TW503433B - Plasma processing apparatus with an electrically conductive wall - Google Patents

Description

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五、發明說明（1 ) 發明領域 本發明係屬於-種電毁加工裝置，有助於電t輔助加工例 如姓刻、沉積或是漱錄加工。更特別的，本發明係關於一電感 轉式電装源。 發明背景 傳統上常使用電感耦式電漿源來蝕刻基板或在基板上沉 積材料。其組成通常為具有由—外部線圈感應器包圍之橫向介 電壁的電聚室。該電漿室内包含有加工氣體。該外部感應器藉 由射頻產生器的供應產生電磁能，並經由該介電壁供應至該電 聚室内部，此將該加工氣體分子電離，而在該室中產生電浆。 該加工氣體組成係依照對該基板表面之處理方式不同而 加以選擇。因此，例如，若該電㈣置係用於在—基板上沉積 材料’則該加X氣體必須包含此基板上所要沉積之材料元素。 若該電漿裝置係當作，裝置’該加工氣趙則必須包含與該 基板反應並將材料從該基板上移除之反應物種。 該電聚輔助加工有—個有趣的特徵，特別是關於化學氣相 沉積技術’由於該電聚的使用’基板溫度必須比較低以使得該 反應或沉積活化。當該待處理之基板無法抵擋高溫時，電聚輔 助加工因此為一特別有利之應用。 然而，電感耦式電裝源價格昂貴，特別是當必須製作成具 有弧形時。其構成外壁之材料，即介電材料，實際上並不適合 製作成複雜的形狀，例如弧形或圓柱形。再者，於該介電材料 上鑽洞’例如為了使該加工氣體進出該室内部，為一困難的事。 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------^---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •4- 503433 A7 五、發明說明（2) I 1111« · 11 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) WO-A-96/41897中描述一種電漿處理裝置，其包含由電導 體所圍繞之平行六面體電漿室。該電漿室的側壁係由沿著該室 長度縱向延伸之平行金屬條所組成。缺口或狹縫侷限於該金屬 條中間，以使得該電導體產生之該磁場可穿入該電聚室之内 部。該電漿室由介電板所密封，每一個介電板包覆對準之室側 壁的外側。 當想要有更複雜形狀之室時，例如圓柱型，使用介電板當 作該室之每一側壁即可能造成問題。弧形介電板的製造將明顯 的增加製造成本。再者，根據冒〇-冬96/41897中所述之該電漿 至並不適合於提供該加工氣體之橫向進出，因為橫向進出必須 鑽孔通過介電板。 ' 發明概專 本發明之目的為補正該上述之缺點。 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合，作社印製 為此目的，在此提供一種電漿加工裝置，其包含一個具有 導電壁之電漿室，其中該導電壁具有至少一個開口，該開口當 電磁能量從該室外供應至該室中時可用以中斷該壁中之電^ 路fe，外部電磁組件用於經由該導電壁供應電磁能量至該電聚 室中，以在該室中產生㈣，以及密封組件用以密封該至少一 個開口，該開口其特徵在於該密封組件包含至少一個與該導電 2呈電絕緣之導電外覆元件。 因此，根據本發明，使用一個或多個導電外覆元件來密封 侷限於該電漿室導電壁内之該等開口。該電漿室實質上為如金 屬之導電材料所構成，此使得該室的結構較具可撓性^別

A7 B7 五、發明說明（3 )

I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的6亥室亦可為複雜的形狀，而不會明顯的增加其製造成本， 因為導電材料比較容易加工與成形。 再者，只要該導電外覆元件是與該導電壁呈電絕緣，通過 =導電壁之電流路徑會在賴口處被中斷，因此可避免電磁能 量供應至該室内部時，於該導電壁之區域產生電流迴路。由於 該等開口的存在以及該導電外覆元件與該導電壁呈電絕緣，該 外部電磁裝置所產生之該電磁能量則不會或僅很少量被該導 電壁所遮蔽。該外部電磁裝置產生之電磁能量中有很重要的一 部份可因此有效的供應至該室内。 較佳的，該至少一個開口係依實質平行於該外部電磁裝置 所產生之磁場方向的一第一方向延伸，以中斷通過該導電壁而 垂直該第一方向之電流路徑。 