TW512407B - Device and method for treating semiconductor wafers - Google Patents

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A7 五、發明說明（1.) 纟發明側於-種在-處理容II内處理半導體晶圓之 纟置及万法，域理半導㈣Κ，依麵不同之處理流體從 各儲槽導入該處理容器内。 料導歡針，習知半導體晶圓錄造聰中要經過 乡個化_處理步驟。在-習知之半導體晶圓化雜處理系 統中，晶圓在含有不同之處理用化學藥物之作業容器中加以 處理。在作業容器_包含之化學藥品在—準備裝置内先行 準備妥當，再應用於多個基板或是基板組。此類之系統相對 而I較大，因為針對每-種化學藥品須準備一處理槽，此舉 使得雜之成本上升。除此之外，很純雜之配置而彈性 適應作業流程。 因而，最近發展出具一處理容器之所謂單槽系統，或是 所謂之Single-Tank-Tools (STT)，其中，為處理晶圓，依序 將不同之處理流體從各儲槽導入處理容器内。此類系統之優 點為，只需要設置一處理槽，此點使得裝置之購置成本大幅 降低。除此之外，裝置所佔之面積也大幅降低，並因而降低 了營運成本，尤其是潔淨室之成本。此種儲槽包括化學藥品 容器，用來儲存預先混合之化學藥品，然後才會將之導入處 | 理容器内。另外，也可將所需之處理用之化學藥品在儲槽内 | 加以混合，然後再將之導入裝置之處理容器内。 Ϊ 此類具申請專利範圍第18項所述之特徵之單槽系統係 | 為習知之技術，例如可參見同一申請人所擁有之DE_A_4413 f 077專利案。在此單槽系統中，處理用之化學藥品在一處理 作| 週期内使用，隨後將之掘棄，因此造成極高之化學藥品消 1[___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) ' ---—— -6 - A7 發明說明（ ί成化學藥品之再生利用，礙於例如可能會 &成、，、，效應之媒質轉換，迄今仍未進行。 統之===現況峰，本發明之目的為，降低單槽系 麟曰Γί理容器内處理轉體晶圓之方法中，為處理半導 二Τ依歸不同之處贱體從各儲解人處理容器内， 本發明將處理流體導人—收集容器内，該任務係根據 份之處理流體從收集容器回流至 且收集容器在導域理缝後，及在承接另-處理 K則被清洗。處理流體在處理後首先被導入—收集容器 使處理容器以傳統方式迅速將所有流體排出， =道理槽内之處理仍然繼續時’可將處理流體從收集 奋為導回至各儲槽内’以便準備再加使用。在承接不同之處 =體間清洗收集容器，可確保處理流體間不會出現媒質轉 f由^偏好之實施形式’料體晶圓每次在處理流體内 ’以一清洗流體加以清洗，然後清洗流體被導入收集 容器内，如此，收集容器以簡單及省錢之方式被清潔。 、^流體最好在錢_加以準備，以維持處理流體-之口口吳在特別簡單之發明實施形式中，處理流體，尤 其是包含氫氟酸之處理流體，與從一供應單元來之處理流 月K 乂預足之月豆和相混合，使用過及未經使用之處理流體 相互口。此方法尤其適用於下列條件：當大部份之處理流 體在處理時被消耗掉，或是在處理容器及鍺槽間職時損失 發明說明（3·) 掉。 在另一發明實施形式中，在準備處理流體時，至少一處 理>虎體之體積是在儲槽内測定，測定至少一處理流體之流體 成分（實際濃度，計算出流體成分達到處理流體設定濃度所 需之量’並將此算出之流體成分量導入處理流體内。藉由上 述之方法’可確保處理流體内特定流體成分之濃度在多個處 理週期内均維持不變。為測定體積，在儲槽内之處理流體最 好與一從供應單元已知之流體成分或處理流體，充填至一預 定之體積。測量儲槽内之流體體積相對而言較為複雜及不準 確。充填至一預定之體積則較為簡單，且在計算所需流體成 分量時會維持相同之體積。在極度稀釋大部份由水組成之化 學藥品，處理流體最好以水作為充填之流體成分。除此之 外，也可輸入由一供應單元提供之處理流體，以達到預定之 體積。 取好多次測f流體成分之濃度’並在計算時使用測量平 均值。 所需之流體成分量最好以下列公式算出： (Ks〇n - Kist)*Vbf*Dbf*1000* ---

