TW496950B - IR radiation sensing with SiC - Google Patents

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496950 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _____B7 _五、發明說明（1) 本發明背景 本發明領域 本發明有關使用碳化矽供作紅外線輻射感測與阻抗控 制。 相關技藝說明 於例如量測紅外線雷射之功率或能量輸出之應用，紅 外線輻射現行爲以焦熱電、輻射熱測定器與熱量計等偵測 器作感測〇 —般言，焦熱電與輻射熱測定器等偵測器使用 直接吸收紅外線之材料；焦熱電材料包括鈮酸鋰與鈮酸鉅 ;輻射熱測定器材料包括矽、鍺、砷化鎵、金氧陶瓷熱阻 器及各種玻璃。一般言，熱量計偵測器使用之材料必須塗 覆具紅外線敏感性之吸收塗層〇紅外線感測偵測器之性能 受紅外線感測器材料在不損害下吸收能量之容量所限制； 其限制該感測器用之最大能量/功率强度、最大暴露時間 與最小體積與面積〇所有焦熱電、輻射熱測定器與熱量計 之材料具有有限之熱衝擊容許量〇 現行使用直接吸收紅外線輻射之材料若太熱（大於約 4〇〇°C)時，或者若感測器溫度增加太快時，容易受損害 。爲感測中與高功率紅外線雷射之功率或能量輸出，現行 材料只暴露於一少量之輸出紅外線能量，其藉由將一裂束 器或分散介質挿入雷射與感測器之間◦然而，此造成功率 或能量量測之估計値降低〇再者，對於中與高功率紅外線 來源目前可獲得之感測器需要風扇或水冷卻，且遭遇校準 漂移之問題〇 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A7 B7 五、發明說明（2) 紅外線輻射敏感性材料之一相關應用爲感測紅外線輻 射所加熱其他材料之溫度。譬如，半導體工業廣泛使用之 快速熱退火（RT A )程序，使用高强度紅外線燈以每秒攝氏 數百度升高半導體晶圓（主要爲矽）之溫度〇目前爲以或 者光學或者高溫計或者直接接觸熱偶作遙測作晶圓溫度監 視0 高溫計之量測晶圓溫度爲藉由吸收從晶圓表面發出經 RTA加工室壁上一透明視埠之輻射〇 此種溫度感測之限制 爲需要知道所觀察晶圓表面之準確發射率，需要防止晶圓 表面與視埠間之微粒子或分散氣體或於視埠或晶圓表面上 之任何沈積，及需要防止晶圓表面之任何變化例如汚染或 化學反應或紋理變化〇 熱偶量測晶圓溫度爲藉由接觸其表面〇此一處理方式 之主要問題爲熱偶須被圍住以防止其與晶圓間之反應，熱 偶與晶圓之接觸爲非常難以確定，因爲晶圓爲以約每分 1 2 00轉旋轉以確保均匀之處理程序，且熱偶接觸晶圓會實 際改變局部之溫度〇 現行用於紅外線輻射功率與能量感測之材料理論上亦 可用作溫度感測器，但其等無法於通常所需之環境或溫度 下不損壞，尤其溫度可達1300 °C之RTA處理〇 本發明綜沭 本發明對紅外線輻射感測提供一獨特處理方式，其可 應用於紅外線功率與能量感測，熱感測，及紅外線控制變 阻器。該新紅外線輻射感測器由碳化矽構成，最好爲單晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -5- ··---.----訂---------線{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .零 496950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3) 構造〇 —碳化矽本體接收紅外線輻射，同時一電路施加一 電信號至該碳化矽本體，藉由對電信號回應之變化來回應 該輻射。當用作紅外線能量及/或功率感測器時，或者一 固定電流或者一固定電壓施加於接收紅外線輻射之該碳化 矽本體，而一輸出電路提供入射於碳化矽本體上紅外線能 量及/或功率之指示，其爲該本體阻抗之函數〇 本發明亦可用以感測一試體之溫度，例如於RTA加工 室之晶圓〇於此一應用中，該碳化矽本體放置爲使其相對 於該試體所接收紅外線輻射强度爲已知〇作爲紅外線能量 /功率感測器時，一固定電流或電壓施加於該碳化矽本體 ，同時一輸出電路經校準以產生試體溫度之指示，其爲該 碳化矽阻抗之函數〇 本發明亦可用作一變阻器，其中一雷射將一控制之紅 外線射束導至一碳化矽本體上，後者納於一較大電路內； 該雷射協同該碳化矽本體作用爲一控制變阻器〇 純碳化矽之電阻正常具有一正溫度係數，由晶格直接 吸收紅外線能量所造成〇其溫度係數（TC )可藉由納入雜質 原子加以a調諧〃〇雜質原子可用以增加晶格紅外線能量 吸收帶〇紅外線能量可被電活性雜質原子（摻雜劑）吸收 ，其於室溫（無紅外線輻射）時爲不完全離子化。晶格或 雜質原子之直接紅外線能量吸收產生一正TC，而摻雜劑離 子化之吸收產生一負TC〇由於不同之吸收機構於不同之紅 外線波長下操作，使該碳化矽本體可被調諧以產生所要之 回應，其爲紅外線輻射波長之函數〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" -6-

