TW522266B - High frequency waveguide and its production method - Google Patents

High frequency waveguide and its production method Download PDF

Info

Publication number
TW522266B
TW522266B TW090125451A TW90125451A TW522266B TW 522266 B TW522266 B TW 522266B TW 090125451 A TW090125451 A TW 090125451A TW 90125451 A TW90125451 A TW 90125451A TW 522266 B TW522266 B TW 522266B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
frequency
dielectric
wall
patent application
scope
Prior art date
Application number
TW090125451A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Abe
Yoshihiro Kokubo
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW522266B publication Critical patent/TW522266B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H01P3/165Non-radiating dielectric waveguides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Description

522266
發明所屬之技術領域 本發明疋關於高頻用導波路及其製造方法,特別是指 用來傳播微波、亳米波、次毫米的電磁波之導波路及 其製造方法。 習知的技術
微波、宅米波、次毫米波帶的電磁波(以下稱為高頻 波)之導波路,是使用波導管或是由金屬與電介質所組合 成之複〇導.波路。利用在2片金屬板間包挾著電介質之 MDCnonr^adi at ive dielectric)波導管方式作出由金屬與 電介質所組合成之導波路。例如在公知文獻之丨EEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES ^ VOL. MTT-29 ^ No. H ^ NOVEMBER 1981 ^ PP·1188-1192 及IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES ’VOL· MTT-32 , No· 8 , AUGUST 1984 , PP· 943-946 中所示。 此NRD波導管雖然具有在導波路之彎曲部分不會產生 幅射損耗的特長,但由於使用在導波路之截止頻率附 具有較大的傳播損耗。此外正研究使用其他光能障 (Photonic band)結晶構造作出具有較少幅射損耗的 路。 ▼收 所謂光能障結晶構造’是指如同利用結晶來控 一樣’作成具有兩介電係數比的電介質周期構造之 晶,此種構造在某一範圍之能量領域中,鈐豹人工結 T犯夠產生無法傳
2118-4415-PF.ptd 第4頁 522266 五、發明說明(2) 播之現象。在此光能障結晶構造中之局部形成打亂其周期 構造的缺陷部分,讓能量僅能在此傳播而可以形成能 傳播路。 利用光能障結晶構造作為光傳導用導波路之方法記載 於公知文獻的NATURE,VOL 386,13 MARCH 1 997 中。 又在特開2000-35263 1號公報中,記載著有關光結晶 ^/、製4方法,這是將使用在光傳送領域中由電介質以2 次70蜂巢格子狀排列所形成光結晶的完全能障(Band gap),為了提高其機械強度而排列成三角格子之 電介質組合。 曰if有在特開平1 1 -21 8627號公報中,記載著有關光結 =一 /路及其製造方法,這是將光結晶導波路以石英玻璃 或南为子材料在矽晶基板上形成使用在光通訊領域中之大 光導波路。此大理石配電板光導波路是 =:=導波領域的兩側設置著由具有不同折射率的三角 作」心ί格子狀材料所排列作成之折射率變化領域。 仁疋每i光結晶導波路都是關於光的導波方面之技術。 發明欲解決之課題 ^7顯示習知的利用光能障結晶構造 導波路的立體圖。 丨卬风之间頻用 質、itH1田QQ為高頻導波路'102為陶磁材料等之電介 結晶構造。1〇6為以和空氣圓柱1〇4垂直7::人,光能障 生且万向接合在電介質
