TW496809B - Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck - Google Patents

Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck Download PDF

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Description

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五、發明說明() 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ryyjoyjy 本發明係關於用於固持一、 u狩工件 < 靜電夾盤,特別是關 於從靜電夾盤解除夾持工件之方法與設備。 發明背景: 靜屯夾盤在各種應用上係用於固持工件,範圍從在一 電腦緣圖冑固持-張紙到纟一"體製程系统中固持一 半導體晶片。雖然靜電夾盤依設計而改變,但其皆基於應 用一包壓至一或多個電極於夾盤致分別在工件及電極上 引發相反極性電荷。在該相反電荷間之靜電力拉引該工件 背離該夾盤,並因此維持該工件。 靜電夾盤之一典型問題係當要將該工件移出該夾盤 時,很難從該夾盤及工件移除電荷。一傳統解決方法係連 接該電極及夾盤至地面而排出電荷。另一種能目的性較快 速移除電荷之傳統解決方法係對該電極使用相反的直流 電極性。此種技術係描述在一具有雙電極(一偶極失盤)之 夾盤之Watanabe於1992年5月26日被授予之美國專利 第 5,117,121 號。 這些傳統移除電荷方法已知之一缺點係其無法完全 移除該電荷,使得一些靜電力仍殘存於工件與電荷之間。 此殘餘靜電力典型上需要使用機械力用以從該夾盤分離 出該工件。當該工件是一半導體晶片時,該所需之機械力 有時會損毁該晶片。甚至當該晶片未毀損時,機械性克服 該殘餘靜電力會因有時會導致該晶片彈出該夾盤到藉由 第2頁 本紙張尺度適用甲國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
496809 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明( 傳統晶片傳輸機難以收取之位置的困難。 為更精確降低殘餘於該工件與該夾盤間之該殘餘靜 電吸引力,最佳化解除夾持電壓之企圖,係藉由測量該夾 持晶片用以決定一最佳解除夾持電壓與解除夾持期間而 達成。解除夾持設備之一般所援引例子係由Birang等於 1995年10月丨7日被授予之美國專利第5,459,632號,以 及由Loo於1998年10月6日被授予之美國專利第 5,818,682 號。 然而,當連續製成多件工件時,這些夾持/解除失持 方法並铁法完全消除或補償夾盤的介電質極化以及逐漸 累積增加在夾盤表面的殘餘電荷。上述之殘餘電荷累積之 結果會逐漸增加解除每一後續工件夾持的困難。 因此,一種方法,施加一解除夾持訊號以補償當連續 處理多件工件時所逐漸累積於夾盤表面之電荷在業界係 極需要的。 發明概述: 本發明與設備藉由決定一施加之解除夾持訊號於靜 電夾盤而促使工件從其解除夾持,克服了迄今有關之先前 技藝之缺點。特別是’上述之方法至少包含如下步驟:決 定一基於儲存之第一殘餘吸引力度(attracti〇n f〇rce metde 之第一解除夹持訊號、施加該解除夾持訊號於該靜電夾 盤、以及在測量第二殘餘吸引力度時移去該第一工件。 此%除夾持工件之方法係在每一工件製程後完成,殘 ;-------------------訂---------il (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
五、發明說明() 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 餘電荷因此不會一件接著一件地累積於該靜電夾盤上。或 者是,在每一工件解除夹持後,將該夾持與解除夾持訊號 極性反轉,而減少電荷之累積。 凰簡鞏說明: 本發明所教示者能透過下述之發明詳細說明以及所 附之圖式而能很容易地理解,其中: 第1圖為一具有在製程時保持半導體晶片於其中之靜電夾 盤之半導體晶片製程系統之部分圖解的剖面圖; 第2圖為一第丨圖所描述該靜電夾盤旋轉於垂直位置之半 導體晶片製程系統之部分圖解的剖面圖;及 第3圖為描述本發明方法之一流程圖。 為增進理解,將儘可能對相同之元素使用相同之參考 數字。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
圖號對照說明: 100 半 導 體晶 片 製程 系統 .102 控 制 儀 器 104 直 流 電源 106 電 腦 108 半 導 體晶 片 110 共 平 面 電 極 1 12 介 電 質材 料 114 中 央 處 理 單位 116 傳 統 支援 電 路 118 記 憶 體 122 解 除 夾持 例 行程 序 124 離 子 束 126 提 升 系統 128 提 升 促 動 器 130 接 觸 棒 132 提 升 針 第4頁
