TW498507B - Multi-chip packaging module - Google Patents

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TW498507B TW090115709A TW90115709A TW498507B TW 498507 B TW498507 B TW 498507B TW 090115709 A TW090115709 A TW 090115709A TW 90115709 A TW90115709 A TW 90115709A TW 498507 B TW498507 B TW 498507B
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Kuen-Jin Chen
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498507 7618twf.doc/〇〇6 A7 B7 五、發明說明(/ ) 本發明是有關於一種多晶片封裝模組,且特別是有 關於一種將多個晶片置放於凹穴內之多晶片封裝模組。 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 近年來,隨著電子技術的日新月異,高科技電子產 品也相繼問世,因而更人性化、功能性更佳之電子產品不 斷推陳佈新,然而各種產品無不朝向輕、薄、短、小的趨 勢設計,以提供更便利舒適的使用。因此,就半導體封裝 的領域而言’許多封裝的形式均是利用多晶片封裝的槪念 來設計其封裝架構,以縮減整體電路體積的大小,並提高 電性效目匕’其中多晶片模組(Multi-Chip Module,MCM)便 是常見到的應用,比如可以利用多晶片模組的方式來製作 記憶卡(Memory Card),如此記憶卡的的記憶容量便可以 大幅的增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 請參照第1圖,其繪示習知多晶片模組之剖面示意 圖。一多晶片模組100包括一基板11〇、多個晶片12〇、 多個導線130、一封裝材料14〇,其中基板11〇具有一基 板表面112,而基板11〇還具有多個晶片座114及多個接 點116,晶片座114及接點116均位於基板表面in上, 且接點116配置在晶片座114周圍的區域。晶片丨2〇具有 一主動表面122及對應之一背面124,並且晶片12〇還具 有多個焊墊126,配置於主動表面122上的週邊區域,而 晶片120係以其背面124貼附於基板11〇之晶片座114上。 透過導線130可以使晶片12〇之焊墊126與基板丨1〇之接 點116相互間電性連接,而封裝材料14〇包覆晶片12〇、 導線130及基板表面112。 498507 7618twf.doc/006 A7 ___B7 五、發明說明(乙) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述的多晶片模組100中,係將多個晶片120僅 配置在基板110的一表面,然而此種形式的多晶片模組100 之水平截面積過大,並且基板丨1〇的圖案電路(未繪示)必 須集中於靠近基板表面112的一側,因此會有圖案電路空 間不足的情況發生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲解決上述問題,便發展另一種形式之多晶片模 組’如第2圖所示,其繪示習知另一多晶片模組之剖面示 思圖。一多晶片模組2〇〇包括一基板210、一第一晶片220、 一第二晶片230、多個第一導線240、多個第二導線250、 一封裝材料260。基板210具有一基板表面212及對應之 一基板背面214,而基板210還具有多個晶片座216a、216b 及多個接點218a、218b,其中晶片座216a及接點218a係 位於基板表面212上,晶片座216b及接點218b係位於基 板背面214上,而接點218a、218b分別配置在晶片座216a、 216b周圍的區域。第一晶片220具有一第一主動表面222 及對應之一第一背面224,並且第一晶片220還具有多個 第一焊墊226,配置於第一主動表面222上的週邊區域, 而第一晶片220係以其第一背面224貼附於基板210之晶 片座214a上。第二晶片230具有一第二主動表面232及 對應之一第二背面234,並且第二晶片230還具有多個第 二焊墊236,配置於第二主動表面232上的週邊區域,而 第二晶片230係以其第二背面234貼附於基板210之晶片 座214b上。透過第一導線240可以使第一晶片220之第 一焊墊226與基板210之接點218a相互間電性連接,而 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 498507 7618twf.doc/006 A7 B7 五、發明說明(> ) 透過第二導線250可以使第二晶片230之第二焊墊236與 基板210之接點218b相互間電性連接。