TW530139B - System and method for using bent pipes in high-purity fluid handling systems - Google Patents

Description

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五、發明說明d) 發明領域 本發明係關於高純度供給排放系統，其特別係為— 適用於半導體製程，生技製藥，與諸如此類。 種 發明背景 南純度供給排放系統面臨許多限制，該些個限制並 是共同供給排放系統（如：商業與民生用水供水系统）的不 要考慮。本發明特別要求，在高純度供給排放系統的輪、, 管内壁必須極度地平滑，在生技製藥系統，輸送管内壁t 粗糖表面，會窩藏有害的細菌，在半導體處理系統，輪送 管内壁的粗糙表面會造成微粒（part iculates)與釋氣 (ouΐgas s i ng)的增加。因此，為適用於高純度供給排放系 統，一般而言，輸送管内壁表面必須有一平均粗度 (roughness)Ra約在25微米（//m)或更低的數值。 彎曲一輸送管造成一表面粗糙效應（roughness ef feet )，於習知技藝中稱為”橘子皮π ’其係位於該輸送 管内壁。基於該項理由，一般都能接受不做某種彎曲後處 理，、彎管係不適用於高純度供給排放系統。替代性地，高 純度供給排放系統會藉由焊接設備，而建構在輸送管直線 走向的兩端。 該焊接設備，其本身係藉由彎管製成，然而實際的彎 曲後處理仍屬必要。該設備’其係造自輸送管，該輸送管 有一更厚的管壁厚度，該管壁厚度卻大於該輪送管所要接 合的另一輸送管的管壁厚度·，原因是彎曲後的抛光‘作業係 為必要，以便研磨拋光該設備的内表面，並移走一部份的

530139 五、發明說明（2) 管壁厚度。又，因為彎曲導致在一輸送管内產生壓力，一 種彎曲後的熱處理，或是回火，係為必要，以便減輕該些 個壓力。 輸送管的凸緣，係藉由焊接至該設備，以便於將該設 備交連至其它輸送管。焊點係為侵入性的，且造成該設備 的冶金改變，該現象導致削弱的腐钱電阻（c 〇 r r 〇 s i ο η r e s i s ΐ e η c e )，該焊點同時造成該設備的物理變化，該物 理變化破壞該内表面的平滑度。因此，焊接後處理亦為必 要，以減少該些非所要的焊接效應。 於該領域中，標準成品的設備，一般而言受限於4 5 ^ 角與9 0 °角，又，由於考慮到空間的因素，一般將該設備 與一彎曲處緊密結合，係為眾所皆知。因此，標準成品設 備，一般是彎曲至使該彎曲處的半徑係為該輸送管直徑 (D)的d ^ D)，該值4 D係為工業標準，因為這是一般 2 L 2 可接受的，無需顯著複雜處理（如：輸送管塌陷等）可被製 造之最緊密的彎曲處。 所需要的，只是在一系統或方法中，用於彎管使其滿 足高純度供給排放系統的要求，其不需經彎曲後處理。且 所需要的，只是在一系統或方法中，用於減少焊接設備的 數目，該焊接設備係用於高純度供給排放系統。 發明概要 本發明克服習知技藝的問題，係藉由提供一方法，其 係彎曲複數個輸送管，使得被彎曲的輸送管，無需彎曲後 熱處理或拋光處理，適用於高純度供給排放系統。本發明

第6頁 530139 五、發明說明（3) 促進彎管的 系統，實質 一用於 明，其包括 (grain-sizi 安裝該金屬 系統，生技 徑，係比該 法，該彎曲 的實施例中 根據本 而提供一超 角的設備（士 的。又，於 地’當形成 該輸送管的 於該特 鋼。一般而 統，而不需 一系統有特 裝於該系統 根據本 述。該系統 線係與該月空 使用’取代焊接設備，適用於高純度供給排放 上獲得人工與材料的節省。 建構高純度供給排放系統的方法，依據本發 :設置一金屬管，該金屬管的直徑（D )且，粒度 e)數至少為五，形成一彎曲處於該金屬管，且 官於該南純度供給排放系統（例，半導體處理 製藥系統等等）。位在該金屬管彎曲處的半 金屬管的半徑大】I倍（1· 5D)。在一特別的方 處的半徑，係介於1.5D到31)間，且於一更特別 ，該彎曲處係為一2D的彎曲處。 發明，彎？處可被加工形成，具任意角度，因 越I知技蟄的優點，其中典型地僅有共同彎曲 °，30。 ，45。 ，qn。铉、 曰女血 八 σ。一总 90寺），疋商業上可取得 早 * l g中，可形成複數個彎曲處。選擇性 彎曲處時，可使用一非金屬心軸，以避免損壞 別揭露的方法，該4 # _ Z輸迗官的穹曲處係造自不鏽 舌，§亥务官適合安裝於一高純度供給 ::彎曲後熱處理或研磨拋光處理，然而，，若 内：ΐ的：表面平滑度要求’則該彎管可在安 内之刖，先做一電解拋光處理。 ，明，加入輸送管彎曲處於一系統中 描 包括一腔室，與_古 ^ _ 冋純度官線，而该高純度管 至進仃液體交換，肖高純度輸送管、線，具一直

530139 五、發明說明（4) ^ --- 徑（D)，係由一金屬製成，該金屬粒度（grain-S1Ze)數至 少為5，包括至少一彎曲處，且該彎曲處的半徑大於 1 · 5D。於一特別實施例中，該高純度輸送管線係為主要液 體供應管線（例：直徑大於等於1英吋），個別液體供應管 線（直偟小於1央吋），且一半導體處理系統的真空前級。 選擇性地，該高純度給輸送管線係為任一進入管線，該 線係與位於一生技製藥處理系統内的產物接觸。 以 發明内容 本發明克服與習知技藝有關的問 复 & 統與方法，其用以·彎管而不引入_ (如"橘纟狀”於該輸送管内表s，使得接二數$的粗糙度 曰η衣®，便付该輸送普 裝在一高純度給液體處理系統中， I g 了於女 义為考饰，,u 尔、，允甲無而將该輸送管做彎曲 後…、處理（post bend heat treatinent)或 研 理—lcal PQllshlng prQGess)，j 即啗金叙進步地，形成數個彎曲處於一菸， 減少必需用於建構一系統的焊點數目，目 =二 的負”果(如：姆(poroslty)、腐餘；:體知導 电性的降低等）。於下列敘述中，為數眾多的〃 (如：特定型態的材料），係用以提供本發明的完$ 7二。 然而，熟悉該技藝之人士明白，本發明的實施70將將不受限 於該特定細節。於其它實施例，習知彎管的慣常作法（如· 使用=，彎管的工具與設備，特別是輸送管的I寸與管^ 厚度等等）已被省略，並不妨礙本發明的實施。 第—圖係為一輸送管102，其中具彎曲處丨〇4於其中形 530139 五、發明說明（5) 成的示意圖。輸送管1 〇 2形成係來自—金 — 直徑（D ) 1 0 6的示意圖。彎曲處1 〇 4有〜曲“官’其具有~ 該特別實施例中，該彎曲處1 〇 4係為於、、，f丨〇 8的半技’於 的兩倍。於習知技藝中，一彎曲處的別廷官102直徑（D)1 〇6 J曲率丰批你焱犯丄、 彎曲處輸送管的直徑（D)的倍數（如，1 n ，、马开/成該 丄 ju，i 5D，？D ο 等），該彎曲處丨04的角度110係量自於—管線ιΐ2(盆>，5D 輸送管102的偏斜部份114邊緣）’與—管線ιΐ6(在彎:者 前，其沿著偏斜部份114邊緣）間。例如，輸送管1〇2 微小的彎曲只有幾度，其中一”U”型彎曲為180度。 吊 第二圖是一輸送管102的示意圖，其顯示彎^處1〇4於 該輸迗官1 0 2中形成的方式。特別地，彎曲處丨〇 4係利用— 心軸2 0 2形成於輸送管1〇2中。於彎曲前，該心軸2〇2係置 於輸送管102中’且自輸送管丨〇2中抽離，其抽離方向為箭 頭2 04指示的方向，當該彎曲設備（未顯示於圖中）迫使輸％ 送管102的部份114朝箭頭206指示的方向抽離。 · 以這種方式形成輸送管的彎曲處，係為彎管的習知技 藝，但不包括心軸2 0 2被建構自非金屬材料。在一特別實 施例，心軸2 0 2被建構自一由杜邦（DuPont )DELRON註冊商 標下所賣出之材料。

使用一非金屬心轴2 0 2並不考慮為本發明的必要元 素。實際上，於一高純度恢復原形字體供給排放系統中所 使用的輸送管，能依據下述之本鼙明形成，而不需使用非 金屬心軸。然而，使用非金屬心軸2 0 2增加該彎曲過程的 產量，並藉由該心軸，以減少該管内表面瑕疵的發生。

第9頁 530139 '發明說明（6) 、 第三圖顯示一表格3 0 0，該表袼係提供該一般參數， 以供形成彎曲處，該彎曲處係適用於根據本發明的高純度 供給排放系統。表格3 〇 〇的第一列3 〇 2指示，彎曲處係早已 成功地形成於不鏽鋼製成的輸送管中（即該輸送管内表面 具有最小數量的橘皮），不鏽鋼係高純度供給排放系統所 選擇之材料。特別地，由3 04L與316L不鏽鋼製成的輸送管 已根據本發明成功地被彎曲。

列3 0 4顯示彎曲的輸送管，其必須自一粒度 (grain-siZe)數至少為五的材料中製得，粒度 (grain —size)數（G)為一參數，該參數係由美國測試與材 料學會（American Society for TeStlng and Materi^ls， A STM)標準化取得，其係由下式定義： N = 2G~] 其中N為在1平方英吋（i η2)面積中，其係在顯微照片 上取1〇〇倍（ιοοχ)的放大倍率，觀察到的顆粒（grains) 數。 粒度（grain-size)數至少為5的輸送管材料，該輸送 管材料的選擇’是本發明特別重要的部份。該發明人發現 橘皮效應（orange peel effect)與該材料粒度數（grain size number)的關連，該橘皮效應係源於一彎曲處，該材 料係為該輸送管製成的來源、。選擇具有至少粒度數5的材 料’促進適度緊繃彎曲處的形成，不致在該輸送管内表面

第10頁 530139 五、發明說明（7) 產生橘皮效應。 列3 0 6指示彎曲半徑介於1. 5 d到3 D間的彎曲處，已被 成功地形成。如同粒度數，該彎曲半徑同時影響於一彎管 内表面產生橘皮效應的數量，該彎曲半徑越小，則該福皮 效應（orange peel effect)越有可能發生° 因為該橘皮效應的數量，係由粒度（grain-size)數與 一 V曲處的半徑決定，該些性質之間亦存在交互關係，例 如’更緊密的彎曲處可被預期成功地形成一具更大粒度數 (gra i n s i ze number)(如8 )的材料。該發明者發現使用一 粒度數為5的材料，且彎曲成2D的半徑，確可導致無橘皮 效應的彎曲，而適用於高純度供給排放系統，並無需彎曲 後熱處理或研磨拋光處理。對於一半徑為2 D的彎曲處的材 料，其粒度數至少為5，於該輸送管内壁，在輪廓儀 (Profilometer)讀取讀數前後，可顯示平均粗度 (roughness)Ra最多2〜3微英对（//inch)的改變。因 此，若一輸送管有一原始内表面平均粗度（roughness Μ 0 微英吋（// i nch )，一 9 0度而以半徑為2D的方式形成的彎曲 處，將其導致一壓縮型態的平均粗度，且導致最多3 微英对（// i n c h)的該彎曲處張力面積。相對地，於焊接系 統内，該内部焊珠有一原始内表面粗度在2 0 0微英对（^ inch)的數量級（order)。 列3 0 8指出任意角的彎曲處，可依據本發明被形成， 雖然介於0度到9 0度的彎曲’其最有可能被加入一高纟屯产 供給排放系統。任意角度彎曲管的可獲得性提供一優於^習

530139 五、發明說明（8) 知技藝的優點，其中典型地只有45與9〇度的設備為商業使 用。 第四圖為一南純度供給排放液體處理系統4 〇 〇的方塊 圖，該方塊圖包括：數個主液體供應40 2 ( 1 —4 )，一液體供 應歧管陣列4 0 4，數個反應腔室4 g (1 __ 3 )，與數個真空幫 浦4 0 8 U - 3 )’所有部件都根據本發明經由彎管交互相連。 咼純度液體處理系統4 0 0意圖表示任一數個高純度給排水 處理系統，包括，但不限於半導體處理系統，或生技製藥 系統。 液，供應40 2 ( 1 -4 )係交連於歧管4〇4，分別透過數個 主供應管線410(1-4)。主供應管線41〇(1_4)血型地運送大 量的液體到數個系統，且因此形成輸送管，該輸送管呈有 相當大的直徑，#變動範圍從卜6英忖或更大。於高純度 ϊ Ϊ排放ί統中，主供應管線具有大直徑，於該領域中係 廣為被接受的，而其#以捏垃Μ彳共奢故 坏接5又備建構，且該主供應管線 不此經由％曲單獨形成姓2丨Η & , + m，+早獨开y成特別疋缺少某種彎曲後熱處理， yM π η _ ^ ^ ^ 邳反於此贋為接叉的原則，主供應管線 4 1 0 ( 1 - 4 )係藉由彎曲來成，f技接 , 升乂成，、將替換以焊接設備建構的方 式。 液體供應歧管4〇4接收經由主供應管線41(K1_4)來的 ，體，並傳送該些個液體，經過 y=)來的 =1 二到每—腔室 40 6 ( 1 -3 )。每-:二 條 應官線，以便從主液體供應4〇2(卜4)之一，提 供液體。因為供廣營绩4 1 ?门—1 册 M g線4 1 2 (1 1 2 )攜τ較小體積的液體，

Η 11 II i 1 m B Μ 11 iiiil 11 ill I llili 11 ill 第12頁 530139

五、發明說明（9) 它們的直徑，典型上小於1英时（i n c h )。 系統4 0 0的區域42 0，於該習知技蓺， 林π ，因為區域420包括大數量的小直二其係通常指”叢 的是習知技藝於叢林中形成輪送營，其/适官。廣為皆知 到小直徑（如0·25英吋）輸送管，亦可知=藉由手工彎曲得 大彎曲半徑（如10D)。用於高純度供給排Λ手工彎管要求一 管，其具有彎曲處，該彎曲處具小彎曲糸統的輸送 無法與手工製一致。較大彎曲半徑的要徑（如少於3D)， 送管更固難，因此，許多製造廠商選擇=於f林中繞行輸 備（如少於3D)，商業標準為1. 5D。 Λ小寫、曲半徑的設 相反於廣為接受的常例，該常例係須 與較小彎曲半徑間選擇合適的設備，供 '总^弓半枚 係自不鏽鋼製管製成，如第i —3圖所* 介於U到3D間，最佳值為2D。彎曲^半徑 Γ隹1即笔空間，同時使它於叢林中繞行輸送管更容 易，進一步地，412( 1-12)管線藉由彎曲，不 接，可以節約人力，且同時提供一實厂 儿丨J町從1、貝丨不上較焊接更平滑的 内官面，如上圖3所述。 反應物/產物腔室40 6 U-3)透過供應管線412(1_12)， 接收液體’以供某些製程使用。若系統40 0是一半導體處 理系統，液體供應管線4丨2 (卜丨2 )可以供應超高純度天然 氣’以供積體電路製造使用。於另一例，若系統4 〇 〇是一 生技製藥系統，供應管線4丨2 (丨—丨2 )可提供生技製藥材料 到腔室4 0 6 ( 1 - 3 )，以供混入一產物，該產物係可經由產物

第13頁 53〇l39 五、發明說明（10) 管線4 1 6 ( 1 - 3 )傳送包裝，以供進一步處理。輪送管線，諸 如管線4 160-3)，其與生技製藥產物接觸，必需^合上述 嚴格内表面標準，且能依據本發明被彎曲。

真空幫浦4 0 8 ( 1 - 3 )個別地經由真空前級4 1 4 (1 — 3 )用以 评估腔室40 6 ( 1 -3 )。真空前級（vacuum f〇reiines)必須同 時符合上述嚴格内表面標準（如無橘皮效應），因為在真空 系統内表面的缺陷，能捕捉天然氣及/或促進釋氣 (〇 u t g a s s i n g )的水準至較高水準，因此，將一系統抽取成 真空將更為困難。因此，一般均接受真空前級4 1 4 (1 _ 3 )亦 必須從焊接設備製造。相反於這項廣被接受的原則，真空 前級4 14(1-3)係依據本發明被彎曲，如上圖1—3所述，並 不於其内表面產生橘皮效應，且因此可作為真空前級使 用。 第五圖是一流程圖，摘要說明一特殊方法5 0 0，以形 成輸送管線，供高純度液體處理系統使用。於第一步驟 502 ’ 一輸送管其製造自選於一粒度（grain-size)數至少 為5的材料。其次，於第二步驟5 〇 4，一彎曲處係形成於一 具有彎曲半徑介於1. 5D到3D間的輸送管中，其稍後，於選 擇性的第三步驟5 〇 6，該輸送管的内表面係電解拋光而 來。最後，於第四步驟5 〇 8，該彎管安裝於高純度液體處 理系統中。然在安裝該輸送管前，無須彎後熱處理。 第三步驟5 0 6係選擇性的，且不被考慮為本發明的必 要元素。如上開第三圖所述·，某些輕微的（如平均粗度 (roughness)約2-3微英吋（// inch)的改變）内表面缺陷係

第14頁 530139 五、發明說明（11) 依據本發明彎曲的結果。然而，該些缺陷一般並不會使該 輸送管不適用於以上述的高純度液體處理系統。然而，苦 該缺陷不適用於某特殊應用，則該缺陷可藉由電解拋光移 除。有關彎管的電解拋光的說明，請參閱美國丨9 9 9年9月 2 8曰第5，9 5 8，1 9 5號專利，其所有權人為羅琳克茲等人 (Lori ncz，et a 1 ·)，該專利可作為本發明之參考文獻。 依據士發明，彎曲之輸送管，嗣於安裝在高純度液體處理 光該彎f，係被認定實質改進了自谭接設 備中建構液體供應管線之習知技藝。 t發明的特殊實施例之描述到此完成。上 如，根據本發：：彎；離本發明的範圍。例 (如化學製造= 其他沒有被提到的系統 的輸送管可拓據太0 Μ 2例子，由非不鏽鋼的材料所造 其依本發明：。大凡熟悉該項技藝之人士 發明之申請變化或修飾，皆應涵蓋在以下本

第15頁 530139 圖式簡單說明 本發明的描述係參照下列圖式，其中類似的參考編號 表示實際相似的元素： 第一圖為一輸送管，其具有一彎曲處形成於其中的示 意圖； 第二圖為一輸送管，其具有一心軸插入於其中的示意 圖； 第三圖為根據本發明，表列出用以形成彎曲處的一般 參數； 第四圖為根據本發明，一高純度供給排放系統，其包 括具有彎曲處的輸送管於其間形成的方塊圖；且 第五圖為一流程圖，摘要說明依本發明以形成並使用 一彎管的方法。 【圖式編號說明】 102 料j 送管 104 彎 曲處 106 直 徑（D) 108 曲 率 110 角 度 112 管 線 114 部 份 116 管 線 202 心 軸 204 箭 頭

第16頁 530139 圖式簡單說明 300 表格 302 第一列 304 列 306 列 308 列 400 系統 402(1-4) 主液體供應 404 液體供應歧管陣列 406(1-3) 反應物/產物腔室 408(1-3) 真空幫浦 410(1-4) 主供應管線 412(1-12) 供應管線 414(1-3) 真空前級 416(1-3) 管線 420 區域 500 特殊方法 502 第一步驟 5 0 4 * 第二步驟 506 第三步驟 508 第四步驟

Claims (1)

1. 530139 六、申請專利範圍 1. 一種建構一高純度液體處理系統的方法，其包括： 設置一金屬（Metallic)管，該金屬管具有一直徑（D)，與 一至少5的晶粒粒徑數目； 形成一彎曲於該金屬管，該彎曲具有一大於一又二分之一 倍該金屬管的直徑；且 安裝該管於該高純度液體處理系統。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中安裝該管於該 南純度液體處理糸統的步驟’包括：

   安裝該管於該高純度液體處理系統，其不需要該管經彎曲 後熱處理。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中安裝該管於該 高純度液體處理系統的步驟，包括： 安裝該管於該高純度液體處理系統，其不需要該管經彎曲 後研磨力口玉(polishing process )處王里。

   4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該金屬管係由 不鏽鋼材料組成。 5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該金屬管包括 3 0 0個串聯不鏽鋼金屬。 6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該金屬管'係建

   第18頁 530139 t、申請專利範圍 構自一取自304L不鏽鋼金屬與316L不鏽鋼金屬之一之材 料。 7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該金屬管係有 一至少8的晶粒粒徑數目。 8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該彎曲處係有 一至少二倍於該金屬管的半徑。 9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該金屬管有一 粒度數至少為8。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬管係由 不鏽鋼組成。 11.如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中該安裝該管 於該高純度系統的步驟，包括： 安裝該管於該高純度液體處理系統，其不需該管經彎曲後 熱處理。 1 2.如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中該安裝該管 於該高純度系統的步驟，包括： 安裝該管於該高純度液體處理系統，其不需將該管經彎曲 後電解拋光處理。

   第19頁 530139 六、申請專利範圍 1 3.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該彎曲角係不 計4 5度或9 0度。 1 4.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成一彎曲處 於該管的步驟，使用一非金屬心軸以形成該彎曲處。 1 5.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該管的該直徑 至少為1英叶。 1 6.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中： 該管的該直徑係少於1英吋；且 該彎曲處的半徑係不超過於該直徑的3倍。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中該彎曲處的 半徑係不超過於該直徑的2倍。 1 8.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該管的該内表 面係為電解拋光，其介於該管形成一彎曲處後的步驟後與 安裝該管的該步驟前。 1 9.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成一彎曲處 於該金屬管的步驟，包括： 形成數個彎曲處於該管，其中每一個該彎曲處具有一半徑

   第20頁 530139 倍的該管之該直徑 六、申請專利範圍 大於一又二分之 2 0.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中： 該高純度液體處理系統係為一半導體處理系統；且 該管係安裝用作一液體供應管線。 2 1.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中： 該高純度液體處理系統係為一製藥系統；且 該管係安裝用作一液體供應管線。 _ 2 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該管係安裝用 作一真空前級

   換，該高純度管線係從一粒度數（g r a i n s i z e n u m b e r )至 少為5的金屬造出，且具有一直徑（D)，且有一彎曲處形成 於其中，該彎曲處有一半徑，其大於一又二分之一倍的該 直徑。 2 4.如申請專利範圍第2 3項所述之高純度液體處理系統， 其中該高純度管線不需經彎曲後熱處理。

   第21頁 530139 六、申請專利範圍 2 5 ·如申請專利||圖笛9 ^ l ^ i ^ ^ έφ ^ .弟3項所述之高純度液體處理系統， 其中“純度官線不需經彎曲後拋光處理。 2 6 ·如申請專利範圍篥？ ^ 立中兮古幼碎忠 弟24項所述之尚純度液體處理系統’ 其中忒问純度官線包括不鏽鋼。 2 7 ·如申請專利範圊笼9 a 了右^丄、 ^ i ϋ古Μ ρ7 26項所述之咼純度液體處理系統， ”中5玄阿純度官線包括3 0 0系列不鏽鋼。 直φ申^專/彳/巳圍第2 7項所述之高純度液體處理系統， 其中该南純度管線係建構自3 0 4L與316L二者之一的不鏽 鋼。 2 9.如申請專利範圍第23項所述之高純度液體處理系統， 其中該高純度管線係建構自/具有粒度數（g r a i n s i z e number)至少為8的材料。 3 0 ·如申請專利範圍第2 3項戶斤达之南純度液體處理系統， 其中邊’言曲處有一半徑，該半在至）為該南純度管線直徑 的兩倍。 3 1 ·如申請專利範圍第3 〇項所述之南純度液體處理系統， 其中該高純度管線係形成自 > 具有粒度數（g r a i n s i z e number)至少為8的材料。

   第22頁 530139 六、申請專利範圍 3 2.如申請專利範圍第3 1項所述之南純度液體處理系統 其中該高純度管線包括不鏽鋼。 3 3.如申請專利範圍第3 2項所述之高純度液體處理系統 其中該高純度管線不需經一彎曲後熱處理。 3 4.如申請專利範圍第3 2項所述之高純度液體處理系統 其中該高純度管線不需經一彎曲後拋光處理。 3 5.如申請專利範圍弟2 3項所述之南純度液體處理糸統 其中該彎曲處不計4 5。或9 0 ° 。 3 6.如申請專利範圍弟2 3項所述之南純度液體處理糸統 其中該彎曲處係藉由一非金屬心軸形成。 3 7.如申請專利範圍第2 3項所述之高純度液體處理系統 其中該高純度管線的該直徑至少為一英对（i n c h )。 3 8.如申請專利範圍第2 3項所述之高純度液體處理系統 其中： 該高純度管線的直徑係少於1英对（i n c h );且 該彎曲處的該半徑係不超過該直徑的3倍。

   第23頁 530139 六、申請專利範圍 3 9.如申請專利範圍第3 8項所述之高純度液體處理系統， 其中該彎曲處的該半徑·不超過該直徑的2倍。 4 0.如申請專利範圍第2 3項所述之高純度液體處理系統， 其中該高純度管線的該内表面係經電解拋光 (electropolished)處 ί里。 4 1.如申請專利範圍第2 3項所述之高純度液體處理系統， 其中： 該高純度液體處理系統係為一半導體系統；且 該高純度管線為一液體供應管線。 4 2,如申請專利範圍第2 3項所述之局純度液體處理系統， 其中： 該高純度液體處理系統係為一製藥處理系統；且 該高純度管線為一產物管線。 4 3.如申請專利範圍第2 3項所述之高純度液體處理系統， 其中該高純度管線係一真空前級（V a c u u m f 〇 r e 1 i n e )。 4 4.如申請專利範圍第23項所述之高純度液體處理系統， 其中該高純度管線包括數個彎曲處，每一該彎曲處有一半 徑，該半徑大於一又二分之一倍的該高純度管線的該直 徑。

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