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支撐平面 電荷減少步驟 真空室 靜電夾盤 通遒 感應器 感應器 次例行程序步輝 殘餘吸引力回饋步驟 離子產生器 背部氣源 量測元件 感應器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明詳細笔明: 第1圖是一半導體晶片製程系統丨〇〇之橫切面的圖 說明,例如,—離子植人系統。該系統至少包含—真而 160、一離子產生器162、一靜電夾盤164、一背部2 166 ’曰一提升系統126 ,以及控制電子儀器102。本發明 效地提供一快速(亦即小於2〇〇毫秒)之解除夾持工件( 如,一從該靜電夾盤移走的半導體晶片108)。雖然本發 係描迆在一示範性離子植入系統,但是本發明亦可普遍 用於其它靜電夾盤用於保持晶片於製程室内之半 片製程系統。 & 靜電夾盤164置於製程室160内。靜電夾盤164具 一對崁入於一介電質材料112内之共平面電極丨1〇,而 介電質材料係形成一支撐平面134,其上有靜電夾盤又 用以保持孩晶片1 〇8。上述之介電質材料u 2典型上係 陶瓷材料製成圓柱盤狀,該陶瓷材料諸如氮化鋁、氮 硼、摻雜氧化鈦或氧化鉻之礬土、或其它介電質材料。 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公爱)
MZV--------tr--------- (請先閱讀背面之注意亊項再填寫本頁)
496809 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 介電質材料112至少包含一通道168,其允許一熱傳送氣 體(諸如氦氣)從背部氣源166提供至於支撐表面134與晶 片1〇8之間的空隙,而促使熱傳送。上述之靜電夾盤164 更包含複數個穿透介電質材料112並選擇性接觸晶片ι〇8 的提升針132。上述之電極110典型上係一平盤或一層之 導電材料,諸如鉬。雖然此範例靜電夾盤1 6 4係以偶極型 式描述之,但熟知該項技藝知者從後續說明將認知,本發 明係可使用任何形式之靜電夾盤,至少包含單極靜電夾 盤、介電質夾盤、陶瓷夾盤、及其它諸如此類。 該提升系統1 2 6 —般包含一連接到一接觸棒1 3 〇之提 升促動器128。為從支撐表面134提升晶片1〇8,上述之 提升促動器128舉起接觸棒130以帶動支撐晶片ι〇8之上 述之提升針132,因而提升晶片108至支撐表面134之上。 控制迴路1 02包含一直流電源1 〇4,其係被電腦1 〇6 所控制。上述之直流電源於偶極夾盤之每一電極產生各種 正負電壓。一般而言,電腦1 06設定直流電源1 〇4之輸出 電壓值。控制迴路1 02更包含一量測元件1 70。量測元件 1 70係連接到一感應器1 72,其係監視從背部氣源丨66供 給至支撐表面1 3 4之氣體流量情形。上述之量測元件1 7 〇 提供下述更進一步討論之代表一殘餘力度的訊號給上述 之電腦106。替代地,一感應器174或一感應器176能連 接至量測元件170。感應器174係置於提升針132之一之 上,用以測量移走晶片1 08所須之力量。感應器1 76係測 量晶片1 0 8與靜電夾盤1 6 4之間之電容的改變。 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-n n n n n «^1 ϋ 一δ* β i I n n I β 496809 五、發明說明( 電腦1 06係一通用目的、可程式化之電腦系統,其包 含一中央處理單位(central pr〇eessing unit ; cpu )ii4, 其連接至傳統支援電路i 16,諸如一電源、快取記憶體、 尤隐te 计時迴路、及其它諸如此類。除此之外,上述之 CPU係連接至記憶體電路i丨8,諸如唯讀記憶體(read_〇niy memory ’· R0M)以及隨機存取記憶體(rand〇m access memory ’ RAM)。更進一步言,該Ram暫時儲存在晶片製 程時所使用之夾持電壓、夾持期間、以及殘餘吸引力度等 數值本發月之只施係依照一儲存於記憶體1 1 8作為解除 夾持例订耘序1 22之軟體程式。在執行上述之解除夾持例 行程序i22的程式之下,該電腦系統成為一用以控制直流 電源而解除該工件夾持之裝置,並且符合如下更進一步敘 述之解除夾持例行程序1 2 2之該操作步驟。 一經該電源施加一夾持電壓於電極11〇時,電荷從電 極110移轉至上述之介電t 112之支撑表面134 ’並且相 反電荷被誘Μ晶彳1()8之背面,使上述之晶片被固定 著’亦即,藉由產生的靜電吸引力而被夾持。該吸引力係 足以允許上述之靜電夾盤164從水平位置旋轉至垂直位 置,而無須晶片108橫過上述之靜電夾盤164之支撐表面 134。當如第2圖所描述在垂直位置時靜電夾盤i“係 在垂直面(如箭頭122所指)上移動…由離子產生器162 所產生而用以植入之離子纟124或其它離子源係水平掃 瞒’而晶片108垂直置放使其所有位置皆能暴露於離子 束0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-n I ϋ ϋ ϋ H II 一5,十· n fli a— n ϋ ϋ f I
