TW483016B - Manufacturing method of electron emitter stack and structure of field emission display - Google Patents

Description

483016 五、發明說明（1) 5 - 1發明領域： 本發明一般係有關於一種電子射極堆疊用在場發射顯 示（FED)面板上和製造此種堆疊的方法，更特別地，本發 明是關於一種電子射極堆疊用在場發射顯示面板上，其具 備改良的奈米碳管和陰極間的黏著性和具備改良的電子放 射密度，和製造改良之電子射極堆疊的方法。 5 - 2發明背景： 近年來平面顯示元件已被研發出而且廣泛應用在電子 產品上，例如用在個人電腦上。其中較為廣泛使用的一種 平面顯示元件是主動式矩陣液晶顯示器（LCD)，其可提供 改進了的解析度。然而，液晶顯示元件有許多先天的限制 使其不適合用在許多的應用上。例如，液晶顯示器在製造 上有許多的限制，包括塗佈非晶矽於玻璃面板時的低沉積 速率，製造過程的高度複雜性和製造過程的良率很低。再 者，液晶顯示元件需要有螢光背光源，而其會耗用大量能 源，但其所產生的光又大部份都浪費了。液晶顯示的影像 在明亮光線下或廣角視覺下不容易看清楚，而因此又更加 限制了它的應用。 近年來已發展出其他的平面顯示元件以取代液晶顯示

483016 五、發明說明（2) 面板。場發射顯示元件就是其中一種，其克服了液晶顯示 器的某些限制，及提供了明顯較傳統液晶顯示元件好的優 點。例如，場發射顯示元件與傳統的薄膜電晶體（TFT)液 晶顯示面板相較，場發射顯示元件有較高的對比率，較廣 的視覺角度，較高的最大明亮度，能源消耗較低而且較寬 的操作溫度範圍。 場發射顯示器與液晶顯示器最大的不同是場發射顯示 器利用彩色的螢光粉可自行產生光源，而不需要複雜又耗 能源的背光源和濾光器。而且場發射顯示器所產生的光， 使用者幾乎都可看見。再者，場發射顯示器不需要大量陣 列排列的薄膜電晶體，因此對主動式矩陣液晶顯示器的高 成本主要來源及良率問題都可獲得解決。 場發射顯示器是由陰極發射出電子，撞擊塗佈在透明 面板背面的螢光粉來產生影像。這種陰極發光（cathodo-luminescent )過程是已知產生光的方法中，最有效的方法 之一。相較於傳統的陰極射線管（CRT)元件，在場發射顯 示器的每一像素或發射單元都有自己的電子源。例如，典 型的發射微尖端（ni i c r 〇 t i p )陣列。存在於陰極和閘電極間 的電壓差會由陰極吸引出電子，而且加速電子往塗佈榮光 粉的方向移動。發射電流與發射材料的功函數有非常大的 關係。為了達到場發射顯示器的必要效率，發射源材料的 潔淨度和均勻性是非常重要的。

丄 t) 五、發明說明（3) ----- $ 了使電子在場發射顯示器中移動，大部分的場發射 二：态都抽真空到如壓力i 0 _ 7托的低壓，士口此可提高被激 电電子的對數平均自由徑（log mean free path)而可避免 ，尖端的污染和退化。I員示器的解析度可藉由使用對焦柵 極對準由微尖端放出的電子來提高。 早期發展的場發射陰極是利用鉬（M 0)做的金屬微尖端 發射器。此種元件是將矽晶圓首先氧化產生一層厚的二: 化石夕層’然後再沉積一層金屬閘極層於氧化層上，再將々 屬閘極層圖案轉印形成閘極開口 ，接下來在開口下之氣至 石夕的钱刻會底切閘極並形成一井（w e 1 1 )，一犧牲材料厚 如錄疋沉積以防止沉積鉬到發射井裡面。然後將鉬以常 的發生率沉積在凹洞處，形成有尖點的圓錐體直到二& 1 J Ν ° δ把鎳犧牲層去除後就產生了發射圓錐體。 另一種設計中，矽微尖端射極的製造是先於矽上發 熱氧化’然後接著圖案轉印於氧化層，再選擇性的飿刻步 成石夕尖端。再進行的氧化或蝕刻可保護矽且使端點更尖/ 提供一犧牲層。再一種設計中，微尖端形成在欲使用的底 材上’例如玻璃，而玻璃是用於作為大面積的平面板顯^ 器的理想底材。微尖端可用多種導電材料做成，例如金$ 或參雜的半導體材料。在此種場發射顯示元件設計中，沉 積一層控制了導電性的中間層於陰極和微尖端之間是非g

五、發明說明（4) 需要的。適當電阻率的中間屏可你_ ^ 。因此在製造此種場，射顯疋件在穩定狀況下操作 膜，其電性導電性介；= :::時’沉積-層非副 邋f 夕R的笳鬥咖Β、生非日日矽和參雜11 +非晶矽的電性 導電性之間的犯圍内是很需要 電性可依薄膜内的磷原子含量多宾+雜11非日日7 夕泰來控制。 般而a ’在製造場發射顯 元件時，元件含有一個 非常低壓的空間，因此使得電子1干時，儿^ b 從行弘于的發射不會受到阻礙。例 如，通常是需要在壓力1 〇 -¾。A 7 小曰 為了避务谨成場發射顯示 元件的兩塊相當大的玻璃面板破穿 ^ t i 知担他Λ μ ; 4 A t 反衣，必須用間隙物來支持

和挺供兩片面板間適當的空隙。A 千分杜由你田诂链#々丄〜 例如，在傳統的場發射顯 不70件中使用玻璃球或十字玻璁才 *踏 私且认„尬仏u 7 两水維持場發射顯示元件的 $隙。拉長的間隙物也可用於同樣目、 的0 參考第一 A圖 。場發射 ，典型的 和金屬閘 尖端2 0和 因此一層 料，例如 非晶矽層 限制的電 有過大的 顯示元件 阻抗層是 極層1 8再 陰極結構 有阻抗又 二氧化矽 1 2的阻值 阻器，以 電·流通到 傳統場 1 0是沉 一層非 沉積形 2 2，而 有點導 (Si02) ，使其 避免如 金屬層 發射顯 積一層 晶矽薄 成於阻 陰極結 電性的 ’形成 不會有 果其中 18是非 不元件1 0的放大橫切面圖 阻抗層1 2於玻璃底材丨4上 膜。介電材料的絕緣層i 6 抗層上，然後形成金屬微 構2 2被阻抗層1 2所覆蓋， 非晶石夕層1 2置於由介電材 的高絕緣層16之下，控制 過高阻抗而又可表現為有 一個微尖端短路時，不會 常重要的。

483016 給予陽極2 8較高 1¾極2 8是由玻璃 厚度大約只 板14和頂部 五、發明說明（5) 一個完整的場發射顯示器 圖所顯示的結構圖3 0上方。同 的理由而將陰極層2 2和阻抗層 形成微尖端2 0可以由尖端放射 的正電壓時，同時給予閘電極 板3 6表面塗佈一層螢光粉3 2所 電的銦氧化錫（IT0)34，使得 增加螢光粉層的明亮度。如第 面圖。整個場發射顯示元件的 邊面板3 8所封閉住的底部玻璃 範圍抽真空（如第一 Β圖所示）< 結構包括陽極2 8置於第一 B 時必須注意的是，為了簡便 1 2表示成單一的陰極層2 2。 電子26。當 1 8正電壓。 形成。亦可利用加上一層導 當電子2 6撞擊螢光粉層時可 一 C圖所示之部分放大橫切 有2釐米，且將 玻璃板3 6之間的 第一 A到C圖所示的由微尖端形成的傳統場發射顯示元 件較液晶顯示元件，產生了品質改良的平面板顯示元件。 然而，微尖端場發射顯示元件最主要的缺點是製造該元件 時的複雜製造程序。例如，元件中各種不同層的形成，特 別是形成微尖端時需要用到利用微影方法的薄膜沉積技術 。結果是必須執行許多個光罩程序才可定義及製造場發射 顯示器的各種結構功能。所涉及的化學氣相沉積（CVD)製 程和微影（photolithographic)製程更大大的增加了製造 場發射顯示元件的成本。 同樣在審查中的美國專利申請，申請案號為0 9 / 3 9 6 5 3

第9頁 483016 五、發明說明（6) 6，其讓受給與本發明相同的受讓人，提出此專利申請是 為了做為參考資料，其揭露了 一種具二極結構和利用奈米 碳官射極為電子放射源的場發射顯示元件和製造此元件的 方法。如第二圖所示，場發射顯示元件4 0的構成是一個第 一個電性絕緣板4 2，一個陰極4 4利用一種材料包括金屬， :ί H ::電性絕緣板42上’ 一層材料為碳、鑽石或類 個具有螢光粉塗佈層54於发上二8 ’陽極50形成於一 此場發射顯示元件聲豆二上的弟一個電性絕緣板5 2上。 有利的製造優點為，^ ς &利用微尖端的場發射顯示元件 膜印刷技術製造元件。利的以低成本和高製造效率的厚 ，山^第—圖所示，場發射一 米碳管材料形成的電 χ 、頭不面板4 0具有二極結構和奈 技術來製造，此技嘗勺射極’其可利用低成本的厚膜印刷 喷墨印刷技術（i ^ ·匕括網版印刷（screen printing)或 ”et Printing)。。 曰在場發射顯示面板

%極5 0是用在二極、纟士 中，一個單一的陰極4 4和單一的 其他的導電膠狀材三單一的陰極44可便利的由銀膠或 化錫（ITO)層形成於如’溥與膜形成。陽極50可便利的由銦氧 鋼氧化錫材料是本、質°光日學透明的玻璃板的絕緣板5 2上。 月匕。 、、月的’因此不會影響顯示面板的功

苐10頁 483016 五、發明說明（7) 二極結構的形成，首先是提供一個透明的玻璃板4 2做 為底部絕緣板，然後利用厚膜印刷技術，例如網版印刷或 喷墨印刷，以直徑毫微米的中空管或纖維，例如碳纖，鑽 石碳纖或類似鑽石碳纖，形成多數的射極堆疊4 8於玻璃板 上。 在一頂部絕緣板5 2上，例如第二個玻璃板上，先形成 透明電極層5 0，其材料如銦氧化錫，再形成眾多的螢光粉 末塗佈條5 4於如陽極5 0的銦氧化錫層上。當電子由多數的 發射極堆疊4 8發射出時，眾多的螢光粉末塗佈條5 4會被激 發放射出紅色、綠色或藍色的光。每一個螢光粉末塗佈條 可發射出與鄰近緊鄰的塗佈條不同顏色的光。一個多數的 邊面板5 6，例如四個面板，利用玻璃溶合粉末（g 1 a s s f r i t)材料將第一個和第二個玻璃板4 2，5 2的周圍封閉起 來形成一個真空緊密的空間。 二極結構場發射顯示面板4 0的電子發射源是厚膜印刷 的銀膠陰極層4 4和其上的奈米射極4 6。所使用的厚膜印刷 技術可以是網版印刷技術或喷墨印刷技術。厚膜圖案技術 是用以製造大型的場發射顯示面板最適當的方法，其可使 得製造程序以有效率的方式進行。曾經發現利用厚膜印刷 技術可達到的轉印解析度高達1 0 0微米。因此厚膜印刷方 法適用於製造矩陣式圖形介面（VGA)格式6 4 0 X 4 8 0或更大

483016 五、發明說明（8) 的場發射顯示面板。 參考第三A和B圖所示之射極堆疊4 8的放大橫切面圖。 如第三A圖所示，射極堆疊48是由第一個網版印刷形成陰 極層4 4於玻璃底材4 2上。然後奈米碳管與一種有機溶劑或 黏著劑混和形成膠狀物質，再利用網版印刷將膠狀物質形 成奈米碳管層4 6於陰極層4 4上。然後需要利用熱處理程序 將有機溶劑成分蒸發以避免使用時有氣體釋放，而大大的 影響到場發射顯示器内室的真空度。經過熱處理程序後， 其通常是在溫度介於攝氏4 0 0度到.5 0 0度之間進行，有機溶 劑被蒸發消失只留下粉狀形式的奈米碳管。粉狀奈米碳管 與陰極層4 4間呈現很大的黏著性問題，因此當使用場發射 顯示器其内室有電場在操做時，奈米碳管會飛離陰極表面 而撞擊到螢光層5 4上（如第二圖所示）。因此第三圖所示的 奈米碳管不能被可靠的使用而不破壞螢光塗佈層或不會由 陰極表面損耗奈米碳管。 企圖補救第三A圖結構中奈米碳管的損耗，曾有人企圖 利用額外加上導電膠狀材料和奈米碳管混和，來改進奈米 碳管黏著在陰極層的能力，如第三B圖所示。額外加的導 電膠層5 8是與奈米碳管混和，例如將商業上的銀膠加到奈 米碳管膠狀物中。然後將混合物用網版印刷在陰極4 4表面 上。當利用如第三B圖所示之方法達到改進黏著性時，由 陰極4 4穿透突出的奈米碳管密度會減低，因為明顯數量的

483016 五、發明說明（9) 奈米碳管都被埋在導電膠層5 8裡面。再者，既然加了銀粉 末和玻料於導電膠層5 8上，其即佔據了導電膠層5 8上方表 面積一大部分，因此就更加減低了穿透突出的奈米碳管密 度。減低的奈米碳管密度直接的降低了可由奈米碳管層4 6 發射出的電子數量。因此第三B圖所示之方法並不是解決 奈米碳管和陰極層間黏著性問題的最佳方法。 5 - 3發明目的及概述： 鑒於上述之發明背景中，傳統場發射顯示面板的電子 射極堆疊所產生的諸多缺點，因此本發明的目的即是提供 一種電子射極堆疊用於場發射顯示面板上，卻不會有傳統 電子射極堆疊的缺點。 本發明的另一目的在提供一種電子射極堆疊用於場發 射顯示面板上，其改進了奈米碳管和陰極層表面間的黏著 性。 本發明的再一目的，係用以提供一種電子射極堆疊用 於場發射顯示面板上，其改進了奈米碳管和一個電極間的 黏著性，卻不會犧牲電子放射密度。 本發明的又一目的，係用以提供一種電子射極堆疊用

483016 五、發明說明（ίο) 於場發射顯示面板上，其改進了奈米碳管和一個電極間的 黏著性，和改進了奈米碳管的電子放射密度。 本發明的再一目的，係用以提供一種電子射極堆疊用 於場發射顯示面板上，其可以利用網版印刷一個額外的黏 著層於奈米碳管層和陰極之間。 本發明的又一目的，係用以提供一種電子射極堆疊用 於場發射顯示面板上，其利用網版印刷混和奈米碳管和一 種黏著層的材料於陰極上方。 本發明的另一目的，係用以提供一種電子射極堆疊用 於場發射顯示面板上，其利用網版印刷混和陰極材料和一 種黏著層材料於玻璃底材上，然後印刷奈米碳管於其上。 本發明的再一目的，係用以提供一種製造電子射極堆 疊用於場發射顯示面板上的方法，首先形成一個陰極層於 玻璃底材上，然後再形成由黏著層支持的奈米碳管射極層 於陰極上。 隹勺复 白 幻 極疊改 射堆和 子極， 電射性 種子著 一 電黏 了造的 供製間 提以極 明用電 發種個 I ° ，和和度 的上管密 目板碳射 之面米放 述示奈子 所顯了電 匕*jzz 复 勺 J 身 d 白 以發改管 據場其碳 根於，米 用法奈 疊方了

483016 五、發明說明（11) 在本發明的較佳實施例中，提佴 用於場發射顯示面板上，盆 、一種電子射極堆疊 I陰極層位於電性絕緣板上： 性絕緣板，、個 丨上，和-個奈来碳管射極層於黏著層：電黏著層於陰極層 在用於場發射顯示面板上的電 緣板可以是一個玻璃板。陰極層形成豐中，電性絕 I化錫n，銀和鎳的群組中選擇包括銦氧 |成的材料包括破璃粉末，可低溫炼融的：：電黏著層形 和有機溶劑。電性導電金屬粒子可以是二電金屬杈子 米碳管射極包括一個直彳f小於丨w的銀粒子。奈 的奈米石灰管。電性導電黏著層形成的/料和長度小於％米 分也大約介於40和60之間的固態粒子和重=包括重量百 j於60和40之間的有機溶劑。 重里百/刀比大約介 本t月更提供一種製造電子射極堆聂 面板上的方法’其操作步雜包括提供— ”示 =極層於電性絕緣板上，及形 ㈡；射:: I層，其由一個黏著層支持於陰極層上。 不米反e射極 ，心疊用於場發射顯示面板上的方法中 I形成-：黏米；Π極層的步驟，更包括 a於陰極層上，及形成一個奈米碳管射極層

第15頁 483016 五、發明說明（12)

於黏著層上。其方法更包括利用網版印刷於一種包含玻璃 粉末，電性導電金屬粒子和有機溶劑的材料而形成黏著層 的步驟。其方法更包括利用網版印刷於一種包含奈米碳管 和有機黏著劑的材料，而形成奈米碳管射極層的步驟。形 成由黏著層支持的奈米碳管射極層的步驟更包括，形成一 種無機黏著層材料和奈米碳管膠的混合物，和網版印刷混 合物於陰極層上。其方法更包括由包含玻璃球體和可低溫 炼融的金屬球體的群組中選擇無機黏著層材料的步驟。其 方法更包括提供無機黏著層材料，其球體直徑大約介於0. 1微米和1微米之間的步驟。

在製造電子射極堆疊用於場發射顯示面板上的方法中 ，形成由黏著層支持的奈米碳管射極層的步驟更包括形成 一種黏著層材料和陰極材料的混合物，網版印刷混合物於 電性絕緣板上，及形成一個奈米碳管射極層於混合物層上 。其方法更包括由包含玻璃球體和低溫溶融的金屬球體的 群組中選擇黏著層材料的步驟。其方法更包括於溫度大約 介於攝氏3 0 0度和6 0 0度之間熱處理電子射極堆不少於1 0分 鐘的步驟。 5 - 4發明詳細說明： 本發明的一些實施例會詳細描述如下。然而，除了詳

第16頁 483016 五、發明說明（13) 且 細描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例施行 本發明的範圍不受限定，其以之後的專利範圍為準。 本發明揭露了一種電子射極堆疊用於場發射顯示面板 上，其改良了奈米碳管層和陰極層間的黏著性和改良了電 子放射濃度。 本發明更揭露了一種製造電子射極堆疊用於場發射顯 示面板上的方法。首先形成一個陰極層於電性絕緣板上， 然後形成由黏著層支持的奈米碳管射極層於陰極層上。本 製造方法使得製造的奈米碳管射極堆疊，可減少奈米碳管 由電極表面分離的問題，更可改進電子放射密度。 一玻璃底材，形 層上的一電性導 射極層。電性導 面間的黏著性， 下奈米碳管不會 粉末，可低溫熔 劑所形成。陰極 奈米碳管射極可 奈米碳管形成， 於1微米和3微米 包括重量百分比 成於玻璃 電黏著層 電黏著層 使得使用 分離。電 融如銀粒 層的材料 由直徑小 其較佳為 的奈米碳 大約介於 本電子射極堆疊的發明包括 底材上的一陰極層；形成於陰極 和形成於黏著層上的一奈米碳管 大大的改進了奈米碳管和陰極表 場發射顯示面板時，在操作電場 性導電黏著層可由材料包括玻璃 子的電性導電金屬粒子和無機溶 如銦氧化錫，銘，鉑，銀或錄。 於1 0 0毫微米且長度小於5微米的 直徑小於5 0毫微米且長度大約介 管。電性導電黏著層形成的材料

第17頁 483016

五、發明說明（14) 4 0和6 0之間的固態粒子和至少 和4 0之間的有機溶劑。 ’、 &m登結構的新穎發明呈 優點。第一個優點是奈米碳管和陰極表面門上兩個主要 大的改善，而在使用場發射顯示面板時，/黏著性已 不面板啟動電場時，可減少或消除在操作°在場發射 由陰極表面的分離。第二個優，點是由點著=Γ下奈米碳 :碳管的數量明顯的增加，因此可改；：j突出之 電子放射密度。 射極堆疊發射

本發明新穎的結構射極結構的較佳 管層和陰極層之間加上一個黏 ;轭例是在奈米/ 二-實施例是將黏著層材料加入“碳‘：】穎的結構· 陰極層上，或將黏著層材料加入，極材斜由：網版印" ，然後印刷奈米碳管層於其上。科中形成陰極/

例和形成此結二:方2所f : : f f發明結構的較佳f 奈米碳管射極堆疊6。的形成“：例：二本發明新穎 半石山总Μ 疋名員外加一黏著材料声β ?私 水石厌官層64和陰極層66之間。 :=科居62方; 絕緣底材68上，例如玻璃底J極f 66百先用網版印刷 ;开疋：形成或任何其他由金屬粒子混和於有“ ιi %狀材且網版印刷於玻璃底材

第18頁 483016

五、發明說明（15) 上。銀膠條用來做為陰極且連接到負極（ Μ τ亚未顯示）。 在陰極層6 6上利用網版印刷方法形成點 層，其連接奈米碳管的上方和連接陰極的下方，料的黏著 方都非常的濕黏。黏著層6 2可以是由一低燦點:即上下兩 性導電金屬如銀粒子，及包含有機溶劑的膠狀处度和高電 成。黏著層6 2所含之適當的固態成分，例如報/材料現和而 粉末之成分，大約介於重量百分比5 〇和6 〇之間粗子和破螭 適當的溶劑/黏著劑成分大約介於重量百分^ °點著層6 2 ’其適當的有機溶劑如T e r p i η ο 1®。 〇和5 〇之間 陰極層6 6可以利用薄膜沉積方法或厚膜網版^ 形成。例如，利用薄膜沉積方法如濺鍍將銦氧彳印刷方法 鉬沉積形成陰極層6 6，而銀或鎳則可利用厚^ b锡，鋁或 法沉積。 、網版印刷方 然後在黏著層6 2之上再沉積奈米破管層6 ^ 層6 2陰極層6 6和玻璃底材6 8合起來形成射極土 ”與點著 陰極層6 6通電會有負電荷經由電性導電黏著層7 « 6 〇。當 奈米碳管射極層6 4而使其放出電子（圖中並未顯^，導通到 用厚膜印刷技術將奈米碳管射極層64適當的^、'不）。可利 6 2上。奈米碳管射極層β 4是將材料，例如奈米=在點著層 奈米碳管或類似鑽石奈米碳管弄斷裂，然^與=營，鑽石 濃稠度適合用於厚膜印刷技術的膠狀物質、、曰^ 6有容劑且 、此3而形成，其

483016 五、發明說明（16) 技術如網版印刷或噴墨印刷。任何其他適當的奈米碳管材 料，只要其直徑大約介於1 0毫微米和5 0毫微米之間都可適 用。奈米碳管適當的長度為小於5微米或其較佳為大約介 於1微米和3微米之間。在此所用的"大約”的意思是在所給 平均值的土 1 0 %的範圍。在此應注意的是，奈米碳管是圓 柱狀的中空管，且通常小於纖維的直徑。 奈米碳管射極層6 4用網版印刷於黏著層6 2後，將奈米 碳管射極堆疊硬烤或火烤，以便將膠狀材料和黏著層内殘 餘的溶劑驅除，以熟化射極堆疊。奈米碳管射極材料通常 含有重量百分比大約介於2 0和8 0之間的奈米碳管和其餘為 含有溶劑的黏著劑。較佳的奈米碳管混膠含有重量百分比 大約為5 0的奈米碳管和重量百分比大約為5 0含有溶劑的黏 著劑。黏著層6 2含有重量百分比大約介於4 0和5 0之間的有 機溶劑，且必須將有機溶劑成分蒸發以避免場發射顯示面 板使用時有氣體釋放出。 進行火烤步驟後，如第四B圖所示，奈米碳管6 4的尖 端或銳利的端點7 0會穿透突出於黏著層6 2的表面且筆直站 立，其作用為電子放射源，且其可改進本發明新穎結構的 電子放射密度。 本發明新穎結構6 0如第四B圖所示，利用加入黏著層 6 2，不僅改進了奈米碳管6 4和陰極層6 6之間的黏著性，亦

第20頁 483016 五、發明說明（17) 改進了筆直站立的纖維端點7 0的密度，而增加了電子放射 密度。因此本發明新穎的結構之電子射極堆疊使用於場發 射顯示面板上達成兩個主要好處。

本新穎發明之另一個製造改進的奈米射極堆疊方法的 實施例如第五A和B圖所示。首先將類似使用於第四A圖較 佳實施例的黏著層材料與奈米碳管6 4混和，然後網版印刷 於陰極層6 6上而形成射極堆疊8 0。黏著層材料7 2可以是適 當的無機材料如直徑在次微米範圍的玻璃或低溫熔融的金 屬球體。例如，直徑大約介於0. 1微米和1微米之間的電性 導電金屬球體如銀即可適用。然後將無機黏著層材料的混 合物，例如玻璃或銀球體和奈米碳管膠之混合物，網版印 刷於電極層6 6之上，如第五A圖所示。當結構8 0經過在溫 度大約介於攝氏3 0 0度和5 0 0度之間，或較佳為大約介於攝 氏4 0 0度和5 0 0度之間，熱處理至少1 0分鐘，或較佳熱處理 時間為大約介於2 0和3 0分鐘之間，會達到如第五B圖所示 的結構。當奈米碳管64達到改進與陰極層6 6之間的黏著性 時，此方法只需執行二個步驟，而不像較佳實施例所示需 要執行三個步驟，然而其穿透突出於陰極層6 6表面的奈米 碳管密度大約只達到較佳實施例所示的一半。奈米碳管6 4 的密度比較如第五B圖和第四B圖所示。較小的奈米碳管密 度是因為無機黏著劑材料在奈米碳管膠中佔據了體積，因 而使得奈米碳管可穿透突出陰極層6 6的空間減少。

第21頁 483016 、發明說明（18) 本奈米射 。奈米射極 使用於前一 ，然後網版 陰極層9 2含 網版印刷奈米 而形成奈 無機黏著 分離成明顯可 顯的較陰極材 五 示 似 合 的 上 示 極堆疊9 0發明的再一 堆疊90的形成為首先 實施例中的無機黏著 印刷於玻璃底材6 8上 有玻璃或銀球體7 2， 碳管膠於充滿無機黏 米礙管層6 4。經過熱 劑層7 2和陰極層9 2因 區分的兩層，例如無 料層低。 實施 將黏 層材 〇形 如第 著層 處理 為材 機黏 例如 著層 料， 成於 六A 材料 後， 料比 著劑 第六A和β圖所 材料，例如： 與陰極材料混 破璃底材6 8上 圖所示。然後 的陰極層9 2之 如第六Β圖所 重的不同，而 球體的比重明 驟完：了 Γ:例；：施例的是其結構可利用兩個步 厚度較小，因此太f炉&二…、 由於黏著層7 2的 。再-實施例；二 1 =極層92之間的黏著性較弱 電壓需要小於10·特二可適用於低電壓的應用，例如 玻璃或銀球體，其直徑^&黏著劑7 2可用類似的 本新穎的奈米碳管射極 明和製造此種結構的方生ρ，$用於％發射顯示面板上發 圖之第四Α到六Β圖中。/ !充分的描述在上列敘述和附 本發明是 以例證方法來做描述 但是應了解的是所用

第22頁 483016 五、發明說明（19) 的術語是意欲用做文字描述的本性而非僅用來做為本發明 的限制。 再者，本發明所述之較佳實施例和另二個實施例所被 重視的是本技術的技巧可輕易的應用於其他可能的不同的 發明。 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限 定本發明之申請專利範圍；凡其他未脫離本發明所揭示之 精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請 專利範圍内。

第23頁 483016 圖式簡單說明 第一 A圖為利用微針尖發射電子的傳統場發射顯示器 元件的放大橫切面圖； 第一 B圖為第一 A圖傳統場發射顯示元件的放大橫切面 圖，其包含了陽極和邊面板形成的封閉空間； 第一 C圖為第一 B圖傳統場發射顯示元件的放大橫切面 圖，其舉例說明了單一微針尖的結構； 弟二圖為利用奈米碳管射極的二極場發射顯不元件的 放大橫切面圖； 第三A圖為第二圖的單一奈米碳管射極堆疊的放大橫 切面圖，其包含了奈米碳管直接網版印刷在陰極層上； 第三B圖為第二圖的單一奈米碳管射極堆疊的放大橫 切面圖，其包含了奈米碳管與導電膠混合直接網版印刷在 陰極層上； 第四A圖為本奈米碳管射極堆疊發明的放大橫切面圖 ，其利用額外的黏著層於奈米碳管層和陰極層之間； 第四B圖為第四A圖本奈米碳管射極堆疊發明經過熱處 理後的放大橫切面圖；

第24頁 483016 圖式簡單說明 第五A圖為本奈米碳管射極堆疊發明的放大橫切面圖 ，其中奈米碳管與黏著層材料混和且網版印刷在陰極層上 第五B圖為第五A圖本奈米碳管射極堆疊發明經過熱處 理後的放大橫切面圖； 第六A圖為本奈米碳管射極堆疊發明的放大橫切面圖 ，其中混合陰極材料和黏著層材料印刷於玻璃底材上，然 後印刷奈米碳管層於其上；及 第六B圖為第六A圖本奈米碳管射極堆疊發明經過熱處 理後的放大橫切面圖。 主要部分之代表符號： 1 0場發射顯示元件的橫切面 1 2阻抗層 1 4玻璃底材 1 6介電材料的絕緣層 18金屬閘極層 2 0金屬微尖端 22陰極 26電子

第25頁 483016 圖式簡單說明 2 8陽極 3 0場發射顯示元件的放大橫切面 3 2螢光粉 34銦氧化錫（ΙΤ0) 3 6頂部玻璃板 3 8邊面板 4 0場發射顯示件 4 2第一絕緣玻璃板 44陰極 4 6奈米碳管射極層 48射極堆疊 5 0陽極 5 2第二絕緣玻璃板 5 4螢光粉塗佈層 5 6邊面板 58導電膠層 6 0奈米碳管射極堆疊 6 2黏著層 6 4奈米碳管層 6 6陰極層 6 8玻璃底材 7 0尖銳端點 7 2黏著層材料 8 0奈米碳管射極堆疊

483016

第27頁

Claims (1)

1. 六、申 1 ·種用於場發射顯示面板上< f + ^ 少包含： 上之電子射極堆疊，該裝置至 一個電性絕緣板； 一個陰極層位於該電性絕緣板上； 性導電黏著層於該陰極層上；及 不米碳官射極層於該黏著層上。 2 ·如申請專利範圍第丨項之 性絕緣板是一個玻璃板。 °燮，其中上述該電 3 ·如申睛專利範圍第1項 带 極；形士、ΛΑ 貝^包子射極堆疊，Α Φ P、+、Y队 材料所組成的族群中選擇。 錫，鋁，鉬，銀，以及鎳 4·如申請專利範圍第丨項之電子田 性導電Ιέ著層形成的一種材®，其中上述該電 電金屬粒子和有機溶劑。 夕包含玻璃粉末，電性導 5·如申請專利範圍第4項之電子 性導電金屬粒子是銀粒子。 柽堆®，其中上述該電 6·如申請專利範圍第4項之電子 璃粉末是玻璃玻料材料。 受，其中上述該玻 六、申請專利範圍 _ —__ Y如申請專利範圍第1 米碳管射極更包含一個古之電子射極堆疊，其中上述該奈 米的奈米碳管。 從小於1 0 0毫微米和長度小於5微 8 ·如申請專利範圍第丨項 米碳管射極更包含一個直句〃子射極堆疊，其中上述該奈 1微米和3微米之間的奈米二^於5 0耄微米和長度大約介於 9·如申請專利範圍第丨項之恭 性導電黏著層形成的一種％ 、極堆疊I其中上述該電 40和60之間的固態粒子和重:更^含重量百分比大約介於 的有機溶劑。 夏百分比大約介於60和40之間 10·如申請專利範圍第9項之 悲粒子更包含玻璃粒子和銀教子、極堆登’其中上述該固 11· 一種製造用於場發射顯示面 法，其步驟至少包含： 上之電子射極堆疊的方 提供一個電性絕緣板； 形成一個陰極層位於該電性 形成一個奈米碳管射極層板y及 層上。 個黏著層支持在該陰極 個 12·如申請專利範圍第11項之方半. '，其中上述該形成 丨·_Ι__^ 六、申請專利範圍 不米碳管射極層由一個黏著層支持的步驟更包含·· 形成一個黏著層在該陰極層上；及 开/成個奈米碳管射極層於該黏著層上。 挪申明專利乾圍第12項之方法，更包含形成該黏著声 驟，其利用網版印刷技術於一種至少包含a 電性V電金屬粒子和有機溶劑的材料。 q末， 1—4·如申請專利範圍第12項之方法，更包 管射極層的步驟，其利用網 7 k示米碳 半浐；^ $古& 八 、，罔版P刷技術於一種至少包含太 水石厌官和有機黏著劑的材料。 I 3不 15·如申請專利範圍第丨丨項之方法，盆 米碳管射極層由一個黏著^ φ 述“形成該奈 街1U黏者層支持的步驟更包含： 形成一種一個無機黏著展姑 如士、 合物；及 黏者層材枓和一個奈米碳管膠的混 網版印刷該混合物於該陰極層上。 16·如申請專利範圍第15 銀球體所組成的族群中選擇該無機黏著V材由 1 著7層如J 步驟。 於0.1谜未和1微米之間的球體的 第30頁 483016 六、申請專利範圍 1 8 ·如申請專利範圍第丨丨 米碳管射極層由一個黏著岸7去，其中上述該形成該奈 拟士、 ^ |勒考層支持的步驟更至少包含： iir 黏著層材料和一個陰極材料的混合物； 網版印刷該混合物於該電性絕緣板上；及 形成一個奈米碳管射極層於該混合物層上。 19·如申請專利範圍第18項之方法，更包含由玻璃球體和 銀球體所組成的族群中選擇該黏著層材料的步驟。 20·如申請專利範圍第11項之方法，更包含於溫度大約介 於攝氏300度和600度之間熱處理該電子射極堆不少於分 鐘的步驟。

   第31頁