TW548475B - Fabrication method of homeotropic aligned LCD structure and the bump structure - Google Patents

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Description

548475 五、發明說明（1) 發明領域 本發明係關於多域分割液晶顯示器（multi-domain liquid crystal display，MD-LCD)的結構及製作方法。 特別是關於交錯凸塊（cruciform bump)形成在晝素電極 (pixel electrode)四周的多域分割垂直配向 (homeotropic aligned)液晶顯示器（MHA-LCD)的結構及此 〜交錯凸塊結構的製作方法。 ❶發明背景 液晶顯示器的市場正快速蓬勃拓展中，尤其是應用在 筆記本個人電腦（notebook PC)和監視器（monitor)上。然 而’當較大型且較高解析度之液晶顯示器面板製成的桌上 型（desktop)監視器湧入（invade)市場時，廣視角和反應 速度（response speed)的需求就變得更重要。不僅是角度 上光党度的對比（contrast ratio)、灰階反轉（gray-scale inversion)、色彩（colorimetry)和液晶顯示器光 <1學上的反應等因素需要考量。同時，多域分割垂直配向液 晶顯示器的有效成本的設計和製程也是必要的。 在垂直配向液晶顯示器中要得到廣視角的最重要的技 術疋’去控制液晶多域（Lc domains)的方法。傳統的液晶 顯示器多為90度扭轉（twisted nematic，TN)型液晶顯示
第4頁 548475 五、發明說明（2) 杰’含液晶顯示器面板（pane 1 )，外側加以正交偏光片 (crossed p〇larizer)。其視角有先天上的缺陷，左右正 負40度’上下正負3〇度。加以反應速度約5〇ms，色散不 佳’難以在高品質的產品有所應用。其製程中所應用到的 疋向摩擦技術（rubbing process)更有靜電（ESD)防制和粉 塵（particles)污染的問題。 由於在高品質產品的要求上，需要廣視角。所以，多 ❶域分割垂直配向液晶顯示器結構的也因應而生。在液晶顯 示器面板外側貼有補償膜（compensating f丨im)和正交偏 光片’液晶模式（LC mode)為多域分割。不僅具有廣視角 及色散小的優點，在製程上亦無須定向摩擦，並且具有乾 淨無靜電的優點。 目W ’多域分割垂直配向液晶顯示器結構的技術有， IBM的柱狀邊緣電場垂直配向（ringe and卜匕代 h〇me〇tr〇pic align，RFFHA)的結構，有凸塊形狀-反 向Y(Y-inversed Y)型，和日本富士通（Fujistu)的多域分 割垂直配向（multi-domain vertical aHgned，MVA)的社 構，有著W-型（W-shape)凸塊結構，其凸塊結構分別如圖丄 和圖2所不。在圖1中，凸塊結構形成在畫 帶，並呈Y-反向Y的形狀。在圖？ φ Λ ^ 幻甲兴地 ρ . μ , ^ w 在圖2中，凸塊結構形成在上下 片基板上’並呈W型。這些技術雖在製程上無須定向摩 擦’然而’仍需要使用較為複雜的製冑，例如，富士通的 548475 五、發明說明（3) MVA需要在兩片基板上同時作凸塊。 發明概要
本發明克服習知多域分割垂直配向液晶顯示器結構的 困難和缺點。其主要目的之一是，提供一種交錯凸塊形成 在畫素電極四周的多域分割垂直配向液晶顯示器的結構。 本發明之交錯凸塊的結構係建構在彩色濾光片（c〇l〇r filter)或疋溥膜電晶體（thin fiim transistor，TFT)的 單片基板（substrate)上。 在本發明之父錯凸塊結構的實施例中，交錯凸塊形成 在晝素電極四周，此結構提供液晶分子預傾角，有助於液 晶分子再加外加電場後，有序排列，進而形成四方向多域 分割（Four-Domain，4D)。
本發明之交錯凸塊結構，使得液晶顯示器具有光學反 應速度（optical response)快於 30ms、全視角（aH viewing angle)大於140度、上下左右視角在對比大於2〇〇 %’可達50度、光党度的對比（contrast ratio)可達7Q0· 1以上、部份的灰階反應速度快於1 6· 5ms，以及色散 (color dispersion)小的優點。 本發明之另一目的是，提供上述交錯凸塊在晝素電極