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496809 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 第3圖係描述-說明解除夾持例行程彳122之流程 圖。為能對上述解除夹持例行程序122之有最佳的晚解, 鼓勵參考第!圖所描述之裝置以及第3圖之流程圖。 上述 < 解除夹持例行程序122至少—般包本一解除夾 持次例行程序步驟150、一殘餘吸引力回饋步^ 154,和 選擇性地包含-電荷減少步帮152。解除夹持例行步驟122 起始於步驟200並進行至解除夾持次例行步驟15〇。解除 夾持次例行程序15〇 —般係由—演算式所組成而用以決定 -解除夾持訊號,其中演算式參數—殘餘力度係透過歷史 或實際在解除夾持時測量殘餘力度而取得。如此,一些傳 統演算式能被修改而使用該殘餘力度,而能取得一精準解 除夾持訊號。解除夾持訊號增加之精準度能產生快速移去 工件之結果,而減少工件損毀之可能性 '一些可行之方法 能提供被步驟150執行而用在解除夾持的方法,其中一經 常被引用的一例係David Loo之獲准於1 998年1〇月6日 之美國專利第5,8 18,682號,其整個在此併為參考文獻。 其它用以決定和應用一解除夾持力之方法亦能有效使 用。 上述說明之次例行程序150起始於步驟2〇2。在步驟 202中,夾持電壓、夾持期間、以及殘餘夾持力度係取自 電腦系統之暫存器。就第一晶片,殘餘夾持力度典型上係 起始於零。替代的是’殘餘夾持力度能從記憶體丨丨8取回 在一預定或歷史數值。夾持電壓及夾持期間係進入暫存器 成為一預定值。在步驟204中,上述之例行程序計算解除 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I I n n n I ·1 · n ϋ ϋ H ϋ I I I
496809 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明() 夾持訊號。 一用於解除夾持訊號之說明之演算式係提供如下: Tpw = Tnom + Kp(Fdc-Fnom) 其中·’
Tpw係目前工件之解除失持訊號之期間;
Tnom係預期解除夾持訊號之期間。Tnom —般係解除 夾持電壓之函數(雖然在說明例中解除電壓可能改變,但 是它是固定在一預定程度); KP係一由實驗決定之常數; FN0M係需要去移走上述之目前晶片之預期殘餘力;及 FDC係需要移走先前晶片之測量所得之殘餘力度(或 其它歷史移走力度)。 讀者應知其他演算式亦能被運用而使用如此所述之 利用該殘餘力度而提供一解除夾持訊號。因此,上述所展 示之演算式僅僅是一種利用來自前解除夾持之解除夾持 訊號之解除夾持方法。 解除夫持電壓典型上係一工件(諸如一氧化物晶片)之 夾持電壓的負1.5倍。然而,解除夾持電壓能藉由一些可 供本技藝利用之解除夾持電壓最佳化方法的任一種而加 以計算。一 一般常引用之方法係描述在Birang等獲准於 1 995年10月17日之美國專利第5,459,632號,其整個在 此併為參考文獻。 一旦解除夾持訊號被計算出來,則例行程序丨5〇係進 行至步驟208。在步驟208,電腦系統送出一控制訊號(亦 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱 . — — — — — — — — « I I I I--I ·1111111« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 496809 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 "" B7 五、發明說明() 即解除夾持訊號)至直流電源而施予解除爽持電壓於一等 於解除電壓期間之期間。在此時,解除爽持製程係完成, 並且工件自然地從該靜電夾盤中移去。 在步驟154時,殘餘吸引力度係在步驟208中工件自 然地移去時取得,並且回饋至該電腦系統暫存器而用於步 驟202時取回。殘餘吸引力度之取得係透過各種本技藝之 已知方法,包含機械力測量、改變晶片與靜電夹盤之電 容、以及在晶片與靜電夾盤間之背氣源流量情形的變化。 例如 $被引用之方法係描述在C ο 11 i n s等獲准於1 9 9 7 年11月4日之美國專利第5,684,669號,其揭露殘餘吸引 力度之取得,係藉由使用一適合力閥之提升針,或監控背 氣流之變化。因此,任何導致殘餘吸引力度之偏移,例如 因在靜電夾盤表面電荷累積所致,皆能在解除夾持第一工 件時被偵測出,而用於更精準計算解除後續工件夬持之解 除夾持參數。例如,如果發現上述之殘餘力增加時,則一 解除夾持訊號之等量變化(亦即,在解除夾持電壓及/或解 除夾持訊號之增加)將用於下個晶片之解除夾持。因此, 在解除夾持需求改變所產生之殘餘吸引之變化,係於下個 晶片製程中分別在步驟204及208決定該解除夾持電壓及 期間時被補償。 為減少在上述之靜電夾盤之潛在電荷之累積,步驟 1 52之電荷減化例行程序應於每一晶片製程後實施之。因 此,在步驟2 1 0,該例行程序將詢問是否進行製程另一工 件。