封裝材料260包 覆第一晶片220、第二晶片230、第一導線240、第二導線 240、基板表面212及基板背面214。 上述的多晶片模組200,係將第一晶片220及第二 晶片230分別配置於基板210的兩面,會造成多晶片模組 200的厚度過厚。 因此本發明的目的就是在提供一種多晶片模組,可 以縮減其多晶片模組的厚度,同時可以使基板內圖案化線 路結構平均地配置在基板內部,如此形式的基板較易設 計,且成本亦較低。 爲達成本發明之上述和其他目的,提出一種多晶片 封裝模組,可適用在一記憶卡的構裝上,其至少包括:一 基板,此基板具有多個凹穴。多個晶片,每一晶片具有一 主動表面及對應之一背面,每一晶片分別以其背面貼附於 基板之對應的凹穴內,其中每一凹穴的截面積大於對應之 晶片的截面積。多個導線,每一導線之一端連接至晶片之 —,而每一導線之另一端連接至基板。以及一封裝材料, 包覆晶片及導線。依照本發明的一較等、實施例,其中凹穴 可以位在基板之一表面上或者位在基板之兩面。另外,多 晶片封裝模組還包括至少一被動元件,被動元件貼附於基 板上,並與基板電性連接,而封裝材料還包覆被動元件。 除了上述的多晶片封裝模組之形式,爲達成本發明 之目的,還提出另一種多晶片封裝模組,其可適用在一記 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 意 事 項 再癱 填· |裝 頁I 一 I I I I I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 498507 7 6 18 twf . doc/ 0 0 6 A7 B7 五、發明說明(V) 憶卡的構裝上,多晶片封裝模組至少包括:一基板,此基 板具有多個貫孔,貫穿基板。多個墊片,每一墊片分別位 於基板對應於貫孔的位置,使得每一貫孔之一側被封住。 多個晶片,每一晶片具有一主動表面及對應之一背面,每 一晶片分別以其背面貼附於對應之墊片上,其中每一貫孔 的截面積大於對應之晶片的截面積。多個導線,每一導線 之一端連接至晶片之一,而每一導線之另一端連接至基 板。以及一封裝材料,包覆晶片及導線。依照本發明的一 較佳實施例,其中墊片分別位在基板之兩面,而墊片的材 質係爲金屬。另外,多晶片封裝模組還包括至少一被動元 件,被動元件貼附於基板上,並與基板電性連接,而封裝 材料還包覆被動元件。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作 詳細說明如下: 圖式之簡單說明: 第1圖繪示習知多晶片模組之剖面示意圖。 第2圖繪示習知另一多晶片模組之剖面示意圖。 第3圖繪示依照本發明第一較佳實施例之一種多晶 片模組剖面示意、圖。 第4圖繪示依照本發明第二較佳實施例之一種多晶 片模組剖面示意圖。 弟5圖繪不依照本發明第二較佳實施例之一種多晶 片模組剖面示意圖.。 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 498507 7618twf.doc/006 A7 B7 五、發明說明(5 ) 第6圖繪示依照本發明第四較佳實施例之一種多晶 片模組剖面示意圖。 圖式之標示說明: 100、200、300、400、500、600 :多晶片模組 110、210、310、610 :基板 312a、312b、312c、312d :金屬圖案畫線路層 314a、314b、314c :絕緣層 112、212 :基板表面 214 :.基板背面 316、416、516、612:第一基板表面 318、418、518、614 :第二基板表面 320、420 :第一凹穴 322、422 :第二凹穴 114、216a、216b :晶片座 116、218a、218b :接點 620 :第一接點 • 622 :第二接點 616 :第一貫孔 618 :第二貫孔 120 :晶片 122 :主動表面 124 :背面 126 :焊墊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I裝--------訂---------線I 498507 7618twf.doc/006 A7 _B7_ 五、發明說明(έ ) 220、330、630 :第一晶片 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 222、332、632 :第一主動表面 224、334、634 :第一背面 226、336、636 ·•第一焊墊 230、340、640 :第二晶片 232、342、642 :第二主動表面 234、344、644 :第二背面 236、346、646 :第二焊墊 130 ·•導線 240、350、650 :第一導線 250、360、660 :第二導線 140、260、370、570、670 :封裝材料 580 :被動元件 680 :第一墊片 690 ··第二墊片 實施例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 請參照第3圖,其繪示依照本發明第一較佳實施例 之一種多晶片模組剖面示意圖。多晶片模組300可適用在 一記憶卡的構裝上,其包括一基板310、一第一晶片330、 一第二晶片340、多個第一導線350、多個第二導線360、 一封裝材料370。基板310可以是四層板的形式,係由四 層金屬圖案畫線路層312a、312b、312c、312d及三層絕 緣層314a、314b、314c交互疊合而成,並且基板310具 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 498507