第6頁 548475 五、發明說明（4) 四周的多域分割垂直配向液晶顯示器的製作方法。本發明 之交錯凸塊的製作方法是利用一般黃光製程或背面曝光 (back-side exposure，BSE)方法，快速乾淨無污染，大 幅簡化製程。而且只需在單片基板上做凸塊，即可形成多 域分割，提升液晶模式光利用率（Ught efficiency of LC mode)到90度扭轉型液晶顯示器的55%。 狄配合下列圖式、實施例之詳細說明及專利申請範 圍，將上述及本發明之其他目的與優點詳述於后。 圖式之簡要說明 01係省知夕域分割垂直配向液晶顯示器之IBM的mfha 之Y-反向Y的凸塊結構的示意圖。 圖2係另一習知多域分割垂直配向液晶顯示器之曰本富士 通的MVA的W-型的凸塊結構的示意圖。 田
圖3係本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器的剖面結構 示意圖。 、口 圖4 (a)係本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器，交錯凸 塊形成在畫素電極四周之凸塊結構的一頂視示音、圖。
第7頁 548475 五、發明說明（5) 圖4 ( b)係本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器，形成在 畫素電極四周之凸塊大小的一示意圖。 圖5說明製作圖4之凸塊結構的背面曝光方法。 圖6係本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構的多域 分割垂直配向液晶顯示器的一側視示意圖。 圖7 ( a )係本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器的正交偏 ΐ二ΪΪΪ放置在正負45度方向時，在輸入驅動電壓狀態 下的先學圖像的示意圖。 係本發明之多域分割垂直配向 方向時’在輸入驅動電壓狀偏 配向液晶顯示器 圖〇 圖8(a)至圖8(f)係本發明之多 在畫素電極或是it雷搞μ W▲直^丨~狀品顯 ^ ^ 形成的各種開口圖案的示意 圖9說明本發明之利用背 域分割垂直配向液晶g頁-时 '以：作凸塊結構的多 …電壓對穿透率的曲線圖。 圖10說明本發明之利用背 域分割垂直配向液晶gi _ ~ 耒製作凸塊結構的多 顯不益’光學上的反應圖。
第8頁 548475 五、發明說明（6) 圖11說明本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構的多 域分割垂直配向液晶顯示器，灰階之間的反應圖。 圖1 2說明本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構，且 貼有補償膜A -板和C -板的多域分垂直配向液晶顯不為j 對空間分佈之亮狀態的穿透率與暗狀態的穿透率之間不同 對比的廣視角。 〇圖1 3說明本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構的多 域分割垂直配向液晶顯示器之色差的分佈圖。 圖號說明 300 本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器的結構 301、302正交偏光片 303、304補償膜 30 5畫素電極層 306共電極層 307液晶夾層 308、309 基板
^ 31 0交錯凸塊結構 401聚合凸塊結構 403、404 畫素電極 501紫外光 5 0 3匯流排線 601、602 配向膜 402薄膜電晶體基板 5 0 2金屬電極 504 凸塊結構 60 3彩色濾光片基板
第9頁 548475 五、發明說明（7) 6 0 5、6 0 5 ’正交偏光片 6 0 7補償膜C-板 吸收軸 7 0 4凸塊 706黑紋區 吸收轴 6 0 4液晶分子 60 6補償膜a〜板 6 0 8液晶分子 701、702正交偏光片 70 3畫素 705透光區 707、708正交偏光片 發明之詳細說明 本f明之多域分割垂直配向液晶顯示器模式的主要運 作原理疋利用邊緣電場（f r i nge f i e 1 d)效應和凸塊結構 的組合效果’來形成多域分割的廣視角。當輸入電源電壓 後本發明可以控制液晶分子（LC mo 1 ecu 1 es )的傾斜方 本發明使用交錯凸塊結構，且係建構在彩色濾光片或 疋薄膜電晶體的單片基板上。在液晶顯示器面板外側貼有 補償膜和正交偏光片。 圖3係本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器的剖面 結構示意圖。參考圖3，此液晶顯示器的結構3 〇 〇包含—、 晶單元（LC cel 1)、一對正交偏光片301和302、補償膜液 和3 04，以及一交錯凸塊結構310。此液晶單元包括晝素3 極層30 5和共電極層306，以及内有液晶夾層30 7的—m、電 行基板308和30 9。正交偏光片係外貼於此液晶單元。 補儅