如果該詢問係否定回答時,則該例行程序將進行至步 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 0 amKam βϋ ·1 βϋ 1 I ϋ «I 1§ —Hi n · I 1 IB1 iai n ϋ n-t I n ϋ I an I flu 1 I t]_· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 496809 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 驟12而終止該解除夾持例行程序122 '然而,如果詢問 係肯定回答時,則該例行程序將進行至步騾2丨4。 為更進步改良該解除夾持製程,解除夾持電壓應於 每一晶片製程後反轉極性。反轉極性係有助於靜電夾盤之 介電材料避免極化及解除夾持之進行更困難。因而,在步 驟214中’將解除夾持電壓之極性反轉,並在步驟216中, 進行下一個晶片。藉由反轉極性,殘餘吸引力係維持在一 有限循環,其中吸引力強度將低於僅經過同極性解除夾持 包壓者。此係部分因為殘餘吸引力並未被重複提供會導致 累積電荷之相同極性之電壓。為解除下一個工件之夾持, 例行序返回至在步驟2 〇 2之解除夹持次例行程序1 2 2。 在一具體實施例中,所描述方法之使用係可以讓後續工件 被解除夾持時間小於約2 〇 〇毫秒。 本發明解說如上述之具體實施例揭露一包含一解除 夹持電壓以及一解除夾持期間之夾持訊號。另外,解除夾 持訊號可能單獨包含一解除夬持電壓。熟知該技藝者在閱 4過上述之揭露後可輕易對之加以變動及修改,然而本發 明之範圍並不僅侷限於以上所說明之實施例,以上所述之 修改及置換都不脫離本發明之精神範圍。 第11頁 本紙張尺度適 家標準(CNS)A4規格H挪公爱- -ϋ ϋ n n ϋ I ϋ ϋ ϋ n I · ϋ n 1 ϋ n I I « n I ϋ n ·1 1 ϋ I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 4968 0卜------------------------
    ABCD 第號專利案7/年V月修正 六、申請專利範圍 1. 一種用於解除一晶片夾持之設備,該設備至少包含: 一具有至少一崁入崁入電極的靜電夾盤; 一控制器; 一連接到該控制器及該至少一崁入電極的電源,該 電源係用於提供一解除夹持訊號至該靜電夹盤;及 一與該控制器傳輸之記憶體,該記憶體係用於儲存 並提供一被該控制器用以計算該解除夾持訊號的殘餘 力度(residual force metric)。 2. 如申請專利範圍第1項所述之設備,更包含: 一連接到該控制器之力閥用以測量該殘餘力度。 3. 如申請專利範圍第1項所述之設備’其中上述之殘餘力 度係由監視置於該靜電夾盤與該晶片間之背側氣體之 流量變化情形而決定。 4. 如申請專利範圍第1項所述之設備’其中上述之殘餘力 度係由監視該靜電夾盤與該晶片間電容之變化而決 定。 5. —種在一連續維持多個工件之系統中從靜電失盤解除每 -工件夾持的方法’該方法至少包含· 使用一儲存第一殘餘吸引力度而決定第一解除夾持 訊號, 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2l0X “97 a楚) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496809 ABCD 六、申請專利範圍 施加該解除夾持訊號於該靜電夾盤;及 移去該第一工件而測量第二殘餘吸引力度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6. 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中上述之決定該 第一解除夾持訊號之步驟更包含下列步驟: 決定解除夾持期間。 7. 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中上述之決定該 第一解除夾持訊號之步驟更包含下列步驟: 儲存該第二殘餘吸引力度,及 使用該第二殘餘吸引力度而決定第二殘餘解除夾持 訊號;及 解除第二該工件之夾持。 8. 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中上述之移去該 第一工件之步驟更包含中和該殘餘吸引力。 9. 如申請專利範圍第8項所述之方法,其中上述之中和該 殘餘吸引力度發生在小於約200毫秒内。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0.如申請專利範圍第5項所述之方法,更包含減少在上述 之靜電夾盤上累積之殘餘電荷的步驟。 Π .如申請專利範圍第1 〇項所述之方法,其中上述之減少 第1頂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) A8 B8
