TW521040B - Fully integrated thermal inkjet printhead having thin film layer shelf - Google Patents

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TW521040B
TW521040B TW089103709A TW89103709A TW521040B TW 521040 B TW521040 B TW 521040B TW 089103709 A TW089103709 A TW 089103709A TW 89103709 A TW89103709 A TW 89103709A TW 521040 B TW521040 B TW 521040B
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ink ejection
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Naoto A Dawamura
Colin C Davis
Timothy Weber
Denneth E Trueba
John Paul Harmon
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Hewlett Packard Co
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Description

521040 A7 B7 五、發明說明(1 ) 本案係為Colin Davis等人於1998.3.2申請之第 09/033504號“具有積體散熱片的流體喷射列印頭,,美國 專利申请案之部份後續申請案;Timothy weber等人於 1"9·5.19申請之第Ο^Ι455!號“固態喷墨列印頭及製造 方法”美國專利申請案之部份後續申請案,而其係為 1996.2.7申請之第08/597746號美國專利申請案的後續申請 案;及Chien-Hua Chen、Naoto kamamura等人於 1998 3 2 所申請之“直接形成圖像的聚合物噴流孔,,美國專利申請 案第09/033987號的部份後續申請案。該等申請案乃已被 讓渡給本受讓人,併此附送提供參酌。 本發明係有關於喷墨列印機,尤其是有關於一種喷 列印機的單片列印頭。 ' 喷墨列印機典型具有一列印頭固設在一架上,其會… 後掃描橫越-送經該列印機的紙頁寬I。由一被附設在該 架上或在該架外之_油墨貯槽所送出的油墨,將會被鑛 該列印頭上的油墨噴射室中。每一油墨喷射室含有一油 喷=元件,諸如-加熱電阻器或壓電元件,其乃可被獨& 地定址’諸如-加熱電阻器或屢電元件,其乃可被獨立地 定址。激發—油墨喷射元件會使-墨滴由-喷嘴噴出, 在-媒體上形成-小點。所造成之墨點的圖形 像或文字。 取 當點解析度(每时點數)隨著激發的頻率增加時,該 激發兀件會產生更多的熱。此等熱須要被消散。敎量係由 要被發射的油墨及該列印頭基片,共同將該等油墨噴射元 墨 Μ 入 墨 立 而圖 等 本紙張尺i適用中國國家標準 521040 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
件之熱吸收而消散。該基片甚至可被流至該列印頭之供應 油墨所冷却。 ' ^ 有關一特殊形式的列印頭與噴墨列印機之其它的資訊 ,乃可見於Steven Steinfield等人名稱為“在一高解析度 之喷墨列印機的寬幅噴嘴陣列之穩定的基片結構,,之第 5648806號美國專利案,其已讓渡給本受讓人,併此附送 提供參酌。 由於列印頭的解析度與列印速度需提高以滿足消費市 場之需求’故有須要新的列印頭製造技術及結構。因此, 乃須要-種改良㈣印頭其至少具有町特性:在高操作 頻率下能由該等油墨噴射元件充分地吸熱;以最小的逆吹 來提供油墨贺射室足夠的再裝填速度;儘量減少鄰近的油 墨賀射室之間的串纟;可容忍在油墨中的微粒;提供一較 同的列印解析度;能精確地校準噴嘴及油墨噴射室;提供 一精確而可預測的墨滴軌跡;製造較為容易而不昂貴;及 可靠的。 ' %此所述係為使用積體電路技術製成的單片列印另 包括-電阻層之薄膜層等乃被設在一矽基片的頂面。言 層會被#刻以提供導路於該等加熱電阻元件。麼電元名 可被用來取代該等電阻元件。—選擇的導熱層在該等办 電阻器底下,而可由該等加熱電阻器及吸熱,並將熱谓 至该石夕基片與油墨的組合體。 有饋墨孔貝牙该等薄膜層而對應於各一油黑 射至。在一實施例中,該等饋墨孔係多於油墨噴射室,
本紙張尺度適财關家標準規格⑽; 297公釐)
.1 _lll·-------------ϋ (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 521040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(3 ) 此每一油墨噴射室具有一個以上的饋墨孔。假使有一饋墨 孔被一微粒阻塞,則另一饋墨孔仍可充分地再裝填該腔室 〇 有一溝槽被蝕刻於該基片的底面,因此油墨可流入該 溝槽中’而經由設在該等薄膜層中的饋墨孔流入各油墨喷 射室内。 有一孔層被設在該等薄膜層的頂面,以形成喷嘴及油 墨喷射室。在一實施例中,有一可以透光的材料乃被用來 製造該孔層。 各種不同的薄膜結構可被作為各種不同的饋墨裝置及 孔層。 所製成之完全積體的熱喷墨列印頭乃可被製成非常精 確的容差,因為整體結構係為單片式的,而能滿足下一代 列印頭的須求。 圖式之簡單說明 第1圖係為一列印匣實施例的立體圖,其可設有本案 所述之任一列印頭。 第2圖係為本發明一列印頭實施例之部份立體截剖圖 弟3圖為弟2圖之列印頭外部的立體圖。 第4圖為沿第2圖之4_4線的剖視圖。 第5圖為第2圖之列印頭的頂視圖而具有一透明的孔層 第6圖為一可擇實施例之列印頭的部份頂視圖。 本紙張尺度_作國規格(210 x 297公着) --------------^----訂---------線 (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 6 521040
-----^—-----ΦΜ (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線* 7 521040 A7 B7 五、發明說明( 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 社 印 製 。雖然一列印頭可能具有3〇〇個或更多的喷嘴,並設有油 墨賀射室’但要瞭解本發明則僅須詳細說明一單獨的油墨 噴射室。專業人士可瞭解,有許多列印頭係被設在單一矽 晶圓上,嗣再使用習知技術其互相分開。 在第2圖中,其上設有各種薄膜層22的矽基片2〇,將 詳細說明於後。該等薄膜層22包括一可形成電阻器24的電 阻層。其它的薄膜層則具有不同的功能,例如提供與基片 2〇的電絕緣,提供一由該加熱電阻元件至基片加的導熱路 徑,及對該電阻元件提供電的導體等。有一電導體乃乃被 示出導接於一電阻器24的一端。而有一類似的導體會導接 於该電阻器24的另端。在一實施例中,於一腔室内的電阻 裔與導體等會被其上之各層所覆蓋。 饋墨孔26等係被設成完全貫穿該等薄膜層22。 有一孔層28覆設在該薄膜層22上,並被餘刻形成油墨 喷射室30,每-電阻器24對應—腔室。有_管道32亦被設 在該孔層28中,以對一排油墨喷射室3〇提供一共用的油墨 通逼4官運32的内緣係以虛線33表示。噴嘴34等乃可使 用-罩體及習知的光蝕刻技術,以雷射磨削來製成。 該矽基片20會被蝕刻而形成一溝槽%,並沿整排饋 孔26的長度延伸,因此來自_油墨貯槽的油㈣乃可進 該等饋墨孔26,而將油墨饋入該等油墨噴射室%中。 在-實施例中,各列印頭係約為半时長而包含兩排岔 開的贺嘴等’其各排則包含15〇個喷嘴而使每一列印頭總 共有300個噴嘴。因此該列印頭沿著該排噴嘴的方向, 訂 ▲ 墨 入 能 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐 521040
五、發明說明(6 以單—人通過每吋600點(600dpi)的解析度來列印,或在多 11^以更阿的解析度來列印。較高的解析度亦可沿著該 歹]印頭的知描方向來印出。1200或更高dpi的解析度亦可 使用本發明來獲得。 在操作日守’有一電信號會被提供至加熱電阻器24,其 m "卩伤的油墨,而在一油墨喷射室30内形成一氣泡 4氣泡會驅使一墨滴穿過一對應的喷嘴科而喷在一媒體 上碉"亥/由墨噴射室會被毛細作用再填滿。 第3圖係為第2圖之列印頭外部的立體圖,示出溝槽% 與饋墨孔26等。在第3®的特定實施例中,有-單獨的溝 槽36對兩排饋墨孔26提供通路。 在一實施例中,各種墨孔26的尺寸係小於一喷嘴34的 尺寸,因此在油墨中的微粒將可被該饋墨孔26所過濾,而 不S阻塞贺嘴34。饋墨孔26的阻塞乃對一腔室3〇的再填滿 速度成乎沒有影響,因為各腔室3〇有多數個饋墨孔26在供 應油墨。於一實施例中,饋墨孔26係比油墨喷射室30更多 (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 弟4圖係沿第2圖之4-4線的剖視圖。第4圖示出該個別 的薄膜層。在第4圖的特定實施例中,所示之石夕基片2〇部 伤係約為10微米厚。此部份係可作為橋段。該矽塊則約有 675微米厚。 一%氧化物層40具有1 ·2微米厚,乃使用習知技術被 π在矽基片20上。一磷矽酸鹽玻璃(1>8(3)層42具有〇_5微米 厚度,則再覆設於該氧化層40上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 9 ^21040 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 一硼PSG或硼TEOS(BTEOS)層乃可被用來取代該層42 ’並以類似於蝕刻該層42的方式來蝕刻。 有一例如钽化鋁(TaAl)的電阻層,具有〇.丨微米厚度 ,乃被設在該PSG層42上。其它習知的電阻層亦可使用。 該電阻層當蝕刻後會形成電阻器24。該PSG與氧化層42與 4〇等’會在該等電阻器24與基片20之間提供電絕緣,在蝕 刻基片20時提供一蝕刻止擋,並為懸伸部份45提供機械支 樓。該PSG與氧化層亦可隔離用來耦接對電阻器24之激發 信號的電晶體(未示出)之聚矽閘極。 因為很難十分精確地對齊背面罩體(供製造溝槽36)與 饋墨孔26等。因此,其製造方法乃被設計成提供一可變的 懸伸部份45,俾免有使基片20妨礙饋墨孔26的危險。 未示於第4圖,但有示於第2圖中,即有一被形成圖案 的金屬層,諸如一鋁銅合金,乃疊覆該電阻層以對該等電 阻為提供電連接。執路乃被蝕刻於AlCu及TaAl中以界定 一第一電阻器尺寸(例如寬度)。一第二電阻器尺寸(例如 長度)係藉蝕刻該AlCu層而使一電阻部份被AlCu執路連接 於兩端而來界定。此製造電阻器與電導體的技術在該領域 係已泛知。 在該等電阻器24與AlCu金屬層上乃設有一氮化石夕 (ShN4)層46,其厚度為〇.5微米。此層會提供絕緣與鈍化 。在該氮化物層46未被澱積之前,該pSg層42會被蝕刻而 由饋墨孔26處將該PSG層42拉回,俾使其不會接觸油墨。 此乃是很重要的,因為該PSG層42會受損於某些油墨及用 --------:--------.----訂---------線· (請先閱讀臂面之注咅?事項再填寫本頁)
521040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(8 ) 以製造溝槽36的蝕刻劑。 將一膜層餘刻拉回以保護其免接觸油墨,乃亦可使用 於在列印頭中的聚矽層與金屬層。 在該氮化物層46上乃設有一碳化矽層48(Sic),其厚 度為0.25微米,以提供更多的絕緣或鈍化,該氮化物層46 與碳化物層48乃可保護PSG層42免於接觸油墨與蝕刻劑。 其它的介電層亦可被用來取代該氮化物與碳化物。 該碳化物層48與氮化物層46會被蝕刻來曝光部份的 AlCu軌路,以供接觸於後續製成的地線(在第4圖之外)。 該碳化物層48上乃形成一鈕(Ta)的黏著層5〇,厚度為 0.6微米。該鈕層之功效亦形如在該電阻元件上的氣泡空 腔阻擋層。此層50會穿過在氮化物/碳化物層中的開孔而 接觸該AlCu導電軌路。 金(未示出)會被殿積於該组層50上,並被蝕刻製成地 線而電連接於某些AlCu執路。該等導體亦可為習用者。 該等AlCu與金的導體可被耦接於設在基片表面上的 電晶體。該等電晶體乃被揭露於前述之第56488〇6號美國 專利案。該等導體可終結於沿著基片2〇邊緣佈設的電極。 一可撓電路(未示出)具有導體連接於該基片2〇的電極 ,而終結於接點16(第1圖)以電連接於該列印機。 該等饋墨孔26係藉蝕刻貫穿該等薄膜層而形成。在一 貝Μ例中,乃使用單一的饋墨孔罩體。在另一實施例中, 當製造不同的薄膜層時,乃使用數個罩蔽及蝕刻的步驟。 嗣該孔層28會被澱積形成,然後蝕刻該溝槽%。於另 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ---------------------訂---------線 (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 11 〜U40
貝%例中,該溝槽的蝕刻係在製造該孔層之前來進行。 孔層28可由一稱為SU8的旋塗之環氧樹脂所製成。在一 只知例中’該孔層係約為20微米。 假若眉要使由基板2〇對油墨的導熱更佳,則可殿積一 背面金屬。 第5圖係為第2圖之構造的頂視圖。該等元件的尺寸乃 可如下:饋墨孔26為10微米X20微米;噴嘴34的直徑為16 微米;加熱電阻器24為15微米xl5微米;管道32之寬度約 為2〇微米。該等尺寸將視所使用的油墨,操作溫度,列印 速度,要求解析度,及其它因素等而變化。 第6圖係為一可擇實施例之列印頭的部份頂視圖。在 此列印頭中,乃未設有油墨管道。饋送至各油墨噴射室的 油墨係由兩個專用的饋墨孔來提供。該列印頭之其它視圖 乃不於第7,8,9圖中。在該所示實施例中,饋墨孔數為 加熱電阻器的兩倍。在另一實施例中,各腔室係有一個或 更多專用的饋墨孔。 於第6圖中,一油饋喷射室60的廓線係與一加熱電阻 為62,一喷嘴64(以虛線示出喷嘴較小的直徑),及饋墨孔 66與67等-起示出。饋墨孔66與67係被設計成小於喷嘴64 ,俾能在微粒到達腔室6〇前將之濾除。若有一微粒阻塞一 饋墨孔,則另一饋墨孔的尺寸亦能以接近的操作頻率再填 滿該腔室60。 在第7圖中,一矽基片70上設有多數的薄膜層72(相同 於第8圖者),包括一電阻層與一 AlCu層乃被蝕刻以形成該 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
521040 A7 五、發明說明(10 ) 等加熱電阻器62。AlCu導體63乃被示出導接於 電阻器62 部 智 慧 費 社 印 饋墨孔67乃被設成貫穿該等薄膜層72,而延伸至該矽 基片70的表面。一孔層74嗣被設在該薄膜層”上,而形成 油墨噴射室60與喷嘴64等。該矽基片7〇會被蝕刻以形成一 溝槽76延伸整排油墨喷射室的長度。該溝槽%亦可在該孔 層之前被製成。來自一油墨貯槽的油墨78會流進溝槽%, 通過饋孔67,而進入腔室60中。 第8圖係沿第7圖之8-8線的剖視圖,示出一半的腔室6〇 。其另一半則對稱於第8圖。不像第一實施例,其矽基片2〇 的一部份係直接位於該加熱電阻器底下以吸取該電阻器的 熱,該第8圖的構造乃在該等電阻器底下使用一金屬層, 來由該等電阻器將熱引走,而移轉至該基片與油墨本^。 一場氧化物90之絕緣層具有丨.2微米厚度,在該溝槽% 被形成之前,乃被設在該矽基片7〇(第7圖)上。第8圖中的 列印頭部份係表示該溝槽76已形成之後,因此該矽基片7〇 乃未被示於圖中。 一具有0.5微米厚度的PSG層92嗣被設在該氧化物層 90上。如第4圖中所述者,該氧化物與psG層會在加熱電 阻器與底下的導電層之間提供電絕緣與導熱性,並在該溝 槽76被蝕刻之後,提供更多的機械式支撐橋段延伸於所剩 的矽基片各部份之間。亦如前所述,該psG層92會被由饋 墨孔67拉回,以避免與油墨接觸,否則其可能會與該pSG 層發生反應。 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱 521040'—
A7
請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項
521〇4〇 A7 "^〜-------B7^___ 五、發明說明(I2 ) 任何時候被製成。 在該溝槽76形成之後,有—组(Ta)的黏著層ι〇ι會被 設在疊覆該場氧化物90之晶圓的背面。一例如為金(Au)的 熱傳導層102,具有L5微米厚,制被設在該黏著層ι〇ι上 。另一组黏著層103,具有〇.m米厚,則被設在該熱傳導 層102上。 第9圖係為第6圖中的列印頭之一半油墨喷射室6 〇的頂 視圖。第9圖乃配合第8圖示出各層的餘刻。由該饋墨孔67 開始,氧化物與鈍化層90、96、98會形成一大約2微米長 的架。該架之長度可為其它尺寸,例如微米。該钽 層100(作為金導體的黏著層)乃被示出延伸超過該”^^層% 1微米,而該PSG層92則延伸超出該電阻器62有2微米。 第10A至10F係為製造第8圖之列印頭時在不同步驟的 晶圓之部份剖視圖。除非另有說明,否則乃使用習知的澱 積、罩蔽及蝕刻等步驟。 在第10A圖中,有一具有結晶方向Η〗的石夕基片7〇乃 被置於一真空至中。場氧化物90係以習知方法來生成。嗣 PSG層92係以習知技術來澱積。第1〇A圖示出罩體11〇係以 習知的光#刻技術設在該PSG層92上。該PSG層92嗣被以 習知的反應#子餘刻法(RIE)來姓刻,而將該psG層92由 其後形成的饋墨孔處拉回。 在第10B圖中,罩體11〇會被除去,而有一TaAJ的電 阻層111乃被殿積在該晶圓表面上。一 AlCu的導電層112 會被殿積在該TaAl上。有一第一罩體113會被以習知的光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 521040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---—------ 五、發明說明(13 ) 蝕刻技術來澱積並形成圖案,且該導電層丨12與電阻層i i i 亦使用習知的1C製造技術來蝕刻。另一罩蔽及蝕刻步驟( 未示出)乃被用來除去該AlCu覆蓋該電阻器62的某些部份 ,如前所述。最後得到的AlCu導體則在第1〇A〜1〇F圖之 圖外。 在第10C圖中,該等鈍化層,氮化物96及碳化物98等 ,會被以4知技術殿積在該晶圓表面上。該鈍化層嗣會被 以習知技術罩蔽(在圖面外)並蝕刻,以曝光部份的八1(:11導 電執路來電接觸於一後續的金導電層。 一鈕的黏著層100與一金的導電層114嗣會澱積在晶圓 上,而被以第一罩體115罩蔽,及以習知技術來蝕刻,而 幵> 成地線,終結於該基片邊緣的接點等。一第二罩體(未 不出)會除去部份在鈕黏著層100上的金,例如覆蓋在加熱 電阻器區域上者。 第10D圖乃示出經過第1〇c圖之步驟後所得的結構, 具有一罩體116可曝光部份要被蝕刻的薄膜層以形成饋墨 孔。或者,可用多個罩蔽及蝕刻步驟來在各薄膜層被製成 時蝕刻出該等饋墨孔。 弟10E圖乃示出在姓刻該等薄膜層之後的構造。該等 薄膜層係被使用異向性蝕刻來蝕刻。此饋墨孔的蝕刻處理 乃可結合數種蝕刻方式(111£或濕式)。該等蝕墨孔67可與 要被形成圖案的薄膜一起在製造時被蝕刻製成。該等孔67 可被以一罩體在各步驟時來形成,或以一連串的蝕刻步驟 來製成。所有的蝕刻皆可使用習知的1(:製造技術。 本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格⑽x 297公楚) ---------------訂---------線· C請先閱讀-t面之注意事項再填寫本頁) 16 521040 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明(14 ) 嗣该晶圓的为面會被以習知技術來革蔽以曝光該溝槽 部份76(見第7圖)。該溝槽76係以溼蝕刻法用四曱基氫氧 化銨(TMAH)作為蝕刻劑來蝕刻而形成斜角狀。其它的澄 式異向性蝕刻劑亦可使用。(參見U· Schnakenberg等人之 TMAHW Etchants for Silicon Micromachining” ,Tech
Digest, 6th Int. Cont. Solid State Sensors and Actuators (Transducers ’91),San Francisco,CA,June 24-28,1991 pp. 815-818)。該等溼蝕刻將形成斜角狀的溝槽76。該溝 槽76可延伸該列印頭的長度,或為了增進該列印頭的機械 強度,而只延伸在該油墨噴射室60底下之列印頭的長度部 份。若顧慮該基片與油墨的反應,則可將一鈍化層澱積在 該基片上。 在第10F圖中,有一鈕黏著層1〇1會被閃燃蒸發或被 錢射在該基片的底面上,嗣再設以一金導熱層^ 與另一 钽層103。這些膜層會形成導熱層,並對該橋段部份提供 機械強度。 第10F圖亦示出該孔層74的資訊。在一實施例中,該 孔層74係為一可形成光影像的材料,例如SU8。孔層74係 可為層璺的,整片的,或旋塗的。而油墨腔室與噴嘴等係 以光蝕刻法來製成。 在蝕刻孔層74之後所得的構造乃示於第8圖中。該孔 層74亦可在一兩段式處理中被製成,即以第一層來形成今 等油墨腔室,而以第二層來形成噴嘴。 嗣所得之晶圓會被切鋸以形成個別的列印頭,而有一 -----------------------訂---------線 (請先閱讀臂面之注音?事項再填寫本頁) 17 521040 A7 濟 部 智 慧 員 工 消 費 社 印 製 五、發明說明(I5 ) 可撓電路(未示出)係被用來對該列印頭上的導體提供電的 導路者,乃被連接於在基片邊緣的各接點。然後所得的組 合體會被固接於-塑膠的列較,如第i圖所示,且該列 印頭=相對於該列印g本體被密封,以防止油墨渗透。 弟11圖為第二可擇列印頭實施例的部份剖視圖,里乃 類似於第4圖所示者,惟除其在石夕中的溝槽並未被全部餘 2至該賴。而是,财塊12G乃被部份地_以形成— 溥石夕橋位於加熱電阻器24底下。為完成這些’在該等薄膜 層破殿積之前,該晶圓的正面會被以_軍體來將在該㈣ £域中不要被完全㈣的輕域曝光,以形成圖案。該等 曝光部份蜗會被以一 p型推雜劑例如蝴來捧雜,至大約1 =微米深度。此深度可至15㈣或更深—些。該罩體網 1除去。-背面的硬軍乃被用來界限該溝㈣刻要發生 之处。该晶圓的背面柄會被施以TMAHI虫刻處理,而只蝕 刻未被摻雜的石夕部份。在該溝槽區域的石夕部份乃具有約 微米厚度而位於該等電阻器24底下。 一類似的方法亦可用來形成第4圖中的薄石夕橋段。 與弟4圖中標示相同號碼的薄膜層係可為相同者, ^員似於前述之方法來按序製成。該孔層122乃可相同 弟8圖中所示者。 圖之列印頭有一優點即在電阻器24底下的石夕會將 °亥荨电阻器24的熱導掉。 m積體i路製造技術之專業人士應可瞭解於此所 以之用以形成該列印頭結構的各種技術。該等薄膜層與其 10 並 於 本紙張。適用' 521040 A7
五 ^定’並被在架138上的光電元件所檢測,而使在各列印 :上之不同的油墨喷射元件在該架掃描的適當時間選擇性 地發射。 壓電式,或其它種類的油 該列印頭乃可使用電阻式 墨發射元件。 當該架138中的列印g等掃描通過一紙頁時,被该等 列印㈣印的區域會重疊。在—次或更多次的掃描之 該紙頁134會轉至朝向輪出盤136的方向,而該架138會繼 續掃描。 9 本發明亦可同樣地應用於其它可擇的列印系統(未示 出),其係制另外的媒體及/或列印頭移動機構,諸如 那些設有粗粒輪,滾輪饋送器,或轉筒或真空帶技術等, 來撐持列印媒體並使之相對於列印頭總成移動者。若以一 粗粒輪設計,則有一粗粒輪與壓著滾輪會沿一軸心前後移 動該媒體,而有一裝有一個或更多列印頭總成的架會沿一 正交聯劑之軸來掃描通過該媒體。若以一轉筒式列印機設 计,该媒體會被固設於一轉筒上,其係沿一軸來轉動,而 有一裝有一個或多個列印頭總成之架會沿一垂交的軸來掃 描通過該媒體。於該轉筒式或粗粒輪設計中,其掃描典型 並非如第12圖所示之該系統以前後移動的方式來完成。 在一基片上乃可設有多個列印頭。而且,一列印頭陣 列乃可延伸遍及一紙頁的整個寬度,因此該列印頭不需要 掃描運作;而只須要使該紙頁對該陣列垂向移動即可。 在該架中的附增列印匣乃可包括其它的色料或定影劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公复) 20 521040 A7 B7
五、發明說明(IS 雖本發明之特定實施例已被示出及★、 將可顯而易知有許多變化修飾能被實施明’但專業人士 的疼墓、 而不超出本發明 @ ’因此’中請專利範圍係用以涵蓋在其範嘴内 之所有包含於本發明真正精神與範圍内的變化與修飾。 --------I -----------丨訂---------線 (請先閱讀肯面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
21 521040 A7 B7 五、發明說明(I9 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 · ·.歹ij 印 5 0…黏著層 12…本體 60···油墨噴射室 14…列印頭 62···力口熱電阻器 16…接點 63…AlCu導體 18…噴嘴 64···喷嘴 20…矽基片 66、67···饋墨孔 22…薄膜層 70…矽基片 24…電阻器 72…薄膜層 25…電導體 7 4…孔層 26…饋墨孔 76…溝槽 28…孔層 7 8 · · ·油墨 30…油墨噴射室 90…場氧化物絕 32…管道 92-PSG 層 33…内緣 96…氮化物層 34…喷嘴 98…碳化矽層 3 6…溝槽 100、101、103 3 8…油墨 層 40…場氧化物層 102…熱傳導層 42…磷矽酸鹽玻璃層 110…罩體 45…懸伸部份 111…電阻層 46···氮化矽層 112…導電層 48…碳化石夕層 113···第一罩體 I巨黏著 (請先閱讀臂面之注咅?事項再填寫本頁) 訂---------線一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 22 521040 A7 _B7 五、發明說明(2〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 114" •金導 電層 136"· 輸出盤 115、 .116·· ••罩體 137"· 滾輪 120·· • $夕塊 13 8". 可動架 122·· •孔層 140〜 14 3 · · ·歹1J 印 1£ 130" •喷墨 列印機 146··· 墨匣 132·· •輸入 盤 148··· 墨管 134" .紙 150··· 滑桿 135·· •列印 區 152··· 光學編碼條帶 -----1---τ-------------訂---------線一 (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 23

Claims (1)

  1. 521040 A B c D 修JE + mnnlsB n 其中該等多數的油墨f 其中該等薄膜層所形成 申請專利範圍 第89103709號專利申請案申請專利範圍修正本 1 · 一種列印裝置,包含: 一列印頭包括: 一列印頭基片; 多數的薄膜層設於該基片之第一表面上,該等膜層 至少有一者形成多數的油墨喷射元件; 饋墨孔等乃被設成貫穿該等薄膜層;及 在該基片中至少有一開孔可由該基片的第二表面 提供一油墨路徑,穿過該基片而至設在該等薄膜層中的 饋墨孔,該等薄膜層所形成之一架,乃構成該等饋墨孔 的一邊緣,而懸伸於該基片之一邊緣。 2·如申請專利範圍第1項之裝置,更包含一孔層設在該等 薄膜層上,該孔層形成多數的油墨喷射室,每一室中具 有一油墨喷射元件,該孔層更於各油墨喷射室形成一噴 嘴。 3·如申請專利範圍第丨項之裝置,其中該等薄膜層所形成 之架乃包含一場氧化物(FOX)層。 4·如申請專利範圍第1項之裝置,其中該等多數的油墨噴 射元件乃被該架所撐持。 5. 如申請專利範圍第1項之裝置 射元件乃被設在該基片上。 6. 如申請專利範圍第!項之裝置 之架,乃構成二基片部份之間的橋設。 7·如申請專利範圍第1項之裝置,其中所述在該基片中之
    19 24
    申凊專利範圍 中之至少一開孔乃形成該基片之一溝槽,而於蝕刻該溝 槽時,該等薄膜層之一乃形如一蝕刻止擋層。 8· 一種製造列印裝置的方法,包含: 提供一列印頭基片; 在該基片的第一表面上製成多數薄膜層,該等薄膜 層至少有一者形成多數的油墨喷射元件; 在該基片中製成至少一開孔,以提供一油墨路徑由 邊基片的第二表面穿過該基片而至設在該等薄膜層中 的饋墨孔,前述製造至少一開孔乃造成一薄膜層架,而 形成該等饋墨孔之一邊緣,懸伸於該基片之一邊緣。 9·如申請專利範圍第8項之方法,更包含製造一孔層覆蓋 該等薄膜層,該孔層乃形成多數的油墨喷射室,每一室 中具有一油墨喷射元件,該孔層更於各油墨噴射室形 一喷嘴。 ^ 10· —種列印的方法,包含: 饋送油墨通過一列印頭基片之至少一開孔,及通過 在該基片上之薄膜層所貫設的饋墨孔等,而至該等薄膜 層之一架部上,該架部乃懸伸於該基片之一邊緣,該等 薄膜層之至少一者係形成多數的油墨喷射元件;及 激發該等油墨噴射元件而經由對應的噴嘴射出、 墨。 /由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公 I I I I I I I 1 ί
    裝 訂 I 25
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