第10頁 548475 五、發明說明（8) 膜303和304係貼於正交偏光片3〇1和3〇2之間。交錯凸塊結 構3 1 0形成在畫素電極四周的補償膜可以是負型相位差板 (negative birefrigence)和單軸相位差板（uni_axiai birefrigence)的多種排列組合，如一片c板（cpiate)和 一片A-板（A-plate)，或是至少一片的雙軸相位差膜 (bi-axial film) 〇 晝素電極可以是由Φ - / / .. 疋田王勤兀件（act ive matrix)驅動所 形成的晝素單元’也可以是和主動元件共 y動所 在上方的構造。主動元件可以是非晶：疋= 夕、夕日日石夕、低溫多石夕之薄脸雷θ ,, θ (Ί 寻膜電日日體’或疋電漿驅動元件 (Plasma address device)等元件。 根據本發明，形 用一般黃光製程或是 般而言，利用黃光製 光阻（photo res ign) 步驟。基板投入的步 讀_制元件’如薄膜電晶 在此基板的頂部表面 有光阻的基板置於熱 基板的正上方，利用 掉被曝光的光阻材料 域’以顯影出凸塊結 成在晝 自動對 程製作 、預烤 驟包括 體，和 塗上光 盤（hot 光罩來 區域， 構。凸 素電極四周 位的背面曝 凸塊結構包 、曝光、顯 提供一基板 電極層等。 阻材料。預 plate ) JL 對準曝光。 而保留未被 塊經中烤的 的交錯凸塊結構可 光方法來製作。一 括有基板投入、上 巧、’中烤和硬烤的 ，此基板上備有控 上光阻的步驟，即 烤的步驟則將此塗 >曝光的步驟是從 顯影的步驟，為洗 曝光的光阻材料區 步驟，而改善凸塊
第11頁 548475
的形狀（shape)。硬烤的步驟是將改善形狀後的凸塊結構 硬化。 本發明之實施例的交錯凸塊結構形成在晝素電極四 周。此結構提供液晶分子預傾角，有助於液晶分子再加外 加電場後’有序排列，進而形成四方向多域分割。凸塊結 才=可設計在電極層的上方或下方。圖4(a)為本發明之多域 分割垂直配向液晶顯示器，交錯凸塊形成在畫素電極四周 之凸塊結構的一頂視示意圖。如圖4(a)所示，一聚合凸塊 結構401建構在單片薄膜電晶體基板402的匯流排線（bus 1 ine)上。此凸塊結構4〇ι呈交錯結構，且圍繞於此薄膜電 晶體基板402的畫素電極4〇3和404等。 凸塊結構401的高度約為〇· 5 ，寬度在i 以 上。凸塊的側視剖面圖的形狀可以是圓底凸起、方底凸 起、或是平均斜角約為3度到7〇度之間等。畫素之單邊的 大小尺寸（pixel size 〇n a side)可從 3/zm 至 3 50 /zm，而 畫素形狀可以是近似矩形或方形的矩陣排列，或是馬塞克 排列。一般’近似矩形的晝素，寬度和長度的比為丨：3。 在晝素大小為1 2 7 # m X 1 2 1 // m的馬塞克排列的例子裡， 旦素的透光開口區的大小為η 〇 # ^ X 11 〇 # m，則凸 塊的大小W! x W2為1 7 " m x 1 1 v m，如圖4 (b)所示。此凸塊 結構可使本發明之液晶顯示器具有光學反應速度為 25·37ms 〇
第12頁 548475 五、發明說明（ίο) 如圖4所示之液晶導引器（director)具有高的預傾角 (pre-tilted angle)。環繞凸塊結構401 的微光（shimmer) 可以被彩色濾波器（c〇l〇r f i 1 ter)的黑色矩陣（black matrix)隱藏。呈現的暗狀態（dark state)則是相當黑 暗0 根據本發明，圖4之凸塊結構的製程，除了一般的黃 光製程外，可利用自動對位的背面曝光方法來製作，自然 形成在畫素電極的四周，並建構在含畫素電極的單片基板 上。此凸塊結構的曝光方法快速乾淨無污染，製程無須用 到定向摩擦的技術，無靜電防治問題。而且只需在單片基 板上做凸塊，即可形成多域分割。圖4之凸塊結構的製 程’主要包含有基板投入的步驟、上光阻的步驟、背面曝 光的步驟’以及顯影的步驟。凸塊的材料可為咸光型 (photoresist)光阻，如含有壓克力樹脂（vinyl — cinnami - acid)、橡膠（rubber style)等負型光阻劑，戈 含有盼駿樹脂、化學放大型阻劑等正型光阻。圖5說明二 _作圖4之凸塊結構的背面曝光方法。 衣 參考圖5，首先，從薄膜電晶體基板4〇2的底部 入紫外光（1111；1^“〇1414111:)501。因為薄獏電曰批 402上的金屬電極502是不透光的（opaque)，纱$ 土 负後，养由昭 相石版印刷（photo-lithographic)的程序，確Λ 9 …、 14流排線503
第13頁 548475 五、發明說明（Π) 上1凸，結構5 04自然顯影在這些不透光區域的頂部。這 们&序疋自動對位調整曝光，不需遮罩對準曝光。
