透視圖。其中以圖表繪出藉由加熱單元1〇及諸區塊 8所構成之諸加熱區塊,並以數字標示從丨至25。在基板 12上,表面選取點標示由1至13,乃作為分配點之用,此 在以下敘述會有更詳盡之說明。 本紙張尺度剌中國國家標準(CNS)A4規格⑽χ挪公爱) -11- nlnlllm ills — ^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明說明(8·) 由圖二顯示之頂面透視时可看itl,絲覆蓋了加熱板 2共25個加熱區塊之9個中央區域。因此,僅管在熱處理 過私中其他區域對熱處理絲也多少有,但有主要影響 效力的仍是此9個加熱區塊。 根據圖二b之表格說明,表中顯示每一加熱區塊分別分 配至基板上之表面選取點之分配狀況。在圖二中所列之分配 狀況及比例狀況並非精準,只是分配比例之原則性說明。例 如加熱區塊1所產生可達基板12之加熱效果只會影響基板 12於表面選取點丨之範圍之溫度。因而加熱區塊應百分之 百为配給表面選取點1。相反的,加熱區塊2所產生之可達 基板12之加熱效果則不只會影響於表面選取點丨之範圍之 /皿度’也同樣會影響表面選取點2之溫度。此外,從加熱區 塊2所散逸出之熱量對表面選取點丨之影響效果是對表面選 取點2之影響的3倍。因此,加熱區塊2上所分配給予表面 選取點1及表面選取點2之間的比例是75比25。表格二b 顯示加熱板1之所有25個區塊之分配比例。 圖三說明在4個不同時間,在熱處理基板過程中,具5 X 5之加熱區塊之調控功能的加熱板之每一區塊在不同時間 應然值分佈狀況之變化;其中此溫度分佈狀況乃群集在溫度 中間值曲線附近。此中間值曲線乃顯示在基板表面上所量得 之溫度平均值在時間軸上之變化狀況,圖中繪出之所有垂直 線標出各個加熱區塊之應然值預定作業有所更改之時間 點。在中間值曲線圖中,垂直軸表示以。C為單位之溫度t, 而水平軸則表示以秒及分為單位之時間T。在4個時間點量 556288 B7 五、發明說明(9·) 測所得之區塊性應然值分饰狀況圖中,垂直軸上每一加熱區 塊之應然溫度以。C為單位標出。其他兩軸顯示出5 X 5之加 熱區塊之基底結構。左上角之圖顯示在開始進行熱處理時, 亦即從0秒至大約1分鐘之啟始時間區段中,加熱板之各個 區塊之應然值分佈狀況。位於其右邊之圖表顯示有區域性調 控功能之加熱板從大約2分5秒之時間點開始之應然值分佈 狀況,此段時間包括了大約從2分鐘至3分鐘之第三時間區 段。左下角之圖顯示從大約5分鐘之時間點開始之第六時間 區段之應然值分佈狀況,而其右邊之曲線圖則顯示大約從 11分4里之時間點開始之最後一個時間區段之應然值分命狀 況。 由左上角之分佈圖中可觀察到,在熱處理開始進行之 時,中央區塊部份之加溫效應要比其他區塊還強,因為此區 域必須進行加熱處理的量也相對較大。從位於其右方之分佈 圖中可觀察到’中央區塊之加熱程度較低,此乃因為基板之 邊緣區塊有較大的熱能輻射散逸。同樣的,在位於下方之諸 分佈狀況圖中也可以觀察到,加熱板之邊緣區塊中之至少部 份區塊之加溫程度比中央區域強。 圖四中顯示一微影光罩之熱處理作業之標準數據圖 表’其中在樣mr測试表面之溫度目標值乃設為11〇〇C。圖四 a中表列說明加熱板各區塊之應然值分佈狀況,其中位於左 邊之欄位標示出在各個溫度進程中之每個時間區段之長 度。圖四b繪出應然值曲線之三維圖示說明,其中垂直軸上 顯示以。c為單位之溫度t,在水平軸上標示加熱區塊i至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297^公釐: -—-------------訂 i'---*----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556288 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A7 ____Β7 ---------— 、發明說明(1〇·) 25,而向後延伸之軸則顯示時間區段R1至R9。由此三維圖 示可清楚觀察到加麵塊1至25分別有各懈同之熱量^ 控方式,其中在熱處理剛開始之時,中央加熱區塊之加熱程 度最強。 圖五顯示一循環流程,此循環流程環路顯示對加熱板^ 各個加熱區塊之應然值曲線進行自動最佳化之處理流程。循 環處理流程將從區塊30開始進行,在循環過程中加執 之25個區塊會分別預定一特定之應然值曲線。此在二開始 所採用之舰值曲線可以是任何形式,例何以全部相同: 或可以標準化後之啟始曲線,以下將對此有進一步之說明。 此些應然值曲線是用來熱處理一特定之基板,以使其達到一 預定之溫度目標值。 在熱處理之過程中,乃藉由紅外線像機17來量測與加 熱單^ 10隔開之基板12之表面18之溫度,並將其傳輸至 计算器22。