2118-4415-PF.ptd 第5頁 522266
五、發明說明(3) 上之陰影線 金屬板1 0 6與 W2之兩端面上的金屬板。在圖7中金屬板1〇6 並不是表示剖面形狀,而是要明確的顯示2片 電介質102間的位置關係。 圖8所示為圖7中Vi Η-Vi II剖面上 剖面圖 面〇 阿頻導波 vm-vn!剖面是與空氣圓柱104相互垂直 在圖8中1 08為高頻反射領域、1 i A古 高頻波在高頻導波路100内傳播時:$艇=領域。 為光能障結晶構造而讓高頻波無法傳播,' 41域1 08 域110由於沒有空氣柱1〇4而形成光能障結晶構造上之缺貝 陷,使得高頻波可以在此部分傳播。 、 當電磁波在高頻傳播領域110内傳播時由於產生於盥 板106切線方向之全方向上磁場而有高頻電流流動了 =曰產,焦耳熱(Joule heat)傳送損耗。但是由於磁場針 ,^,是高頻傳播領域110内之高頻傳送方向傳播模式, 疋著頻率之增高而減少其傳送損耗,故通並 問題。 曰心紙 但是當在高頻傳播領域11 0中使用介電係數高的電介 質時其介質損耗就變得非常大。 、圖9所不為利用其它的光能障構造作成的習知高頻用 導波,的立體圖。與圖7及圖8中相同符號之處即表示為相 同或當的物體。在以下圖式中之記載也同樣的當使用 相同符唬時即表示相同或是相當的物體。 112為兩頻導波路、114、116為陶磁材料等之電介
2118-4415-PF.ptd 第6頁 522266 五、發明說明(4) 質。 又圖10為圖9之高頻導波路1 12中X-X剖面位置之局部 剖面圖’圖1 1為圖9之高頻導波路1 12中XI_XI剖面位置之 剖面圖。 _ ^在高頻導波路丨12中之高頻反射領域丨〇8是作成分別將 f氣圓柱1 04規則的排列在電介質1 1 4、11 6中的兩個獨立 # > ’ Φ於在高頻傳播領域丨丨〇中是形成充滿著空氣的空 間’故此部分之介質損耗較小。 ,是、不論是在高頻導波路丨〇〇或高頻導波路112中之 任何場合’要形成電介質所需的空氣圓柱104在作業上都 $所困難,為了要在高頻導波路11 2中作出高頻傳播領域 用的空間而切除電介質之加工較為困難,故不適用於 大量生產。 根據電子情報通信學會論文誌v〇1. J84_cN〇 4,pp. 勺療力^ 平4月中之5己載,雖然有利用發泡聚苯乙烯 匕覆is材的圓柱棒排列成=$ 士欠 m ^ ^ , 伴卜力战—角格子狀而作成之光能障結晶 '、,但此構造會造成較多之介質損耗。 為了要解決上述之問題點,本發明 供一鍤播、生% - β θ > 土 不〜啊之第1目的是要提 ,構每間早且具有較少損耗的 是f提供能以簡單的工程來製造出構造:fJLr且 有較少損耗之高頻導波路的製造方法。再以上間早且且具 課題之解決手段 本發明相關之高頻用導浊 θ ^ t 等砹路,具備著由複數個具有不 522266 五、發明說明(5) m係數柱體以同心狀配置作成固定長度 心具有平面的規則性而數層為介高= f ’ :七者電介質而與此第1高頻反射壁相對向且平行 =:複數個具有不同介電係數柱體: 之電介質棒讓軸中心側具有較低的4;; j作y 讓此電介質棒之軸中心呈有平 ’、 為了 声狀笫2古相6鉍μ /、有千面的規則性而配置複數層的 i的ί介V棒之端面:^ 高頻並分別將構成第^第2 棒會形成光能障結晶的構造化:^合、之^體;’故電介質 士本士 且弟1 第2南頻反射厝眩嫌 頻入邱J電介質棒之轴向方向的電場分量中既定頻帶的: 以反射’而可以形成具有較少 】:匕 耗的向頻用導波路。 芽汉得導才貝 又因為電介質棒是作成圓柱狀, :單純’故可以作出具有簡單構成的第卜以::形 構造。 V W i 乐Z同頸反射壁 又因為電介質棒是作成中空狀,以空氣作 人 二的ί,具有較低介電係數的材料故可以作出具有^單: 成的電介質棒。 a另間早構 ί因為在第1高頻反射壁與第2高頻反射壁之間是以& 孤作為電彳質,⑨可則乍出具有構 空 損耗。 丹紙間早且具有較少傳導 又因為分別在S1、第2高頻反射壁最外層的電介質棒
2118.4415-PF.ptd 第8頁 522266
外側配置著金屬壁,而可以利用^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ "貝棒之軸向方向電場分量的高頻予以反射。 電二壁是由與電介質棒同樣長度的金屬棒沿著 = ϊ:ί: 形成金屬棒列’…將金屬壁作成 〜者電;I裊棒而配置之簡單構成。 還有本發明相關之高頻用導波路的製造方法,包括將 複數個:有不同介電係數之柱體以同心狀配置作成固定長 度之電介質棒讓軸中心側具有較低的介電係數,並為了讓 此電介質棒之軸中心具有平面的規則性而將電介質棒積層 形成複數層的層狀第1、第2高頻反射壁之工程,以及經由 將此第1、第2高頻反射壁以固定的間隔相互平行對向設 置’並分別利用導體板將構成第丨、第2高頻反射壁的電介 質棒之兩端面結合之工程,故可以以簡單的製程來製造出 具有較少幅射損耗及傳導損耗的高頻用導波路。 又因為包括分別在第1、第2咼頻反射壁最外層的電介 質棒外側形成金屬壁之工程,而可以利用簡單的製程來製 造出能將帶有平行於電介質棒之軸向方向電場分量的高頻 予以反射的高頻用導波路。 發明之實施形態 實施形態1 圖1為關於本發明實施形態之一的高頻用導波路之巧 部透視立體圖。圖2所示為圖1中Π-Π剖面上之高頰用^ 波路的局部剖面圖。圖3所示為圖1中111 - 111剖面上古
2118-4415-PF.ptd 第9頁 522266 五、發明說明(7) 頻用導波路的剖面圖。 導波ί Ί為高頻導波路、是使用光能障結晶構造之 的Vi 波)之導波路。12為作為第1高頻反射壁用 辟,利用'第;i ’14為作為第2高頻反射壁用的第2電介質 ^造。 質壁12及第2冑介質壁14來形成光能障結 電介1質6 隔平行的配置於第1電介質壁12及第2 頻傳播1域】β 頻傳播領域。在本實施形態1中此高 頻傳播損耗不—定要是空、電係數之材料具有低高 18為構成第1電介皙帶〗 雪入晳婊田賀土 12及第2電介質壁14基本要素之 圓柱。在本實施形態中是作成由中心之 ΐ中、、侧之Λ圍在其外側之銘質圓筒咖所構成。也可以 柱―以較紹質圓筒18b具有更低介電係數 η故之外伽A、代替1亦即可以在具有低介電係數的中心侧 心妝有高介電係數的圓筒材料包覆而作成複數 ;且;它刊::構造’同時也並不-定是圓柱也可以使 用具有具匕剖面形狀的柱體。 工鋁質圓柱18讓第1電介質壁12及第2電介質壁 14形成光旎p早結晶椹;止 玄 格子排列的3層排:。二將二=柱1 8之軸中心作成三角 傳播的高頻頻率乂定二質二柱j8之格子間隔是由所要 术决疋其適§的值。此格子狀排列也並不 第10頁 522266 五、發明說明(8) 一定要是三角格子排列,也可以作成6角格子排列等的其 它格子狀排列。同時也不一定要是3層作出更多的層數也 無妨。 20為作為導電板用之金屬板,隔著第1電介質壁12及 第2入電介質壁14而相互對向,在構成第i電介質壁12及第2 電η質壁1 4之銘質圓柱1 §的兩端,利用金屬板2 〇分別將第 1電;I貝壁12及第2電介質壁η接合。在圖1中金屬板2〇上 之陰影線並不是表示剖面形狀,而是要明確的顯示2片金 屬板20與第1電介質壁12及第2電介質壁14間的位置關係。 在後述的圖4中亦同。 在圖2中箭頭所表示之尺寸&為格子間隔。 接下來概略的針對高頻用導波路之製造方法加以說 ^準備好具有對應於高頻波長之光能障結晶構造格子f 相同的直徑’且高度為相當於既定的金屬板間隔的 1 η工^ ^圓柱1 8 ’將叙質圓柱1 8的中心沿著高頻用導波3 ^ : ^板2G的平面形狀排列,讓紹f圓柱18之外周連; 圓柱:j 鋁質圓柱18之兩端面切齊而形成第1層的鋁質
η如ί Ϊ f ί 2層的鋁質圓柱1 8以同時與構成第1層的鋁; 第?Λ的兩㈣質圓柱18之外周連接的方式心 i的紹ΐ Γ/广鋁質圓柱列也讓構成第2層的紹質圓柱; 格子狀排列。連接。至少利用此2層就可以構成三角
522266 五、發明說明(9) 暂n f著再將第3層的鋁質圓柱18以同時與構成第2層的銘 :柱列上相鄰接的兩個紹質圓柱1 8之外周連接的方式來 | :形成第3層的is質圓枉列,,然後利用接著劑將這些 第1層、第2層、第3層的叙暂人 電介質壁12。 固柱接合。如此就形成第1 暂辟5下來以相同的方法作出第2電介質壁14,將扪電介 配罟2第2電介質壁14以既定的間隔隔開,在金屬板20 ^置成與構成電介質壁之銘質圓柱18的圓柱端面連接之狀 ,下,將金屬板20與第i電介質壁12、第2電介質壁"接 二,然後隔著第i電介質壁12、第2電介質壁“在與 之相對向位置再配置另一片金屬板20,此金屬 和第1電介質壁12、第2電介質壁14接合。 ,有另^卜的製造方法為,具有低介電容量例如潑 $聚本乙烯等之材料來形成高頻傳播領域丨6,在連接於此 尚頻傳播領域1 6的兩側將中空鋁質圓柱丨8之外周相互接合 並排’而排列成第1層的銘質圓柱列。 接著將第2層的銘質圓柱18以同時與構成们層的紹質 圓柱列上相鄰接的兩個鋁質圓柱18之外、 列時,構成第2層的銘質圓柱列上的銘質圓柱也會相\來連排 接成圓柱列而形成三角格子排列。 接著再將第3層的銘質圓柱18以同時與構成第2層的銘 質圓柱列上相鄰接的兩個鋁質圓柱18之外周連接的方式 排列而形成第3層的鋁質圓柱列。 像這樣沿著高頻傳播領域〗6而形成第1電介質壁丨2及
