TW530319B - Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control - Google Patents

Description

530319 A7 B7 五、發明說明G ) [發明領域] 本發明係關於半導體製 日日 八疋 種在晶片與晶片 曰 1之製造過程中自動修 /此系爰之方法和裝置。 [相關技藝說明] 製造工=的技術革命已經產生許多新㈣和創新的 現代的製程(尤其是半導體製程)需要大量的重要步 驟，這些製程步驟通常是極1重 置要的，也因此需要一些大 致上調整好的輸入端以維持適當的製造控制。 - 半導體裝置的製造中，你主道划^ 、 衣每T從+導體原料創造已封裝的半 導體裝置需要一些不連續的製栽+驟斗办 心貝97¾程步驟。許多過程，從最初 半導體原料的生長，把丰導濟曰斯八少 ^匕干等骽曰日體分成個別的晶片，裝配 過程（蚀刻、摻雜、植入離子，等等），以致於封裝與最後 完整裝置的測試，每一個過程都是不相同的和特別的，以 至於這些過程可能在相異的包含許多控制系統的生產線來 執行。 在這些因素中影響製造半導體裝置的是晶片與晶片間 因製造問題引起的差#，這些問題包括製造機械工具突然 出現的作用，製造室裡的記憶作用，和第一晶片作用。這 些造成不利影響因素的製造過程之一是照相平板印刷（微 影）過程。鍍覆是半導體製造中其令一個重要的步驟。關於 照相平板印刷過程的品質，線寬與精準的尺寸是很重要的 量測。在半導體製造過程中，線寬的控制牵涉到量測在加 工半導體晶片上作成圖案的線或間距的特性尺寸。一般來 說’將圖案線寬與目標線寬間的誤差減到最小對確保半導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Gx297公爱) ^1824

------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨訂· * -n n I - -I I I - 530319 A7 B7 五、發明說明（2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體裝置中的複合層之連續性與有效性很重要。當科技促使 半導體裝置中更微小與精準的尺寸變為容易時，離目標線 寬更小誤差的需要性也戲劇性地增加。 — 一般來說，現在的照相平版印刷工程師們緊接在照相 平版印刷過程後（或蝕刻之後）就每一批測量一次線寬，測 量出線寬的誤差可以用來促使曝光器械裝置技術上和自動 化的更新。一些關於現有方法中的問題包括一般曝光器械 裝置每一批只能更新一次的事實。 一般來說，在一種稱為曝光器械或，，步進機（stepper)，， 的半導體製造器械中的多數晶片上執行一連串的製程步 驟。此製造器械連接於製程基準的製造骨架或網絡，此製 造器械一般是連接於一設備接觸介面。此設備接觸介面連 接於一機械介面，，，步進機，，亦連接於此機械介面，因而使 得”步進機，，與製造骨架間的連繫變為容易。此機械介面一 般 ΤΓ 以疋預先製程控制（APC advanced process control) 系統的4伤。系統起始一控制原稿，它可以是一自 動更正執行製程中需要的資料庫的軟體程式，在手動模式 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中週期I*生的修正控制製程的輸入參數。當更精準製程的需 要陡乓加時，需要改進方法以更自動與更及時地修正控制 H程的參數。此外’晶片間製造差異會造成半導體裝置不 一致性的品質。 種已知評估照相平版印刷過程接受度的技術牽涉到 ，，，層顯影後量測精準尺寸或其他參數，一種舊式評估 顯衫日日法是使用散射儀（scatterometry)來產生在晶 ^ 尺度適用 '——^~一 530319 A7 B7 五、發明說明（3 ) 片上圖案指不性的明暗度量。在顯影光阻層裡的圖案顯露 出一連串的溝槽，與無蝕刻溝槽的區域對照，蝕刻溝槽區 域上反射出不同的光而形成有特徵的散亂圖案。