496950 A7 ____B7_ 五、發明說明（5) 視圖； 圖4爲本發明於RTA程序被用作溫度感測器之一簡化 示意圖； 圖5爲新紅外線感測器之支承構造之透視圖； 圖6爲圖5所示支承構造之透視圖，具有一紅外線感 測器及引線於定位上； 圖7爲圖6所示構造之透視圖，具有露出該紅外線感 測器之包封； 圖8爲圖6之紅外線感測器之透視圖，具有一替代性 之保護構造；而 圖9爲本發明之變阻器應用之方塊圖〇 本發明詳沭 本發明使用碳化矽作爲紅外線輻射感測器，其應用包 括感測紅外線輻射來源例如雷射發出之紅外線功率或能量 ，非接觸式感測被紅外線輻射加熱之其他物體之溫度，及 電路用之控制變阻器〇碳化矽已知具有隨溫度變化之電阻 抗。舉例言之，見 Spitzer 等之"Infrared Properties of Hexagonal Silicon Carbiden » PhysicalReview > 第113 卷第 1 期（ 1 959年）；以及 W.J. Choyke 之"Optical and Electronic Properties of SiC’1，包括於 nThe Physics and Chemistry of Carbides , Nitrides andBorides"， NATO ASI系列，1 989年9月18-22日〇然而，碳化矽以前未 被提及用於感測紅外線輻射；其溫度性質經加熱量測，其 或以直接接觸或以電流通過〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項

頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6) 以碳化矽作紅外線感測之達成爲藉由晶格原子或電惰 性雜質原子之直接吸收，或藉由不完全離子化、電活性（ 摻雜劑）離子化之直接吸收◦其中佔優勢之特定機構視紅 外線輻射波長而定〇晶格與電惰性雜質原子吸收之紅外線 輻射直接轉換成熱能；此種吸收使感測器材料之阻抗增加 〇不完全離子化、電活性雜質離子化吸收之紅外線輻射， 使碳化矽之阻抗下降。如此，碳化矽之回應可A調諧〃成 紅外線輻射波長之函數， 以達成所要之阻抗對溫度係數 (RTC )〇 雖然本發明可由複晶之碳化矽施行，然單晶構造 爲較佳，因爲沒有會引起材料溫度回應漂移之晶粒邊界〇 出現於複晶碳化矽內之晶粒邊界會隨時間累積雜質並改變 材料之RTC 〇 碳化矽之紅外線輻射應用中分別爲圖1與2所例示之射 束能量與功率感測◦此一應用可用以譬如感測紅外線雷射 射束或紅外線燈聚焦輻射之能量或功率〇碳化矽特別有利 於此等應用，因爲其可吸收非常短時期非常高之能量劑量 而不損壞。如此，其可用於中功率（功率介於1〇瓦至300 瓦範圍）與許多高功率（功率超過瓦）紅外線雷射所 發出能量之能量/功率感測，而碳化矽感測表面暴露於整 個輸出能量，無需風扇或水冷卻，承受溫度超過1 3 0 0 °C 〇 相對於現行採用者，碳化矽之超高功率密度處理能力容許 對一已知功率使用較小體積之碳化矽感測器元件；再者， 較小尺寸之碳化矽感測器元件有助於吸收雷射脈衝後較用 以感測紅外線輻射之其他材料更快速地自行冷卻0再者， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公