522266 五、發明說明(ίο) 第2電介質壁14,將高頻傳播領域16、第i電 2電介質壁14按照既定的導波路形狀予以整形後,^及第 劑加以固定同時讓二片金屬板2〇隔著第U介質壁Μ、^ 電介質壁14相對向配置,再將此金屬 、 12、第2電介質壁14接合。 ^弟1冤;丨貝壁 經由採用這些製造方法’就可以用簡單的製程來製造 具有低傳導損耗之高頻用導波路。 也就是說可以利用排列鋁質圓柱丨8之製造方法 土構成光能障結晶構造。以微波、毫米波、次毫米^而 ^ ’光能障結晶構造之結晶格子間隔是按毫米( (Order)排列,不需使用在與光能障結晶構造不同時所用 的照相製版技術或蝕刻(Etching)技術,只要將鋁質圓柱 18周期的排列就可以製造出光能障 制i山t#塋E 尤月b P平結晶構造,能夠輕易的 k ih & A |距離的高頻用導波 生產變得可能。 叩优侍大里 接下來針對高頻導波路丨0之動作說明如下。 在高頻導波路1^之輸入、輸出部結合著錐形幅射體 (Horn),以輸入、輸出高頻。 高頻導波路10的第1電介質壁12及第2電 用中空之铭質圓㈣排列成三角格子排列而形成光能^ 晶構造。故在此第1電介質壁12及第2電介質壁14上 應 t光能障結晶構造頻帶域的高頻就受限無法傳播。但是^ 兩頻傳播領域16處由於是相當於光能障結晶構造中 亂之缺陷部分,故輸入的高頻可以在此高頻傳播領域16; 2118-4415-PF.ptd 第13頁 522266
傳播。 也就是說、對於具有垂直於鋁質圓柱丨8之軸方向電p 分,的平面電磁波而言,會將對應於光能障結晶構造= 之高頻予以全部反射,使得高頻電磁波不得不沿著高 播領域16來傳輸。由於在此高頻傳播領域16中,充滿 空氣一樣的低介電係數電介質,即使是在高頻帶呈 低的傳送損耗。 一名^ 如果將習知以低介電係數之圓柱圍繞在具有高介電 數圓柱的周圍而排列成三角格子狀的丨型導波路(暫且以此 命名),與本實施例所示之以高介電係數之圓柱圍繞在具 有低介電係數圓柱的周圍而形成之電介質棒為構成要素所 構成的具有光能障結晶構造之Π型導波路(暫且以此命名) 來作比較時,I之構成的I型導波路,雖然相對於E波(電 場方$與電介質棒之軸方向相同)具有能障(Gap)也就是說 存在著非傳播頻帶,但對於Η波(電場方向垂直於電介質棒 之軸方向)則不具有能障。因此利用!型導波路來形成高頻 用導波路時會產生大的傳送損耗。 而相對的在本實施例所示之丨丨型導波路中,對於Ε 波4波立都同時具有能障(Gap),而且在高頻用導波路1〇中 與光能IV結晶構造之格子間隔相對應的特定頻率時,可以 ,成對於E波、Η波都同時產生能障而具有較少傳送損耗的 局頻用導波路。 如上述在本實施形態1之高頻用導波路中,是以中允 的銘質圓柱18等的電介質棒為基本要素來構成第)電介;
522266 五、發明說明(12) -- ^12及第2電介質壁14,同時以低介電係數之物質來構成 1頻傳播領域1 6,故可以在降低傳送損耗之同時,能以簡 單的製程來大量的生產,而構成廉價且具有高效率的高頻 用導波路。 實施形態2 圖4為關於本發明另外一個實施形態的高頻用導波路 之局部透視立體圖。圖5所示為圖4 *V-V剖面上之高頻用 導波路的局部剖面圖。圖6所示為圖4中vi-VI剖面上之高 頻用導波路的剖面圖。 圖4中30為面頻用導波路、32為作為金屬壁用的金屬 圓柱列、32a為構成金屬圓柱列32上金屬棒的金屬圓柱。 在此實施形態2中之金屬圓柱列3 2,是將具有與紹質圓柱 18相同直徑、相同長度的金屬圓柱32a,排列於第1電介質 壁12及第2電介質壁14的外侧,而與第1電介質壁12及第2 電介質壁1 4的最外層鋁質圓柱1 8形成三角格子狀排列。 此咼頻用導波路30的製造方法基本上是與實施形態1 的高頻用導波路1〇的製造方法相同,在形成第1電介質壁 12及第2電介質壁14之時,於最外層配置一層金屬圓柱32a 使其與鋁質圓柱1 8構成三角格子狀排列即可。 配置於高頻傳播領域1 6兩側的第1電介質壁1 2及第2電 介質壁1 4,是無法傳播對應於光能障結晶構造頻帶域的高 頻。也就是說對帶有垂直於鋁質圓柱18之軸方向電場分量 的平面電磁波而言,會將對應於光能障結晶構造頻帶域的
2118-4415-PF.ptd 第15頁 522266 發明說明(13) 高頻全部予以反射,而不得不在高頻傳播領域丨6中來傳 播0 但是在高頻傳播領域16中傳播之高頻不僅是具有垂直 於鋁質圓柱18的轴方向之電場分量,也具有平行於銘質圓 柱18的轴方向之電%分里’此電場分量會通過中空銘質圓 柱 18 〇 、 金屬圓柱32a會將通過此鋁質圓柱18之高頻分量全部 予以反射。在此時會有電流流動於金屬圓柱列3 2上而產生 導體損耗’由於此損耗會隨著頻率之增高而降低,在高頻 時並不致於造成大問題。 在本實施形態2中是以金屬圓柱列3 2作為金屬壁使 用,也可以使用具有其它剖面形狀的金屬柱列,或使用板 狀的金屬壁。 也就是說在本實施形態2之高頻導波路中,利用所設 置的導波路壁不僅可以將垂直於構成光能障結晶構造之鋁 質圓柱18上軸方向之電場分量,也可以將平行於軸方向之 電場分量予以反射,而能夠構成無高頻洩漏的低損耗導波 路。因此也就可以以低價來構成具有良好傳送效率 用導波路。 濟 發明之效果 本發明相關之高頻用導波路及其製造方法由於具備著 如上述所5兒明的構成或製程,故具有以下的效果。 在本發明相關之高頻用導波路中,具備著由複數個具
2118-4415-PF.ptd -- 第16頁 522266 五、發明說明(14) 有不同介電係數之柱體以同心狀配置 質棒讓軸中心側具有軔你沾八番抵叙^ =我度之電介 孕又低的;|電係數,為了讓此電介暂慎 之轴中心具有平面的規則性而配置複數、+ ^,及隔著電介質而與此第!高頻反射壁相對向 灯,又置,由稷數個具有不同介電係數柱 質棒讓軸中心側具有較低的介= 為了讓此電’I質棒之軸中心具有平面的規則性而 層的層狀第2高頻反射壁,&隔著構成此 2 射壁的電介質棒之端面而相a 弟^问頻反 第2高頻反射壁的電介質棒之兩對端向面Π將構成第1、 J电"買榉之兩端面結合之導體板, 光能障結晶構造’第1、第2高頻反射壁 的高頻全部予以反: =量的既定頻帶 導損耗的高頻料波路。W具有較少幅射損耗及傳 又因為電介質棒是圓柱狀,故可以 墙 = = 質棒作成簡單之形狀。^就可』: 更間早更低彳貝之方式來構成高頻用導波路。 站中又Γι ΐ Ξ Γ質棒是作成中空狀,“空氣作為電介質棒 軸中心侧具有較低介電係數的材料故可以作出且單= 成的電介質棒。因此就可以以更 來構成高頻用導波路。 更間早之構造更低價之方式 兩頻反射壁之間是以空 成而可以降低傳送損 成低傳送損耗及低價之 又因為在第1高頻反射壁與第2 氣作為電介質,由於具有簡單之構 耗。因此就可以以簡單之構造來構 522266 五、發明說明(15) 高頻用導波路。 又因為分別 外側配置著金屬 介質棒之軸向方 以構成具有較少 路。 又因為金屬 電介質棒之外周 沿著電介質棒而 成具有良好傳送 還有本發明 複數個具有不同 度之電介質棒讓 此電介質棒之軸 作成複數層的層 此第1、第2高頻 並隔者構成這些 板,分別利用導 棒之兩端面結合 有較少幅射損耗 提供低價且具有 又因為包括 質棒外側形成金 造出能將帶有平
在第1、第2高頻反射 壁,而可以利用此金 向電場分量的高頻予 高頻泡漏及良好傳送 壁是由與電介質棒同 配置形成金屬棒列, 配置之間單構成。因 效率之高頻用導波路 相關之南頻用導波路 介電係數之柱體以同 軸中心侧具有較低的 中心具有平面的規則 狀第1、第2高頻反射 反射壁以固定的間隔 第1、第2而頻反射壁 體板將構成第1、第2 之工程,故可以以簡 及傳導損耗的高頻用 優良傳送特性之高頻 分別在第1、第2高頻 屬壁之工程,而可以 行於電介質棒之軸向 壁最外層的電介質棒 屬壁將帶有平行於電 以反射。因此就可以 效率之高頻用導波 樣長度 故可以 此就可 〇 的製造 心狀配 介電係 性而將 壁之工 相互平 之端面 高頻反 單的製 導波路 用導波 反射壁 利用簡 方向電 的金屬棒沿著 將金屬壁作成 以以低價來構 方法, 置作成 數,並 電介質 程,及 行對向 對向配 射壁的 程來製 。因此 路。 最外層 單的製 場分量 包括將 固定長 為了讓 棒積層 經由將 設置, 置導體 電介質 造出具 就可以 的電介
2118-4415-PF.ptd 第18頁 266
五、發明說明(16) 予以反射的高頻用導波路 較少高頻洩漏及優p # U此鱿可r/ ^ 及杈良傳送特性:7以以低價來提 严 鬲頻用導波路。 有 圖式簡單說明 之局部透視 波路中圖1之 ^本發明實施形態相 立體圖。 巧頰用導波路 圖2本發明實施形態相關 ΙΙ_Π剖面上之局部剖面圖 鬲頻用導 圖3本發明實施形態相 111 - π I剖面上的剖面圖。 巧頰用導波路中圖i之 圖4本發明實施形態相 立體圖。 的馬频用導波路之局部透視 ”本發明實施形態相關
〇’J面上之局部剖面圖。 頻用導波路中圖4之V_V 圖6本發明實施形態相 VI_VI剖面上之剖面圖。 的向頻用導波路中圖4之 圖7習知的高頻用導波路 圖8習知的高頻用導波路中二部透視立體圖。 局部剖面圖。 T圖7之V I I I -V I I I剖面上之 圖9習知的高頻用導波路之 面圖 圖10習知的高頻用導局部透視立體圖。 。 〃门W /久路中圖9之Χ-Χ剖面上之局部剖 剖面Γ習知的高頻用導波 路中圖9之XI-XI剖面上之局部
2118-4415-PF.ptd 522266
2118-4415-PF.ptd
第20頁

Claims (1)

  1. 522266 六、申請專利範圍 1 · 一種高頻用導波路,包括·· 第1高頻反射壁,由複數個具有不同介電係數之柱體 以同心狀配置作成固定長度之電介質棒而使得軸中心側具 有較低的介電係數’為了讓此電介質棒之軸中心具有平面 的規則性而配置成複數層的層狀電介質棒;
    第2高頻反射壁’隔耆電介質而與此第1高頻反射壁相 對向且平行設置,由複數個具有不同介電係數之柱體以同 心狀配置作成固定長度之電介質棒而使得軸中心側具有較 低的介電係數,為了讓此電介質棒之軸中心具有平面的規 則性而配置複數層的層狀電介質棒;以及 導體板,隔著構成此第1、第2高頻反射壁的電介質棒 之兩端面而相互對向,並分別將構成上述第1、第2高頻反 射壁的電介質棒之兩端面予以詰合。 2·如申請專利範圍第1項所述之高頻用導波路,其中 電介質棒是圓柱狀。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之高頻用導波路,其特 徵在於電介質棒是中空狀。 4 ·如申請專利範圍第2項所述之高頻用導波路,其中 電介質棒是中空狀。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之高頻用導波路,其中 以空氣作為位於第丨高頻反射壁與第2高頻反射壁之間的電 介質。 6·如申請專利範圍第2項所述之高頻用導波路,其中 以空氣作為位於第丨高頻反射壁與第2高頻反射壁之間的電
    522266
    六、申請專利範圍 介質。 > 7·如申請專利範圍第i項所述之m導波路,其中 分別在第1、第2高頻反射壁之最外廣電”負棒的外側再配 置著金屬壁。 > 8 ·如申請專利範圍第2項所述之问頻^^導波路,其中 分別在第1、第2高頻反射壁之最外層電介質棒的外側再配 置著金屬壁。 9 ·如申請專利範圍第3項所述之南頻用導波路,其中 分別在第1、第2高頻反射壁之最外層電介質棒的外側再配 置著金屬壁。 1 0 ·如申請專利範圍第4項所述之咼頻用導波路,其中 分別在第1、第2高頻反射壁之最外層電介質棒的外側再配 置著金屬壁。 11 ·如申請專利範圍第5項所述之咼頻用導波路,其中 分別在第1、第2高頻反射壁之最外層電介質棒的外側再配 置著金屬壁。 1 2 ·如申請專利範圍第6項所述之高頻用導波路,其中 分別在第1、第2高頻反射壁之最外層電介質棒的外側再配 置著金屬壁。 ’ 1 3·如申請專利範圍第7項所述之高頻用導波路,其 中金屬壁是利用具有與電介質棒相同長度之金屬棒沿 述電介質棒配置而構成的金屬棒列。 14· 一種高頻用導波路之製造方法,包括: 第1、第2高頻反射壁之形成工程,由複數個具有不同 2118-4415-PF.ptd 第22頁 522266 ▽'申請專利範圍 介電係數之柱體以同心狀配置作成固定長度之電介質棒而 使得軸中心側具有較低的介電係數,為了讓此電介質棒之 中心具有平面的規則性而將電介質棒積層作成複數層的層 狀;以及 導體板結合工程,隔著電介質讓第1、第2高頻反射壁 呈相互平行對向,再隔著構成此第i、第2高頻反射壁的電 介質棒之兩端面讓導體板相互對向,並分別將構成上述第 1、第2高頻反射壁的電介質棒之雨端面與導體板結合。 士 *申請專利範圍第14項所述之高頻用導波路之製 d *中還包括分i、第2高頻反射壁之乘外層 電"質棒的外側再形成工輕。
    第23貢
TW090125451A 2001-08-23 2001-10-15 High frequency waveguide and its production method TW522266B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001253537A JP4658405B2 (ja) 2001-08-23 2001-08-23 高周波用導波路とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW522266B true TW522266B (en) 2003-03-01

Family

ID=19081848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090125451A TW522266B (en) 2001-08-23 2001-10-15 High frequency waveguide and its production method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6917263B2 (zh)
JP (1) JP4658405B2 (zh)
KR (1) KR100407750B1 (zh)
TW (1) TW522266B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100441507B1 (ko) * 2002-05-06 2004-07-23 삼성전자주식회사 포토닉 결정구조
GB2390230B (en) 2002-06-07 2005-05-25 Murata Manufacturing Co Applications of a three dimensional structure
US8022793B2 (en) * 2008-11-25 2011-09-20 The Boeing Company Sandwich vehicle structure having integrated electromagnetic radiation pathways
KR101874694B1 (ko) 2016-03-28 2018-07-04 한국과학기술원 전자기파 신호 전송을 위한 도파관
WO2018063342A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Rawlings Brandon M Co-extrusion of multi-material sets for millimeter-wave waveguide fabrication
US10461388B2 (en) 2016-12-30 2019-10-29 Intel Corporation Millimeter wave fabric network over dielectric waveguides
JP7285340B2 (ja) * 2020-07-27 2023-06-01 日本碍子株式会社 フォトニック結晶素子
CN112198679B (zh) * 2020-09-18 2021-12-03 电子科技大学 一种用于二维光子晶体材料自旋磁场激励的电磁装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5187461A (en) * 1991-02-15 1993-02-16 Karl Brommer Low-loss dielectric resonator having a lattice structure with a resonant defect
JP3686736B2 (ja) * 1996-08-30 2005-08-24 京セラ株式会社 誘電体導波管線路および配線基板
JPH10224120A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Murata Mfg Co Ltd 誘電体線路
JPH11218627A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フォトニック結晶導波路およびその製造方法