7618twf .doc/006 JYJ B7 五、發明說明(y) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有第一基板表面316及對應之第二基板表面318,而基板 還具有至少一第一凹穴320及至少一第二凹穴322,第一 凹穴係位於第一基板表面318,而第二凹穴322係位於第 二基板表面320,其中基板310的製作方式可以是以熱壓 合(1 ami na t i ng)的方式製作或是以增層法(bui 11 - up)的方 式製作。第一晶片330具有一第一主動表面332及對應之 一第一背面334,並且第一晶片330還具有多個第一焊墊 336,配置於第一主動表面332上的週邊區域,而第一晶 片330係以其第一背面334貼附於基板310之第一凹穴320 內。第二晶片340具有一第二主動表面342及對應之一第 二背面344,並且第二晶片340還具有多個第二焊墊346, 配置於第二主動表面342上的週邊區域,而第二晶片340 係以其第二背面344貼附於基板310之第二凹穴322內, 其中第一凹穴320的水平截面積大於第一晶片330之水平 截面積,而第二凹穴322的水平截面積大於第二晶片340 之水平截面積。另外,第一導線350之一端連接至第一晶 片330之第一焊墊336上,另一端連接至基板310的電性 接點上。第二導線360之一端連接至第二晶片340之第二 焊墊346上,另一端連接至基板310的電性接點上。此外’ 封裝材料370包覆第一晶片330、第二晶片340、第一導 線350及第二導線36〇。 在上述的多晶片模組300中,由於第一晶片330及 第二晶片340係分別配置於基板310之第一凹穴320及第 二凹穴322內,因此可以縮減整個多晶片模組300之厚度。 9 ------- - _ _____ _ ―― 本紙張尺度適財國國家標準(CNS)A4規格⑵G x 297公髮) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 498507 ^6l8twf.doc/006 A7 — _B7---一 五、發明說明(S ) 另外,由於第一晶片330係透過第一導線350電性連接至 基板310的第一基板表面316,而第二晶片340係透過第 二導線360電性連接至基板310的第二基板表面318 ’因 此基板310內圖案化線路結構可以平均地配置在靠近第一 基板表面316及第二基板表面318的位置,如此形式的基 板310較易設計,且成本較低。 在上述的第一較佳實施例中,第一凹穴及第二凹穴 分別位在第一基板表面及第二基板表面上互爲相對的位 置,然而本發明的應用並非侷限於上述的方式,亦可以是 其他的方式,如第4圖所示,其繪示依照本發明第二較佳 實施例之一種多晶片模組剖面示意圖。第一凹穴420及第 二凹穴422分別位在第一基板表面416及第二基板表面418 上非相對的位置,然而此種多晶片模組400結構之水平截 面積會比較大。 另外,本發明亦可以與被動元件結合使用,如第5 圖所示’其繪示依照本發明第三較佳實施例之一種多晶片 模組剖面示意圖。多晶片模組500還包括多個被動元件 580 ’分別配置在第一基板表面516及第二基板表面518, 而封裝材料570還包覆被動元件580。 此外,本發明之多晶片模組亦可以是如第6圖所示 的結構’而第6圖係繪示依照本發明第四較佳實施例之一 種多晶片模組剖面示意圖。多晶片模組6〇〇具有一基板 610、一第一墊片680、一第二墊片690、一第一晶片630、 一第二晶片640、多個第一導線650、多個第二導線660 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公髮) -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 76l8twf.d〇c/〇〇6 A7 B7 五、發明說明(9 ) 及一封裝材料670。基板610具有一第一基板表面612及 對應之一第二基板表面614,而基板610還具有一第一貫 孔616、一第二貫孔618、多個第一接點620及多個第二 接點622,其中第一貫孔616及第二貫孔618貫穿基板, 而桌一接點620係位於第一基板表面612上靠近第一貫孔 616週邊的區域,第二接點622係位於第二基板表面614 上靠近第二貫孔618週邊的區域。第一墊片680貼附於第 二基板表面614上對應於第一貫孔616的位置,使得第一 塾片680可以密封住第一貫孔616靠近第二基板表面614 之一端;而第二墊片690位於第一基板表面612上對應於 第二貫孔618的位置,使得第二墊片690可以密封住第二 貫孔618靠近第一基板表面612的一端,而第一墊片680 及第二墊片690之材質可以是金屬。第一晶片630具有一 第一主動表面632及對應之一第一背面634,並且第一晶 片630還具有多個第一焊墊636,配置於第一主動表面632 上的週邊區域,而第一晶片630係以其第一背面634貼附 於第一墊片680上。第二晶片640具有一第二主動表面642 及對應之一第二背面644,並且第二晶片640還具有多個 第二焊墊646,配置於第二主動表面642上的週邊區域, 而第二晶片640係以其第二背面644貼附於第二墊片690 上,其中第一貫孔616之水平截面積大於第一晶片630之 水平截面積,而第二貫孔618之水平截面積大於第二晶片 640之水平截面積。第一導線650之一端電性連接至第一 焊墊636,而另一端連接至基板610之第一接點620。第 b氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝--------訂---------線| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 498507 A7
7 618 twf . doc /0 〇I 五、發明說明(⑺) 二導線660之〜端電性連接至第二焊墊646,而另一端連 接至基板610之第二接點622。封裝材料67〇包覆第一晶 片630、第二晶片640、第一導線650及第二導線660。 綜上所述,本發明至少具有下列優點: 1·本發明之多晶片封裝模組,由於第一晶片及第二 晶片係分別配置於基板之第—凹穴及第二凹穴內,因此可 以縮減整個多晶片模組之厚度。 2·本發明之多晶片封裝模組,由於第一晶片係透過 第一導線電性連接至基板的第一基板表面,而第二晶片係 透過第二導線電性連接至基板的第二基板表面,因此基板 內圖案化^線路結構可以平均地配置在靠近第一基板表面及 第二基板表面的位置,如此形式的基板較易設計,且成本 較低。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非 用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之 精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 7 6 1 8 t
    申凊專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 *種多晶片封裝模組,可適用在一記憶卡的構裝 上,其至少包括: 基板,該基板具有複數個凹穴,其中該些凹穴位 在該基板之兩面; 之一背複數^晶片,每—該些晶片具有一主動表面及對應 面’每〜該些晶片分別以其該些背面貼附於該基板 之對應的該些凹穴內; 之一,複^個導線,每—該些導線之一端連接至該些晶片 而,〜該些導線之另—端連接至該基板;以及 一封裝材料,包覆該些晶片及該些導線。 2·如申請專利範圍第丨項所述之多晶片封裝模組, 堪包括至少〜址甜^如 被動兀件,該被動元件貼附於該基板上,並 、^土板電性連接,而該封裝材料還包覆該被動元件。 3· 一種多晶片封裝模組,至少包括: 基板,該基板具有複數個貫孔,貫穿該基板; 琴此#複數個墊片,每一該些墊片分別位於該基板對應於 口Χ〜貝^的位置,而封住每一該些貫孔之一側; 之複數個晶片,每一該些晶片具有一主動表面及對應 面’每〜該些晶片分別以其該些背面貼附於對應之 0雙塾片上; 之一複^個導線,每一該些導線之一端連接至該些晶片 ’而每一該些導線之另一端連接至該基板;以及 〜封裝材料,包覆該些晶片及該些導線。 4·如申請專利範圍第3項所述之多晶片封裝模組,
    本紙 請 先 閱 讀 背 意 事 項
    頁 I 訂 線 _ (eNS)A4 規格(210 x 297 公釐 498507 A8 B8 7618twf.doc/006 C8 D8 六、申請專利範圍 其中該些墊片分別位在該基板之兩面。 5. 如申請專利範圍第3項所述之多晶片封裝模組, 其中該些墊片的材質係爲金屬。 6. 如申請專利範圍第3項所述之多晶片封裝模組, 還包括至少一被動元件,該被動元件貼附於該基板上,並 與該基板電性連接,而該封裝材料還包覆該被動元件。 ------------裝--------訂--丨丨丨—! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI387068B (zh) * 2009-04-15 2013-02-21 Chipmos Technoligies Inc 凹穴晶片封裝結構及使用凹穴晶片封裝結構之層疊封裝結構

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TWI387068B (zh) * 2009-04-15 2013-02-21 Chipmos Technoligies Inc 凹穴晶片封裝結構及使用凹穴晶片封裝結構之層疊封裝結構

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