貫際上，該導電壁依平行於該電漿室之縱軸方向延伸，且 該至少一個隙縫依實質平行於該電漿室之該縱軸方向延伸，以 中斷通過該導電壁而垂直該縱軸方向之電流路徑。 泫電漿室可進一步包含位於該導電壁相對兩端之底板，此 底板依垂直於該導電壁之方向延伸。 «玄電漿至可為圓柱型，由該導電壁形成該電漿室之該圓柱 面，或者可為平行六面體，由該導電壁構成該室相鄰面的平 面。該電漿室也可為任何適當的形狀，特別是適合該施以電漿 處理之該基板的形狀。 ό玄外部電磁組件可包含一個包圍該導電壁且連接至交流 (AC)電源供應器之感應器。 根據本發明，至少具有一個絕緣組件或者不導電襯墊，用 請 先 閱 讀 背 & 意 事 項 再 填 寫 本 頁 f I I訂 ▲ 本紙張尺度適財_家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 A7 B7 五、發明說明（4) 以使每一導電外覆元件與該導電壁呈電絕緣。 請 先 閱 讀 背 〇6 意 事 項 再 填 寫 本 頁 較佳地，每一個不導電襯墊係配置於該導電壁上，其配置 方式使得從該室的内部即從產生該電漿之該室内無法直視。當 根據本發明之該電漿加工裝置係用於沉積或者濺鍍導電材料 時，例如金屬，此特徵為特別有利的。雖然在此例中，當施行 該電漿沉積或濺鍍加工時，會有在該不導電襯墊上鍍上導電材 料層的風險。此可能導致在該室之導電壁周圍產生電流迴路， 且因此導致該外部電磁裝置所供應之該電磁能量會被上述之 連續層所遮蔽。 藉由避免任何可視直線存在於該室的内部與該絕緣襯塾 之間，可避免或者大幅降低因導電材料沉積於該室壁上而使得 忒旎量被遮蔽的風險。若無本發明，要達到此效果則必須在室 中有任何法拉第遮蔽，或者需要如習知技術中傳統使用之額外 錯綜複雜之結構。再者，因為該外覆元件係由如金屬之導電材 料所構成，則沉積導電材料於其上是無害的。本發明因此可於 «亥導電壁上使用寬開口或狹縫以簡化該裝置之建置並降低成 本。 經濟部智慧財產局員工消費合.作社印製 /、型的，該至少一個開口係由一多數個開口所構成，該至 少一個導電外覆元件係由一多數個導電外覆元件所構成，且每 "玄夕數個導電外覆元件中之每一個均被設置於該導電壁上，而 對準於該多數個開口中的一對應開口。 根據本發明之一具體實施例，該至少一個襯墊係由一多數 個襯墊所構成，在該導電壁之外部表面上，每一個該多數個概 墊圍繞一個對準之該多數個開口，且每一個該多數個導電外 本紙張尺度触中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公餐了

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件係鋪設在一個對準之該多數個襯墊上。 根據本發明之另一具體實施例，該多數個開口中之每一個 均包含一個露出至該電漿室中之窄部且包含一個寬部與該窄 4連接，且於該導電壁之外部表面形成—個凹室。多數個概塾 2之每一個，於對準之開口之凹室中，均圍繞該對準之開口之 窄部，且該多數個導電元件中之每一個，於對應之開口的凹室 中’係鋪設在一個對應之襯墊上。 優點為，該至少一個襯墊與該至少一個導電外覆元件係可 移動的设於該導電壁上。較佳地，該至少一個導電外覆元件與 該導電壁間之缺口係依帕申定律所決定，如此一來在該導電外 覆7L件與該導電壁之間則無電漿產生。典型的，該缺口可能小 於一毫米。 該電漿室可進一部包含一個或數個濺鍍靶材。此濺鍍靶材 可配置於該導電壁之内表面上。在該濺鍍靶材與該導電壁之内 表面之間可插入一絕緣板。該濺鍍源經由通過該導電壁之導線 連接至電源且與該導電壁呈電絕緣。 根據本發明之另一優點為，該電漿室包含在該導電壁上形 成至少一個進氣口。此進氣口之功用為供應加工氣體至該室 中。最佳的，該至少一個進氣口係由該導電壁上依設距離排列 之多數個進氣口所構成，該加工氣體因此可均勻分布的被導入 至該室中。 除了上述之進氣口外，該電漿室更包含於該室之頂部或底 部之底板上所形成之一個或多個進氣口。該導電壁上之該進氣 口可作為供應該室内部反應混合氣體之功能，當該進氣口係位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Γ ；------— l·---訂---------線 41^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503433 A7 B7 五、發明說明（6) 於該底板上時，可作為導入惰性氣體之功用，該惰性氣體之角 色特別在於使該混合氣體中包含之不同元素更容易混合。當該 進氣口係位於形成該室側壁之該導電壁上時，可使得該混合之 反應氣體被導入至該室中靠近該待處理基板附近之區域。以此 方式，本發明避免了供應該混合之反應氣體至遠離該基板且不 需要有該混合氣體的區域。 實際上，該至少一個導電外覆元件較佳地係由一個或數個 板所構成，且該導電壁與該板二者均為金屬所構成。再者，該 至；一個開口可採用該一個或數個狹縫的形式。 圖式之簡要說明 ，第1圖為根據本發明第-具趙實施例之電漿装置其局部剖 面前視圖； 第2與3圖為透視圖，分別表示根據本發明之具有圓柱形與 直角平行六面體形之電漿裝置； 線 第4圖為第1圖中所示之該電聚裝置所包含之電聚室壁的 局部概略前視圖； ^ 第5圖為第！圖中所示之該電㈣置所包含之電”㈣ 局部概略上視圖； & 第6圖為第！圖中所示之該電毁裝置所包含之電聚室壁的 局部概略上視圖，說明電流路徑； 第7祖為根據本發明第二具體實施例中 —人_ 巧甲之一種電漿裝置所 包含之電漿室壁的局部概略上視圖； 第8圖為根據本發明第三具體實施例 巧電襞裝置所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公爱 五、發明說明（7) 包含之電漿室壁的局部概略上視圖； 之-㈣，表綱树日…具體實施例 面：。圖為根據本發明第四具體實施例之該電漿裝置之剖 第11圖為根據本發明第五且 局部剖面前視圖；與 ^貫把例之一種電装裝置其 第12圖為根據本發”六具財_ 所包含之«室壁的局部概略上視圖。 本發明之註诚 “第1圖所示為根據本發明第一具體實施例之-種電感麵式 電水裝置。根據本第-具體實施例之該電漿裝置係當作一種電 渡加強式化學氣相沉積裝置，用來於基板上沉積材料層。 此裝置通常包含-個容納加工氣體之電聚或加工室^，一 在。玄電水至1中產生電漿之外部感應器2，一個配置於該電漿 至中用以支撑基板4之支托架3，一個用以將該電襞室】抽成真 二之幫浦裝置5 ’與-個用來經由進氣口 6’供應該電漿室所須 之該加工氣體之氣體控制器6。 該支托架3連接至電源7而於該基板4上產生偏壓。該支托 木3也可連接至加熱或冷卻系統（未顯示），以調節該基板之溫 度。 該幫浦裝置5之作用為在電漿室使用之前將該電漿室1抽 成真空。该氣體控制器6供應包含用以沉積於該基板上表面的 本紐尺度翻中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 請 先 閱 讀 背 面 意 事 項 再 填 寫 本 頁 f I 訂 線 •10· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ， A7 五、發明說明（8) 所有成分之反應氣體構成之加工氣體，以及一惰性氣體，可使 该加工氣體中所包含之不$的化合物有效的混合。 該感應裔2連接至射頻（RF)電源2〇並且供應射頻磁能，該 , 頻率較佳之範圍為100kHz到100MHz之間。此射頻磁能可使得 該加工氣體轉變成電漿，使電漿内包含之反應物成分沉積於該 基板4上。 電紧裝置之一般特徵與操作均為熟知此技藝之人所知 悉，因此在此不加詳述。 根據本發明之該電漿室1可為圓柱型，如第2圖所示，或者 為適合於該基板4之形狀的其他適當形狀。第3圖所示，舉例而 言，為根據本發明之一種具有平行六面體形狀之電漿室。 該電漿室1包含一個側壁1〇，沿著該電漿室之縱軸n延伸 且面向該感應器2。就圓柱型電漿室而言，該側壁1〇即為圓柱 型，或者，當該電漿室為平行六面體時，該側壁即由四個平面 壁所組成。該電漿室1更包含垂直於該縱軸丨丨之上底板與下底 板12、13。該上底板與下底板12、13藉由真空密封墊14、15 分別與該側壁10之端面1〇1、1〇2密封。 根據本發明，該電漿室1之該側壁10係由導電材料所構 成，例如金屬。而且多數個開口 100被界定於穿過該側壁1〇之 整個厚度t (見第5圖）。該開口 1〇〇最佳為沿著平行於該縱軸】】 之方向延伸之狹縫形狀。該開口 1〇〇亦可沿著該電漿室之整個 長度的方向延伸，即沿著該側壁10之端面1〇1與1Q2之間，造成 該室中大區域面積或者此長度實質部分之電漿的生成，如第^ 圖中所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I . -------^-----r---^---I----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11- 503433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9) 該感應器2包圍該電漿室外側之該側壁1〇，而在該室1之中 產生一感應場，其線係平行於該縱軸11與該狹縫1〇〇。 第4圖及第5圖更詳細的表示形成於該導電壁1〇上之該開 口 100,其中該電漿室1為平行六面體。每一個開口 100包含一 個露出至該電漿室1内部之窄部101，與一個範圍被限定於該導 電壁10外部表面103上之寬部1〇2,該寬部並且形成一個凹室與 該窄部101連接。該凹室102比該窄部1〇1具有一較大之寬度w (垂直於該縱軸11)且較佳的有較長長度丨（平行於該縱軸丨丨），如 第4圖中所示。 根據本發明，該開口或狹縫100為密封的，即緊密封合的， 藉由導電外覆元件16使該開口閉合且藉由真空密封墊或襯墊 17將該導電外覆元件16與該導電壁10呈電絕緣。該導電外覆元 件16係由金屬所構成，例如鋁。其最佳為與凹室丨〇2相同之形 狀（如第5圖中之矩形），但稍微較小尺寸。該導電外覆元件16 可採用板子之形式，當該室1為平行六面體時其為平面或者當 该室1為圓柱型可為弧形。該襯墊17係由絕緣材料所構成，例 如介電材料。 4導電外覆元件16藉由適當的不導電固定構件丨8設於凹 室102中。兩個固定構件18分別配置於該凹室1〇2之相對側邊， 使得一給定之導電外覆元件16設至該壁1〇上。每一個固定構件 18具有一個表面部分180設於該導電壁1〇之該外部表面ι〇3 上，以及另一表面部分181與該導電外覆元件16之上表面圓周 部分設在一起。將該固定構件18設於該壁1〇上且可藉由黏合或 螺釘固定該導電外覆元件16。 ------r-----------r---訂---------線 Awl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-12· 503433 A7 B7 五、發明說明（10) 該襯墊17之形狀較佳為根據該凹室ι〇2以及該導電外覆元 件16之形狀而訂，如第4圖與第5圖所示具體實施例中之矩形。 母個概塾17係配置於該凹室102之下表面與該導電外覆元件 16下表面圓周部分之間，藉此將該開口 1〇〇密封。 該開口 100之作用為中斷通過該導電壁1〇之電流路徑或 者，換言之，將該導電壁10中感應生成之循環電流切斷成數個 電流迴路。實際上，假使沒有這些開口存在的話，該導電壁1〇 中由射頻感應器2感應生成之電流會環繞該壁1〇而形成一連續 之迴路’而遮擔經由該射頻感應器2傳遞之電磁能量。如第6 圖中之說明，根據本發明，每一個導電之部分，也就是開口 1〇〇 兩側之該壁部分與每一導電外覆元件16，均會有電流19感應生 成’但是卻沒有電流環繞該導電壁1〇。 較佳地，每個襯墊17之配置方式為無法從從該室1的内部 直視。如第5圖中所示，於每一襯墊17與該室1的内部之間沒有 可明視的直線170存在。此可藉由使該導電外覆元件16比該窄 部ιοί寬許多以及將該襯墊17配置於靠近該該導電外覆元件16 之周圍來達成。當使用該電漿室丨於沉積導電材料於該基板4 上時，例如金屬，此一安排可避免於該襯墊17上形成導電層之 可能性。 參照第7圖，根據本發明第二具體實施例之一種電聚裝 置’其本質上與上述該第一具體實施例之不同為，該開口1〇〇3 並不包含任何凹室。而是設於一個對應的凹室中，每一個導電 外覆元件16a係藉由不導電固定構件18a而設於該導電壁1如之 外部表面103a上且，因此，導電外覆元件之尺寸（長度，寬度） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------M i — (1^7^¾讀背面之注意事項再填寫本頁) 上σ· 線 經濟部智慧財產局員工消費合•作社印製 -13· 叫433

比該對應之開口職大。圍繞該開σ⑽a之㈣I7a將該導電 外覆元件16a與該導電壁10a間之該缺口密封。 關於第8圖，為根據本發明第三具體實施例之一種電聚裝 置，其本質上與上述該第一具體實施例之不同在於 、 —密封墊20b位於該不導電固定構件丨处與該導電外覆元 件16b之間，且 一圍繞該開口 100b窄部101b之該密封墊17b，其形狀為平 面狀，準確的限定該對應之導電外覆元件16b與該導電壁l0b 間之缺口d，其沿著該電漿室丨之該縱軸11的橫截方向。 在第三具體實施财，該缺nd之調整係根據帕申定律， 因此其中不會有電漿產生。典型的，在該電聚室中之操作壓力 為lOOmTorr時，該缺小於丨毫米。該密封墊I7b之調整可利 用數個校正過且具有不同厚度之嵌入物來完成。