TW494605B - Coaxial dielectric rod antenna - Google Patents

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TW494605B TW090116983A TW90116983A TW494605B TW 494605 B TW494605 B TW 494605B TW 090116983 A TW090116983 A TW 090116983A TW 90116983 A TW90116983 A TW 90116983A TW 494605 B TW494605 B TW 494605B
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Adrian E Popa
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Description

494605 五、發明說明（1) 本發明係有關於一種天線，特別是有關於一種可對於 頻帶（frequency bands)之分集（diversity)進行覆蓋之天 線結構。 [習知技術] 一般而言’無線電頻率系統（r a d i 〇 f r e q u e n c y system)係已廣泛應用於通訊、航海、電子戰（eiectroriic warfare)及雷達系統，並且在應用已有的最高技術之汽車 車輛及航天工具（automotive and aerospace-borne vehicles)中係可採用複數無線電頻率系統以有效地對於 頻帶之分集進行覆蓋。然而，對於有限空間之汽車車輛結 構而言，由於其所能設置之天線數間有限，因此在汽車上 係無法以廣泛地在各頻帶上進行操作。 另一方面，許多的大帶寬天線元件（bandwidth antenna elements)係已應用在電子戰及信號智慧型系統 (signal intelligence systems)，並且於目前應用已有 的最高技術之天線結構中係包括有複數喇αΛ型缺口 (flared notch elements) ’其中，各口刺队型缺口之帶寬 間的倍頻程（octave)約為（2 : 1 )。於其它例如螺線 (spirals)、指數周期性元件（1〇§ peri〇dic elements)、 雙圓錐偶極（bi coni cal diP〇les)及圓錐單極（c〇nical monopoles)等天線元件係均有帶寬約為2 :丨的限制，並且 由於些天線兀件係具有相對大結構尺寸，因而無法適用
1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第5頁 494605 五、發明說明（2) borne vehicles)車輛之多天線（muiti-antenna)、多開孔 (multi-aperture)所產生的問題係可藉由具有多功（muUi function)、多頻（multi - frequency)、以電子束成型之
相陣列天線開孔及掃描/追蹤等方式加以解決，但是就目 月之X*頻帶天線元件（broadband antenna elements)及相 陣列天線（phased array antennas)係仍受到帶寬及天線 進、6元件之尺寸的限制’其最大頻率比（f r e q u e n c y r a t i 〇 )係約為一倍頻程（octave)(2 : i)。大部分包括有寬帶進 給元件之寬頻帶相陣列天線（broad bandwidth phased array antennas)係產生以下的問題： (1)以最高頻率進行操作時，低側波瓣（1 ow s i de lobes)係必需將該進給天線之各相中心（phase centers) 之間以半波長之距離相互隔開； (2 )於最低頻率進行操作時，該進給天線之尺寸係約 為半波長； (3)大多數之寬頻帶放大器（broadband amplifiers) 係必須以2 · 1之帶寬陣列（b a n d w i d t h a r r a y )的方式連接 至各進給天線；以及 (4 )如果該帶寬陣列係採用正交線性極化
(orthogonal linear polarization)及環形極化 (circular polar izat ions)，此時則必須採用第二組交叉 線性天線元件（crossed linear antenna elements)及其 相關電子元件。
適當的天線結構以對 1012-4208-PF ； ahddub.ptd
第6頁 494605 五、發明說明（3) 於頻帶之收傲、極化之分集進行覆蓋，同時該天線結構亦 必須可以應用於相陣列天線系統之中’在藉由本發明所提 供之結構係可滿足上述之各項需求。 有鑑於此，本發明之目的係針對於上述習知技術而提 出改良’本發明係提供了結合有錐狀介電柱天線（tapered dielectric rod antenna)及同轴介電傳輸線（c〇axUi dielectric transmission line)等特徵之三維、超寬型 帶寬（ultra-broad bandwidth)、多開孔（muiti-aperture )介電柱狀天線。本發明之同軸介電柱天線（CDRA)上係提 供有多頻共線開孔（multi- frequency collinear apertures)，其中，該多頻共線開孔係可用以做為寬頻帶 活動式開孔相陣列天線（b r 〇 a d b a n d w i d t h a c t i v e aperture phased array antennas)中之個別的多帶天線 (multi-band antennas)或進給元件。此外，本發明之同 軸介電柱天線（CDRA)係與具有可分離之複數天線結合成為 單一結構，藉由此一天線結構係可對於頻帶之分集 (diversity of frequency)進行覆蓋 〇 於本發明之第一實施例中的天線係包括有一第一介電 天線柱（first dielectric antenna rod)與一第二介電天 線柱（second dielectric antenna rod)。該第一介電天 線柱係具有一第一介電常數（first dielectric eonstarit )，該第一介電天線柱係連接於一第一頻率傳輸源（first frequency transmission source)，如此以將第一頻帶幸畐 射（first frequency band radiation)自該第一介電天線
494605 五、發明說明（4) 柱傳播至（propagating) — 介質（medium)，該介質（medium )係具有一介質介電常數（medium dielectric constant) 。該第二介電天線柱係具有一第二介電常數（second dielectric constant)，該第二介電天線柱係連接於一第 二頻率傳輸源（second frequency transmission source )’如此以將第二頻帶輻射（second frequency band radiation)自該第二介電天線柱傳播至（pr〇pagating)該 介質，該第一介電天線柱係以同軸方式設置於該第二介電 天線柱之中。該第一介電常數係大於該第二介電常數，該 第二介電常數係大於該介質介電常數。 根據第一實施例中之該第二介電天線柱係之長度方向 上形成一軸向圓柱狀凹部（axial cylindrical cavity)， 該圓柱狀凹部上係填充了具有該第一介電常數之一介電粉 末（dielectric powder)於該圓柱狀凹部，並且藉由具有 該第一介電常數之複數端塞（end plugs)分別設置於該第 二介電天線柱之相對的中心端部與末梢端部（proximal and distal ends)的方式以確保該介電粉末位於該圓柱狀 凹部之中。此外，該第一頻率傳輸源係可以同軸方式連接 於該第一介電天線柱，並且該第二頻率傳輸源係藉由一傳 輸線（transmission line)連接於該第二介電天線柱，該 傳輸線係軸向偏位（〇 f f s e t)於該第二介電天線柱。該第二 71電天線柱係由熱塑性樹脂（thermoplastic resin)所製 成’並且違介電粉末係可為鋇四鈦酸鹽（bariuin tetra- titanate)或鎳銘鈦酸鹽（nickei—aiuminum titanate)。
494605 五、發明說明（5) 根據本發明之另一實施例中之天線係包 電天線柱、一第二介電天線柱及一第三介電天 第一介 〆介電天線柱係具有一第一介電常數，誃 2桎。該第 係速接於一第一頻率傳輸源，如此以將第一頻二，天線柱 第/介電天線柱傳播至一介質 介質右，輻射自該 常數。該第二介電天線柱係具有一第二：電匕=電 介電天線柱係連接於一第二頻率傳輸源，如 以第一 帶輻射自該第二介電天線柱傳播至該介質，兮將第二頻 線枉係以同轴方式設置於該第二介電天=—介電天 介電天線柱係具有一第三介電常數，該第該第三 連接於一第三頻率傳輸源’如此以將第三 線柱係 三介電天線柱傳播至該介質，該第二介電 杈：自該第 方式設置於該第三介電天線柱之中。該 =以同軸 於3弟一；I電㊉數，该第二介電常數係大於該第三 數，該第三介電常數係大於該介質介電常數。 本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂， ^文、牛一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明-如 圖式簡單說明 第1圖係表示根據習知多柱錐狀介電天線（polyrod tapered dielectric antenna)之剖面圖； 第2圖係表示根據本發明第一實施例之剖面圖； 第3圖係表示根據本發明第一實施例之局部分解立體 圖；
第9頁 1012-4208-PF ； ahddub.ptd 494605
五、發明說明（6) 第4 a ~ 4 c圖係表示根據本發明第一實施例之平面及刊 面圖； σ 第5圖係表示根據本發明之另一實施例之圖式；以及 第6a-6c圖係表示根據本發明之另一實施例之圖式。 符號說明 $ 1 0〜介電天線； 1 2 2〜蕊柱； 126〜介質； 128〜中帶波導傳感器； 132〜低帶能量； 1 4〜進給錐度； 1 8〜平直區段； 2 0〜末錐度區段； 24〜外部介電天線柱； 2 7〜南帶波導傳感器； 3 0〜低帶轄射； 4 0〜天線； 43〜長度； 45〜寬度； 48a-48d〜隙孔； 52〜支承柱； 5 6〜薄管狀物； 5 9〜末端部； 6 2〜直徑； 1 2〜金屬波導； 124、125〜介電天線柱 127〜高帶波導傳感器 1 3 0〜低帶波導傳感器 1 3 4、1 3 6〜能量； 1 6〜本體錐度； 2 0〜天線； 2 2〜蕊柱； 26〜介質； 28〜低帶波導傳感器； 3 2〜高帶輻射； 42〜支承殼體； 44a、44b〜殼狀塊件； 46a_46d〜螺絲； 5 0 a - 5 0 d〜螺紋孔； 5 4〜錐柱； 58〜錐型躍遷區； 6 0〜平直區段； 6 4〜圓柱狀凹部；
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74〜錐度長度； 7 6〜圓柱狀凹部； 7 8〜高介電材料； 81〜錐度； 8 3〜錐度； 8 8〜距離； 9 2〜南頻埠； 詳細說明 6 8〜圓柱狀凹部· 72〜錐度桿末端部； 7 6〜凹部； 7 8〜介電材料； 8 0〜中心端部； 8 2〜末梢端部； 84、86〜長度； 9 0〜低頻琿； 9 6〜端部。 目前對於電磁波之傳輪線係多半採用介電材料 之均質柱來進行，該電磁波之型式係可適用於從A線電成 (radio)到光學頻率（opt ical frequencies)之波長。舉例 而s ’ Popa於美國專利第4, 293, 833號案中係揭露出許多 不同的微波及毫米波介電傳輸線（mi丨丨i—meter wave dielectric transmission lines) ; Bridges 等人於美國 專利第4,800,350號案中係揭露出多介電（111111七丨？]^ dielectrics)之同軸纖維（coaxiai fibers) ;E)y〇tt 等人 於美國專利第5, 684, 495號案中係揭露出利用介電波導 (dielectric waveguide)之微波躍遷（microwave transition)，其方式係藉由一介電天線柱（dielectric rod antenna)將一標準金屬波導連接至一介電柱傳輸線 (dielectric rod transmission line) 。 itb 夕卜，4列士口窄頻 多柱介電天線柱（narrowband polyrod dielectric
