TW494048B - Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area - Google Patents

Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area Download PDF

Info

Publication number
TW494048B
TW494048B TW90117012A TW90117012A TW494048B TW 494048 B TW494048 B TW 494048B TW 90117012 A TW90117012 A TW 90117012A TW 90117012 A TW90117012 A TW 90117012A TW 494048 B TW494048 B TW 494048B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
processing chamber
substrate
grinding
elastic film
Prior art date
Application number
TW90117012A
Other languages
English (en)
Inventor
Steven M Zuniga
Hung-Chih Chen
Ming-Kuie Tseng
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW494048B publication Critical patent/TW494048B/zh

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

494048 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 發明領域: 本發明大致上是有關於基材的化學機械研磨 (chemical mechanical polishing),尤其與用於化學機械研 磨的研磨頭有關。 發明背景: 一般積體電路大都是形成於基材上,特別是矽晶 圓,依序的在基材上沉積傳導,半傳導或阻隔層。在沉 積每一層之後,進行蝕刻以形成電路系統特徵。隨著依 次沉積一連續的層和進行蝕刻,基材的外部或最上層的 表面,即,基材被暴露的表面,越來越多地變得不平坦。 這個不平坦表面可能會在積體電路製造過程的顯影 (photolithographic)步驟中造成問題。因此,需要定期地 平坦該基材表面。此外,當進行回研磨填充層時也會需 要平坦化(planarization),例如當使用金屬在一介電層填 滿淺溝時。 平坦化(chemical mechanical polishing ; CMP)是一公 認脅平-坦化倉法。此—平坦化方法一般需要基材被安置於 一或牽轉具或研磨頭。基材的暴露表面被放置相對於一 移動的研磨墊,如一環形墊或線性帶狀物。研磨墊可以 是一”標準”或一固定磨料的襯墊。一標準的研磨墊具有 一耐用的粗糙或柔軟的表面,而一固定磨料的襯墊則具 有研磨顆粒附著於一黏附媒介。研麼頭提供一可控制負 載(也就是壓力)於基材上,以使基材抵住研磨整。—些研 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------“----II — ----丨丨丨丨訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494048 A7 -----«__ B7 五、發明說明() 磨頭包括有一彈性薄膜,為基材提供一個安裝表面和一 頂位環以在安裝表面之下吸住該基材。將彈性薄膜後方 之處理主加壓或者抽真空可以控制基材上的負載。一 研磨料漿,至少包括一個在化學方面的激發劑,和磨料 的顆粒如果使用一標準襯墊,被供給給研磨墊的表面。 一平坦化過程的效果可以經由測量它的研磨速率、 基材表面的最後拋光度(無小規模的粗糙不平處)及平坦 度(興大規模的不平坦處(topography))而得。研磨速率, 拋光和平坦度是由襯墊和料漿的結合,在基材和櫬墊之 間的相對速度,和下壓基材相對襯墊的力量所決定。 再次發生於平坦化中的一問題是非均勻(nonuniform) 研磨。由於許多因素,基材的一些部分需要以與基材的 其他一些部分不同的一研磨速率。即使把一均勻壓力施 加於基材的背面,還是有可能會發生非均勻研磨。此外, 到達研磨裝置的一基材可能有一非均勻的初始厚度。因 此,需要提供一研磨頭圓緣能夠在化學機械研磨期間把 不同壓力施加於基材的不同區域以彌補非均勻的研磨速 率或基材的非均勻初始厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 非均勾研磨的一個例子是所謂”中心高速效應(center fast effect )”,即,基材中央區域容易比基材的外部區域 研磨的更快速。 發明目的及概述: 在一觀點中,本發明是被應用於一化學機械研磨裝 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 494048 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 置的一研磨頭。該研磨頭有一研磨架構,一第一彈性薄 膜在該研磨架構之下伸出,和該第一彈性薄膜和該研磨 架構之間的複數個處理室。該彈性薄膜的一底部表面提 供一安裝基材的表面。該複數個處理室係組裝用來在有 一内部直徑的一環形裝載區域内施加一第一壓力於一基 材’而該複數個處理室可以控制在該裝載區域内施加於 該基材的第一壓力和該環形裝載區域的内部直經。 本發明的執行可以包括以下其中之一或更多的特 性。 複數個處理室可以被設置用來把一第二壓力施加於 位在被該環形裝載區域環繞之一中央裝載區域中的該基 材。第二壓力可以比第一壓力較小。一第二彈性薄膜可 以被設置在該第一薄膜和該研磨架構之間。該第二彈性 薄膜可以包含一第一薄膜部分以被帶入與該第一彈性薄 膜的一内部表面接觸,以及一第二薄膜部分可以連接於 該第一薄膜部分的一中央部分並定義一第一處理室。該 第一處理室的抽真空動作可以拉引該第二薄膜部分向上 也乎 膜以增加接觸該第一彈性薄膜的該第—薄膜部分的一環 形部分的一内部直徑。一第三薄膜部分可以被連接在該 第一薄膜部分的一邊緣部分上並可以定義一第二處理 室。該第二處理室的的抽真空動作可以拉引該第二薄膜 部分向上也可以將該第一薄膜部分的邊緣部分拉離該第 一彈性薄膜以減少接觸該第一彈性薄膜的該第一薄膜部 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------1---卜---裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 禮· 494048 A7 B7 五、發明說明( 分之環形部分的一外部直徑。該第一彈性薄膜可以包括 外部薄膜部分以接觸該基材與連結於該外部薄膜部八 的一中央部分的一内部薄膜部分並定義一第一處理室。 孩第一處理室的抽真空動作可以拉引該内部薄膜部分向 上並可以將該外部薄膜部分的中央部分拉離該基材以^ 加與該基材接觸的該外部薄膜部分之一環形部分的一内 部直徑。