由分別分配有一表面選取點之表面區域所測得 之所有溫度值,將其平均所得之平均值透過計算器22分別 分配設定予先前提過之基板表面之諸表面選取點。藉由此分 配之方式,將可簡化接下來新應然值曲線之計算工程。 在區塊34之作業過程中,將對基板表面之表面選取點 彼此間之溫度差,在熱處理過程中之每一時刻都加以確定, 並將其與-獄之轉值來比較。若在進行熱處理過程中之 任一時刻,上述溫度差值都低於此臨界值,則將進行區塊 之程序〃周控,此區塊表示處理過程呈現一最佳化應然值 曲線狀態,且不需其他進一步之調適措施。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------•訂 i、---.----線巍 本紙張尺度適用中準(CNS)A4 ϋ21ΰ x 297公爱) -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556288 A7 --------BL.___ 五、發明說明(11,、) 若溫度差值仍偶有超過臨界值之狀況,則將進行區塊 38之程序調控,其中,此程序調控中將對每一加熱單元之 應然值曲線進行重新計算。其中所採用之運算法則包括將基 板上之表面選取點以預定及比例分配之方式分配到加熱板 面之諸區塊上。新計算得出之應然值曲線將傳輸到啟始區塊 30取代現行之啟始曲線。藉由重新計算應然值曲線之過 私,將進一步開始進行一下一次新的熱處理程序,同時基板 表面之溫度分饰狀況將在區塊32中進行量測作業。此循環 说私將會不斷繼續直到基板表面之表面選取點間之溫度差 值在任何時刻都低於預定之臨界值。同時此刻將呈現一最佳 化之應然值曲線’而在接下來之熱處理程序中,將其應用在 有相同參數而且設有相同溫度目標值之熱處理基板過程中。 在進行應然值曲線之重新計算作業時,並不只在一預定 的溫度區段中變化溫度之預定值。而每一時間區段之時間長 度也應有適應性的變化。 同木k地’試測樣品之表面區域分派至表面選取點之分配 方式及表面選取點分派到加熱板面之區塊之分配方式也同 樣應有調整改變之可能性。 根據本發明所建議採行之實施形式,在重新計算應然值 曲線之過程中,便已將定時量測作業中所會出現之溫度不均 衡狀怨預先考慮進來’以便可以提前達到合適之曲線。例如 在T=50秒之時間點上,若在一特定之表面選取點出現溫度 不均衡狀況,將會在較早之時間點,例如在Τ=3〇秒之時間 點計算新的曲線之過程中便預先考慮到;其中改變至少一加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15-
Ί --------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556288 A7 ------- B7 _— — 五、發明說明(12·) 熱單元之應然值曲線,可使其在較早之時間點便進行區域性 較強或較弱之加熱作業。如此可使加熱單元之溫度不均衡狀 況不會出現很大的溫度落差,而每一時間區段内所預定之不 同之應然值彼此間之落差也不致太大。 以上所述之最佳化過程將針對各個不同之基板以及每 一溫度目標值來分別進行其作業。在不同之溫度目標值進行 熱處理時,在量測理想應然值曲線之過程中,為節省作業時 間’首先將計算一標準化曲線。此計算乃假設,在不同之溫 度狀態下,基板類型之熱反應基本上是相同的。因此標準化 曲線便是由最佳化曲線來求得,其方式是將最佳化曲線除以 最佳化曲線的溫度目標值,以得到一標準化之曲線。對其他 各個所期望之溫度目標值,現則可將標準化曲線乘上此新的 溫度目標值。依此方式計算出來之應然值曲線將在圖五中之 循環流程中作為啟始曲線之用。藉此可以使循環流程在達到 最佳化曲線之前的循環次數明顯降低。 此種取佳化曲線也可與由專利案件DE-A-199 07 497 所揭示之方法配合應用,此也是本專利案應用範圍之對象, 為避免重覆,其内容在此不再敘述。另外此最佳化循環流程 也可讓使用者順利地在程序調控過程中隨時間讓其自動進 行最佳化作業。 本發明以上之敘述乃根據一本發明建議採用之實施例 來做說明,但本發明並不只限於用在此一特別之實施形式。 例如加熱板也可以是其他形狀,例如像圓形,包括採用圓形 或環區狀所組合成之加熱單元。採用另一種也有區域量測效 ----------------訂 L---·---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
556288 A7 B7 五、發明說明(l3·)果之溫度量測裝置也可取代紅外線像機 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 丨訂· ———'----線Φ-· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297 $釐

Claims (1)

  1. 556288 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S__ 六、申請專利範圍 熱單元之分配方式來完成。 7·根據申請專利範圍第6項所述之方法,其特徵為,此比 例之分配方式在至少一量測週期内應維持固定不變。 8·根據申請專利範圍第6項所述之方法,其特徵為,此比 例之分配方式在決定新的應然值曲線時,會有所調整改 變。 9·根據申請專利範圍第1項所述之方法,其特徵為,在決 定新的應然值曲線時,調變應然值曲線之時間區段,其 選取也將重新調整。 10·根據申請專利範圍第1項所述之方法,其特徵為,只有 在溫度不均衡狀況超過一預定之臨界值時,才會重新決 定應然值曲線。 11·根據申請專利範圍第1項所述之方法,其特徵為,在熱 處理過程中,基板乃放置於介於各個加熱單元與基板之 間之面板上方。 12·根據申請專利範圍第丨項所述之方法,其特徵為,由一 取佳化之應然值曲線所算出之標準化應然值曲線,將被 應用作為應然值曲線之原型。 13·—種應然值曲線進行最佳化之方法,此應然值曲線乃應 用在基板進行加熱中許多彼此分離而可調控之加熱單 元,其步驟如下·· μ a·根據分別預定之應然值曲線,來對加熱單元進行加 熱; b·在進行加熱之過程中,對被各個加熱單元所隔開之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -20-
    六、申請專利範圍 d. f· 556288 基板表面進行區域性之溫度量測; C·定時查測在基板表面出現之溫度不均衡狀況; 在處理程序中,依據溫度不均衡狀況來決定新的應 然值曲線; 在接下來之加熱過程中,採用新的應然值曲線; 重覆步驟a·至步驟e·,直到溫度不均衡狀況在任何 加熱時刻都低於一預定之臨界值。 14·根據申請專利範圍第13項所述之方法,其特徵為,此最 佳化處理係應用在熱處理過程中不同之基板及不同之溫 度目標值。 15.根據申請專利範圍第14項所述之方法,其特徵為,所預 定之應然值曲線之原型是依據先前最佳化之應然值曲線 而算出之標準化應然值曲線。 • I I I ! J I t !1-! I I - — III — I·— «Ι — lllli — . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度朝中國®^¥^(CNS)A4規格(210 Χ 297公爱) -21
TW090129647A 2000-12-01 2001-11-30 Method for thermally treating substrates TW556288B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10059665A DE10059665C1 (de) 2000-12-01 2000-12-01 Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW556288B true TW556288B (en) 2003-10-01

Family

ID=7665373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090129647A TW556288B (en) 2000-12-01 2001-11-30 Method for thermally treating substrates

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6919538B2 (zh)
EP (1) EP1340244B1 (zh)
JP (1) JP4880864B2 (zh)
KR (1) KR100831508B1 (zh)
CN (1) CN1311517C (zh)
AT (1) ATE356428T1 (zh)
CA (1) CA2436424C (zh)
DE (2) DE10059665C1 (zh)
HK (1) HK1070985A1 (zh)
IL (1) IL156179A0 (zh)
TW (1) TW556288B (zh)
WO (1) WO2002045135A2 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659328B2 (ja) * 2002-10-21 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 被検査体を温度制御するプローブ装置
JP4033809B2 (ja) * 2003-06-16 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US20050145614A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rapid temperature compensation module for semiconductor tool
US20050217799A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Wafer heater assembly
US7415312B2 (en) * 2004-05-25 2008-08-19 Barnett Jr James R Process module tuning
DE102004055449B4 (de) * 2004-11-17 2008-10-23 Steag Hamatech Ag Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
US7598150B2 (en) * 2006-11-20 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Compensation techniques for substrate heating processes
US8669497B2 (en) * 2007-03-30 2014-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for predictive temperature correction during thermal processing
US8150242B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Use of infrared camera for real-time temperature monitoring and control
JP4959669B2 (ja) * 2008-12-05 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
US8791392B2 (en) 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
US10163668B2 (en) * 2011-08-30 2018-12-25 Watlow Electric Manufacturing Company Thermal dynamic response sensing systems for heaters
US10883950B2 (en) 2011-08-30 2021-01-05 Watlow Electric Manufacturing Company Multi-parallel sensor array system
AT514454B1 (de) * 2013-07-11 2015-03-15 Engel Austria Gmbh Heizvorrichtung
JP6431190B2 (ja) * 2014-10-31 2018-11-28 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー ヒーター用熱動的応答感知システム
JP6391558B2 (ja) * 2015-12-21 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
DE102020100481A1 (de) * 2020-01-10 2021-07-15 Aixtron Se CVD-Reaktor und Verfahren zur Regelung der Oberflächentemperatur der Substrate
DE202022106307U1 (de) 2022-11-10 2024-02-14 Engel Austria Gmbh Heizanordnung und Anordnung einer Formgebungsmaschine mit einer Heizanordnung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650082A (en) * 1993-10-29 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Profiled substrate heating
JP3563224B2 (ja) * 1996-03-25 2004-09-08 住友電気工業株式会社 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置
US5740016A (en) * 1996-03-29 1998-04-14 Lam Research Corporation Solid state temperature controlled substrate holder
KR100551980B1 (ko) * 1997-11-03 2006-02-20 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 저질량 지지체를 이용한 웨이퍼의 처리방법 및 장치
WO2000001628A1 (en) * 1998-07-01 2000-01-13 Intevac, Inc. Heating assembly for rapid thermal processing system
KR100273318B1 (ko) * 1998-11-04 2001-01-15 김영환 반도체 기판의 열처리 장치 및 열처리 방법
DE19907497C2 (de) * 1999-02-22 2003-05-28 Steag Hamatech Ag Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten

Also Published As

Publication number Publication date
US6919538B2 (en) 2005-07-19
ATE356428T1 (de) 2007-03-15
EP1340244A2 (de) 2003-09-03
HK1070985A1 (en) 2005-06-30
DE50112169D1 (de) 2007-04-19
CA2436424C (en) 2010-04-13
JP2004526297A (ja) 2004-08-26
KR100831508B1 (ko) 2008-05-22
KR20030067695A (ko) 2003-08-14
IL156179A0 (en) 2003-12-23
DE10059665C1 (de) 2002-07-11
CN1311517C (zh) 2007-04-18
US20040195229A1 (en) 2004-10-07
WO2002045135A3 (de) 2003-03-13
WO2002045135A2 (de) 2002-06-06
CN1552089A (zh) 2004-12-01
CA2436424A1 (en) 2002-06-06
JP4880864B2 (ja) 2012-02-22
EP1340244B1 (de) 2007-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW556288B (en) Method for thermally treating substrates
TW460980B (en) A device and a method for thermally treating substrates
TWI281694B (en) Control process, temperature control process, temperature regulator, heat treatment and recordable medium
Hutter et al. Experimental pool boiling investigations of FC-72 on silicon with artificial cavities and integrated temperature microsensors
US7968825B2 (en) Temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium recording program thereon, and temperature setting apparatus for thermal processing plate
KR20070086130A (ko) 열처리판의 온도 설정 방법, 열처리판의 온도 설정 장치,프로그램 및 프로그램을 기록한 컴퓨터 독취 가능한 기록매체
TWI241656B (en) Method and system for compensating for anneal non-uniformities
JP2002170775A (ja) 半導体処理装置における温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置
JP2007123643A (ja) 成膜装置、成膜方法、成膜装置のモニタリングプログラムおよびその記録媒体
US11424102B2 (en) Model generation apparatus, model generation program, and model generation method
CN108376662A (zh) 工艺腔、工艺腔的加热控制方法及装置
TW200809978A (en) Temperature uniformity measurements during rapid thermal processing
KR20080063118A (ko) 레지스트막을 열처리하기 위한 온도 제어 방법 및 그 장치
CN103792971B (zh) 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法
TWI379613B (en) Temperature setting method for heat treatment plate, temperature setting program, computer-readable recording medium capable of storing program, and temperature setting device for heat treatment plate
JP2006013517A (ja) 磁場の変化を利用した温度測定装置
CN103426794A (zh) 晶圆加工室灯模块的实时校准
WO2013069362A1 (ja) 発熱点検出方法及び発熱点検出装置
CN208478290U (zh) 工艺腔
JP2008097910A (ja) 異常検出装置、異常検出方法、温度調節器および熱処理装置
JP2018022114A5 (zh)
JP2008053150A (ja) 加熱装置及び加熱方法
US8135487B2 (en) Temperature setting method and apparatus for a thermal processing plate
JPWO2020162121A1 (ja) 厚み計測方法及び厚み計測装置、並びに欠陥検出方法及び欠陥検出装置
JP5918637B2 (ja) 熱板温度補正方法、熱板駆動装置、及び基板加熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees