JP2001198418A - 流体の被除去物除去方法および被除去物除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来、ダイシング、ＣＭＰ等の機械的加工に
より発生する研磨屑、研削屑が混入された排水は、凝集
沈殿法またはフィルタ濾過と遠心分離を組み合わせた二
通りで処理されていた。しかし前者では、薬品と研削屑
が反応したり、濾過水に薬品が混ざり再利用が行えず、
また後者は、システムとして大きくなり、イニシャルコ
スト、ランニングコストが高い問題を有していた。 【解決手段】 濾過装置３５の第１のフィルタ３２に被
除去物を捕獲し、第２のフィルタ３６として形成する。
この第２のフィルタ３６は、そのままでは乾燥し、崩れ
てしまうため、乾燥を防止する手段ＣＳ１、ＣＳ２に前
記濾過装置３５を収納する。そして排水タンク５０のそ
ばまで前記濾過装置３５を搬送し、前記乾燥を防止する
手段から濾過装置３５を取り出し、排水に浸漬する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、流体の被除去物除
去方法および被除去物除去装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、産業廃棄物を減らす事、また産業
廃棄物を分別し再利用する事または産業廃棄物を自然界
に放出させない事は、エコロジーの観点から重要なテー
マであり、２１世紀へ向けての企業課題である。この産
業廃棄物の中には、被除去物が含まれた色々な流体があ
る。

【０００３】これらは、汚水、排水、廃液等の色々な言
葉で表現されているが、以下、水や薬品等の流体中に被
除去物である物質が含まれているものを排水と呼び説明
する。これらの排水は、高価な濾過処理装置等で前記被
除去物が取り除かれ、排水がきれいな流体となり再利用
されたり、分別された被除去物または濾過できず残った
ものを産業廃棄物として処理している。特に水は、濾過
により環境基準を満たすきれいな状態にして川や海等の
自然界に戻されたり、また再利用される。

【０００４】しかし、濾過処理等の設備費、ランニング
コスト等の問題から、これらの装置を採用することが非
常に難しく、環境問題にもなっている。

【０００５】この事からも判るように、排水処理の技術
は、環境汚染の意味からも、またリサイクルの点からも
重要な問題であり、低イニシャルコスト、低ランニング
コストのシステムが早急に望まれている。

【０００６】一例として、半導体分野に於ける排水処理
を以下に説明していく。一般に、金属、半導体、セラミ
ック等の板状体を研削または研磨する際、摩擦による研
磨（研削）治具等の温度上昇防止、潤滑性向上、研削屑
または切削屑の板状体への付着等が考慮され、水等の流
体が研磨（研削）治具や板状体にシャワーリングされて
いる。

【０００７】具体的には、半導体材料の板状体である半
導体ウェハをダイシングしたり、バックグラインドする
際、ダイシングブレードやウェハに純水を流す手法が取
られている。ダイシング装置では、図１３に示すよう
に、ダイシングブレードＤＢの温度上昇防止のために、
またダイシング屑がウェハＷに付着するのを防止するた
めに、半導体ウェハＷ上に純水の流れを作ったり、ブレ
ードＤＢに純水が当たるように放水用のノズルＳＷが取
り付けられ、シャワーリングされている。そして排水
は、受け皿ＢＬに取り付けられたパイプを介して外部に
輸送されている。

【０００８】またバックグラインドでウェハ厚を薄くす
る際も、同様な理由により純水が流されている。つまり
図１４に示すようにターンテーブル２００上に設けられ
たウェハ２０１は、砥石２０２で研磨され、ノズル２０
４から純水をシャワーリングして洗浄される。そして排
出される排水は、受け皿２０３に取り付けられたパイプ
で外部へ輸送されている。

【０００９】前述したダイシング装置やバックグライン
ド装置から排出される研削屑または研磨屑が混入された
排水は、濾過されてきれいな水にして自然界に戻した
り、あるいは再利用され、濃縮された排水は、回収され
ている。

【００１０】現状の半導体製造に於いて、Ｓｉを主体と
する被除去物（屑）の混入された排水の処理は、凝集沈
殿法、フィルタ濾過と遠心分離機を組み合わせた方法の
二通りがある。

【００１１】前者の凝集沈殿法では、凝集剤としてＰＡ
Ｃ（ポリ塩化アルミニウム）またはＡｌ2（ＳＯ４）3
（硫酸バンド）等を排水の中に混入させ、Ｓｉとの反応
物を生成させ、この反応物を取り除くことで、排水の濾
過をしていた。

【００１２】後者の、フィルタ濾過と遠心分離を組み合
わせた方法では、排水を濾過し、濃縮された排水を遠心
分離機にかけて、シリコン屑をスラッジとして回収する
とともに、排水を濾過してできたきれいな水を自然界に
放出したり、または再利用していた。

【００１３】例えば、図１５に示すように、ダイシング
時に発生する排水は、原水タンク３０１に集められ、ポ
ンプ３０２で濾過装置３０３に送られる。濾過装置３０
３には、セラミック系や有機物系のフィルタＦが装着さ
れているので、濾過された水は、配管３０４を介して回
収水タンク３０５に送られ、再利用される。または自然
界に放出される。

【００１４】一方、濾過装置３０３は、フィルタＦに目
詰まりが発生するため、定期的に洗浄が施される。例え
ば、原水タンク３０１側のバルブＢ１を閉め、バルブＢ
３と原水タンクから洗浄水を送付するためのバルブＢ２
が開けられ、回収水タンク３０５の水で、フィルタＦが
逆洗浄される。これにより発生した高濃度のＳｉ屑が混
入された排水は、原水タンク３０１に戻される。また濃
縮水タンク３０６の濃縮水は、ポンプ３０８を介して遠
心分離器３０９へ輸送され、遠心分離器３０９により汚
泥（スラッジ）と分離液に分離される。Ｓｉ屑から成る
汚泥は、汚泥回収タンク３１０に集められ、分離液は分
離液タンク３１１に集められる。更に分離液が集められ
た分離液タンク３１１の排水は、ポンプ３１２を介して
原水タンク３０１に輸送される。

【００１５】これらの方法は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａ
ｌ等の金属材料を主材料とする固形物または板状体、セ
ラミック等の無機物から成る固形物や板状体等の研削、
研磨の際に発生する屑を回収する際も採用されていた。

【００１６】一方、ＣＭＰ（Chemical-Mechanical Poli
shing）が新たな半導体プロセス技術として登場してき
た。このＣＭＰは、半導体装置の理想的な多層配線構造
を実現するために配線を被覆する層間絶縁膜上面の平坦
化を目的として層間絶縁膜の上面の凹凸を研磨する技術
である。

【００１７】このＣＭＰ技術により、第１に平坦なデバ
イス面形状を実現できる。この結果、リソグラフィ技術
を使った微細パターンを精度良く形成でき、またＳｉウ
ェハの貼り付け技術の併用等で、三次元ＩＣの実現の可
能性をもたらすものである。

【００１８】第２に、基板とは異なる材料の埋め込み構
造を実現できる。この結果、配線の埋め込み構造を容易
に実現できるメリットを有する。従来のＩＣの多層配線
で層間膜の溝にＣＶＤ法でＷを埋め込み、表面をエッチ
バックして平坦化するタングステン（Ｗ）埋め込み技術
が採用されていたが、最近はＣＭＰにより平坦化する方
がプロセスも簡略化できる点があり、ＣＭＰが脚光を浴
びている。

【００１９】これらＣＭＰの技術および応用は、サイエ
ンスフォーラム発行の「ＣＭＰのサイエンス」に詳述さ
れている。

【００２０】続いて、ＣＭＰの機構を簡単に説明する。
図１６に示すように、回転定盤４５０上の研磨布４５１
に半導体ウェハ４５２を載せ、研磨材（スラリー）４５
３を流しながら擦り合わせ、研磨加工、化学的エッチン
グすることにより、ウェハ４５２表面の凹凸を無くして
いる。研磨材４５３の中の溶剤による化学反応と、研磨
布と研磨剤の中の研磨砥粒との機械的研磨作用で平坦化
されている。研磨布４５１としては、例えば発泡ポリウ
レタン、不織布などが用いられ、研磨材は、シリカ、ア
ルミナ等の研磨砥粒を、ｐＨ調整材を含んだ水に混合し
たもので、一般にはスラリーと呼ばれている。このスラ
リー４５３を流しながら、研磨布４５１にウェハ４５２
を回転させながら一定の圧力をかけて擦り合わせるもの
である。尚、４５４は、研磨布４５１の研磨能力を維持
するもので、常に研磨布４５１の表面をドレスされた状
態にするドレッシング部である。またＭ１〜Ｍ３は、モ
ーター、４５５〜４５７は、ベルトである。

【００２１】上述した機構は、システムとして構築され
ている。このシステムは、大きく分けると、ウェハカセ
ットのローディング・アンローデイングステーション、
ウェハ移載機構部、研磨機構部、ウェハ洗浄機構部およ
びこれらを制御するシステム制御から成る。

【００２２】まずウェハが入ったカセットは、ウェハカ
セット・ローデイング・アンローディングステーション
に置かれ、カセット内のウェハが取り出される。続い
て、ウェハ移載機構部、例えばマニプュレータで前記ウ
ェハを保持し、研磨機構部に設けられた回転定盤４５０
の上に載置され、ＣＭＰ技術を使ってウェハが平坦化さ
れる。この平坦化の作業が終わると、スラリーの洗浄を
行うため、前記マニプュレータによりウェハがウェハ洗
浄機構部に移され、洗浄される。そして洗浄されたウェ
ハは、ウェハカセットに収容される。

【００２３】例えば、１回の工程で使われるスラリーの
量は、約５００CC〜１リットル／ウェハである。また、
前記研磨機構部、ウェハ洗浄機構部で純水が流される。
そしてこれらの排水は、ドレインで最終的には一緒にな
るため、約５リットル〜１０リットル／ウェハの排水が
１回の平坦化作業で排出される。例えば３層メタルであ
ると、メタルの平坦化と層間絶縁膜の平坦化で約７回の
平坦化作業が入り、一つのウェハが完成するまでには、
５〜１０リットルの七倍の排水が排出される。

【００２４】よって、ＣＭＰ装置を使うと、純水で希釈
されたスラリーがかなりの量排出されるので、その廃水
の処理を効率良くできる方法が問題視されている。現在
では、これらの排水は、凝集沈殿法や図１５で示したフ
ィルタ濾過と遠心分離を組み合わせた従来からの方法で
処理されていた。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
凝集沈殿法は、凝集剤として化学薬品が投入される。し
かし完全に反応する薬品の量を特定するのは非常に難し
く、どうしても薬品が多く投入され未反応の薬品が残
る。逆に薬品の量が少ないと、全ての被除去物が凝集沈
降されず、被除去物が分離せず残ってしまう。特に、薬
品の量が多い場合は、上澄液に薬品が残る。これを再利
用する場合、濾過流体に薬品が残留するため、化学反応
を嫌うものには再利用できない問題があった。

【００２６】例えばダイシングの場合、排水はシリコン
屑と蒸留水から成り、濾過された水は、薬品が残留する
ため、ウェハ上に流すと、好ましくない反応を引き起こ
すため、ダイシング時に使用する水として再利用できな
い問題があった。

【００２７】また薬品と被除去物の反応物であるフロッ
クは、あたかも藻の如き浮遊物で生成される。このフロ
ックを形成する条件は、ＰＨ条件が厳しく、攪拌機、Ｐ
Ｈ測定装置、凝集剤注入装置およびこれらを制御する制
御機器等が必要となる。またフロックを安定して沈降さ
せるには、大きな沈殿槽が必要となる。例えば、３ｍ3
／１時間の排水処理能力であれば、直径３メートル、深
さ４メートル程度のタンク（約１５トンの沈降タンク）
が必要となり、全体のシステムにすると約１１メートル
×１１メートル程度の敷地も必要とされる大がかりなシ
ステムになってしまう。

【００２８】しかも沈殿槽に沈殿せず浮遊しているフロ
ックもあり、これらはタンクから外部に流出する恐れが
あり、全てを回収する事は難しかった。つまり設備の大
きさの点、このシステムによるイニシャルコストが高い
点、水の再利用が難しい点、薬品を使う点から発生する
ランニングコストが高い点等の問題があった。

【００２９】一方、図１５の如き、５ｍ３／１時間のフ
ィルタ濾過と遠心分離機を組み合わせた方法では、濾過
装置２０３にフィルタＦ（ＵＦモジュールと言われ、ポ
リスルホン系ファイバで構成されたもの、またはセラミ
ックフィルタ）を使用するため、水の再利用が可能とな
る。しかし、濾過装置２０３には４本のフィルタＦが取
り付けられ、フィルタＦの寿命から、約５０万円／本と
高価格なフィルタを、少なくとも年に１回程度、交換す
る必要があった。しかも濾過装置２０３の手前のポンプ
２０２は、フィルタＦが加圧型の濾過方法であるためモ
ータの負荷が大きく、ポンプ２０２が高容量であった。
また、フィルタＦを通過する排水の内、２／３程度は、
原水タンク２０１に戻されていた。更には被除去物が入
った排水をポンプ２０２で輸送するため、ポンプ２０２
の内壁が削られ、ポンプ２の寿命も非常に短かった。

【００３０】これらの点をまとめると、モータの電気代
が非常にかかり、ポンプＰやフィルタＦの取り替え費用
がかかることからランニングコストが非常に大きい問題
があった。

【００３１】更に、ＣＭＰに於いては、ダイシング加工
とは、比較にならない量の排水が排出される。しかもス
ラリーに混入される砥粒の粒径は０．２μｍ、０．１μ
ｍ、０．１μｍ以下の極めて微細なものである。従って
この微細な砥粒をフィルタで濾過すると、フィルタの孔
に砥粒が侵入し、すぐに目詰まりを起こし、目詰まりが
頻繁に発生するため、排水を大量に処理できない問題が
あった。

【００３２】また排水の中に入った被除去物（ダイシン
グ屑、研磨屑または砥粒）を凝集沈殿する方法では、被
除去物が化学的に反応されているため、再利用が難しい
問題もあった。

【００３３】今までの説明からも判るように、地球環境
に害を与える物質を可能な限り取り除くため、または濾
過流体や分離された被除去物を再利用するために、排水
の濾過装置は、色々な装置を追加して大がかりなシステ
ムとなり、結局イニシャルコスト、ランニングコストが
膨大と成っている。従って今までの汚水処理装置は、到
底採用できるようなシステムでなかった。

【００３４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされ、第１に、被除去物を含む流体を第１のフィ
ルタに通過させて前記第１のフィルタ表面に前記被除去
物から成る第２のフィルタを形成し、前記第２のフィル
タを構成する前記被除去物の乾燥を防止する手段を施
し、前記被除去物を含む流体に前記第２のフィルタが浸
漬される前に、前記乾燥を防止する手段を取り除き、前
記第２のフィルタを前記流体に浸漬し、前記流体の前記
被除去物を除去することで解決するものである。

【００３５】第２のフィルタは、例えばシリコンのダイ
シング屑のような微粒子で構成され、乾燥すると第２の
フィルタは、崩れてしまう。しかし乾燥を防止する手段
を採用することで第２のフィルタの破壊を防止でき、排
水の濾過、被除去物の分離がスタート時点から可能とな
る。

【００３６】第２に、被除去物を含む流体を第２のフィ
ルタに循環させて第２のフィルタを補修する事で解決す
るものであ る。

【００３７】例えば、第２のフィルタの表面が崩れて
も、また濾過性能が悪い場合でも、循環させることによ
り第２のフィルタは被除去物を捕獲し、膜厚が成長する
ため、目的の濾過性能にすることができる。

【００３８】第３に、前記被除去物は、大きさの異なる
粒子を含み、前記第１のフィルタの孔の大きさは最小の
粒子の粒径よりも大きく、最大の粒子の粒径よりも小さ
いことで解決するものである。

【００３９】第４に、前記第１のフィルタの孔より大き
な被除去物の割合が小さな被除去物の割合よりも大きい
ことで解決するものである。

【００４０】第５に、被除去物の除去の開始後、所定時
間循環させることで解決するものである。

【００４１】循環することにより膜が修復され、また濾
過性能を高めることができる。

【００４２】第６に、前記第１のフィルタを通過した流
体に含まれる被除去物の混入の度合を検出手段で検出
し、所定値以下となった時点で循環を停止することで解
決するものである。

【００４３】第７に、前記流体を前記第１のフィルタを
介して吸引することで解決するものである。

【００４４】第８に、前記第２のフィルタ表面に外力を
与えることで解決するものである。

【００４５】外力を第２のフィルタに与えることで、第
２のフィルタの濾過能力を維持させることができる。

【００４６】第９に、前記外力により前記第２のフィル
タ表面の被除去物の一部を脱離させることで解決するも
のである。

【００４７】被除去物の一部を脱離させることで、フィ
ルタの目詰まりを防止することができる。

【００４８】第１０に、前記外力は気泡の上昇力、機械
的振動、音波または液流を用いて発生させることで解決
するものである。

【００４９】第１１に、固形物を含む第１の流体を第１
のフィルタに通過させて、前記第１のフィルタ表面に前
記固形物を含む第２のフィルタを形成し、前記第２のフ
ィルタを構成する前記固形物の乾燥を防止する手段を施
し、被除去物を含む第２の流体に前記第２のフィルタが
浸漬される前に、前記乾燥を防止する手段を取り除き、
前記第２のフィルタを前記第２の流体に浸漬し、前記第
２の流体の前記被除去物を除去することで解決するもの
である。

【００５０】被除去物の入った排水に濾過装置を投入す
るまで、固形物よりなる第２のフィルタの乾燥を防止で
きる。従って第１の場所で第２のフィルタを形成し、こ
れを距離的に離間された第２の場所に持っていき設置す
ることができる。

【００５１】第１２に、前記第１の流体を前記第１のフ
ィルタに循環通過させることで解決するものである。

【００５２】第１３に、前記固形物または前記被除去物
は、異なる大きさの粒子を含み、前記第１のフィルタの
孔の大きさは最小の粒子よりも大きく、最大の粒子より
も小さい事で解決するものである。

【００５３】第１４に、前記第１のフィルタの孔より大
きな前記固形物または前記被除去物の割合が小さな前記
固形物または前記被除去物の割合よりも大きいことで解
決するものである。

【００５４】第１５に、起動後、所定時間循環させるこ
とで解決するものである。

【００５５】第１６に、前記第１のフィルタを通過した
流体に含まれる前記固形物または前記被除去物の混入の
度合を検出手段で検出し、所定値以下となった時点で循
環を停止する事で解決するものである。

【００５６】第１７に、前記流体を前記第１のフィルタ
を介して吸引する事で解決するものである。

【００５７】第１８に、前記第２のフィルタ表面に外力
を与えることで解決するものである。

【００５８】第１９に、前記外力により第２のフィルタ
表面の固形物または前記被除去物の一部を脱離させる事
で解決するものである。

【００５９】第２０に、外力は気泡の上昇力、機械的振
動、音波または液流を用いて発生させることで解決する
ものである。

【００６０】第２１に、前記被除去物は、０．１μｍ以
下の機械加工物またはＣＭＰにより排出される廃液中の
微粒子であることで解決するものである。

【００６１】第２２に、前記乾燥を防止する手段は、第
２のフィルタをカバーするシート、樹脂または金属箔か
らなる袋、樹脂、金属またはセラミックから成る密閉ケ
ースであることで解決するものである。

【００６２】第２３に、第１のフィルタの表面に個々に
分離可能な固形物が積層されてなる第２のフィルタが形
成された被除去物除去装置であり、前記第２のフィルタ
の乾燥防止のために、密閉された袋または密閉されたケ
ースに収納されている事で解決するものである。

【００６３】第２４に、第１のフィルタの表面に個々に
分離可能な固形物が積層されてなる第２のフィルタが形
成された被除去物除去装置であり、前記第２のフィルタ
の破壊防止のために、第２のフィルタの表面に剥離可能
なシートが被覆されている事で解決するものである。

【００６４】

【発明の実施の形態】まず流体の被除去物除去方法およ
び流体の被除去物除去装置について図１から図４を参照
してその概要を説明する。

【００６５】図１は、排水を濾過する濾過装置３５を示
すものであり、図１ａは、第１のフィルタ膜３１、３２
の表面に個々に分離可能な微粒子が層状に積層され、第
２のフィルタ３６として形成されている。また図１ｂも
同様な構造であり、フィルタＦＴの表面には、個々に分
離可能な微粒子が層状に積層され、フィルタとして形成
されている。

【００６６】この微粒子により層状に形成されたフィル
タ膜は、乾燥すると剥がれ落ち、剥がれ落ちた部分から
本来捕獲すべき被除去物を通過させてしまう。また濾過
装置３５を搬送する際、誤ってフィルタ膜に触れたりす
ると簡単に傷が付いてしまい、この傷を介して被除去物
を通過させてしまう。

【００６７】本発明は、この膜の乾燥や膜の破壊を防止
するために、袋ＣＳ１、ケースＣＳ２を採用し、この中
に前記濾過装置を収納するものである。これにより濾過
装置を目的の場所まで、乾燥することなく、無傷で搬送
することができるものである。

【００６８】詳しくは、後述するが、微粒子により層状
に形成されたフィルタ膜を濾過装置に形成し、これを距
離的にも時間的にもかかる排水生成場所に持っていく
際、前記乾燥防止手段ＣＳ１、ＣＳ２に前記濾過装置を
収納して搬送し、排水に前記濾過装置３５を浸漬する前
に前記乾燥防止手段ＣＳ１、ＣＳ２から取り出し、濾過
装置３５を排水に浸漬して濾過するものである。

【００６９】また微粒子により層状に形成されたフィル
タ膜の表面に取り外し可能なシートを貼り付けて搬送
し、濾過する前に前記シートを剥がし、濾過装置３５を
排水に浸漬して濾過するものである。

【００７０】図２は、前述した濾過装置５３を採用し、
排水タンク５０に貯められた排水から流体を取り除き、
排水タンク５０の被除去物の濃度を高め、所定の濃度に
なったら回収装置６８に排水を移送し、この回収装置６
８で再度流体を取り除き、フィルタＦＴｂで捕獲され砂
状に成った被除去物（回収物）７５を回収するものであ
る。

【００７１】一方、排水タンク５０の上方には、排水供
給手段としてパイプ５１が設けられている。このパイプ
５１は、被除去物が混入した流体の通過する所である。
例えば、半導体分野で説明すると、パイプ５１は、ダイ
シング装置、バックグラインド装置、ミラーポリッシン
グ装置またはＣＭＰ装置から流れ出る被除去物が混入さ
れた排水が通過する所である。

【００７２】排水タンク５０に貯められた排水５２の中
には、吸引型の濾過装置５３が複数個設置される。そし
てこの濾過装置５３の下方には、例えばパイプに小さい
孔を開けたような、また魚の水槽に使うばバブリング装
置の如き、気泡発生装置５４が設けられ、ちょうどフィ
ルタ膜の表面を通過するようにその位置が調整されてい
る。５５は、エアーブローである。

【００７３】濾過装置５３に固定されたパイプ５６は、
吸引されて濾過された流体が通過し、パイプ５６を通過
した流体は、第１のバルブ５８を介して排水タンク５０
側に向かうパイプ５９と、再利用（または排水される）
側に向かうパイプ６０に選択輸送される。また排水タン
ク５０の側壁および底面には、排水を回収装置６８へ移
送する目的のため、第２のバルブ６１、第３のバルブ６
２、第４のバルブ６３および第５のバルブ６４が取り付
けられ、パイプ６５、６６は、回収装置６８へ延びてい
る。

【００７４】またセンサ６７は、パイプ６０を通過する
濾過された流体中の被除去物の濃度を常時センシングし
ている。センサとしては、受光・発光素子の付いた光セ
ンサが、常に計測できるため好ましい。発光素子は、発
光ダイオードやレーザが考えられる。またセンサ６７
は、パイプ５６の途中あるいはパイプ５９の途中に取り
付けても良い。尚、符号７０は、パイプ５６を通過する
濾過水の圧力を検知する圧力計であり、符号７１は、流
量計である。

【００７５】一方、排水タンクは、時間とともに濃縮さ
れてくる。そして被除去物が入った排水タンク５０が所
定の濃度になったら、排水が回収装置６８へ輸送され、
回収装置６８で流体と被除去物に分離される。この回収
装置６８は、第１の貯留槽７２と第２の貯留槽７３に分
けられ、この２つの槽７２、７３の間には、フィルタＦ
Ｔｂが配置されている。そしてパイプ７４をポンプ等で
吸引することにより、第２の貯留槽７３の気圧が下が
り、強制的に排水を第２の貯留槽７３に移している。

【００７６】この吸引の結果、フィルタＦＴｂの上に
は、砂の固まりの様な被除去物の集合体（回収物）７５
が生成され、この回収物７５は、容器７６に入れて回収
される。回収物は乾燥すると飛散するため、容器は、流
体が蒸発しない密閉されたケースや袋等から成る。図３
は、回収装置６８の回収機構を説明するものである。

【００７７】図３ａは、第１の貯留槽７２に排水８２を
貯め、吸引により流体を第２の貯留槽７３に移送してい
る図面である。第２の貯留槽７３は、上に開口部を持つ
流体用の容器であり、側面には吸引用のパイプ７４と流
体を排出するパイプ８０が設けられている。パイプ７４
は、第２の貯留槽７３の空気を吸引するため、第２の貯
留槽７３内の流体面よりも上に設置されている。またパ
イプ８０を介して流体は、図２の排水タンク５０に戻さ
れている。この第２の貯留槽７３の上には第１の貯留槽
７２が載せられ、第２の貯留槽７３の開口部に対応する
第１の貯留槽７２の底面には、流体が通過可能な孔がた
くさん設けられている。そして第１の貯留槽７２から第
２の貯留槽７３へ向かう排水の通路には被除去物を捕獲
するフィルタＦＴｂ、ＦＴｃが設けられている。

【００７８】一方、第１の貯留槽７２の中には、回収槽
８１が設けられている。この回収槽８１は第１の貯留槽
７２から取り外せる機構になっている。この回収槽８１
内の底面には、回収物７５の支持も兼ねてフィルタＦＴ
ｂが設けられている。パイプ６６から流入された排水８
２は、パイプ７４を真空吸引する事により、第２の貯留
槽へ落ちる。この時、被除去物はフィルタＦＴｂに捕獲
されて積層され、最終的には排水が殆ど取り除かれ被除
去物だけが回収槽８１の中に残る。

【００７９】ここで、流体が第２の貯留槽７３に移動し
やすいように、フィルタの孔は、大きく形成されてい
る。回収装置６８よって、被除去物が全て分離されなく
ても良いからである。つまり排水タンク５０の濃度を低
下させるのが第１の目的であり、また荒い濾過でも良い
から高スピードで被除去物を回収するのが第２の目的で
ある。

【００８０】図３ｂは、回収槽８１に被除去物８３が砂
状に捕獲された状態を示すものである。回収槽８１は、
第１の貯留槽７２から取り外せるため、この回収槽８１
をそのまま回収しても良いし、別途用意された容器８３
の中に被除去物を入れて回収しても良い。

【００８１】また図３ｃの様に突き上げ装置８４を採用
し、人手を借りずに回収しても良い。つまり回収槽８１
の中のフィルタＦＴｂを突き上げ手段８５により突き上
げ、回収物７５を回収槽８１の上に移動させる。そして
回収物７５をスキージ等で移動させ、図３ｄの様に容器
８３の中に入れる。またフィルタＦＴｂも含めてマニュ
ピレータで掴み、フィルタＦＴｂも含めて容器８３の中
に収納しても良い。

【００８２】そして図３ｅの如く、容器８３を重ね一度
に回収する。ここで容器に符号を付し、中に入っている
回収物が判るようにしておくと便利である。

【００８３】続いて図４を用いて実際の回収装置６８を
更に詳しく説明する。図４ａは、回収装置６８の断面図
であり、図４ｂは、第２の貯留槽７３の斜視図である。
図４ｃは、第２の貯留槽７３の上に設けられる支持板や
フィルタを示すもので、下からステンレス板８６、ナイ
ロンネット８７、開口部８８を持つ２枚の塩ビ板８９が
図示されている。図４ｄは、第１の貯留槽７２を示すも
ので、底面には開口部９０が設けられている。また図４
ｅは、第１の貯留槽７２の底面に敷かれるものを示し、
下から支持板９１、サランネットと呼ばれる樹脂シート
からなるフィルタ９２そしてこの上に積層される回収物
７５を示している。

【００８４】図４ａを参照すると判るように、第２の貯
留槽７３の縁９２にはゴムパッキン９３が設けられ、こ
の上に図４ｃの積層物が設けられる。ステンレス板８６
は、フィルタ機能を持ったナイロンネット８７や塩ビ板
８９を支持するもので、第２の貯留槽７３の開口部に対
応する部分には、１０ｍｍφ程度の孔が数多く形成され
ている。またナイロンネット８７は、厚さ１０ミクロ
ン、孔径約０．１ｍｍが形成されたフィルタで、後述す
るケイソウ土が第２の貯留槽７３に流れ出ないようにし
ている。二枚の塩ビ板８９の開口部８８には、例えば濾
過機能を持たせるために市販のケイソウ土が埋められて
いる。このケイソウ土の粒径は、下層のナイロンネット
の孔径よりも大きいモノが敷かれ、上層に向かうにつれ
て粒径の小さなものが敷かれている。またここでは、ケ
イソウ土を厚く形成するために、塩ビ板８９を２枚採用
しているが、原理的には少なくとも一枚あればよい。ま
たケイソウ土の代わりに、別の固形物を採用しても良
い。

【００８５】そして前記塩ビ板８９の上に第１の貯留槽
７２が設けられる。そして第１の貯留槽７２と第２の貯
留槽７３を一体化し、間から流体が流れでないように、
縁９２と縁９４がクランプされている。またナイロンネ
ット８７やケイソウ土の詰め替えが考慮されて第１の貯
留槽７２と第２の貯留槽７３に分けられているが、一体
型で構成されても良い。そして第１の貯留槽７２底面の
開口部９０にもケイソウ土が敷かれている。

【００８６】第１の貯留槽７２には、出し入れが可能な
回収槽８１が設けられる。この回収槽８１の底面にも流
体の通路９０が複数個設けられ、この底面には、図４ｅ
で示す積層物が設けられている。サランネット９２は、
被除去物を捕獲し、所定の厚みの回収物とするものであ
り、支持板９１は、ある程度の強度を持った板から成
り、図３ｃのように回収物７５を上方に突き上げる際の
支持板となる。また支持板９１の材料は金属でもプラス
チックでも良い。

【００８７】図２の排水タンク５０で高濃度になった排
水は、パイプ６５、６６から第１の貯留槽７２に移送さ
れる。そしてパイプ７４に取り付けられたポンプで真空
吸引し、排水は、濾過されて流体が第２の貯留槽７３へ
と移送される。つまりサランネット９２、第１の貯留槽
７２の開口部９０に設けられたケイソウ土９５、塩ビ板
８９の開口部８８に設けられたケイソウ土９５、そして
ナイロンネット８７の何重のフィルタで排水の被除去物
が捕獲される。そして吸引を続けている内に、サランネ
ット９２の上には、被除去物が回収可能な厚みとなる。

【００８８】そして回収槽８１を回収装置７３から取り
出し、図３ｃに示す突き上げ装置８４に載置する。この
突き上げ装置８４には突き上げ手段８５が設けられ、突
き上げ手段８５は開口部９０を通して支持板９１に当接
し、支持板も含めて回収物が上方に突き上げられる。こ
の状態になれば、回収物７５は、容器８３に収納可能と
なる。では濾過装置５３の原理を説明する。発明を説明
する上で被除去物と固形物を文章中で使い分けているた
め、定義する。前者の被除去物とは、濾過したい排水の
中に含まれる物質であり、個体である。

【００８９】後者の固形物とは、前記被除去物が入った
排水を濾過するため、砂のように個体物質が集められて
層となったフィルタ膜の構成物質を言う。例えば固形物
は、第１のフィルタ膜の上に積層されるものであり、積
層された膜は、第１のフィルタ膜の濾過精度よりも更に
高い濾過精度を有し、外力を与えることで個々に離間さ
れ、移動可能なものである。

【００９０】被除去物は、例えば５００μｍ〜０．１μ
ｍ以下と分布の広い粒子が大量に入ったもの、約０．３
μｍ、０．２μｍ、０．１μｍまたはそれ以下と分布の
狭い粒子が大量に入ったものであり、前者は例えばダイ
シング、バックグラインドまたはバックラップで発生す
る被除去物であり、後者は、ＣＭＰに用いる砥粒や砥粒
により削られて発生する半導体材料屑、金属屑および／
または絶縁膜材料屑である。

【００９１】また固形物は、〜約５００μｍで分布して
いる物質であり、例えばＳｉ等の半導体材料、アルミナ
等の絶縁物質、金属等の切削屑、研磨屑または粉砕屑で
あり、また前記粒度分布を持った固形物質、例えばケイ
ソウ土やゼオライト等である。次に、被除去物の集合体
および／または固形物の集合体が濾過性能の高い濾過膜
として活用できる点について説明する。

【００９２】まず発明者は、タンクの原液内に含まれる
被除去物を濾過するため、この被除去物をフィルタ膜と
することを考えた。

【００９３】例えば、被除去物は、結晶イッンゴットを
ウェハ状にスライスする時、半導体ウェハをダイシング
する時、バックグラインドする時等で発生するものであ
り、主に半導体材料、絶縁材料、金属材料であり、Ｓ
ｉ、酸化Ｓｉ、Ａｌ、ＳｉＧｅ、封止樹脂等の有機物お
よびその他の絶縁膜材料や金属材料が該当する。また化
合物半導体では、ＧａＡｓ等の化合物材料が該当する。

【００９４】また最近では、ＣＳＰ（チップスケールパ
ッケージ）の製造に於いてダイシングを採用している。
これはウェハの表面に樹脂を被覆し、最後に封止された
樹脂とウェハを一緒にダイシングするものである。また
セラミック基板の上に半導体チップをマトリックス状に
配置し、セラミック基板も含めて樹脂を被覆し、最後に
封止された樹脂とセラミック基板をダイシングするもの
もある。これらもダイシングする際に被除去物が発生す
る。

【００９５】一方、半導体分野以外でも被除去物が発生
する所は数多くある。例えばガラスを採用する産業に於
いては、液晶パネル、ＥＬ表示装置のパネル等は、ガラ
ス基板のダイシング、基板側面の研磨等を行うため、こ
こで発生するガラス屑が被除去物に該当する。また電力
会社や鉄鋼会社では石炭を燃料として採用しており、石
炭から発生する粉体が該当し、更には煙突から出る煙の
中に混入される粉体も除去物に相当する。また鉱物の加
工、宝石の加工、墓石の加工から発生する粉体もそうで
ある。更には、旋盤等で加工した際に発生する金属屑、
セラミック基板等のダイシング、研磨等で発生するセラ
ミック屑等が該当する。

【００９６】これらの屑は、研磨、研削または粉砕等の
加工により発生し、屑を取り去る為に水や薬品等の流体
の中に取り込み、排水として生成されるものである。

【００９７】では、上記被除去物でフィルタを形成し、
被除去物を取り除く濾過について図５、図６、図７を参
照して説明する。

【００９８】尚、前述したように流体、被除去物は、色
々な組み合わせがあるが、ここでは流体として水が採用
され、水の中には、切削された被除去物として半導体ウ
ェハのダイシング屑が含まれたものとして説明してゆ
く。

【００９９】図５の符号１０は第１のフィルタ膜で、１
１はフィルタ孔である。またフィルタ孔１１の開口部お
よび第１のフィルタ膜１０の表面に層状に形成されてい
る膜は、被除去物１２の集合体である。この被除去物１
２はフィルタ孔１１を通過できない大きな被除去物１２
Aとフィルタ孔１１を通過できる小さな被除去物１２Bに
分けられる。図では黒丸で示したものが通過できる小さ
な被除去物１２Ｂである。

【０１００】またここで採用可能なフィルタ膜は、原理
的に考えて有機高分子系、セラミック系とどちらでも採
用可能である。しかしここでは、平均孔径０．２５μ
ｍ、厚さ０．１ｍｍのポリオレフィン系の高分子膜を採
用した。

【０１０１】図５の第１のフィルタ膜１０の上方には、
被除去物が混入された排水があり、第１のフィルタ膜１
０の下方は、第１のフィルタ膜１０により濾過された濾
過水が生成されている。矢印の方向に排水を流し、第１
のフィルタ膜１０を使って前記排水を濾過するため、水
は、自然落下されるか、加圧されて図の下方に移る。ま
た、濾過水がある側から排水が吸引される。また第１の
フィルタ膜１０は、水平に配置されているが実際は、図
２の様に縦置きにされている。

【０１０２】前述したようにフィルタ膜を介して排水を
加圧したり、吸引したりする結果、排水は、第１のフィ
ルタ膜１０を通過する。その際、フィルタ孔１１を通過
できない大きな被除去物１２Aは、第１のフィルタ膜１
０の表面に捕獲される。

【０１０３】第１のフィルタ膜１０が浸かっている排水
の中で被除去物がランダムに位置しており、大きな被除
去物から小さな被除去物までが不規則にフィルタ孔１１
に移動していく。そしてランダムに捕獲された大きな被
除去物１２Ａが第２のフィルタ膜１３の初段の層とな
り、この層がフィルタ孔１１よりも小さなフィルタ孔を
形成し、この小さなフィルタ孔を介して大きな被除去物
１２Ａから小さな被除去物１２Ｂが捕獲されていく。こ
の時、研削、研磨または粉砕等の機械加工により発生す
る前記被除去物は、その大きさ（粒径）がある範囲で分
布し、しかもそれぞれの被除去物の形状が異なっている
ために、被除去物と被除去物の間には、色々な形状の隙
間ができ、水はこの隙間を通路として移動し、最終的に
排水は濾過される。これは、砂浜の水はけが良いのと非
常に似ている。

【０１０４】この第２のフィルタ膜１３は、大きな被除
去物１２Ａから小さな被除去物１２Ｂをランダムに捕獲
しながら徐々に成長し、水（流体）の通路を確保しなが
ら小さな被除去物１２Ｂをトラップする様になる。この
状態を示す図が、図６である。しかも第２のフィルタ膜
１３は、層状に残存しているだけで被除去物は砂のよう
に容易に移動可能なので、層の付近に気泡を通過させた
り、水流を与えたり、音波や超音波を与えたり、機械的
振動を与えたり、更にはスキージ等でこすったりする事
で、簡単に第２のフィルタ膜１３の表層を排水側に移動
させることができる。この砂のように個々に分離される
構造が、第２のフィルタ膜１３の濾過能力が低下して
も、第２のフィルタ膜１３に外力を加えることで、簡単
にその能力が復帰できる要因となる。また別の表現をす
れば、フィルタ能力の低下の原因は、主に目詰まりであ
り、この目詰まりを発生させている第２のフィルタ膜１
３の表層の被除去物を再度流体中に移動させる事がで
き、目詰まりを繰り返し解消させ、濾過能力の維持が実
現されている。

【０１０５】しかし第１のフィルタ膜１０が新規で取り
付けられた場合、第１のフィルタ膜１０の表面には被除
去物１２の層（第２のフィルタ膜１３）が形成されてい
ないので、また第１のフィルタ膜１０に第２のフィルタ
膜１３の層が薄くしか形成されていないので、フィルタ
孔１１を介して小さな被除去物１２Bが通過する。この
時は、その濾過水を再度排水が貯められている側に循環
し、小さな被除去物１２Ｂが第２のフィルタ膜１３で捕
獲されることを確認するまで待つ。そして確認した後
は、通過した小さな被除去物１２Ｂの如きサイズの小さ
な被除去物が次々と捕獲され、排水は所定の清浄度で濾
過される。

【０１０６】図２に示す光センサ６７の如き、被除去物
検出手段を取り付け、前記被除去物の混入率が検査でき
るようになっていると確認が容易である。

【０１０７】また濾過水に小さな被除去物１２Ｂが残存
している場合、この濾過水を戻すのではなく、別のタン
クに移し、この小さな被除去物１２Ｂやこの被除去物１
２Ｂと同程度のサイズの被除去物が捕獲されるのを確認
するまで待ち、この後は、通過した小さな被除去物１２
Ｂの如きサイズの小さな被除去物が次々と捕獲され、排
水は所定の清浄度で濾過されるため、濾過水は再利用可
能となる。また第２のフィルタ膜１３の上層に貯まる排
水は、徐々に濃縮される。

【０１０８】図７に示すグラフは、被除去物の粒度分布
を示すもので、一例としてＳｉウェハのダイシング時に
発生する切削屑の粒径分布を示すものである。およそ
０．１μｍ〜２００μｍの範囲で分布されている。尚、
粒径分布測定装置は、０．１μｍよりも小さい粒が検出
不能であったため、０．１μｍよりも小さい切削屑の分
布は示されていない。しかし実際は、これよりも小さい
ものが含まれている。実験に依れば、この切削屑が混入
された排水を濾過した際、この切削屑が第１のフィルタ
膜１０に形成され、０．１μｍ以下の切削屑まで捕獲す
ることが判っている。

【０１０９】例えば０．１μｍまでの切削屑を取り除こ
うとすれば、このサイズよりも小さな孔が形成されたフ
ィルタを採用するのが一般的な考えである。しかし大き
な粒径と小さな粒径が分布される中で、この間のサイズ
のフィルタ孔を採用しても、０．１μｍ以下の切削屑が
捕獲できることが前述の説明から判る。

【０１１０】逆に、被除去物の粒径のピークが０．１μ
ｍひとつであり、その分布も数μｍと非常に狭い範囲で
分布されていたら、フィルタは直ぐに目詰まりを起こす
だろう。図７からも判るように、被除去物であるＳｉの
ダイシング屑は、大きな粒径と小さな粒径のピークが２
つ現れており、しかも〜２００μｍの範囲で分布されて
いるので、濾過能力が向上されている。また電子顕微鏡
等で観察すると、被除去物の形状が多種多様であること
が判る。つまり少なくとも粒径のピークが２つあり、被
除去物の形状が多種多様であるから、被除去物同士に色
々な隙間が形成され、濾過水の通路となり、これにより
目詰まりが少なく、濾過能力の大きいフィルタが実現さ
れたものと考えられる。以上、第１のフィルタ膜１０の
表面に、０．１μｍ以下〜２００μｍまでの粒径分布を
有する被除去物を第２のフィルタ膜１３として形成する
と、０．１μｍ以下の被除去物までも取り除けることが
判る。また最大粒径は、２００μｍに限ることはなく、
これ以上でも良い。例えば〜５００μｍ、〜５００μｍ
以上で分布された被除去物でも濾過は可能である。また
０．１μｍ以下の被除去物が可能であることから、ＣＭ
Ｐの砥粒の如き微粒子も濾過が可能であることが判る。
つまり前もって第１のフィルタ膜１０に図７の如き粒径
分布を持った固形物で第２のフィルタ膜１３を形成し、
この濾過装置をＣＭＰ排水の中に浸漬すれば、濾過が可
能となる。次に、排水タンク５０の中に浸漬される濾過
装置３５について図８、図９を参照しながら説明する。

【０１１１】図８ａに示す符号３０は、額縁の如き形状
の枠であり、この枠の両面には、フィルタ膜３１、３２
が貼り合わされ固定されている。そして枠３０、フィル
タ膜３１、３２で囲まれた内側の空間３３には、パイプ
３４を吸引する事により、フィルタ膜により濾過された
濾過水が発生する。そして枠３０にシールされて取り付
けられているパイプ３４を介して濾過水が取り出されて
いる。もちろんフィルタ膜３１、３２と枠３０は、排水
がフィルタ膜以外から前記空間３３に侵入しないように
完全にシールされている。

【０１１２】図８ａのフィルタ膜３１は、薄い樹脂膜で
あるため、吸引されると内側に反り、破壊に至る場合も
ある。そのため、この空間をできるだけ小さくし、濾過
能力を大きくするために、この空間をたくさん形成する
必要がある。これを示したものが、図８ｂである。図で
は、空間３３が９個しか示されていないが、実際は数多
く形成される。また実際に採用したフィルタ膜３１、３
２は、約０．１ｍｍ厚さのポリオレフィン系の高分子膜
であり、図の如く、薄いフィルタ膜が袋状に形成されて
おり、図面ではＦＴで示した。この袋状のフィルタＦＴ
の中に、パイプ３４が一体化された枠３０が挿入され、
前記枠３０と前記フィルタＦＴが貼り合わされている。
符号ＲＧは、押さえ手段であり、フィルタ膜３１が貼り
合わされた枠を両側から押さえるものである。そして押
さえ手段の開口部ＯＰからは、フィルタ膜３１、３２が
露出している。

【０１１３】図８Ｃは、濾過装置３５自身を円筒形にし
たものである。パイプ３４に取り付けられた枠は、円筒
形で、側面には開口部ＯＰ１、ＯＰ２が設けられてい
る。開口部ＯＰ１と開口部ＯＰ２に対応する側面が取り
除かれているため、開口部間には、フィルタ膜３１を支
持する支持手段ＳＵＳが設けられる事になる。そして側
面にフィルタ膜が貼り合わされる。

【０１１４】更に図９を使って図８ｂの濾過装置３５を
詳述する。まず図８ｂの枠３０に相当する部分３０ａを
図９ｂで説明する。

【０１１５】符号３０ａは、見た限り段ボールの様な形
状に成っている。０．２ｍｍ程度の薄い樹脂シートＳＨ
Ｔ１、ＳＨＴ２が重なり、その間に縦方向にセクション
ＳＣが複数個設けられ、樹脂シートＳＨＴ１、ＳＨＴ
２，セクションＳＣで囲まれて空間３３が設けられる。
この空間３３の断面は、縦３ｍｍ、横４ｍｍから成る矩
形であり、別の表現をすると、この矩形断面を持ったス
トローが何本も並べられ一体化されたような形状であ
る。符号３０ａは、両側のフィルタ膜ＦＴを一定の間隔
で維持しているので、以下スペーサと呼ぶ。

【０１１６】このスペーサ３０ａを構成する薄い樹脂シ
ートＳＨＴ１，ＳＨＴ２の表面には、直径１ｍｍの孔Ｈ
Ｌがたくさん開けられ、その表面にはフィルタ膜ＦＴが
貼り合わされている。よって、フィルタ膜ＦＴで濾過さ
れた濾過水は、孔ＨＬ、空間３３を通り、最終的にはパ
イプ３４から出ていく。

【０１１７】またスペーサ３０ａの両面ＳＨＴ１，ＳＨ
Ｔ２には、孔ＨＬの形成されていない部分があり、ここ
に直接フィルタ膜ＦＴ１が貼り付けられると、孔ＨＬの
形成されていない部分に対応するフィルタ膜ＦＴ１は、
濾過機能が無く排水が通過しないため、被除去物が捕獲
されない部分が発生する。この現象を防止するため、フ
ィルタ膜ＦＴは、少なくとも２枚貼り合わされている。
一番表側のフィルタ膜ＦＴ１は、被除去物を捕獲するフ
ィルタ膜で、このフィルタ膜ＦＴ１からスペーサ３０ａ
の表面ＳＨＴ１に向かうにつれて、フィルタ膜ＦＴ１の
孔よりも大きな孔を有するフィルタ膜が設けられ、ここ
ではフィルタ膜ＦＴ２が一枚貼り合わされている。依っ
て、スペーサ３０ａの孔ＨＬが形成されていない部分で
も、間にフィルタ膜ＦＴ２が設けられているため、フィ
ルタ膜ＦＴ１全面が濾過機能を有するようになり、フィ
ルタ膜ＦＴ１全面に被除去物が捕獲され、第２のフィル
タ膜が表裏の面ＳＨ１、ＳＨ２全面に形成されることに
なる。また図面の都合で、フィルタ膜ＳＨＴ１、ＳＨＴ
２が矩形状のシートの様に表されているが、実際は図８
ｂに示すように袋状に形成されている。

【０１１８】次に、袋状のフィルタ膜ＳＨＴ１、ＳＨＴ
２、スペーサ３０ａおよび押さえ手段ＲＧがどのように
取り付けられているか、図９ａ、図９Ｃおよび図９ｄで
説明する。

【０１１９】図９ａは完成図であり、図９Ｃは、図９ａ
のＡ−Ａ線に示すように、パイプ３４頭部からパイプ３
４の延在方向（縦方向）に切断した図を示し、図９ｄ
は、Ｂ−Ｂ線に示すように、濾過装置３５を水平方向に
切断し時の断面図である。

【０１２０】図９ａ、図９Ｃ、図９ｄを見ると判るよう
に、袋状のフィルタ膜ＦＴに挿入されたスペーサ３０ａ
は、フィルタ膜ＦＴも含めて４側辺が押さえ手段ＲＧで
挟まれている。そして袋状にとじた３側辺および残りの
１側辺は、押さえ手段ＲＧに塗布された接着剤ＡＤ１で
固定される。また残りの１側辺（袋の開口部）と押さえ
手段ＲＧとの間には、空間ＳＰが形成され、空間３３に
発生した濾過水は、空間ＳＰを介してパイプ３４へと吸
引される。また押さえ金具ＲＧの開口部ＯＰには、接着
剤ＡＤ２が全周に渡り設けられ、完全にシールされ、フ
ィルタ以外から流体が侵入できない構造になっている。

【０１２１】よって空間３３とパイプ３４は連通してお
り、パイプ３４を吸引すると、フィルタ膜ＦＴの孔、ス
ペーサ３０ａの孔ＨＬを介して流体が空間３３に向かっ
て通過し、空間３３からパイプ３４を経由して外部へ濾
過水を輸送できる構造となっている。この濾過装置３５
の動作を概念的に示したものが図１０である。ここで
は、パイプ３４側をポンプ等で吸引すれば、ハッチング
無しの矢印のように、水が流れ濾過されることになる。

【０１２２】まず排水中の被除去物を第１のフィルタ膜
３１で捕獲し、第２のフィルタ膜３６を形成した後、濾
過する方法で説明する。

【０１２３】図９の濾過装置３５は、被除去物１２が入
った流体が貯められているタンクの中に浸漬され、流体
はパイプ３４を介して吸引される。そして白矢印のよう
に流体は通過していく。そして図５、図６で説明したよ
うに、小さな被除去物１２Ｂは通過するが、大きな被除
去物１２Ａは、第１のフィルタ膜３１、３２に捕獲さ
れ、徐々に小さな被除去物１２Ｂも捕獲されるようにな
る。そして濾過水の中の被除去物が所定の混入率よりも
少なくなったら、第２のフィルタ膜３６が完成すること
になる。そしてこの後、濾過装置３５を使い濾過すれ
ば、濾過が可能となる。またこの濾過装置３５を別の排
水中に浸漬し、濾過しても良い。

【０１２４】ダイシング屑（被除去物）の排水が入った
排水タンクに前記濾過装置３５を浸漬し、濾過していく
と、所定の精度で濾過され、排水タンクの排水は時間と
共に高濃度になっていくことが判るだろう。

【０１２５】この際、第２のフィルタ膜３６は、被除去
物１２が集合しているため、第２のフィルタ膜３６に外
力を加えることで、第２のフィルタ膜３６を取り除いた
り、また第２のフィルタ３６の表層を取り除いたりする
ことができる。また外力を加えることで簡単に第２のフ
ィルタ膜３６から被除去物を離間させることができ、排
水３７へ移動させることができる。

【０１２６】この取り除きまたは離間は、気泡の上昇
力、水流、音波、超音波振動、機械的振動、スキージを
使って表面をこする、あるいは攪拌機等で簡単に実現で
きる。また浸漬される濾過装置３５自身が排水の中で可
動できる構造とし、第２のフィルタ膜３６の表層に水流
を発生させて第２のフィルタ３６や被除去物１４、１５
を取り除いても良い。例えば図１０に於いて、濾過装置
３５の底面を支点として矢印Ｙのように左右に動かして
も良い。この場合、濾過装置自身が可動であるため水流
が発生し、第２のフィルタ３６の表層を取り除くことが
できる。また図２の気泡発生装置５４も一緒に採用する
場合、前記可動構造を採用すれば、気泡を濾過面全面に
到達させることができ、効率良く除去物を排水側に移動
させることができる。

【０１２７】また、図８Ｃで示した円筒形の濾過装置を
採用すれば、濾過装置自身を中心線ＣＬを軸にして回転
させることができ、排水の抵抗を低減できる。この回転
により、フィルタ膜表面に水流が発生し、第２のフィル
タ膜表層の被除去物を排水側に移動させることができ、
濾過能力の維持する事ができる。

【０１２８】図１０では、第２のフィルタ膜を取り除く
方法として、気泡の上昇を活用した例を示した。斜線で
示す矢印の方向に気泡が上昇し、この気泡の上昇力や気
泡の破裂が直接被除去物や固形物に外力を与え、また気
泡の上昇力や気泡の破裂により発生する水流が被除去物
や固形物に外力を与える。そしてこの外力により第２の
フィルタ膜３６の濾過能力は、常時リフレッシュし、ほ
ぼ一定の値を維持することになる。

【０１２９】第２のフィルタ膜３６に目詰まりが発生し
てその濾過能力が低下しても、前記気泡のように、第２
のフィルタ膜３６を構成する被除去物１２を動かす外力
を与えることで、第２のフィルタ膜３６を構成する被除
去物１２を排水側に動かすことができ、濾過能力を長期
にわたり維持させることができる。

【０１３０】これは、外力を与えることで第２のフィル
タの厚みをほぼ一定にしていると思われる。またあたか
も被除去物１つ１つが濾過水の入り口に栓をかけてお
り、栓が外力により外れ、外れた所から濾過水が浸入
し、また栓が形成されたら再度外力により外すの繰り返
しを行っているようなものである。これは、気泡のサイ
ズ、その量、気泡を当てている時間を調整することによ
り、常に濾過能力を維持できるメリットを有する。

【０１３１】尚、濾過能力を維持できれば、外力が常に
加わっていても良いし、間欠的に加わっても良い。

【０１３２】また全ての実施の形態に言えることである
が、フィルタ膜は、排水に完全に浸されている必要があ
る。第２のフィルタ膜は、長時間空気に触れると膜が乾
燥し、剥がれたり、崩れたりするからである。また空気
に触れているフィルタが少しでもあると、フィルタ膜は
空気を吸引するため、濾過能力が低下するからである。

【０１３３】前述したように、本発明の原理から考える
と、第２のフィルタ膜３６が第１のフィルタ膜３１、３
２に形成されている限り、第１のフィルタ膜３１、３２
は、シート状の高分子膜でもセラミックでも良し、吸引
型でも加圧型でも良い。しかし実際採用するとなると、
第１のフィルタ膜３１、３２は、高分子膜で、しかも吸
引型が良い。その理由を以下に述べる。

【０１３４】まずシート状のセラミックフィルタを作る
となるとかなりコストは上昇し、クラックが発生した
ら、リークが発生し、濾過ができなくなる。また加圧型
であると、排水を加圧する必要がある。例えば図２のタ
ンク５０を例に取ると、圧力を加えるのに、タンクの上
方は開放型ではなく密閉型でなくてはならない。しかし
密閉型であると、気泡を発生させることが難しい。一
方、高分子膜は、色々なサイズのシートや袋状のフィル
タが安価で手に入る。また柔軟性があるためクラックが
発生せず、またシートに凹凸を形成することも容易であ
る。凹凸を形成することで、第２のフィルタ膜がシート
に食い付き、排水中での剥離を抑制することができる。
しかも吸引型であれば、タンクは開放型のままで良い。

【０１３５】また加圧型であると第２のフィルタ膜の形
成が難しい。図１０に於いて、空間３３内の圧力を１と
仮定すれば、排水は１以上の圧力をかける必要がある。
従ってフィルタ膜に負荷がかかり、更には捕獲された被
除去物が高い圧力で固定され、被除去物が移動しにくい
と思われる。

【０１３６】従って、被除去物で第２のフィルタ膜３６
を形成した濾過装置３５を排水タンク５０に浸漬して濾
過すると、常に濾過能力が維持できるため、排水タンク
５０の排水５２は、決まった濾過期間で所定の濃度まで
排水の濃度を高めることができる。

【０１３７】以上、被除去物としてＳｉウェハから発生
するシリコン屑で説明してきたが、被除去物が、周期表
の中で、２ａ族〜７ａ族、２ｂ族〜７ｂ族の元素のうち
少なくとも一つを含む無機固形物であれば、これらのも
のは本発明を採用することにより殆ど取り除くことがで
きる。本発明は、０．１μｍ以下の被除去物が捕獲でき
ることから、ＣＭＰの砥粒の如き０．０７〜０．３μｍ
程度の狭い範囲で分布している被除去物も捕獲できると
判断した。

【０１３８】つまりダイシング屑から成る被除去物が層
状に形成された膜を第２のフィルタ膜３６として活用
し、この第２のフィルタ膜３６が形成されたフィルタを
ＣＭＰの排水に浸漬して濾過を試みた。

【０１３９】これを示すものが、図１１である。白丸で
示した符号１４が細かな砥粒であり、また二重丸で示し
た符号１５がＣＭＰにより発生した被研磨（研削）物で
あり、これらが被除去物となる。また、被除去物、固形
物の定義により、図１０で示した被除去物１２が大きな
固形物１６Ａ、小さな固形物１６Ｂとその名称変更され
ている。

【０１４０】例えば、Ｓｉ酸化物から成る層間絶縁膜を
ＣＭＰする砥粒の材料はＳｉ酸化物から成り、一般にシ
リカと呼ばれているものである。測定してみると図１２
ａ、ｂの様に最小粒子径は約０．０７６μｍ、最大粒子
径は、０．３４μｍであった。この最大粒子は、この中
の粒子が複数集まって成る凝集粒子である。また平均粒
径は、約０．１４４８μｍであり、この近傍０．１３〜
０．１５μｍで分布がピークとなっている。またスラリ
ーの調整剤としては、ＫＯＨまたはＮＨ３が一般的に用
いられる。またＰＨは、約１０から１１の間である。こ
の濾過装置３５の動作概念を図１１を参照し説明する。

【０１４１】濾過装置３５は、固形物１６が入った流体
が貯められているタンクの中に浸漬され、排水３７は、
パイプ３４を介して吸引される。小さな固形物１６Ｂは
通過するが、大きな固形物１６Ａは、第１のフィルタ膜
３１、３２に捕獲され、徐々に小さな固形物１６Ｂも捕
獲されるようになる。そして固形物が所定の混入率より
も少なくなったら、第２のフィルタ膜３６が完成するこ
とになる。

【０１４２】続いて、図１１に示すように、この第２の
フィルタ膜３６が形成された濾過装置３５を、被除去物
１４、１５の入った排水３７に投入する。そしてパイプ
３４を吸引する事により、第２のフィルタ膜３６で被除
去物１４、１５が捕獲される。この際、第２のフィルタ
膜３６は、固形物１６が集合しているため、第２のフィ
ルタ膜３６に外力を加えることで、第２のフィルタ膜３
６を取り除いたり、また第２のフィルタ３６の表層を取
り除いたりすることができる。また被除去物である砥粒
１４、被研磨物（研削物）１５も個体が集合したもので
あるため、外力を加えることで簡単に第２のフィルタ膜
３６から離間させることができ、排水３７へ移動させる
ことができる。

【０１４３】この取り除きまたは離間は、前述したよう
に、気泡の上昇力、水流、音波、超音波振動、機械的振
動、スキージを使って表面をこする、あるいは攪拌機等
で簡単に実現できる。

【０１４４】図１１では、第２のフィルタ膜を取り除く
方法として、気泡の上昇を活用した例を示した。斜線で
示す矢印の方向に気泡が上昇し、この気泡の上昇力や気
泡の破裂が直接被除去物や固形物に外力を与え、また気
泡の上昇力や気泡の破裂により発生する水流が被除去物
や固形物に外力を与える。そしてこの外力により第２の
フィルタ膜３６の濾過能力は、常時リフレッシュし、ほ
ぼ一定の値を維持することになる。

【０１４５】つまり第２のフィルタ膜３６に目詰まりが
発生してその濾過能力が低下しても、前記気泡のよう
に、第２のフィルタ膜３６を構成する固形物１６や被除
去物１４，１５を動かす外力を与えることで、第２のフ
ィルタ膜３６を構成する固形物１６や被除去物１４、１
５を排水側に動かすことができ、濾過能力を長期にわた
り維持させることができる。

【０１４６】これは、外力を与えることで第２のフィル
タの厚みをほぼ一定にしていると思われる。またあたか
も被除去物１つ１つが濾過水の入り口に栓をかけてお
り、栓が外力により外れ、外れた所から濾過水が浸入
し、また栓が形成されたら再度外力により外すの繰り返
しを行っているようなものである。これは、気泡のサイ
ズ、その量、気泡を当てている時間を調整することによ
り、常に濾過能力を維持できるメリットを有する。

【０１４７】尚、濾過能力を維持できれば、外力が常に
加わっていても良いし、間欠的に加わっても良い。

【０１４８】また全ての実施の形態に言えることである
が、フィルタ膜は、排水に完全に浸されている必要があ
る。第２のフィルタ膜は、長時間空気に触れると膜が乾
燥し、剥がれたり、崩れたりするからである。また空気
に触れているフィルタが少しでもあると、フィルタ膜は
空気を吸引するため、濾過能力が低下するからである。

【０１４９】例えば、ＣＭＰは、薬品と０．１μｍ以下
の砥粒が含まれたスラリーを使う。そしてポリッシング
の時に水が流され、排水としては前記スラリーよりも濃
度の薄いものが排出される。しかし排出された原液が濾
過されるに従い濃度が濃くなると、同時に粘性も出てく
る。そして濾過装置の間隔が狭く、粘性が出てくると、
気泡は濾過装置の間に入りづらくなり、気泡が固形物や
被除去物に外力を与えなくなる。しかも被除去物が非常
に細かくなると、濾過能力の低下が早い。そのため、所
定の濃度になったら、図２の様に、別の濾過装置６８に
移す。

【０１５０】ここでは、フィルタＦＴｂを介して濾過
し、高濃度の原液がある程度の固まりに成るまで吸引し
ている。一方、濾過装置ＦＤに原液を移すことで排水タ
ンク５０の排水レベルが下がるが、パイプ５１からは濃
度の薄い排水が供給されている。そして排水の濃度が薄
くなり、排水がフィルタを完全に浸すようになったら、
再度濾過が始まるように設定すれば、気泡が濾過装置の
間に入り込み固形物に外力を与えるようになる。

【０１５１】例えば被除去物が入った排水タンク５０が
所定の濃度になったら、凝集沈殿を行わず、回収装置６
８（ＦＤ）で分離しても良い。分離された被除去物１
４、１５は、凝集沈殿で使用される薬品で反応していな
いため、比較的純度の高いものであり、色々な分野に再
利用が可能である。

【０１５２】図１２は、ＣＭＰ排水が濾過され、砥粒が
捕獲されている事を示すデータである。実験では、前述
したスラリーの原液を、純水で５０倍、５００倍、５０
００倍に薄め、試験液として用意した。この３タイプの
試験液は、従来例で説明したように、ＣＭＰ工程に於い
て、ウェハが純水で洗浄されるため、排水は、５０倍〜
５０００倍程度になると想定し、用意された。この３つ
のタイプの試験液の光透過率を調べると、５０倍の試験
液は、２２．５％、５００倍の試験液は、８６．５％、
５０００倍の試験液は、９８．３％である。これら３つ
のタイプの試験液を前記第２のフィルタ膜３６が形成さ
れた濾過装置で濾過すると、濾過後の透過率は、９９．
８パーセントであった。尚、５０倍希釈の透過率データ
は、その値が小さいため図面には出てこない。

【０１５３】以上の結果から、固形物１６Ａ、１６Ｂで
形成された第２のフィルタ膜を有するフィルタで、ＣＭ
Ｐから排出される被除去物を濾過すると、透過率で９
９．８％程度まで濾過できることが判った。

【０１５４】尚、研磨、研削、粉砕等で図７の如き粒度
分布の固形物を作ったり、自然界にある固形物を集め、
これを層状の膜として形成することで、０．１μｍ以下
の流体が捕獲できるフィルタを形成できることが判っ
た。尚、図の如く、大きな固形物の割合が小さな固形物
の割合よりも大きい事が好ましい。以上説明したよう
に、被除去物で第２のフィルタを形成し、第２のフィル
タで被除去物を捕獲する場合でも、固形物で第２のフィ
ルタを形成し、第２のフィルタで被除去物を捕獲する場
合でも、第２のフィルタは、微粒子で構成される。そし
てこの微粒子は、流体で濡れているため膜として第１の
フィルタ上に固着されている。従って、この第２のフィ
ルタは、流体が蒸発してしまうと、乾燥し、膜が崩れて
しまい、本来捕獲すべき被除去物が捕獲されなくなって
しまう。

【０１５５】本発明は、図１に示すように、乾燥防止手
段として、袋ＣＳ１またはケースＣＳ２を採用し、この
中に濾過装置を収納することにより、前述した乾燥を防
止するものである。または第２のフィルタ表面に乾燥防
止用のシートを貼り付けるものである。これにより第１
のフィルタ上の第２のフィルタは、排水に浸漬されるま
で実質乾燥されることなく維持される。

【０１５６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、第１
のフィルタの表面に微粒子を積層し、第２のフィルタと
して活用する濾過装置に於いて、乾燥を防止する手段を
採用することで、濾過装置が排水に投入されるまで、そ
の濾過性能を維持させることができる。

【０１５７】また距離的にも、時間的にも離れた第１の
場所で第２のフィルタを形成しても、第２のフィルタを
乾燥させることなく排水中に濾過装置を設置することが
できる。よって第２のフィルタが形成された濾過装置を
商品として提供することができる。

【０１５８】また乾燥を防止する手段を採用するだけ
で、０．１μｍ以下の被除去物を常に捕獲できる濾過装
置として提供でき、また第２のフィルタに外力を与える
手段を採用することで、目詰まりを防止した濾過装置が
実現できる。従って、より短い期間で排水を高濃度にで
き、排水中の被除去物を短期間で回収することができ
る。しかも簡単な機構で、且つ薬品を使わずに回収でき
るため、被除去物の再利用、流体の再利用が可能とな
る。

【０１５９】以上、本発明は、簡単なシステムで、非常
に微細な被除去物が混入された排水から被除去物を分離
回収することができ、薬品の使用がないために被除去物
や流体の再利用が可能となる。従って、産業廃棄物を極
力減らせ、環境に優しい濾過が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係り、第２のフィルタの
乾燥を防止する手段を説明する図である。

【図２】本発明の実施形態に係る流体の被除去物回収方
法を説明する図である。

【図３】本発明の流体の被除去物回収装置および回収方
法を説明する図である。

【図４】図２の回収装置の具体的構成を説明する図であ
る。

【図５】本発明の実施形態に係る被除去物から成るフィ
ルタの形成方法を説明する図である。

【図６】本発明の実施形態に係る被除去物から成るフィ
ルタの形成方法を説明する図である。

【図７】ダイシング時に発生する排水中のシリコン屑の
粒度分布を説明する図である。

【図８】本発明に採用する濾過装置を説明する図であ
る。

【図９】本発明に採用する濾過装置を説明する図であ
る。

【図１０】濾過動作を説明する図である。

【図１１】濾過動作を説明する図である。

【図１２】ＣＭＰから発生する排水に混入される微粒子
の分布、排水の光透過率およびこれを濾過した際の光透
過率を説明する図である。

【図１３】ダイシング装置の概略図である。

【図１４】バックグラインド装置の概略図である。

【図１５】従来の濾過システムを説明する図である。

【図１６】ＣＭＰ装置を説明する図である。

【符号の説明】

３２ 第１のフィルタ ３５ 濾過装置 ３６ 第２のフィルタ ＣＳ１、ＣＳ２ 乾燥を防止する手段 ５０ 排水タンク ５２ 排水 ５３ 濾過装置 ５４ 気泡発生装置 ６７ センサ ６８ 回収装置 ７２ 第１の貯留槽 ７３ 第２の貯留槽 ７５ 回収物 ７６ 容器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｄ 29/38 ５８０Ａ ５８０Ｃ

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被除去物を含む流体を第１のフィルタに
   通過させて前記第１のフィルタ表面に前記被除去物から
   成る第２のフィルタを形成し、 前記第２のフィルタを構成する前記被除去物の乾燥を防
   止する手段を施し、前記被除去物を含む流体に前記第２
   のフィルタが浸漬される前に、前記乾燥を防止する手段
   を取り除き、 前記第２のフィルタを前記流体に浸漬し、前記流体の前
   記被除去物を除去することを特徴とする流体の被除去物
   除去方法。
2. 【請求項２】 被除去物を含む流体を第２のフィルタに
   循環させて第２のフィルタを補修する請求項１に記載の
   流体の被除去物除去方法。
3. 【請求項３】 前記被除去物は、大きさの異なる粒子を
   含み、前記第１のフィルタの孔の大きさは最小の粒子の
   粒径よりも大きく、最大の粒子の粒径よりも小さいこと
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載の流体の被
   除去物除去方法。
4. 【請求項４】 前記第１のフィルタの孔より大きな被除
   去物の割合が小さな被除去物の割合よりも大きいことを
   特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の流
   体の被除去物除去方法。
5. 【請求項５】 被除去物の除去の開始後、所定時間循環
   させることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ
   かに記載の流体の被除去物除去方法。
6. 【請求項６】 前記第１のフィルタを通過した流体に含
   まれる被除去物の混入の度合を検出手段で検出し、所定
   値以下となった時点で循環を停止することを特徴とする
   請求項２から請求項５のいずれかに記載の流体の被除去
   物除去方法。
7. 【請求項７】 前記流体を前記第１のフィルタを介して
   吸引することを特徴する請求項１から請求項６のいずれ
   かに記載の流体の被除去物除去方法。
8. 【請求項８】 前記第２のフィルタ表面に外力を与える
   ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記
   載の流体の被除去物除去方法。
9. 【請求項９】 前記外力により前記第２のフィルタ表面
   の被除去物の一部を脱離させることを特徴とする請求項
   ８に記載の流体の被除去物除去方法。
10. 【請求項１０】 前記外力は気泡の上昇力、機械的振
    動、音波または液流を用いて発生させることを特徴とす
    る請求項８または請求項９に記載の流体の被除去物除去
    方法。
11. 【請求項１１】 固形物を含む第１の流体を第１のフィ
    ルタに通過させて、前記第１のフィルタ表面に前記固形
    物を含む第２のフィルタを形成し、 前記第２のフィルタを構成する前記固形物の乾燥を防止
    する手段を施し、被除去物を含む第２の流体に前記第２
    のフィルタが浸漬される前に、前記乾燥を防止する手段
    を取り除き、 前記第２のフィルタを前記第２の流体に浸漬し、前記第
    ２の流体の前記被除去物を除去することを特徴とする流
    体の被除去物除去方法。
12. 【請求項１２】 前記第１の流体を前記第１のフィルタ
    に循環通過させることを特徴とする請求項１１に記載の
    流体の被除去物除去方法。
13. 【請求項１３】 前記固形物または前記被除去物は、異
    なる大きさの粒子を含み、前記第１のフィルタの孔の大
    きさは最小の粒子よりも大きく、最大の粒子よりも小さ
    い事を特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の
    流体の被除去物除去方法。
14. 【請求項１４】 前記第１のフィルタの孔より大きな前
    記固形物または前記被除去物の割合が小さな前記固形物
    または前記被除去物の割合よりも大きいことを特徴とし
    た請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の流体の
    被除去物除去方法。
15. 【請求項１５】 起動後、所定時間循環させることを特
    徴とする請求項１１〜請求項１４のいずれかに記載の流
    体の被除去物除去方法。
16. 【請求項１６】 前記第１のフィルタを通過した流体に
    含まれる前記固形物または前記被除去物の混入の度合を
    検出手段で検出し、所定値以下となった時点で循環を停
    止する事を特徴とする請求項１５に記載の流体の被除去
    物除去方法。
17. 【請求項１７】 前記流体を前記第１のフィルタを介し
    て吸引する事を特徴とした請求項１１から請求項１６の
    いずれかに記載の流体の被除去物除去方法。
18. 【請求項１８】 前記第２のフィルタ表面に外力を与え
    る請求項１１から請求項１７のいずれかに記載の流体の
    被除去物除去方法。
19. 【請求項１９】 前記外力により第２のフィルタ表面の
    固形物または前記被除去物の一部を脱離させる事を特徴
    とした請求項１８に記載の流体の被除去物除去方法。
20. 【請求項２０】 外力は気泡の上昇力、機械的振動、音
    波または液流を用いて発生させる請求項１８または請求
    項１９に記載の流体の被除去物除去方法。
21. 【請求項２１】 前記被除去物は、０．１μｍ以下の機
    械加工物またはＣＭＰにより排出される廃液中の微粒子
    である請求項１１から請求項２０のいずれかに記載の流
    体の被除去物除去方法。
22. 【請求項２２】 前記乾燥を防止する手段は、第２のフ
    ィルタをカバーするシート、樹脂または金属箔からなる
    袋、樹脂、金属またはセラミックから成る密閉ケースで
    ある請求項１１から請求項２１に記載の流体の被除去物
    除去方法。
23. 【請求項２３】 第１のフィルタの表面に個々に分離可
    能な固形物が積層されてなる第２のフィルタが形成され
    た被除去物除去装置であり、 前記第２のフィルタの乾燥防止のために、密閉された袋
    または密閉されたケースに収納されている事を特徴とす
    る被除去物除去装置。
24. 【請求項２４】 第１のフィルタの表面に個々に分離可
    能な固形物が積層されてなる第２のフィルタが形成され
    た被除去物除去装置であり、 前記第２のフィルタの破壊防止のために、第２のフィル
    タの表面に剥離可能なシートが被覆されている事を特徴
    とする被除去物除去装置。