而該第二處理室的加壓動作可以推擠該内部薄 膜部分向外以接觸該第一薄膜部分。也許會有一流^連 接到該外部薄膜的中央部分和該基材之間的一容積。 在另一個觀點中,本發明是被應用於一化學機械研 磨裝置的一研磨頭。該研磨頭具有一研磨架構,一第一 彈性薄膜具有一邊緣部分連接於該研磨架構和一中央部 分具有一較低的表面提供一基材設置面,以及一第二彈 性薄膜具有一中央部分固接於該研磨架構,一邊緣部分 固接於該研磨架構,一環形摺板固接於該研磨架構,以 及一中央部分具有一較低的表面接觸在一環形區域内之 該第一彈性薄膜之中央部分的一上層表面。該第一彈性 —薄嫫一和第二彈一法薄膜之間的一第一容積提供一第一處理 1:,而在該第二彈性薄膜和在該環形摺板内之該研磨架 構之間的一第二容積提供一第二處理室,並且該第二彈 性薄膜和在該環形摺板與該邊緣部分之間的研磨架構之 間的一第三容積提供一第三處理室。 本發明的執行可以包括以下其中之一或更多的特 性。該第一、第二和第三處理室可以控制在該環形區域 | 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公餐)_ (請先閱讀背面之注意事項再d寫本頁) l· · 訂.· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494048 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明() 内施加於基材之一壓力和控制該環形區域的—外部直徑 和一内部直徑。該第—處理室的加壓動作可以把該第二 彈性薄膜的中央部分推離該第一彈性薄膜以增加該環形 區域的内部直徑,而該第一處理室的抽真空可以將該第 二彈性薄膜的中央部分拉向該第一彈性薄膜以減少該環 形區域的内部直徑。該第二處理室的加壓動作可以將該 第二彈性薄膜的中央部分推向第一彈性薄膜以減少該環 形區域的内部直徑,而該第二處理室的抽真空動作可以 將該第二彈性薄膜的中央部分從該第一彈性薄膜拉開以 增加該環形區域的内部直徑β該第三處理室的加壓動作 可以將該第二彈性薄膜的中央部分推向該第一彈性薄膜 以增加該環形區域的外部直徑,而該第三處理室的抽真 空動作可以將該第二彈性薄膜的中央部分拉離該第一彈 性薄膜以減少該環形區域的外部直徑。該第一彈性薄膜 的中央部分可以有一孔洞,以及一夾頭可以穿過該孔洞 伸出以夾固該第一彈性薄膜於該研磨架構,該夾頭可以 包括一通路以流體連結該第一處理室於一壓力來源。 本發明執行的潛在優點可以沒被包括或甚至多過下 面所列的。壓力和相對於基材的彈性薄膜之裝載區域均 可以被修改以彌補非均勻的研磨。研磨頭可以把壓r力施 加於在一環形裝載區域内的基材,並且而該環形裝載區 域的内部直徑和外部直徑都可以被控制β研磨頭還可以 相對於基材的其他部分壓力增加或減少在基材中心的壓 力。這樣一來,基材的非均勻的研磨(例如中心慢速效應) 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ------------t--------訂----- !! # (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494048 A7 五、發明說明( 便可以被減少,而JL所彳于到之基材平 度和拋光可以也 、被改進。 本發明的其他特點和觀點將從下面的詳、 ^ +遮播述,附加 的如申請專利範園弟項所迷之和伴隨薗一 & _不而變得更明 顯0 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 圖式簡軍i» aq ·· 第1圖是說明一化學機械研磨裝置的一分解 面圖。 第2圖是根據本發明之一研磨頭的一剖面 ,第3 AD圖是說明第2圖的研磨頭之一裝遴严 衣孰域的一可控 直後的剖面示意圖。 弟4圖是說明一研磨頭的一剖面示意圖,其 ★ ^ ^ 、个内部薄膜 中央部分沒有形成第一内部處理室的— 硬界。 第5圖是說明一研磨頭的一剖面示意圖,其 、丁鬥部薄膜 被連結於外部薄膜。 第6 AB圖是說明第5圖的研磨頭的一裝載區域之一可^ 直徑的剖面示意圖。 第丄圖一是說J月一—研磨SI之内部薄膜是被連結於外部薄 和可控制在基材和外部薄膜之間之一容積的一壓 的一流體供應管的一剖面示意圖。 第8 AB圖是說明第7圖的研磨頭的裝載區域之一可控制 徑的剖面示意圖。 第9圖是說明一研磨頭,其中通道到浮動上層處理室和 體供應管是被相連接的的一剖面示意圖。 第9頁 制 的 是 制 膜 力 直 ------^---.bit— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----訂--- 494048 A7 五、發明說明( 第10圖疋弟9圖的研麻 听磨頭的流體供應管的一個放大圖。 第1 1圖是根據本發明沾^ 赞月的研磨頭的一剖面示意圖。 第12AD圖是從第1 、 币研磨頭之可控制裝載區域的薄膜 的示意圖。 為了有利於ίψ feZ -τ 、里解,已經使用相同的參考數字,以表明 與圖表使用相同元素。 圖號對騰_說明: (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 基材 20 化學機械研磨裝置 25 研磨站 27 傳送站 30 可旋轉臺板 32 研磨塾 40 聯合櫬墊調節器裝置 50 料漿 52 料漿/沖洗劑機械臂 60 多頭旋轉傳送帶 62 中心柱 64 旋轉傳送帶軸 66 支撐盤 68 蓋辛 70 研磨頭系統 72 fe向狹缝 74 研磨驅動軸 76 旋轉馬達 100 研U 102 外殼 — 110 固定環 112 底部表面 114 内部表面 120 基材支撐組件 122 内部薄膜 124 外部薄膜 126 上層薄膜間隔環 128 下層薄膜間隔環 130 第一内部處理室 132 第二内部處理室 134 第三内部處理室 136 第—外部處理室 第10頁 494048 A7 _B7 五、發明說明() 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 138虛擬處理室 140,142,144,146 通道 170 中央部分 172 周邊部分 174,376 内部環形垂懸部分 176 中間壤形垂懸部分 1 78,3 74 外部環形垂懸部分 180 中央部分 182 唇緣部分 184 周邊部分 200 圓柱形連接器部分 210 連接部分 212 中心部分 214 容積 220 支撐架構 222 凹槽 224 環形區域 226 孔徑 228 流體供應管 230 閥門 232 中央孔口 234 圓柱形物體 236 環形撓曲 238 内部表面 300 研磨頭 302 外殼 304 基底組件 306 平衡機構 308 裝載處理室 310 固定環 312 基材支撐組件 316 底部表面 318 内部表面 320 垂直鑽孔 3 22, 3 24 通道— 328 0形環 330 環形物體 332 下層夾頭環 334 外部夾頭環 340 萬向球欽桿 342 彎曲環 346 旋轉隔板 348 内部夾頭環 350 内部薄膜 352 外部薄膜 354 上層處理室 356 内部處理室 358 外部處理室 第11頁 -----Π!—·!裝 (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) 訂---------# 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) 494048 A7 B7 五、發明說明( 3 6 0薄膜夾頭 3 64下層薄膜間隔環 3 70,3 80中央部分 3 7 8 孔洞 3 8 4周邊部分 3 62上層薄膜間隔環 3 6 6邊緣控制環 372較厚的環狀部分 3 8 2唇緣部分 經濟部智慧財產局員工消費合作社印副衣 發明詳細說明: 請參考第1圖,一或更多的基材10被由一化學機械研 磨裝置20研磨拋光。一合適的化學機械研磨裝置的一描 述可以在美國專利第5,738,574號中找到,在此處將合併 參考它的整個揭露。 化學機械研磨裝置20包括連續數個研磨站25和一傳 送站27用來裝載和卸載基材。每一個研磨站25都包括一 可旋轉臺板30其上方放置一研磨墊32。每一個研磨站25 都可以另包括一聯合櫬墊調節器裝置40以保持研磨勢的 磨料狀態。 包含有一液體的一料漿50(如用於氧化物研磨的去 離子水)和一酸鹼值調節劑(如用於氧化物研磨的氫氧化 鉀)可以由一聯合料漿/沖洗劑機械臂52向研磨墊32的表 面供給。如果研磨墊32是一個標準的櫬墊,料漿5〇也可 以包括研磨料顆粒(如用於氧化物研磨的二氧化碎)。另一 方面,如果研磨墊32是一個不變研磨料(fixedabrasive;^ 襯墊,料漿50也可以是一沒有研磨料的液體。一般會提 供足夠料漿以把整個研磨墊32覆蓋和弄溼。料漿/沖洗劑 第12頁 (請先閱讀背面之注意事項巧填寫本頁) 裝 . 五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明() 機械臂52包括有數個噴霧喷管(未顯示)以在每一個研磨 和調節週期的末期提供研磨墊32的一高壓力沖洗。 一可旋轉多頭旋轉傳送帶60由一中心柱62所支撐並 在其上由一旋轉傳送帶組件(未顯示)對一旋轉傳送帶轴 64轉動。多頭旋轉傳送帶60包括有四個研磨頭系統70以 相對於旋轉傳送帶軸64以均等的角度距離安裝於一旋轉 傳送帶支撐盤66上。其中三個研磨頭系統把基材安置於 研磨站之上方,而其中之一研磨頭系統從傳送站接收一 基材和把基材送到傳送站。旋轉傳送帶馬達可使這些研 磨頭系統繞著在研磨站和傳送站間的旋轉傳送帶軸轉 動,而與其相接附之基材亦伴隨旋轉。 每一個研磨頭系統7 0都包括有一拋光或研磨頭 100。每一個研磨頭1〇〇都繞著自己的軸單獨轉動,和在 旋轉傳送帶支撐盤66中所形成的一徑向狹缝72中側向的 擺動。一研磨驅動軸74透過狹缝72伸出以連接一研磨頭 旋轉馬達76 (由一旋轉傳送帶蓋子68的四分之一的移動 顯示)至研磨頭100。每一個馬達和驅動軸可以被支撐在 一可以被一徑向驅動馬達沿著狹縫來線性驅動的滑件上 (未顯示)以使研磨頭100側向的擺動。 在實際研磨期間,其中三個研磨頭被設置在三個研 磨站的上方。每一個研磨頭1〇〇都放下一基材與研磨整32 接觸。研磨頭100將基材夾在與研磨墊相對的位置並在整 個基材的背面表面分散一力量。研磨頭1〇〇也從驅動軸 轉移力矩到基材。 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) 494048 A7 B7 五、發明說明() -----‘---r---^裝—— (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 凊參考第2圖,研磨頭100包括一外殼102,一固定環 11 0 ’以及一基材支撐組件1 2 〇其包括四個可加壓的處理 室’如一第一内部處理室13〇,一第二内部處理室132, 一第三内部處理室134,以及一第一外部處理室136。雖 然沒有圖示,但是外殼可以包括一第一部分固設於驅動 軸和吊在第一部分的一可垂直移動的第二部分(一基底 組件)。舉例來說,基底組件可以透過一控制固定環在研 磨表面上之壓力的分離裝載處理室被連接在外殼上。此 外,研磨頭也可以包括其他特點,例如一個平衡機構 (gimbal mechanism)(可以被看作基底組件的一部分)。可 以在美國專利申請序號0 9/4 70,820,(1999年12月23曰提 出申請)’發現一具有這些特點的一類似研磨頭的描述, 在此處將合併參考其揭露内容做為參考。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 外殼102可以被連接在驅動軸74上(參見第1圖)以在 研磨期間與驅動轴74—起對與研磨塾的表面大致垂直的 一旋轉的軸轉動。外殼102在形狀上通常是圓形的以與將 要被研磨的圓形架構基材是一致的。四個通道140,142 , 144和146可以透過外殼102伸出以分別的用來作為處理 室1 3 0,1 3 2,1 3 4和1 3 6的氣動控制。如果基材支撐組件 是利用一裝載處理室吊在一基底組件上,一第五通道透 過外殼可以被用來控制裝載處理室内的壓力,而在基底 組件内的通道利用透過裝載處理室伸出的彈性管可以被 連接在外殼中的通道上。 固定環1 1 0通常可以是一圓形環被固設在外殼1 02的 第14頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五 、發明說明( 外部邊緣。固定環11〇的一底部表面112可以大致上是平 坦的’或它可以有複數個通道以容易從固定環外面運送 料漿到基材。固定環1 1 〇的一内部表面1 1 4配合基材以防 止它脫離至研磨頭的下方。 繼續參考弟2圖’支撐基材組件120包括一内部薄膜 122,一外部薄膜124,一上層薄膜間隔環126,以及一下 層薄膜間隔環128。内部和外部薄膜122和124可以是由一 彈性材料所形成,例如一彈性體(elast〇iner),如氯丁二烯 (chloroprene )或乙烯(ethylene)丙埽(propylene^ 膠或者 硬樹脂’ 一覆蓋織物的彈性體,一個熱可塑彈性體 (thermal plastic elastomer ;TPE)’ 或者這些材料的結合。 内部薄膜122的底部表面之一中央部分或外部薄膜124的 頂部表面之一中央部分可以有細小溝槽以確保流體可以 經由此流動和/或具有一特別架構的粗糙表面以防止黏 著,當内部和外部薄膜處於接觸時。内部和外部薄膜122 和124的不同部分可以是用不同硬度材料所形成或者有 不同厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 外部薄膜124包括一中央部分180,提供一安裝表面 以禮合基材,一唇緣部分182,以及一周邊部分184從上 層薄膜間隔環126和下層薄膜間隔環128之間伸出以被固 設於該基底組件,例如被夾在外殼1〇2和固定環11〇之間 緊。外部薄膜1 2 4可以被預先缚造成一彎曲形狀。唇緣部 分182可以產生效果以在基材被夾住期間提供一活動垂 懸物(activeflap)唇狀密封,如在美國專利申請序號第 第15頁
