TW513319B - Mobile device and method for recovering solid substance - Google Patents

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513319 五、發明說明（） 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種移載裝置、固態物回收方法、被除 _ 種有效 I 1 I 請 1 1 置 、固態 先 閱 1 | 讀 I I 〇 背 1 I S 之 1 1 注 意 1 1 事 1 類 以再利 項 再 1 1 生， 態觀點 填 寫 本 k 業 課題。 頁 '—^ 1 1 物回收方法、被除去物之再利用方法及回收機構 【先前技術】 訂 該等，雖可以污水、排水、廢棄液體等之各種說法來 表現，但是以下則係將水或藥品等流體♦含有當作被除去 物之物質稱為排水來加以說明。該等的排水係利用高價 的過濾處理裝置等來除掉上述被除去物，以將排水變成乾 淨的流體而再加利用，或是將分離出之被除去物或無法過 ，濾而殘留者當作產業廢棄物來處理。特別是，水在經過濾 而滿足環境基準之乾淨狀態下使之回流至河川或海洋等: 自然界中，並再予以利用。 但是，從過濾處理等的設備費用、運轉成本等的問題 來看採用該等裝置是非常困難的，且會造成環境問題。 、…從2事件中亦可知，排水處理之技術，無料從環境 π染之意義、或再循環之點來看皆為重要的問題，因此低 原始成本、低運轉成本之系統就為人們所迫切期待。 -_作為其一例’以下係就半導體領域中的棑水處理加以 本紙張尺度綱中關家標準⑽χ 297 Μ}---_慝理加以 1 313155 513319 --—---— R7__________ 五、發明說明（2 ) 况明。一般，在研削或研磨金屬、半導體、陶瓷等的板狀 虹％，考里防止因摩擦而造成研磨（研削）治具等的溫度上 昇、提高潤滑性、研削屑或切削屑附著到板狀體上等，而 將水等的流體淋浴在研磨（研削）治具、板狀體上。 八肢而0 ，么採用在切割（dicing)或背面研磨（back grind)作為半導體材料之板狀體的半導體晶圓時，使純水 流至切割刀、晶圓上的方法。 換句話說，如第12圖所示，在背面研磨中，.設於旋 轉口（turn table)200上的晶圓2〇1，係利用磨石2〇2加以研 磨，且從嘴嘴204淋浴純水予以洗淨。然後所排出的排水， 可利用安裝於承接盤BL上的管子輸送至外部。 又在切割衣置中，如第】3圖所示，為了要防止切割 刀DB之溫度上昇，且為了防止切割屑附著在晶圓w上， 可在半導體晶圓W上製造純水之流動’或使純水觸及切割 刀DB的方式安裝放水用的喷嘴sw，而予以淋浴。铁後， 排水可經由安裝在承接盤BL上的管子輸送至外部。μ 混入有自_L述切割裝f $背面研磨裝置排出的研削 層或研磨屑的排水’係經過濾使之成為乾淨的水再送回自 然界中，或予以再利用，而被濃縮後的排水則予以回收。 在目前的半導體製造中，混入有以石夕為主體之被除^ 物關排水之處理’有凝聚沉殿法、及组合過濾器過鴻 與離心分離機之方法等二種方法。 在前者之凝聚沉澱法令，係將PAC(聚氯化銘）或 ,il2(S〇4)3(t鋁）等作為凝聚齊^^於排走由，以使之 本纸張尺度適用t國國冢標準（CNS)A4規格⑵0__χ 297公复]---—-— 1史之 2 313155 513319 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 3 A7 B7 五、發明說明（3 ) 與碎生成反應物’再藉由除掉該反應物，以進行排水之過 渡。 在後者之組合過濾器過濾與離心分離的方法中，係過 濾排水’且將經濃縮過的排水加在離心分離機上，以回收 _矽屑作為污渣（sludge)，同時將過濾排水而形成乾淨的水釋 ，出至自然界中，或予以再利用。 例如，如第15圖所示，切割時所產生的排水，係集 •中在原水槽301中，並利用幫浦3〇2送至過濾裝覃3〇3。 在過濾裝置303上，由於裝設有陶瓷系或有機物系之過濾 器F，所以被過濾的水，可通過配管3〇4送至回收水槽 中’並再利用。或釋放至自然界中。 另方面過濾裝置303，由於過濾器f會發生堵塞， 所乂可疋功施予洗淨。例如，關閉原水槽3 01側之閥b 1， 打開閥B3與從回收水槽送洗淨水用的閥β2，以利用回收 水槽305之水來逆洗淨過濾器F。混入有因此而產生之高 >濃度矽屑的排水係回到原水槽301。·又濃縮水槽306之濃 縮水係透過幫浦308輸送至離心分離器309，並利用離心 分離器309將之八缺；、、一、口 / 一丄 肝疋刀離成 >可泥（污渣）與分離液。由矽屑所構 成的污泥，倍隹由★ — 、本宁在>万泥回收槽31〇中，而分離液係集中 在刀離液槽311中。更且，集中有分離液之分離液槽311 的排水係、可透過幫浦312而輸送至原水槽301。 該等的方法 1 » 次例如亦可在回收當對以銅（Cu)、鐵（Fe)、 銘（A1)等金屬：#本 屬材枓為主材料的固態物或板狀體、由陶瓷等 無機物所構成的m ,, 或板狀體等進行研削、研磨時所產 313155 --------^ --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 513319 Α7 B7 五、發明說明（4 ) 生的屑時採用。 然而’刖者之凝聚沉積法，係投入化學藥品以作為凝 聚劑。但是要特別指定完全反應之藥品量是非常困難的， 且勢必會因投入很多的藥品而殘留未反應的藥品。反之， 當藥品量較少時，則並非所有的被除去物都凝聚沉底，被 除去物因而無法分離而會殘留著。尤其是，在藥品量較多 的情況，上澄液中會殘留藥品。當再加以利用之情況，由 於在過濾流體中會殘留藥品，所以對於不能起化學反應的 場合會有無法再利用的問題。 例如在切割的情況，排水係由矽屑與蒸餾水所構成， 而凝聚沉澱後之被過濾的水，由於會殘留藥品，所以當流 至晶圓上時，由於會引起不佳的反應，所以會有無法當作 切割時使用之水來再利用的問題。 又本身為藥品與被除去物之反應物的絮凝體（floc)，係 宛如藻類的浮游物而生成。形成該絮凝體的條件，pH條件 較為嚴格’且需要授拌機、PH測定裝置、凝聚劑注入裝置 及用以控制該等的控制機器等。又為了使絮凝體穩定沉 底’有需要較大的沉殿槽。例如，若為3m3/1小時之排水 處理能力的話，則需要直徑3公尺、深度4公尺左右的槽（約 15噸的沉澱槽），當形成整體的系统時就成為需要約^公 尺X π公尺左右之場地的大型系统。 而且亦有不沉澱於沉澱槽内而浮動的絮凝體’該等有 自沉澱槽朝外部流出之虞’而難以回收全部。換句話說， i會有設備大小的問題、因該系統而倭眉始士： 士微古认日日 本纸張尺度綱巾關家il^s)A4賴⑵Q x )〜------- I變μ # Μ 313155 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 513319 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 題、難以再利用水的問題、及使用藥品引起運轉成本變高 的問題等。 另一方面，如第15圖所示，在組合5m3/i小時之過濾 裔過慮與離心分離機的方法中，由於係在過濾裝置303中 .使用過濾器F(被稱為UF模組，由聚硫（p〇lysulf〇n)系纖維 .所構成者，或陶瓷過濾器），所以可再利用水。但是，在過 滤裝置303中安裝有4支過濾器F，從過遽器？之壽命來 看有而要至少1年父換1次左右之價格高約5〇第日幣/ 每支的過濾器。而且過濾裝置3〇3之正前方的幫浦3〇2, 由於過遽器F係加壓型的過濾方法所以馬達的負載很大， 因此幫浦302必須為高負載者。χ，在通過過濾之排 水之中’有2/3左右，會回到®匕播2 j原水槽301。更且由於係利 用幫浦302來輸送含有被除去物的排水所以幫浦如之 内壁會被刮磨，而使幫浦302之壽命變得非常短。 當歸納該等問題點時，由於馬達需花非常高的電費， 且需花幫浦P或過渡器F之更換費用，所以在運太 有非常大的問題。 本上 又在凝聚沉澱含於排水中之 .^ ^ ^ ^ λ 破除去物（切割屑、研磨眉 或研磨顆粒）的方法中，由於被除去物會起 屑 亦有很難再利用的問題。 應’所以 【發明所欲解決之問題】 而且在以往之過濾中，原水 μα π 價之排水’頂多為30 s 300ppm。因而，混入原水槽中旦 至 <肩ϊ亦會自動受到 而有>1之回收效t非常差的問題。 疋， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 313155 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 513319 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 從目前之說明中亦可知，為 旦 馬了要儘置除掉對地球環 有害的物質，或為了再利用過濟_ 、德⑽體或被分離之被除去 物，排水之過濾裝置，會因追加各 “ 分裡的裒置而變成大型的系統’結果造成原始成本、運轉成本變得魔大。因而 的污水處理裝置，畢竟並非為可採用的系統。更且，在半導體之製造過程中，因有從石夕之結晶晶棒 (ing〇t)至半導體晶片@多個機械加工步驟(背面研磨、切割 步驟等），故會產生矽屑。 然後令人驚許的事是，扁；^曰播=&^ 叫』f疋在從晶棒至半導體晶片被製造 出的步驟中，晶棒之2/3合轡忐；^ ® 、…丄上a — 曰雯成矽屑，亚被當作廢棄物來處理。又最近，因晶圓尺+夕掖丄儿 曰曰圓尺寸之擴大化而使晶圓變厚，且因 輕薄短小之傾向，而使半導體晶片變薄。當考慮此時，晶 棒之4/5就會變成矽屑。 【解決問題之手段】 本發明係有鑒於上述問題而開發完成者，第丨、一種 移載裝置，其係具有：過濾裝置，取入混入有固態物的排 水並予以過濾，以分離成餅狀之上述固態物與低濃度排 水’以及用以貯留上述低濃度排水的過濾液體槽。 當原水槽之排水濃度變成高濃度時，過濾裝置之能力 就會降低。因而，藉由定期使原水槽之濃度降低就可提高 過濾之能力。 又’並非係為了要除掉大部分的排水固態物而對之過 慮者，而是對之粗略過濾使固態物之一部分未被過濾而成 i殘留狀態者。然後’並非回收過濾裝置所排出的低濃度排 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 6 313155 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 零. . -線· 五、發明說明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 水’而是使之回到原水槽中，以使原水槽中之排水濃度降 低藉此’即可維持原水槽之排水的水位，且保持速度使 原水槽之排水濃度降低至所希望的濃度。 ^例如，本發明所採用的原水槽中之過濾裝置，係當未 完全浸潰在排水中時就無法過濾。 、從浸潰於原水槽中之過濾裝置的上端至原水之表面 為t的原水量，係依原水槽之尺寸而定。因而使少於該原 水里之原水移動至移载裝置上，然後將之過濾並送，回原水 槽的話，則過遽裝置就會經常浸潰在原水槽中。在該狀態 下’就可一邊過濾原水，而一邊使原水槽之原水濃度降低。 當然，亦可使原水槽之過濾裝置停止。即使在此情況，亦 可使原水槽中之過濾裝置不觸及大氣，而可防止乾燥，且 可維持過濾功能。 又，當採用卡車等可移動的移載裝置時，就可移動至 設在各半導體工廠、各半導體晶圓工廠中的原水槽，而可 擴大回收量。因而可大量回收相同的固態物，並可擴大再 利用之用途。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 第2、在上述過濾液體槽中，具有將排水移送至外部 的移送機構。 第3、上述餅狀之固態物，係加以回收並再利用。 變成餅狀之固態物，可收集起來提供給再利用業者（半 導體晶圓工廠、矽材料供給廠商、填料（fiUer)加工廠商、 太陽電池廠商、水泥、混凝土、樹脂廠商等）。又含有砷等 有害物質的物質，可在固定於矽中的狀態下问你，而且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)a4規格（210 X 297公釐巧 ---- 313155 7 M3319 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 於並非疋在乾燥狀態而是濕潤狀態下回收，所以可極力地 抑制其釋出至自然界中。 第4、過濾裝置，係採用壓濾法 法來解決者。 該等方法中，係可使過濾器呈袋子狀，而在該袋子中 形成餅狀的固態物。 第5、上述原水的排水濃度為5〇〇至4〇〇〇〇ppm。 如第3圖所示，當在原水槽中採用自我形成之濾膜 時，就與習知過遽器不同，可使排水成為5〇〇至4〇〇〇〇ppH 的高濃度。因而可提高設在移载裝置上的過濾裝置之回收 效率。 第6、上述排水中之pH係控制成實質中性。 藉由將原水槽之排水控制成實質中性，即可抑制原水 槽中之凝膠（gel)或膠質（colIold)。因而可防止設在移載裝 置上的過慮裝置之堵塞，而可防止過渡能力之降低。 第7、固態物係含石夕之在研削、切削、研磨結晶物、 多結晶物或非結晶物時所產生的屑。 尤其是’在半導體晶圓工廢中，產生非常多的固離 物，且由於可在幾乎沒有來自外部之污染的狀態下回收及 再利用，所以可使半導體晶圓之製造成本降低。 第8、固態物係含化合物半導 丁守聪材枓之在研削、切削、 研磨化合物時所產生的層。 化合物材料，係非常的高價， _造成本之降低。 藉“•即可實現製 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公复） 然落下法或加壓 8 313155 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #· 五、發明說明（9 ) -第9、固態物’係研削、切削、研磨構成半導體晶圓、 經施灯鈍化的半導體晶圓、由絕緣性樹脂封裝的半導體裝 置之材料時所產生的屑。 ☆第10、-種移載裝置，其係具有：用以取入混入有固 態物之排水的取入Μ播·田，、，#、、，， 機構，用以移廷上述高濃度的排水的第 一移送幫浦W慮裝置，人由上述第—移送幫浦所移送 t的排水~：且藉由過遽將之分離成餅狀之上述固態物及低 辰度排水用以貯留上述低濃度排水的過遽液體槽；以及 第二移送幫浦’用以從上述過遽液體槽將上述低濃度排水 移送至外部。 第11、排水係貯留在設置於上述移載裝置之外部的原 水槽中，該原水槽之排水係移送至高濃縮棑水槽中，並使 由上述第二移it幫浦所移Μ出來的低濃度排水回到上述原 水槽中，以使上述原水槽之排水濃度降低。 弟12、南濃度之排水為500至40000ρριη。 第3原水槽之上述排水中之pH，係控制成實質中 性。 、 第1 4固悲物係含矽之在研削、切削、研磨結晶物、 多結晶物或非結晶物時所產生的屑。 第1 5、固態物係含化合物半導體材料之在研削、切 i I削、研磨化合物時所產生的屑。 第1 6、固態物係研削、切削、研磨構成半導體晶圓、 經施行鈍化的半導體晶圓、由絕緣性樹脂封裝的半導體裝 置之材料時所產生的屑〇 •本紙張尺度適—財關家鮮（CNS)A4規格⑵G x-)97公髮） 9 313155 A7 五、發明說明（川 第17、設有將使用於上述移載裝置之上、或移載裝置 之周圍的藥液蓄積在移載裝置上其他貯留槽或容器。 第18、一種固態物回收方法，其中原水槽之排水，含 有研削•研磨半導體結晶物、半導體晶圓、表面形成有純 化膜之半導體晶圓或由絕緣性樹脂所封裝的半導體裝置時 所產生之固態物，而使該排水成為之高 濃度的排水，然後以壓遽法壓入過滤上述原水槽之排水， 將之分離成上述餅狀之固態物及低濃度排水，再使上述低 濃度排水回到上述原水槽中，以使上述原水槽之排水濃度 降低。 第19、一種固態物回收方法，其中原水槽之排水，含 有半導體材料所構成的結晶晶棒之研磨•研削物、半導體 晶圓之背面的研磨·研削物，而使該排水成冑5〇〇至 4〇000Ppm之高濃度的排水，然後以壓濾法壓入過濾上述原 水槽之排水’將之分離成上述餅狀之固態物及低濃度排 水，再使上述低濃度排水回到上述原水槽中，以使上述原 水槽之排水濃度降低。 第20、以壓濾法壓入過濾至少混入有半導體材料、二 氡化矽、金屬、貴金屬、稀金屬或化合物材料等的排水，， 將之分離成餅狀之固態物及低濃度排水，再將上述餅狀之 固態物，在防止該固態物乾燥的狀態下，搬運至再利用場。 口 L物乾燥時會呈粉狀飛冑。因Λ使之保持濕潤狀態 即可防止其乾燥，而防止固態物飛散至自然界，如此即可 防止環境污染。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 χ 297公餐- ------ 313155 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 ，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 五、發明說明（11 ) 第2 1、用以防止上述固態物乾燥的機構，係密封的容 器或袋子。 第22、本發明之被除去物之再利用方法，係再利用藉 由過濾高濃度之排水所生成的固態物，其中該高濃度之排 水係含有將結晶晶棒機械加工成晶圓的過程及對半導體晶 .圓進行機械加工的過程中所產生的被除去物。 第23、上述高濃度之排水，係以壓濾法、自然落下法 或加壓法加以過濾。 第24 '上述壓濾法中所用的過濾器之通氣度為^⑽至 2〇〇cc/cm2/分。 第25、上述高濃度之排水的濃度為5〇〇至4〇〇〇〇卯. ”第26、上述固態物，係作為半導體晶圓、矽材料、填 料、太陽電池 '水泥或混凝土而再利用。 第27上述固態物，係置入層疊金屬所製成的袋子中 而回收。 第2 8、本發明之被除去物 视乏冉利用方法，係再溶解形 成為半固態物之被除去物以再 视Λ丹利用者，上述被除去物係從 在原水槽内濃縮成高濃度之排水中分離出來者。 第、…S有上逑被除去物之上述排水，係藉由形成於 成一：濾益之表面上的自我形成臈而在上述原水槽内濃縮 成兩浪度，上述被除去物係成為 』叫芍牛固態物而再利用。 第30、上述被除去物，係 — 、破再洛解而作為太陽電池之 材料而再利用。 _第3 1、上述被除去物為矽屑。 (cns)a4 313155 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) j ijj iy A7 五、發明說明（12 ) 苐32、用以收容含皮 構，係設有乾燥^機構μ餅㈣㈣物之西收機 子。第33、本發明之回收機構’係層叠金屬所製成的袋 第34、上述回收機構為密封的容器。 第35、上述回收機構，可防止外部環境的污染。 第3 6、上述回收機構，捭 係用以將上述固態物搬運至再 利用場者。 一本發明中’係使用壓濾法等粗略過濾在原水槽中變成 兩濃度的排水，藉以生成餅狀的半固態物。 訂 變成餅狀物之固態物，係可收集起來提供給再利用業 者（半導體晶圓工廠1材料供給薇商、填料加工廢商、太 陽電池廢商、水泥、混凝土、樹脂廠商等）。又含有神等有 害物質的物質，可在固定於石夕中的狀態下回收，而且由於 線 並非是在乾燥狀態而是濕潤狀態下回收，所以可極力地抑 制其釋出至自然界中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又作為回收機構，係可使用層疊金屬製成的袋子。藉 由在該袋子中置入混入有砷等有害物質之餅狀的固態物， 並搬送至再利用場，即可防止有害物質之飛散。 【發明之實施形態】 首先就本發明之應用範圍加以說明。 排水中之固態物，係研削、切削、研磨所產生之物， 其與流體混在一起。例如，在研削、切削、研磨石夕晶圓等 的結晶體時，矽屑會與水一起流動，而生成排水。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇 X 297公釐） 12 313155 A7 五、發明說明（IS ) 又流體與固態物，必須具有幾乎不會因相互之化學反 應而生成凝膠狀，狀的反應物之關係。其第—前提條 件為例如製造出純水與石夕中的石夕不會形成造成凝膠或膠質 狀之堵塞原因的反應生成物之環境。又，其必要條件為， 即使生成，亦不會使原水槽中之過瀘裝置、移載裝置之過 濾裝置的功能大幅降低。因此，必須控制流體的pH。例如， 在採用矽作為固態物的情況，水就有必要為中性或弱酸 性0 訂 線 例如在矽所構成之固態物的過遽方面’可考慮採用純 水作為流體、或採用工業用水、井水、自來水等的情況。 純水以外，由於係從各種的環境中取水，所以其pH合呈 現出各種的值。尤其是，水之pH若越顯示強❹ 酸離子就會越增加，且該等的一部分會變成凝膠狀或膠質 狀’而會造成堵塞。因而為了要將水控制在中性或弱酸性， 就有必要在水的路徑、原水槽中，設置pH調整裝置。又 在移載裝置令’由於排水會回到原水槽中，所以就必須注 意藥品之混入，以免該排水變成鹼性。 經 'k- 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 杜 印 製 又在考里半導體相關之排水的情況，固態物，係一種 5矽之研削、切削、研磨結晶物、多結晶物或非結晶物時 所產生的肩。又固態物’係一種含化合物半導體材料，例 如GaAs(砰化鎵）、SlGe(鍺石夕）之研削、切削、研磨化合物 時所產生的屑。更且其係一種研削、切削、研磨構成半導 體晶圓、施加有作為鈍化膜之聚醯亞胺樹脂等的樹脂及/ 匕或氮夕膜等的無機物的半導體晶I、由絕緣性樹脂封裝 本紙張尺度適用巾S @豕標準（CNS)A4規格⑵G X 297公复1 """ ----— __策 13 313155 513319 A7 五、發明說明（I4 ) 之半導體裝置等之材料時所產生的屑。又在研削、切削、 研磨肥粒鐵、PZT、氧化錯、陶:是、_、鈦酸鋇、錄 蹄、環氧樹脂含浸玻璃纖維板、ATC等材料時亦會產生。 接著，就產生該等屑的環境加以說明。 第1壤境，可考量係將半導體材料所構成的結晶物、 化合物晶棒等加工成晶圓或板狀的產業。 第7圖至第13圖，係用以說明半導體晶圓之加工步 驟者。 第7圖係顯示例如石夕之單結晶被上拉成晶棒狀者。例 如8时晶圓就有2公尺長。該晶棒！，係切除不要部分之 上·下端部2、3，並切成圓柱狀之幾個晶塊4。此時，孫 以未圖示之切割刀來切割，並供應水。（以上係第一研磨· 研削步驟）。 線 接著如第8圖所示，《了使圓柱狀的晶塊4具有指定 的晶圓直徑，所以利用研削刀5來研削其外周。在此係透 過水的供給機構6澆淋水以保護研削刀5、晶塊4。（以上 為第二研磨•研磨步驟） 接著，如第9圖所示，在晶塊4上，為了要顯示晶圓 之面内結晶方位，而形成有指向平面（〇rientati〇n fUt)7。 在此亦藉由供給機構6使水流動。（以上為第三研磨•研削 步驟）。 本纸張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公复） 接著，如第10、11圖所示，利用黏著劑將晶塊4貼 在支持台SUB上，並切成一片一片的晶圓。第1〇圖係以 貼上鑽石顆粒的刀鋸8予以切片。又在第U圖中，误势銦 疫田由 1251 Ώϊ\ ^ //^ΧΤΟΝ Α ^ ία ^ ------------ 14 313155 513319 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 A7 五、發明說明（IS ) 琴線9，並使研漿（shlrry)之鑽石研磨顆粒沿著鋼琴線流

動，以將晶塊4切片。此時亦藉由供給機構6使水流動。L 切斷後，利用藥液使黏著劑溶解，並將晶圓自支持台 上剝離，以分離晶圓。雖將於後述，但是當該黏著劑、藥 ‘液成為排水而流至原水槽中時，就有排水之pH成為 •之虞。因此，從晶圓除掉黏著劑時，就有必要下一番工夫 使至少在該處使用之藥液的排水不會流至原水槽中。例 藝如，每1支持台SUB有必要移載至具有排水不流至原水槽 之路彳工的洗淨裝置上，並在該處除掉。（第四研磨•研削步 驟） 更且，為了要防止晶圓之角部缺損，而進行倒角，並 進行晶圓拋光（labbing)。 例如’在晶圓外周可看見之側面，其角部被倒角。又 有時亦在成為指向之切割面的兩端，即與外周邊之接觸部 份倒角。（第五研磨•研削步驟） 鲁更且，使用第12圖之拋光裝置，以對晶圓之表面或/ 及背面進行機械化學式研磨。（以下為第六研磨•研削步 驟） 在目前之第一至第六之研磨•研削步驟中，研磨•研 -削機構幾乎只用水而已。但是考慮研磨•研削機構之磨損 則有混入界面活性劑、潤滑油等化學物質的情況。該等的 物質，會與矽起反應，故有必要將排水本身調整成中性或 弱酸性。又水與矽所構成的排水，水、矽及上述化學物質 _所構成的排水，有必要儘量使用不同的原水槽。此係因該 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵Q x 297—公餐） B—'—— -- 313155 •ϋ In II -- - ϋ i^i Bn— n·— i I i i 24 emt - -1 m HI-J---OT m am m m -ϋ— I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（) 化學物質會生成凝膠狀或谬質狀之物f，而成為堵塞的原 因之故。但是後者之排水被調整成令性或弱酸性的情況， 亦有可能排出至一個原水槽中。 ㈣直接或在雜質之導入後進行表面之缺陷處理，並 使之完全結晶，晶圓即可出貨。 該曰曰圓，係由半導體廠商製作成所希望的。又該 ic’係在晶圓上形成矩陣狀’且至少在以表面被覆有樹 腊、氮化石夕膜等的純化膜。一般，有在最上層被覆_聚醯亞 ㈣脂的情況 '及在該聚醢亞胺樹脂之下層形成氮化石夕膜 的情況。 晶圓，在原狀態下由於較厚，且切割困難，所以為了 降低背面之電阻而在更減薄封裝之厚度的目的下，接受背 面拋光。例如可減薄至約3〇〇#m以下。該背面拋光裝置 可如第12圖所示。在旋轉台2⑽上安裝晶圓2〇1，而利用 研磨石202研削晶圓背面。元件編號2〇4，係用以供給水 的喷嘴（連蓬頭）204。（以下為第七研磨•研削步驟） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最後，如第13圖所示切割半導體晶圓。w係半導體 晶圓，DB係切割刀。又SW1、SW2，係將水加在切割刀 上的蓮蓬頭，SW3係用以將水加在晶圓w上的蓮蓬頭。 一般切割線之處的鈍化膜，係被除掉。因而切割線之 處係由矽、氧化矽、層間絕緣膜所構成。因而，切割屑， 可由該等切削渣所構成。但是當然在被覆鈍化膜之狀態下 即使進行切割亦可毫無問題地過濾。（以上為第八研磨•研 削步驟） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 16 313155 3319

五、發明說明（17 ) 又被切割的半導體晶片，亦有被加工成Up的情況。 例t在帛14圖（A)中，在印刷基板、陶竟基板、可撓性薄 ,等的支持基板220上之電極22 1上固設·酉己置矩陣狀的 半導體晶片222，再利用密封樹脂奶來封裝整體。然後 有為了使之成為各個的半導體裝置而在虛線的部位施以切 割的情況。亦有考慮電鍍，以配線連接所有電極22】的情 況，而有生成電極與密封樹脂的屑的情情’以及將電極全 |部 $島狀而八生成密封樹月旨的肩的情情。在此所採 用的半導體晶片222，係採用金屬細線m的面朝上（faceup) 型，其他可考慮採用凸塊的面朝下（faced〇wn)型。 又如第14圖（B)所示，亦有不用支持基板22〇的情況。 該情況、，只減薄支持基板之厚度的部分。#然支持基板， 由於未被切杳J ’所以不會產生支持基板材料所構成的固態 物。（以下為第九研磨•研削步驟） 如以上所#’在+導體之製料，存在有多數的研磨 > •研削步驟，且在研磨•研削步驟時，採用使井水、自來 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 水或工業用水等的水、或是蒸館水、離子交換水等的純水 流動之方法。 例如在切割裝置中，為了防止切割刀之溫度上昇，且 為了防止切割屑附著在晶圓上，而在半導體晶圓上製造出 純水之流動，或安裝放水用的噴嘴以使純水衝擊在切割刀 上。又在以背面研磨使晶圓厚度變薄時，亦因同樣的理由 而使純水流動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 本發明中’該等的排水會被過渡，且一部分的固雜物 17 313155 513319 A7 —-____ B7 五、發明說明（1S ) 會變成蛋糕狀，而所殘留下的低濃度排水則會回到原水槽 中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用以顯示該概念者係顯示於第1圖中。研磨•研削現 場所生成的排水，係經由管子100而流至原水槽101並積 留在原水槽101中。然後利用設在原水槽1〇1上的第一過 濾裝置102，抽出流體，再經由管子1〇3、1〇4而輸送至外 部。另外，105為原水，106為幫浦，1〇7係用以改變過濾 液體之輸送目的地的第一閥，1〇8係使過濾液體循環的管 子，1〇9係藥液之注入裝置，110係1)11調整裝置，'ιη係 PH感測器，112係攪拌機構，113係用以檢知固態物之殘 留度的感測器，U4係用以將原水槽之原液輸送至外部的 閥。 -線· 該原水槽101，由於持續進行排水之過滤，所以原水 105之濃度會變濃。然後原水槽1〇5之濃度變的越濃，第 一過濾裝置102之功能就會越降低。 另一方面，120係用以回收原水槽10】之固離物的移 載裝置。該移載裝置120,係以回收散你於 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 你以口收散佈於工廠中的原水 槽、散佈在各區域的原水槽為目的，而可移動自如。臭本 上’雖可為沒有驅動能力的台車，但是考量到所承㈣設 備的大小、散佈的原水槽的距離’以卡車等的搬運車為佳。 又亦可視需要，將移載裝置所承截的 不戟的β又備固定設置於原水 槽101之周圍。 該移載裝置120，係用以過滹來自 /愿术目原水槽101之原水 105 安裝有使固態物狀的第二 本纸張尺度適用f國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ2^?ϋ---哪衣罝1"，並 18 313155 ^13319 B7 五、發明說明（19 ) 將過濾出來的過漶水送回 濃度降低。 尺槽101中’以使原水105之 第二過濾裝置12〗，μ f ^ 、 例如係由壓濾機所構成，按昭苴 過濾能力，在移載裝置^ 孜……、 上安裝咼濃縮排水槽122。 水槽101係相當大的样，而店」 原 旦 的槽而原水105則係藉原水之本身重 .夏而自然流入高濃縮排水槽122中^ B γ ^ ^ ^ ^ ^ 價122中但疋為了控制其流入 之速度、篁，而安裝有第_ ^ ^ ^ ^ 移I幫浦m。第一移送幫浦 123可女裝在移載裝置12〇上或安裝在外部。 體m禅1為了將弟—過濾裝置121所排出的過濾液 =原水槽ΗΠ巾’而安裳有第二移送幫浦124。該幫 浦⑶，亦可安裝在移載裝置120上或安裝在外部。又當 考慮第二移送幫浦之移送效率睥， , 之政年時，則以在前方設置過濾液 槽為佳。如此即可在過濾液體槽125中蓄積達到某 -程度的過遽液體後’藉由第二移送幫浦124將之送回原 水槽之故。 例如，攸移載裝置120開始延伸，且安裝在原水槽⑼ 上的移送機構（管子或軟管）126，係可安裝在第_移送幫浦 ⑵上’而移送機構127則係安裝在第-移送幫浦123與 尚濃縮排水槽122之間。又移送機構128,係其間通過第 三移送幫浦J29而安裝在高濃縮排水槽122與第二過滤裝 置121之間，移送機構13〇’係安裝在第二過滤裝置121 與過遽液體槽125之間。又移送機構131，係安裝在過遽 液體槽125與第二移送幫浦m之間，更且移送機構⑴， ,第二移送㈣-起安[且延伸至原水槽1〇]上。 本紙張尺度適用r關家標準（cns)A4規&⑵Gx 297公6— 19 線 313155 513319 A7 ' -----------------B7 _____ 五、發明說明（20 ) 因而原水105可送至移載裝置12〇上，且可在此分離 成低濃度之過濾液體（排水）與固態物，低濃度之過濾液體 會回到原水槽101中，並使原水槽1〇1之濃度降低，以使 第一過濾裝置102之能力提高。 弟一過濾裝置121上，有本發明之重點。一般所謂的 過濾裝置，係儘量除掉固態物，使過濾液體雖成為未混入 有固態物之乾淨的水，但是在此並不是如此。 在此的目的，係以使原水槽之濃度極快地降低為其第 一目的。又第二目的，係維持速度以回收使濃度降低時陷 入第二過濾裝置121内的固態物。在此，形成餅狀物。 因而第一過;慮裝置121’係形成比第一過濾裝置1〇2 之過濾器直徑還粗，且以某程度之速度捕捉固態物，而過 濾液體，即使不乾淨亦可。藉由使濃度比原水槽之原水還 低的過濾、液體回到原水槽1 0 1以使原水槽1 Q 1之濃度降 低。另外，第一過濾裝置12 1之過濾器的濾網眼，係通氣 度為100至200CC/Cm2/分，且比〇.25#m還粗。又該通氣 度，當然可依固態物之大小而調整。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在以往之過滤裝置中’原水的濃度，係以3〇至3〇〇ppm 為限度’且即使將之設得比前述過濾器之通氣度還小而予 以過濾，由於原水之固態物本身的量很少，所以固態物無 法回收那麼多。 但是，在本發明中，係粗略過濾黝黑的排水（5〇〇至 4 0 000ppm)，並使半透明混濁的過濾液體回到原水槽1〇1。 藉由以本發明之過濾裝置使原水1 0 5變成高濃度，並維持 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复) ' --- 20 313155 A7

五、發明說明（21 ) 速度而粗略過濾原水，以揾其货 513319 u徒冋第二過濾裝置之回收效率。 第Ϊ圖中，移送機構123、 、 N /辰縮排水槽122及第二 移送幫浦129，即使未安裝，亦 J利用原水1 〇 5之本身重 量而將原水供至第二過渡裝置121。又第二過遽裝置i2i, 亦可採用麼渡法、自然落下法或加壓法等的方法。該等的 方法，係在第5圖中後述。 又移送至移載裝置的原水的量必須加以限定。換句話 說即使移送至移載裝置上，過濾裝置102亦有必要完全浸 潰在原水105巾。此係當第3圖之過濾器接觸空氣時就會 乾燥，而使過濾能力劣化之故。在此，高濃縮排水槽122， 係500公升（liter)之容量，而過濾液體槽125，則為25〇公 升之容量。換句話說，即使從原水槽中取500公升，過濾 器亦會完全浸潰在原水中，且當250公升積留於過濾液體 槽中時就會送回原水槽。因而過滤器就會經常浸潰著。 第2圖係顯示採用壓濾機以作為第二過濾裝置i 2 1的 系統。壓濾機，由於要取入一定量的原水，所以需要言：農 縮排水槽122、第三移送幫浦129,且由於要蓄積過滅液 體，所以需要過濾液體槽125與過濾液體移送幫浦133 ^ 壓濾機本身，係公知的過濾裝置，形成為例如第4圖 之構造。詳細將於後述。壓濾機，係用以過濾原水，將之 分離成餅狀物1 34與半透明的過濾液體。然後由過淚液體 移送幫浦133所移送之過濾液體蓄積在過濾液體槽125達 到某一程度後，使用第二移送幫浦124將過濾液體送回原 水槽101 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） " 01 313155 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21 513319 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（22 ) 如前面所述，原水之濃度，若越濃則固態物之回收率 就越高。但是在以往之裝置中，30至300ppm之原水濃2 為其極限。但是在本發明中，可利用以下之方法，大幅^ 高到500至400 00ppm之高濃度。 以下係邊參照第3圖而邊說明其原理與構造。 首先因要區分為了說明發明而在文章中使用的被除 去物與固態物’而加以定義之。前者之被除去物，係含於 想過濾之排水中的固態物，且為個體。、 後者之固態4勿，由於係過渡加入上述被除去物之排 水’所以係指集中如砂粒之個體物質且成為層的濾膜⑷ 的構成物質。例如固態物140，係層積在第-濾膜141上 者。層積而成的第二濾膜142，係具有比第__141之 過濾精度還高的過濾精度’而接受外力的固態物， 排水中各個分開，且可移動自如者。 $ 被除去物，係含有大量例如5〇〇 之程度分佈廣的粒子 b O.bm以下 /、扪祖千者，例如在切割、背面研磨而 光％所產生的被除去物，或是在第一步驟至第九步 切削而產Μ半導體材料屑、金屬屑及/或絕㈣=口 、：固恶物，係以至約5〇〇 " m分佈之物質，例如矽 的半¥體材料、氧化料的絕緣物f、金屬等的切 研磨屑或粉碎屑，且呈右 削屑、 且具有上述粒度分佈之固態物 矽澡土或沸石等。另外 、例如去物之尺寸、粒二恕物之粒度分佈’亦可依被除 仏刀佈，而高或低於上述之粒度分佈。 ____其，京尤活用祐 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4运嘉體及/或既屋 313155 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· .線· 22 ♦經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 川319 五、發明說明（23 ) 以作為過濾性能咼之濾膜的點加以說明。 首先，發明者為了過濾含在槽之原液内的被除去物， 而考慮活用該被除去物以作為濾膜。 ‘ 例如，被除去物’可採用在第-研磨·研削步驟至第 九研磨•研削步驟中所產生者，主要為半導體材料、絕緣 材料、金屬材料’相當於矽、氧化石夕、、鍺矽、密封樹 脂等的有機物及其他的絕緣臈材料或金屬材料。又化合物 半導體’相當於4化鎵、鍺料的化合物材料。· 尤其是第人、第九研磨·研削步驟中所產生的金屬材 料’由於相對於整體的研削屑或研磨屑非常少，所以與水 起反應的物質很少量而不會成為堵塞的原因。但是在採用 固態物作為第二渡膜142的情況，沒有該金屬者則更佳， 且以第-研磨•研削步驟至第七研磨•研削步驟中所產生 的屑來形成第二濾膜為佳。 又在第九研磨•研削步驟中係採用切割。此係在晶圓 表面被覆樹脂’且將晶圓舆最後密封之樹脂一起切割者。 又亦有在陶:是基板上將半導體晶片配置成矩陣狀，且連同 陶莞基板以樹脂加以被覆，再切割最後密封之樹腊與陶莞 基板者。該等亦在切flj時產生被除去物。 另-方面’半導體領域以外亦有很多會產生被除去物 者。例如在採用玻璃之產業中，液晶面板、EL顯示褒置之 面板等’由於進行玻璃基板之切割、基板側面之研磨等， 所以在此所產生的玻璃屑相當於被除去物。又在電力公司 313155 --------------裝·-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 513319 A7 五、發明說明（24 ) 體’更且從煙自出來之煙中所混人的粉體亦相當於被除去 物。又礦物之加工、大理石之加工、寶石之加工、、墓石之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 加工所產生的粉體亦為如此。更且，相當於車床等加工時 所產生的金屬H是基板等的切割、研磨等所產生的陶 瓷屑等。 該等的屑，係因研磨•研削或粉碎等的加工所產生， 且為了除去屑而使之混入水中，成為排水而生成者。 从下係就以上述被除去物形成過濾器，並除掉被除去 物之過濾·而加以具體說明。 另外，如前面所述，流體、被除去物雖然有各式各樣 的組合，但是在此係以採用水作為流體，且在水中，含有 成為切削所生的被除去物之半導體晶圓之切割屑作說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 第3圖之元件編號141係第一濾膜。又在過濾器孔之 開口部及第一濾膜141之表面形成層狀的膜，係固態物 140A、140B。該固態物140，雖係如前述使用切割排水而 成膜者，但是亦可採用在第一研磨•研削至第九研磨•研 削步驟中所產生的排水來成膜。又亦可準備陶瓷、矽、氧 化鋁等的固體塊，以研磨•研削機構來切削，並使水流動 於其上，再由其排水來成膜。當然，研磨•研削機構之濾 網眼的粗度、研磨•研削速度等所產生的屑之粒度分佈並 不相同。 被除去物143,係分成無法通過過濾器孔之大的被除 去物143A與可通過過濾器孔之小的被除去物丨43B。圖中 (210 x 297 公复） l—墨圈所不者係可通過之小的被除本物1 z[ 3 B。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格〇川X㈧7八‘了 ------ 24 313155 513319 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製

25 313155 A7 五、發明說明（25 ) 又在此可採用的第一濾⑮141’從原理上考慮亦可採 用有機高分子系、陶变系之任一個。但是在此，係採用平 均孔徑〇.25#m、厚度O.lmm之聚烯系的高分子膜。 該過濾裝置144之周圍，有混入被除去4匆143的排 水’且吸引管子146而在空間145’生成過濾水。該流動 係以白色箭號所示。 如岫面所述，隔著濾膜吸引排水的結果，排水，會通 過第-濾、膜141。此時，無法通過過遽器孔之大的被除去 物143A，就會被第一濾膜141之表面攔住。 弟一濾膜141所浸潰之排水中被除去物143係隨機定 位，而自^的被除去物至小的被除去物係以不規則方式移

動至過濾器孔中。然後隨機被攔捕之大的被除去物143A 係變成第二濟膜^ 、、抑心之弟一層，該層係形成小於過濾器孔 的過濾器孔’且可藉由該小的過濾器孔利用大的被除去物 ⑷A攔捕小的被除絲143B。此時，因研削、研磨或粉 碎等的機械加工所產生的前述被除去物，由於其大小（粒徑) 會在某個範圍内分佈’而且各自的被除去物之形狀會不 同所以在被除去物與被除去物之間，可形成各種形狀的 間隙’、而水會以該間隙為通路而移動，最終排水就被過濾。 此與海濱沙灘之排水佳之情形非常類似。 4第—濾膜1 42 ’係邊利用大的被除去物丨43 A中隨機 攔捕被除去物143B而邊慢慢成長，且邊確保水(流體)之通 路而邊捕捉住小的被除去物M3b。顯示該狀態的圖，係第 ---------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 513319 A7

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頁I 訂 線 513319 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 A7 五、發明說明（27 ) 寸的被除去物為止，之後，可逐次攔捕通過之如小的被除 去物143B之尺寸的小的被除去物，由於排水可以預定的 清淨度來過漶，所以過濾水就可再利用。然後該過滤裝置 1 44之周圍的排水，可慢慢地濃縮。 接著以矽晶圓進行切割時所產生的切削屑之粒徑分 ‘佈作為-個例子加以說明。其粒徑大約分佈在 2〇〇"m之範圍内。粒徑分佈測定裝置不能檢測小於… 爪之粒子’實際上包含有彼〇.Mm還小者。根據實驗，可 賴在過濾混入有該切削屑的排水時，該切削屑會形成於 第一濾膜141上，且會攔捕0.1/zm以下的切削屑。、 μ例如，若要除去O.bm的切削屑，則—般的考慮是 休用形成有小於該尺寸之孔的過攄器。但是從前述說明中 可判斷，在大粒徑與小粒徑所分佈之中，即使採用其間的 尺寸之過濾器孔，亦可捕獲〇.1//〇1以下的切削屑。 反之’若被除去物之粒徑的峰值為〇 一（1個），且 佈亦在非常狹窄的數…範圍内分佈的話，_ 有可能馬上發生堵塞。從說明中亦可判斷，作為被除 去物之石夕的切割屑’由於大粒徑與小粒徑的峰值出現2 ^而且在至·心之範圍内分佈，所以可提高過濟能 。又當以電子顯微鏡等觀察時’可判斷被除去物之形狀 各式各樣。換句話說’由於粒徑之峰值至少有2個，且 ::去物之形狀有各式各樣，所以在被除去物彼此之間形 二=的間隙’且變成過渡水之通路，藉此可使堵塞減 一-^貝現過遽能力大的過濾、器。 313155 -------------裝·-------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（π ) 以上，可判斷當在第—相141之表面， 至2〇Mm之粒徑分佈的被除去物以作^具有〇1 ⑷時，就連«下之被除去物亦可^二遽膜 粒徑，並未限定於200/zm，亦可為200以。又取大 佈在至300/zm、至500/Zm以上的被除去物亦可：如刀 主從以上之說明中’亦可明白當將上述過遽裝置二 >貝在加人切㈣（被除去物）之排水㈣切巾，： 濾時，即可以預定的精度來過濾，且排水槽之排太合二 時間而變成高濃度。 7 j ^者 第3圖中’係顯示活用氣泡之上昇以 膜之表面的方法之例子。气、々产力丨Μ 评弟一冗 曰 、 乳也在斜線所示的箭號方向上 I : ^ /包之上歼力或氣泡之破裂會直接施加外力至被除 :物或固態物上，且因氣泡之上昇力或氣泡之破裂而產生 的水流會施加外力至被除去物或固態物上。於是第二減膜 142 ^渡能力，會因該外力而經常復新（refresh)，且維持 定的值又即使該過濾能力降低，亦可使該降低速 度極為緩慢。 即使在第_濾膜142上發生堵塞且其過濾能力降低， 亦可如上述氣泡’藉由提供使構成第二濾膜142之固態物 〇私動的外力’即可使構成第二濾膜142之固態物1 40 朝排水側移動，而可長期維持過濾能力。 另夕卜 /、要能維持過濾能力，經常性施加或間歇性施 加夕卜力均可。 -㈣膜’有也 28 線 313155 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 --------， ， * ^ 一一 ^ J J ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規‘（210x297^；) 29 513319 五、發明說明（29 全浸潰在排水中。此是因當第二遽膜長時間接觸空氣時， 膜會因乾燥而剝離，或崩壞所致。又因即使過渡器略微接 觸空氣，濾膜亦會吸引空氣，所以過濾能力會降低所致。 因而，當將以被除去物形成第二濾膜142的過濾裝置 144浸潰在原水槽1G1中並予以過遽時，由於可經常維持 過濾能力，所以原水105 T在決定之過據期間提高排水濃 度至指定的濃度。 根據實驗，可到達500Ppm至最高4〇〇〇〇ppm。因而原 水之被除去物的濃度非常濃，所以即使以第i圖或第2圖 所說明之粗濾網眼的過濾器予以過濾，亦可有效率地使被 除去物形成餅狀體。 接著，參知、弟4圖簡單說明壓濾、機之原理。1 5 〇為過 濾器，於其上方與下方形成有開口的圓筒狀之布。 如第4圖（A)所示，該過濾器150係配置在加壓機構 15 1與過濾裔支持體152之間，接著如第4圖（b)所示，可 ，利用第一按壓機構153壓住過濾器150之下方的開口。在 該狀態下，過濾器150就會成為袋子154，且在其中可積 留而〉辰縮排水。 接著’如弟4圖（C)所示，在由過遽器150構成的袋子 154中’係可透過排水供給機構ι55供給高濃縮排水156。 如前面所述，由於該過濾器15〇之通氣度為1〇〇至 200cc/cm2/分，所以可蓄積該高濃縮排水156。 接著，如第4圖（D)所示，利用第二按壓機構155來壓 _包孟之上....芕的開口。結旲，高澧縮排太〗以，可斗十 、張尺度湳用中阎网宕搜淡Ad招执v on- .v J、 -- 313155 -------------裝·-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ------ 五、發明說明（3〇 ) 若上下開口封住的袋子154中。然後如第4圖（£)所示， =使用加壓機構151與過濾器支持體152來擠壓的話，則 位:液體會^過濾器1 5〇中流出。該過濾液體，係蓄積在 下方的過濾液體槽125中，並送回至第1圖所示的原 曰中過濾液體，會因過濾器之濾網眼很粗，而可比較 '成為餅狀物亚取出。但是過據液體的濃度，雖然變成比 ^㈢之’辰度低，但不是乾淨的水，且其半透明的過濾液 回到原水槽中，但是可以成為餅狀物回收，而比較 、成為比原水槽之濃度低的濃度。 M 右解除第一按壓機構155，接著解除第一按壓 □ ^后’則變成餅狀物的被去除物就會落下，而可 回收。 該餅狀物，因儀為合k 因此，餅狀物τ ’、"的名汗狀物，一乾燥就會飛散。 餅狀物可回收至密閉 ^ ^ ^ ^ J合态丨57或袋子中。又在長 /月保存的情況，較佳者為層合 袋子。若被除去物為二氧化石/鸯所衣成且没有透濕性的 化合物半導體材料的貝u稀-屬或 回收。x A # 、了虽作再循環材料而效率高地 =收為"之有害金屬的話，則可不污染外部環境 無論是哪一種皆可將 子中，且可帶至再利用p、 逸、閉的容器157或袋 w產業廢棄物處理場。 弟5圖係說明壓濟 裝置。 機121外之可回收被除去物的過濾 _Μ一^圖（A)係将底下去 木纸張尺度遇用中 313155 !m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂---------線| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30 A7 五、發明說明（31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之中’且以自然落下法來回收過濾液體者。在容器16 1之 底面’安裝有管子1 62，可經由該管子162將過濾液體移 送至過濾液體槽、原水槽中。 第）圖（B)係第5圖（A)之改良型，容器161，係藉由 過慮裔1 60而劃分成上面空間1 63及下面空間1 64。然後 右加壓上面空間1 63的話，則排水就可過濾。 更且’第6圖係設有表面形成有過濾器之皮帶1 65， _並在該上方捕捉被^去物者。元件編號166，係如晝線之 物刮削過慮為之表面而將被除去物回收至容器1 67内 者。然後浸潰著皮帶之排水回到原水槽中。另外，在此情 況，可省去過濾液體槽125。 【發明之效果】 根據本^明之移載裝置、固態物回收方法、被除去物 之再利用方法及回收機構，可達成如下所述的效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1、使原水槽之排水形成高濃度的原水，且利用安 裝在移載裝置上的過濾裝置，將成為高濃度的排水分離成 餅狀物與過濾液體(低濃度排水)，並藉由使該過 濃度排水)再次回到原水槽，即可提高原水槽中之過 2能力，同時可收集成為餅狀物之屑。又當流體為蒸館水 時，且PH被調整成為中性或弱酸性時，被除去物，由於 在排：中幾乎不起反應，所以亦可再利用。 、 第2、由於過漶系統係設置在移载裝置上，所以可八 配J於不同场所的原水槽中的原水分成餅狀物 —_^_體°因而可擴大回收量，且可垣古+ , 處 盾環效率 31 313155 A7 五、發明說明（32 ; 機第3错由使用墨渡法等從含有在對半導體裝置進行 嗎械*加工之過藉由&立ϊ 餅狀 之被除去物的高濃度的排水生成 有丄 勿’即可再利用被除去物。作為再利用之用途， 因導體晶圓、石夕材料、填料、太陽電池、水泥或混凝土。 再:丨’可將以往被當作產業廢棄物而被廢棄的被除去物， 再利用於各種的用途中。 第4、藉由將固態物置入層疊金屬所製成的袋子中而 代^可防止石申等有害物質釋出至外部之情形。，又，該 -子由於係密閉式，所以可防止固態物乾燥。 、^1 乂上，本發明可以簡單的系統來從混人有非常細微之 訂 Η一 雕口收被除去物’且可實現極力減少 產業廢：物，並可進行再循環之環境優的過遽。 【圖式之簡單說明】 線 意圖第1圖係說明本發明之移载裝置與原水槽之關係的示 之：圖係說明設置於本發明之移載袭置上的過遽系統 第3圖係說明原水槽中所侍 — 曰Τ戶斤使用的過遽裝置之示意圖。 弟4圖（A)至（F)係說明設 之示意圖。 、移戟裝置上的過濾裝置 第5圖（A)及（B)係說明設置於銘 之示意圖。 置於移载裝置上的過遽裝置 第6圖係說明設置於移載裝置上的過據裝置之示意 I ig/| 本纸張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公 313155 513319 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（33 ) 第7圖係說明半導體結晶物之研磨·研削步驟的示意 圖。 第8圖係說明半導體結晶物之研磨•研削步驟的示意 圖。 " 第9圖係說明半導體結晶物之研磨•研削步驟的示意 '圖。 第10圖係說明半導體結晶物之研磨·研削步驟的示 着意圖。 第11圖係說明半導體結晶物之研磨·研削步驟的示 意圖。 第12圖係說明半導體結晶物之研磨·研削步驟的示 意圖。 第1 3圖係說明半導體結晶物之研磨·研削步驟的示 意圖。 第14圖（A)至（B)係說明半導體裝置之切割步驟的示 馨意圖。 第1 5圖係說明先前之過濾系統的示意圖。 【元件編號之說明】 1 晶棒 2 上端部 3 下端部 4 晶塊 5 研削刀 6 供給機構 7 指向平面 8 刀鋁 9 鋼琴線 100 管子 101 原水槽 102 過瀘奘詈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公f ) 313155 -------------裝·-------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 513319 A7 B7 五、發明說明（34 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 103、 104 管子 106 幫浦 108 管子 110 pH調整裝置 112 攪拌機構 114 閥 121 第二過濾裝置 123 第一移送幫浦 125 過濾液體槽 129 第三移送幫浦 133 過濾液體移送幫浦 140 固態物 141 第一渡膜 143 被除去物 143B 小的被除去物 145 空間 150 過濾器 152 過濾器支持體 154 袋子 156 南濃縮排水 160 袋子 162 管子 164 下面空間 167 容器 105 原水 107 第一閥 109 藥液注入裝置 111 pH感測器 113 感測器 120 移載裝置 122 高濃縮排水槽 124 第二移送幫浦 . 126、127、128 移送機構 130至132 移送機構 134 餅狀物 140A、140B 固態物 142 第二濾膜 143A大的被除去物 144 過濾裝置 146 管子 151 加壓機構 153 第一按壓機構 155 排水供給機構 157 容器 161 容器 163 上面空間 165 皮帶 200 旋棘台 (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ - - ) I i mmmmt ϋ- *·1 11 βΜΜβΜ I -1· n· Hi ϋ ml —ϋ i m in ^^1 Bi^i l n 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 34 313155 513319 A7 B7 五、發明說明（35 ) 201 晶圓 202 磨石 204 噴嘴 220 支持基板 221 電極 222 半導體晶片 223 密封樹脂 224 金屬細線 301 原水槽 302 幫浦 303 過濾裝置 304 配管 305 回收水槽 306 濃縮水槽 308 幫浦 309 離心分離裔 310 污泥回收槽 311 分離液槽 312 幫浦 BL 承接盤 B1至 B3 閥 DB 切割刀 F 過濾器 SW 喷嘴 SW1 至SW3 蓮蓬頭 W 半導體晶圓

· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公：^ ) 35 313155

Claims (1)

1. 513319 9L 9.

   第90128299號專利申請案 申請專利範圍修正本 . „ (91年9月25曰） •一種移載裝置，其特徵為，具有： 過濾裝置’取入混入有固態物的排水並予以過濾， 以將之分離成餅狀之上述固態物與低濃度排水；以^ 用乂貯4上述低浪度排水的過濾液體槽。 2·如申請專利範圍第1項之移載裝置，其中，在上述過 遽液體槽中，具有將排水移送至外部的移送機構。 3. 如申請專利範圍第i或2項之移載裝置，其中上述餅 狀之固態物，係可回收並再利用者。 4. 如申請專利範圍第i或2項之移載裝置，其中上述過 濾裝置，係採用壓濾法、自然落下法或加壓法。 5·如申請專利範圍第1或2項之移載裝置，其中上述排 水’係 500 至 4〇〇〇〇ppm。 6_如申請專利範圍第丨或2項之移載裝置，其中上述排 水中之pH，係控制成實質中性者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 7·如申請專利範圍第5項之移載裝置，其中上述固態物， 係含矽之在研削、切削、研磨結晶物、多結晶物或非 結晶物時所產生的屑。 8.如申請專利範圍第5項之移載裝置，其中上述固態物， 係含化合物半導體材料之在研削、切削、研磨化合物 時所產生的屑。 9·如申請專利範圍第5¾之移載裝置，i中上述固態物， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） --------------- 1 313155 H3 係研削、切削、研磨構成半導體晶圓、經施行鈍化的 半V體晶圓、由絕緣性樹脂封裝的半導體裝置之材料 時所產生的屑。 10_ 一種移載裝置，其特徵為，具有： 用以取入混入有固態物之排水的取入機構； 用以移送上述排水的第一移送幫浦； 過濾裝置，壓入由上述第一移送幫浦所移送來的 排水，且藉由過濾將之分離成餅狀之上述固態物及低 濃度排水； 用以貯留上述低濃度排水的過濾液體槽；以及 第二移送幫浦，用以從上述過濾液體槽將上述低 濃度排水移送至外部。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 11·如申請專利範圍第10項之移載裝置，其中上述排水， 係貯留在設置於上述移載裝置之外部的原水槽令，該 原水槽之排水係移送至高濃縮排水槽中，並使由上述 第二移送幫浦所移送出來的低濃度排水回到上述原水 槽中’以使上述原水槽之排水濃度降低。 12·如申請專利範圍第或n項之移載裝置，其中上述 向濃度之排水，係500至40000ppm。 13.如申請專利範圍第1〇或n項之移載裝置，其中上述 原水槽之上述排水中之pH，係控制成實質中性者。 14·如申請專利範圍第10或11項之移載裝置，其中上述 固態物，係含矽之在研削、切削、研磨結晶物、多結 j物或非結晶物時所產生的屑 --- …，、，u aa w Π]展王的 /月 ^ 本紙張尺度顧甲國國家標準（⑽）Α4規格 ^公爱） 2 313155 ^13319 15_如申請專利範圍第10或丨丨項之移載裝置其中上述 固態物，係含化合物半導體材料之在研削、切削、研 磨化合物時所產生的屑。 如申請專利範圍第1〇或u項之移载裝置，其中上述 固態物，係研削、切削、研磨構成半導體晶圓、經施 行鈍化的半導體晶圓、由絕緣性樹脂封裝的半導體裝 置之材料時所產生的屑。 17·如申請專利範圍第1或10項之移載裝置，丨中，設有 將使用於上述移載裝置之上、或移載裝置之周圍藥液 蓄積在移載裝置上之其他貯留槽或容器。 18·—種固態物回收方法，其特徵為： 原水槽之排水，係含有研肖，！·研磨半導體結晶物、 +導體晶圓、表面形成有鈍化膜之半導體晶圓或由絕 緣性樹脂所封裝的半導體裝置時所產生的 使該排水成為5〇〇至4_啊之高濃度的排水， 鎚濟部中央標準局員工福利委員會印製 壓入過遽上述原水槽之排水，將之分離成上述餅 狀之固態物及低濃度排水， 使上述低濃度排水回到上述原水槽中， 原水槽之排水濃度降低。 ^ 9.種固態物回收方法，其特徵為： 曰棒：:：之排水，係含有半導體材料所構成的結晶 曰曰棒之研磨·研削物、半導體晶圓之背面的研 =，，而使該排水成為500至4〇〇〇〇ppm之高遭度的 本i尺度A4規袼⑽ 313155 513319 壓入過渡上述原水槽之排水，將之分離成上述餅 狀之固態物及低濃度排水， 使上述低濃度排水回到上述原水槽中’以使上述 原水槽之排水濃度降低。 20·—種固態物回收方法，其特徵為： 壓入過濾至少混入有半導體材料、二氧化矽、金 屬、貴金屬、稀金屬或化合物材料等的排水，將之分 離成餅狀之固態物及低濃度排水， 將上述餅狀之固態物，在防止該固態物乾燥的狀 態下，搬運至再利用場中。 2 1.如申請專利範圍第2〇項之固態物回收方法，其中，用 乂防止上述固態物乾燥的機構，係密封的容器或袋子。 2 2. —種被除去物之再利用方法，其特徵為： 再利用藉由過濾高濃度之排水所生成的固態物， 其中該高濃度之排水，係含有將結晶晶棒機械加工成 晶圓的過程及對半導體晶圓進行機械加工的過程中所 發生的被除去物。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 23·如申請專利範圍第22項之被除去物之再利用方法，其 中上述高濃度之排水，係利用壓濾法、自然落下法或 加壓法加以過濾者。 24·如申請專利範圍第23項之被除去物之再利用方法，其 中，上述壓濾法中所用的過濾器之通氣度，係1 〇〇至 200cc/cm2/分。 2 申請專利範圍第22至24項中任一項之被除去物之 太紙張尺麿镝用φ國圃宕揸淮， _____^ 313155 4 H3 再利用方法其中上述鬲濃度之排水的濃度，係5 〇 〇 至 400OOppm。 26.如申明專利範圍第22項之被除去物之再利用方法，其 中上述固態物，係作為半導體晶圓、矽材料、填料、 太陽電池、水泥或混凝土而再利用。 27·如申請專利範圍第22項之被除去物之再利用方法，其 中上述固態物，係置入層疊金屬所製成的袋子中而回 收。 28·—種被除去物之再利用方法，其係再溶解形成為半固 態物之被除去物以再利用者，其特徵為： 上述被除去物係從原水槽t濃縮成高濃度之排水 中分離出來者。 29·如申請專利範圍第28項之被除去物之再利用方法，其 中，含有上述被除去物之上述排水，係藉由形成於縱 型過濾器之表面上的自我形成膜而在上述原水槽内濃 縮成高濃度，上述被除去物係成為半固態物而再利用。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 30.如申請專利範圍第28項之被除去物之再利用方法，其 中上述被除去物，係被再溶解而作為太陽電池之材料 而再利用。 3 1.如申請專利範圍第28項之被除去物之再利用方法，其 中上述被除去物係矽屑。 32.—種回收機構，其係用以收容含水且形成餅狀的固態 物者，其特徵為： _ 在上述回收機構中設有乾燥防止機構。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公餐） 5 313155 H3 緩濟部中央標準局員工福利委員會印製 33. 如申請專利範圍第32項之回收機構 構，係層疊金屬所製成的袋子。 34. 如申請專利範圍第32項之回收機構 構’係密封的容器。 35. 如申請專利範圍第32項之回收機構 構’係可防止外部環境的污染者。 36·如申請專利範圍第32項之回收機構， 構，係用以將上述固態物搬運至再利用場者 37.-種半導體加工令所用流體之回收方法，其係使含有 加工半導體而產生的加工屬之流體通過第一過遽哭， 而在上述第一過遽器上形成由上述加工相構成之層 狀的第二過濾器，然後在過濾中—邊施加外力於上述 第二過慮器的表面以除去上述第二過濾器的表面，一 邊透過形成有上述第二過濾器的第一過濾器過濾上述 流體’以再利用過濾過的上述流體。 3 8.如申租專利範圍第3 7項之半導體加工中所用流體之回 收方法，其中過濾過的上述流體係再利用於半導體的 加工。 3 9·—種半導體加工屑之回收方法，其係使含有加工半導 體而產生的加工屑之流體通過第一過濾器，而在上述 第一過濾器上形成由上述加工屑所構成之層狀的第二 過慮器’然後在過;慮中一邊施加外力於上述第二過淚 器的表面以除去上述第二過濾器的表面，一邊透過形 一成有上述第二過濾器的第一過濾器過濾上述流艚，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） '一^' -- 其1f7上述回收機 其中上述回收機 其中上述回收機 其117上述回收機 6 313155 513319 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 H3 再利用上述加工屑。 40. 如申請專利範圍第39項之半導體加工屑之回收方法， 其中係使上述加工屑再溶融而加以再利用。 41. 如申請專利範圍第40項之半導體加工屑之回收方法， 其中係以上述加工屑作為結晶晶棒的材料而加以再利 用0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 7 313155