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 孩累積之殘餘電荷之步驟,更包含反轉解除夹持電壓之 極性至該第二工件之步驟,其中上述之該第二工件係接 續該第一工件之後進行。 12·—種在一連續維持一多工件之系統中從靜電夾盤解除 每一該工件夹持的方法,該方法至少包含: 決定一第一解除夾持訊號; 施加該解除夾持訊號於該靜電夾盤; 移去該第一工件; 測量一實際殘餘吸引力度;及 提供該測量所得之殘餘吸引力度而用以決定一第二 解除夾持訊號β 1 3 ’如申請專利範圍第1 2項所述之方法,其中上述之決定 該第一解除失持訊號之步驟更包含下列步驟: 決定解除夾持期間。 14·如申請專利範圍第12項所述之方法,其中上述之決定 該第一解除夾持訊號之步驟更包含下列步騾: 取回一已儲存之殘餘吸引力度。 1 5 .如申清專利範圍第1 3項所述之方法,更包含藉由反轉 解除夾持電壓之極性至該第二工件而減少累積於該靜 電夬盤之殘餘電荷之步驟,其中上述之該第二工件係接 第14頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ............•裝..................# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 496809 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 續該第一工件之後進行。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6. —種電腦可讀取媒體,該媒體至少包含一軟體例行程 序,當由一連接到一連續維持多個工件在靜電夾盤上之 系統的處理器執行時,使得該處理器操作下列步驟: 決定第一解除夾持訊號; 施加該解除夾持訊號於該靜電夾盤; 移去該第一工件; 測量一實際殘餘吸引力度;及 提供該測量所得之殘餘吸引力度而用以決定一第二 解除夾持訊號。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之電腦可讀取媒體,其中 上述之決定該第一解除夾持訊號之步驟更包含下列步 驟: 決定解除夾持期間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8.如申請專利範圍第1 6項所述之電腦可讀取媒體,其中 上述之決定該第一解除夾持訊號之步驟更包含下列步 驟: 取回一已儲存之殘餘吸引力度。 19.如申請專利範圍第16項所述之電腦可讀取媒體’其中 上述之移走該第一工件之步驟更包含中和該殘餘吸引 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ^0809申請專利範圍 力 ABCD 20.如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀取媒體,其中 上述之中和該殘餘吸引力度發生在小於約200毫秒内。 2 1.如申請專利範圍第1 6項所述之電腦可讀取媒體’更包 含減少在上述之靜電夾盤上累積之殘餘電荷的步驟。 22 ·如申請專利範圍第21項所述之電腦可讀取媒體’其中 上述之減少該累積之殘餘電荷之步驟,更包含反轉解除 夾持電壓之極性至該第二工件之步驟,其中上述之該第 二工件係接續該第一工件之後進行。 23. — 種離子植入系統,該離子植入系統至少包含 一真空室; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一連接到該真空室之離子產生器; 一位於該真空室内並至少具有一電極之靜电央*盤 一控制器; 一連接到該控制器及至少一該崁入電極之電;<、’以 電源係用於提供一解除夾持訊號至該靜電爽盤’及 一與該控制器傳輸之記憶體,該記憶體係用於儲存 和提供該控制器用於計算該解除夾持訊號:& 度0 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ............·¥.........、玎.........# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 496809 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 24. 如申請專利範圍第 23項所述之離子植入系統,更包 含·· 一連接到該電腦用以控制該殘餘力度之力閥。 25. 如申請專利範圍第23項所述之離子植入系統,更包含 一藉由監視置於該靜電夾盤與該晶片間之背側氣體流 量變化而決定該殘餘力度之感應器。 26. 如申請專利範圍第23項所述之離子植入系統,更包含 一藉由監視介於該靜電夾盤與該晶片間之電容變化而 決定該殘餘力度之感應器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 頁 17 AyftK 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493620B (zh) * 2010-06-29 2015-07-21 Global Unichip Corp 調整導線蝕刻機內的靜電吸盤電壓以釋放累積電荷
CN111247631A (zh) * 2017-10-30 2020-06-05 瓦里安半导体设备公司 减少背面工件损坏的系统以及方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6965506B2 (en) * 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US7218503B2 (en) * 1998-09-30 2007-05-15 Lam Research Corporation Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process
US6403322B1 (en) * 2001-03-27 2002-06-11 Lam Research Corporation Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor
US20040031699A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Applied Materials, Inc. Method for performing real time arcing detection
EP1475670B1 (en) * 2003-05-09 2008-10-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1475667A1 (en) 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100653707B1 (ko) 2004-10-21 2006-12-04 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법
US7292428B2 (en) * 2005-04-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor
US7583491B2 (en) * 2006-05-18 2009-09-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck to limit particle deposits thereon
KR100690136B1 (ko) * 2006-05-29 2007-03-08 우범제 정전척의 잔류 전하 제거 장치 및 제거 방법
TWM320179U (en) * 2006-06-09 2007-10-01 Gudeng Prec Industral Co Ltd Gas filling equipment and filling chamber therein for photomask conveying box
KR101394337B1 (ko) * 2006-08-30 2014-05-13 엘아이지에이디피 주식회사 정전척
US20080108154A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-08 Hyoung Kyu Son Apparatus and method for measuring chuck attachment force
US7385799B1 (en) * 2007-02-07 2008-06-10 Axcelis Technology, Inc. Offset phase operation on a multiphase AC electrostatic clamp
US8149562B2 (en) * 2007-03-09 2012-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
CN101872733B (zh) * 2009-04-24 2012-06-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
US20110060442A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 Valcore Jr John C Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber
US8797705B2 (en) * 2009-09-10 2014-08-05 Lam Research Corporation Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential
JP5735513B2 (ja) * 2009-09-10 2015-06-17 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 基板位置及び基板電位へのプラズマ信号の結合に基づくプラズマデチャック最適化のための方法と装置
JP6133869B2 (ja) * 2011-08-30 2017-05-24 ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー サーマルアレイ制御システムおよび方法
CN104037045B (zh) * 2013-03-04 2016-05-11 中微半导体设备(上海)有限公司 测试基片去夹持终点的方法
CN106796909A (zh) 2014-06-17 2017-05-31 瑞士艾发科技 具有射频分路的静电卡盘
US10024825B2 (en) * 2014-12-26 2018-07-17 Axcelis Technologies, Inc. Wafer clamp detection based on vibration or acoustic characteristic analysis
US11114327B2 (en) 2017-08-29 2021-09-07 Applied Materials, Inc. ESC substrate support with chucking force control
US10546731B1 (en) * 2018-10-05 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Method, apparatus and system for wafer dechucking using dynamic voltage sweeping
WO2020126963A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 Asml Netherlands B.V. Object table comprising an electrostatic clamp
KR102677038B1 (ko) 2020-05-22 2024-06-19 세메스 주식회사 정전 척과 그 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP7419288B2 (ja) * 2021-03-30 2024-01-22 キヤノントッキ株式会社 制御装置、成膜装置、制御方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102677251B1 (ko) * 2021-10-28 2024-06-20 세메스 주식회사 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988009054A1 (en) 1987-05-06 1988-11-17 Labtam Limited Electrostatic chuck using ac field excitation
US5684669A (en) * 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US5444597A (en) 1993-01-15 1995-08-22 Blake; Julian G. Wafer release method and apparatus
US5436790A (en) * 1993-01-15 1995-07-25 Eaton Corporation Wafer sensing and clamping monitor
US5459632A (en) * 1994-03-07 1995-10-17 Applied Materials, Inc. Releasing a workpiece from an electrostatic chuck
US5491603A (en) * 1994-04-28 1996-02-13 Applied Materials, Inc. Method of determining a dechucking voltage which nullifies a residual electrostatic force between an electrostatic chuck and a wafer
US5790365A (en) 1996-07-31 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
US5818682A (en) * 1996-08-13 1998-10-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for optimizing a dechucking period used to dechuck a workpiece from an electrostatic chuck
US6125025A (en) * 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493620B (zh) * 2010-06-29 2015-07-21 Global Unichip Corp 調整導線蝕刻機內的靜電吸盤電壓以釋放累積電荷
CN111247631A (zh) * 2017-10-30 2020-06-05 瓦里安半导体设备公司 减少背面工件损坏的系统以及方法
US10732615B2 (en) 2017-10-30 2020-08-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for minimizing backside workpiece damage
TWI723290B (zh) * 2017-10-30 2021-04-01 美商瓦里安半導體設備公司 減少在熱轉變期間對工件的損壞的系統、非暫時性電腦可讀存儲介質及方法
CN111247631B (zh) * 2017-10-30 2023-07-18 瓦里安半导体设备公司 减少热转变对工件的损坏的系统、可读存储介质及方法

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