也許可以 使用散射儀量測來改變光阻層作用參數，例如曝光時間， 曝光九、乾時間，顯影時間等等，在後來的晶片上影響形成 =圖案。顯影後量測技術的一項限制（例如掃描電子顯微鏡 予）為在量測與修正作用間所經過的重要時間中，可能產生 許多沒用的晶片。此外，因著應用這些技術時所需用的量 測時間，只能量測半導體晶片中每一個製造批次的一小部 份。現在的技術尚缺乏一種有效利用散射儀技術的方法來 減低加工半導體晶片中的差異性。 訂 本發明直接克服，或至少減低前述問題中之一個或多 個問題所造成的影響。 [發明之概述] 員 工 消 從本發明一觀點來說，本發明提供一種使用散射儀來 執行回饋或前饋控制的方法。執行一種半導體裝置的過 程。從已加工半導體裝置中獲得度量資料。經由分析所獲 得之度量資料獲得誤差資料。決定誤差資料是否應受修2 以符合半導體裝置的加工過程。回應該應受修正之誤差資 料庫的決定執行半導體裝置加工過程中的回饋修正，'回應 該應受修正之誤差資料的決定執行半導體裝置加工過程中 的前饋修正。 從另一觀點來說，本發明提供一種使用散射儀來執行 I 饋&制的設備。本發明的設備包含：電腦系統； ¥紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Qx 297公以--------— 也） 3 91824 消 4 530319 A7 ------ B7 五、發明說明（4 ) 連接於電腦系統的製造模組，該製造模組可以產生和修正 至少一控制輸入參數信號；連接於製造模組的機械介面， 該機械介面可以接收從製造模組傳來的加工方案 (recipe);連接於機械介面的加工器具可以加工半導體晶 片第個加工器具可以從機械介面接收至少一個控制輸 入參數信號；連接於第一加工器械的度量器械和第二加工 器械，該度量器械可以獲取度量資料；連接於度量器械的 度量資料處理機，該度量資料處理機可以組織所獲取的度 量資料；連接於度量器械與電腦系統的回饋/前饋控制器， 其中之回饋/前饋控制器可以產生回饋和前饋調整資料，並 傳送匕們到電略系統來修正控制系統參數。 [圖式之簡單說明] 本發明可以藉由參照以下之說明配合附圖來了解，在 圖式中所標示的數字即代表下文中的元件，其中： 第1圖係顯示本發明所教導的方法之一實施例。 第2圖係顯示執行照相平版印刷餘刻圖案時，加工線 之簡化不意圖。 第3圖係顯示裝載半導體晶片的散射儀的簡化概觀。 第4圖係顯示本發明所教導的方法之流程圖表示法。 第5圖係更細節地顯示控制參數修正分析之一實施 例。 [元件符號說明]

U〇加工器械A 112加工器械B _ 115第一機械介面_ 117第二機械介面 本紙張尺度適时關家標準（CNS)A4規格_⑵〇 χ 297 91824

，裝i—·——丨訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 530319 處理度量資料元件 回饋/前饋控制器 步進機 冷卻站 顯影機 加工半導體的製造流程 執行前饋修正 91824 A7 五、發明說明（5 ) 140製造模具 145 150度量器械 210光阻層沉積裝置 215 220烘乾箱 230 240散射儀 250 260儀刻機 410 420取得和分析散射儀資料 430執行控制參數修正分析 440執行回饋修正 450 51〇分析散射儀資料而得誤差資料 520誤差資料在無作用區段嗎 530忽略在無作用區段裡的誤差資料 540取得新誤差資料並重複修正步驟 5 50執行連續的控制輸入修正 儘管本發明得有許多變化和選擇形式，以下將具體的 實施例藉由舉例的方式展現在圖中，並於此中詳細地描 述。然而’應該了解的是此處所描述的具體實施例並非要 限制本發明於所揭示之特定形式， μ夕由地* 汉的疋要涵蓋在附 上之申明專利範圍裡所定義本發明的精神與範嘴中 變異、相當形式、和可選擇的形式。 、 [具體實施例之詳細說明] 本發明舉例的實施例描述如下。為了表達得清楚 此說明令並不播述所有實際完成的特徵。、全、 —是—正確二因為在任何此類的實施例;’ 本紙張尺度(CNS)A4規格⑵G - 很