496950 A7 ________ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7) 碳化矽之高導熱性對所吸收能量提供快速地分佈於整個感 測器體積上，其大爲減少感測器元件之容易遭受之熱衝擊 損害（由於當當感測器元件一小面積暴露於高能量雷射射 束時會引發大的側向溫度梯度）〇碳化矽之低壓電係數（ 相對於焦熱電材料），結合其高導熱性（於室溫下高於銅 )，抑制感測器受聚焦雷射脈衝下大壓電信號之產生〇 — 般言，碳化矽有利之熱衝擊容許量容許其吸收含有高能量 之雷射脈衝，並於一小體積與面積之感測器內使用，供相 當長時間暴露於高能量/功率强度之紅外線輻射〇 碳化矽可經摻雜以產生一高度穩定與可再生之RTC ， 其不會使校準漂移，尤其是單晶碳化矽〇重複暴露於集中 劑量之紅外線輻射不會改變該感測器之性質〇再者，由於 其聲子頻譜與雜質離子化能量，碳化矽可直接吸收許多重 要之紅外線波長，達25微米〇當用於偵測大於約2 . 5微米 之波長時，此使其不需使用實際上所有紅外線輻射偵測器 會使用之紅外線敏感性吸收塗層〇 圖1例示使用碳化矽作爲紅外線輻射能量感測器〇 — 紅外線輻射來源例如雷射2發射於一特定波帶（於本文定 義爲包括單一波長）之紅外線射束4 〇 —碳化矽感測器本 體6放置於該射束路徑，最好接收整個射束◦ 一固定電壓 源8施加一固定電壓跨於碳化矽上，同時一電流感測器1 〇 感測所形成經過碳化矽之電流〇 碳化矽回應紅外線輻射之溫度變化，及其造成之阻抗 變化，視輻射波長、强度與暴露時間而定0由於對一已知 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) — 10 —

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A7 B7 五、發明說明（8) 攙雜位準，碳化矽溫度與其阻抗之間有一固定關係，碳化 矽溫度可以電流計1 ϋ所感測流經電流之函數被感測。碳化 矽所吸收之紅外線輻射能量與其溫度之間亦有一直接對應 0因此，碳化矽之電流回應將與紅外線射束能量成一對一 關係變化。對碳化矽之KTC校準該電流計1 0，又消除任何 電流感應之加熱效應，如此容許直接讀出紅外線射束能量 〇 替代如圖1施加一固定電壓而感測所形成之碳化矽電 流，可施加一固定電流，而於輸出電路感測碳化矽電壓而 非其電流回應〇 此例示於圖2，其設計以感測紅外線射束 功率而非其能量〇 —固定電流源1 2施加一固定電流至該碳 化矽，而一差電壓感測器1 4連接跨於碳化矽本體。差電壓 感測器1 4偵測碳化矽阻抗及而其溫度之瞬間變化率〇此提 供紅外線射束4之瞬間功率之直接指示〇 碳化矽感測器最好懸吊於一罩殼內，使其儘可能熱隔 離〇 此例示於圖3，其中該罩殼壁以參考號碼1 6指示〇 — 碳化矽晶片18具有導電性觸點電極墊20a與2 Ob於其相對端 ，而引線2 2 a與2 2 b導電與機械式連接至該碳化矽晶片總成 ，其藉由各自之夾24a與24b，例如鱷魚夾，或藉由焊接或 該夾可安裝於其上之電接觸挿銷。引線22a，22b附著於室 壁，以懸吊碳化矽晶片於定位，並亦提供對該晶片之電通 路，同時將之與室外部有效地熱隔離。以接觸夾懸吊對較 低溫度範圍特別有用，例如中功率雷射所承受者，其一般 不超過約500 °C 〇 夾電極墊20a , 20b必要時可不用，而各 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） "" -11- .• — — l· — — — — ^« — — — — — — 1— (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A7 B7 五、發明說明（9) 夾直接連接到該夾之相對端。 圖4再例示碳化矽暴露於紅外線輻射之系統，但此次 目的爲感測一鄰近試體之溫度。該圖表示一簡化、不依比 例之KTA室26 〇 本發明用以感測一典型爲矽之半導體晶圓 28之溫度，其於一紅外線燈30之輻射影響下進行快速之熱 漂移〇 —具有金屬化觸點34 a，34 b於其相對端之碳化矽晶 片3 2放置於晶圓28之相同工作平台36，或於某些其他位置 其所接收紅外線輻射强度爲與晶圓所接收者成一已知比例 〇 從電壓源40之一固定電壓施加跨於觸點34 a與34b，對· 碳化矽本體3 2產生電流，其變化爲碳化矽阻抗之函數，轉 而反映碳化矽之溫度。該電流流量，及而該碳化矽溫度， 由一電流計42所感測〇替代言，可使用一固定電流源，而 感測碳化矽電壓〇 一旦該碳化矽本體對紅外線輻射之溫度回應經對半導 體晶圓28校準，該碳化矽本體可以非接觸方式暴露於相同 紅外線來源用以感測該晶圓之溫度，只要其與該來源之距 離相對於該晶圓保持固定。該校準可包括消除從紅外線來 源到晶圓與到碳化矽晶片距離間任何差異造成碳化矽晶片 與晶圓間紅外線輻射强度差異結果所需之任何調整〇然後 該碳化矽可用以感測置於相同支承平台36上類似晶圓之溫 度，而該電流計42經校準以提供晶圓溫度之指示。此容許 對紅外線燈30之供給能量作控制，以確保晶圓溫度遵循所 要輪廓〇 該控制機構例示於圖4，由電流計42之輸出供給 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- (請先閱讀背面之注意事項本頁)

訂------— I 496950 A7 B7 五、發明說明（10) 晶圓溫度指示至一控制電路44，其轉而控制紅外線燈30之 供給能量信號，使所發射之紅外線輻射將該晶圓保持爲沿 所要溫度輪廓〇 圖5所示爲碳化矽晶片32之較佳安裝構造，其於一極 廣泛溫度範圍上將該晶片固定握持於定位，典型爲1 , 3〇〇 °C或更高〇 —A1N小片46作用爲安裝機構之底質〇碳化矽 晶片用之導電性安裝層於底質46上作成圖案爲一對安裝元 件48a與48b，各供碳化矽晶片之一觸點使用〇各安裝元件 可由鎢（W)、WC或W2C之厚或薄膜層所組成〇其等於上覆之 碳化矽晶片與底質電極墊50a、50b間提供一電流路徑，後 者分別從各安裝元件48^及48b側向偏移並與之接觸〇各安 裝元件附著於該A1N小片46，並對碳化矽晶片觸點提供一 接合接觸〇 W、WC與W2C藉由附著至A1N底質46滿足此一需 求〇 其等可以正確之化學計量施加於A1N小片之表面，藉 由許多不同之蒸汽相沈積技術之任一者，例如RF/ DC噴濺 、RF/ DC共同噴濺、電子束蒸發、與化學蒸發沈積〇其等 所施加之A1N底質表面須作成粗糙，使該附著之發生爲物 理性接合，而非化學性接合〇該膜層密度可被增加，而晶 粒邊界被熱退火所減少，其爲於80CTC至1,400°C之範圍並 於眞空或惰性大氣例如Αι·或N2之內，而密度與晶粒成長爲. 爲視於一特定溫度所花時間而定。 若要增加安裝元件之剖面積，金屬化層52a、52b可沉 積下方之W、 WC或W2C膜層54a、54b上，以保護下方各層 5 4 a、5 4 b免於腐蝕，及/或增進對碳化矽晶片觸點之接合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 一 -13- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 寫夫 訂------：--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A7 -- - B7______ 五、發明說明（I3) ，例示爲變阻器6 6所連接之次電路6 8與7 0 〇 —雷射7 2將紅 外線射束74導至碳化矽本體上，其波長爲該變阻器66具敏 感性者，並由一控制電路76所管制〇使用被變阻器66內晶 格原子及/或雜質原子直接吸收之紅外線輻射波長（或波 長範圍），則當該雷射操作時，該變阻器之阻抗成指數增 加。此一特性可被使用以譬如於緊急狀況時關閉電流流量 ，或作爲一開關將一電子設備開啓及關閉，其爲施加於控 制電路76之某些其他參數之函數。如此，變阻器對次電路 6 8與7 0之電信號之回應於導電與不導電之間變化，其爲入 射紅外線輻射之函數〇 碳化矽於此一變阻器應用之優點爲其可整體電路之低 阻抗部份，其可處理極高電流，因爲其本質上之高功率能 力。取代被限制於ON/OFF開關，變阻器66可以其他方式控 制整體電路之功能，其藉由在準確控制之紅外線雷射影響 下操作以提供中間之阻抗位準◦ 雖然本發明許多具體形式業經顯示並說明，對業界技 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) βιιιιιιι — ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本 , 此 因 ο 式 ο 形目 體項 具之 代圍 替範 與利 化專 變請 之申 多附 許所 現於 出限 將受 員只 人期 練預 熟明 術發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) -16-

Claims (1)

1. 496950 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 1 · 一紅外線輻射控制電路，包含： 一碳化矽紅外線吸收劑本體（6 )，暴露以接收紅外 線輻射（4 )，及 一電路（8 , 1 2 )，連接以施加一電信號至所述碳化矽 本體， 所述碳化矽本體藉由對所述電信號回應之變化以回 應入射之紅外線輻射〇 2 ·如申請專利範圍第1項之紅外線輻射控制電路，所 述碳化矽本體包含單晶之碳化矽〇 3 ·如申請專利範圍第1項之紅外線輻射控制電路，其 中所述碳化矽本體包括第I I I類組或第V類組之摻雜劑〇 4 .如申請專利範圍第1項之紅外線輻射控制電路，其 中所述電路施加一固定電流（1 2 )或一固定電壓（8 )至所述 碳化矽本體，並包括一輸出電路（14, 10)，其提供入射於 所述碳化矽本體上之紅外線能量及/或功率之指示，其爲 碳化矽本體阻抗之函數〇 5 .如申請專利範圍第1項之紅外線輻射控制電路，其 中所述碳化矽本體放置爲使其暴露於紅外線輻射相對於所 要量測溫度之試體（28 )所接收紅外線輻射位準爲已知，而 所述電路施加一固定電流或一固定電壓至所述碳化矽本體 ，並包括一輸出電路（42)，其產生該試體溫度之指示，其 爲碳化矽本體之阻抗之函數0 6 .如申請專利範圍第1項之紅外線輻射控制電路，其 進一步包含一雷射（7 2 )，具有一控制之輸出（7 4 )，並被導 本紙張尺度適用中國國家標準(⑽織格(2詞7衝 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項

   頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A8 B8 C8 _, D8 六、申請專利範圍 述電路包括引線（22a , 22b)，其連接以與所述碳化矽本體 連通電信號，並機械式懸吊之〇 1 9 · 一種紅外線輻射功率或能量之感測器，包含·· 一碳化矽本體（6 )，露出以接收紅外線輻射（4 )， 一激發電路（8 , 1 2 )，配置爲施加或者一控制電壓或 者一控制電流至所述碳化矽本體，及 一輸出電路，於所述激發電路之控制電壓之情況， 包括對所述碳化矽本體之電流感測器（1 0 )，或於所述激發 電路之控制電流之情況，包括對所述碳化矽本體之電壓感 測器（14 )，所述輸出電路提供入射於所述碳化矽本體上於 所注意波帶內紅外線輻射功率或能量之指示〇 20 ·如申請專利範圍第19項之感測器，其進一步包含一 紅外線幅射源（2 )， 放置爲將紅外線輻射導至所述碳化矽 本體上，其中所述輸出電路提供所述紅外線源於所注意波 帶內發射之紅外線功率或能量之指示。 21 ·如申請專利範圍第20項之感測器，所述紅外線輻射 源包含一中或高功率雷射〇 22 ·如申請專利範圍第21項之感測器，其中所述雷射配 置爲將其大致整個輸出導引至所述碳化矽本體上0 23 ·如申請專利範圍第19項之感測器，其中所述碳化矽 本體爲經摻雜，使其回應於所述所注意波帶內之紅外線輻 射爲以攙雜位準所決定方式改變其阻抗。 24 . —種暴露於紅外線輻射下試體之非接觸式溫度感測 器，包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 2^72|孝） (請先閱讀背面之注意事項^^寫本頁) 訂------·—

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496950 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一碳化矽本體（32 )，放置爲使其暴露於紅外線輻射 (38 )相對於所要量測溫度之試體（28 )所接收紅外線輻射位 準爲已， 一激發電路（4ϋ )，連接以施加或者一控制電壓或者 一控制電流至所述碳化矽本體，及 一輸出電路，包括電流之感測器（42 )之爲所述於從 所述之激發電路之受控制之電壓或電壓計測計之情況碳化 矽本體爲所述碳化矽本體於從所述之激發電路之受控制電 流之情況，所述提供試體溫度之一指示之輸出電路作爲碳 化矽本體之阻抗之一種函數。於所述激發電路之控制電壓 之情況，包括對所述碳化矽本體之電流感測器（42 )，或於 所述激發電路之控制電流之情況，包括對所述碳化矽本體 之電壓感測器，所述輸出電路提供該試體溫度之指示，其 爲碳化矽本體阻抗之函數〇 25 ·如申請專利範圍第24項之溫度感測器，其中所述試 體包含一半導體， 且進一步包含一快速熱退火（ΚΤΑ )室 (2 6 )，其罩覆所述半導體與碳化矽本體，所述輸出電路提 供一信號以控制（44)所述KTΑ室之操作。 2 6 · —種紅外線輻射控制變阻器電路，包含·· 一操作電路（68,70)， 一碳化矽本體（66 )，包含於所述操作電路中，及 一可控制之紅外線來源（7 2 )，配置爲將紅外線輻射 (7 4 )導至所述碳化矽本體上，並控制其阻抗，藉而所述操 作電路之操作，其爲所述紅外線輻射特性之函數〇 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297 % ) '— -. · I I ! I 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項本頁)

   496950 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 27 ·如申請專利範圍第26項之變阻器電路，其中所述碳 化矽本體爲連接以作用爲所述操作電路在所述紅外線來源 控制下之一開關〇 28 ·如申請專利範圍第26項之變阻器電路，所述紅外線 來源包含發射於一包括所述碳化矽本體內阻抗變化之波帶 內紅外線輻射之雷射〇 2 9 · —種使用紅外線輻射之方法，包含： 施加一電信號至碳化矽本體（6 )，及 施加紅外線輻射（4 )至所述碳化矽本體以加熱所述 本體，藉此引發所述本體之阻抗變化，其控制本體對所述 電信號之回應〇 30 ·如申請專利範圍第29項之方法，其中所述施加之電 信號包含一電壓（8 )或電流（1 2 )信號，其於施加電壓信號 之情況，進一步包含感測所形成經碳化矽本體電流（1 ϋ )之 步驟，或於施加電流信號之情況，包含感測所形成跨經碳 化矽本體電壓U 4 )之步驟，以獲得所述紅外線輻射之能量 或功率之指示〇 31 .如申請專利範圍第29項之方法，其進一步包含步驟 爲暴露所述碳化矽本體與所要量測溫度試體（28 )至直接相 關之紅外線輻射位準，與感測碳化矽本體對所述電信號之 回應，其爲所述試體溫度之指示。 32 .如申請專利範圍第29項之方法，其中所述碳化矽本 體被連接成一電路（68,70)之變阻器（66)，其施加所述電 信號至該本體，與施加於所述本體之紅外線輻射之强度被 (請先閲讀背面之注意事項 ' · 11 本頁) Γ · * -n ^B·-· mmm§ t 1 l I ^ t mb· e·»· mb* mhb a··* 着

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 Μ2 496950 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 控制（7 6 ),以控制其阻抗，藉而所述電路之功能〇 33 ·如申請專利範圍第29項之方法，其中所述碳化矽本 體爲經摻雜，以調整其對紅外線輻射之頻譜回應〇 (請先閱讀背面之注意事 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 國 用 適 度 尺 張 紙 本 格 規 A4 S) N (C 準 97 2 — 1 I I I I 一一SJ·1111111. ，寫本頁)