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TW484344B
TW484344B TW088117605A TW88117605A TW484344B TW 484344 B TW484344 B TW 484344B TW 088117605 A TW088117605 A TW 088117605A TW 88117605 A TW88117605 A TW 88117605A TW 484344 B TW484344 B TW 484344B
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TW
Taiwan
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circuit
heat
circuit board
electrode
conductor
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TW088117605A
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Michio Muraida
Koichi Iguchi
Kazutaka Suzuki
Naoto Narita
Hisashi Omotani
Original Assignee
Taiyo Yuden Kk
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

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484344 A7 ----B7 五、發明說明(1 ) 【發明所屬的技術領域】 本發明是關於在欲形成電路圖案於電路基板,形成有 封裝積層電容器或積層感應器等的晶片零件,或封裝半導 •體零件等的電路零件的電子電路的混合型模組。 【先行技術】 先前,作爲這種混合型模組,如第1 6圖所示者爲人 所知曉。第1 6圖是表示先行技術的混合模組的側面剖面 圖。 此混合型模組1 0 0,是電路基板1 〇 1上封裝有晶 片狀電子零件1 0 2及具有發熱性的半導體元件等電路零 件 1 0 3。 電路基板1 0 1是由熱傳導性良好的氮化鋁系的陶瓷 所構成。晶片狀電子零件1 〇 2是軟焊於形成在電路基板 1〇1上的電路圖案1 〇 6。電路零件1 0 3爲經由軟焊 凸塊1 0 3 a接合於電路圖案1 〇 6上。於此,晶片狀電 子零件102,是例如積層電容器等的被動零件。又,電 路零件1 0 3是如F E T等的主動零件。 在電路基板1 0 1側面,形成有與母電路基板2 0 0 連接的端子電極1 0 1 a。此端子電極1 〇 1 a爲軟焊於 形成在母電路基板2 0 0的電路圖案2 0 1。又與電路基 板1 0 1的母電路基板2 0 0所對向的主面1 0 1 b,是 經由形成於母電路基板2 0 0的導體膜2 0 2所連接。此 導體膜2 0 2是用來有效率地將混合型模組1 0 0的熱量 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背®*之注^^事2 i裝—— 1填寫本頁) 言· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 484344 A7 B7 五、發明說明(2 ) 傳導於母電路基板2 0 0者,而由熱傳導性良好的構件所 構成。藉此構成,在此混合型模組1 〇 〇是從封裝於電路 基板1 0 1的電路零件1 〇 3所發生的熱量,爲由電路基 •板101及導體膜202散熱於母電路基板200或接地 等具有寬廣面積的導體膜。 【發明所欲解決的問題】 然而,於這種混合型模組1 0 0,發生於電路零件 1 0 3的熱量,是經由電路零件1 0 3的軟焊凸塊傳導至 電路基板1 0 1。並且,該熱量是經由電路基板1 0 1及 導體膜2 0 2傳導至母電路基板。因此,存有熱傳導不良 的問題。又,爲了欲提高熱傳導率所使用的氮化鋁系陶瓷 ,是較一般性二氧化鋁系的基板材料更昂貴,具有不經濟 的問題。並且,因將所有零件封裝於電路基板1 0 1的單 面上,所以具有高密度化困難的問題。 爲了解決這種問題,提案有如第1 7圖所示的混合型 模組。第1 7圖是表示先行技術的其他混合型模組的側面 剖面圖。 於這混合型模組1 0 0,不僅在電播基板1 0 1的底 面側形成凹部1 1 1,並且,在這凹部1 1 1封裝電路零 件103。具體上,這凹部1 1 1是爲了在底面可露出電 路圖案1 0 6形成於電路基板1 0 1底面。電路零件 1 〇 3爲經由軟焊凸塊1 〇 3 a封裝於凹部1 1 1的電路 圖案1 0 6。在電路零件1 0 3表面側接著有散熱板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -5 - (請先閱讀背&*之注心事?^填寫本頁) -·裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(3 ) 1 1 2。在凹部1 1 1塡充有密封電路零件1 0 3的密封 用樹脂1 1 3。 • 1 ϋ I ϋ H ϋ I ki ϋ I n ·1 I · I .1 (請先閱讀背®*之注帝0事寫本頁) 藉此構成,從電路零件1 0 3所發生的熱量,是由散 *熱板1 1 2傳導,經由此散熱板1 1 2而散熱於母電路基 板。藉此,就可得到高散熱效率。又,因可在電路基板 1 0 1兩面配置零件,所以可實現高密度化。 然而,在此混合型模組1 1 0的一面側不僅封裝於電 路基板1 0 1 ,並且,他面側爲接著於散熱板1 1 2。因 此,封裝混合型模組1 1 0時所發生的應力會集中於電路 零件1 0 3。藉此,具有不容易維持混合型模組1 1 〇的 可靠性的問題。又,因對於電路基板1 0 1封裝電路零件 10 3是使用面下(face down )方式搭載的所謂浮片晶 片(flip chip )方式等,所以封裝成本將偏高。又,由於 相同理由,由於不能直視電路零件1 〇 3的連接部所以也 具有製造良率不良的問題。 本發明是鑑於上述情形所發明者,其目的是提供一種 散熱性及可靠性高可高密度封裝的混合型模組。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【解決問題的手段】 . 爲了達成上述目的,申請專利範圍第1項是提案一種 其是備有;形成有凹部的電路基板,與封裝於該電路基板 的凹部內而具有發熱性的電路零件,將形成電路基板的上 述凹部側對向於母電路基板所封裝的混合型模組,其特徵 爲;上述電路基板不僅爲由具有導體層的多層基板所形成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 __ B7_ 五、發明說明(4 ) ,並且,上述導體層爲露出於上述凹部的底面,上述電路 零件爲接著於露出於凹部底面的上述導體層。 若依據本發明電路基板是由多層構造的基板所形成, _又,電路零件爲封裝於形成於電路基板的凹部,所以可提 升封裝密度。又,因電路零件爲接著於露出在電路基板凹 部的導體層,所以,從電路零件所發生的熱量將傳導於導 體層。所以,可有效地散熱來自電路零件所發生的熱量。 並且’因電路零件爲只有單面側接著於導體層,所以,不 會從母電路基板施加應力於電路零件。 又,申請專利範圍第2項爲如申請專利範圍第1項的 混合型模組,其特徵爲;不僅備有形成於電路基板側面的 外部電極’並且,接著上述電路零件的導體層,是於電路 基板側面與上述外部電極連接。 若依據本發明,從電路零件傳導於導體層的熱量爲經 由外部電極散熱於母電路基板側或空氣中。因此,所以, 可從電路零件有效率地將熱量散熱。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並且’申請專利範圍第3項爲如申請專利範圍第1項 的混合型模組,其特徵爲;不僅具有覆蓋電路基板的外殻 ’並且’上述電路零件所接著的導體層,,是於電路基板側 面與上述外殼連接。 若依據本發明,從電路零件傳導至導體層的熱量爲經 由外殼散熱於空氣中。所以,可有效率地將從電路零件所 發生的熱量有效率地散熱。 並且’申請專利範圍第4項爲如申請專利範圍第1項 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 _______ B7 五、發明說明(5 ) 的混合型模組,其特徵爲;在形成有電路基板的上述凹部 的面不僅形成有散熱用導體,並且,該散熱用導體爲連接 於上述電路零件所接著的導體層。 • 若依據本發明,從電路零件傳導於導體層的熱量會傳 導至形成在電路基板的凹部形成面的散熱用導體。此散熱 用導體是封裝時會接觸於母電路基板,所以,可有效率地 散熱從電路零件所發生的熱量。 並且,申請專利範圍第5項爲如申請專利範圍第4項 的混合型模組,其特徵爲;導體層與散熱用導體,是從形 成凹部的面及至凹部形成到內壁面。 若依據本發明,因散熱用導體也形成在凹部內壁面, 所以’從電路零件所發生的熱量就通過凹部內直接傳導至 散熱用導體。因此,可再提升其散熱性。 並且,申請專利範圍第6項爲如申請專利範圍第4項 的混合型模組,其特徵爲;上述導體層與散熱用導體,是 由形成於電路基板內的經通孔(V1 a hole )所連接。 若依據本發明,是從上述導體層至散熱用導體的散熱 路徑爲埋設於電路基板內,所以容易達成高密度化。 並且,申請專利範圍第7項爲如申,請專利範圍第4項 的混合型模組,其特徵爲;不僅具有形成於基板側面的外 部電極’接著上述電路零件的導體層,是於電路基板側面 與上述外部電極連接,上述散熱用導體爲連接於外部電極 0 若依據本發明,不僅從電路基板傳導至導體層的熱量 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------裝—— (請先閱讀背以之注旁)事^||#寫本頁) 0 . -·線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 484344 A7 B7 五、發明說明(6 ) 爲經由外部電極散熱於母電路基板側或空氣中,並且,經 由散熱用導體傳導至母電路基板。所以’可有效率地散熱 從電路零件所發生的熱量。 . 並且,申請專利範圍第8項爲如申請專利範圍第1項 至第7項的混合型模組,其特徵爲;上述電路零件所接著 的導體層是較由多層基板的其他導體層形成爲厚。 若依據本發明,上述電路零件所接著的導體層,是較 多層基板的其他導體層形成爲厚,所以’可將發生於電路 零件的熱量以高熱傳導率加以傳導。 【發明的實施形態】 (第1實施形態) 茲有關本發明的第1實施形態的混合型模組邊參照第 1圖〜第4圖說明如下。第1圖是將有關第1實施形態的 混合型模組從主面側所視的外觀斜視圖,第2圖是取除密 封樹脂有關第1實施形態的混合型模組的主面側的平面圖 ,第3圖是第2圖的A - A ’線的剖面圖。第4圖是第2 圖的B — B ’線的剖面圖。 此混合型模組1 0,是封裝使用於母電路基板(圖示 從略)者。這混合型模組1 0,是由形成電路圖案的電路 基板1 1 ,與封裝於電路基板1 1的複數晶片狀電子零件 1 2,與封裝於電路基板1 1具有發熱性的半導體元件等 的電路零件1 3爲其主要構成元件。 電路基板1 1是由複數絕緣體層1 4與屬於導體層的 (請先閱讀背妒之注帝5事填寫本頁) 裝 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - B7 五、發明說明(7 ) 電極層1 5所形成的矩形多層印刷電路板。作爲多層印刷 電路板,是例如絕緣體層1 4爲由玻璃環氧等的環氧系材 料所構成’電極層1 5爲由銅等所構成者。 電路基板1 1的底面,亦即,封裝於母電路基板時在 與母電路基板所對向的主面1 6形成有搭載電路零件1 3 所用的凹部1 7。此凹部1 7的深度是至少成爲可收容電 路零件1 3的大小。 上述電路基板1 1的電極層1 5,主要爲由電路零件 1 3散熱用的散熱電極1 5 a,與主要爲與電路零件1 3 或晶片狀電子零件1 2連接以形成電路所用的電路電極 1 5 b。在此,散熱電極1 5 a是考慮熱傳導性設定爲較 電路電極1 5 b其層厚爲大。·具體上,散熱電極1 5 a的 層厚爲3 0 m〜1 〇 〇 // m以上較佳。本實施形態是採 用5 Ομηι。又’電路電極1 5b的層厚爲採用1 〇 程度。 散熱電極1 5 a是埋設於電路基板1 1內部,而從電 路基板1 1 一側面及至對向於該側面的形成爲橫長矩形。 又,散熱電極15a ,是露出於上述凹部17底面。並且 ,在散熱電極1 5 a形成有於凹部1 7 >底面開口的連接口 1 8。在此連接口 1 8內側形成有與上述電路零件1 3連 接的連接端子2 5。 電路電極1 5 b是於電路基板1 1上面及內部形成有 既定圖案。此電路電極1 5 b是視其需要由經通孔1 9互 相連接。又,在電路電極1 5 b爲經由經通孔1 9連接於 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 484344 A7 B7 五、發明說明(8 ) 上述連接騎子2 5。 電路零件1 3是連接於露出在凹部1 7的散熱 1 5 a。電路零件1 3是在上面側備有複數端子電極2 〇 •,背面側爲接著於散熱電極1 5 a。電路零件1 3與 電極1 5 a的接著,是例如使用導電性樹脂接著法或冑^ 軟焊接著法等。此電路零件1 3是例如具有 G a A sME S型F E T等具有發熱性的晶片。電路零件 1 3的端子電極2 0,是使用形成於散熱電極1 5 a的_ 接口 1 8內側的連接端子2 5及散熱電極1 5 a ,與銀,線 或鋁線等導線構件2 1。此連接是使用導線結合法。在此 ,電路零件1 3的端子電極2 0與散熱電極1 5 a的連接 ,是不僅將散熱電極1 5 a作爲散熱用使用並且也可以使 用爲電路的接地用。 在電路基板1 1的凹部1 7塡充有密封電路零件1 3 所需的絕緣性樹脂2 2。絕緣性樹脂2 2是具有高熱傳導 性較佳。作爲此絕緣性樹脂2 2是例如使用環氧系或丙烯 系者。 在電路基板1 1側面,形成有上述散熱電極1 5 a或 與電路電極1 5 b連接的外部電極2 3 〃此外部電極2 3 中與上述散熱電極1 5 a連接者是考慮散熱效果寬廣地形 成於電路基板1 1側面。又,在電路基板1 1上面側的電 路電極1 5 b軟焊有晶片狀電子零件1 2。並且’在電路 基板1 1上面側覆蓋有金屬製的外殼2 4 ° 若依據像這種混合型模組1 〇,電路基板1 1是由多 (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) -=0 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - 484344 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明(9 ) 層構造的印刷電路板所形成,又,電路零件1 3爲封裝於 形成在電路基板1 1的主面1 6的凹部1 7 ’所以可提高 封裝密度。 . 又,因電路零件1 3是連接於露出在電路基板1 1凹 部1 7的散熱電極1 5 a,所以從電路零件1 3所發生的 熱量就會有效率地傳導於散熱電極1 5 a。並且’散熱電 極1 5 a因連接於形成在電路基板1 1側面的外部電極 2 3,所以來自電路零件1 3的熱量是經由散熱電極 1 5 a及外部電極2 3散熱於母電路基板。 像這樣地,若依據此混合型模組1 0,將從電路零件 1 3所發生的熱量,因可經由層厚厚而具有高熱傳導特性 的散熱電極1 5 a加以散熱,所以會變成優於散熱性者。 又,因電路零件1 3只有單面側接著於散熱電極 1 5 a ,所以不會從母電路基板施加應力於電路零件1 3 。因此,可防止來自該應力的電路零件1 3的破損,所以 ,可提升可靠性。並且,因作爲電路基板1 1使用印刷電 路板,所以可任意地將層厚增厚形成,可容易形成熱傳導 率高的散熱電極1 5 a。 並且,於構成混合型模組1 0的電潞因將散熱電極 1 5 a作爲接地使用,所以封裝時藉將與散熱電極1 5 a 連接的外部電極2 3連接於母電路基板,而可變成遮蔽效 果高優於電氣特性者。按,若將外殼2 4端部連接於散熱 用的外部電極2 3時,散熱性及電氣特性會更加提升。 I I 背 面· I 事 I裝 頁 訂 •f 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -12 484344 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1〇) (第2實施形態) 茲就有關本發明的第2實施形態的混合型模組邊參照 第5圖說明如下。第5圖是有關第2實施形態的混合型模 •組的剖面圖。按,圖中,對於與第1實施形態相同的構件 ,元件標示了同一符號。 這混合型模組3 0與第1實施形態的混合型模組1 〇 不同的主要點,是將形成於電路基板3 1的凹部成爲2層 構造之點。以下,詳述其內容。 這電路基板3 1 ,是與第1實施形態同樣,由複數絕 緣體層3 4與屬於導體層的電極層3 5所形成的矩形多層 印刷電路板。電路基板3 1底面,亦即,封裝於母電路基 板時在與母電路基板所對向的主面3 6形成有搭載電路零 件1 3所需的凹部3 7。此凹部3 7是在第1凹部3 7 a 底面成爲形成第2凹部3 7 b的2層構造。第2凹部 3 7 b是成爲至少可收容電路零件1 3的大小。 電路基板3 1的電極層3 5,是主要由;電路零件 1 3散熱用的散熱電極3 5 a ,與主要爲與電路零件1 3 或晶片狀電子零件1 2連接以形成電路所需的電路電極 3 5 b所構成。於此,散熱電極3 5 a是考慮熱傳導性設 定成較電路電極3 5 b更厚的層厚。具體上,爲散熱電極 3 5 a的層厚爲30//m〜1 00//m以上較佳。於本實 施形態爲採用5 0 // m。又,電路電極3 5 b的層厚是定 爲約1 0 // m。 散熱電極3 5 a是埋設於電路基板3 1內部,而從電 (請先閱讀背面之注意事項 填寫本頁) F:·裝 訂· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13- 484344 A7 --—______B7 ___ 五、發明說明(11 ) 路S板3 1 —側面及至該側面所對向的側面形成爲橫長矩 开< °又’散熱電極3 5 a是露出於上述第2凹部3 7 b底 面。按’在此散熱電極3 5 a是與有關第1實施形態的散 ’熱電極15 a不同,沒有形成連接口 18。 電路電極3 5 b是於電路基板3 1上面及內部形成有 既定圖案。此電路電極3 5 b是視其需要由經通孔1 9互 丰目連接。又’電路電極3 5 b是露出於第1凹部3 7 a底 面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電路零件1 3是連接露出於第2凹部3 7 b的散熱電 極3 5 a。電路零件1 3是在上面側備有複數的端子電極 2 〇 ’背面側爲連接於散熱電極3 5 a。電路零件1 3與 营女熱電極3 5 a的連接是使用例如導電性樹脂接著法或高 溫軟焊接著法等。此電路零件1 3是例如G a A s Μ E S 型F Ε Τ等具有發熱性的晶片。電路零件1 3的端子電極 2 0,是使用露出於第1凹部3 7 a底面的電路電極 35b及露出於第2凹部37b底面的散熱電極35a , 與鋁線或銅線等的導線構件2 1以電氣式連接。此連接是 使用導線結合法。於此,電路零件1 3的端子電極2 〇與 散熱電極3 5 a的連接,是不僅將散熱屬極3 5 a作爲散 熱用使用並且使用爲電路接地線所用。 在電路基板3 1的凹部3 7塡充有密封電路零件1 3 所需的絕緣性樹脂2 2。絕緣性樹脂2 2是具有高傳熱性 較佳。作爲絕緣Ί生樹脂2 2,是例如使用環氧系或丙烯系 _ 14- --------------裝--- (請先閱讀背®*之注奇i事寫本頁) -線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 B7 五、發明說明(12) 在電路基板3 1側面,是形成爲連接於上述散熱電極 3 5 a或電路電極3 5 b的外部電極2 3 °此外部電極 2 3之中與上述散熱電極3 5 a者爲考慮散熱效率寬廣地 .形成於電路基板3 1側面。又,在電路基板3 1上面側的 電路電極3 5 b軟.焊有晶片狀電子零件12。再者’在電 路基板3 1上面側覆蓋有金屬製殼2 4 ° 若依據這種混合型模組3 0,與第1實施形態同樣’ 電路基板3 1是由多層構造的印刷電路基板所形成’又’ 電路零件1 3封裝於形成在電路基板3 1的主面3 6的凹 部3 7,所以可提高封裝密度。 又,因電路零件1 3是連接於露出在電路基板3 1的 第2凹部3 7 b的散熱電極3 5 a ’所以從電路零件1 3 所發生的熱量將傳導至散熱電極3 5 a。並且,散熱電極 3 5 a是連接於形成在電路基板3 1側面的外部電極2 3 ,從電路零件1 3的熱量是經由散熱電極3 5 a及外部電 極2 3散熱於母電路基板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 像這樣,若依據這種混合型模組3 0 ’從電路零件 1 3所發生的熱量經由具有層厚厚的高熱傳導性的散熱電 極3 5 a ,所以變成優於散熱性者。' 又,電路零件1 3是因只有單面側連接於散熱電極 3 5 a,所以來自母電路基板的應力不會施加於電路零件 1 3。因此,可防止由於該應力對於電路零件1 3的破損 ,所以,可提升其可靠性。並且’作爲電路基板3 1使用 印刷電路板,所以’可將任意層形成爲厚’可容易形成熱 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 B7 五、發明說明(13) 傳導率高的散熱電極3 5 a。 並且,於構成混合型模組3 0的電路,因將散熱電極 -------------^___ (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 3 5 a作爲接地使用,所以在封裝時與散熱電極3 5 a連 •接的外部電極2 3連接於母電路基板的接地,將成爲遮蔽 效果高,電氣特性優者。 (第3實施形態) 茲就有關本發明的第3實施形態的混合型模組邊參照 第6圖及第7圖說明如下。第6圖是將有關第3實施形態 的混合型模組從主面側所視的外觀斜視圖,第7圖是有關 第3實施形態的混合型模組的剖面圖。按,圖中,對於與 第1〜2實施形態相同的構件,元件標示了同一符號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此混合型模組4 0與第1實施形態的混合型模組1 0 不同之點,是將發生於電路零件1 3的熱量並非經由外部 電極2 3散熱於母電路基板,而是經由外殼散熱於空氣中 之點。亦即,此混合型模組4 0是於電路基板1 1側面接 合電極層15的散熱電極15b與外殼41。外殼41是 備有一側面及與此對向的側面下緣部爲隆出下方的接合部 4 1 a。此接合部4 1 a是於電路基板4 1側面與散熱電 極1 5 b由軟焊加以接合。作爲此外殼4 1的材料爲熱傳 導率高者較佳。例如,由銅或鋁等的金屬材料所形成。本 實施形態是使用銅製的外殼。 若依據這種混合型模組4 0,與第1實施形態者相同 ,電路基板1 1是由多層構造的印刷電路板所形成,又, -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484344 A7 B7 五、發明說明(14) 電路零件1 3爲封裝於形成在電路基板1 1的主面1 6的 凹部1 7,所以可提升封裝游度。 又,因電路零件1 3接著於露出於電路基板1 1的凹 .部17的電極層15的散熱電極15b’所以從電路零件 1 3所發生的熱量是傳導於散熱電極1 5 b。散熱電極 1 5 b是於電路基板1 1側面與外殼4 1接合’所以從電 路零件1 3的熱量是經由散熱電極1 5 b及外殼4 1散熱 於空氣中。 像這樣,若依據此混合型模組4 0 ’將從電路零件 1 3所發生的熱量:’可由具r有*層厚厚而高丨專導丨生的散熱電 極1 5 b加以散熱’所以’將變成散熱性提升者。 又,電路零件1 3因只有單面側連接於散熱電極 1 5 b,所以,來自母電路基板的應力不會施加於電路零 件1 3。因此,可防止由於該應力對於電路零件1 3的破 損,所以,可提升其可靠性。並且’作爲電路基板3 1使 用印刷電路板,所以,可將任意層形成爲厚’可容易形成 熱傳導率高的散熱電極1 5b。 (第4實施形態) - 茲就有關本發明的第4實施形態的混合型模組邊參照 第8圖〜第1 1圖說明如下。第8圖是將有關第4實施形 態的混合型模組從主面側所視的外觀斜視圖,第9圖是取 除密封樹脂的有關第4實施形態的混合型模組的混合型模 組主面側平面圖,第1 0圖是第9圖的C 一 C ’線的剖面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- .•裝.I I (請先閱讀背面之注t,事項寫本頁) 一δτ·. •f· 484344 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(15) 圖’第11圖是第9圖的D—D’線的剖面圖。按,圖中 ’對於與第1〜3實施形態相同的構件,元件標示了同一 符號。 • 此混合型模組5 0與第1實施形態的混合型模組1 〇 不同的主要點’是在電路基板5 1的主面5 2形成散熱用 導體5 3,並且,在於連接此散熱用導體5 3與電路基板 5 1的散熱電極5 4 a之固。以下,詳述其內容如下。 此電路基板5 1,是與第1實施形態同樣,由複數絕 緣體層5 5與屬於電極層5 4所形成的矩形多層印刷電路 板。電路基板5 1底面,亦即,封裝於母電路基板時在與 母電路基板所對向的主面5 2,形成有搭載電路零件1 3 所需的凹部5 6。在凹部5 6底面形成有配線用的連接孔 5 7。 電路基板5 1的電極層5 4是主要爲由;電路零件 1 3的散熱用的散熱電極5 4 a ,與主要與電路零件1 3 或晶片狀電子零件1 2連接以形成電路所需的電路電極 5 4 b。於此,散熱電極5 4 a是考慮熱傳導性設定爲較 電路電極5 4 b的層厚更大。具體上散熱電極5 4 a的層 厚爲3 0 // m〜1 〇 〇 // m以上較佳。本實施形態爲定爲 5 0 //m。又,電路電極5 4 b的層壓爲定爲1 0 //m程 度。 散熱電極5 4 a是埋設於電路基板5 1內部’從電路 基板5 1 —側面及至對向於該側的側面形成有橫長矩形。 又,散熱電極5 4 a是露出於上述凹部5 6底面。 (請先閱讀背面之注意事項今填寫本頁) 項I· -裝 il· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18 - 484344 A7 B7 五、發明說明(16 ) 電路電極5 4 b是於電路基板5 1上面及內部形成爲 既定圖案。電路電極5 4 b是視其需要經由經通孔1 9互 相連接。又,電路電極5 4 b是露出於形成在上述凹部 ’ 56內的連接孔57。 電路零件1 3是連接於上述凹部5 6底面的散熱電極 5 4 a。電路零件1 3是在上面側備有複數的端子電極 2 ◦,背面側爲接著於散熱電極5 4 a。電路零件1 3與 散熱電極5 4 a的接著,是例如使用導電性樹脂接著法或 高溫軟焊接著法等。端子電極2 0是與露出於上述連接孔 5 7底面的電路電極5 4 b及露出於凹部5 6底面的散熱 電極5 4 a ,與銅線或鋁線等的導線構件2 1以電氣方式 連接。此連接是使用導線結合法。在此,端子電極2 0與 散熱電極5 4 a的連接,是不僅將散熱電極5 4 a作爲散 熱用使用並且作爲電路的接地使用所致。 在電路基板5 1的凹部5 6塡充有密封電路零件1 3 所需的絕緣性樹脂2 2。絕緣性樹脂2 2是具有高熱傳導 性者較佳。作爲此絕緣性樹脂2 2,是例如可使用環氧系 或丙烯系者。 在電路基板5 1側面形成有與上述澈熱電極5 4 a或 電路電極5 4 b連接的外部電極2 3。此外部電極2 3中 與上述散熱電極5 4 a連接者,是考慮散熱效率寬廣地形 成於電路基板5 1的側面。 在電路基板5 1的主面5 2,如圍住上述凹部5 6形 成有外形爲矩形的散熱用導體5 3。此散熱用導體5 3是 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19 -
Hi ^ (請先閱讀背面之注意事項 填 寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484344 A7 — B7 五、發明說明(17 ) 請 先 閱 讀 背 注 意 事 I· 寫 本 頁 備有向電路基板5 1緣部方向延伸的隆起部5 3 a。此隆 起部5 3 a是與形成在電路基板5 1側面的外部電極2 3 連接。又,散熱用導體5 3是經由形成在電路基板5 1的 •散熱用經通孔5 8與散熱電極5 4 a連接。此散熱用經通 孔5 8是爲了提升散熱效率較通常的經通孔1 9形成較大 的直徑。 在電路基板5 1上面,於上述電路電極5 4 b軟焊有 晶片狀電子零件1 2。並且,在電路基板5 1上面側,覆 蓋有外殻2 4。 若依據這種混合型模組5 0,與第1實施形態者同樣 ,電路基板5 1是由多層構造的印刷電路板所形成’又’ 電路零件1 3是封裝於電路基板5 1的主面5 2的凹部 5 6,所以,封裝密度會提升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,因電路零件1 3爲連接於露出於電路基板5 1的 凹部5 6的散熱電極5 4 a,所以,從電路零件1 3所發 生的熱量將會傳導於散熱電極5 4 a。並且’散熱電極 5 4 a因連接於形成在電路基板5 1側面的外部電極2 3 ,所以從電路零件1 3的熱量將傳導於外部電極2 3。傳 導於外部電極2 3的熱量是不僅直接散.於封裝對象的母 電路基板,並且,經由形成於電路基板5 1主面5 2的散 熱用導體5 3散熱於母電路基板。另一方面’傳導於散熱 電極5 4 a是經由散熱用經通孔5 8也傳導於散熱用導體 5 3,而從該故熱用導體5 3散熱於母電路基板。 像這樣,有關本實施形態的混合型模組5 0 ’是將從 -20- 本紙張尺度"ϋ中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 B7____ 五、發明說明(18 ) 電路零件1 3所發生的熱量,可經由層厚厚具有高熱傳導 性的散熱電極5 4 a加以散熱,所以變成散熱性優者。又 ’在電路基板5 1的主面5 2形成有散熱用導體5 3,此 •散熱用導體5 3是經由上述散熱電極5 4 a與外部電極 2 3及散熱用經通.孔5 8連接,所以可有效地進行對於母 電路基板的散熱。其他的作用及效果是與第1實施形態相 同。 (第5實施形態) 茲就有關本發明的第5實施形態的混合型模組邊參照 第1 2圖〜第1 4圖說明如下。第1 2圖是取除密封樹脂 的有關第5實施形態的混合型模組的主面側平面圖,第 1 3圖是第1 2圖的E — E ’線的剖面圖,第1 4是有關 實施形態的混合型模組的凹部斜視圖。按,圖中,對於與 第1〜4實施形態相同的構件,元件標示了同一符號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此混合型模組6 0與第4實施形態的混合型模組4 0 不同的主要點,是在於形成於電路基板6 1的主面6 2的 第1散熱用導體6 3與散熱電極5 4 a的連接裝置,及, 形成於電路基板6 1的主面6 2的凹部< 6 6的構造。以下 ,詳述其內容如下。 此電路基板6 1,是與第4實施形態同樣,由複數絕 緣體層6 5與屬於導體層的電極層6 4所形成的矩形多層 印刷電路板。電路基板6 1底面,亦即,封裝於母電路基 板時在與母電路基板所對向的主面6 2,形成有搭載電路 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7
五、發明說明(19 ) 零件1 3所需的凹部6 6。 電路基板6 1的凹部6 6 ’是具有2層構造。亦即, 在第1凹部6 6 a底面形成有較該第1凹部6 6 a其開口 面積爲小的弟2凹部6 6 b的構造。又,在第1凹部 6 6 a內壁面,形成有第2散熱用導體6 7。此第2散熱 用導體6 7是如第1 4圖所示,對於形成在第1凹部 6 6 a壁面的溝6 8塡充金屬構件加以形成。因此,第2 散熱用導體6 7厚度爲與溝6 8的深度相等。又,在第1 凹部6 6 a底面的緣部(壁邊),形成有散熱用經通孔 6 9。此散熱用經通孔6 9是設於形成於上述溝6 8的部 位。因此’此散熱用經通孔6 9是於第1凹部6 6 a底面 緣部與上述第2散熱用導體6.7連接。 電路基板6 1的電極層6 4主要由;屬於電路零件 1 3散熱用的散熱電極6 4 a,與主要爲電路零件1 3或 晶片狀電子零件1 2連接以形成電路所需的電路基板6 4 所構成。於此,散熱電極6 4 a是考慮熱傳導性較電路基 板6 4 b設定有較大的層厚。具體上,散熱電極6 4 a的 層厚爲具有3 0 // m〜1 〇 〇 // m以上較佳。本實施形態 是定爲5 0 。又,電路基板6 4 b'的層寬是定爲1 〇 β m 〇 散熱電極6 4 a是埋設於電路基板6 1內部’從電路 基板6 1、一側面及至對向於該側面的側面形成爲橫長矩形 。又’散熱電極6 4 a是露出於弟2凹部6 6 ’b底面。並 且,此散熱電極6 4 a是經由上述經通孔6 9與形成於第 ------------裝 i I (請先閱讀背面之注¾.事項寫本頁) ta. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22- 484344 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(20 ) 1凹部6 6 a壁面的上述第2散熱用導體6 7。 電路基板6 4 b是於電路基板6 1上面及內部形成既 定圖案,視其需要將電極間由經通孔1 9連接。又,電路 •基板64b是露出於第1凹部66a底面。 電路零件1 3是連接於形成在第2凹部6 6 b底面的 散熱電極6 4 a。電路零件1 3是在上面側備有複數的端 子電極2 0,背面側爲接著於散熱電極6 4 a。電路零件 1 3與散熱電極6 4 a的接著,是例如採用導電性樹脂接 著法或高溫軟焊接著法等。端子電極2 0是使用露出於第 1凹部6 6 a底面的電路基板6 4b及露出於第2凹部 6 6 b的散熱電極6 4 a ,與使用銅線或鋁線等的導線構 件2 1以電氣方式連接。此連接是使用導線結合法。於此 ,端子電極2 0與散熱電極6 4 a的連接,是將散熱電極 6 4 a作爲散熱用使用並且也作爲電路的接地之用。 在電路基板6 1的凹部6 6塡充有密封電路零件1 3 的絕緣性樹脂2 2。絕緣性樹脂2 2是具有高熱傳導性較 佳。作爲此絕緣性樹脂2 2,是例如使用環氧系或丙烯系 者。 在電路基板6 1側面形成有與上述散熱電極6 4 a或 電路基板6 4 b連接的外部電極2 3。此外部電極2 3之 中與上述散熱電極6 4 a連接者,是考慮散熱效果在電路 基板6 1側面形成爲稍爲寬廣。 在電路基板6 1的主面6 2 ’如圍住上述凹部6 6形 成有外形爲矩形的第1散熱用導體6 3。此第1散熱用導 (請先閱讀背面之注意事項和填寫本頁) £· :裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- A7 ------B7__ 五、發明說明(21 ) 體6 3是備有電路基板6 1的緣部方向延伸的隆起部 6 3 a。此隆起部6 3 a是與形成在電路基板5 1側面的 外部電極2 3連接。又,第1散熱用導體6 3是於凹部 ’ 66的邊界部與形成於上述第1凹部3壁面的第2散 熱用導體6 7連接。 在電路基板6 1上面,是在上述電路基板6 4 b軟焊 有曰η片狀電子零件1 2。並且,在電路基板6 1上面側, 覆蓋有金屬製殻2 4。 若依據這種混合型模組6 0,與第1實施形態者同樣 ’電路基板6 1是由多層構造的印刷電路板所形成,又, 因電路零件1 3是封裝於電路基板6 1主面6 2的凹部 6 6,所以可提高封裝密度。 又,因電路零件1 3是接著在露出於電路基板6 1的 第2凹部6 6 b的散熱電極6 4 a ,所以從電路零件1 3 所發生的熱量是傳導於散熱電極6 4 a。並且,因散熱電 極6 4 a是連接於形成在電路基板6 1側面的外部電極 2 3,所以,從電路零件1 3的熱量將傳導於外部電極 2 3。傳導於外部電極2 3的熱量,不僅直接散熱於封裝 對象的母電路基板,並且,經由形成於電路基板6 1的主 面6 2的第1散熱用導體6 3散熱於母電路基板。另一方 面,傳導於散熱電極6 4 a的熱量,是經由散熱用經通孔 6 9傳導至形成在第1凹部6 6 a壁面的第2散熱用導體 6 7。此第2散熱用導體6 7因連接於第1散熱用導體 6 3,所以,發生於電路零件1 3的熱量是從該路徑也散 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 ®, 之 注 意· 事 !·裝 t 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24- 484344 A7 B7 五、發明說明(22 )
熱於母電路基板。 T 像這樣,有關本實施形態的混合型模組6 0,是將從 電路零件1 3所發生的熱量,經由層厚厚具有高熱傳導性 •的散熱電極6 4 a散熱,所以,將變成優於散熱性者。又 ,在電路基板6 1的主面6 2,形成有第1散熱用導體 6 3,此第1散熱用導體6 3是對於上述散熱電極6 4 a ,因經由外部電極2 3及第2散熱用導體6 7及散熱用經 通孔6 9連接,所以,可有效率地進行對於母電路基板的 散熱。有關其他作用及效果是與第1實施形態相同。 (第6實施形態) 茲就有關本發明的第6實施形態的混合型模組邊參照 第1 5圖說明如下。第1 5圖是有關第6實施形態的混合 型模組的剖面圖。按,圖中,對於與第1〜5實施形態相 同的構件,元件標示了同一符號。 此混合型模組7 0與第5實施形態的混合型模組不同 的主要點,是在於凹部內的散熱用導體的形成構造,及, 電路基板的散熱電極的構造。以下,詳述其內容如下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此電路基板7 1是與第5實施形態凋樣,是由複數絕 緣體層7 5與屬於導體層的電極層7 4所形成的矩形多層 印刷電路板。電路基板7 1底面,亦即,封裝於母電路基 板時在與母電路基板所對向的主面7 2,形成有搭載電路 零件1 3所需的凹部7 6。 電路基板7 1的凹部7 6,是具有2層構造。亦即, -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 ____ B7 五、發明說明(23) 在第1凹部7 6 a底面形成較該第1凹部7 6 a其開口面 積小的第2凹部7 6 b的構造。在此凹部7 6內面形成有 第2散熱用導體7 7。第2散熱用導體7 7是從第1凹部 7 6 a內壁面及底面及至第2凹部7 6 b的壁面所形成。 此第2散熱用導體7 7是與此第4實施形態同樣,於第1 凹部7 6 a及第2凹部7 6 b壁面,是在形成於該壁面的 溝塡充形成金屬構件。因此,第2散熱用導體7 7厚度是 與此溝深度相等。 電路基板7 1的電極層7 4,主要是由電路零件1 3 的散熱用的散熱電極7 4 a及74b,與主要與電路零件 1 3或晶片狀電子零件1 2連接形成電路所需的電路電極 7 4 c所構成。於此,散熱電極7 4a及7 4b,是考慮 熱傳導性設定爲較電路電極7 4 c的層厚爲大。具體上, 散熱電極7 4 a及7 4b的層厚爲30//m〜1 〇〇//m 以上較佳。於本實施形態是定爲5 0 // m。又,電路電極 7 4 c的層厚爲定爲1 〇 //m程度。 散熱電極7 4 a是埋設於電路基板7 1內部,而從電 路基板7 1 —側面及至該側面所對向的側面形成爲橫長矩 形。又,散熱電極7 4 a是露出於第1凹部7 6 b底面。 並且,散熱電極7 4 a是與第2凹部7 6 b壁面所形成的 第2散熱用導體7 7連接。另一方面,散熱電極7 4 b是 形成於較上述散熱電極7 4 a更位於主面7 2側的層。此 散熱電極7 4 i是從電路基板7 1的一側面及至對向於該 側面的側面形成爲橫矩形。又,散熱電極7 4 b是於中央 (請先閱讀背面之注意事項 填寫本頁) 3· :裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -26- 484344 A7 _____Β7 ______ 五、發明說明(24) 部貫通有第2凹部7 6 b。藉此,散熱電極7 4 b是與形 成在第2凹部7 6 b壁面的第2散熱用導體7 7連接。 電路基板7 4 c是於電路基板7 1上面及內部形成爲 •既定圖案,視其需要將電極間由經通孔1 9所連接。又’ 電路基板7 4 c是露出於第1凹部7 6 a底面。 電路零件1 3是連接於形成在第2凹部7 6 b底面的 散熱電極7 4 a。電路零件1 3是在上面側備有複數的端 子電極2 0,背面側爲連接於散熱電極7 4 a。電路零件 1 3與散熱電極7 4 a接著,是例如使用導電性樹脂接著 法或高溫軟焊接著法等。端子電極2 0是使用露出於第1 凹部7 6 a底面的電路電極7 4 c及露出於第2凹部 7 6 b底面的散熱電極7 4 a ,與銅線或鋁線等的導線構 件2以電氣方式連接。此連接是使用導如結合法。在此, 端子電極2 0與散熱電極7 4 a的連接是不僅將散熱電極 7 4 a作爲散熱用使用並且也作爲電路的接地使用。 電路基板7 1的凹部7 6塡充有密封電路零件1 3所 需的絕緣性樹脂2 2。作爲此絕緣性樹脂2 2,是例如使 用環氧系或丙烯系者。又,此絕緣性樹脂2 2是具有高熱 傳導性者較佳。 - 在電路基板7 1側面,形成有與上述散熱電極7 4 a 及7 4 b或電路基板7 4 c的外部電極2 3。此外部電極 2 3之中與上述散熱電極7 4 a及7 4 b連接者,是考慮 散熱效果在電路基板7 1側面形成稍爲寬廣。 在電路基板7 1的主面7 2,是如圍住上述凹部7 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 面, 注 意· 事 h 5裝 本· 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 484344 A7 B7 五、發明說明(25) ------------I · I I (請先閱讀背心之注素i事項 寫本頁) 形成有外形爲矩形的第1散熱用導體7 3。此第1散熱用 導體7 3是備有向電路基板7 1的緣部方向延伸的隆起部 。此隆起部是連接於形成在電路基板7 1側面的外部電極 • 2 3。又,第1散熱用導體73是於凹部76的邊界部與 上述第2散熱用導體7 7連接。 在電路基板7 1上面,對於上述電路電極7 4 c軟焊 有晶片狀電子零件1 2。並且,於電路基板7 1上面側’ 覆蓋有金屬製殼2 4。 若依據這種混合型模組7 0,與第1實施形態同樣’ 電路基板7 1是由多層構造的印刷電路板所形成’又’電 路零件1 3是封裝於形成在電路基板7 1主面7 2的凹部 7 6,所以,可提高封裝密度_。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,電路零件1 3因接著於露出在電路基板7 1的第 2凹部7 6 b的散熱極7 4 a,所以從電路零件1 3所發 生的熱量將傳導於散熱電極7 4 a。因散熱電極6 4 a連 接於形成在電路基板6 1側面的外部電極2 3,所以從電 路零件1 3的熱量將傳導於外部電極2 3。另一方面’從 電路零件1 3所發生的熱量,是經由絕緣性樹脂2 2也傳 導於第2散熱用導體7 7。又,在第2敬熱用導體7 7也 會從上述散熱電極7 4 a傳導熱量。傳導於第2散熱用導 體7 7的熱量,是經由散熱電極7 4 b不僅傳導於外部電 極23,並且,也傳導於第1散熱用導體73。又’傳導 於外部電極2 3的熱量也從電路基板7 1主面7 2的緣部 側傳導於第1散熱用導體7 3。傳導於外部電極2 3及第 -28· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 B7 五、發明說明(26 ) 1散熱用導體7 3的熱量,是散熱於封裝對象的母電路基 板。 ' — — — — — — — — — — —I — · I I (請先閱讀背面之注t.事項寫本頁) 像這樣,有關本實施的混合型模組7 0,是將從電路 •零件1 3所發生的熱量,因可經由層厚厚具有高熱傳導性 的散熱電極7 4 a及7 4 b加以散熱,所以,將可提高散 熱性。又,在電路基板7 1主面7 2,形成有第1散熱用 導體7 3,此第1散熱用導體7 3是對於上述散熱電極 7 4 a及7 4 b,因經由外部電極2 3及第2散熱用導體 7 7連接,所以可有效率地進行母電路基板的散熱。關於 其他作用及效果是與第1實施形態相同。 以上’就本發明的實施形態做了說明,但是本發明並 非限定於此。例如,於上述實施形態,作爲電路零件例示 了 G a A s F E T但是並非限定於此。尤其,本發明是作 爲電路零件對於具有高發熱性的半導體元件時特別有效。 又,於上述實施形態,雖然例示了將一個電路零件封裝於 凹部者,但是本發明並非限定於此。亦即,也可以封裝於 複數的電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,於上述實施形態,作爲電路基板例示了環氧系的 印刷電路板,但是本發明並非限定於此省。例如也可以爲 酚系,聚酯系,氟樹脂系等有機材料系的基板,玻璃或陶 瓷等的無機材料系的基板。按,無機材料系基板時,因增 大電極層厚度爲比較困難,所以選擇例如如氮系鋁系的陶 瓷等其熱傳導性良好的基板材料較佳。又,於上述實施形 態作爲電路基板的電極層(導體層)使用了銅,但是也可 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 484344 A7 B7 五、發明說明(27) 以使用其他材料。例如使用鋁或其他貴金屬爲主成分者。 按,作爲此電極層,其熱傳導性良好者較佳。 並且,於上述實施形態,作爲電路零件的封裝方法就 •導線結合法做了說明,但是本發明並非限定於此。亦即, 也可以將 C S P (Chip Size Package )或 B G A (Ball Grid Array )等的電路零件做面朝下封裝(face down package ) ° 【發明效果】 如以上所詳述,若依據申請專利範圍第1項的發明, 電路基板是由多層構造基板所形成,又,電路零件是封裝 於形成在電路基板的凹部,所以,可提高封裝密度。又, 電路零件因接著於電路基板的凹部的導體層,所以將從電 路零件所發生的熱量會傳導於導體層。因此,可有效地將 從電路零件所發生的熱量散熱。並且’因電路零件只有單 面側接著於導體層’所以對於電路零件不會施加來自母電 路基板的應力。藉此’因可防止由該應力的電路零件的破 損,所以可提高其可靠性。 又,若依據申請專利範圍第2項的潑明,從電路零件 _導於導體層的熱量將經由外部電極散熱於母電路基板或 空氣中。所以,可將從電路零件所發生的熱量有效率熱散 熱。 並且,如依據申請專利範圍第3項的發明,從電路零 件傳導於導體層的熱量是經由外殼散熱於空氣中。所以’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱^ 「30- ' (請先閲讀背面之注意事項和填寫本頁) 幻· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印M- 484344 A7 —__B7____ 五、發明說明(28 ) 可將從電路零件所發生的熱量有效率熱散熱。 並且,如依據申請專利範圍第4項的發明,從電路零 件傳導於導體層的熱量將會傳導於形成於電路基板的凹部 •形成面的散熱用導體。此散熱用導體是封裝時會接觸於母 電路基板,所以可將從電路零件所發生的熱量有效率地散 熱。 並且,如依據申請專利範圍第5項的發明,因在散熱 用導體也形成於凹部內壁面,所以從電路零件所發生的熱 量將通過凹部內直接傳導於散熱用導體。所以,可更加提 局散熱性。 更且,如依據申請專利範圍第6項的發明,因從上述 導體層對於散熱用導體的散熱路徑埋設於電路基板內,所 以可做到高密度封裝。 並且,如依據申請專利範圍第7項的發明,因從電路 零件傳導於導體層的熱量將經由外部電極散熱於母電路基 板或空氣中,並且,經由散熱用導體有效地傳導於母電路 基板。所以可將從電路零件所發生的熱量有效率地散熱。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並且,如依據申請專利範圍第8項的發明,上述電路 零件所接著的導體層,是形成爲較多層,印刷電路板的其他 導體層更厚,所以可將發生於電路零件的熱量以高熱傳導 率散熱。 圖式的簡單說明 第1圖是將有關第1實施形態的混合型模組從主面側 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -31 - 484344 A7 B7 五、發明說明(29 ) 圖 視 斜 觀 外 視 所 模 型 合 混 的 態 形 施 實 IX 第 關 有 脂 樹 封 密 除 取 是 圖 2 第 圖 面 平 側 面 主 的 組 圖圖 面面 剖剖 勺 勺 & 白 線線 A B _ -A B 的的 圖圖 2 2 第第 是是 圖圖 3 4 第第 。 所 圖側 面面 剖主 的從 且 且 模模 型型 合合 混混 rnp 態態 形形 施施 實實 2 3 第第 關關。 有有圖 是是視 圖圖斜 5 6 觀 第第外 的 視 。 所 圖側 面面 剖主 的從 巨 且 模模 型型 合合 混混 AHM 態態 形形 施施 實 實 3 4 第第 關關。 有有圖 是是視 圖圖斜 7 8 觀 第第外 的 視 模 型 合 混 的 態 形 施 實 4 第 有 脂 樹 封。 密圖 除面 取平 是的 圖側 9 面 第主 的 組 圖圖 面面 剖剖 ^、〕 白 線線 c D I I c D ryj 圖 圖 9 9 第第 是是 圖圖 ο 一~_ r-H r—I 第第 第 m旮 有 匕曰 月 樹 封。 密圖 除面 取平 是的 圖側 2 面 1 主 第的 組 模 型 合 混 的 態 形 施 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的 β, 立口 凹 。 的 圖組 面模 剖型 的洽 線混 , 的 Ε 態 一 形 Ε 施 的實 圖 5 2 第 -—_ 關 第有 是是 圖圖 3 4 IX ΊΧ 第第 圖第 視 斜 第 5 有 是 圖 5 圖 面 •MU 咅 的 組 模 型 合 混 的 態 形 施 圖 面 剖 面 側 的 組 模 型 合 混 的 術 技 行 先 示 表 曰疋 圖 6 r-H 第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -32 - 484344 A7 B7 五、發明說明(3〇 )第1 7圖是表示先行技術的其他混合型模組的側面剖 面圖。 ο 7 ο 6 ο 5 ο ]4 明, 說 ο 的 3 號, 符 ο 組 模 型 合 混 1 3 · 7 14 4 , , ^/1 ^/1IX , , 6 零 5 4 ,ί6 6 1 電,, 5 狀 5 4 , 片 5 5 1 晶,, 3 4 5 , · 3 3 IX · ? > 12 4 5 板件, 基零層, 路路體層 電電緣極 • · 絕電 3 4 , 7 b , 4 a 5 4 , 6 b , 5 a 3 4 , LO ID i—_ , L〇 , 3 1 極 5 , 電 3 極路 , 電電 a 熱 · 5 散 · I . · 4 6 (請先閱讀背面之注意事項$填寫本頁) 2 5 6 3 6 2 6 • C . • 4 · b 7 . 4 , 2 7 b 7 部 b 凹 7 . 3 B· • 咅 6 凹 T 1 , 第 6 . 6 . 6 a 5 6, V. T , 3 a , 6 7 6 γΉ , ,a 面 7 主 3 b 6 7 b 6 6 第 2 2 匕曰 月 樹 性 緣 絕 咅 · 凹 3 2 2 孔 4 通 2 經, •極 • 電 •子 9 端 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • 體 •導 1 用 4 熱 殼 外 6 3 5 3 2 7 散 . 7 . 6 3 , 5 體 , 導 • 用 極熱 電散 接 1 連第 7 孔 7 通 9 6 8 5 疆 導 用 埶⑴ 散 2 第 經 用 熱 散 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -33-

Claims (1)

  1. 484344 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種混合型模組,其是備有;形成凹部的電路基 板’與封裝於該電路基板凹部內具有發熱性的電路零件, 將形成電路基板的上述凹部的側對向於母電路基板所封裝 者,其特徵爲; 上述電路基板是由具有導體層的多層基板所構成,並 且,上述導體層爲露出於上述凹部底面, 上述電路零件爲接著於露出在凹部底面的上述導體層 〇 2 ·如申請專利範圍第1項的混合型模組,其中不僅 具有形成於電路基板側面的外部電極,並且,上述電路零 件所接著的導體層,爲於電路基板側面連接於上述外部電 極。 . 3 ·如申請專利範圍第1項的混合型模組,其中不僅 備有覆蓋電路基板的外殼,並且,上述電路零件所接著的 導體層,是於電路基板側面與上述外殼連接。 4 ·如申請專利範圍第1項的混合型模組,其中在形 成有電路基板的上述凹部的面不僅形成有散熱用導體,並 且,該散熱用導體是連接於上述電路零件所接著的導體層 〇 - 5 ·如申請專利範圍第4項的混合型模組,其中上述 散熱用導體是形成爲從形成凹部的面及至凹部內壁面。 6 ·如申請專利範圍第4項的混合型模組,其中上述 導體層與散熱用導體爲連接於形成在電路基板內的經通孔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 484344 A8 B8 C8 ____________^ 六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第4項的混合型模組,其中不僅 備有形成於電路基板側面的外部電極,並且,上述電路零 件所接著的導體層,是於電路基板的側面與上述外部電極 ^接’上述散熱用導體是連接於外部電極。 8 ·如申請專利範圍第1項,第2項,第3項,第4 項’第5項,第6項及第7項的任一項的混合型模組,其 中上述電路零件所接著的導體層,是形成爲較多層基板的 其他導體層更厚。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI628988B (zh) * 2016-11-21 2018-07-01 日商歐姆龍股份有限公司 Electronic device and method of manufacturing same
US10517176B2 (en) 2013-03-04 2019-12-24 Longitude Licensing Limited Semiconductor device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006031344A1 (de) * 2006-07-06 2008-01-10 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit einem Sensorelement, Verfahren zur Verkapselung eines Sensorelements und Verfahren zur Herstellung einer Plattenanordnung
CN102246616A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 株式会社村田制作所 电路模块
CN101937889A (zh) 2009-06-29 2011-01-05 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 半导体元件封装结构及其封装方法
CN102006401B (zh) 2009-08-28 2012-07-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像获取装置
CN103811434A (zh) * 2014-02-26 2014-05-21 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种ltcc无引线封装
CN108428672B (zh) * 2018-04-17 2020-06-23 中国电子科技集团公司第二十九研究所 超宽带射频微系统的陶瓷双面三维集成架构及封装方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3322575B2 (ja) * 1996-07-31 2002-09-09 太陽誘電株式会社 ハイブリッドモジュールとその製造方法
JPH1050926A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Taiyo Yuden Co Ltd ハイブリッドモジュール
KR100563122B1 (ko) * 1998-01-30 2006-03-21 다이요 유덴 가부시키가이샤 하이브리드 모듈 및 그 제조방법 및 그 설치방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10517176B2 (en) 2013-03-04 2019-12-24 Longitude Licensing Limited Semiconductor device
TWI628988B (zh) * 2016-11-21 2018-07-01 日商歐姆龍股份有限公司 Electronic device and method of manufacturing same

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Publication number Publication date
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