BHl 1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第11頁 494605 五、發明說明（8) antennas )、天線陣歹丨J (antenna arrays)等亦為常見之天 線型態，諸如此類的天線包括：於二次世界大戰期間由
Bell Telephone Laboratories於Bell System Technical
Journal，Vol· XXVI， 1 94 7，pages837-85 1 中所提出之雷 達天線陣列元件（radar antenna array elements);
Krai 1等人於美國專利第4, 274, 0 97號案中所露出之介電天 線柱（dielectric rod antenna)，其方式係主要在於將具 有相對介電常數（dielectric constant)為84之一介電天 線柱嵌入於（embeds)具有相對介電常數為81之一介電圓柱 體（dielectric cylinder)。此外，具有高介電常數之材 料係用以製作密窄型波束天線（compact narrow beam antenna) 〇 再者，於目前係已發展出於雙頻天線（dual frequency antennas)之中包括有一傳輸線（transmissi〇n line)，例如Adams等人於美國專利第4, 785, 306號案中所 露出之一種雙頻進給衛星天線（dual frequency feed satellite antenna horn)，其方式係將ku帶介電傳輸線 (Ku band dielectric transmission line)沿著一般的金 屬C帶波導（metallic C-band waveguide)進行設置，並且 該Ku帶介電傳輸線係於一端壁（end wa丨丨）處離開該金屬c 帶波導。 於上述介電傳輸線中，一部分能量係會通過介電柱之 内側，而另一部分能量則是會通過介電柱之外側的空間。 電磁能（electromagnetic energy)係可沿著介電纖維
494605 五、發明說明（9) (dielectric fiber)進行傳播，其中係以HE11型為這些介 電纖維型式中具有最低成本及效能者，並且介電波導之有 效帶覓係可延伸自Η E11型之最低頻率，而其它例如具有較 低成本之ΤΜ01型、ΤΕ01型亦可做為傳播電磁能之使用。 當電磁能於介電柱的傳輸過程中產生了内部或外部不 連續的情況時，於該介電柱便會形成輻射現象。於丨9 4 〇年 代’Bell Telephone Laboratories係利用上述之輻射效 應製作出微波π多柱式π天線（microwave p〇lyr〇d antennas)。第1圖係以表示出一種多柱式錐度介電天線 1 0 ’並且可由McGraw-Hi 1 1於1 961年所出版之Antenna Engineering Handbook的16章中對於該多柱式錐度介電天 線1 0有較為詳盡的說明。該介電天線1 〇係搞接於金屬波導 12 ’並且於該介電天線1〇上區分有一進給錐度（feecl taper)14、一本體錐度（body taper)16、一平直區段 (straight section)18 及一末錐度區段（terminal taper sect ion)20，如此便可藉由該介電天線ι 〇之具有漸進式錐 度之直徑而於其各部位同時形成了輻射，隨後該輻射係於 其完成位置之一點位置上突然地被中斷，該輻射結構係主 要藉由錐度長度所得到之增益（ga i η)以形成一方向性端射 天線（directional endfire antenna)。 該介電柱傳輸線係可用以做為一同軸介電傳輸線 (coaxial dielectric transmission line)，其方式係藉 由將具有低介電常數之一第二介電圓柱（second dielectric cylinder)圍繞於其蕊柱（core rod)，並且於
1012-4208-PF ， ahddub.ptd 第 13 頁 五、發明說明（10) 其外覆套（outer sheath、·^ 藉由空氣所限制之介電常=限^之電場的介電常數係小於 柱之介電常數、該覆 2部分的能量會被限制於該蕊柱之中，除 干藉由該蕊柱係可有效地對於微波 於能量;二:二係與於藉由光纖傳輸線對 傳徵係在於將該介電圓柱天線、㈣軸介電 傳輸線進订結合以形成—連續式同心共線開孔
concentric collinear apertures)，並且於基本型HEU 之各頻帶的操作過程中的頻率比（f reQuency rati〇s)係大 於2 : 1 〇
请參閱第2圖，第2圖係用以說明一簡單型天線2〇之結 ，圖，於本實施例中之天線2〇係可同時在9· 4GHz之低頻X ▼ (X-Band)、9.4GHz之高頻w帶（W-Band)中進行操作，並 且該天線20係設置於具有介電常數£1之一介質26( 一般為 空氣）中。該天線20包括有一蕊柱（core rod)22及一外部 介電天線柱（outer dielectric antenna rod)24，其中， ow 該蕊柱22係插入於該外部介電天線柱24之中，該蕊柱22係 具有一介電常數ε3，而該外部介電天線柱24係具有一介 電常數ε2，如此便可形成了兩同心介電傳輸線，並且該 兩同心介電傳輸線分別連接至一高帶波導傳感器（high band waveguide transducer)27 與一低帶波導傳感器（1( band waveguide transducer)28。上述之介電常數 ε3 係
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以大於介電常數^為佳，並且 常數Μ佳。在該天線20之具有錐大於介電 帶議係可經由該外部介電天線柱24(介電;=二 形土：傳輸線而沿著該外部介電天線： 該介質26(介電常數〇。該第二傳輸線(sec〇J表面進入 = iiinear transmission line)係可藉由嵌入於該外 電天線柱24(介電常數ε2)之中的該蕊柱22(介電常數 而形成，並且可藉由第2圖之曝露於該介質26中之錐度^ 柱22係可對於高帶輻射（high band ”心31:1〇11)32進$傳 达。該外部介電天線柱24之介電常數“係約以介於 1 · 5-1 0之間為佳，其中更佳的方式係採用具有介 2.08之鐵弗龍材料（741〇1^)來製成。此外，為有效地將’’、 大部分能量限制於該蕊柱22之中，該蕊柱22之介電常數^ 3係約以介於1 0-30之間為佳，其中更佳的方式係採用且有 介電常數約為30之鋇四鈦酸鹽（barium 來製成。
上述各開孔（apertures)之帶寬及增益係可進行個別 的調整以適用於特定的應用範圍之中，同時亦可提供大型 活動式開孔相陣列天線系統（large active apertute phased array antenna system)之進給天線（fee(j antenna)可具有最佳的組合操作。 請同時參閱第3、4a-4c圖’第3、4a-4c圖係根據本發 明之第一實施例提出說明。於第一實施例中，天線4〇係^ 括有一支承殼體（support housing)42，其中，該支承殼
1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第 15 頁 494605 五、發明說明（12) 體4 2係由兩相互對稱之銘製殼狀塊件（h 0 u s丨n g b 1 〇 c k s )44a、44b所組成，其中，各殼狀塊件44a、44b之長度43 為3 · 5 n及寬度4 5為2 · 2 5n，並且藉由複數螺絲4 6 a - 4 6 d通過 隙孔4 8 a - 4 8 d而與螺紋孔5 0 a - 5 0 d的方式係可將該殼狀塊件 44a結合至該殼狀塊件44b，該兩殼狀塊件44a、44b經組合 後的整體高度係為1·625π。支承柱（support rod)52包括 有一錐柱（tapered rod)54、薄管狀物（thin tubing)56 及 一錐型躍遷區（tapered transition)58，其中，於該錐柱 54之末端部（proximai en(j)59上的該錐型躍遷區58係具有 45 °的錐度螺紋，並且該錐型躍遷區58係藉由該薄管狀物 56而與該錐柱54進行結合。該支承柱52係宜採用介電常數 (例如：ε2 =2· 08)大於空氣之介電常數且具有較小損失 之介電材料來製成為佳，此類材料係可採用熱塑性樹脂 (thermoplastic resins)或氟碳樹脂鐵氟龍材料 (fluorocarbon resin Tefl〇nTM material)，而該薄管狀 物56係可由標準AWG20鐵氟龍管所製成。於該錐柱54上係 具有一平直區段（straight sect ion) 60及一支承長度 (support length)66，其中，該平直區段6〇之直徑約為〇· 7 5"，該支承長度66約為Γ，藉由該平直區段6〇係可將該 錐柱54支承於該殼狀塊件44a、44b之圓柱狀凹部 (cylindrical recess)68之中。此外，該薄管狀物56係藉 由该设狀塊件4 4 a、4 4 b之該圓柱狀凹部w所支承，其中， AWG20鐵氟龍管係可以允許以壓縮配合的方式設置於該圓 柱狀凹部6 8之中，並且該圓柱狀凹部6 8係以同軸心於該圓
494605 五、發明說明（13) 柱狀凹部6 4的方式進行設置。該錐柱5 4所具有之錐度長度 7 4係自該殼狀塊件4 4 a、4 4 b之邊緣上的直徑6 2形成至該錐 度桿末端部72之直徑70，其中，錐度長度74係為4.75”， 而直徑62、70之間的差值為2 mm ° 於4支承柱5 2内部所形成之軸向圓柱狀凹部 (cy 1 indrical cavi ty)76的直徑尺寸約為imm，其中，於 該圓柱狀凹部76之上係具有一中心端部（pr〇ximai end cap)80及一末梢端部（distal end cap)82，並且於該圓柱 狀凹部76之中係填充有粉末狀之高介電材料78，同時該中 心端部8 0、該末梢端部8 2之上係具有以粉末狀介電材料7 8 所I成之直徑為1 m m之強化構件’如此便可藉由該中心端 部80、該末梢端部82對於壓縮配合之該圓柱狀凹部76進行 支承。於該中心端部80之上係具有長度84超過2mm之錐度 81，並且該錐度81係凸出於該兩殼狀塊件44a、44b。於該 末梢端部82係具有長度86超過2mm之一錐度83，並且該末 梢端部8 2係以1 · 1 2 5π之距離8 8凸出於該錐度桿末端部7 2。 於本實施例中，由於鋇四鈦酸鹽及鎳鋁鈦酸鹽（nickel -aluminum titan ate)係為目前可以任意改變天線頻率之粉 末材料78，因而該介電常數30之形成材料係可藉由 "Dielectric Waveguide Using Powdered Material” 之美 國專利第4，8 0 0，3 5 0號案中所述之鋇四鈦酸鹽或鎳鋁鈦酸 鹽來製成，如此以達到最佳的操作效能。 由此可知，當高頻天線於94GHz下進行操作時，本實 施例中之低頻天線係可在9· 4GHz之下進行操作，並且可經
1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第 17 頁 494605 五、發明說明（14) 由低頻埠（low frequency port)90 及高頻埠（high frequency port )92之兩相互對稱的波導埠以進行頻率的 輸入。忒低頻琿90係為具有波導口（waveguide m〇uth)尺 寸為· 9Π X · 4Π之標準WR90波導埠，而該高頻埠92係為波導 口尺寸為·08” X · 4”之標準WR8波導埠，並且在標準安裝孔 (standard mounting holes)的作用下係使得WR90、ffR8 進 給傳輸線（未圖示）連接於該支承殼體42。於第一實施例 中’該低頻埠9 0於實質上係9 〇。相對於該高頻埠9 2，而該 咼頻埠9 2係以同軸方式對齊於該天線之介電柱。於該低頻 埠90上之彎曲部分（bend) 94係大於90。，藉由該彎曲部分 9 4連接於邊圓柱狀凹部6 4之端部9 6，並且以漸縮方式將該 低頻埠90分別以連接至該圓柱狀凹部64之具有9” χ 9”尺寸 98、100的端部96。 雖然该支承柱5 2係採用壓入配合的方式設置於該圓柱 狀凹部64之中，但該支承柱52係仍可於該圓柱狀凹部64之 中進行軸向的轉動，如此便可針對所需的頻率而對於該天 線進行調整。 任何熟習此項技藝者均可了解，在以三軸方式嵌入具 有漸增之介電常數的介電柱係可使得本發明可以適用於進 行三頻帶（three frequency bands)之操作，相關的說明 係可參閱第5圖。於第5圖中，具有介電常數^之蕊柱122 係插入於具有介電常數ε3之介電天線柱124之中，並且該 介電天線柱124係插入於具有介電常數ε2之介電天線柱 1 2 5之中，而該蕊柱1 2 2、該介電天線柱1 2 4、該介電天線
1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第 18 頁 494605 五、發明說明（15) 柱125之未嵌入部分係由具有介電常數之介質126( —般 係採用空氣）所圍繞，如此便可形成三同心介電傳輸線， 其中’該三同心介電傳輸線係分別連接於高帶波導傳感器 (high band waveguide transducer)127、中帶波導傳感 器（high band waveguide transducer)128、低帶波導傳 感器（low band waveguide transducer)130。當該蕊柱 122曝露於該介質126(介電常數£1)且發出能量136時，藉 由採用大於10且大於該介電天線柱124之介電常數ε3之介 電常數q係可有效地對於該蕊柱122中之大部分的高帶能 量進行限制。介電常數e4之較佳值係約界於2〇 — 30之間， 其中’該介電常數ε4係以近似於介電常數為3 〇之鋇四鈦 酸鹽為佳。當該介電天線柱124曝露於該介質126(介電常 數£1)且發出能量134時，藉由採用大於1〇且大於該介電 天線柱1 2 5之介電常數ε 2的介電常數ε 3係可有效地對於該 介電天線柱1 24中之大部分的中帶能量進行限制。介電常 數之較佳值係約界於1〇 —2〇之間，而其中該介電常數& 之值又以1 0為佳。例如：該介電天線柱丨24所採用之材料 中係可i括石夕（ε-11·8)及石申化鎵（gaHium arsenide)( f :13· 2)。 當具有介電常數ε2之介電天線柱125於介質126(介電 .數ει)中發出低帶能量（low band energy)132時，該介 電柱125<之介電常數£2係以介於1·5—1〇的範圍為佳， I、又卩才木用介電常數約為2· 08《鐵弗龍材才斗來製成更 隹0
494605
二何无、為此項技藝者均可了冑，在藉由嵌入具掸 介電4數之複數介電柱係可使得本發明可以適用於四、玲 五、六頻帶或其它任何頻帶數目下的操作。 此外，於相關文獻中係已經針對可藉由介電柱傳輪線 進行激發以形成具有周期性擾動（peri〇dic perturbations)之介電柱天線提出相關說明，藉由此一介 電柱天線係可利用較小的帶寬（佔小百分比）以形成全向收 斂（omndirectional coverage)之輻射圖樣（radiati〇n patterns)，相關的例子係可參閱第6&、讣、6c圖。 如上所述，於同轴介電柱天線（CDRA)上係提供有多頻 共線開孔（multi-frequency collinear apertures)，該 多頻共線開孔中係結合有薄（相對於空氣中之半波長）介電 柱天線元件，並且於該薄介電柱天線元件上係嵌入有至少 一或複數同軸介電波導，在這些同軸介電波導上係提供有 具漸增介電常數且至少二個以上之共線錐狀發射用開孔 (collinear tapered radiating apertures)，這些共線 錐狀發射用開孔（collinear tapered radiating apertures)係以陣列方式進行設置。於同軸介電柱天線 (CDRA)中之所有元件係用以同時支承線性極化及環狀極化 (linear and circular polarizations)，並且各共線開 孔（collinear apertures)係可連接至個別的電子模組 (electronics modules)，而藉由最佳化之共線開孔 (collinear apertures)係可提供在特定頻帶下具有的理 想的操作過程。
1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第20頁 494605
、口此藉由與相陣列天線（phased array antenna) 進行結合之同軸介電柱天線（CDRA)元件係可具有以下特 (1) 於同軸柱上之各發射用開孔（radiating apertures)係具有至少為2 :丨之操作帶寬（叩”^丨叫 bandwidth)，因而在兩發射用開孔、三發射用開孔的操作 下係可分別提供有4 : 1、8 : 1之操作帶寬。 (2) 具有複數發射用開孔之同軸介電柱天線（CDRA)係 可廣泛地於如X帶（X —Band)、w帶（W — Band)等各頻帶中 操作。 / (3)於最低操作頻率下，該同軸介電柱天線（cdra)之 直徑係可相當的小，並且可藉由此一間隔密度以支承最高 操作頻率下之操作。 ° (4) 在將電子傳送器/接收器（T/R)電路以最佳化的方 式進行包裝且設置於該天線表面之後側，如此係可藉由該 同軸介電柱天線（CDRA)元件以減少在進給歧f(feed 人 manifold)中之電子元件的個數及簡化其結構。 (5) 於目前之大部分寬帶天線中係採用金屬接地面 (metallic ground piane)，但藉由本發明同軸介電柱天 線（CDRA)所具有之端射性質（encjfire nature)係可有效地 取代在該進給天線之基座（base)上的金屬接地面，除了可 以減少相陣列天線的重量之外，該同軸介電柱天線（cdrA) 係可δ又置於航空器、太空船及汽車結構之中之塑膠或合成 材料之表面上。
1012-4208-PF I ahddub.ptd 494605 五、發明說明（18) 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限制本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可做更動與潤飾，因此本發明之保護範圍 當事後附之申請專利範圍所界定者為準。
1012-4208-PF ； ahddub.ptd 第22頁

Claims (1)

  1. 494605 案號 90116983 六、申請專利範圍 J丨年S月