Dfk*Kfk 其中 V& =所需流體成分之體積’單位為ml Ksdl =流體成分之設定濃度(重量百分比)

Kist =流體成分之實際濃度(重量百分比）

Vbf =處理流體之體積，單位為1 Dbf =處理流體之密度，單位為g/ml Dfk =流體成分之密度，單位為g/ml ==流體成分之濃度(重量百分比）。 為有^佳〈品f，在導人計算之處_體之流體成分量 =再測錢n齡之實際濃度，若實際毅與設定濃度有 偏差，再重新進行計算及導入。 ^據：發明實施形式，處理流體藉由導人另—流體，尤 =清洗碰，而被從作餘器，並被導人-收集容 此方法之優點為’半導體—錄流體遮蓋，並在 t換各種砰之處賴斷也τ、會絲在職空氣下。另 夕此方去之優點為，能均勻地處理半導體晶圓，因為基板 ^任點在處魏體内均停留幾乎相同之_。由於處理流 版與其他㈣邵份之混合，不能再取回全部之處理流體，因 而形成媒質損失。 、，Ϊ f —發明實施形式中，處理流體經由一快速排放閥從 作内排出，並導人—收集容器内。在此方法中，幾寻 所之處理流體均可再取回利用，不過，半導體晶圓在排出 處理况體後會絲露在環境空氣下。 蝴、$理流體最好在儲槽内循環流動，以使處理流體内之读 刀有均勻之混合。此時處理流體在儲槽内最好被過滤3 赠出在處理流體内之微粒，這些微粒可能會影響半導體曰 1 圓（處理。辆域理轉體晶圓，儲触之處理流體最充 A7 五、發明說明（5·:

^加^=权溫度’因如妓触絲付重大之影 曰:根據本發明’處理流體至少包含NHUOH、H2〇2、HCL 上述至少—成分之組合、氫氟酸及/或硫-過氧化物_ 混合液(SPM)。 本發明=任務為，在—處理容軸處理半導體晶圓之裝 中，具ϋ單元，其從不同之雜將不同之處理流體 ^處理容器内，及至少一收集容器，用以收集處理後之處 理流體，其係以下列之方法加以解決：設置-第二閥單元， ^將ΐ少—部份之處理流_收集容器導人各儲槽内，及 一清洗單元，用以清洗收集容器。此裝置擁有上述方法所稱 之優點。 處理4器最好具一快速排放閥及一位在處理槽下之收 ，容器，或是一設計成處理容器之溢流套環之收集容器。若 /叙泥套％只具相對而言較小之體積，則最好在溢流套環及在 處理谷器下設置之收集容器間設置一可控制之連接管，使得 從處理槽流出之處理流體有足夠大之承接體積。清洗單元在 收集容器内最好具至少一流體噴嘴，以在承接不同處理流體 之間，清洗收集容器。 以下藉由偏好之實施例，以圖式說明本發明。各圖式之 内容如下： 圖一係根據本發明之一半導體晶圓處理裝置之示意構造 圖， . 圖二係一處理容器之示意構造圖，其具一處理流體排出裝 置； ( (請先閲讀背面之注意事項Imlc寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