夕、圖6係本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構的 多域分割垂直配向液晶顯示器的一側視示意圖。參考圖 6 ’自動對位背面曝光後，配向膜（alignment f Um)6〇1和 602分別印製在頂部之彩色濾光片基板6〇3的共電極6〇9和 底部之薄膜電晶體基板4〇2上的金屬電極5〇2。組裝基板 後，將液晶射入細胞單元。 由於此配向膜601和602的緣故，液晶因而垂直固定於 凸塊結構504的邊緣。環繞於像素周圍的高預傾角也被此 凸塊結構504所導引而產生，其間不需利用到定向摩擦的 的程序。 被配向後的液晶不會對入射光（incident丨ight)的偏 極（polarization)作配向。在關掉驅動電壓的狀態 (OFF state)時’如圖6右方所示，液晶分子6〇4與電極垂 〇直。因為液晶顯不器是夾在正交偏光片605和605，之間， 所以’呈現的暗狀悲則是相當的零暗。 正常情況下，為了減小暗狀態的角相依性（3112111^ dependence)，補償膜A-板606和〇—板6〇7對一配向後的液 晶顯不益是需要的。在輸入驅動電壓的狀態（〇N state)
第14頁 548475 五、發明說明（12) 時’液晶分子導引器開始重新定位（r e 〇 r i e n t)，如圖6左 方所示，液晶分子608呈躺平的方向。液晶傾斜的方向是 由邊緣電場效應和凸塊結構的組合效果來決定。由於液晶 为子‘引器的場效應’光的免度（light intensity)會被 正父偏光片所調變（modulated)。 圖7 ( a)為本發明之多域分割垂直配向液晶顯示器的正 交偏光片吸收軸（absorb axis) 701和702放置在正負45度 方向時，在一輸入驅動電壓狀態下的光學圖像（〇ptical texture)的示意圖。圖7(a)中，左圖之晝素7〇3的形狀為 ΐΐ:形’凸塊704形成在畫素電極的四周。當輸入-驅 動電壓後，透光區705由相當全暗狀態形成黑紋區 (d1SCl =ation texture)7〇6的光學圖像。右圖之光 像，八旦素形狀為近似矩形。圖7 ( b ) ° 吸收则和70S放置在0度和9〇度(方)向 =態下的光學圖像。圖7⑻中，左圖 學入:動 其晝素形狀為近似方形，右圖之光學圖像…：：：’ 就愈高。 元：乍和越愈，亮度也 向摩：=面：= 凸塊結構，不需要定 的成本來得低，：：以聚去，-般黃光“ 門早S為令去了 —道黃光製程， 548475
並且在製私中無需考慮對位的問題、製程視窗（ process window)小、以及可能犧牲開口率的問題 除了在晝素電極四周形成交錯凸塊外，為了更改盖影 像顯示品質，根據本發明，可以在畫素電極或是共電^: 形成多種開口（opening)圖案。開口圖案的形成可用一般 的黃光製程，而在共電極形成開口圖案的效果會比較好。 這些開口圖案的形狀可以是具有γ—反向γ型、十字型 shaped)、多個叉型、對角長條（diag〇nal sl〇t)型、垂直 和ί:水平長條型等形狀。圖8(a)至圖8⑴分別 疋运些開口圖案的示意圖。 不1圖8(a)至圖8(f)中的畫素’可以是近似矩形或方 形的矩陣排列’或是馬塞克排列。圖8(e)之垂直長停型 :口圖案中’t央部分的長條開口是平行於畫素的=的 图：垂f於畫素的較短邊。圖8⑴之水平長條型的開口 直於晝素的較長邊。 喊卞仃而垂 多域ΓΛ本古發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構的 F刀口垂直配向液晶顯示器，電壓穿 ===_)下的液晶導引器，是= 夕试八^、、σ冓的邊緣，且與這些凸塊結構的邊緣垂直。此 夕/刀剎垂直配向液晶顯示器是以正常-黑（n〇rmally — 548475 五、發明說明（14)
Ha/k)模式來運作。由於環繞凸塊結構的微光被黑色矩陣 隱藏，呈現的暗狀態是相當黑暗。如圖9所示，當輸入的 ，動電壓小於臨界電壓（thresh〇ld ¥〇11^以）23伏特時， 穿透率相當小。液晶顯示器晝素的開口率（aperture r0atl〇i約為47%。當輸入的驅動電壓為5伏特時，可達到2. 9%的牙透率，約是go度扭轉型液晶顯示器的亮度。 夕圖10係本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構的 丨二，分割垂直配向液晶顯示n，光學上的反應圖。此反應 I疋以0到5伏特之間的開關電壓（switching v〇ltage)來 罝測。從圖ίο的反應圖可算出上升時間(rise time)約為 M1S9’Q哀退時間（deCay Ume)約為丨1.5"13 ,因而全反應時 曰^ 8. 5ms。在實際應用上，此反應時間已足夠快了。上 升時間為在0到5伏特之間的開關電壓，穿透率（從低 :1 雷0Τ9〇:°之間的時段。衰退時間為在0到5伏特之間的開 奇電壓，穿透率（從高到低）從9〇%至1〇%之間的時段。 二說明本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構 η二ΐ 7刀割垂直配向液晶顯示器’灰階之間的反應圖。在 到ρ寺岡開關電壓，穿透率被分為8個灰階，從〇階 ::。圖U中’方塊連成的折線是從灰階移轉至7階的上 ^間’而圈點連成的折線是從各層灰階移轉至第6階的 上：:ί: 1從圖11中可看出’從各層灰階移轉至第7階的 升守間^小於11 ms，而從各層灰階移轉至第6階的上升