該密封墊 17b，該導電外覆元件i6b，該密封墊2〇b與該固定構件i8b係可 移動式的設於該電漿室上，以利於將該嵌入物17b更換成其他 具有不同厚度之嵌入物。 第9圖與第1 〇圖表示根據本發明第四具體實施例之一 種電漿裝置。根據本第四具體實施例之該電漿裝除了位於該側 導電壁l〇c上有一個或數個進氣口6(:，，與一個或數個進氣口 6c" 位於ό亥上底板12c之外，實質上與上述之該第一具體實施例具 有相同結構。 如第10圖中所示，形成於該側壁l〇c上之該進氣口 6c，，彼 此之間依規律之間距配置。該進氣口 6c，係用以供應包含反應 成分之混合氣體至該電漿室lc内部。形成於該上底板12c上之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14 - 經濟部智慧財產局員工消費合，作社印製 503433 _ A7 B7 五、發明說明（12) 該進氣口 6cn係用以供應惰性氣體至該電漿室lc内部，其扮演 的角色特別在於幫助該混合反應氣體中包含之不同成分的混 合。如第9圖與第10圖中所說明之排列，具有使氣體注入至靠 近待處理基板4c之區域的優勢，可因此避免加工氣體被供應至 該室lc中不需要此氣體的區域。此外，該側壁10c上之該進氣 口 6c’依固定間距配置，使得該室lc中之混合氣體能均勻的分布 於該基板4c之區域。 第11圖表示根據本發明第五具體實施例之一種電漿裝 置。根據本第五具體實施例之該電漿裝置係用以施行濺鍍加 工，其中將材料從靶材上噴濺出來而沉積於基板上。 此電漿裝置與該第一具體實施例中之不同點為靶材21d， 即材料源，係被封在該電漿室Id之上底板12d上。直流電壓源 (或直流脈衝源）22d連接至該靶材21 d使得該噴濺出來材料被 沉積。該電漿室Id最好需接地，該靶材21d藉由絕緣環23d與 該上底板12d呈電絕緣。此構造中可增加磁電管（未表示）以增 加其濺鍍效率。本例中，該該氣體控制器6d連接之該進氣口 6cT 係安置在該側壁l〇d之上方。 第12圖表示本發明之第六個具體實施例。根據本第六個具 體實施例之該電漿裝置與該第一具體實施例是完全相同的，除 了濺鍍靶材24e配置於該導電壁10e上朝向該電漿室之内部。該 濺鍍靶材24e係由被沉積於該基板上之材料所構成。較佳地， 該導電壁10c需接地，且該靶材24e藉由絕緣體25e而與該導電 壁10c呈電絕緣。每個靶材24e均經由導線27e連接至直流電壓 源或者直流脈衝源26e，以產生濺鍍。每個導線27e均藉由密封 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝-----；----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •15- A7 --------— -- 五、發明說明（13) 墊28e而與該導電壁1〇e呈電絕緣。 於上述該六個具體實施例中之每一個，均可配置冷卻裝置 以冷部該導電壁 1〇、1〇a、1〇b、i〇c、i〇d，例如 Ερ·Α·〇9〇8922 中所解釋之方式。 -------：--；--------r---訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） •16· 503433 A： B7 五、發明說明（Μ) 經濟部智慧財產局員工消費合.作社印製 元件標號對照 1 電漿室、加工室 12d 上底板 lc 電漿室 13 下底板 Id 電漿室 14 真空密封墊 2 外部感應器 15 真空密封墊 3 支托架 16 導電外覆元件 4 基板 16a 導電外覆元件 4c 基板 16b 導電外覆元件 5 幫浦裝置 17 真空密封塾或襯塾 6 氣體控制器 17a 襯墊 6， 進氣口 17b 密封塾 6c，， 進氣口 18 不導電固定構件 6d 氣體控制器 18a 不導電固定構件 6df 進氣口 18b 不導電固定構件 7 電源 19 電流 10 導電壁、側壁 20 射頻電源 10a 導電壁 10c 導電壁 10b 導電壁 20b 密封墊 lOd 側壁 21d 靶材 lOe 導電壁 22d 直流電壓源（或直流脈 11 電漿室縱軸 衝源） 12 上底板 23d 絕緣環 12c 上底板 24e 濺鍍靶材 ------------------：--I I ^ · I I I--I I 1^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 503433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（15) 25e 絕緣體 26e 直流電壓源或直流脈衝 源 27e 導線 28e 密封墊 100 開口、狹縫 100a 開口 100b 開口 101 側壁10之端面 101 開口 100之窄部 101a 開口 101b 開口 100b窄部 102 側壁10之端面 102 開口 100之寬部，凹室 103 導電壁10之外部表面 103a 導電壁10a外部表面 170 直線 180 固定構件18表面部分 181 固定構件18另一表面部 分 d 導電壁10b之缺口 w 開口 100寬部102之寬度 1 開口 100寬部102之長度 t 側壁10之厚度 (請先閱讀背面之沈意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18·

Claims (1)

1. 503433

   申請專利範圍 第90112294號專利申請案申請專利範圍修正本 修正曰期：91年07月 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I一種電漿加工裝置，其包含： 一電聚室（1)，其包含一個導電壁（10)，其中該導電壁 具有至少一個開口（1〇〇)，當電磁能量從該室之外部供應至 該室中時，可用以中斷該壁中的電流路徑（19); 外4電磁供應配置.，其被配置成可經由該導電壁將 電磁能量供應至該電漿室中，俾於室中產生電漿；以及 一密封構件，其被配置成可密封該至少一個開口， 其中該密封構件為包含至少一個與該導電壁呈電絕緣 之導電外覆元件（16)。 •訂— 2·如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其中該至 少一個開口（ 1 00)依實質上平行於該外部電磁供應配置所 生成之磁場的一第一方向（11)延伸，以中斷通過該導電壁 中垂直於該第一方向之電流路徑。 3 ·如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其中該導 電壁（10)係沿著平行於該電漿室之縱軸（n)方向延伸。 4·如申請專利範圍第3項之電漿加工裝置，苴中該至 少一個開口（100)依實質上平行於該電漿室之該縱軸（11)方 向延伸，以中斷通過該導電壁中垂直於該縱軸方向之電流 路徑。 —5.如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其中該電 漿室（1)進一步包含位於該導電壁（1〇)相對端的底板（12、 13)。 蔣—6·如申請專利範圍第丨項之電漿加工裝置，其中該電 水室（1)為圓柱型，該導電壁形成該電漿室之圓柱面。 將—7·如申清專利範圍第丨項之電漿加工裝置，其中該電 水—室（1)為平行六面體，該導電壁包含該室相鄰面之平面。

   -4- 其中該密封 令至少一個 其中該至少 少 少 面

   訂- :線丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503433 六、申請專利範圍 8·如申請專利範圍第丨項 ^ ^ 乏電漿加工裝置，其中兮冰加 電磁供應配置包含一個圍达 μ ^ 心者該導電壁（忉）且連接至一個 父流電源供應器（20).之感應器⑺。 .至個 9·如申請專利範圍第1項之電漿加工褒置 構件包含至少-個不導電襯塾〇7)，俾供用 導電外覆元件（16)與該導電壁（1G)呈電絕緣。 抵如申請專利範圍第9項之電聚加工袭置一” 一個襯姉7)之配置方式為無法從該室⑴的内部直I 11. 如申請專利範圍第9項之電衆加1裝置，其中該至 一個襯墊（17)係由介電材料所構成。 12. 如申請專利範圍第」項之電裝加n其中該至 一個導電外覆元件⑽)係設於該導電壁⑽)之外部表 (103a)。 · 、 13·如申請專利範圍第丨項之電漿加工裝置，其中該至少 一個開口（100)包含有一個露出至該電漿室（1)中之窄部 (101)與一個寬部（102)，該寬部與該窄部連接且於該導電壁 之外部表面（103)形成一個凹室，且其中有一個導電外覆元 件（16)固定於該凹室内。 14.如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其中該至少 一個開口包含數個開口（100)，該至少一個導電外覆元件包 含數個導電外覆元件（16)，且其中該等導電外覆元件〇6) 中之每一個均被設置於該導電壁（10)上，而對準於該等開 π (100)中的一對應開口。 15·如申請專利範圍第14項之電漿加工裝置，其中·· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -3- 、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 ^密封構件包含至少_個不導電襯邮7)，俾供用以令 個導電外覆70件（16)與該導電壁（10)呈電絕緣， ，至少一個襯墊包含數個襯墊(17a), 母一個該等襯塾在該導電壁（1〇a)之外部表面（i〇3a)上 圍繞一個相對應之該等開口（1〇〇a)，以及 該等導電圍繞元件（16a)之每一者均舖設於該等概塾中 之一對應者上。 16·如申請專利範圍第9項之電漿加工裝置，其中： 山封構件包含至少一個不導電襯墊（17 )，俾供用以令 至少個導電外覆元件（16)與該導電壁（ι〇)呈電絕緣， 該等開ndoo)中之每_個均包含有—個伸人該電聚室 ⑴中之窄部（101)與-個寬部（1〇2)，該寬部與該窄部連接 且於該導電壁（10)之外部表面（103)形成一個凹室； 該至少一個襯墊包含有多數個襯墊(17); 該等襯墊中之每一個，於所對應開口之凹室中，圍繞 該對應開口之窄部；以及 該等導電圍繞元件（16)之每一個係舖設於對應開口 凹室中的對應襯墊上。 17·如專利申請範圍第9項之電漿加工裝置，其中該至 一個襯墊（17b)與該至少一個導電圍繞元件（16b)係可移離 式地設於該導電壁（l〇b)上。 18·如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其包括該至 少一個導電外覆元件（16b)與該導電壁（10b)間之缺口（句，其 中該缺口之大小係根據帕申定律所決定。 之 少 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 _肇， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -4- 503433 A8 B8 C8 D8

   19. 如申請專利範圍第18項中之電漿加工裝置，其中該缺 口小於1毫米。 20. 如申請專利範圍第i項之電漿加工裝置，其中該電漿 室（Id)進一步包含至少一個濺鍍靶材（21d)。 21·如申請專利範圍第20項之電漿加工裝置，其中該至少 一個濺鍍靶材（24e)係配置於該導電壁（丨〇e)之内表面上。 22·如申請專利範圍第21項之電漿加工裝置，包括： 至個絶緣板（25e)被喪置於該至少一個錢鐘乾材 (24e)與該導電壁（l〇e)内表面中間；以及 該至少一個濺鍍靶材（24e)係藉由導線（27e)穿過該導電 壁而連接至電源（26e)並且與該導電壁呈電絕緣。 23·如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其中該導 壁（1〇)及/或該至少一個導電外覆元件（16)為金屬所構成， 24·如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，其中該至 一個開口（100)中的每一個之形狀為狹缝的形狀。 25·如申請專利範圍第i項之電漿加工裝置，其中該至 一個導電外覆元件（16)包含至少一個導電板。 26.如申請專利範圍第1項之該電漿加工裝置，其中談 漿室（lc)包含至少一個形成於該導電壁（1〇c)上之進氣 (6c 丨)。 27·如申請專利範圍第26項中之電漿加工裝置，其中該至 少一個進氣口包含該導電壁（10c)上依固定間距排列之 數個進氣口（6c’）。 28·如申請專利範圍第26項之電漿加工裝置，該電漿室 電 少 少 電 π 多 (lc) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝丨 .、一-1T— :線丨 -5- 503433 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 進-步包含位.於該_ (10)相對端之底板(i2、i3)， 和其中該電漿室（lc)進一步包含_形成於上底板（12c)上之 進氣口（6cn)。 29·如申請專利範圍第1項之電漿加工裝置，更包含一用 以冷卻該導電壁的冷卻安置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 0, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -6-