494048 A7 _ — B7 五、發明說明() 09/2 96,935號所描述,在1999年4月22日所提出之申請, 在此處將合併參考其全部内容。 内部薄膜122包括有一圓形中央部分170在一可控制 的區域内接觸外部薄膜124,一周邊部分172帶著連結於 中央部分170之外部邊緣的一内部邊緣,一内部環形垂懸 部分174連接於中央部分170,一中間環形垂懸部分176從 周邊部分1 72之外部邊緣伸出,以及一外部環形垂懸部分 178也從周邊部分172之外部邊緣伸出。每一個環形垂懸 物174,176和178的邊緣可以被一夾鉗環緊固於外殼或基 底組件上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在外殼102和被内部環形垂懸部分174所密封的内部 薄膜122之間的容積提供第一内部處理室丨3〇。在外殼1〇2 和被密封在内部垂懸物174和中部垂懸物176之間的内部 薄膜122之間的每形容積定義第二内部處理室132。在外 殼102和被密封在中部垂懸物176和外部垂懸物178之間 的内部薄膜122之間的環形容積定義第三内部處理室 134。最後,在内部薄膜122和外部薄膜124之間的被密封 容積定義外部處理室136。每一個處理室可以都連接在一 未顯示的系上以單獨的控制相關之處理室的塵力。如下 面的詳細描述,在這些處理室130,132,134和136内之 壓力的結合可控制接觸區域和相對於内部薄膜1 22與外 部薄膜124之頂部表面的壓力兩者。 上層薄膜間隔環126通常是一堅硬環形物體設置在 固定環110和外部薄膜124之間。下層薄膜間隔環128通常 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7
494048 五、發明說明() 是一堅硬環形物體位在外部處理室136之内而在上層薄 膜間隔環126之下。上層和下層薄膜間隔環126和128用於 將外部薄膜128的周邊部分184形成為一大體為彎曲剖面 形狀。上層和下層薄膜間隔環126和128需要不被固設於 研磨頭的其他部分,並可以被内部和外部薄膜設置於合 適的位置《薄膜間隔環可以有其他形狀選擇以影響在基 材邊緣壓力的分配。 如在上面所描述的,内部薄膜122的中央部分17〇的 一可控制區域可以接觸並施加一向下的負載於外部薄膜 124的一上層表面。把負載透過外部薄膜轉移到在裝載區 内的基材。在操作方面,把流體抽出或抽入浮動内部處 理室156以控制相對於内部薄膜122的外部薄膜124的接 觸區域。 請參考第3AD圖,與内部薄膜ι22相對的外部薄膜 124的接觸區域,以及把壓力施加於基材1〇的裝載區域, 可以藉由改變這些處理室13〇,132,134和136壓力而被 控制。如弟3A圖所示,在某些壓力,内部薄膜I?]的一環 形區域具有一外部直徑卩⑽…將接觸外部薄膜124的上層 表面。如第3B圖所示,透過從第三處理室134中抽出流 體’内部薄膜122的周邊部分172被向上拉,因此推擠中 央部分1 70的外部邊緣離開從外部薄膜1 24並縮小環形區 域之外部直徑D〇uter。相反地,如第3C圖所示,透過灌注 流體進入第三處理室134中,内部薄膜122的周邊部分172 被向下壓,因此降低内部薄膜122的中央部分17〇的邊緣 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐) (請先閱讀背面之注 -----裝 意事填 寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494048 A7 B7 五、發明說明() 與外部薄膜124接觸並增加環形區域之外部直徑D()utei<。 總之’如此谷許研磨頭在一可控制裝載區域中操作,如 上述的美國專利申請序號第09/470,820號所描述。此 外,在第一内部處理室130内的壓力可以被調整成比在第 二内部處理室132内之壓力更高或更低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第3D圖所示,如果有足夠的流體被抽離第一内部 處理A130,内邵薄膜122的中央部分170的中心會被向上 拉,造成在内部薄膜122和外部薄膜124之間的一環形接 觸區域’其具有一内部直徑Dinner迫使額外的流體離開第 一内部處理室130將增加裝載區域的内部直徑Dinner,而 把流體抽入第一内部處理室13〇將減小裝載區域的内部 直徑Dinner可以如先前所描述之調整裝載區域的外部直 l D。u t e r。此外,把流體抽入或抽出第二内部處理室1 3 4 將影響施加於與環形接觸區域緊接的基材的壓力 P m 1 d d 1 e。因此,研磨頭1 〇 〇可以施加一可控制的均勻壓力 給在一環形區域中的基材,而由在處理室13〇 , 132,n4 和136内的壓力可以全部控制内部直徑Dinner ,外部直徑 Douter和環形區域的所施加壓力Pmiddie。此外,壓力從基 材邊緣之外部直徑D()uter之間所施加於環形區域的p〇uter 也能夠被調整。如果假定,在外部薄膜124之上層表面或 者内部薄膜1 22的下層表面的溝槽容許流體流動,施加於 基材的中央區域的内部直徑Dinner裡面的壓力可能會等 於外部壓力P〇Uter。尤其是,這容許基材把比基材的其餘 部分更高的一壓力施加於被内部直徑Dinner和外部直徑 第18頁 494048 A7 B7 五、發明說明() D outer所限制之基材的區域。此外,為了保持此施加的壓 力大致上不變時可以調整這些直徑。 也可以在”標準”操作模式中操作研磨頭1〇〇,其内部 處理室1 3 0 ’ 1 3 2和1 3 4孔被減壓或抽真空以提起離開基 材,而給外部處理室136加恩以把一均勻屢力施加於基材 的整個背面。 凊參考弟4圖’在另一個執行中研磨頭1〇〇3的内部薄 膜122a包括一圓柱形連接器部分200,鎖緊内部環形垂懸 物1 7 4 a於中央部分1 7 0 a的中心。此執行的一個優點是它 容許研磨頭1 〇〇a比研磨頭1 〇〇的執行形成具有一個更小 内部直徑Dinnei•的一壤形接觸區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 請參考第5圖,在另一個執行中,研磨頭1〇的有一内 部薄膜122b連接或連結至外部薄膜124b以提供環形裝載 區域之内部直徑的控制。兩個薄膜122b和124b的連接部 分2 1 0可以設置在薄膜中心附近。在這個執行中,内部薄 膜122b可以包括兩個環形垂懸物176b和178b而非三個環 形垂懸物。内部薄膜122b和被内部垂懸物176b密封之外 殼1 〇2之間的容積形成一下層浮動處理室1 3Ob ,而内部薄 膜122b和被内部垂懸物176b和外部垂懸物178b_封之外 殼102之間的環形容積形成一上層浮動處理室134b。 如在第6A圖中所示,抽入流體到上層浮動處理室 1 34b或下層浮動處理室1 30b裡以使内部薄膜1 22b的周邊 部分172b向下,從而產生一大約圓形的接觸區域於内部 薄膜122b和具有一個外部直徑D〇uter的外部薄膜124b之 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 494048
五、發明說明( 間。另一方面,如在第6圖3中所示,將流體抽出上層浮 動處理室134b或下層浮動處理室13〇b會將周邊部分mb 拉離外部薄膜124b,從而將外部薄膜124b的一中心部分 2 12拉離在具有一内部直徑Dinner的環形區域内的基材。 此在基材上產生一環形壓力區域並從一内部直徑Dhner 延伸到基材的邊緣。在這個環形區域裡是比周遭環形區 域壓力更低的一環形區域。這樣一來,研磨頭丨〇〇b可以 把壓力施加於在環形區域内的基材,並且可以由在處理 室130b ’ 134b和13 6b内的壓力來控制内部直徑Dinner和對 環形區域所施加的壓力。這個執行可能需要通道或溝槽 在外部薄膜1 24b的一較低表面以洩壓在外部薄膜和基材 之間的容積214到大氣壓力。 請參考第7圖,在另一個執行中,研磨頭l〇〇e有一内 部薄膜122c,一外部薄膜122c,和一支撐架構220具有一 凹槽222在它的較低表面。支撐架構220可以是外殼102的 一部分,或是一未顯示之基底組件的一部分並以可移動 的方式安裝於外殼上。將内部薄膜122e連接或連結於外 部薄膜124c的一環形區域224内。此外,在環形區域224 内形成一孔徑226,並且使一彈性流體供應管228與孔徑 226連接。内部薄膜122e有一内部垂懸物176e和一外部垂 懸物178e被緊固於支撐架構220上以形成一上層浮動處 理室134c。内部薄膜122e和外部薄膜124e之間的環形容 積形成一薄膜處理室136c,而内部薄膜122b和由内部垂 懸物176e密封的外殼102之間的容積形成一内部處理室 第20頁 ^紙張&適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----.---ί !裝 (請先閱讀背面之注意事填 寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 494048 A7
五、發明說明() 130c。通道140c, 142c, I44e和148可以透過支撐架構伸 出以分別提供處理室130c,132c,和134e的氣動控制和 氣體供應管228的壓力。 請參考第8A圖,如果在内部處理室i3〇b中的壓力P2 比薄膜處理室136c中的Pi更大時,内部薄膜i24e會向外彎 曲以接觸具有一個接觸直徑Dc之一環形區域内的外部薄 膜124e。藉著增加在上層浮動處理室134c中的壓力Pg, 内部薄膜122e被抬離外部薄膜124c,從而減少接觸直徑 D c 〇 另一方面,藉著減少在上層浮動處理室134c中的壓 力Pg,内部薄膜122e被降低接近外部薄膜124c,從而增 加接觸直徑Dc。 請參考第8B圖,如果薄膜處理室136e中的壓力Pi比 在内部處理室中的壓力Pi更大時,内部薄膜124e向内彎 曲以接觸支撐架構220並覆蓋凹槽222。此外,外部薄膜 124e的一中心部分被從基材10拉開。而在基材10和外部 薄膜124e之間的容積便形成一虛擬處理室138,而且可以 藉由把流體抽入或抽出流體供應管228來控制在虛擬處 理室内的壓力P4。虛擬處理室I38的壓力p是被設定比薄 膜處理室136c中的壓力Pi小。這樣,研磨頭100e把一第 一壓力P4施加於在具有一直徑Dvc的一中央區域内之基 材,並把一更高的壓力P1施加於在圍住中央區域的一環 形區域内的基材。此壓力分配對消除基材中心的過研磨 (overpolishing)是特別有用(無論是否研磨非均勻性或形 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) (請先閲讀背面之江意事項再填寫本頁) S·* . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494048 A7 B7 五、發明說明() 成一基材具有一非均勻的引入厚度 在這個架構中,由下面的等式可以得到Dvc : Dvc/D^/" ΡιΡ2/Ρ1Ρ4 其中Dvc是凹槽222的直徑,而P1 , P2和P4則分別是 在薄膜處理室136c,内部處理室130e和虛擬處理室138中 的壓力。透過使這些壓力PI,P2和P4改變可以使所施加 的壓力,和在中央壓力區域的直徑Dvc改變。 如果需要(如因為只有一限制的數目的流體連接可 以在把驅動軸連接在靜止流體來源上的旋轉連接中使 用),可以分享對上層浮動處理室134c和流體供應管228 的氣動控制。舉例來說’清參考第9圖’可以連接通道1 4 8 在通道144c上。在這種情況下,請參考第1〇圖,一闕門 230可以在流體供應管228的較低末端形成。 閥門230包括一中央孔口 232透過一圓柱形物體 234,以及一環形撓曲236連接圓柱形物體234到流體供應 管228的内部表面238。當在上層浮動處理室134c中的壓 力比在内部處理室1 3 0c中的壓力更大時,閥門23 〇阻擋流 體流動。 請參考第11圖’在另一個執行中,研磨頭3〇〇包括一 外殼302,一基底組件304,一平衡機構306(可以視為基 底組件的一部份),一裝載處理室3〇8,一固定環3 1〇 ,和 一基材支撐組件3 1 2包括三個可加壓的處理室。可以在美 國專利申請序號第09/470,820 (1999年12月23日申請),序 號弟09/536,249號(2000年3月27日申請),和序號第 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) (請先閱讀背面之注意事項為填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494048 Α7 ______ Β7 五、發明說明() 09/470,820號(2000年6月11日申請),中找到類似研磨 頭,並在此處合併參考它的整個揭露。 外殼3 02在形狀上通常可能是環形的並可以被連接 至一驅動軸以在研磨期間以此轉動。一垂直鑽孔320可以 透過外殼302被形成,和三個附加通道(只有兩個通道 3 22,324在第1 1圖中顯示)可以透過外殼302伸出作為研 磨頭的氣動控制。Ο形環3 2 8可以用來形成流體密封 (Huidtight)在透過外殼的這些通道之間和透過驅動軸的 這些通道。 基底組件3 04是設置在外殼3 02下的一可垂直移動組 件。基底組件304通常包括一堅硬環形物體330,一外部 夾頭環334,一平衡機構306,一下層夾頭環332,以及一 薄膜夾頭360。平衡機構306包括一萬向球鉸桿340沿著鑽 孔320垂直地滑動以提供基底組件3 04的垂直移動,一實 曲環342彎曲以容許基底組件304相對得以外殼為輸軸而 轉動因此固定環才可以充分地保持與研磨墊的表面平 行"薄膜夹頭3 6 0可以被固設於萬向球鉸棒3 4 0和彎曲環 342的底部表面。 裝載處理室308是設置在外殼302和基底組件304之 間以施加一負載’即,一向下的壓力或者重量,對基底 組件304 «而裝載處理室30 8也控制基底組件304與研磨塾 32相對的垂直位置。一環狀成型的旋轉隔板346的一内部 邊緣通常可以藉由内部夾頭環348被夾固於外殼302上。 旋轉隔板346的一外部邊緣可以藉由外部夾頭環346被夾 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項Θ填寫本頁) 裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494048 A7 ____— B7 _ _ 五、發明說明() 固於基底組件304上。 固定環3 1 0通常可以是一圓形環被固設在基底組件 3 04的外部邊緣上。當流動被抽入裝載處理室3 〇 8時而基 底組件3 04被向下的推擠時,固定環3丨〇也被向下的推擠 以把一負載施加於研磨墊32。固定環31〇的一底部表面 3 1 6可以是十分地平坦,或者它可以複數個有通道以幫助 料漿從固定環外面運輸到基材。固定環3丨〇的一内部表面 3 1 8與基材相配合以防止基材從研磨頭下方脫離。 基材支撐組件312包括一内部薄膜35〇,一外部薄膜 352,一上層薄膜間隔環362,一下層薄膜間隔環364,和 一邊緣控制環3 6 6。 内邵薄膜350和外部薄膜352可以是由一彈性材料所 形成’例如一彈性體(elastomer),如氯丁二埽 (chl〇roprene )或乙婦(ethylene)丙烯(pr〇pylene)橡膠或者 矽樹脂、一覆蓋織物的彈性體、一熱可塑彈性體(thermal plastic elastomer,TPE)或這些材料的結合。内部薄膜35〇 的底部表面之一中央部分或外部薄膜352的頂部表面之 一中央部分可以有細小溝槽以確保流體可以經由此流動 和/或具有一特別架構的粗糙表面以防止黏著,當内部和 外部薄膜處於接觸時。内部和外部薄膜3 5〇和3 52的不同 部分可以是用不同硬度材料所形成或者有不同厚度。 外部薄膜352包括一中央部分38〇,提供一安裝表面 以配合基材、一唇緣部分3 82及一周邊部分3 84,其中後 者從間隔環362,364和366之間以一迴旋路線伸出,以被 (請先閱讀背面之注意事項3寫本頁) :裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 第24頁
494048 A7 B7 五、發明說明() 固設於該基底組件,例如被夾在外殼302和固定環3 1 0之 間緊。唇緣部分382可以產生作用以在基材被夾住期間提 供一活動垂懸物(activeflap)唇狀密封,如同在美國專利 申請序號第0 9/2 96,935號(1999年4月22日申請)之所描述 内容,在此處將合併參考其全部内容。 内部薄膜350包括有一圓形中央部分3 70在一可控制 的區域内接觸外部薄膜3 5 2,一相對較厚的環狀部分 372,一外部環形垂懸坪分374從較厚的環狀部分372之外 部邊緣伸出,以及一内部環形垂懸部分376從較厚的環狀 部分372之内部邊緣伸出。内部和外部環形垂懸物374和 3 7 6的邊緣可以被緊固於基底組件上。一孔洞3 7 8可以形 成於中央部分3 7 0的中心而薄膜夾頭3 6 0可以穿過孔洞 378伸出以夾固内部薄膜350的中心於基底組件3〇4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制代 在外设3 0 2和被5哀形垂懸部分3 7 4所密封的内部薄膜 3 5 0之間的容積提供内部處理室356。在外殼3〇2和被密封 在内部垂懸物3 7 4和外部垂懸物3 7 6之間的内部薄膜3 5 〇 之間的環形容積定義上層處理室3 54。最後,在内部薄膜 350和外部薄膜352之間的被密封容積定義外部處理室 358。每一個處理室都可以經由不同的通道穿過基底組件 304和外殼302連接至一泵或一壓力源上以單獨的控制相 關之處理室的壓力。如下面的詳細描述,在這此處理室 354,356,358内之壓力的結合可控制接觸區域和相對於 内部薄膜350與外部薄膜352兩者之頂部表面的兩者壓 第25頁 494048 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() 上層薄膜間隔環362通常是一堅硬環形物體設置在 内部薄膜350和外部薄膜352之間的外部處理室358中。下 層薄膜間隔環364通常是一堅硬環形物體位在外部處理 室35 8之内而在上層薄膜間隔環362之下。邊緣控制環366 通常是一堅硬環形物體位在固定環31〇上層和外部薄膜 352之間。上層薄膜間隔環362,下層薄膜間隔環364和邊 緣控制裱366則在上述之美國專利申請書序號〇9/534,249 中被描述。 如在上面所描述的,内部薄膜35〇的中央部分37〇的 一可控制區域可以接觸並施加一向下的負載於外部薄膜 352的上層表面。在运個接觸區域,内部處理室Mg 的壓力施加一向下的負載於外部薄膜352的一上層 面。把這個負載透過外部薄膜傳送至在可控制的裝載一 域内的基材。在基材的其餘部分上,由外部處理室的 壓力決定外加負載。 請參考第12圖AD,内部薄膜350的接觸區域相對 外部薄膜352,然後把壓力施加於基材1〇的裝载區域可 由在處理宣354,3 56和3 58内的壓力改變所控制。 如在虛線中所示’在某組壓力下,内部薄膜350的 環形區域將接觸外部薄膜352的上層表面。 如第12A圖中所示,透過迫使流體進入外部處理 358或離開上層處理室354,内部薄膜35〇的較厚部分」 被向上拉,因此中央部分37G的外部邊緣被拉離外部刀薄J 3 52並減小裝載區域(如同箭頭a所示 P 4 直徑 内表 區 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事ί裝 頁I I I I I I I訂 於 以 室 372 膜 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵0 x 297公餐- 494048 A7 B7 五、發明說明() . l· I I ^--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 相反地,如第12圖B中所顯示,透過迫使流體進人上層處 理室354或離開外部處理室358,内部薄膜35()的較厚:分 372被迫使向下,因此降低内部薄膜35〇的中央部分的 邊緣朝向外部薄膜352並增加裝載區域的外部直徑 Douter(如同箭頭B所示)。在内部處理室356内的壓力也可 以用來影響裝載區域的外部直徑D。£ 。 如第12C圖中所示,透過迫使流體進入外部處理室 358或離開内部處理室356,内部薄膜35〇的中央部分37〇 的中心被迫向上和向外,增加裝載區域的内部直徑仏⑼” (如同箭頭C所示)。另一方面,透過迫使流體進入外部處 理室358或離開内部處理室356,内部薄膜35〇的中央部分 370的中心被迫向内和向下,減少裝載區域的内部直徑 Dinner (如同箭頭1)所示)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,研磨頭300可以向在一環狀區域内之基材施加 一可控制均勾壓力,而内部直徑Dinner,外部直徑和 在環狀區域内所施加之壓力Pinner都可以被處理室354, 356和358内的壓力所控制。此外,施加於環形區域之内 部直名Dinner裡面之基材和於環形區域之外部直徑〇。。以 外面之基材的壓力p〇uter也可以被調整(兩個區域可以有 相同的壓力因為在外部薄膜324之上層表面或内部薄膜 3 2 2之下層表面的溝槽許可流體流動)。對於這個研磨 頭’可以把一較低的壓力施加於在内部直徑Dinner裡面之 基材的中央區域,從而減少或者除去中心高速效應。 研磨頭300也可以被操作在一”標準,,操作模式中,在 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐) 494048 A7 -------B7 -- 五、發明說明() 其模式中内部處理室356和外部處理室358被加以把〜均 勻壓力施加於基材的整個背面。 研磨頭中各種元素的架構,例如彈性薄膜。間隔環, 控制環和支撐架構被以圖示說明限制。許多架構就執行 本發明的研磨頭而言都是可能的。例如上'層浮動處埋室 可能是一個環形或一實心容積。這些處理室可以被由一 彈性薄膜或一相對堅固裡襯或支撐架構隔離。一個支撐 架構可以是環形的或盤形的具有孔經由此處可以被設置 在外部處理室内。研磨頭可以被構成而不需要一裝載處 理室,而基底組件和外殼可以是一單一架構。 本發明已經按照一些執行被描述。然而’並非將本 發明局限於說明和執行的描述。更確切的說是,應由下 列的專利範圍定義本發明的範圍。 {"靖先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第28頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐)

Claims (1)

  1. 494048 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ D8 _六、申請專利範圍 1. 一種化學機械研磨裝置中的研磨頭,該研磨頭至少包 括: 一研磨架構; 一第一彈性薄膜,延伸至該研磨架構下方,該彈 性薄膜的一底部表面提供一基材架設 (substratemounting)表面;以及 複數個處理室在該第一彈性薄膜和該研磨架構之 間,該複數個處理室係被安裝用來向在具有一内部直 徑之一環狀裝載區域内的一基材施加一第一壓力,而 其中該複數個處理室可以控制在該裝載區域内施加於 該基材的第一壓力和該環形裝載區域的内部直徑。 2.如申請專利範圍第1項所述之研磨頭,其中上述之複數 個處理室可以被設置用來把一第二壓力施加於位在被 該環形裝載區域環繞之一中央裝載區域中的該基材。 3 .如申請專利範圍第2項所述之研磨頭,其中上述之第二 _______________ 壓該第二―壓力為小。 4.如申請專利範圍第1項所述之研磨頭,其中更包括一第 二彈性薄膜被設置在該第一薄膜和該研磨架構之間。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之研磨頭,其中上述之第二 彈性薄膜包含一第一薄膜部分及一第二薄膜部分,其中 第29頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· 裝.-- tr---------舞 494048 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該第一薄膜部份用以被帶入與該第一彈性薄膜的一内 部表面接觸,而該第二薄膜部份用以連接於該第一薄膜 部分的一中央部分,並定義一第一處理室。 6·如申請專利範圍第5項所述之研磨頭,其中上述之第一 處理室的抽真空動作拉引該第二薄膜部分向上也將該 第一薄膜部分的中央部分拉離該第一彈性薄膜以增加 接觸該第一彈性薄膜之該第一薄膜部分的一環形部分 的一内部直徑。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之研磨頭,其中更包括一第 三薄膜部分可以被連接在該第一薄膜部分的一邊緣部 分上並可以定義一第二處理室。 8·如申請專利範圍第7項所述之研磨頭,其中上述之第二 處理室的的抽真空動作拉引該第二薄膜部分向上也可 以將該第一薄膜部分的邊緣部分拉離該第一彈性薄膜 以減少接觸該第一彈性薄膜的該第一薄膜部分之環形 部分的一外部直徑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9·如申請專利範圍第1項所述之研磨頭,其中上述之第一 彈性薄膜包括一外部薄膜部分以接觸該基材與連結於 該外部薄膜部分的一中央部分的一内部薄膜部分並定 義一第一處理室。 第30頁 氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)' 494048 A8 B8 C8 db 六、申請專利範圍 1 〇 ·如申請專利範圍第9項所述之研磨頭,其中上述之第一 處理室的抽真空動作拉引該内部薄膜部分向上並將該 外部薄膜部分的中央部分拉離該基材以增加與該基材 接觸的該外部薄膜部分之一環形部分的一内部直徑。 11. 如申請專利範圍第i 0項所述之研磨頭,其中上述之第 二處理室的加壓動作推擠該内部薄膜部分向外以接 觸該第一薄膜部分。 12. 如申請專利範圍第1〇項所述之研磨頭,另包括一流體 連通連接到該外部薄膜的中央部分和該基材之間的 一容積。 1 3 · —種化學機械研磨裝置中的研磨頭,該研磨頭至少包 括: 一研磨架構; 一第一彈性薄膜,具有一邊緣部分連接於該研磨 架構和一中央部分具有一較低的表面提供一基材設置 面; 一第二彈性薄膜’具有一中央部分固接於該研磨 架構,一邊緣部分固接於該研磨架構,一環形摺板固 接於該研磨架構,以及一中央部分具有一較低的表面 接觸在一環形區域内之該第一彈性薄膜之中央部分的 第31頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494048 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 一上層表面; 一第一容積,在該第一彈性薄膜和第二彈性薄膜 之間提供一第一處理室; 一第二容積,在該第二彈性薄膜和在該環形摺板 内之該研磨架構之間的提供一第二處理室;以及 一第二容積,在該第二彈性薄膜和在該環形摺板 與該邊緣部分之間的研磨架構之間提供一第三處理 室0 14.如申請專利範圍第項所述之研磨頭,其中上述之第 一、第二和第三處理室控制在該環形區域内施加於基 材之一壓力和控制該環形區域的一外部直徑和一内 部直徑。 第 圍 範 利 專 請理 申處 如一 項 4 該 把 作 動 壓 加 的 室 第分 之部 述央 上中 中的 其膜 , 薄 頭陧 磨彈 研二 之第 述 所 直 部 内 的 域 區 形 環 該 加 增 以 膜 薄 性 彈 1 第 | 該 β 0 。 推徑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ζ ’以 膜 圍真薄 範抽性 利的彈 專室 一 請理第 申處該 如一向 6 之 述 該 少 其的 膜 薄 性 區 的 第拉。 之分徑 述部直 上央部 中中内 第 之 述 上 中 其 頭 磨 研 之 述 所 項 4 11 第 圍 範 利 請 中 如 7 Α8 Β8 C8 -------^--- 申請專利範圍 二處理室的加壓動作將該第二彈性薄膜的中央部分 推向第一彈性薄膜,以減少該環形區域的内部直徑 1 8 ·如申請專利範圍第14項所述之研磨頭,其中上述之第 二處理室的抽真空動作將該第二彈性薄膜的中央部 分從該第一彈性薄膜拉開,以增加該環形區域的内部 直徑。 19·如申請專利範圍第“項所述之研磨頭,其中上述之第 二處理室的加壓動作將該第二彈性薄膜的中央部分 推向該第一彈性薄膜,以增加該環形區域的外部直徑 20·如申請專利範圍第14項所述之研磨頭,其中上述之第 二處理室的抽真空將該第二彈性薄膜的中央部分拉 離該第一彈性薄膜,以減少該環形區域的外部直根。 21·如申請專利範圍第13項所述之研磨頭,其中上述之第 一 二彈性莲膜的中央部分有一孔洞,以及一夾頭穿過該 孔洞伸出,以夾固該第一彈性薄膜於該研磨架構β 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22·如申請專利範圍第2i項所述之研磨頭,其中上述之夾 頭可以包括一通路,以利用流體將該第一處理室連结於 一壓力來源。 第33頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297 6¾ >
TW90117012A 2000-07-11 2001-07-11 Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area TW494048B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21763300P 2000-07-11 2000-07-11
US23709200P 2000-09-29 2000-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW494048B true TW494048B (en) 2002-07-11

Family

ID=26912105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW90117012A TW494048B (en) 2000-07-11 2001-07-11 Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TW494048B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413571B (zh) * 2006-10-27 2013-11-01 Shinetsu Handotai Kk Grinding head and grinding device
TWI480124B (zh) * 2011-05-31 2015-04-11 K C Tech Co Ltd 膜總成及具有該膜總成之承載頭

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413571B (zh) * 2006-10-27 2013-11-01 Shinetsu Handotai Kk Grinding head and grinding device
TWI480124B (zh) * 2011-05-31 2015-04-11 K C Tech Co Ltd 膜總成及具有該膜總成之承載頭

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6722965B2 (en) Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
US6645044B2 (en) Method of chemical mechanical polishing with controllable pressure and loading area
TWI248386B (en) Carrier head with pressurizable bladder
TW436370B (en) A carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
JP3595266B2 (ja) 直接気圧式ウェハ研磨圧力システムを有するヘッドを用いた化学機械的研磨(cmp)装置及びその方法
US6776694B2 (en) Methods for carrier head with multi-part flexible membrane
JP5185958B2 (ja) 研磨ヘッド
TW434107B (en) A carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing
TW416890B (en) Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing wafer carrier
JP4238244B2 (ja) ウエハ研磨システム
US7001257B2 (en) Multi-chamber carrier head with a flexible membrane
TW474848B (en) Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
JP4217400B2 (ja) ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
US6361419B1 (en) Carrier head with controllable edge pressure
JPH10270538A (ja) 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置
US6244942B1 (en) Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure
JP5072161B2 (ja) ウェーハキャリヤヘッド組立体
TW541222B (en) Carrier including a multi-vilume diaphragm for polishing a semiconductor wafer and a method therefor
US6358121B1 (en) Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring
TW520319B (en) Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
JP4519972B2 (ja) 化学機械研磨の制御可能圧力及びローディング領域を有するキャリヤヘッド
TW494048B (en) Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
TW577785B (en) Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates
JP3648200B2 (ja) 3チャンバ型化学的機械的研磨ヘッドの構造および研磨方法
TW450866B (en) Carrier head with an flexible membrane and an edge load ring

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees