TW495997B - Light-emitting diode with surface-structurization - Google Patents

Description

495997 A7 B7 五、發明說明（ 發之 之板 士1 口 基 i刖對 項面 1 此 第中 圍其 範， 利體 專極 請二 申光 據發 依種 i 1 種一 一 是 於別 關持 偽， 明獲 6B 發極 本二 光 良 改 上 段 區 値 1 在 少 至 便 以 體 錐 棱 。 頭性 截合 平耦 多出 許射 有之 具束 面光 表此 特 之 成 換 轉 ， 迄 D E 電 L -ί 之 體送 極傳 二所 光由 發種 體此 導 ， 半統 ， 条 如料 例材 ，據 體依 極 ： 二是 光別 發特 徵 於導率 大半射 可於祈 定由r之 一 性料 ，合材 即耦注 ，效澆 的有脂 高束樹 很光圍 是之周 率出和 效 射 LO 換體 3 轉晶 II 部體U 内導率 謂半射 所由折 之但之 能 。料 射%材 輻80體 體 導 半 在 樣 這 Ο 成 達 易 不 而 異 差 之 大 很 有 間 之 射 反 全 之 小 很 之 成 造 所 上 面 界 的 間 之 料 材 注 澆 脂 樹 約 大 合 D 大 IMLE在 被之束 可式光 份形種 部體此 小方 ， 一 正中 有之體 只 單晶 中簡體 束之導 光用半 之所於 生時束 産造光 所製種 使在一 }上留 6°型存 2典會 〇 中 出造 度而構 對 。 相變 其改 為而 因射 是反 這次 ， 多 射於 發由 外會 往不 會度 不角 中之 體1) οα 錐 S 合or 之線 寬法 。 面 26表 約於 ， 吸 中具 區種 觸此 接中 於DS 失LE 消P-早 A 遲Ga 而τη 用在 作是 收別 吸特 於 〇 由中 會板 要基 主或 此中 因區 束動 光主 ---------------------訂---------線I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之之 性統 收傳 題 3J E 問 L 之在 殊而 待區 種動 一 主 成由 造種 會 此 板 ， 基中 於 束失 光消 之而 出用 發作 之 式 形 Mill 稻 此 在 所 中 向 方 體 晶 之 收 吸 於 由 b匕 育 可 有 很 \»/ 部 外 之 體 錐 合 耦 於 位 其 中 板 基 施 使 是 ， h地 題份 問部 之可 述樣 上這 輕 〇 減上 來側 用上 其之 /V D E 式 L 方在 之 層 用體 使導 常半 最的 上 厚 際種 實一 加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495997 A7 B7 五、發明說明（ 束 G 光A1 之種 出一 發在 所中 8 體 1 隹 7 隹 8 ο 合 ο ϊί 5 0 - . A 之-. S 面 U 側在 用 此 於 由 要 主 中 所發 區性 觸活 接些Ga 性一性 電在電 由議導 經建之 種而過 層 張η之 可 擴，1利 有 —1 S 一 示 顯 會 樣 這 面 方1 另 但 透 可 束 a 光 er之 a 射 ( 發 向所 橫種 之一 流加 電施 之上 入層 注光 議 δ h . G 建 的亦 厚外 於另 由 〇 及性 以合 射耦 反出 全射 之之 部面 内側 少成 減達 : 束 應光 效使 副而 用 作 之 層 發 所 對 由 且板 二 基r明 S 透 A -a 之 G 成 構 光ί 不ap 除G 去， 而 刻 蝕料 由材 藉之，m ^一一口適 而由 C 束種代 光一取 之少來 射至層 如 例 或各 個有 一 古口 用而 使目 中數 體和 極置 二配 光之 發層 在明 議透 建些 中這 04就 2 0 3 Ϊ 3 層 2明 -5透 -A的 S ▲-ϋ 厚 在個 多 性形 活斗 之漏 用 是 束且 光細 生變 産漸 在逐 置中 配向 種方 一 板 議基 建在 外層 ¾種 。此 態 ， 組層 之之 同方 不下 種層 圖 ο 1Χ 第 /(V 的 期 所 供 提 能 不 或 貴 較 上 術 技 在 式 方 in 種 各 之 知 習 述 上 但 是是相 別時氣 特造機 C 製有 性體钃 合極用 耦二使 出光是 射發份 之種部 體此大 極在為 二 層因 光體是 發導這 由半 ， 之之程 束光過 光透之 之之時 高厚費 較較較 TUlf dHHI 之長種 望生一 ---------------------訂---------線皿 ijpr (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ο »θπ 法導 方半 長之 生光 為透 作之 來厚 \—ΝΠΙ Ε Β # Μ ο /^ 2 法 ο 晶1 磊 束成 分中 VD方 ο 長 (M生 法種 晶此 磊在

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片 晶 D E L ο ο 2 射隔 反間 r 區 壁 側 ----------1.11¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 495997

   、申請專利範圍 第89118425號「具有表面結構之發光二極體」專利案 (91年2月修正） 六申請專利範圍 1. 一種發光二極體，其具有 一一種半導體層結構，其包含一個基板及至少一個形成 在基板上之發光層， -一個在基板上之第一電性接觸層， -一個第二電性接觸層（50)，其是在半導體層結構之面向 基板之表面之至少一個區段上，其特徵爲： 此種面向基板之表面在至少一個區段上須被結構化，使 此種表面具有許多平截頭棱錐體（10)。 2. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中此平截頭棱 錐體（10)具有三個側面。 3. 如申請專利範圍第2項之發光二極體，其中 -此種具有三側面之平截頭棱錐體（10)是由以下之參數範 圍所界定= 0.1 10 45° ^0^88° a » yS j r > 10° / -V= A1/2/h，其中A是平截頭稜錐體（10)之三角形 基 面（1)之面積且h是平截頭棱錐體（10)之高度，（^是平 截頭稜錐體（10)之側面之間隙角，α，0，r是三角形 基面（1)之角度。 4.如申請專利範圍第3項之發光二極體，其中 495997 六、 申請專利範圍 - 對所有之側面（2A，2B，2C)和基面（1)而言在V: =] ί， Φ = 75°時，等腰三角形之主角度是0 = 70。。 5. 如 申請專利範圍第1項之發光二極體，其中平截 頭 棱 錐 體 (10)具有4個側面或多於4個之側面。 6. 如 申請專利範圍第1至5項中任一項之發光二極 體 9 其 中 此面向基板之表面之以第二電性接觸層（50)覆蓋 之 區 段 已 被結構化。 7· 如 申請專利範圍第1項之發光二極體，其中此 基 板 由 GaAs構成且發光層由InGaAlP構成。 δ. 如 申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該表 面 結 構 是 由另一微影術步驟及隨後之乾蝕刻而產生。 9. 如 申請專利範圍第1項之發光二極體，其中 - 此面向基板之表面是矩形的， - 第二電性接觸層（50)是一種十字形結構，其具有 一 種 位 於中央之連接面及由此連接面開始而分別在該 矩 形 表 面之4個角隅之方向中延伸之指形連接面， 一 這些指形連接面之間的區域（A - D)是以平截頭棱錐體（1 0) 來覆蓋。 10. 如 申請專利範圍第6項之發光二極體，其中 一 此面向基板之表面是矩形的， 第二電性接觸層（50)是一種十字形結構’其具有 一 種 位 於中央之連接面及由此連接面開始而分別在該 矩 形 表 面之4個角隅之方向中延伸之指形連接面， 一 這些指形連接面之間的區域（A-D)是以平截頭棱 錐 體 • 2 - 495997 、申請專利範圍 (1 〇)來覆蓋。 11.如申請專利範圍第1或9項之發光二極體，其中第二電 性接觸層（5 0)對所發射之光束而言是不透明的。 1Z如申請專利範圍第1或9項之發光二極體，其中第二電 性接觸層（50)是由透明之導電性薄層，特別是ITO(銦錫 氧化物）層，所構成。