512407 發明說明（6·) 圖三係—具有快速排放閥之處理容器之示意構造圖。 圖-顯示娜本發明之處雜置丨之触。此處 1具-用於料體晶圓5之處理容器3。處理槽3且一入口 管7’該入口管可藉由-閥單元與多個不同化學藥品㈣ι〇 (出口 f 8相連接。在圖—中只顯示出—出口管^及 10，但實際上可有多個出口管及儲槽。 曰 處理容器3具一溢流套環12,套環上有一出口 14，這 部份以後會在圖二中詳細說明。在出口 14内有—閥單元乂 將溢流與排放管16，或與多個回流管18其中之一管連接， 各回流管顺域之· 1G彳目_。私喃f 18^各設 有一泵20，必要時將由溢流套環12流出之處理流體打入 槽10内。 處理容器3可以不採用溢流套環12，或是除了溢流套 環之外，另外在處理槽下設置一收集容器22，如圖三所示。 為將處理流體從處理容器3内排出，㈣一快速排放闕24。 收集容器具-未進一步示出之具一闕單元之出口管，其將出 口容器22與排放管26或是與多個回流管28其中之一管相 連接。各回泥管28經由一泵20與相屬之儲槽1〇相連接， 使處理说體可從收集容器22輸送至各儲槽1〇。在收集容器 内設有一入口喷嘴29，清洗流體可經由此導入收集容器 内，這部份以後會再進一步詳細說明。 各儲槽10具一混合容器30、一泵32、一過濾單元34、 一溫度調節裝置36及一濃度測量裝置38。儲槽1〇另具一 未進一步說明之體積測定單元，以及一控制單元。體積測定 張尺度適财顯家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公f) - 11 請 先 閱 sf 背 之 注 意 事 械 寫裝 本衣 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512407 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 _—------— B7_____ 五、發明說明（7·) 單元在混合容為30内有一液面感測器。處理流體在栗&、 過滤單元34、溫度調節裝置36、濃度測量單元38及各單元 間連接管路之體積均為已知。在混合容器30内之體積最好 較儲槽10其他裝置内之體積大很多。藉由測量混合容器3〇 内之流體液面’可得知儲糟1〇内整個處理流體之體積。 除了以液面感測器測量混合容器30内不同流體液面之 高度外，也可經由輸入管40將混合容器30充填至一定之流 體液面高度，此由一感測器測量及顯示出。此時可經由輸入 管40導入已混合好之處理流體或導入各流體成分。 泵32使處理流體藉由在儲槽丨〇之各個不同組件間循環 流動，以得到均勻混合之處理流體。過濾單元34將不受歡 迎之顆粒從處理流體内過濾出。溫度調節裝置調整處理流體 之溫度至一預定之操作溫度。該操作溫度係藉由各處理流體 控制裝置所指定。 ' 濃度測量裝置38測量出處理流體之一或多個流體成分 之實際濃度，並將此量出之實際濃度送至控制裝置。控制裝 置可舁出為達到處理流體具一定之濃度時所需之一流骨皆成 分之體積，這部份以後會再進一步詳細說明。 以下藉由圖式進一步說明裝置1之操作方法。 首先’一晶圓5或是一組晶圓5藉一習知之操作裝置置 入充滿去離子水(DIW)之處理容器内。隨後，去離子水柄由 快速排放閥24被排出至收集容器22内，然後再排出至排放 管26内。在排放之前，晶圓5被提升至—所謂之快速排放 位置’在冗全排出去離子水後，回到其出發位置。去離子水 請 先 閲 讀 背 意 4 |裝 訂

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I 512407 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8·) 是否完全排出由一相應之感測器確定。另一種方法係預先設 定去離子水排放時間。 然後，處理容器充填從儲槽1〇來之第一處理流體，例 如暫存之氫氟酸(BHF)。在處理容器3被bhf注滿之前， BHF先在儲槽1〇内混合、循環流動並被加熱至設定溫度。 為確保BHF流體充填時不起霧，在充填開始時採用較低之 流速，然後再逐漸增加。處理槽被充填至一定之高度，使得 曰曰圓可芫全地被處理流體遮蓋。然後停止輸入處理流體，並 藉由一適當之循環單元在處理容器内產生循環流動。另外， 處理流體也可以是靜態的，也就是在槽内無循環流動，或是 繼續藉由導入處理流體直到溢流而出至溢流套環12内。然 後，處理流體可選擇從溢流套環12導出至排放管16或是回 流管18。 在一定之處理時間後，BHF流體即經由快速排放閥24 排出至收集容器22内。快速排放閥24被關閉，且處理槽迅 速地被清洗流體例如DIW充填，並溢流而出至溢流套環12 内。DIW再從温流套環12被導入至排放管％内。在收集 容器22内所收集之BHF流體經由一相應之回流管28及泵 20回流至用於BHF之儲槽10。BHF流體在儲槽1〇内作準 備’這邵份以後會再進一步詳細說明。 為繼續處理晶圓5，去離子水再經由快速排放閥24排 出至收集容器22内，且隨後排出至排放26内。此時，去離 子水至少清洗一部份之收集容器22。快速排放閥24被關 閉，然後一新的處理流體，例如H2〇2、：ΚΗ4〇Η及水混合而 請 先 閱 讀 背 & 之 注 意 事 項 m 寫桊 本衣 頁 訂 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- B7 發明說明（9·) 成< SC1，或是由氏〇2、HC1及水混合而成SC2，被從错 槽10導入至處理容器3内。當達到一定之體積後，導入即 被停止，且處理流體在處理容器内循環流動。在經過一定之 處理時間後，SCI或是SC2流體即如㈤腳流體一樣，被 從處理容器3排出，並回流至相屬之儲槽10。以上所述之 万式，晶圓可以受到不同之處理流體進行處理，其在每次處 理步驟結束後，即被導回至各儲槽。在各處理步驟之間，晶 圓藉由清洗流體，例如以去離子水清洗，此去離子水隨後也 用於清洗收集容器22。 除了將各流體經由快速排放24從處理容器3排出，也 可藉由導入後製程流體，將本製程流體排出。對上述之作業 順序而言，表示首先在處理容器内去離子水，藉由導入之 BHF流體從處理容器排出至溢流套環12内。此時，ΒΗρ流 體以一預定之輸入時間，及以一定之流速導入。然後還要儘 可能地對稱及快速的導入BHF流體。晶圓在整個時間均浸 在流體環境内，且排出速度較先排放再導入流體快的多，因 而此裝置之效率較高。被排出之去離子水從溢流套環12被 導至排放管16。在輸入時間過後，BHF流體停留在處理容 备3内一預定之處理時間，並作循環流動。在處理時間結束 後，BHF流體藉由導入去離子水從處理容器3排出至溢流 套環12。此排出之BHF流體，從溢流套環12經由一相應 之回流管18導回至BHF儲槽1〇。因為在排出BHp流體時， 與去離子水混合，因而只有前段從處理容器3排出之ΒΗρ 流體被導回至儲槽10。在一定之排出時間後，溢流套環12 ( (請先閱讀背面之注意事項Imp本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Β7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明說明（10·) 之出口 14即開放至排放管16，以便將剩下之卿流體及 腳流體與麵子水之齡液排出。 上述之方法會再對隨後之處理流體，例如SC1及SC2 重複進行。 “除了上述將排出之處理紐，例如卿流體，直接從 二虎套％ I2導人至觸㈣，也可麟_先導入至收集 容器22内，此可使細迅速地從職套獅ώ。在一定之 排出時間後’或是在收集容器内之液面_-定高度後，與 收集容器之連接即被封閉，且在溢流套環12内之剩餘流體 被導至排放管16。當然，也可將—銳由快速排放從 處理容器内排出，而另—麵藉由排出流體而排出。 以下會再詳細綱如何在各職1() _備處理流體。 人^娜儲槽内首先測定卿流體之體積。為此，在混 合容器3G内設有-靜態液面感繼。當液面感測器沒作用 時，也就是液面在液面感測器之下，即經由輸入管4〇輸入 預先此合之BHF峨，4到液闕達液面感聽之高度為 止。隨後，BHF流體在儲槽1〇内循環流動、過滤並被加熱 至處理溫度。織BHF流體在有需要時報導人處理容器 内在此方法中，儲槽10内不需要濃度測量單元。 ^在另-主要是用於SCI及SC2之準備方法中，首先仍 疋=疋儲槽内流體之體積。為此，在儲槽1〇之混合容器3〇 =又有-液面感測器。若流體液面在此液面感測器之上，流 ^陵由—滅之出口從儲獅出。若流體液面在此液面感 測器之下，預先齡好之處魏體，或是―定之流分， (請先閱讀背面之注音？事項||^寫本頁)

本紙張尺度翻標準（CNS)A4規格（21(^297公釐了 -15_ A7 發明說明（U·) 例如水，即經由輸入管4〇導入混合容器3〇 h，直到液面到 面感贿之高度。隨後，趙在賴1G _環流動、 過;慮且調溫。在濃度測量單元38内，流體成分之濃度被測 量出，並送至儲槽1〇之控制單元。 担制單元根據所收到之值計算出各流體成分所需之體 積’以得到减體巾各成分之設定濃度值，控解級用下 列公式··

Dfk*Kfk 其中 vfc ==所需流體成分之體積，單位為ml Ksdl =流體成分之設定濃度(重量百分比）

Kist =流體成分之實際濃度(重量百分比）

Vbf =處理流體之體積，單位為1 Dbf =處理體之密度，單位為g/mi D& -流體成分之密度，單位為g/mj Κ& =流體成分之濃度(重量百分比）。 各流體成分相應之體積經由輸入管40導入混合容器 30。隨後在一定之循環時間後，當流體成分混合均勻時，再 進行濃度測量。當實際濃度與設定濃度間有偏差，超過預定 之極限時，即重新計算，並導入流體成分。 以上藉由偏好之實施例說明本發明，但本發明並不受限 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16 - i 裝—— 寫本頁) --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512407 A7 ------—_ B7 五、發明說明（12·) "~ 於此具體之實施例。例如，本發明並不受限於上述之處理流 體三例如晶圓之硫-過氧化物一混合液之處理可纟卿處理U (前進行。除了 BHF外，也可以細卿之氫驗(卿）。 另外一常見之處理流體為例如邮〇4，其通常是在一 ΒΗρ ，理及-SCI處理之間進行。在處理容器内完成處理後， 晶圓可例如根據馬拉哥尼(Marangoni)方法脫乾。基板之處 理，尤其是清洗基板，也可藉由導入高頻範圍之超音波及將 晶圓上下運動而增強。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 512407

A7 B7 五、發明説明（u·) 元件符號說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 處理裝置 3 處理容器 5 半導體晶圓 7 入口管 8 出口管 10 化學藥品儲槽 12 溢流套環 14 出口 16 排放管 18 回流管 20 泵 22 收集容器 24 快速排放閥 26 排放管 28 回流管 29 入口喷嘴 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30 混合容器 32 泵 34 過滤單元 36 溫度調節裝置 38 濃度測量裝置 40 輸入管 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18-

Claims (1)

1. S12407 修止補充 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第90109764號專利案申請專利範圍修正本 1. 一種在一處理容器内處理半導體晶圓之方法，為處理半 導體晶圓，依序將不同之處理流體從各儲槽導入該處理 容器内，且處理流體在處理後被導入收集容器内，其特 徵為，下列之方法步驟： 從收集容器將至少一部份之處理流體導入各相屬之儲 槽；及在將處理流體導出後，及在承接下一處理流體之 前，清洗收集容器。 2. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，基板 每次在處理流體内受處理後，即以一清洗流體，尤其是 以去離子水加以清洗，且清洗流體在清洗半導體晶圓 後，被導入收集容器内。 3. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，處理 流體在各相屬之儲槽内作準備。 4. 根據申請專利範圍第3項所述之方法，其特徵為，處理 流體，尤其是包含氫氟酸之處理流體，以由一供應單元 來之處理流體充填至一預定之體積。 5. 根據申請專利範圍第3項所述之方法，其特徵為，下列 之方法步驟： -測定儲槽内至少一處理流體之體積； -測定處理流體内至少一流體成分之實際濃度； -計算為達到處理流體内一流體成分之設定濃度所需 之流體成分量； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i--------線. 7 40 2 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 -將所計算之流體成分量導入處理流體内。 6. 根據申請專利範圍第5項所述之方法，其特徵為，為測 定體積，儲槽内之處理流體，從一供應單元以一已知之 流體成分或處理流體，充填至一預定之體積。 7. 根據申請專利範圍第5項所述之方法，其特徵為，流體 成分之濃度被多次測量，且取測量之平均值用於計算。 8. 根據申請專利範圍第5項所述之方法，其特徵為，所需 之流體成分量以下列公式算出： (Ks〇ii - Kist)*Vbf*Dbf*l〇〇〇* Vfk=- Dfk*Kfk 其中， Vfk =所需流體成分之體積，單位為ml Ksdl =流體成分之設定濃度(重量百分比） Kist =流體成分之實際濃度(重量百分比） vbf =處理流體之體積，單位為1 Dbf =處理流體之密度，單位為 D&二流體成分之密度，單位為g/ml K& =流體成分之濃度(重量百分比）。 9. 根據申請專利範圍第5項所述之方法，其特徵為，流體 成分之實際濃度在將算出之流體成分量導入處理流體内 後，再次測量實際濃度，當此實際濃度與設定濃度有偏 差時，則重新計算及導入流體成分。 10. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂------I!線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圍範利 專請 申 \六 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4體藉由導入另一流體，尤其是清洗流體，而被從作業 容器排出，並被導入一收集容器内。 η·根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，處理 流體藉由一快速排放閥從作業容器中排出，並被導入一 收集容器内。 12·根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，處理 流體在儲槽内循環流動。 13·根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，處理 流體在儲槽内被過滤。 14·根據申請專利範圍第丨項所述之方法，其特徵為，處理 流體在儲槽内被調整至一預定之溫度。 15·根據申請專利範圍第丨項所述之方法，其特徵為，至少 一處理流體包含NH4〇H、H202、HC1或上述成分至少 二成分之組合。 16·根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，至少 一處理流體包含有氫氟酸(HF)。 17·根據申請專利範圍第丨項所述之方法，其特徵為，至少 一處理流體包含一硫酸-過氧化物-混合液。 18· —種在一處理容器⑶内處理半導體晶圓⑺之裝置⑴，其 具一第一閥單元，用以從不同之儲槽(10)將不同之處理 流體導入處理容器(3)内，及至少一收集容器(12、22)， 用以在處理後收集處理流體，其特徵為， 一第二閥單元，其用以從收集容器(12、22)導引至少一 部份之處理流體進入各相屬之儲槽(10)，及一清洗單元 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公爱)一· -21 - --------------^------——Aw. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) M2407 A8 B8 C8 ---_D8___ . 六' 申請專利範圍 " ^ ' (29)，用以清洗收集容器。 19·根據申請專利範圍第18項所述之裝置(1)，其特徵為， 處理容器⑶具一快速排放閥(24)，並在處理容器(3)下設 置一收集容器(22)。 20·根據申請專利範圍第18項所述之裝置⑴，其特徵為， 收集容器(12)係設計成處理容器(3)之溢流套環。 21·根據申請專利範圍第20項所述之裝置(1)，其特徵為， 在溢流套環(12)及設置在處理容器⑶下之收集容器(22) 間具一可控制之連接管。 22·根據申請專利範圍第18項所述之裝置⑴，其特徵為， 清洗單元(29)在收集容器(22)内具有至少一流體嘴嘴。 23·根據申請專利範圍第18項所述之裝置(1)，其特徵為， 一控制單元，其用以測定至少一儲槽(10)内一處理流體 之體積；至少一單元(38)，用以測定處理流體之至少一 流體成分之濃度，及一控制單元，依體積及濃度導入一 定量之流體成分。 24·根據申請專利範圍第18項所述之裝置，其特徵為，一泵 (32)，其用以使至少一儲槽(1〇)内之處理流體作循環流 動。 25·根據申請專利範圍第18項所述之裝置，其特徵為，在至 少一儲槽(10)内具一過濾單元(34)。 26.根據申請專利範圍第18項所述之裝置，其特徵為，在至 少一儲槽(10)内具一溫度控制單元(36)。 本適用中關家祿準（CNS )从胁（210x297公釐）—---—-一 J —I· 4, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4tl· 線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22-