548475 五、發明說明（⑸ 時間皆小於16. 5ms。 圖1 2說明本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構 丄且貼有補償膜^板和c—板的多域分割垂直配向液晶顯示 器’對空間分佈之亮狀態的穿透率與暗狀態的穿透率之間 .的對比等位線（iso_contrastc〇nt〇ur)圖。補償膜A_板和 • C-板皆為一般商業用產品。亮狀態的穿透率與暗狀態的穿 透率之間的比值CR為1〇時，來自各個方向的視角約為7〇 度。在水平和垂直方向，CR的值超過2〇〇，視角為5〇度。 ❶最大CR的值超過700。 圖1 3說明本發明之利用背面曝光方法來製作凸塊結構 的多域分割垂直配向液晶顯示器之色差的分佈圖。此結果 疋在王方位角（azimuthal angle)70度的白色階（white 1 e v e 1)置測的。馬蹄形内的區域是整個可見光之光波波* 分佈的範圍。以色度座標（CIE)之點（0· 313，0· 329 )為棒\ 準光源D65，並將所量測的色差分佈的數據範圍，從 (0· 33 5，0· 34)至（〇· 355，0· 37)，放大，如右上方所示。 ⑩此色差分佈的數據範圍相當密集且接近標準光源])65。代 表著顏色的分佈不容易隨觀察角度的改變而變化。也就是 說，色差很小（本例為〇 · 〇 1 8 )，比9 0度扭轉型液晶顯示器& 和廣視角共面切換（in-plane switch，IPS)的液晶顯示哭 的色差還要小。 °°
548475 五、發明說明（16) 唯，以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當 不能以此限定本發明實施之範圍。即大凡依本發明申請專 利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋 之範圍内。 <1
第19頁

Claims (1)

  1. 548475 _ Λ. ，!，· 七:_ \ / ./ 一二..... ； 六、申請專利範'Λ 1. 一種多域务割垂直配向液晶顯示器的結構，包含有： 一液晶單元，該液晶單元包括晝素電極層和共電極 層，内有液晶炎層的一對平行基板，以及一對分別印 製貼在該對平行基板的配向膜； 至少一片正交偏光片，該正交偏光片係外貼於該液晶 單元上； 補償膜，該補償膜係貼於該正交偏光片之間；以及， 一交錯凸塊結構，該交錯凸塊結構係形成在晝素電極 的四周，且建構在該對平行基板之其中至少一片基 > 板上。 2. 如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶顯 示器的結構，其中，該交錯凸塊結構係形成在晝素電 極四周，且建構在含該晝素電極層的單片基板上。 3. 如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶顯 示器的結構，其中，該至少有一電極層的電極備有複 數個開口。 I 4. 如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶顯 示器的結構，其中，該交錯凸塊結構係形成在畫素電 極四周，且建構在含該共電極層的單片基板上。 5. 如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶顯
    第20頁 548475 六、申請專利範圍 a曰 示器的結構，其中，係兩片正交偏光片外貼於該液 單元上。 6 ·如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶顯 示器的結構，其中，該補償膜是負型相位差板和單軸 相位差板的多種排列組合。 7·如f利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶顯 示為的結構，其中，該補償膜為至少一片的負型相位 差板。 、 如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配向液晶 不器的結構，其中，該補償膜為至少一片雙轴膜。日曰”、、
    如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直 示器的結構…，該畫素之單邊的大小直尺 =晶顯 21 o r* (} // m 50/zra，而晝素形狀是近似矩形與方形的 列，或是馬塞克排列。 、單排
    10· 如專利申請範圍第1項所述之多域分割垂直配 示器的結構，其中，該畫素電極是由主動 ° 乂晶顯 形成的畫素單元。 哥所 U.如專利申請範圍第2項戶斤述之多域分割垂直配向液晶 548475 六、申請專利範圍 顯示器的結構，其中，該單片基板係一薄膜電晶體基 板。 12. 如專利申請範圍第3項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該晝素電極層的電極備有複數 個開口。
    13. 如專利申請範圍第4項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該單片基板係一彩色濾光片基 ，板。 14. 如專利申請範圍第1 0項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該晝素電極與該主動元件共 面0 1 5.如專利申請範圍第1 0項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該晝素電極係建構在該主動元 件的上下方的其中一方。 I 1 6.如專利申請範圍第1 0項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該主動元件係一薄膜電晶體。 17.如專利申請範圍第1 0項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該主動元件係一電漿驅動元
    第22頁 548475 六、申請專利範圍 件。 18. 如專利申請範圍第11項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該凸塊結構的高度範圍為0. 5 //m〜4//m，寬度範圍為1 /zm以上。 19. 如專利申請範圍第11項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該凸塊結構係利用一黃光製程 來製作。 I 2 0.如專利申請範圍第11項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該凸塊結構的材料為一感光型 光阻材料。 21.如專利申請範圍第11項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該凸塊結構係利用一自動對位 的背面曝光方法來製作。 ^2.如專利申請範圍第1 2項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的結構，其中，該開口圖案的形狀是具有Y-反 向Y型、十字型、多個X型、對角長條型、垂直長條 型、或多個水平長條型。 23.如專利申請範圍第1 6項所述之多域分割垂直配向液晶
    第23頁 548475 申請專利範圍 顯示器的結構，# ^ — 晶矽、多晶矽、^ 9 # “薄膜電晶體是以非曰# .. 24, 曰^、或疋低溫多矽來製成。非日日矽、早 一種多域分割垂直 製作方、本 _ σ液晶顯示琴之μ 去，該液晶顯示器備有查ς $父錯凸塊結構的 :二及内有液晶夹層的ί極層和共電極 广構的製作方法包含下列步千仃基板，該交錯凸塊 ')投入該對平行基板上驟至小 b在該單片基板的頂部表面塗U基板； (c)利用一自私北 ：上正先阻材料； 光；以及 、月面曝光方法使該交錯凸塊曝 光的正光阻材料區域，而保留未被曝光 、、阻材料區域，以顯影出該交錯凸塊結構。 25· 如專利申晴範圍第24項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器交錯凸塊結構的製作方法，其中，該步驟（a) 之該片基板係含該畫素電極層的單片基板。 • 6·如專利申請範圍第24項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器交錯凸塊結構的製作方法，其中，該步驟（a) 之該片基板係含該共電極層的單片基板上。 2 7·如專利申請範圍第2 5項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器交錯凸塊結構的製作方法，其中，該背面曝光
    548475 六、申請專利範圍 方法更包含下列步驟： (c 1 )從該薄膜電晶體基板的底部表面射入紫外光；以 及， (c2)藉由照相石版印刷的程序，將該交錯凸塊結構自 然顯影在畫素電極四周不透光的匯流排線的上 方。 28. 如專利申請範圍第25項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的交錯凸塊結構的製作方法，其中，該單片基 .板係一薄膜電晶體基板。 29. 如專利申請範圍第26項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的交錯凸塊結構的製作方法，其中，該單片基 板係一彩色濾光片基板。 3 0.如專利申請範圍第2 7項所述之多域分割垂直配向液晶 顯示器的交錯凸塊結構的製作方法，其中，該凸塊結 構的高度範圍為0.5//ΙΠ〜，寬度範圍為l//m以 上0
    第25頁
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