JP2006147627A - 露光装置の同期精度検出方法および収差検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 レジスト膜を露光する際の同期精度を高めるための露光装置の同期精度検出方法を提供する。
【解決手段】 ウエハWにレジスト膜を形成し(ステップ1)、このレジスト膜を、例えば、円形のパターンが縦横に並べられたパターンを有するフォトマスクを用いて露光処理し(ステップ2)、現像し(ステップ3)、このパターンに由来してレジスト膜に形成されるホールの形状をスキャテロメトリ技術により測定し(ステップ4)、得られた分光反射スペクトルを解析し(ステップ5)、その形状をフォトマスクのパターン形状と比較する(ステップ6)。その結果、同期精度が良好であれば、製品ウエハの処理に移行し(ステップ7)、不良であれば警報が発令され、工程管理者が露光装置14を点検する(ステップ8)。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体ウエハやフラットパネルディスプレイ(FPD)用基板のフォトリソグラフィー工程で用いられる露光装置の同期精度検出方法と、露光装置の収差検出方法に関する。
例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、ウエハの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定のパターンで露光し、現像処理することにより、レジスト膜にパターンを形成している。ここで、形成されたレジストパターンの形状を有しているかを確認するために、SEM観察によりレジストパターンの線幅、穴径、LER(Line Edge Roughness)を、定期的に測定している(例えば、特許文献1参照)。
露光処理においては、露光装置に設けられたウエハステージとレチクルステージの相対的な移動速度が一定でない場合、つまり同期精度が良好でない場合には、レジストパターンに変形が生ずることが知られている。図13に、例えば、略円形のコンタクトホールを形成するためのパターンの同期精度不良によるパターン変形を示すSEM写真を示す。図13(a)は同期精度が良好な場合で、略円形のパターンが形成された状態を示している。図13(b)は図13(a)に示す状態から同期精度がずれた状態を示しており、傾斜した楕円パターンとなっている。図13(c)は、図13(b)に示す状態からさらに同期精度がずれた状態を示しており、隣接する楕円パターンが数珠つながりになった状態を示している。これら図13(b),(c)に示すパターンが形成されると、製品が所望のパフォーマンスを発揮しなくなったり、動作不良を起こすおそれがある。
また、近時、レジストパターンの微細化が急速に進む中、レジストパターンのLERが製品特性に大きな影響を及ぼすようになってきている。具体的には、直径が160nm以下のコンタクトパターンでは、LERの発生を無視できない状況となっている。図14に、例えば、楕円のコンタクトホールを形成するための楕円のパターンのLERによるパターン変形を模式的に示す。図14(a)はLERが発生しておらず、良好な楕円パターン105として観察される状態を示している。これに対して、図14(b)は、LERによって、楕円が長径側に伸びたように判断することができるパターン106を、図14(c)は楕円が短径側に伸びたように判断することができるパターン107を、それぞれ示している。さらに、図14(d)は、LERによって楕円が傾斜したかのように判断できるパターン108を示している。
これら図14(b)〜(d)の状態がSEMで観察されると、その原因がLERにあるのか、前述した同期精度不良にあるのか、観察者によって判断が分かれてしまい、その判断を誤ってしまうと、フォトリソグラフィー工程に用いられる各種装置(レジスト塗布装置、現像装置、露光装置)を無駄に調整することとなってしまい、さらにはウエハの処理環境を逆に悪化させてしまったり、生産効率を低下させてしまう等の問題が生ずるおそれがある。
また、フォトリソグラフィー工程における露光処理では、各種の収差も製品パターンを良好に形成することができるか否かを大きく左右する。例えば、所謂、「像面(像面湾曲)」を例に挙げると、この像面の評価は、以下のようにして行われている。すなわち、例えば透過領域と不透過領域とが一定の線幅で交互に並べられたパターンが形成されたフォトマスク(レチクル)を用いて、露光量を一定として、フォーカス値を変化させてレジスト膜の異なる領域を逐次露光し、現像し、得られるレジストパターンの線幅を、露光の1ショット領域毎に、かつ、各領域の複数箇所(例えば、各領域の中心と四隅の計5点)で測長SEMにより測定する。
ここでは、レジストパターンに一定のLERが発生している場合を想定する。すると、測長SEMによる測定により、例えば、図15に示すような、線幅(CD)とフォーカス値との関係を示すグラフ(測定箇所毎に求められる5本の線)が得られる。ここで、P1は領域の中心、P2は領域の左上、P3は領域の右上、P4は領域の左下、P5は領域の右下を現している。これら5本の線のCD値の極小点を与えるフォーカス値の最大値と最小値のずれが像面となるが、図15を見てわかるように、各グラフが折れ線で表されているために、どのフォーカス値でCD値が極小になっているかの判断は困難である。各グラフで滑らかな線を描くことが困難なのは、LERが発生していると、パターン上面のエッジの平均位置がどこかの判断が困難となり、それぞれの1ショット露光領域の各測定ポイントにおいて、正確な線幅を求めることができなくなるからである。このような図15に示すデータからは、LERが発生した場合の像面湾曲が修正されるように露光装置を調整することは極めて困難である。
特開2003−197503号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされてものであり、レジスト膜を露光する際の同期精度を高めるための露光装置の同期精度検出方法を提供することを目的とする。また本発明は、レジスト膜を露光する際の収差精度を高めるための露光装置の収差検出方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の観点によれば、基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をテストパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光処理する工程と、
前記基板を現像処理する工程と、
前記テストパターンに由来して形成されるレジストパターンの形状をスキャテロメトリ技術により測定する工程と、
前記テストパターンの形状に対する前記レジストパターンの変形度に基づいて露光装置の同期不良の有無を検出する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の同期精度検出方法、が提供される。
前記レジスト膜をテストパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光処理する工程と、
前記基板を現像処理する工程と、
前記テストパターンに由来して形成されるレジストパターンの形状をスキャテロメトリ技術により測定する工程と、
前記テストパターンの形状に対する前記レジストパターンの変形度に基づいて露光装置の同期不良の有無を検出する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の同期精度検出方法、が提供される。
この露光装置の同期精度検出方法においては、テストパターンに円形パターンまたは楕円形パターンを用いることが好ましく、これによりLERの影響を排除して、同期検出の精度を高めることができる。
本発明の第2の観点によれば、基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光装置のレンズ収差を測定するためのテストパターンが形成されたフォトマスクを用い、露光量とフォーカス値をそれぞれ変化させて前記レジスト膜の異なる領域に逐次露光する工程と、
前記基板を現像処理する工程と、
前記テストパターンに由来して形成されるレジストパターンの形状を、1ショット露光領域毎に、かつ、前記露光領域の複数箇所で、スキャテロメトリ技術により測定する工程と、
得られたレジストパターンの形状データに基づいて、像面、非点、球面の少なくとも1つの収差を評価する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の収差検出方法、が提供される。
前記レジスト膜を露光装置のレンズ収差を測定するためのテストパターンが形成されたフォトマスクを用い、露光量とフォーカス値をそれぞれ変化させて前記レジスト膜の異なる領域に逐次露光する工程と、
前記基板を現像処理する工程と、
前記テストパターンに由来して形成されるレジストパターンの形状を、1ショット露光領域毎に、かつ、前記露光領域の複数箇所で、スキャテロメトリ技術により測定する工程と、
得られたレジストパターンの形状データに基づいて、像面、非点、球面の少なくとも1つの収差を評価する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の収差検出方法、が提供される。
この露光装置の収差検出方法においては、テストパターンとして、一定の線幅の透過領域と不透過領域とが線状に交互に並べられたパターンを用いると、LERの影響を排除して、収差検出の精度を高めることができる。
本発明によれば、LERの影響を排除した同期検出、収差検出を高い精度で、しかも短時間に行うことができる。これにより、露光装置の調整を適切に行うことができ、製品の品質を高めることができる。
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、レジスト膜の形成,露光後の基板の現像を行うレジスト塗布/現像処理システム1の概略構成を示す平面図であり、図2はその正面図であり、図3はその背面図である。これら図1〜3は、レジスト塗布/現像処理システム1に露光装置14を配置した状態で示されている。
図1は、レジスト膜の形成,露光後の基板の現像を行うレジスト塗布/現像処理システム1の概略構成を示す平面図であり、図2はその正面図であり、図3はその背面図である。これら図1〜3は、レジスト塗布/現像処理システム1に露光装置14を配置した状態で示されている。
このレジスト塗布/現像処理システム1は、搬送ステーションであるカセットステーション11と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション12と、処理ステーション12に隣接して設けられる露光装置14と処理ステーション12との間でウエハWを受け渡すためのインターフェイスステーション13とを有している。
カセットステーション11において、複数枚(例えば、25枚)のウエハWが収容されたウエハカセット(CR)の搬入出が行われる。カセット載置台20上には、ウエハカセット(CR)を載置するための位置決め突起20aが、X方向に沿って1列に複数(図1では5個)設けられている。ウエハカセット(CR)はウエハ搬入出口を処理ステーション12側に向けて載置される。
カセットステーション11は、ウエハ搬送用ピック21aを有するウエハ搬送機構21を備えている。このウエハ搬送用ピック21aは、いずれかのウエハカセット(CR)に対して選択的にアクセスでき、また、後述する処理ステーション12の第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニット(TRS−G3)にアクセスできるようになっている。
処理ステーション12は、システム背面側(図1上方)に、カセットステーション11側から順に、第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4および第5処理ユニット群G5を備えている。また第3処理ユニット群G3と第4処理ユニット群G4との間に第1主搬送部A1が設けられ、第4処理ユニット群G4と第5処理ユニット群G5との間に第2主搬送部A2設けられている。さらにシステム前面側(図1の下側)に、カセットステーション11側から順に、第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2が設けられている。
第3処理ユニット群G3では、ウエハWに加熱処理を施す高温度熱処理ユニット(BAKE)、高精度でウエハWの温調を行う高精度温調ユニット(CPL−G3)、温調ユニット(TCP)、カセットステーション11と第1主搬送部A1との間でのウエハWの受け渡し部となるトランジションユニット(TRS−G3)が、例えば10段に重ねられている。
第4処理ユニット群G4では、例えば、レジスト塗布後のウエハWに加熱処理を施すプリベークユニット(PAB)、現像処理後のウエハWに加熱処理を施すポストベークユニット(POST)、高精度温調ユニット(CPL−G4)が、例えば10段に重ねられている。第5処理ユニット群G5では、例えば、露光後現像前のウエハWに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット(PEB)、高精度温調ユニット(CPL−G5)が、例えば10段に重ねられている。
第1主搬送部A1の背面側には、アドヒージョンユニット(AD)と、ウエハWを加熱する加熱ユニット(HP)とを有する第6処理ユニット群G6が設けられている。また、第2主搬送部A2の背面側には、ウエハWのエッジ部を選択的に露光する周辺露光装置(WEE)と、レジストパターンの線幅をスキャテロメトリ技術により測定する線幅測定装置(ODP)と、をレジスト膜厚を測定する膜厚測定装置(FTI)とを有する第7処理ユニット群G7が設けられている。
なお、線幅測定装置(ODP)で用いられるスキャテロメトリ技術とは、任意のパターン形状に対して回折光強度分布を計算して、例えば、予めライブラリを作成しておき、測定対象のパターンに光を入射し、回折光強度の角度方向分布を検出し、その検出結果と上記のライブラリとのパターンマッチングにより測定対象のパターンの幅、高さ等を推定するものであり、例えば、特開2002−260994号公報に詳しい説明がなされている。
第1処理ユニット群G1では、レジスト膜を成膜する3つのレジスト塗布ユニット(COT)と、反射防止膜を成膜するボトムコーティングユニット(BARC)が計5段に重ねられている。なお、図1に示される‘CP’はコーターカップを、‘SP’はスピンチャックを示している。第2処理ユニット群G2では、現像ユニット(DEV)が5段に重ねられている。
第1主搬送部A1には第1主ウエハ搬送装置16が設けられている。この第1主ウエハ搬送装置16は、ウエハWを保持する3本のアームを備えており、これらのアームは、一体的にZ軸回りに回転し、Z軸方向に昇降し、別々に水平方向(X−Y面内)で伸縮自在である。これにより第1主ウエハ搬送装置16は、第1処理ユニット群G1、第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4と第6処理ユニット群G6の各ユニットに選択的にアクセス可能である。第2主搬送部A2には、第1主ウエハ搬送装置16と同様の構造を有する第2主ウエハ搬送装置17が設けられており、第2主ウエハ搬送装置17は、第2処理ユニット群G2、第4処理ユニット群G4、第5処理ユニット群G5、第7処理ユニット群G7の各ユニットに選択的にアクセス可能である。
第1処理ユニット群G1とカセットステーション11との間および第2処理ユニット群G2とインターフェイスステーション13との間にはそれぞれ、第1,第2処理ユニット群G1,G2に処理液を供給する液温調ポンプ24,25と、レジスト塗布/現像処理システム1外の空調器からの清浄な空気を各処理ユニット群G1〜G5の内部に供給するためのダクト28,29が設けられている。
第1および第2処理ユニット群G1,G2のそれぞれの最下段には、これらに薬液を供給するケミカルユニット(CHM)26,27が設けられている。また、カセットステーション11の下側には、レジスト塗布/現像処理システム1全体を制御する第1制御部31が設けられている。
処理ステーション12の背面側のパネルおよび第1処理ユニット群G1〜第7処理ユニット群G7は、メンテナンスのために取り外しが可能となっている。
インターフェイスステーション13は、処理ステーション12側の第1インターフェイスステーション13aと、露光装置14側の第2インターフェイスステーション13bとから構成されている。第1インターフェイスステーション13aには第5処理ユニット群G5の開口部と対面するように第1ウエハ搬送体18が配置され、第2インターフェイスステーション13bにはX方向に移動可能な第2ウエハ搬送体19が配置されている。
第1ウエハ搬送体18の背面側には、上から順に、周辺露光装置(WEE)、露光装置14に搬送されるウエハWを一時収容するイン用バッファカセット(INBR)、露光装置14から搬出されたウエハWを一時収容するアウト用バッファカセット(OUTBR)が積み重ねられた、第8処理ユニット群G8が設けられている。第1ウエハ搬送体18の正面側には、上から順に、トランジションユニット(TRS−G9)と、2段の高精度温調ユニット(CPL−G9)が積み重ねられた、第9処理ユニット群G9が設けられている。
第1ウエハ搬送体18は、ウエハ受け渡し用のフォーク18aを有している。このフォーク18aは、第5処理ユニット群G5、第8処理ユニット群G8、第9処理ユニット群G9の各ユニットに対してアクセスし、各ユニット間でウエハWを搬送する。また、第2ウエハ搬送体19は、ウエハ受け渡し用のフォーク19aを有している。このフォーク19aは、第9処理ユニット群G9の各ユニットと、露光装置14のインステージ14aおよびアウトステージ14bに対してアクセス可能であり、これら各部の間でウエハWを搬送する。
なお、露光装置14のインステージ14aにはウエハWを搬入可/不可を示すランプ等が、アウトステージ14bにはウエハWを搬出可/不可を示すランプ等がそれぞれ設けられており、第2インターフェイスステーション13bにはこれらのランプの表示状態を認識するセンサが設けられており、ウエハWを保持したフォーク19aはこのセンサの認識結果にしたがってインステージ14aにウエハWを搬入し、空のフォーク19aはこのセンサの認識結果にしたがってアウトステージ14bにアクセスしてウエハWを搬出する構成となっている。
このように構成されるレジスト塗布/現像処理システム1においては、ウエハカセット(CR)から取り出された1枚のウエハWは、例えば、処理ステーション12のトランジションユニット(TRS−G3)に搬送され、温調ユニット(TCP)での温調、アドヒージョンユニット(AD)でのアドヒージョン処理、ボトムコーティングユニット(BARC)での反射防止膜の形成、加熱ユニット(HP)における加熱処理、高温度熱処理ユニット(BAKE)におけるベーク処理、高精度温調ユニット(CPL−G3)での温調、レジスト塗布ユニット(COT)でのレジスト液の塗布処理、プリベークユニット(PAB)でのプリベーク処理、周辺露光装置(WEE)での周辺露光処理を経て、露光装置14内に搬送される。そして、ウエハWは、露光装置14での露光後、トランジションユニット(TRS−G9)への搬送、ポストエクスポージャーベークユニット(PEB)でのポストエクスポージャーベーク処理、現像ユニット(DEV)での現像処理、ポストベークユニット(POST)でのポストベーク処理を経て、ウエハカセット(CR)へ戻される。
次に、レジスト塗布/現像処理システム1と露光装置14の制御系について図4を参照しながら説明する。レジスト塗布/現像処理システム1は第1制御部31により制御され、露光装置14は第2制御部32により制御される。
第1制御部31は、第1プロセスコントローラ(CPU)35と、工程管理者がレジスト塗布/現像処理システム1を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードやレジスト塗布/現像処理システム1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有する第1データ入出力部36と、レジスト塗布/現像処理システム1で実行される各処理条件を第1プロセスコントローラ(CPU)35の制御にて実行するための制御プログラム38aおよび制御プログラム38aを実行するためのデータであるレシピ38bならびに線幅測定装置(ODP)において測定された分光反射スペクトルを解析するための解析プログラム39aおよびライブラリ(データベース)39bが記録された第1記録部37と、を有している。なお、図4では、第1制御部31が制御する一部の処理ユニット等を例示しており、全ての制御対象を図示してはいない。
第2制御部32は、第2プロセスコントローラ(CPU)41と、工程管理者が露光装置14を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや露光装置14の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有する第2データ入出力部42と、露光装置14で実行される各処理条件を第2プロセスコントローラ(CPU)35の制御にて実行するための制御プログラム44aおよびレシピ44bが記録された第2記録部43と、を有している。第2プロセスコントローラ(CPU)41から露光装置14内の駆動部(例えば、フォーカスを調整するためのウエハWの位置またはレンズ位置を調整する機構、光量のしぼり調整等を行うための機構等)へ制御信号が送られる。
第1制御部31と第2制御部32との間には、ウエハWの露光処理に関するデータや露光装置14を調整するためのデータ等を双方向通信することができるように、インターフェース33が設けられている。
次に、上述の通りに構成されたレジスト塗布/現像処理システム1と露光装置14を用いて、露光装置14の同期精度を検出する方法について説明する。図5に同期精度検出方法を示すフローチャートを示す。まず、ダミーウエハWの表面にレジスト膜を形成する(ステップ1)。ここで、ダミーウエハWとしては、できるだけ厚みが均一で平坦度の高いものを用いる。これは、ダミーウエハWそのものの表面に凹凸があったり、厚みが不均一で表面が傾斜していると、形成されるレジストパターンに歪みが生じて同期精度の検出精度が低くなるので、それを回避するためである。
次いで、ダミーウエハWに形成されたレジスト膜を、円形パターン(後に、円形パターンが不透過領域(遮光領域)となっており、レジスト膜において光が照射されなかった部分が現像により溶解し、これによりレジスト膜に円形のホールが形成されるものとする)が所定のピッチで形成されたフォトマスク(レチクル)ものを用い、所定の露光条件(例えば、現在行っている同期精度検出が終了した後に行われる製品生産に適用される露光量とフォーカス値)で、露光する(ステップ2)。
続いて、露光が終了したウエハWを現像処理する(ステップ3)。これによりレジスト膜にフォトマスクの円形パターンに由来する孔部が形成されるので、この孔部の形状を線幅測定装置(ODP)を用いて測定する(ステップ4)。線幅測定装置(ODP)における孔部形状の測定は、例えば、数十μm□に所定波長の光を入射し、その分光反射スペクトルを測定する。測定された分光反射スペクトルは、第1制御部31へ送られて、そこで、分光反射スペクトルの解析が行われる(ステップ5)。
ここで、孔部にLERが形成されていても、この分光反射スペクトルには、その場所を特定することができる情報は、測定原理上、含まれておらず、このため第1制御部31は、解析プログラム39aを実行させて、得られた分光反射スペクトルをライブラリ39bと照合し、孔部の平均形状、例えば、直径がXである円形であるとか、長径がY、短径がZであり、長径が本来あるべき方向と角度θずれている楕円であるといった情報を出力し、この孔部形状とフォトマスクの円形パターンとを比較する(ステップ6)。
本例の場合、同期精度が良好であれば、孔部について一定の直径の真円であるという情報が得られる筈なので、そのような情報が得られた場合には、次のいずれかの過程を経て、製品ウエハの処理に移行する(ステップ7)。例えば、第1制御部31は、同期精度が良好である旨の光信号(緑色のランプ等)を出して、製品ウエハの処理に自動的に移行する。または、第1制御部31は、データ入出力部32のディスプレイへ同期精度検出の結果を表示し、工程管理者によりその結果が確認されたことを示す入力が行われた後に、製品ウエハの処理を開始する。あるいは、孔部についての測定結果をデータ入出力部32に表示し、その結果を工程管理者が検討して、同期精度の良・不良を判断するようにしてもよい。
逆に、同期精度が不良であると第1制御部31または工程管理者が判断した場合には、警報(例えば、赤色のランプ点滅、ディスプレイ上での点滅、音声)が発せられて、露光装置14の稼働がインターロックされ、工程管理者が露光装置14を点検する等の処置を取るようにする(ステップ8)。
次に、露光装置14の収差を検出する方法について説明する。検出することができる収差は、像面収差(像面湾曲)、非点収差、球面収差の3種である。そこで第1に、像面湾曲の検出方法について、図6に示すフローチャートを参照しながら説明する。
まず、ダミーウエハWの表面にレジスト膜を形成する(ステップ101)。続いて、図7(a)に示すように、一定の線幅の透過領域91と不透過領域92とが線状に交互に並べられたテストパターンを有するフォトマスク(後に、不透過領域91に由来してレジスト膜において光が照射されなかった部分が現像により溶解し、これによりレジスト膜に一定幅の線状パターンが一定の間隔で形成されるものとする)を用い、露光量を一定とし、フォーカス値を変えて逐次露光する(ステップ102)。
このステップ2での露光量は、製品生産現場で通常用いられている値または最も製造余裕のない値に固定することができる。一方、フォーカス値は、製品生産のために設定されているフォーカス値(以下「フォーカス値F0」とする)を中心として、例えば、図8に示すように縦横に設定された複数の露光エリアSを一筆書きで移動させながら、フォーカス値F0±0.5μmの範囲で0.05μmずつフォーカス値をずらして、露光エリアS毎に1ショットの露光を行う。ここで、露光エリアSの面積は、露光装置14の最大フィールドサイズに合わせることが好ましい。
続いて、露光が終了したウエハWを現像処理する(ステップ103)。これによりレジスト膜に一定幅の線状のパターンが形成されるので、その線幅(CD)を線幅測定装置(ODP)を用いて測定する(ステップ104)。このステップ104では、図9に示すように、1ショットの露光エリアS内に複数の測定点、例えば、中央と四隅の合計5点(P1〜P5)を定め、点P1に所定波長の光をあてて、分光反射スペクトルを測定する。そして、第1制御部31は、得られた分光反射スペクトルに最も形の近いスペクトルをライブラリ39bの分光反射スペクトルから検索することによって、点P1でのレジストパターンの線幅を求める。点P2〜P5についても同様の処理を行い、一点毎にレジストパターンの線幅を求める。さらに、このような分光反射スペクトルの測定と線幅の決定を、各露光エリアSに対して行う。
次に、第1制御部31は、解析プログラム39aを用いて、各露光エリアSに設定された点P1〜P5のレジストパターンの線幅と各露光エリアSを露光した際に用いられたフォーカス値との関係を求める(ステップ105)。このステップ105のために、露光装置14の第2制御部32から各露光エリアSでの露光条件がインターフェース33を介して第1制御部31へ送られる。これにより、例えば、図10に示すグラフが得られる。
本例では、光が照射されていない部分が溶解するネガ型レジストであるから、フォーカス値が適切でないと、光が照射される領域が拡がり、それによって線幅が広くなるので、ステップ105により、図10に示すように、点P1〜P5毎にフォーカス値が適切な部分で線幅が極小を示すような曲線が得られる。このとき、線幅測定装置(ODP)からは、LERの影響を受けずに線幅の平均値が検出されるために、先に図15に示したような凹凸の激しい折れ線グラフではなく、滑らかな曲線が得られるので、曲線毎の極小値の判断が容易である。
この図10から線幅(CD)の極小値を与えるフォーカス値の最小値Fminと最大値Fmaxとの間の差、つまり像面湾曲が求められるので、その差が所定値以下であれば、製品ウエハの処理に入ることができ(ステップ106)、その差が所定値を超えるならば、この像面湾曲が小さくなるように、露光装置14の光学系を調整する(ステップ107)。なお、簡便に露光装置14を調整する方法としては、図10に示される、線幅(CD)の極小値を与えるフォーカス値の最小値Fminと最大値Fmaxの平均値を最適フォーカス値FBと定めて、露光装置14のフォーカス値をこの最適フォーカス値FBに設定する方法もある。
第2に、露光装置14の非点収差の検出方法について説明する。まず、ダミーウエハWの表面にレジスト膜を形成する。次に、図7(b)に示すように、一定の線幅の透過領域93と不透過領域94とが線状に交互にX方向に並べられた領域K1と、Y方向に並べられた領域K2とを有するパターンが形成されたフォトマスクを用い、露光量を一定とし、フォーカス値を変えて逐次露光する。この露光処理における露光量やフォーカス値の設定は、先に説明したステップ102と同様である。
続いて、露光が終了したウエハWを現像処理し、その後に形成されたレジストパターンを線幅測定装置(ODP)を用いて測定する。本例では、1ショットの露光エリアS内に領域K1に由来するパターン部分と領域K2に由来するパターン部分とが存在するので、露光エリアS毎に各パターン部分の中心部における線幅を測定する。これにより、領域K1に由来するパターン部分ではX方向の線幅が、領域K2に由来するパターン部分ではY方向の線幅が測定されるので、図11に示すようなグラフを得ることができる。
図11に示されるように、スキャテロメトリ技術を用いた線幅測定装置(ODP)によれば、X方向の線幅を示す線の極小値を与えるフォーカス値とY方向の線幅を示す線の極小値を与えるフォーカス値の判定が容易であり、これらのフォーカス値の差が非点収差となるので、この非点収差の幅が狭くなるように、工程管理者は、露光装置14の光学系を調整する。これにより、非点収差の発生を最小限に抑えることができる。なお、図16に、参考例として、測長SEMによる線幅測定結果を示す。X方向の線幅を示す線の極小値を与えるフォーカス値とY方向の線幅を示す線の極小値を与えるフォーカス値の判定は容易ではなく、また、観察者によって非点収差の値の判断が異なるおそれのあることがわかる。
第3に、露光装置14の球面収差の検出方法について説明する。まず、ダミーウエハWの表面にレジスト膜を形成する。次に、図7(c)に示すように、不透過領域96内に設けられた透過領域95の線幅が異なる5つの領域R1〜R5を有するテストパターンを用い、露光量を一定とし、フォーカス値を変えて逐次露光する。なお、ここでは領域R1は形成されるレジストパターンの目標線幅を100nm、領域R2は目標線幅を110nm、領域R3は目標線幅を120nm、領域R4は目標線幅を130nm、領域R5は目標線幅を140nmに設定したものを用いている。この露光処理における露光量やフォーカス値の設定も、先に説明したステップ102と同様である。
続いて、露光が終了したウエハWを現像処理し、その後に形成されたレジストパターンを線幅測定装置(ODP)を用いて測定する。本例では、1ショットの露光エリアS内に領域R1〜R5に由来する5つのパターン部分が存在するので、露光エリアS毎に各パターン領域の中心部における線幅を測定する。これにより、図12に示すようにテストパターンの領域R1〜R5毎に折れ線(またはスムージングされた曲線)が描かれる。
この図12に示されるように、スキャテロメトリ技術を用いた線幅測定装置(ODP)によれば、各線において線幅の極小値を与えるフォーカス値の最小値と最大値を求めることが容易である。これらのフォーカス値の差が球面収差となるので、この球面収差の幅が狭くなるように、工程管理者は、露光装置14の光学系を調整すればよい。これにより、球面収差の発生を最小限に抑えることができる。なお、図17に、参考例として、測長SEMによる線幅測定結果を示す。各線において線幅の極小値を与えるフォーカス値の最小値と最大値の判定は容易ではなく、また、観察者によって球面収差の値の判断が異なるおそれのあることがわかる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、同期精度検出方法において、ダミーウエハを用いた例を示したが、製品ウエハにおける製品領域の外側に、テストパターンで露光を行い、製品ウエハを現像処理することによって得られるレジストパターンの穴形状を線幅測定装置(ODP)により測定してもよい。また、楕円形の孔部がレジスト膜に形成されるような透過/不透過パターンが形成されたテストパターンを用いてもよく、この場合にもレジスト膜に形成された孔部のスキャテロメトリ技術による測定形状(大きさ、変形の具合)から、同期精度の良・不良を検出することができる。
また、スキャテロメトリ技術によれば、レジストパターンの線幅(パターンの上面の線幅)のみでなく、レジストパターンの底部の幅や側面の傾斜角を測定することもできるので、これらの測定値を基準に各種収差を求めて、露光装置14の光学系を調整することもできる。
上記説明においては基板として半導体ウエハを取り上げたが、FPD(フラットパネルディスプレイ)用のガラス基板におけるフォトリソグラフィー技術にも本発明を適用することができる。なお、線幅測定装置(ODP)は、ウエハ搬送機構21がアクセスできるように、レジスト塗布/現像処理システム1のX方向側面に取り付けてもよい。
本発明は、半導体装置の製造、FPDの製造に好適であり、特に穴径や線幅が160nm以下微細パターンを形成するための露光装置の調整に有効である。
1;レジスト塗布/現像処理システム
14;露光装置
31;第1制御部
32;第2制御部
33;インターフェース
35;第1プロセスコントローラ(CPU)
36;第1データ入出力部
37;第1記録部
39a;解析プログラム
39b;ライブラリ
41;第2プロセスコントローラ(CPU)
42;第2データ入出力部
43;第2記録部
ODP;線幅測定装置
14;露光装置
31;第1制御部
32;第2制御部
33;インターフェース
35;第1プロセスコントローラ(CPU)
36;第1データ入出力部
37;第1記録部
39a;解析プログラム
39b;ライブラリ
41;第2プロセスコントローラ(CPU)
42;第2データ入出力部
43;第2記録部
ODP;線幅測定装置
Claims (4)
- 基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をテストパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光処理する工程と、
前記基板を現像処理する工程と、
前記テストパターンに由来して形成されるレジストパターンの形状をスキャテロメトリ技術により測定する工程と、
前記テストパターンの形状に対する前記レジストパターンの変形度に基づいて露光装置の同期不良の有無を検出する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の同期精度検出方法。 - 前記テストパターンは円形パターンまたは楕円形のパターンであることを特徴とする請求項1に記載の露光装置の同期精度検出方法。
- 基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光装置のレンズ収差を測定するためのテストパターンが形成されたフォトマスクを用い、露光量とフォーカス値をそれぞれ変化させて前記レジスト膜の異なる領域に逐次露光する工程と、
前記基板を現像処理する工程と、
前記テストパターンに由来して形成されるレジストパターンの形状を、1ショット露光領域毎に、かつ、前記露光領域の複数箇所で、スキャテロメトリ技術により測定する工程と、
得られたレジストパターンの形状データに基づいて、像面、非点、球面の少なくとも1つの収差を評価する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の収差検出方法。 - 前記テストパターンは、一定の線幅の透過領域と不透過領域とが線状に交互に並べられたパターンであることを特徴とする請求項3に記載の露光装置の収差検出方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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