TW495990B - Method for making compound semiconductor device - Google Patents

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TW495990B
TW495990B TW090113173A TW90113173A TW495990B TW 495990 B TW495990 B TW 495990B TW 090113173 A TW090113173 A TW 090113173A TW 90113173 A TW90113173 A TW 90113173A TW 495990 B TW495990 B TW 495990B
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Tetsuro Asano
Tosikazu Hirai
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Sanyo Electric Co
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 ^5990 A7 ------—___ B7__ 五、發明說明（1 ) [發明所屬技術領域] 本發明係有關一種化合物半導體裝置之製造方法，尤 才曰使用GaAs基板的化合物半導體裝置之製造方法。 [習知之技術] 行動電話等的移動體用通訊器材，多使用GHz帶的微 波，於天線的切換電路或送收訊的切換電路等，多使用用 以切換這些高頻信號之開關元件。（例如，日本特開平9_ 181642號）。作為此元件，因匯集高頻波所以常使用砷化 鎵（GaAs)之電場效應電晶體（以下稱為fet)，隨之集裝前 述開關電路本身的單石微波積體電路（MMIC)之開發也正 在發展。 第11圖（A)為表示GaAsFET之剖視圖。在未摻雜GaAs 基板31的表面部分摻入η型雜質，並形成η型的通道領域 32。在通道領域32表面上，配置做肖特基（Sch〇uky)接觸 之閘極電極33。位於閘極電極33的兩側之GaAs的表面 上，配置做歐姆接觸之源極/汲極電極34、35。此電晶體 係藉閘極電極33的電位，在正下方的通道領域32内形成 空乏層’並且控制源極電極34和没極電極35之間的通道 電流。 第11圖（B)為表示使用GaAs FET而被稱為SPDT (Single Pole Double Throw)之化合物半導體開關電路裝置 的原理之電路圖。 第1和第2FET1、FET2的源極（或及極）係連接於共同 輸入端子IN，各FET1、FET2的閘極係經由電阻Rl、R2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3Ϊ2629 -------------裝— c請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. •線 五、發明說明（2 ) 連接於第！和第2控制端子小並且各而的 沒極（或源極）則連接於第1和第2輸出端子OUTl、〇UT2。 施加於第1和第2控制端子CU]、Ct2-2的信號是互補信 號’ Η位準的信號所施加之阳為〇n，而成為將施加於 輸入端子IN之信號得以傳送至其卜方的輸出端子。電 阻R1、R2之設置目的係對於成為交流接地的控制端子
Ctl-1、Ct2-2的直流電位，經由閘極電極可以防止高頻产 號的洩出。 '° 第12圖至帛21圖係關於化合物半導體開關冑路裝置 的FET以及銲塾之製造方法。 第12圖中，在基板丨表面上形成通道層2。 “亦即，以約100 A厚的穿透離子植入用氮化石夕膜3覆 蓋基板1全面。其次，以阻劑層4覆蓋基板1表面，並藉 由光#刻選擇性的去除預定的通道層2上的阻劑層“之3 後，以此阻劑層4作為遮罩，為了選擇預定的通^層2之 動作層，而施行p-型賦與用雜質之離子植入以及i 用雜質之離子植入。 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 結果，於未摻雜之基板上形成卜型領域5，以及在該 上方形成η型通道層。 :人 ，第13圖中，在基以表面上’鄰接於通道層2兩端， 而形成源極領域6以及汲極領域7。 去除在前製程中所使用的阻劑層4，重新塗佈阻劑声 8，利用光㈣選擇性的去除預定的源極領域6以及及極二黃 8。然後，以此阻劑層8作為遮罩，在預 本紙張尺度適用中國國私標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 2 312629 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 495990 A7 ------— B7 五、發明說明（3 ) 定的源極領域6以及汲極領域7上，施行η型賦與用雜質 之離子植入，而形成η+型的源極領域6以及汲極領域7。 第14圖中，在預定的閘極電極16上殘留阻劑層$， 並在前述源極領域6以及汲極領域7上，附著氧化膜9。 將阻劑層8施以〇2等離子法而成細線，並露出源極領 域6和汲極領域7表面上的氮化矽膜3，並且露出源極領 域6和汲極領域7旁邊的通道層2上的氮化矽膜％然後， 使用ECR裝置全面的附著氧化矽9 ^去除阻劑層8， 由剝落法，在源極領域6、汲極領域7以及一部份的通^ 層2上留下氧化膜9。於此，在通道層2上之阻劑層8所 存在的部分上，形成預定的閘極電極1 6。 第15圖中，在源極領域6以及汲極領域7上，附著 第1層歐姆金屬並形成第】源極電極η以及第1 汲極電極1 2。 在基板1上，全面的塗敷阻劑層丨3，並利用光蝕刻選 擇性的去除預定的第i源極電極】】以及第i汲極電極Η 、成卩刀藉由0等離子法去除在預定的第1源極電極 11以及第1汲極電極12上的氮化矽膜3和氧化膜9，並形 、觸孔並且全面的依次真空蒸鍍而層積AnGe/Ni/Au 3 乍為第1層之歐姆金屬層i 〇。然後，去除阻劑層^，土、 以剝落法在源極領域6以及汲極領域7上留下所接觸的第 源極電極Π以及第1汲極電極12。 : 圖中路出預疋的閘極電極Ιό以及預定的銲墊 他部分以阻劑層U加以覆蓋。 312629 --------------Μ--------訂---------^ I c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 495990 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（4 ) 在基板1上全面的塗敷阻劑層14，利用光蝕刻露出在 預定的閘極電極i 6以及預定的銲墊領域1 5上的氮化石夕膜 3。之後，以阻劑層14作為遮罩，將氮化矽膜3加以乾式 蝕刻’並露出預定的閘極電極16、預定的銲墊領域15部 分的通道層2以及基板1。 第17圖中，在通道層2以及預定的銲墊領域上， 附著第2層閘極金屬層i 8，而形成閘極電極16以及第工 銲墊電極17。 全面的依次真空蒸鍍而層積Tl/Pt/Au 3層作為第2層 的閘極金屬層18。因為阻劑層14原樣的被利用來作為遮 罩，因而形成接觸於通道層2和基板1上之閘極電極16 和第1銲墊電極17。因為閘極金屬層18的其他部分係附 著在阻劑層14上，所以將阻劑層14予以去除，利用韌落 法僅留下閘極電極16以及第}銲墊電極17，其他部分則 予以去除。然而，雖第丨銲墊電極17與基板丨相接觸，但 因基板1具有半絕緣性，因而可與包含fet之其他的電路 元件或配線形成電性的絕緣。 第18圖中，在第！源極電極i丄、第】沒極電極1 及第1銲塾電極！7的保護膜19上形成接觸孔。 形成閘極電極16以及第i銲塾電極17之後， 表面被由氮切膜所形成的保護膜19所覆蓋。在 19上塗敷阻劑層2〇,利用光姓刻選擇性的將第！源極電： U、第1汲極電極12’以及第1焊塾電極η上的保；: 19施以乾式蝕亥二之後’阻劑層20即被去除。 、 本纸張尺度適用中國國家標 312629 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
W
訂---------線J ·. A7 五、發明說明（5 y 和第==:第二極電極電㈣ 成m 2 受 附耆第3層銲墊金屬層22，並形 烕第2源極電極2 3、g，π & ; t / 免極24和第2銲墊電極25。 - 全面上，重新塗佈阻劑層21，並從接觸孔露 出微大的第1源極電極η η、 亚伙接觸孔硌 墊電極17 1 及極電極12以及第1銲 =極:了，其他部份以阻騎21^覆蓋。 的依次真空蒸鍍而層積Τι 面 m & 11 m „ 作為第3層之銲墊金 心第m阻劑層21’原樣的被利用來作為為遮罩，而 2 源極電極m汲極電極12以及第！銲塾電 =所接觸之第2源極電極23、第2沒極電極Μ以：第 = 2ΓΓ25°由於閘極金屬層22的其他部分被附著在阻 =上’：以將阻劑層21予以去除，藉由剝落法僅留 '、玉电極23、第2汲極電極24以及第2銲墊電極 25 他部分則予以去除。尚且，一部份之配線部分是使 用此銲墊金屬層22所形成的，當然會留下該配線部分之銲 墊金屬層22。 ~ 第20圖巾，以套管Μ26覆蓋全面，選擇性的去除第 2銲墊私極25上的套管膜26，並露出第2銲墊電極”。 使用氮化矽膜作為套管膜26，以保護由外部空氣之各 電極或元件。於套管膜26上重新塗佈阻劑層，去除第$ 銲墊電極25上的阻劑層27，並以此阻劑層27作為遮罩， 以乾式蝕刻選擇性的將套管膜26予以去除。 第21圖中’在第2銲塾電極以上，包層搭接線μ。 I I元成化合物半導體開關電路裝置之前製程時，便施 木紙張尺度適用Τί哪標準（CNS)A4規格⑵㈡97公6 312629 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495990 A7
6 312629 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫· 本擊
頁I tj 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 ^99〇 五、發明說明（7 祺之製程；於冑述源極以及汲極領域上附著帛！層歐姆金 屬層並形成第1源極以及第丨汲極電極之製程；在前述通 逼層、則述銲墊氧化臈和前述基板上附著第2層閘極金屬 層，並形成閘極電極以及第丨銲墊電極之製程；在前述第 1源極、第1汲極電極和前述第丨銲墊電極上附著第3層 2墊金屬層，並形成第2源極、帛2汲極電極和第2銲： 電極之製程；以及在前述基板上的前述第2銲極電極上包 層搭接線之製程。 [發明之實施形態] 以下參照第1圖至第1 〇圖說明本發明之實施形態。 本發明係由下列製程所構成：在基板51表面形成通 道層52之製程，·連接於前述通道層52並形成源極以及汲 極領域56、57之製程；在預定的閘極電極69上殘留有阻 劑層，並在前述源極以及汲極領域56、57表面和預定的銲 塾領域59上’附著銲墊氧化膜62之製程；在前述源極以 及汲極領域56、57上附著第！層歐姆金屬層以並形成第 1源極以及第1沒極電極65、66之製程；在前述通道層52 以及前述銲墊氧化膜62上附著第2層閘極金屬層68並形 成閘極電極69以及第1銲墊電極7〇之製程；在前述第} 源極以及第1及極電極65、66和前述第1銲塾電極7〇丄-附著第3層詳塾金屬層74,並形成第2源極以及第2及極 電極75、76和第2銲墊電極77之製程；以及在前述第2 銲極電極77上包層搭接線80之製程。 | 本發明之第1製程係如第1圖所示，在基板51表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^---------t--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495990 A7 B7
五、發明說明（8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上形成通道層52。 亦即，將利用GaAs等所來#从〜人 入品 ^ 寻所形成的化合物半導體基板51 王面，以約100 A至200 A厚的穿透雜工姑 53 - „ * ^址 子旳牙透離子植入用氮化矽膜 予以覆盍。然後’以阻劑層54覆蓋基板”表 由光姓刻選擇性的去除預定的通道層52上的阻劑層54藉 之後，以此阻劑層54作為遮草，為了選擇預定的通道層 52之動作層，而施行P姻與用雜質（24Mg+)之離子植曰入 以及n+型賦與用雜質（29Si + )之離子植入。 結果，在未摻雜的基板51上形成p_型領域55以及立 上方的η型通道層52。 八 本發明之第2製程係如第2圖 拉从义 禾2圚所不，連接於前述通道 層52並形成源極領域56以及汲極領域π。 去除在前製程_^吏用的阻劑層54，重新塗敷阻劑層 W並藉由絲刻選擇性的去除預定㈣極領域％以及没 極領域5 7上的阻密丨丨層5 8。：&益 、，， J丨且川層Μ接耆，以此阻劑層58作為遮罩， 在預定的源極領域56以及沒極領域57上，施行η型滅與 用雜質(29Sr)之離子植入，而形成^型的源極領域5“： 及没極領域5 7。 而且’在此製程中，所附著預定銲塾氧化膜62的部 分之阻劑層58,也同時的予以去除，並與n+型源極領域·， 56以及汲極領域57 一起形成n +型的高濃度擴散層81。 本發明之第3製程係如第3圖所示，在預定的的閑極 電極69上殘留有阻劑層58，並在前述源極領域^、及極 湏或57之表面，以及預疋的銲塾領域之周端部附著氧 ‘纸張尺度適用中國國家標準（CNS— (21Q χ视 8 312629 广請先閱讀背面之涑意箏頊存碘寫本買) # I i til — — — — — — ^^Fr— h h h h ϋ ϋ ·ϋ ϋ n n I I I n *ϋ n i n n I n n 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495990 A7 --*------- B7__ 五、發明說明（9 ) 化獏61。 在此製程中，將阻劑層58施以〇2等離子法而成細 線，並露出於源極領域56、汲極領域57和銲墊領域Μ之 周端部表面上的氮化矽膜53，並且也露出源極領域56和 汲極領域57側的通道層52上的氮化矽膜53。利用 裝置全面附著上約3〇〇〇 Λ厚的氧化矽膜61。之後，去除 阻劑層58，以剝落法在源極領域56、汲極領域57、銲^ 領域59之周端部以及一部份的通道層52上留下氡化膜 61。於此，在通道層52上的阻劑層58所存在的部分形 成預定的閘極電極69。 本製程係為本發明之特徵，用以以自我對準形成的閘 極電極69的氧化矽膜61，同時也附著在銲墊領域约上而 形成銲墊氡化膜62。此氧化矽膜6丨之形成係為：在ecr 裝置反應室的N2空氣中，將施以來自硅烷（SiH j和氨氣 (NH3)的等離子反應而形成的氧化矽（Si〇2)置於常溫的鐘 罩内，附著於基板51上。因此，有不需在基板51上增加 熱壓力即可附著的優點，且依據基板51以及氮化矽膜Μ 的熱膨脹係數的差，可以防止裂縫的發生。 本發明之第4製程係如第4圖所示，在前述源極領域 56以及汲極領域57上，附著第丨層歐姆金屬層64，並形· 成第1源極電極65以及第1汲極電極66。 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在基板5 1上，全面的塗敷阻劑層63，並藉由光蝕刻 選擇性的去除預定的第1源極電極6 5以及第1汲極電極 66之形成部分。以〇2等離子法去除在預定的第1源極電
9 312629 .¾濟部智慧財產局員工消f合作社印製 10 495990 A7 -------- B7 ______ 五、發明說明（H> ) 極65以及第1汲極電極66上的氮化矽膜53及氧化矽膜 61，並形成接觸孔。全面的依次真空蒸鍍而層積成AnGe /Νι/Αιι 3層作為第}層之歐姆金屬層64。之後，去除阻劑 層63 ’並藉由剝落法在源極領域56以及汲極領域上留 下所接觸之第1源極電極65以及第1汲極電極66。 本發明之第5製程係如第5圖及第6圖所示，在前述 通道層52以及前述銲墊領域59上，附著第2層閘極金屬 層68 ’而形成閘極電極69及第1銲墊電極7〇。 在第5圖中，露出成為預定的閘極電極69部分及輝 墊領域59的一部分之銲墊氧化膜62和基板51，其他部分 以阻劑層67覆蓋。亦即，在基板5丨上全面的塗敷阻劑層 67，利用光蝕刻，露出成為預定的閘極電極69部分及銲墊 領域59的一部分之銲墊氧化膜62和基板51。之後，以阻 劑層67作為遮罩，將氮化矽膜53施以乾式蝕刻，並露出 成為預疋的閘極電極69部分的通道層52及銲墊領域59 的一部分之銲墊氧化膜62和基板51。 第6圖中，在成為通道層52及銲墊領域59的一部分 之銲塾氧化膜62和基板51上，附著第2層閘極金屬層68， 而形成閘極電極69以及第1銲墊電極70。 亦即，在基板51上全面的依次真空蒸鍍而層積Ti/
Pt/Au 3層作為第2層的閘極金屬層68。由於阻劑層67原 樣的被利用來作為遮罩，因此在成為通道層52及銲墊領域 59的一部分之銲墊氧化膜62與基板上形成閘極電極69和 第1銲墊電極70。由於閘極金屬層68的其他部分附著在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 312629 ---------------------訂---------線丨^1- / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
五、發明說明（U 阻劑層67上，故將阻劑層67 、， ^ τ ^ ^ 予从去除，亚利用剝落法僅 ^'69以及第！銲塾電極7。，其他部分則去除。 述第1为Γ之第6製程係如第7圖以及第8圖所示’在前 極電極65、第1汲極電極“和前述第i焊塾電 極70上，附著第3層銲塾金屬層而形成第2源極、第2 及極電極和第2銲墊電極。 m 中’在第1源極電極65、帛1沒極電極66和 電極70上的保護膜72，形成接觸孔。 :成閑極電極69以及第Μ極電極7〇之後，基板Η 72 Λ由I切膜所構成的保護膜72~覆蓋。在此保護膜 '、敷阻劑層71 ’藉由光姓刻選擇性的將第ι源極電極 ?、第i沒極電極66及第i銲塾電㈣上的保護膜π 作乾式蝕刻。之後，阻劑層Η即被去除。 :8圖中’在第1源極電極65、第】汲極電極66和 第1銲墊電極70上附著第3層銲墊金屬層74，而形成第2 原極電極75、第2 ^•極電極76和第塾電極77。 於基板51全面’重新塗敷阻劑層Μ，並從接觸孔露 :微大的第1源極電極65、帛i汲極電極66和第i銲墊 電極70 ’其他部分則以阻劑層73予以覆蓋。接著，全面 的依次真空蒸鑛而層積Ti/Pt/Au 3層作為第3層銲塾金屬· 層74。由於阻劑層73原樣的被利用來作為遮罩因此形 成接觸於第丨源極電極65、帛U極電極Μ和第i鲜塾 電極70的第2源極電極75、第2沒極電極％及第2鲜塾 ,電極77。由於銲塾金屬層74的其他部分被附著在阻劑層 本纸張尺度適用家標準（CNS)^格⑵〇 χ 297公髮)--—-Γ 11 312629 訂 A7 五、發明說明（12 7 3上，因此將阻劑層7 3予、 第2源極電極75 乂去除，亚利用剝落法僅留下 复#邱八^ 第2汲極電極％及第2銲墊兩&77 其他部分則被去除。尚且 ^奸蛩私極77， 銲塾金屬層74而形成的_^ —部份之配線部分係使用 金屬層74。 “ "然會留下來該配線部分之銲墊 示，在前 、"j月之第7製程係如第9圖及第10圖所 銲藝電桓77上，包層搭接線80 在第9圖中，以套管 舜# 第2銲塾電極77上膜復盖王面，選擇性的去除 套 8’而露出第2銲墊電極77。 使用鼠化石夕膜作為套管 訂 電極或元件等。於套管：;8上：：保護由外部空氣之各 第2銲墊兩極77μ 、 重新塗敷阻劑層79,去除 私 的阻劑層79，並以此阻劑層79作為遮 罩，選擇性的以乾式姓刻去除套管膜78。 作為遮 在第1〇圖中，位在基板51的第2銲塾電極77的中 線 央部上，包層搭接線80。此製程中，由於在第^塾電極 7〇乃及第2銲塾電極77下有直接基板51，因此和以往同樣 的沒有硬的氮化膜，而可藉由搭接時的壓力防止硬的基板 5 1上裂縫的發生。 在完成化合物半導體開關電路裝置之前製程時，便施 行組裝之後製程。將晶圓狀的半導體晶片予以切割，分離·， 成個別的半導體晶片，並將此半導體晶片固設在框架上後 (未圖不）’利用搭接線80連接半導體晶片之第2銲墊電極 77和預定的導線（未圖示）。使用金屬細線作為搭接線8〇， 匕m习㈣球形接合加以連接。之後，以移轉膜塑法施予 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 312629 495990 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（D ) 樹脂封裝。 [發明之效果] 如以上所詳述，根據本發明可得到以下之功效。 第具有以下優點··於第1銲塾電極70及第2銲墊 電極77的中央部沒有硬的氮化膜；對於硬且易破裂的基板 51容易的搭接。 第2’由於銲墊氧化膜62係使用本發明第3製程中附 著的氧化膜61而形成，因此具有可實現不用增加製程次數 的優點。 第3’藉由在第1銲墊電極7〇及第2銲墊電極77的 周端部下選擇性的舖上銲墊氧化膜62，據此有以下之優 點：不需要用以確保銲墊和配線層之隔離的設計上所必要 的20 # m的離間距離，並且也可縮小晶片尺寸。 [圖面之簡單說明] 弟1圖為說明本發明之剖視圖。 第2圖為說明本發明之剖視圖。 第3圖為說明本發明之剖視圖。 第4圖為說明本發明之剖視圖。 第5圖為說明本發明之剖視圖。 第6圖為說明本發明之剖視圖。 第7圖為說明本發明之剖視圖。 第8圖為說明本發明之剖視圖。 第9圖為說明本發明之剖視圖。 第1 〇圖為說明本發明之剖視圖。 ---------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495990
(Β)電路圖 五、發明說明（u ) 第11圖為說明習知例之（A)剖視圖 第12圖為說明習知例之剖視圖。 第13圖為說明習知例之剖視圖。 第14圖為說明習知例之剖視圖。 第1 5圖為說明習知例之剖視圖。 第1 6圖為說明習知例之剖視圖。 第17圖為說明習知例之剖視圖。 第18圖為說明習知例之剖視圖。 第19圖為說明習知例之剖視圖。 第20圖為說明習知例之剖視圖。 第21圖為說明習知例之剖視圖。 [元件符號說明]l、5i 基板 2、52 3、 5 3 氮化矽膜 4、 8、13、14、20、2卜27、54、58、63、67、7卜73、79 P·型領域 汲極領域 歐姆金屬層 第1沒極電極 69閘極電極 閘極金屬層 銲墊金屬層 第2汲極電極 套管膜 本纸張尺度適用中國國家標举（^14規烙（2】〇 '^ΓΈΤ) 通道層 阻劑層 源極領域 氧化膜 第1源極電極 銲墊領域 第1銲墊電極 保護層 第2源極電極 第2輝塾電極 搭接線 312629
* 擊 n n n _ -n ϋ. _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂---------線J n 1 1 ϋ 495990 A7 _B7 五、發明說明（i5 ) 31 GaAs基板 32 通道領域 34 源極電極 35 汲極電極 59 銲墊領域 62 銲墊氧化膜 81 高濃度擴散層 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 15 312629

Claims (1)

  1. 495990 A8 B8 CS D8 1. 2· 濟 部 智 慧 財 声 工 消 費 合 社 印 刮 、申請專利範圍 一種化合物半導體裝置之製造方法，其特徵在具備：在 附著形成閘極電極之閘極金屬層之製程之前，在預定的 銲墊領域周端部附著銲墊氧化膜之製程； 在前述銲墊氧化膜上重疊周端部，並且將大部分附 著配置在基板上之前述閘極金屬層，並形成第〗銲墊電 極之製程； 在前述第1銲墊電極上附著銲墊金屬層，並形成第 2銲墊電極之製程；以及 位於前述基板上的前述第2銲墊電極之中央部 上，包層搭接線之製程。 一種化合物半導體裝置之製造方法，其特徵在具備：在 基板表面上形成通道層之製程； 連接於前述通道層而形成源極以及汲極領域之製程； 在預定的閘極電極上殘留阻劑層，並在前述源極以 及汲極領域的表面和預定的銲墊領域周端部上，附著銲 墊氧化膜之製程； 在前述源極以及汲極領域上附著第1層歐姆金屬 層而形成第1源極以及第1汲極電極之製程； 在前述通道層、前述銲墊氧化臈和前述基板上附著， 第2層閘極金屬層，並形成閘極電極以及第丨銲墊電極 之製程； 在前述第1源極電極、第1汲極電極和前述第丨銲 墊電極上附著第3層銲墊金屬層，並形成第2源極電 尽紙張尺度適用中國國家標暹（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 16 312629 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} m at · .線· 495990 六、申請專利範圍 極、第2汲極電極和第$ 弟塾電極之製程；以及 在則述基板的前述第 制&乐極電極上包層搭接線之 製程。 3.如申請專利範圍第1項或 、 飞第2項之化合物半導體裝置之 裏造方法，盆中，你田备/» 八 軋化矽膜作為前述銲墊氧化膜。 4·如申請專利範圍第3項之化合物半導體裝置之製造方 法’其中’氧化補係利用ECR裝置由等離子而生成， 並在常溫狀態下附著。 --------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作、社印製 312629 ^S國家標準(CNShM—規格（2!0 χϋ爱）
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