    種天線之成型方法，包括下列步 提 一介電 頻帶輕 有一介 以 電常數 一第二 天線柱 其 二介電 與該第 2· 中，該 3. 中，該 4·中，該 中 中 中 該 6· 該 7. 該 供具有 天線柱 射自該 質介電 同軸方 之一第 頻率傳 傳播至 中’該 常數係 —^介電 如申請 第一介 如申請 第一介 如申請 第一介 如申請 $二介 如申請 $二介 如申請 $二介 一第一介 係連接於 第一介電 常數；以 式將該第 二介電天 輸源，如 該介質； 第一介電 大於該介 常數之間 專利範圍 電常數係 專利範圍 電常數約 專利範圍 電天線柱 專利範圍 電常數係 專利範圍 電常數約 專利範圍 電天線柱 電常數之一第一介電天線柱，該第 一第一頻率傳輸源，如此以將第一 天線柱傳播至一介質，該介質係具 及 ^ 一介電天線枉設置於具有一第二介 線柱，該第二介電天線柱係連接於 此以將第二頻帶輻射自該第二介電 常數係大於該第二介電常數，該第 質介電常數，並且該第一介電常數 的差值係約大於10。 第1項所述之天線之成型方法， 約介於1 0 - 3 0之間。 第2項所述之天線之成型方法， 為30。 第2項所述之天線之成型方法， 係由鋇四鈦酸鹽所製成。/ 第1項所述之天線之成切大i 約介於m。之間 方法’ 第5項所述之天線之成型方法， 為2· 08。 / ’ 第5項所述之天線之成型 係由鐵弗龍材料所製成。/ ， 其
    ^-----90116983 _ 生 B_ 修正 …申請專抛目 中t如申請專利範圍第丨項所述之天線之成型方法，其 ’該第一介電天線柱係由以下方式所製成： 沿著該第二介電天線柱之長度方向上形成一軸向圓柱 狀凹部； 將具有該第一介電常數之/介電粉末填充於該圓柱狀 4 ;以及 一 藉由具有該第一介電常數之複數端塞分別設置於該第 兮二電天線柱之相對的中心端部與末梢端部的方式以確保 ~介電粉末位於該圓柱狀凹部之中。 中9 ·如申請專利範圍第8項所述之天線之成型方法，其 二該第二介電天線桎係由熱塑性樹脂所製成，並且該介 ”粉末係為頷四鈦酸鹽。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述之天線之成型方法，其 ’該熱塑性樹脂係為氟碳樹脂鐵氟龍材料。 ·如申請專利範圍第1項所述之天線之成型方法，其 ’該第一介電天線柱係由以下方式所製成： 沿著該第二介電天線柱之長度方向上形成一軸向圓枉 狀凹部； 將具有該第一介電常數之一介電柱填充於該圓枉狀150 部；以及 ' 一 藉由具有該第一介電常數之複數端塞分別設置於該第 一介電天線柱之相對的中心端部與末梢端部的方式以確保 該介電柱位於該圓柱狀凹部之中。 1 2 ·如申請專利範圍第11項所述之天線之成蜇方法’
    494605 ----------------车月日 修正__ 六、申請專利範圍 其中’該第二介電天線柱係由熱塑性樹脂所製成，並且該 介電柱係由鋇四鈦酸鹽或鎳鋁鈦酸鹽所製成。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之天線之成型方法， 其中’該熱塑性樹脂係為氟碳樹脂鐵氟龍材料。 1 4 ·如申請專利範圍第1項所述之天線之成型方法，其 中， 該第一頻率傳輸源係以同軸方式連接於該第一介電天 線柱；以及 該第二頻率傳輸源係藉由一傳輸線連接於該第二介電 天線柱’該傳輸線係軸向偏位於該第二介電天線柱。 1 5 ·如申請專利範圍第1項所述之天線之成型方法，其 中，各該第一介電天線柱、該第二介電天線柱所具有之一 操作光束寬度比係至少為2 : 1，如此可使得該天線所具有 之一操作光束寬度比係至少為4 ·· 1。 1 6 ·如申請專利範圍第1項所述之天線之成型方法，其 中，該第一介電天線柱係於X帶中進行操作，並且該第二 介電天線柱係於W帶中進行操作。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之天線之成型方法， 其中，該第一介電天線柱係以約9 · 4 G Η z進行操作，並且 該第二介電天線柱係以約94 GHz進行操作。 1 8 ·如申請專利範圍第1項所述之天線之成型方法，其 中，該第一介電天線柱包括有/錐狀部件，並且該第二介 電天線柱包括有一錐度部件。 1 9 · 一種天線之成型方法，包栝下列步驟：
    1012-4208-PF1 ； ahddub.ptc 第25頁 494605 案號 90116983 修正 月 曰 六、申請專利範圍 提供具有一第一介電常數之一第一介電天線柱，該第 一介電天線柱係連接於一第一頻率傳輸源，如此以將第_ 頻帶輻射自該第一介電天線柱傳播至一介質，該介質係具 有一介質介電常數；以及 以同軸方式將該第二介電天線柱設置於具有一第三介 電常數之一第三介電天線柱，該第三介電天線柱係連接於 一第二頻率傳輸源，如此以將第三頻帶輻射自該第三介電 天線柱傳播至該介質； 其中，該第一介電常數係大於該第二介電常數，該第 二介電常數係大於該第三介電常數，該第三介電常數係大 於该介質介電常數，並且該第一介電常數與該第三介電常 數之間的差值係約大於10。 20·如申請專利範圍第19項所述之天線之成型方法， 其中，該第一介電常數係約大於1 0。 21 ·如申請專利範圍第2 0項所述之天線之成型方法， 其中，該第一介電常數係約介於2〇-30之間。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之天線之成型方法， 其中’该第-介電常數約為30。 23·如申請專利範圍第21項所述之天線之成型方法， 其中，該第一介電天線柱係由鋇四鈦酸鹽所製成。 24·如申請專利範圍第19項所述之天線之成型方法， 其中，該第二介電常數係約大於1〇。 25·如申請專利範圍第24項所述之天線之成型方法， 其中，該第二介電常數係约介於1〇-2〇之間。 第26頁 1012-4208-PF1 ; ahddub.ptc 494605 月一 案號 901169^ 六、申請專利範圍 26·如申請專利範圍第25項所述之天線之 其中，該第^介電常數約為12。 方法， 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項所述之天線之成 其中，該第二介電天線柱係由矽所製成，並且 /八 天線柱所具有之一第二介電常數約為12。 "電 28^如〃申請專利範圍第25項所述之天線之成型方法， 其中，該第二介電天線柱係由砷化鎵所製成，並/ 介電天線柱所具有之一第二介電常數約為13. 2。以弟二 29·如申請專利範圍第19項所述之天線之 其中，該第三介電常數係約介於15 — 1〇之間。主万法， 3〇·如申請專利範圍第29項所述之天線之成 其中，該第三介電天線柱係由鐵氟龍材料所 法， 第三介電常數約為2. 08。 、成，並且該 其中，各該第一介電天線柱、該第二介電天線，乂 介電天線柱所具有之一操作光束寬度比係至少 该第三 此可使得該天線所具有之一操作光束寬度比係^小· 1，如 1 〇 ^ 為8 : 31.如申請專利範圍第19項所述之天線之 ’各該第一公Φ工说』> _ & Λώ： _入^ 方法， 32 種天線，包括 一第一介電天線柱，具有一第一介電常數， 電天線柱係連接於_第—頻率傳輸源，如此=第-介 輻射自該第一介電天線柱傳播至一哲第一頻帶 介質介電常數；以及 ^，丨質係具有一 電常數，該 第二介電天線柱，具有一第 — 1 ^ ^ ^第二介 第27頁 1012-4208-PF1 ； ahddub.ptc 裝號 _年 a a_修正_ …申請專利範^ 一 電天線柱係連接於一第二頻率傳輸源，如此以將第二頻帶 $射自該第二介電天線柱傳播至該介質，該第一介電天線 係以同軸方式設置於該第二介電天線柱之中； 一 其中，該第一介電常數係大於該第二介電常數，該第 w電常數係大於該介質介電常數，並且該第一介電常數 與该第二介電常數之間的差值係約大於1 〇。 —33·如申請專利範圍第32項所述之天線，其中，該第 介電常數係約介於1 〇 _ 3 〇之間。 _ 34·如申請專利範圍第33項所述之天線，其中，該第 介電天線柱係由鋇四鈦酸鹽所製成，並且該第一介電常 數約為30。 一 35·如申請專利範圍第32項所述之天線，其中，該第 一介電常數係約介於h 5 —1〇之間。 一 36·如申請專利範圍第35項所述之天線，其中，該第 一介電天線柱係由鐵氟龍材料所製成，並且該第二介電 數約為2. 0 8。 ^ 37·如申請專利範圍第32項所述之天線，其中，沿著 ，第二介電天線柱之長度方向上形成一軸向圓柱狀凹部， 该圓柱狀凹部上係填充了具有該第一介電常數之一介電粉 末於該圓柱狀凹部，並且藉由具有該第一介電常數之複& 端塞分別設置於該第二介電天線柱之相對的中心端部與末 梢端部的方式以確保該介電粉末位於該圓柱狀凹部^ /中。 38·如申請專利範圍第37項所述之天線，其中，該° 二介電天線柱係由熱塑性樹脂所製成，並且 Λ X ’丨冤粉末係
    1012-4208-PF1 ； ahddub.ptc 第28頁 494605
    --案號901丨Μ奶 六、申請專利範圍 為鋇四鈦酸鹽。 3 9·如申請專利範圍第32項所述之天線，其尹·· 该第一頻率傳輸源係以同軸方式連接於該一 線柱；以及 电穴 該第二頻率傳輸源係藉由一傳輸線連接於該第二介電 天線柱’該傳輸線係軸向偏位於該第二介電天線柱。 4 0 · —種天線，包括： 一第一介電天線柱，具有一第一介電常數，該第一介 電天線柱係連接於一第一頻率傳輸源，如此以將第一頻帶 輕射自該第一介電天線柱傳播至一介質，該介質係具有一 介質介電常數；以及 一第二介電天線柱，具有一第二介電常數，該第二介 電天線柱係連接於一第二頻率傳輸源，如此以將第二頻帶 輻射自該第二介電天線柱傳播至該介質，該第一介電天線 柱係以同軸方式設置於該第二介電天線柱之中；以及 一第三介電天線柱，具有一第三介電常數，該第三介 電天線柱係連接於一第三頻率傳輸源，如此以將第三頻帶 輻射自該第三介電天線柱傳播至該介質，該第二介電天線 枉係以同軸方式設置於該第三介電天線柱之中； 其中，該第一介電常數係大於該第二介電常數，該第 二介電常數係大於該第三介電常數，該第三介電常數係大 於該介質介電常數，並且該第一介電常數與該第三介電常 數之間的差值係約大於1 〇。 41·如申請專利範圍第4〇項所述之天線，其中，該第
    1012-420B-PF1 ； ahddub.ptc 第29頁 494605 _案號90116983_年月日_魅_ 六、申請專利範圍 一介電常數係約介於2 0-30之間。 4 2.如申請專利範圍第4 1項所述之天線，其中，該第 一介電天線柱係由鋇四鈦酸鹽所製成，並且該第一介電常 數約為3 0。 4 3.如申請專利範圍第40項所述之天線，其中，該第 二介電常數係約介於1 0 - 2 0之間。 44.如申請專利範圍第43項所述之天線，其中，該第 二介電常數約為12。 4 5.如申請專利範圍第43項所述之天線，其中，該第 二介電天線柱係由矽所製成，並且該第二介電天線柱之該 第二介電常數約為11.8。 4 6.如申請專利範圍第43項所述之天線，其中，該第 二介電天線柱係由砷化鎵所製成，並且該第二介電天線柱 所具有之一第二介電常數約為13.2。 4 7.如申請專利範圍第40項所述之天線，其中，該第 三介電常數係約介於1. 5 - 1 0之間。 4 8.如申請專利範圍第47項所述之天線，其中，該第 三介電天線柱係由鐵弗龍材料所製成，並且該第三介電常 數約為2. 0 8。 4 9.如申請專利範圍第4 0項所述之天線，其中，各該 第一介電天線柱、該第二介電天線柱、該第三介電天線柱 所具有之一操作光束寬度比係至少為2 : 1，如此可使得該 天線所具有之一操作光束寬度比係至少為8 : 1。 5 0. —種天線，用以將N個電磁波傳播至一介質，各該
    1012-4208-PF1 ; ahddub.ptc 第30頁 494605 _案號90116983_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 電磁波係連接有一頻帶，該天線包括： N個介電天線柱，各具有一介電常數，該等N個介電天 線柱包括有一蕊介電天線柱、N - 2個中間介電天線柱及一 外部介電天線柱；以及 N個電磁能量傳輸源，各該等N個電磁能量傳輸源係用 以產生且將該等N個電磁波中之一者從該等介電天線柱中 之一者傳播至該介質，該介質係具有一介質介電常數； 其中，該蕊介電天線柱係以同軸方式設置於該等N-2 個中間介電天線柱中之一者之中，除了剩餘之該等中間介 電天線柱中之一者係以同軸方式設置於該外部介電天線柱 之中之外，於剩餘之該等N - 3個中間介電天線柱中之任一 者係以同軸方式設置於剩餘之該等中間介電天線柱中之一 者之中；以及 其中，於該天線中所包括之一給定介電天線柱之介電 常數係大於以同軸方式設置於該給定介電天線柱之中之該 介電天線柱之介電常數，並且該外部介電天線柱之介電常 數係大於該介質介電常數。 5 1. —種天線之成型方法，包括下列步驟： 提供具有一第一介電常數之一第一介電天線柱，該第 一介電天線柱係連接於一第一頻率傳輸源’如此以將第一 頻帶輻射自該第一介電天線柱傳播至一介質，該介質係具 有一介質介電常數；以及 以同軸方式將該第一介電天線柱設置於具有一第二介 電常數之一第二介電天線柱，該第二介電天線柱係連接於
    1012-4208-PF1 ； ahddub.ptc 第31頁 丄 1號9011RQS2 年 月_ 六、申請專利範圍 > 第二頻率傳輸源，如此以將第二頻帶輻射自該第〜 天線柱傳播至該介質； 〜介 其中，該第一介電常數係大於該第二介電常壑 ^弟二介電常數係大於該介質介電常數。 52·如申請專利範圍第51項所述之天線之成型方、 其中’該第一介電天線柱係由以下方式所製成： 去’ 沿著該第二介電天線柱之長度方向上形成一 都： 向圓挺 狀凹部 曰 修正 電 教足 將具有該第一介電常數之一介電粉末填充於哕 ：VJ U W圓挺 凹部；以及 狀 々 藉由具有該第一介電常數之複數端塞分別設置於該 第=介電天線柱之相對的中心端部與末梢端部的方式以確 保4介電粉末位於該圓柱狀凹部之中。 53·如申請專利範圍第51項所述之天線之成型方法， 其中： 該第一頻率傳輸源係以同軸方式連接於該 介電天 線柱；以及 該第二頻率傳輸源係藉由一傳輸線連接於該第二介電 線柱^亥傳輸線係軸向偏位於該第二介電天線枉。 54·如申請專利範圍第52項所述之天線之成型方法， 其中’該第二介電天線柱係由熱塑性樹脂所製成，旅I該 ’丨電粉末係為鋇四鈦酸鹽。 55· 一種天線之成型方法，包括下列步驟： 提供具有一第一介電常數之一第一介電天線枉，該第
    1012-4208-PF1 ； ahddub.ptc
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    修正 一介電天線柱係連接於—第 頻帶輻射自該第一介電天線 有一介質介電常數；以及 以同軸方式將該第一介 電常數之一第二介電天線柱 一第'一頻率傳輸源，如此以 天線柱傳播至該介質； 一頻率傳輸源，如此以將第一 柱傳播至一介質’該介質係具 電天線柱設置於具有一第二介 ，該第二介電天線柱係連接於 將苐二頻帶輕射自該第三介電 ^以同軸方式將該第二介電天線柱設置於具有一第三介 電f數之一第三介電天線柱，該第三介電天線柱係連接於 一第二頻率傳輸源，如此以將第三頻帶輻射自該第三介電 天線柱傳播至該介質； 一其中，該第一介電常數係大於該第二介電常數，該第 一介電常數係大於該第三介電常數，並且該第三介電常數 係大於該介質介電常數。 56· —種天線，包括： "一第:介電天線柱，具有一第一介電常數，該第一介 電天線柱係連接於一第一頻率傳輸源，如此以將第一頻帶 輻射自該第一介電天線柱傳播至一介質，該介質係具有一 介質介電常數；以及 ^ 一第，介電天線柱，具有一第二介電常數，該第二介 1天線柱係連接於一第二頻率傳輸源，如此以將第二頻帶 輻射自"亥第二介電天線柱傳播至該介質，該第一介電天線 柱係以同軸方式設置於該第二介電天線枉之中；以及 其中’该第一介電常數係大於該第二介電常數，該第
    494605 年 案號 90116983 六、申請專利範圍 二介電常數係大於該介質介電常數° 5 7·如申請專利範圍第5 6項所述之天線’其中，沿著 該第二介電天線柱之長度方向上形成一轴向圓柱狀凹部， 該圓柱狀凹部上係填充了具有該第一介電常數之一介電粉 末於該圓柱狀凹部，並且藉由具有該第一介電常數之複數 端塞分別設置於該第二介電天線拄之相對的中心端部與末 梢端部的方式以確保該介電粉末位於該圓柱狀凹部之中。 5 8 ·如申請專利範圍第5 6項所述之天線，其中： 該第一頻率傳輸源係以同軸方式連接於該第一介電天 線柱，以及 該第二頻率傳輸源係藉由一傳輸線連接於該第二介電 天線柱，該傳輸線係軸向偏位於該第二介電天線枉。 59·如申請專利範圍第57項所述之天線，其中，該第 二介電天線柱係由熱塑性樹脂所製成，诉 /介電粉末係 為鋇四鈦酸鹽。 & 6 0 · —種天線，包括·· 一第一介電天線柱，具有一第—八 访第一介 電天線柱係連接於一第一頻率Λ )丨電常數，以 輻射自該第-介電天線柱；；：輪；，如此以將 介質介電常數；以& 播至-介質’該介質係異有 電天線柱係連接於一第二二介電常數，該第 輻射自該第二介電天線柱傳播至質如此m線 柱係以同軸方式設置於該第_ "貪’該第〆"電 介電天線柱之中；以及
    η a 修正 ^ 一第三介電天線柱，具有/第三介電常數，該第三介 電天線柱係連接於一第三頻率傳輸源，如此以將第三頻帶 輕射自該第三介電天線柱傳播至該介質，該第二介電天線 柱係以同軸方式設置於該第三介電天線柱之中； 其中’遠第一介電常數係大於該第二介電常數，該第 二介電常數係大於該第三介電常數，該第三介電常數係大 於該介質介電常數，並且該第一介電常數與該第三介電常 數之間的差值係約大於1 0。 61 ·如申請專利範圍第5丨項所述之天線之成型方法， 其中’各該第一介電天線柱、該第二介電天線柱所具有之 一操作光束寬度比係至少為2 : 1，如此可使得該天線所具 有之一操作光束寬度比係至少為4 : 1。 62·如申請專利範圍第55項所述之天線之成型方法， 其中，各該第一介電天線柱、該第二介電天線柱、該第三 介電天線柱所具有之一操作光束寬度比係至少為2 ·· 1，如 此可使得該天線所具有之一操作光束寬度比係至少為8 : 63·如申請專利範圍第56項所述之天線，其中，各該 第一介電天線柱、該第二介電天線柱所具有之一操作光束 寬度比係至少為2 : 1，如此可使得該天線所具有之一操作 光束寬度比係至少為4 ·· 1。 64·如申請專利範圍第60項所述之天線，其中，各該 第一介電天線柱、該第二介電天線柱、該第三介電天線板 所具有之一操作光束寬度比係至少為2 ·· 1，如此可使得該
    天線所具有之一操作光束寬度比係至少為8 ··卜 其65·如申請專利範圍第51項所述之天線之成型方法， ς 亥第一、二介電天線柱係可於分離之X帶、w帶等複 數頻帶中進行操作。 _ 6_6·如申請專利範圍第56項所述之天線，其中，該第 、二介電天線柱係可於分離之X帶、W帶等複數頻帶中進 行操作。 6 7 ·如申請專利範圍第51項所述之天線之成型方法’ 其中’該第一介電天線柱係由以下方式所製成： 沿著該第二介電天線柱之長度方向上形成一軸向圓枉 狀凹部； 將具有該第一介電常數之〆介電桎填充於該圓枉片 部；以及 精由具有該第一介電常數之极數端塞分別又置；、_ 第二介電天線柱之相對的中心端部與末梢端部的方式以 保該介電柱位於該圓柱狀凹部之中。
    1012-4208-PF1 ; ahddub.ptc 第36頁
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