裝---^----^—訂： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n 1 n n 5 530319 A7 B7 五、發明說明（6 ) 多具體完成的決定以達到開發者特殊的目標這些目標在 2仃上有著很大的差異，例如有些得屈就於相關系統或相 業的限制。此外’此類發展的努力成果可能是複雜的 和浪費時間的，然而這些發展仍然可由熟習此技藝者從本 說明書之揭示受益而易於施行。 —半導體製程中有許多不連續的步驟。半導體裝置多次 經由複合製程來完成。晶片間的差異導致作出非一致性的 半導體裝置。受影響之一個製程為照相平版印刷鑛覆程 序。鍍覆程序是半導體製造中报重要的步驟，尤其是牽涉 到在製程中量測各半導體層間對整不當的誤差，鍍覆程序 的改良將&半導體製造過帛中可以實質的提高品質與作業 效率。本發明為晶片間的差異提供了一個自動執行修正誤 差的方法。 半導體裝置是在一個使用一些輸入控制參數的製造環 境中來加工。茲參照第i圖，該圖舉例說明了本發明的一 實施例。在一實施例中，類似於半導體晶片的半導體產物 1 〇5，藉由在線12〇上使用多數控制輸入信號的加工器械 11〇，120來加工。在一實施例中，在線12〇上的控制輸入 信號從電腦系統130經由機械介面115，117傳送到加工器 械11〇，112。在一實施例中，第一與第二機械介面ιΐ5，ιΐ7 係设在加工器械11 〇,丨i 2之外面。在替代的實施例中，第 一與第二機械介面115，117則設在加工器械11〇，112之裡 面。 在一實施例中，電腦系統130在線120上傳送控制輸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Qx 297公餐） 5 ΤΤϋΓ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530319 A7 ---------— B7__________ 五、發明說明（7 ) 入信號給第一與第二機械介面115，117。電腦系統i3〇使用 製造模組140來產生控制輸入信號於線12〇。在一實施例 中，製造模組140含有一個方案來決定在線12〇上傳輸的 大量控制輸入參數。 在一實施例中，製造模組140定義執行特殊製造過程 的一個加工原稿和輸入控制。第一機械介面115接受線12〇 上之為加工器械A 110用的控制輸入信號並執行加工程 序。第二機械介面117接受線12〇上之為加工器械B 112 用的控制輸入信號並執行加工程序。在半導體製程中使用 的加工器械110,112的例子就是，，步進機，，、掃描器、階段 掃描器械（step-and-scan tools)、和蝕刻加工器械。在一實 施例中，加工器械A 110為一照相平版印刷器械，類似於” 步進機’’；而加工器械B 112則是一蝕刻加工器械。 加工器械11〇, 112加工出的一個或多個半導體晶片， 一般是被傳送到度量器械15〇來獲取度量資料。在一實施 例中’度量器械150為一散射儀資料獲取器械，或者是一 散射儀。度量資料處理機145處理並組織了度量器械i 5〇 的數據資料。在一實施例中，以度量資料處理機145將度 量資料與加工半導體晶片的特定製造批次相比照。在一實 施例中，電腦系統130整合了度量資料處理機145成為一 體。在一實施例中，度量資料處理機][45為隱藏在電腦系 統13〇中的軟體程式，而電腦系統130則整合於一 APC骨 架成為-^體。 在一實施例中所處理之度量資料為度量資料處理機 --------------：----:1 訂·--------Ανπ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 7 91824 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530319 A7 一 B7 五、發明說明（8 ) 145所處理的度量資料亦即是散射儀資料，係送到線155 上之回饋/前饋控制器160。在一實施例中，回饋/前饋控制 器160處理散射儀資料並產生回饋與前饋調整資料，這些 為已知的技術。以下所述的回饋與前饋調整資料，經由線 170傳送到電腦系統130。此電腦系統13〇利用這些回饋與 月(J饋調整資料在製造模組14 0中做修正，製造模組14 〇在 線120上對控制輸入參數做出適當的改變。在一實施例 中’電腦系統130整合了回饋/前饋控制器ι6〇成一體。在 另一實施例中，回饋/前饋控制器160則為隱藏在電腦系統 130中的軟體程式。 在線120上修正控制輸入信號之依據是在加工半導體 晶片上執行的度量測定，例如散射儀測定。度量測定被用 來執行控制輸入信號的回饋和前饋修正。一般來說，在照 相平版印刷過程中執行線丨2〇上控制輸入信號的回饋和前 饋修正’例如利用照相曝光量的線寬調整和利用曝光焦點 修正的線形調整。也可以在蝕刻程序中執行線12〇上控制 輸入信號回饋修正，例如利用蝕刻方案修正的蝕刻線形調 整。 在半導體晶片上的後續程序之修正可以用線12〇上之 控制輸入信號前饋修正來執行。線12〇上控制輸入信號前 饋修正可以使用於蝕刻或間隔片沉積程序，散射儀技術可 則吏用於半導體晶片上調整有效的線寬到精準形式。在一 實施例，於一間隔片沉積程序中，散射儀尺寸可使用於調 整/儿積時間，該時間影響到間隔片的寬度，該寬度又將會 本紙狀度適用-i-^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝-------訂---------. 530319 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 91824 五、發明說明（ 反過來影響在半導體晶片上軌跡（電路）的有效線寬。 在如’’步進機’’程序的製造程序文脈中，在線120上用 來影響加工器械11〇的控制輸入包含有曝光分配信號。本 發明教導的主要特色是一為因應外界差異的分析而更新線 120上控制輸入信號。 茲參考第2圖，該圖描述舉例說明執行平版印刷刻樣 的加工線200的簡化圖式，加工線200包含有光阻層沉積 裝置210、步進機215、烘乾箱220、冷卻站200、顯影機 2 50、散射儀240、和蝕刻機260。光阻層沉積裝置210接 受一半導體晶片205，並在晶片205的表面沉積預先確定 厚度的光阻層材料。然後步進機215接收晶片205(或一批 次的半導體晶片），而在一光源下曝光晶片205並使用分罩 板（reticle)將晶片205圖案化。然後將晶片205轉送到烘乾 箱220，而進行曝光後之烘烤。經過曝光後之烘烤後，轉 送晶片205到冷卻站230，等晶片205充分冷卻後轉送至 顯影機250。以顯影機250從晶片205上除去曝光的光阻 層材料。 晶片205接著即被轉送到散射儀24〇去量測。如將於 下文詳述，散射儀240測量晶片205而決定前已執行之照 相平版印刷過程的可接受度與/或一致性，並傳達晶片产量 數據給回饋/前饋控制器160。之後將晶片205轉送到餘刻 機260去蝕刻。整合在APC架構的電腦系統13〇乃根據晶 片度量數據為後來的晶片調整步進機215的方案。同時， 電腦系統130也可以使用度量數據為以量測的半導體晶片 太Μ張尺唐適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） π ----：-------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 530319 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10 ) 調整蝕刻器械260的方案。就如同熟習此技藝者可由本揭 示而認知，線200可能含有不連續的或整合的加工器械來 執行此處描述的加工步驟。散射儀240所獲取的數據資料 被使用來執行線120上之控制輸入信號的回饋和前饋修 正，該信號控制加工器械110,112。 參照苐3圖’该圖表示裝配有晶片205的散射儀240 之簡化概觀。晶片205具有基片材料305。光阻層具有由 前面的曝光、烘烤、及顯影的步驟所產生而形成於基片材 料305之開放（已顯影）區域315，（以下簡稱為圖案化的晶 片205)，該開放區域315 —般具有不同於未曝光部分的光 阻層 310 之折射率（index of refraction)。 在一實施例中，散射儀240包含有一光源320和接近 晶片205而設置的檢測器325。散射儀240的光源320照 射少一部份的晶片2 0 5，而檢測器3 2 5則測取反射光的光 學度量數據，例如反射光強度。雖然本發明的描述設計使 用散射儀量測反射光的強度，但是可以考慮使用其他量測 工具，例如橢圓儀，反射儀，光譜儀等等。散射儀240也 可以考慮使用單色光（白光）或一些其他波長或組合波長的 光，依個別的實施情形而定。入射光的角度也可能有很多， 依特定實施情形而定。 開放區域315和光阻抗層310中未曝光部分的折射率 差異引起光散射，導致隨角度變化的光強度圖型直接受到 例如線寬’邊界角，光阻層厚度等型態特質的影響。散射 儀240在晶片205上不同的點，例如週界上與中間，量測 ----------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 91824 530319 A7 ----- B7

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530319 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) 所示。使用習知的技術分析度量資料，並Β Α Θ 疋置已加工平 導體晶片的誤差和非一致性。使用散射儀的資料執行控制 參數修正分析以決定線120上的控制參數是否應^修正， 如第4圖中方塊430所示。第5圖舉例說明對於=散射儀 資料分析中獲取的誤差執行控制參數修正分析的方法之一 實施例。 茲參照第5圖，獲取了從已加工半導體晶片的散射儀 資料中之誤差資料’如方塊510所示。我們經從習知的多 數技術裡的其中一種方法來獲取誤差資料。一旦獲取了誤 差資料，即決定這誤差資料是否在週界内，如第5圖中方 塊520所示。在方塊520中所描述的步驟執行確定哪一個 誤差是足夠大到成為線120上控制輸入的變化。 為了確定無作用區段，從產品分析站（未展示）得到的 誤差（例如複審站），被拿出與先行判定的起點參數做比 較。在一實施例中，無作用區段包含有關聯於控制輸入信 號之誤差值的乾圍，該信號位於中央靠近於回應先行判定 的目標值，而阻止一般的控制器作用。如果從產品分析站 所取得的任何一個誤差值小於對應預定臨限值，該特定誤 差就被判定為位於無作用區段内。無作用區段的其中一個 主要目的是防止過度的控制作用（該過度控制作用起因於 線120上控制信號的變化）以免造成半導體製程極易受到 影響。 當如方塊520所示，確定控制輸入信號的誤差在無作 用區段内之後’則如第5圖中方塊530所示忽視特殊的誤 -----------* 裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} . 本紙張尺細中國國家標準規格（210 χ 297公爱） 12 91824 530319

差。因此’當對應控制輸入信號的誤差值被發現位於預定 的無作用區段内，特定的誤差就不被用來更新對應控制輸 入仏號。在一實施例中，當誤差被確定為位於無作用區段 内時，不必根據特定誤差資料來改變控制參數。然後取得 新的誤差資料並分析，如在第5圖中方塊540所描述。在 一實施例中’上述所描述的步驟將因新誤差資料的獲得而 一直重複進行。 如方塊520所示’確定對應控制輸入信號的誤差為位 於無作用區段内時’則需執行其他的程序（例如修正控制輸 入參數以補償誤差），就如同在第5圖中方塊55〇所描述 的。使用對應控制輪入信號的誤差值來更新線12〇上的控 制輸入參數，以繼續製造步驟，該步驟完整的包含執行控 制參數修正分析的步驟，如在第4圖中方塊430所描述。 兹參照第4圖，一旦確定要修正在線12〇上的控制參 數’即修正回饋以減少半導體晶片之後續之程序中誤差和 非一致性的可能性，如在方塊440所描述。一般來說，在 照相平版印刷程序中執行線12〇上的控制輸入信號的回饋 修正’係利用例如照相曝光量的線寬調整和利用曝光聚焦 修正的線形修正。也可以在蝕刻程序中執行線丨2〇上的控 制輸入信號的回饋修正。在一實施例中，以電腦系統1 3 〇 和製造模型140執行回饋修正。 再第4圖，一旦確定要修正在線12〇上的控制參數， 即修正前饋以減少半導體晶片之後績之程序中誤差和非一 致性的可能性，如在方塊450所描述。在線120上控制輸 -----I------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ήβτ· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 13 91824 530319 A7 B7 五、發明說明（i4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 入信號的前饋修正可以用來執行半導體晶片繼之程序中的 修正，在線120上控制輸入信號的前饋修正可以用在蝕刻 或間隔片沈積程序中，此時散射儀技術可以用來調整在半 導體晶片上有效的精準線寬。在一實施例中，間隔片沉積 程序裡，可使用散射儀度量可以用來調整沉積時間，該沉 積時間會影響間隔片的寬度，而該寬度則又反過來影響半 導體晶片中執跡的有效線寬。此外，散射儀量測可以用來 量測離子培植參數，並在繼之離子培植程序中調整離子培 植的適當量。在一實施例中，電腦系統130和製造模型14〇 執行回饋修正。除了在半導體晶片製造中執行本發明所教 導的原則之外，本發明所教導的原則也可以用在其他 造領域。 本發明所教導的原則可以在APC架構中來執行，Apc 架構對於執行本發明所教導的線寬控制方法是一個優先考 慮的工作平台。在有些實施例中，APC架構可以是一個廠 房領域的軟體系統；因此本發明所教導的控制方法可以實 際應用在製造廠裡任何半導體製造工具。Apc架構在執行 的過程中也可以是遠端控制與遠端監視的，此外，資料= 憶體將使用APC架構而變得比現場驅動更為方便、二為^ 活運用、與更為便宜。APC架構在撰寫必要軟體譯碼時二 =大量的複雜性，使得它可以接受更多複雜龐大的控制模 在APC架構上安裝本發明所教導的控制方法带 些軟體組件’除了 APC架構裡的組件，還需要為：―：十 '本紙張尺度適財關家辟（CNS)A4規格⑵G χ视公爱）------ 14 91824 530319 A7 B7

五、發明說明（15 ) 涉到控制线料㈣製造輯寫—個電難式，春 系統裡的半導㈣造㈣在半導體製造結構㈣啟料’ -般需要-個程式來啟動程序控制器所需要的動作，例如 線寬控制器。控制方法一般都在這些程式中定義與執行。 這些程式的發展可以包括㈣系_重要的發展部分本 發明所教導的原則可以在其他種類的製造架構中來執行。 上述特殊的實施例只是一種舉例，於此例子中，相對 於那些在此處已教導的技術利益，本發明也許被修正並用 相異但等效方法來執行。此外，除了下述申請專利範圍理 所描述的以外，此處所展示的結構與設計並無任何細節限 制。因此很明顯的上述特殊的實施例也許可以被修改與修 正，而所有類似的改變也都被考慮在本發明的精神與範圍 裡了。因此，這裡企圖達到的保護措施已置於下述的申請 專利範圍中了。 I 裝--- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 91824

Claims (1)

1. H3 第90113926號專利申請案 申請專利範圍修正本 (91年11月14曰） 一種用於製程控制執行散射儀分析之方法，包含下列步 驟， 執行半導體裝置的加工流程； 取得從前述的加工半導體裝置得到量測數據； 、 從分析前述的量測數據得到誤差資料，得到誤差資 料包括確定該半導體裝置之至少二個部分之間的測量、 差，亚計算對於該等部分之至少其中之一的調整資料； 確定該誤差資料是否應該對前述半導體裝置的加 工程序進行修正；以及 、根據該調整資料，反應於該確定該誤差資料應該修 正半導體裝置之該加工程序，執行半導體裝置之該加工 程序之回饋修正和前饋修正之至少其中之一。 2· 如申咕專利範圍第1項之方法，其中執行半導體裝置的 加工流程還包括加工半導體晶片。 如申請專利範圍第2項之方法，其中加工半導體晶片之 步驟還包括在前述半導體晶片上執行照相平版印刷之 程序。 如申請專利範圍第】項之方法，其中從前述的加工半導 體裝置取得度量數據之步驟還包括取得散射儀資料。 如申请專利範圍第1項之方法，其中確定誤差資料是否 值得對Α述半導體裝置的加工程序進行修正之步驟還 包括： 91824 X 297公釐） 5. 530319 從度量資料的分析取得誤差資料； 確定前述的誤差資料是否在無作用區段内； 6 並且根據上述確定誤差資料並不在無作用區段 内，而修正至少一個控制輸入參數。 =請專㈣㈣1項之方法，其中齡前料導體裝 量的回饋修正還包括在照相平版印刷過程中修正曝光 7*如申請專利範圍第1項之方 盆 乂 套八中執仃刖述半導體裝 置的回饋修正之步驟還包括在昭相衣 相千版印刷過程中修 正曝光焦點之步驟。 8·.如申請專利刪Μ之方法，其中執行前述半 $的回饋修正之步驟還包括在㈣過程中修正 令之步驟。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，苴扎 要认 執仃刖述半導體裝 置的回饋修正之步驟還包括根據APC執行回饋程序之 步驟。 1 〇.如申請專利範圍第1項之方法，其中 ^ τ钒仃刖述半導體裝 置的刖饋修正還包括修正沉殿時間，在 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 仗異中一個間隔片 沉積程序和蝕刻程序中改變其中一個間隔片寬度和蝕 刻寬度。 11·如申請專利範圍第1項之方法，其中 訊仃則述半導體裝 置的前饋修正之步驟還包括在離子培植程序中 子植入量之步驟。 12·如申請專利範圍第1項之方法，其中執 钒仃則述半導體裝 置的前饋修正之步驟還包括根據APC勃γ ^ 祝仃則饋程序 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 x 297公釐） H3 13·—種用於製程控制執行散射儀分析之裝置，包括： 一個電腦系統； 一個連結於前述電腦系統的製造模型，該製造模型 可以根據於製程中半導體晶圓之至少二個部分來之光 強度測量，產生和修正至少一個控制輸入參數信號； 一個連結於前述製造模型的機械介面，該機械介面 可以接收前述製造模具的加工指令； 一個連結於前述機械介面，可以加工半導體晶片的 加工器械，前述第一加工器械可以從前述機械介面接收 至少一個控制輸入參數信號； 一個連結於前述第一加工器械和第二加工器械的 度篁器械，該度量器械可以取得度量資料；以及 一個連結於前述度量器械的處理量測資料元件，該 處理量測資料元件可以組織前述取得的量測資料；" 一個連結於前述度量器械和電腦系統的回饋/前饋 控制器，其中該回饋/前饋控制器可以產生回饋和前4 修正資料，傳送它們到前述電腦系統以修正前述控制系 統參數。 ' 經濟部中央標準局員工福利委員會印制衣 14.如申請專利範圍第13項之裝置，其中前述電腦系統可 以產生修正資料，修正至少一個控制輸入參數。 15·如申請專利範圍第13項之裝置’其中前述製造模型可 以修正前述控制輸入參數以回應前述修正資料。 16.如申請專利範圍第13項之裝置，其中前述度量器械是 個散射儀。 疋 17·—種用於製程控制執行散射儀分析之裝置，包括. 91824 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x 297公爱） ：-—一 530319 H3 半導體裝置加卫流程的裝置； 彳Μ 1述加工半導體裝置取得度量資料的裝置； 差次2刀析則述度量資料取得誤差資料的裝置，得到誤 測量;差、括確定違半導體裝置之至少二個部分之間的 料，’並計算對於該等部分之至少其中之一的調整資 W在加工半導體是否誤差資料應該修正的裝 置；以及 X調整貝料，反應於該確定該誤差資料應該修 體裝置之該加工程序，執行半導體裝置之該加工 程序之回饋修正和前饋修正之至少其中之一之裝置。 I一種電腦可讀程式記錄媒體’該記錄媒體係編有程式指 7由電&執彳τ時施行—種方法，用於製程 儀分析，該方法包括： 仃政射 執行半導體裝置的加工流程； 取得從前述的加工半導體裝置得到度量數據； 從分析前述的度量數據取得誤差資料，得到誤差資 料包括確定該半導體裝置之至少二個部分之間的測量 差，並計算對於該等部分之至少其中之—的調整資料； 決定該誤差資料是否值得對前述半導體裝置的加 工程序進行修正；以及 一根據該調整資料，因應前述誤差資料值得施行半導 體裝置加工之修正之該決定，執行前述半導體裝置的該 加工程序之回饋修正和前饋修正之至少其中之一。 19·-種電腦可讀莖式記錄媒體，該記錄媒體係編有程 本紙張尺度適用中關冢標準（CNS) A4規格（21G χ297公爱)- 日 91824 4 530319 H3 令’當由電腦執行嗜於人眭，,丄 項之記錄嬋體之方：二二7如申請專利範園第 ”體之方法’其中執行半導體裝 延包括加工半導體晶片。 工机私 人種j知可頃程式記錄媒體，該記錄媒體係編有 々，當由電腦執行該指令睥，勃y一上士 矛式心 項之記錄婢體之方申請專利範圍第U 述半導體曰只… 千等體曰曰片還包括在前 等體B日片上執行照相平版印刷程序。 八種可項程式記錄媒體，該記錄媒體係編 虽由電腦執行該指令時，執行如巾請專㈣圍第二 二=體之方法’其中從前述的加工半導體裝置取 仔度置數據還包括取得散射儀資料。 種電細可項程式記錄媒體，該記錄媒體係編有程式 才曰々，當由電腦執行該指令時， 于執仃如申睛專利範圍第 項之5己錄媒體之方法’其中決定誤差資料是否值得 對則述半導體裝置的加工程序進行修正之步驟還包括： 從度量資料的分析取得誤差資料； 決定前述的誤差資料是否在無作用區段内； 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 並且根據上述決定誤差資料並不在無作用區段 内，而修正至少一個控制輸入參數。 23,種電腦可讀程式記錄媒體’該記錄媒體係編有程式指 令，當由電腦執行該指令時，執行如申請專利範圍第i 8 項之記錄媒體之方法，其中執行前述半導體裝置的回饋 修正之步驟還包括在照相平版印刷過程中修正曝光 暑。

   5 91824 530319 令，當由電腦執行時 ^ ^ 記錄媒體之方、、二執行如申請專利範圍第18項之 之步驟還包括在::;中執行前述半導體裝置的回饋修正 I種電腦可讀版印刷過程中修正曝光焦點。 令，# 式圮錄媒體，該記錄媒體係編有程式指 ▽，當由電腦執杆拄 1 、？曰 執行如申請專利範圍第1 8項之 5己錄媒體之方法，甘士 & 貝< 之+驟，、中執行前述半導體裝置的回饋修正 26 V…匕在飿刻過程中修正餘刻指令。 G · ~種電腦可讀程A 令，舍由雷^姑15彔媒體，該記錄媒體係編有程式指 古:自订時’執行如申請專利範圍第18項之 口己錄媒體之方法，苴士丑 只心 ^ ，、中執行前述半導體裝置的回饋修正 之步驟還包括根據APC執行回饋程序。 27·—種電腦可讀程式％ 令，當由電腦二:體:該:錄媒體係編有程式指 記錄媒體之方法，其中勃1 如申請專利範圍第18項之 之牛驟、罗七k /、 仃刖述半導體裝置的前饋修正 Y驟還包括修正沉積睥 户甘士 . 序和姓刻程序中改變Γ 中在其中一個間隔片沉積程 认-種電腦可讀程式個間隔片寬度和制寬度。 入^ , φ °己錄媒體，該記錄媒體係編有程式指 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 ::Γ腦執行時，執行如申請專利範圍第丨8項之 二Si法’其中執行前述半導體裝置的前饋修正 29—I 子植入程序中修正離子植入量。 ^細可項知式記錄媒體，該記錄媒體係編有程式指 々，當由電腦執行時，勃名&由 記錄+ H巾料利範圍第18項之 & 八中執仃則述半導體裝置的前饋修正 乂驟還包括根據APC執行前饋程序。 本紙張尺度^^國家標準（⑽）Α4ϋτΐϊ^7ϋ7 6 91824 530319 (瘃-^厕)