JP3407693B2 (ja) 1999-06-09 2003-05-19 日本電気株式会社 フォトニック結晶
JP2001188139A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Minolta Co Ltd 光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US6917263B2 (en) 2005-07-12
JP4658405B2 (ja) 2011-03-23
KR100407750B1 (ko) 2003-12-01
KR20030017294A (ko) 2003-03-03
US20030038690A1 (en) 2003-02-27
JP2003069312A (ja) 2003-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8054146B2 (en) Structures with negative index of refraction
US9362601B2 (en) Apparatus and method for broadband electromagnetic mode suppression in microwave and millimeterwave packages
US5600342A (en) Diamond lattice void structure for wideband antenna systems
JP6281867B2 (ja) テラヘルツ波コネクタおよびテラヘルツ波集積回路、および導波路およびアンテナ構造
JP6112708B2 (ja) メタマテリアル
WO2006093302A1 (ja) メタマテリアルでなる正負誘電率媒質あるいは正負透磁率媒質とそれらを用いた表面波を伝播する導波路
TW522266B (en) High frequency waveguide and its production method
Xu et al. Rainbow trapping with long oscillation lifetimes in gradient magnetoinductive metasurfaces
US10224637B2 (en) Reciprocal circular polarization selective surfaces and elements thereof
Liu et al. Spoof surface plasmons arising from corrugated metal surface to structural dispersion waveguide
US8498503B2 (en) Integrated optical coupler
US10122062B1 (en) Crescent ring resonator
JP2005210016A (ja) 周波数選択装置
JP6082938B2 (ja) 3次元メタマテリアル
CN211507911U (zh) Ku波段超周期元胞及全相位覆盖波束偏折器
US6567057B1 (en) Hi-Z (photonic band gap isolated) wire
JP2005072652A (ja) 弾性波伝搬体
US11245195B2 (en) Phase control plate
JPH0549201B2 (zh)
WO2023017820A1 (ja) 導波素子
JP5322223B2 (ja) 右手/左手系複合導波管
Ouassal Investigation of electromagnetic band-gap structures using metallic open square rings for microwave applications
JP3903886B2 (ja) フォトニック結晶導波路
JP6846145B2 (ja) フォトニック結晶垂直型光導波路デバイス
Kokubo et al. Photonic crystal waveguides with inner metal coated posts at millimeter-wave frequency range

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent