TW479160B - Interferometric apparatus and method(s) for precision measurement of altitude above a surface - Google Patents
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Description
A7 _ _ _ B7____ 五、發明説明(1 ) 發明領域 本發明有關於干涉測量,更特定地’本發明的千涉測 量設備及方法能在一基準面及一目標面至少部分相對移動 時測量在這兩個面之間的高度。 發明背景 干涉測量是發展成熟的測量法,廣泛被用在微製程中 ,以測量並控制大量關鍵尺寸。它在製造半導體時尤其重 要,半導體製造通常需要比〇·1微米或更小的關鍵尺寸 好1 0〜4 0 %的準確度。 半導體材料做的積體電路通常是:把一晶圓放在平坦 曝光面(有笛卡兒X — y座標及法向z —座標)上;在晶 圓上連續沈積幾層不同材料並把它們做成不同圖案。形成 圖案的程序包括:光致抗蝕齊的曝光及顯影的結合;下層 的飩刻及加化學劑;另一層的沈積。此程序在晶圓面上造 成複雜且極不均質(以微米計)材料結構。 通常每片晶圓含多分相同圖案(每分稱爲「場」)以 線性分佈(稱爲「格」)排在晶圓上。每個場經常但不永 遠對應單「晶片」。 曝光程序包括把後續一層圖案投影到已在晶圓上的光 致抗蝕劑。爲使積體電路適當運作,每個後續投射的影像 須對齊已在晶圓上的圖案。決定已在晶圓上的圖案的位置 、方向及形變且隨後使它們與已投射的影像有正確關係的 程序稱爲「對齊」。真實結果(亦即每一後續層與早先幾 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)·~' " —- •4- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479160 A7 B7 五、發明説明(2) 層對得多準)稱爲「重疊」。 通常’對齊程序需要晶圓及/或投射的影像的平移及 旋轉及影像的一些形變以吻合既存的圖案的真實形狀。顯 然’須正確定位晶圓及影像以使一圖案在另一圖案上。經 常還需要影像的真實形變。其他效應(例如熱及震動)也 可能需要補償。 這事的淨結果是:印在晶圓上的第一層圖案的形狀不 S想且須調整後續的圖案以對齊第一層印刷圖案的整體形 狀。不同曝光工具有不同能力以應付這些效應,但能應付 的,形變或變形通常包括X及y放大及旋轉。這些形變在與 平移及旋轉結合時構成在平面中的全組線性轉變。 既然,問題是連續使投射的影像吻合已在晶圓上的圖 案,不是簡單定位晶圓,曝光工具須有效偵測或推論相對 位置、方向及晶圓圖案與投射的影像的形變。 直接感應電路圖案是困難的,因此,把基準標誌或「 對齊標誌」加到電路圖案以達成對齊。能用這些對齊標誌 決定標線位置、方向及形變及/或投射的影像位置、方向 及形變。它們能與電路圖案一起被印在晶圓上,因此能用 它們決定晶圓圖案位置、方向及形變。對齊標誌通常由在 標線上的一或多條透明的或不透光的線組成,它們在被印 在晶圓時變成「溝」或/台地」。但還能用更複雜的結構 ,例如格(只是溝及/或台地的周期的陣列)及棋盤圖案 。經常使這些對齊標誌沿每個場的「切口」的邊分佈,或 使一些「主標誌」遍佈晶圓。對齊標誌雖是必要的,卻非 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 € -5- 479160 A7 B7 五、發明説明(3) 晶片電路的部分,因此,從晶片製造商的觀點’它們浪費 有價値的晶圓面積或「不動產」。這驅使對齊標誌愈小愈 好,且它們的一邊通常小於數百微米。 對齊憑應器被倂入曝光工具以「看到」對齊標誌。通 常晶圓、標線及/或投射的影像有分開的感應器。依整體 對齊策略,這些感應器可能是完全分開的若干系統或有效 被結合成單一感應器。舉例而言,能直接看到投射的影像 的感應器通常看不到晶圓標誌,因此,需要一個分開的晶 圓感應器。但一個藉標線對齊標誌注視晶圓的感應器同時 進行標線及晶圓對齊,因此,不需要分開的標線感應器。 在此例中,從標線對齊標誌的位置,推論在投射的影像中 的對齊標誌的位置,且在對齊步驟以先須進行標線對影像 . 位置的小心校準。 · 又,全部曝光工具所用的感應器以光學方式偵測晶圓 對齊標誌。亦即.,感應器把在一或更多種波長的光投射在 晶圓上,並偵測從對齊標誌而來的散射/衍射,當作在晶 圓面中的位置的函數。許多種對齊感應器是常用的,且它 們的光學構造涵蓋從簡單顯微鏡到外差格干涉測量器的全 光譜。又,既然不同感應器構造在指定的晶圓類型上表現 較好或較壞,大多數曝光工具攜帶多於一個感應器構造以 允許晶圓類型的最廣可能範圍的良好重疊。 對齊感應器的整體工作是:決定在晶圓上的全部對齊 標誌的子集的每一個(對齊標誌)在一個座標系(對曝光 工具固定)之中的位置。隨後,以「環球」或「場接場」 ^氏張尺度適用中屋1國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). "^- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 479160 A7 B7 五、發明説明(4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方式用這些位置資料進行對齊。在環球對齊中,以對齊感 應器定位在一些場中的標誌,並以最吻合方式結合這些資 料,以決定在晶圓上的全部場的最佳對齊。在場接場對齊 中,從單場收集的資料被用以對齊這個場。環球對齊通常 較快(因不是在晶圓上的全部場被定位)且對雜訊較不敏 感(因它結合全部資料以找到最佳整體吻合)。但,既然 最佳吻合的結果被用在f e e d f 〇 r w a r d或航位推算方式中,它 依賴曝光工具的整體光機械穩定性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 通常以兩個步驟實施對齊:先進行微米精確度的初始 粗對齊,後進行十億分之一米精確度的細對齊,對齊需要 晶圓在六個自由度的定位:三個平移及三個旋轉。但通常 認爲調整晶圓以致它躺在投射的影像平面中與對齊是分開 的,使晶圓躺在投射的影像平面中就是把晶圓擺平並對焦 ,這涉及一個平移自由度(沿光學軸線(z軸線)的移動 )及兩個旋轉自由度(使晶圓的平、面平行於投射的影像平 面)。提到對齊時,通常只涉及平移(兩個自由度)及繞 投射光學軸線的旋轉(一個自由度)。分別這兩個術語的 原因是所要的精確度不同。在平面中的平移及旋轉所需的 精確度約爲數個十億分之一米或將被印在晶圓上的最小特 色尺寸或關鍵尺寸(C D )的2 0〜3 0 %。習知的C D 値約是十億分之數百米,因此,所要求的對齊精確度小於 十億分之一百米。另一方面’在平面外的平移及旋轉要求 的精確度有關於曝光工具的焦點的整體有用深度^追通常 接近C D値。因此,晶圓的在平面外的對準及整平比在平 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 479160 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(5) 面中的對齊要求較低精確度。又,對焦及整平所需的感應 器通常完全異於對齊感應器,且對焦及整平通常不依賴在 晶圓上的圖案。只有晶圓表面或其代用品被感應。然而, 這工作仍要求準確知道在晶圓上的投影系統的垂直位置。 發明槪述 因此,本發明的主要目的是提供干涉測量設備,以最 少光束切變準確測量照相平版印刷光學系統在一個晶圓之 上的高度,測量光束及有關的參考光束在射到測量目標一 次以後產生不平行性,光束不平行性造成光束切變。 本發明的另一目的是提供干涉測量設備,以最少光束 切變及最少光束不平行性,準確測量照相平版印刷光學系 統在一個晶圓之上的高度,同時敏感於只沿測量路線的高 度部分的媒介的環境及渦流效應造成的折射率變化,卻不 敏感於沿測量路線的其他部分的媒介的環境及渦流效應造 成的折射率變化。 本發明的另一目的是提供干涉測量設備,從光學系統 向下看晶圓,或從晶圓向上看光學系統,以測量在光系統 及晶圓之間的高度。 本發明的另一目的是提供干涉測量設備,以晶圓的X 及y平移,準確測量照相平版印刷光學系統在一個晶圓之 上的高度,卻不引起攜帶高度資訊的光學訊號的頻率的杜 卜勒變化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)· -8- 479160 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(6) 圖式簡述 圖1 7H照相平版印刷分節器或掃瞄系統透視圖,它可 通用本發明以準確測量其投影系統對晶圓面的高度。 圖2 a是本發明的第一實施例的立面圖(在圖:的紙 面中所取)’它用在台上的開放的長五角稜鏡,配搭在台 外的長平面鏡’以測量與照相平版印刷分節器的投影系統 有關的基準線對晶圓的高度加從在台外干涉測量器到高度 測量起始點的距離。 圖2 b是圖2 a的實施例的變形的立面圖。 圖3 a是本發明的第二實施例的透視圖,它用在台上 的開放的長五角稜鏡,配搭在台外的長波羅鏡,以測量與 照相平版印刷分節器的投影系統有關的基準線對晶圓的高 度加從在台外的干涉測量器到高度測量起始點的距離。 圖3 b是圖3 a的實施例的變形的立面圖。 圖4是本發明的第三實施例的透視圖,它用在台上的 長五角稜鏡,配搭在台外的反向折射器及長波羅鏡,以測 量與照相平版印刷分節器的投影系統有關的基準線對晶圓 的高度加一段到在台外的參考點的垂直線性距離。 圖5是本發明的第四實施例的透視圖’它用在台上的 長稜鏡,配搭在台外的反向折射器及長波羅鏡’以測量與 照相平版印刷分節器的投影系統有關的基準線對晶圓的高 度。 圖6是本發明的第五實施例的透視圖’它用在台上的 干涉測量器(有長稜鏡’長稜鏡有極化分光層),配搭在 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐). -9 - 479160 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7) 台外的反向折射器及平面長鏡,以測量與照相平版印刷分 節器的投影系統有關的基準線對晶圓的高度。 圖7是本發明的第六實施例的透視圖,它用在台上的 干涉測量器(有一對長稜鏡,每個長稜鏡有若干極化分光 層),配搭在台外的反向折射器、光源及偵測器,以測量 與照相平版印刷分節器的投影系統有關的基準線對晶圓的 高度的兩倍。 圖8 a是本發明的第七實施例的透視圖,它用在台上 的干涉測量器(有長稜鏡,長稜鏡有前面,此前面一部分 是極化分光層而另一部分是抗反射層),配搭在台外的平 面長鏡,以測量與照相平版印刷分節器的投影系統有關的 基準線對晶圓的高度。 圖8 b是圖8 a的實施例的俯視變形的立面圖。 圖8 c是圖8 b的實施例的變形的立面圖。 圖8 d是圖8 c的實施例的一個元件的放大的立面圖 〇 圖8 e是圖8 d的元件的替代品的放大的立面圖。 圖9 a是本發明的第八實施例的透視圖,它用密實的 干涉測量器,有較小的四分一波板,設在照相平版印刷設 備的一個平移台上,以測量在另一個平移台及一個在台外 的長鏡之間的高度的變化。 圖9 b是圖93的在台上的干涉測量器的一個實施例 的立面圖,並有一個折起的H S Ρ Μ I ,用佔相同空間的 垂直極的參考光束及測量光束。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝· 訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐} -10- 479160 A7 ____B7 五、發明説_| 8) 圖9 圖9 a的在台上的干涉測量器的另一個實施 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 例的立面並有一個折起的HSPMI ,用垂直極的參 考光束及測量光束。 圖1 0 a是本發明的第九實施例的透視圖,它用一個 千涉測量器,這個千涉測量器用若干四分一波板,並設在 照相平版印刷設備的一個平移台上,以測量在另一個平移 台及一個在台外的長鏡之間的高度的變化。 圖1 0 b是圖1 〇 a的干涉測量器的立面圖,省略若 干零件以簡化描述。 圖1 1是一個照相平版印刷分節器或掃瞄系統的透視 圖,它能倂用本發明的若干俯視實施例,以準確測量它的 投影系統對一個晶圓的面的高度,此圖顯示粗調台及微調 台以定位粗調台的若干驅動桿。 圖1 2 a是本發明的俯視實施例的透視圖,它的差分 平面鏡干涉測量器及輸入鏡附於粗調台驅動桿。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2 b是與圖1 2 a所示者相似的實施例的透視圖 ’其差分平面鏡干涉測量器不附於分節器的粗調台及微調 台。 圖1 2 c是俯視貫施例的另一實施例,它的差分平面 鏡干涉測量器及輸入鏡附於粗調台驅動桿。 圖1 2 d的實施例近似圖1 2 c的實施例,除了它的 干涉測量器不附於分節器的粗調台及微調台。 圖1 3 a是俯視實施例的另一實施例,它的干涉測量 器及輸入鏡附於粗調X - y台。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> --- -11 - 479160 A 7 B7 五、發明説明(9) 圖1 3 b顯示圖1 3 a的實施例的變形。 圖1 4是圖6的實施例的顛倒的版本的立面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 1〇 照相平版印刷投影系統 11 骨架 12 晶圓台 14 光罩台 16 目標鏡 16 光源 18 聚光鏡 2〇 晶圓 2 2 relief圖案 2 4 光罩 2 6 模組 2 8 模組 3 0 目標板 3〇 參考板 3 7 長五稜鏡組 3 9 稜鏡元件 4 0 次系統 4 1 稜鏡元件 4 2 鏡 4 3 稜鏡元件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). 12- 479160 A7 B7 五、發明説明(1() 4 4 4 6 5〇 5 2 6〇 6 2 6 4 6 6 6 8 7〇 7 2 7 4 7 6 9〇 9 2 9 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 2〇 2 2 2 4 2 6 2 8 3 2 鏡 長平面鏡 次系統 長波羅稜鏡 次系統 光源及偵測器模組 長五稜鏡及極化分光器模組 開放波羅稜鏡. 長波羅稜鏡 下平面鏡 上平面鏡 下平面鏡 極化分光層 次系統 干涉測量器 稜鏡組 後向反射器 長平面鏡 次系統 光源及偵測器模組 長波羅稜鏡分光器 後向反射器 長鏡 極化分光層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)· -13- 479160 A7 B7 五、發明説明(W 13 4 5 0 5 2 5 4 5 6 5 8 6〇 6 2 8〇 8 2 8 4 8 6 板元件 極化分光器 次系統 光源 長稜鏡極化分光組 偵測器 長波羅鏡 稜鏡極化分光.兀件 稜鏡極化分光元件 次系統 光源暨偵測器模組 稜鏡_ 長右棱鏡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 8 極 化 分 光 層 1 9 1 波 羅 稜 鏡 1 9 2 長 平 面 鏡 1 9 3 稜 鏡 元 件 2 〇 〇 系 統 2 〇 2 X 平 移 台 2 〇 4 y 平 移 台 2 〇 6 長 鏡 2 〇 7 垂 直 邊 2 〇 8 干 涉 測 量 器 2 0 8 / 干 涉 測 量 器 本紙張尺度適用中.國國家標準(匚奶)六4規格(210父297公釐)· 14- 479160 A7 B7 五、發明説明(j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 12 2 13 2 18 2 2 0 2 2 2 2 2 4 2 2 6 2 2 8 2 3 0 2 4 2 2 4 4 2 4 6 2 4 8 3 0 0 3 0 2 3 0 4 3 0 6 3 0 8 3 1〇 3 17 3 3 0 3 3 2 折鏡 光源 長鏡 混合極化器 偵測器 電子訊號處理器 後向反射器 極化分光器 極化分光層 四分之一波板 四分之一波板 極化分光器 折鏡 極化分光器 折鏡 系統 X平移台 y平移台 托架 干涉測量器 長鏡 混合器 極化分光器 極化分光層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •^^衣· 訂 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -15- 479160 A7 B7
五、發明説明(J 4 面直角稜鏡 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 0 3 4 2 4 1〇 4 1 2 4 14 4 16 4 18 4 2 0 4 2 2 4 2 4 5 0 0 5 10 5 12 5 14 5 14 5 16 5 18 5 2 0 5 2 2 5 2 4 5 2 6 四分之一波板 四分之一波板 長鏡 面 照相平版印刷分節器 投影系統 晶圓台系統 板 粗調台 微§周台 X驅動桿 y驅動桿 系統 干涉測量器 極化分光器 差分平面鏡干涉測量器 後向反射器 四分之一波板 切變暨分光板 輸入轉向鏡 長稜鏡元件 稜鏡元件 板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -16- 479160 Μ Β7 五、發明説明(14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 0 0 6 10 6 12 6 12 6 14 6 19 6 2 0 6 2 0 6 2 2 6 2 4 6 2 6 6 2 8 7 0 0 7 1〇 7 12 7 14 7 16 7 18 7 2 0 7 2 2 7 2 4 7 2 6 7 2 8 條鏡 設備 差分平面鏡干涉測量器 極化分光器 四分之一波板 後向反射器 分光器 轉向鏡 折鏡 長稜鏡元件 稜鏡元件 長板 長條鏡 俯視干涉測量設備 差分平面鏡干涉測量器 極化分光器 後向反射器 四分之一波板 分光暨切變板 輸入轉向鏡 長平板 長稜鏡元件 長條鏡 長稜鏡元件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐). -17- 479160 A7 B7 五、發明説明(15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 0 0 8 1〇 8 12 8 14 8 16 8 18 8 2 0 8 2 2 8 2 4 8 2 6 9 0 0 9 1〇 9 12 9 14 9 16 9 18 8 2 0 9 2 2 9 2 4 9 2 6 9 2 7 9 2 8 9 2 9 10 0 0 俯視設備 差分平面鏡干涉測量器 極化分光器 後向反射器 四分之一波板 平面 輸入轉向鏡 第一長板 長稜鏡元件 長條鏡 俯視設備 干涉測量器 極化分光器 後向反射器 四分之一波板 四分之一波板 稜鏡轉向元件 輸入轉向稜鏡 長轉向桿 長稜鏡元件 稜鏡轉向元件 長條鏡 平面 俯視設備 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐). -18- 479160 A7 —^^五、發明説明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 1 〇 .差分平面鏡干涉測量器 1〇 1 2 極化分光器 1〇 1 4 四分之一波板 10 1 5 輸入折稜鏡 10 1 6 四分之一波板 1〇 1 8 後向反射器 10 2 〇 長條鏡 1〇 2 8 長條鏡 10 3 〇 長折條 10 4 〇 設備 1〇 4 2 參考骨架 10 4 4 長棱鏡 10 4 6 長棱鏡 1〇 5 0 極化分光層 10 5 1 稜鏡反射暨極化分光器 10 5 2 極化分光層 1〇 6 〇 長條鏡 1〇 6 2 後向反射器 發明詳述 本發明有關於干涉測量,更特定地,本發明的千涉測 量設備及方法能在一基準面及一目標面至少部分相對移動 時測量在這兩個面之間的高度。在此描述七種實施例及一 種變化,它們特別適合在投影照相平版印刷設備中,測羹 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C· 、11 -19- 479160 A7 B7 五、發明説明(17) 光學系統對晶圓面的高度,以最佳化焦點。 如業界已熟悉,光學平版印刷藉由光(在電磁光譜的 紫外線到可見光的範圍裡或附近)的投射,創造relief影像 圖案,並廣泛用在半導體設備的微電路圖案的製造中。現 今投影技術允許在0 · 1微米以下的解析度。圖1中顯示 一個照相平版印刷投影系統1 0,它能用本發明的各個實 施例。雖經簡化,圖1仍夠詳細顯示系統1 〇以使人瞭解 ,它被用以製造半導體設備時,本發明的實施例如何提供 與在系統1 0裡的關鍵尺寸關係有關的資訊。如圖1所示 ,系統1 0是投影型成像系統,它的主要元件是晶圓台1 2、光罩台14、目標鏡16 (在晶圓台12及光罩台1 4之間)、照明系統(含光源1 6及聚光鏡1 8 )。 晶圓台1 2能支持晶圓2 0,並在一些例子中用往返 輸送機構處理多片晶圓。relief圖案2 2在晶圓2 0上形成 ,relief圖案2 2有若干晶片,這些晶片有〇 _ 1微米以下 的特徵。藉由形成一或更多光罩2 4 (在光罩台1 4上) 的多個影像,在晶圓2 0上形成Relief圖案2 2。光罩台 2 4可能進、出發光系統提供的光束中,晶圓可能靜止或 掃過光罩台平面’晶圓台在掃瞄系統中同步移動。 目標鏡1 6的光學構造最像能形成在大孔徑的受衍射 限制的解析度的航空影像的顯微鏡系統。發光系統通常把 光源的影像對焦到目標鏡的入口光圈以提供最大均勻度於 光罩平面。用 '、Differential Interferometer Arrangements for Distance and Angle Measurements: Principles, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 479160 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( Advantages, and Applications/7 C. Zanoni, VDI Berichte NR. 7 4 9 ( 1 9 8 9 )所示的干涉測量器(未被顯示) ,測量晶圓及光罩台的X及y位置與它們對環球座標及彼 此的角關係。 這些台移動除外,系統的其他主要元件被固定在骨架 11 (以假想線表示)中,骨架1 1是熱穩定並從可動的 元件(其位置及移動須準確控制)機構地隔離。骨架1 1 還支持各元件(包括X及y移動台)。除測量光罩及晶圓 台對彼此及成像系統之位置及移動,經常還須測量在晶圓 台及目標鏡1 6之間的垂直距離或高度,來最佳化焦點, 來提供最佳焦點位置來造成光罩特徵在晶圓上的最佳複製 。爲此,本發明用兩個模組2 6及2 8測量高度。在此例 中,高度是在模組2 8及目標板3 0之間的垂直距離。當 模組2 8在晶圓台1 2上,模組2 6就不在晶圓台上。模 組2 6及2 8可能以各種構造(有若千執行不同功能的元 件)存在。 圖2 a是本發明的第一實施例(次系統4 0 )的立面 圖(在圖1的紙面中所取)。次系統4 0有一個在台上的 開放的長五稜鏡由鏡4 2及4 4組成,二者在模組2 8中 。模組2 6是干涉測量器,以習知的方式產生參考光束及 測量光束,且其形式可能是極化的Michel son干涉測量器。 在第一實施例的一變形中,模組2 6的形式是平面鏡千涉 測量器或高穩定度平面鏡干涉測量器(例如Zanoni文件所 述者),有測量光束第二次射到模組2 8。第二趟的測量 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 479160 A7 B7 五、發明説明(4 光束的描述與第一趟的光束3 2及3 4的描述的對應的部 分相同。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 長平面鏡4 6在參考板3 0的底面。模組2 6把測量 光束導向鏡4 2 ,鏡4 2使光束向左下方反射到鏡4 4, 鏡4 4使光束3 6在z方向反射而垂直於晶圓的X — y平 面。光束3 6從鏡4 6反射回鏡4 4 ’從鏡4 4反射到鏡 4 2,然後反射回干涉測量器2 6。在模組2 6中,光束 3 4以普通方式與參考光束結合而產生光學訊號,隨後與 從光學訊號而來的電子訊號結合,帶與在參考光束及測量 光束之間的光學路徑差異有關的資訊。雖顯示光束3 2〜 3 8分開,它們實有共同空間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電子訊號所含的光學路徑長度資訊,用折射率及測量 光束及參考光束的真空波長的知識處理,來抽取在模組2 6及平面鏡4 6之間的物理路徑長度變化,這包括在模組 2 6及鏡4 6之間的距離變化及在模組2 6及鏡4 6之間 的高度變化。爲決定高度變化,用另一個干涉測量器,測 量模組2 6到在晶圓台1 2上的模組2 8的X方向的距離 變化,並把它從對應的物理路徑長度變化(X + z (高度 ))減掉。 對某些終端應用,可能須補償沿測量路徑的媒介的折 射率變化,這折射率變化起因於環境變化及晶圓台的高轉 速造成的渦流效應。爲補償此變化,可能用本申請人擁有 的美國專利申請案0 9 / 2 5 2 2 6 6號、〇9 / 2 5 2 4 4 0號(美國專利6 2 1 9 1 4 6號)、〇9 / 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇'〆297公釐) -22- 479160 A7 B7 五、發明説明(4 2 3 2 5 1 5號(美國專利6 1 2 4 9 3 1號)的設備及 方法,這些文件被倂入本說明書成爲參考。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 對某些其他終端應用,可能須補償測到的電子干涉訊 號(含高度相關資訊)的相位的循環誤差。循環誤差效應 可依終端應用要求,用後述之方法及設備,減少並/或測 量及部分或全部補償:1 9 9 4年7月1 9日獲准的 5 3 3 1 4 0 0 號美國專利 '' Heterodyne Interferometer Arrangement" (G· Wilkening 及 G. Hou);在 1 9 9 8 年 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇月6日送件的0 9/1 6 8 2 0 0號美國專秉申請案 (6 1 8 14 2 0 號美國專利)''Interferometry System Having Reduced Cyclic Errors 〃(S. R. Paterson、V. G. Bagdami及C. A· Zanoni完成並讓與本申請人);在 1 9 99年3月1 5日送件的09/2686 1 9號美國 專利申請案(6 1 3 7 5 7 4號美國專利)、、Systems and Methods for Characterizing Cyclic Errors in Distance Measuring and Dispersion Interferometry " (H. A. Hill 完成 並讓與本申請人);在2 0 0〇年4月2 4日送件的0 9/ 5 5 7 3 3 8 號美國專利申請案 '' Systems & Methods for Qualifying Nonlinearities in Interferometry Systems 〃 (H. A. HU1完成並讓與本申請人)。本申請人擁有的三件專利申 請案的內容被倂入本說明書成爲參考。 有干涉測量器2 6、次系統4 0及長平面鏡4 6的第 一實施例用五稜鏡及平面鏡組合而對晶圓台繞y軸線的傾 斜敏感。然而,它對繞X軸線的旋轉及繞z軸線的搖擺敏 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) — - 23- 479160 A7 B7 五、發明説明(2)| (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 感’這敏感性表明它是在干涉測量器模組2 6的偵測器的 測量光束及參考光束的角及橫向偏移。對第一實施例的單 趟(p a s s )系統(參考光束及測量光束都過干涉測量器一 趟),在X — y平面中的角偏移的大小是2 ( △ θ x + △㊀ z ),在此’ △ Θ X及△ Θ z是晶圓台繞X軸線的旋轉, △ θ z是晶圓台繞z軸線的搖擺,橫向偏移是2 ( △ θ X L +A0zL),在此’L是特微長度,隨不同實施例而變。 要求大△ θ X及△ θ z的工作不接受這些大小,但要求小 △㊀X及△ θ z的工作接受這些大小。決定△ θ X及△ Θ z的 値是否可接受時,應考慮在混合輸出光束的偵測器的邊界 對比。 第一實施例的變化包括模組2 8、長平面鏡4 6及模 組2 6 ,模組2 6的形式是雙趟干涉測量器,例如平面鏡 干涉測量器或高穩定性平面鏡干涉測量器,例如Zanoni文 件所述者。第二趟的測量光束的描述與第一趟的光束3 2 及3 4的描述的對應的部分相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一實施例的變化用射到長平面鏡4 6兩次的測量光 束而對晶圓台繞X軸線的旋轉、繞y軸線的傾斜及繞z軸 線的搖擺敏感。然而,它對繞X軸線的轉旋轉及繞z軸線 的搖擺敏感,這表示它是在干涉測量器模組2 6的偵測器 的測量光束及參考光束的角及橫向偏移。對第一實施例的 變化的雙趟系統(參考光束及測量光束都過干涉測量器兩 次),在X — y平面中的角偏移的大小是4 ( △ θ x + △ Θ z ),在此,△ Θ x及△ Θ z是晶圓台繞X軸線的旋轉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -24- 479160 A7 B7 五、發明説明( ’ △ θ z是晶圓台繞z軸線的搖擺,橫向偏移是4 ( △ θχΙ^+Δθζΐ),在此,L是特微長度,隨不同實施 例而變。要求大△㊀χ及△ e ζ的工作不接受這些大小,但 要求小△ θ X及△ θ z的工作接受這些大小。決定△㊀x及 △ θ z的値是否可接受的,應考慮在混合輸出光束的偵測器 的邊界對比。 參考圖2 b (顯示圖2 a的五稜鏡安排的替代案排) 。在此,圖2 a的五稜鏡元件4 2及4 4被光學上等效的 稜鏡組3 7取代,稜鏡組3 7有稜鏡元件3 9、4 1及 4 3。 圖3 a是本發明的第二實施例的透視圖,第二實施例 用一個設在台上的開放的長五稜鏡及在台外的開放的長波 羅(全內反射)鏡,測量與照相平版印刷分節器(系統 1 0 )的光學目標投影系統1 6有關的基準線對晶圓的高 度加從在台外的干渉測量器2 6到高度起算點(模組2 8 )的距離。第二實施例有次系統5 〇,在許多方面與次系 統4 0相同,卻有較強功能。次系統5 〇有若干元件與次 系統4 0的若干元件相同,這些元件在圖3中有相同標號 〇 次系統5 0異於次系統4 0之處是在板1 6上用長波 羅稜鏡5 2取代長平面鏡4 6。長波羅稜鏡5 2的使用把 一橫向切變導入測量光束,這要求在模組2 6中的干涉測 量器同樣被修改,以致參考光束有相似偏移。 因長波羅稜鏡5 2的使用,在參考光束及測量光束之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 29<7公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1«裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 479160 A7 _ _ B7 五、發明説明( 間的角分離及橫向切變都是零,不論干涉測量器屬單或雙 趟構造。這表示次系統5 〇對晶圓台的斜度、搖擺及旋轉 變化敏感。 圖3 b顯示圖3 a的替代品,長五稜鏡4 2及4 4被 長五稜鏡組3 7取代。 圖4顯示本發明的第三實施例。第三實施例用在台上 的元件及在台外的元件合作,.來測量與照相平版印刷分節 器的投影系統有關的基準線對晶圓的高度加到一個在台外 的參考點的直線距離。第三實施例是次系統6 〇,其主要 元件是:在台外的光源及偵測器模組6 2 ;在台上的長五 稜鏡及極化分光器模組6 4 ;在台外的開放波羅稜鏡6 6 ;在台外的長波羅稜鏡6 8。長波羅稜鏡6 8固定到板3 〇的底面,模組6 2及稜鏡6 6對系統骨架(未被顯示) 固定,模組6 4卻固定到晶圓台1 2並與之一起動。 在台上的五稜鏡及極化分光器模組6 4包括下平面鏡 7 0及上平面鏡組,上下面鏡組有上平面鏡7 2及下平面 鏡7 4,還有極化分光層7 6 (PBS)夾在二者之間。 在台外的光源及偵測器模組6 2用習知的方式提供輸 入光束7 8。輸入光束7 8有兩個垂直極化的成分,二者 有頻差f 1。輸入光束1 2的來源可能是頻率調變設備或 鐳射。舉例而言,鐳射可能是用下列習知之技術之一穩定 的氣體鐳射(例如氦氖鐳射):T. Baer等人的〜
Frequency Stabilization of a 0.633 He-Ne-longitudinal Zeeman Laser,’’ Applied Optics,1 9 ,3 17 3 — 本纸張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·#衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26 - 479160 A7 B7 五、發明説明(2』 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3177 (198 0 );在 1975 年 6 月 10 日給 Burgwald等人的第3 8 8 9 2 0 7號美國專利;在 1972年5月9日給Sand strom等人的第3662279 號美國專利。替代地,鐳射可能是以下列習知的技術之任 一.穩定的二極體鐳射頻率·· T · 0 k ◦ s h i及K · K i k u c h i的 Frequency tabilization of Semiconductor Lasers for Heterodyne-type Optical Communication Systems/7
Electronic Letters,1 6 — 1 7 9 — 181 (1980); S. Yamaqguchi 及 M. Suzuki 的、' Simultaneous Stabilization of the Frequency and Power of an AlGaAs Semiconductor Laser by Use of the Optogal vanic Effect of Krypton, 〃 IEEE J. Quantum Electronics, OQ-19 , 15 14 — 1519(1983)。 可能用下列技術之一產生兩種光學頻率: (1 )用Zeeman分割鐳射,參考在1 9 6 9年7月 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 9日頒給Bagley等人的第3 4 5 8 2 5 9號 美國專利;G. Bouwhuis 的 Interferometric Mit Gaslasers," Ned. Τ· Natuurk,3 4 , 225 — 232 (1968 年 8 月);在 1972年4月18日頒給Bagley等人的第 3 6 5 6 8 5 3 號美國專利;H. Matsumoto 的 、' Recent interferometric measurements using stabilized lasers/’ Precision Engineering , 6 ( 2),87-94(1984); 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -27- A7 _ 五、發明説明(d (2 )用一對聲光Bragg電池,參考Y. Ohtsuka及Κ· Itoh 的、' Two-frequency Laser Interferometer for Small Displacement Measurements in a Low Frequency Range," Applied Optics , 1 8 ( 2) ,219 — 224(1979) ;N.
Massie 等人的、、Measuring laser Flow Fields with a 64-Channel Heterodyne Interferometer, 〃 Applied Optics,22 (14) ,2 141 — 2151 (1983) ;Y. Ohtsuka 及 M.
Tsubokawa 的、' Dynamic Two-frequency Interferometry for Small Displacement Measurements/7 Optics and Laser Technology, 16,25- 29 (1984) ; H.
Matsumoto,ibid ;在 199 6 年1月16曰頒 給P. Dirk sen等人的第5 4 8 5 2 7 2號美國 專利;Ν· A· Riza 及 Μ. Μ. K. Howlader 的 '、 Acousto-optic system for the generation and control of tunable low-frequency signals,’’ Optical Engineering,35(4) ,920 — 9 2 5 ( 1 9 9 6 ); (3 )用一個聲光Bragg電池,本案受讓人在1 9 8 7 年8月4日獲准的第4 6 8 4 8 2 8號美國專 利(G. E· Sommargren發明);本案受讓人在 1 9 8 7年8月1 8日獲准的第 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479160 A7 ^_________ 五、發明説明( 4 6 8 7 9· 5 8號美國專利(G. E.
Sommargren發明);P. Dirksen 等人的 ibid·; (4 )用隨機極化的氨氖鐳射的兩種縱向模式,參考 J. B. Ferguson 及 R. H. Morris 的、、Single Mode Collapse in 6 3 2 8 A HeNe Lasers," applied Optics, 17(18) ^ 2924-2929 ( 1 9 7 8 ); (5 )用在鐳射內的雙折射元件,參考V. Evtuhov及 A. E. Siegman 的 A 〃 Twisted-Mode '、 Technique for Obtaining Axially Uniform Energy Density in a Laser Cavity,〃 Applied Optics,4(1) ,142 — 143 ( 1 9 6 5 );及 (6 )用H. A. mil在1998年4月17曰送件的 0 9 / 0 6 1 9 2 8號美國專利申請案(名稱 是 Apparatus to Transform Two Non-Parallel Propagating Optical Beam components into Two Orthogonally Polarized Beam Components ) ° 當作光束7 8的來源的特定設備決定光束的直徑及擴 張。某些光源(例如二極體鐳射)可能須用傳流光束造形 光學儀器(例如傳統顯微鏡目標鏡)供應光束7 8適當直 徑及擴散。當光源是氨仍鐳射,就不需要光束造形光學儀 器。 輸入光束7 8射向極化分光層7 6且光束的極化成分 ^紙張尺度適用中國國家標準「CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-29- 479160 A7 B7 五、發明説明( 之一從該處反射到鏡7 〇,開始沿測量路徑當作測量光束 移動。射到鏡7 0以後’此極化成分當成測量光束成分 8 2射到波羅稜鏡6 8 ,然後當作測量光束成分8 4回鏡 7〇。光束成分8 4從極化分光層7 6反射並當作返回光 束8 0的測量成分射到在模組6 2中的偵測器(未被顯示 )° 光束7 8的另外的極化的成分當作參考光束成分8 6 透過極化分光層7 6傳到波羅稜鏡6 6,在此例中波羅稜 鏡6 6是參考。波羅稜鏡6 6把參考光束成分8 6當成參 參考光束8 8送回,透過極化分光層7 6當作返回光束 8 0的參考光束成分被結合。光束8 0的參考光束成分及 測量光束成分以習知的方式被混合及分析,來抽取與z + X尺寸有關的資訊’其X成分用另一干涉測量器(未被顯 示)或藉模姐6 2產生的另外的光束予以決定,但以習知 的方式被送到在晶圓台1 2上的平面參考鏡。 第三實施例對晶圓台繞X、y、 Z軸線的旋轉敏感, 無在y方向的切變,有在X及z方向的切變。在X方向的 切變的大小是Δθχ ay ’在此ay是在輸入光7 8及輸出 光束8 0之間的距離。在z方向的切變的大小是 △ θ ζ Θ a y 〇 圖5是本發明的第四實施例的立面圖(圖1的X — y 平面)。第四實施例用在台上的長稜鏡與在台外的後方向 反射器及平面鏡相連,測量與照相平版印刷分節器的投影 系統有關的基準線對晶圓的高度。第四實施例是次系統 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) :--屬¾-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
、一1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 479160 A7 B7 五、發明説明( 9 0 ,有若干主要元件:在台外的干涉測量器9 2、長的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在台上的稜鏡組9 4 (固定到晶圓台1 2而一起動)、在 台外的後向反射器9 6 (例如三面直角稜鏡)、長平面鏡 9 8 (固定到板3 0的底面)。干涉測量器9 2及後向反 射器9 6固定到系統骨架(未被顯示)。 干涉測量器9 2可能是差分平面鏡型或高穩定性差分 平面鏡,並產生測量光束1 〇 4,沿次系統9 0的其他元 件移動而當作測量光束1 〇 6回來。測量光束1 〇 6與參 考光束在干涉測量器9 2裡用習知的方式結合,產生與在 它們之間的光學路徑長度差異有關的相位資訊。電子地分 析此資訊而直接抽取高度變化。因此,本實施例的優點是 局度資訊完全從任何X方向測量分開。此優點是重要的, 因筒度(其光學路徑長度小於X及y的任何測量)對環境 及渦流效應造成的折射率變化較不敏感。結果,可能不要 求這些效應的補償,使系統較不複雜並因此較不貴。又, 應注意本實施例不要求相位移動元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第四實施例的結構還對繞X、y及Z軸線的角變化敏 感卻無在X、y及z方向的切變。在X方向的切變的大小 是4 △ θ X L r ’在此L R是稜鏡後向反射器的間隙。在γ 方向的切變的大小是8 △ Θ y L H,在z方向的切變的大小 是4 △㊀z z。晶圓台平移造成在z方向的額外切變化,大 小是2 △ z。上述之切變都針對單趟系統。 圖6是本發明的第五實施例的立面圖(χ 一 y平面) ,此貫施例用一個在台上的長棱鏡(有極化分光層)與一' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) •31 - 479160 Μ ____ _ Β7 _ 五、發明説明( 個在台外的後向反射器及長平面鏡合作,測量與照相平版 印刷分節器的投影系統有關的基準線對晶圓的高度變化。 第五貫施例是次系統1 2 0,有在台外的光源及偵測器模 組1 2 2、在台上的長波羅稜鏡分光器1 2 4、在台外的 後向反射器1 2 6及平的在台外的長鏡1 2 8 (固定到板 3 0的底面)。 模組1 2 2及後向反射器1 2 6固定到系統骨架,後 向反射器1 2 6宜爲極化保留光學系統,但可能是三面直 角稜鏡。 組1 2 4有第一光學平板元件1 3 〇在其最外面承載 極化分光層1 3 2 (第一極化分光層),還有第二光學平 板元件1 3 4在其最內面承載極化分光層1 3 6 (第二極 化分光層)。第一、二極化分光層宜反射測量光束及參考 光束。 光源及偵測器模組1 2 2被規劃來提供輸入光束 1 3 8 ’此輸入光束有垂直極化的光束成分,這些成分有 如上述之頻差。光束的極化成分之一當作干涉測量器測量 光束1 3 8M而其他成分當成參考光束1 3 8R。 虽先束1 3 8遭遇極化分光層1 3 2,它分爲若干極 化的成分’光束1 3 8 Μ射到平長鏡1 2 8並反射向板元 件1 3 4。它從該處折射到極化分光層1 3 6 ,並從極化 分光層1 3 6反射,被元件1 3 4的最外面折射到後向反 射器1 2 6。從後向反射器1 2 6 ,它回到元件1 3 4, 再次被最外面折射,射到極化分光層1 3 6,從極化分光 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 装· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 479160 A7 _______B7 五、發明説明(3() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層1 3 6反射,隨後再次被最外面折射。之後,光束當作 返回光束1 3 8MR射向平長鏡;[2 8。平長鏡1 2 8使 光束1 3 8 M R反射,以致它回到極化分光層1 3 2,並 從極化分光層1 3 2反射而成爲光束1 4 〇的測量光束成 分。 參考光束1 3 8R首先通過極化分光層χ 3 2,在過 程中折射’然後在離開元件1 3 0的底面時再折射。它隨 後射到極化分光層1 3 6,在過程中折射,然後離開元件 1 3 4的最頂面而射到後向反射器1 2 6。光束1 3 8 R 從後向反射器1 2 6反射而成爲光束1 3 8 RR,它向後 通過稜鏡組1 2 4,行在一條與其進入路徑相反的路徑上 。光束1 3 8RR與光束1 3 8MR在極化分光層1 3 2 結合’並當作光束的參考光束成分前進。光束丨‘ 3 8MR 及1 3 8 R R用習知的方式再結合及分析而抽取相位資訊 ,用電子訊號處理程序從相位資訊決定高度變化。 在實施例有數個優點:(1 )不需要相位移動元件; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )在X方向無杜卜勒移動且測量光束及參考光束在乂 方向有共同空間,(3 )不必補償在X方向的折射率變化 ,因測量光束及參考光束在X方向有共同空間,雖然可能 要求在z方向的補償以符合在準確度的要求,否則不必, 因直接測量高度變化。 第五實施例對晶圓台繞X、y及z軸線的旋轉不敏感 但有切變。在X方向,切變是4 △㊀X y z L R ;在y方向, 切變是;在z方向,切變是4ΔΘΖ z。 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). ' ' ' ---- -33- 479160 A7 B7 五、發明説明(31) 圖7是本發明的第六實施例的立面圖(X — z平面) ,此實施例用一對在台上的長稜鏡(每個稜鏡攜帶若干極 化分光層)與在台外的光源、偵測器及後向反射器合作, 兩次測量與照相平版印刷分節器的投影系統有關的基準線 對晶圓的高度變化。 第六實施例是次系統1 5 0,有在台外的光源1 5 2 、長稜鏡極化分光組1 5 4 (有兩個稜鏡極化分光元件 長偵 率 一 。 一分 的及 .頻第者另成 外 2 同的述,考 台 5 不 ο 所 1 參 在 1 。 屬 6 .6 Μ 的 及源性有 1 圖 48 6 光1^束件考 66 5 。#光元參11 此在似束束 器面 π , 4 近光光 測底04 6 式量出 偵的 W61 方測輸 的 0^1 束其爲爲 外 3Ρ 束光,成成 台板 g 光入分而而 在到 W 入輸成 86 、定次輸。個 5 5 } 固到 供分兩 11 2丨定提成爲鏡器 68 固 2 的 分到測 1.5 c〇 5 化器射偵 及 15 源極光分到 ο 鏡 1 光直分成射 6 羅器 垂化個分 1 波測 的極一成。 一裝· -、*ιτ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 波羅鏡1 5 8使光束1 6 4 Μ 1沿y方向移動,並當 作光束1 6 4M2返回在晶圓台1 2上的元件1 6 0。之 後,它被導向元件1 6 2而元件1 6 2把它當作 164M3再導向波羅鏡158,光束164M3與 1 6 4M2在相同平面中。波羅鏡1 5 8橫向偏移光束 1 6 4M3並把它當作光束1 6 4M4送回元件1 6 2 , 現在與光束1 6 4 Μ 1及1 6 4 R在相同平面。測量光束 1 6 4Μ4與光束1 6 4R在元件1 6 2的極化分光層結 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -34 - 479160 A7 B7 五、發明説明( 合,在此,它當作光束1 6 8的測量成分射向偵測器 15 6° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光束1 6 4 R及1 6 4 Μ 4混合而產生電子訊號,此 訊號含相位資訊,用電子訊號處理程序從此相位資訊直接 抽取高度變化的兩倍。在此,此實施例與圖6的第五實施 例有相同特性。又,在元件1 6 0及1 6 2之間的空間可 能被覆蓋以減少可能在測量及參考光束上發生的渦流效應 〇 第六實施例敏感於繞X、y及ζ軸線的旋轉且無橫向 切變。 參考圖8a ,本發明的第七實施例有設在台上的長稜 鏡,它的前面有一部分是極化分光層而另一部分是抗反射 層,並與在台外的長平面鏡及光暨偵測器模組合作,以直 接測量與照相平版印刷分節器的投影系統有關的基準線對 晶圓的高度變化 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第七實施例(次系統1 8 0 )包括在台外的光源暨偵 測器模組1 8 2、在台上的長右稜鏡1 8 6及在台外的長 平面鏡1 9 2固定於板3 0的底側。 棱鏡(宜屬融合的二氧化矽)有極化分光層1 8 8蓋 住其斜面(直角三角形的斜邊)而其他部分有抗反射層 1 8 6 〇 稜鏡1 8 2提供輸入光束1 90,光束1 90有屬不 同頻率的垂直極化的成分,一個成分當成參考光束而另一 個成分當作次系統的測量光束。再次,極化分光器1 8 8 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -35- 479160 Α7 Β7 五、發明説明( 反射測量光束成分並傳送參考光束成分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一旦射到極化分光層1 8 8,光束1 9 0分成參考光 束1 9 OR及測量光束成分1 9 0M1。光束1 9 OR在 極化分光層1 8 8折射,射到稜鏡1 8 4的後面,從該處 反射並離開稜鏡1 8 4的底面,之後,它在極化分光層 1 8 8再次折射而變化輸出光2 0 0的參考光束成分。 光束1 9 1 Μ 1射到鏡1 9 2,並當作光束 1 9 0Μ2從該處反射到稜鏡1 84。光束1 9 0Μ2在 進入稜鏡1 8 4後立即反折射,並在內部反射兩次,並在 離開稜鏡1 8 4時再折射而當作光束1 9 0Μ3。光束 190Μ3從鏡192反射而成爲光束190Μ4,光束 1 9 0Μ4從極化分光器1 8 8反射而形成輸出光束 2 0 0的測量成分,在極化分光器1 8 8與參考光束 1 9〇R結合。 光束2 0 0的成分被混合並電子地分析以直接決定高 度變化,無關於任何與X位置或位移有關的資訊。 第七實施例敏感於繞X及y的旋轉,但在ζ ,它是 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 △ θ z。横切變的敏感度如後述:在X是4 △ θ X y z z ; 在y是8ΔθγΖ ;在Z是2AezL及2Δζ。第七實施 例的優點包括它的不可逆性、較少的橫切變、在融合的= 氧化矽中測量及參考路徑的相等的路線、對空氣渦流的較 低敏感度及在ζ位移中無相對光束切變。 第七實施例的一個變化是用長波羅棱鏡取代在台外的 鏡1 9 2,鏡1 9 2能產生橫向偏移於光束對1 9 0 Μ 1 _—-----^ 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐)· -36- 479160 Α7 Β7 /1 9〇M4及1 9 0M2/ 1 9〇M3之間。第七實施 例的變化敏感於繞X、y及z軸線的旋轉,且它在X的橫 向切變是第七實施例的一半,在y的橫向切變與第七實施 例相同。 I® 8 b顯不次系統1 8 0的反向版本,在其中,其條 鏡1 9 2附於晶圓台1 2而非板3 〇而元件1 8 2與 1 8 4在台外。 8 0的變化,在其中, 其出現在圖8 d的橫剖 取代在圖8 c及8 d的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖8 c顯示圖8 b的次系統 其條鏡1 9 2被波羅稜鏡1 9 1 圖。 圖8 e顯示以稜鏡元件1 9 波羅棱鏡。 參考圖9 a ,它顯示本發明的第八實施例2 〇 〇。系 統2 .0 〇用一個密實的干涉測量器2 〇 8 (有若干較小的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 石英波板設照相平版印刷設備的X平移台2 〇 2上),以 測量在y平移台2 〇 4及在台外的長鏡2 1 2之間的高度 的變化。Y平移台204有長鏡206及垂直邊207, 長鏡2 0 6的底面在光學上平到所需的公差。當X及y平 移台移動,系統2 0 0測量在y平移台長鏡2 0 6的底面 及長鏡2 1 2的底面沿一條基準線之高度的變化。 干涉測量器2 0 8宜屬H S Ρ Μ I型,並能用圖9 b 及9 c分別顯示的模式運作。圖9 b更詳細顯示圖9 a的 在台上的干涉測量器2 0 8的一實施例,它有H S Ρ Μ I ,其用佔相同空間的垂直極化的參考光束及測量光束。在 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐). -37- 479160 A7 B7 五、發明説明(d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 台外的光源2 1 1提供輸出光束2 1 4,它有一對屬不同 頻率的垂直極化的光束。光束2 1 4可能在光源及X平移 台2 0 2之間或透過光纖傳送系統(輸出端與X平移台 2〇2 —起移動)傳送。返回光束2 1 6離開干涉測量器 2. 0 8,透過混合極化器2 1 3,射到偵測器2 1 8 ,其 產生一個電子訊號2 1 7,它被分析以把相位訊號轉換成 高度變化。 如圖9 b所示,干涉測量器2 0 8有極化分光器 2 2 4,其包括極化分光層2 2 6及後向反射器2 2 2光 學地附著極化分光器2 2 4的底面。在極化分光器2 2 4 的右輸出面上的是折鏡2 1 0,它透過四分之一波板 2 3 0傳送光束。在極化分光器2 2 4的頂面以上的是另 一四分之一波板2 2 8,它是在光束往返於長測量鏡 2 1 2之間的路線中。 爲測量平移台2 0 2的X位置或X位置的變化,可能 用一個在台外的干涉測量器產生並接收接觸鏡2 0 6的垂 直面2 0 7的輸入及輸出光束2 1 9及2 2 1 ,垂直面以 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 已知的方式當作平面目標鏡。 輸入光束2 1 4及輸出光束2 1 6的產生及千涉測量 器2 0 8 (如H S Ρ Μ I ,有極編碼的測量及參考光束) 的運作kf熟悉此技術者是易於瞭解,並在Z a η ο n i文件中詳 述,故不在此予以詳述。然而,在台外的鏡2 1 2及鏡 2 0 7之間的高度的變化的測量是特定結構的結構,其有 關於把H S Ρ Μ I放在X平移台上,以致它能同時看到長 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公董) 一 -38- 479160 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 鏡2 1 2及鏡2 0 7的底面,且X及y平移台移動。此特 定安排還允許小的四分之一波板的使用,並造成實的在台 上的干涉測量器。 _ 圖9 c是圖9 a的在台上的干涉測量器2 0 8 /的替 代的實施例,並包括H S Ρ Μ I ,其用垂直極化的分開的 參考光束及測量光束。在此實施例中,輸出光束有用極化 分光器2 4 2分開的垂直極化的光束成分,極化分光器 2 4 2直接把成分之一傳到分光器2 2 4而把另一個成分 垂直向下傳到折鏡2 4 4,其隨後把第二成分導向分光器 2 2 4。分開的垂直極化的光束成分,在透過干涉測量器 2 0 8 >時,以已知方式成爲參考及測量光束。在透過干 涉測量器2 0 8 /以後,測量及參考元件被結合而當作輸 出光束2 1 6的成分透過折鏡2 4 8及極化分光器2 4 6 移動。輸出訊號2 1 6被極化器2 1 3及偵測器2 1 8轉 變成電子訊號2 1 7,之後,電子訊號處理器2 2 0決定 高度變化。 參考圖1 0 a ,本發明的第九實施例的干涉測量器用 若干四分之一波板並被設在照相平版印刷分節器的平移台 上以測量在另一平移台及在台外的長鏡之間的高度變化。 如圖1 0 a所示,第九實施例被畫成系統3 0 0 ,其 主要元件有X平移台3 0 2、y平移台3 0 4、干涉測量 器3 0 8,干涉測量器3 0 8藉尺寸穩定的托架3 0 6設 到X平移台3 0 2,致它在y平移台3 0 4及在台外的長 鏡3 1 0的一些元件間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -39- 479160 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7___五、發明説明(3$ γ平移台3 0 4有長鏡3 4 〇 ,其頂面光學地處理到 所要的公差並有垂直長面3 4 2在y — z平面中。輸入及 輸出光束3 1 8及3 2 0能透過在台外的干涉測量器互動 ,以測量X平移台3 0 2的位置或位置的變化’垂直面 3 4 2以已知的方式當作目標鏡。 圖1 0 b是圖1 0 a的干涉測量器3 0 8及系統 3 0 〇的一些元件的立面圖,但未顯示其他元件以簡化描 述。干涉測量器3 0 8有極化分光器3 3 0 (有極化分光 層3 3 2 )、三面直角稜鏡3 3 4或極化保留光學系統、 一對四分之一波板3 3 6及3 3 8 (分別在極化分光器 3 3 0之上或下)。輸入光束3 12 (包括佔相同空間的 垂直極化的光束成分)進入干涉測量器3 0 8並離開它, 成爲極化編碼的測量及參考光束,它們再被結合成輸出光 束3 1 4的成分。當X平移台3 0 2及y平移台3 0 4對 彼此移動,輸出光束3 1 4通過混合器3 1 7,以產生混 合的輸出光束3 1 9 ,其含相位資訊,其表示在鏡3 1〇 的底面及鏡3 4 0的頂面之間的高度的變化。混合的輸出 光束3 1 9被送到偵測器3 1 6並被轉換成電子輸出訊號 3 2 1。電子輸出訊號3 2 1隨後被送到電子分析器 3 2 1以電子地決定高度變化。顯然,參考路線及測量路 線在玻璃中的路線長度須平衡,且爲此,參考腳可能透過 額外玻璃傳送,後者被省略以簡化以上的描述。 圖1 1顯示照相平版印刷分節器4 1 0,本發明的俯 視的實施例可能被倂用以準確測量在投影系統4 1 2及晶 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). ~ 一 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "裝· -40- 479160 A7 B7 五、發明説明( 圓台系統4 1 4之間的高度。投影系統4 1 2固定到板 4 1 6,板4 1 6附於參考骨架1 1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶圓台系統有粗調台4 1 8,微調台4 2 0在粗調台 4 1 8上’微調台承載晶圓。微調台4 1 8的水平位置被 x.驅動桿4 2 2及y驅動桿4 2 4決定。X驅動桿4 2 2 及y驅動桿4 2 4藉空氣軸承(未被顯示)連到粗調台 4 1 8,且粗調台4 1 8停在X — y平面中的空氣軸承上 。微調台4 2 0對粗調台4 1 8移動以準確決定晶圓與在 x〜y - z平面中的投影系統4 1 2的相對位置。爲此, 微調台有六個自由度,三個平移及三個旋轉。 雖簡化’然已顯不系統4 1 0的足夠細節,使人瞭解 它能倂用本發明的俯視的實施例,在用於製造半導體設備 時,提供與在系統4 1 0中的關鍵尺寸關係有關的資訊。 在能用在系統4 1 0裡的各種俯視的實施例中,應記住它 們可能存在一或更多軸線上,或一個以上可能以離手安排 連到單軸線,一個沿軸線監視一段距離,陏後另一個接手 監視另一段預定的距離,這兩段距離有一些重疊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2 a顯示俯視的系統5 0 0 ( 「俯視」表示測量 光束的最後一段初始從投影系統射在晶圓台或用品上), 它有差分平面鏡干涉測量器5 1 4附於粗調台4 1 8的驅 動桿並有極化分光器5 1 2、後向反射器5 1 4 (附於極 化分光器5 1 2的左面)、四分之一波板5 1 6 (在極化 分光器5 1 2的頂面以上)、切變暨分光板5 1 8 (在極 化分光器5 1 2的底面以下)及輸入轉向鏡5 2 0 (在切 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -41 _ 479160 Α7 Β7 五、發明説明(g 變暨分光板5 1 8以下)。 在四分之一波板5 1 6以上’有長稜鏡元件5 2 2附 於參考骨架1 1 ,在稜鏡元件5 2 2對面的是另一稜鏡元 件5 2 4,後者附於板5 2 6 ,板5 2 6固定於細控的晶 圓台4 2 0。 如早先,輸入光束5 3 0被轉向鏡5 2 0向上反射以 後進入干涉測量器5 1 0 ’且輸入光束5 3 2被導向適當 方向及訊號處理裝置。測量光束5 4 0從干涉測量器 5 1 0透過長稜鏡元件5 2 2及5 2 4的角面射到條鏡 528 ’且參考光束536及538從干涉測量器51〇 透迥長棱鏡元件5 2 2的角面射到參考面5 3 4。 在系統5 0 0的運作中,晶圓台在X及y方向移動, 但在條鏡5 2 8 (在台4 2 0上)及測量光束5 4 0之間 無在X方向的相封動作,因干涉測量器5 1 4追隨台 4 2 0在X方向的動作,因它們被鎖在一起。因此,測量 光束5 4 0在X方向移動且其移動速率與台4 2 0的移動 速率完相同,因台4 2 0被鎖到X驅動桿4 2 2。因此, 在台4 2 0上的條鏡5 2 8與干涉測量器5 1 4 —起在X 方向移動,粗調台4 1 8緊緊地移動,微調台4 2 0隨後 以其自微調停在上面,但在x方向鎖位。然而,在y方向 ,台4 2 0移動,這是爲何在y方向須有一根桿子。換言 之,向下的測量光束5 4 0在y方向固定。但台4 2 0在 γ方向不固定。 若想在X軸做這事,一種選擇是用另一個干涉測量器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐Κ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
一裝------訂------J--JTM -42- 479160 A7 B7 五、發明説明(4(} 及一整組鏡。又,能真實複製此安排以涵蓋在一方向的動 作,隨後,藉走到晶圓的另一半,能把這些系統之一放在 晶圓的另一面,並使它們握手。亦即,這可能部分重疊以 涵蓋全部動態範圍。 系統5 0 0是極化分光器且其特徵是它敏感於參考光 束及測量光束,因輸出光束、參考光束及測量光束平行。 若條鏡變化角度,則在它們之間可能有一些切變化,但只 有橫向切變,無相對角變化。然而,不需與在X及y方向 有關的資訊,因直接測量z。又,干涉測量器5 1 0能向 上及向下移動,且此動作不改變它正在晶圓的距離,因它 是D Ρ Μ I 。又,小的旋轉(例如震動造成者)是可容許 的,這是重要的,因加速於台所用的力驅動驅動桿。 圖1 2 b顯示能測量在投影系統及晶圓之間的高度的 俯視干涉測量設備的另一實施例。在這,設備6 0 0有差 分平面鏡干涉測量器6 1 0,它有極化分光器6 1 2、後 向反射器6 1 4及四分之一波板6 1 2。在干涉測量器 6 1 0的上游的是分光器(未被顯示)及切變系統以形成 輸入光束並結合輸出光束。 在干涉測量器6 1 0的下游的是轉向鏡6 2 0使光束 在它及長稜鏡元件6 2 2之間移動,長稜鏡元件6 2 2附 於參考骨架1 1。在稜鏡元件6 2 2對面的是長板6 2 6 ,後者亦附於參考骨架1 1。附於板6 2 6的是稜鏡元件 6 2 4。在板6 2 6及稜鏡6 2 4上的平面6 3 4當作參 考面。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐). -------;--^批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 L· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 479160 Α7 Β7 五、發明説明(4l) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 附於微調台4 2 0的是長條鏡6 2 8。分光器6 1 9 在驅動桿之外’且只有折鏡6 2 0維持在圖1 2 a所示的 相同桿上。因此,折鏡6 2 0與在X方向平移的驅動桿( 亦即圖1 2 a所示的相同驅動桿)一起移動,干涉測量器 61 0固定在工具的參考骨架裡。 在此’顯示輸入光束是630,輸出光束是632, 參考光束是6 3 6及6 3 8,測量光束6 4 0。否則,其 運作近似圖1 2 a的實施例之運作。此實施例的優點是只 有極少質量(折鏡6 2 0 )在驅動桿上。其缺點是有額外 長度可能讓空氣渦流進入,但圖1 2 a的實施例的免疫性 全部出現在圖1 2 b的實施例中。 圖1 2 c顯示另一個俯視干涉測量設備7 〇 〇。設備 7 0 0有差分平面鏡干涉測量器7 1 〇 (有極化分光器 7 1 2 )、後向反射器7 1 4、四分之一波板7 1 6。在 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 極化分光器7 1 2以下的是分光暨切變板7 1 8且在它以 下的是輸入轉向鏡7 2 0。附於參考骨架1 1的是長平板 7 2 2及長稜鏡元件7 2 4。長稜鏡元件7 2 8附於板 722。在稜鏡元件728上的平面及在板722上的平 面當作參考面。長條鏡7 2 6附於微調台4 2〇。 輸入光束是7 3 6,輸出光束是7 3 8,參考光束是 7 3 2及7 3 4,測量光束是7 3 0。適用於圖1 2 a的 實施例的每任事都適用於圖1 2 c的實施例,除了圖 1 2 c的實施例是D Ρ Μ I且其干涉測量分光系統在沿X 方向平移的相同桿上。唯一差異是參考鏡在第一長稜鏡元 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐). -44- 479160 A7 B7 五、發明説明(d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 件上而不在第二長稜鏡上。因此,這實施例測量總距離z 及在兩個稜鏡元件之間的y距離。然而,既然兩個稜鏡元 件固定,它仍只測量Z。用此實施例可能漏失的是:若在 長稜鏡元件之間的空間變化(亦即主骨架沿y方向擴大) 並此變化未獲補償’則小誤差可能發生。然而,此實施例 的優點是在參考光束中有較少的渦流效應,因它不在條鏡 之間移動,卻只在干涉測量器及第一條鏡之間移動。 圖1 2 d顯示另一俯視設備8 0 0。設備8 0 0有差 分平面鏡干涉測量器8 1 0在參考骨架1 1上而不在粗調 台4 1 8或微調台4 2 0上。干涉測量器8 1 0有極化分 光器812、後向反射器814及四分之一波板816。 輸入光束是836 ,輸出光束是838。輸入光束836 被切變板分開,這些輸出光束被相同切變板再結合,切變 板未被顯示卻是已知的。 參考光束8 3 2及8 3 4及測量光束是在8 3 0。輸 入轉向鏡8 2 0提供向上路線給全部到第一長條組的光束 ’第一長條組有第一長板8 2 2附於參考骨架1 1 ,還有 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 長稜鏡元件8 2 8附於長板8 2 2。在這些元件上的平面 8 1 8當作參考面。 狐量光束8 3 0透過長稜鏡元件8 2 4 (附於參考骨 架1 1 )射到長條鏡8 2 6 (附於微調台4 2 0 )。在此 ,轉向鏡8 2 0在驅動桿上,如在圖1 2 b的實施例中。 參考鏡是第一長條鏡組,包括若干平面8 1 8。圖1 2 d 的實施例對圖1 2 c的實施例,就像圖1 2 b的實施例對 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -45- 479160 A7 ____ B7 五、發明説明( 圖1 2 a的實施例。 圖1 3 a顯示俯視設備9 0 0有干涉測量器9 1 0附 於粗調台4 1 8。干涉測量器9 1 0有極化分光器9 1 2 、輸入轉向稜鏡9 2 2、後向反射器9 1 4、長稜轉向元 件9 2 7及9 2〇、四分之一波板9 1 6及9 1 8。 長轉向桿9 2 4附於粗調台4 1 8,長稜鏡元件 9 2 6附於參考骨架1 1,長稜鏡元件9 2 6還有平面 9 2 9當作干涉測量器9 1 0的參考面。長條鏡9 2 8被 設到微調台4 2 0。輸入暨輸出光束路線是9 3 0。輸入 光束射到干涉測量器9 1 0並在極化分光器9 2 1分成參 考光束9 3 4 (射到參考平面9 2 9 )及測量光束9 3 2 (射到長條鏡9 2 8 )。參考光束及測量光束被干涉測量 器9 1 0再結合而沿與來時路相同路徑返回。 圖1 3 b顯示圖1 3 a的實施例的變化。在此,俯視 設備1 0 0 0有差分平面鏡干涉測量器1 0 1 0,有極化 分光器1 0 1 2、後向反射器1 0 1 8、輸入折稜鏡 1 0 1 5及四分之一波板1 0 14及1 0 1 6。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐). (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
6 1 條 00 且 例 ^^^—^長 CX1 開 施 ο 架。ο 分 實 1 骨面 1 被 的 鏡考考束處 6 折參參光該。圖 長於的出在 e 是 , 附1 輸並02上 〇〇也ο及,10致 1 8 1 入 ο 大 4 2 器輸 1 光它 台ο量。ο量’ 調 1 測 ο 1 則 ο 粗鏡涉 2 器 M4 於條干 4 量 4 ο 附長作台測 2 1 ο 。當調涉 G 備 3 1 8 微干 1 設 ο 1 2 於返束示 1 架 ο 附往光顯 條骨 1 ο 線考 4 折考鏡 2 路參 1 長參條 ο 同成圖 於長 1 相結 附,鏡沿再 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 46- 479160 A7 ______ B7 五、發明説明(44) 的顛倒的版本。在此,·參考骨架是1 〇 4 2,長稜鏡 1 044及1 046附於參考骨架1 042。長條鏡 台鏡 調稜 微在 於。 附桿 ο 動 6 驅 ο 台 1 調 4 2 〇 粗反 於鏡 附稜 2 是 6 的 ο 間 1 之 器 6 射 4 反 ο *15^ 一—I 後及 ’ 4 〇 4 ο 鏡 1 稜 器角 光右 分。 化 2 極 5 曁 ο 5 〇 及及 ο 入 5 輸 〇 , 1—- 00 層 1 光 4 分台 化調 極粗 載於 承附 它 6 ’ 4 8 圓 晶 視 4 府 ο它 1 了 是除 徑 , 路作 束運 光式 出方 輸反 相 以 例 施 實 的 6 圖 與 例 施 實 匕 ο 2 4 台 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). -47-
Claims (1)
- 479160 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種干涉測量設備,干涉測量在一個平面與一條 基準間的局度,並有: 一個尺寸穩定的測量骨架; 定義在至少兩個垂直方向對測量骨架平移而在與這 些垂直方向垂直的方向經歷較少高度變化的目標的 基準線的裝置; 長反射裝置,被設到測量骨架,提供該平面;及 至少一個干涉測量系統,至少部分設在上述之目標 而與之一起移動,干涉測量系統提供測量光束,光 束沿至少一條光學路線往返長反射裝置,以提供訊 號,此訊號所含的資訊依在上述之表面及基準線之 間的高度變化而變化,訊號敏感於目標至少繞兩個 垂直方向之一的旋轉。 2 .如申請專利範圍第1項所述之設備,其中,光學 路線有至少一個折。 3 .如申請專利範圍第1項所述之設備,其還有能接 收訊號並從它決定高度的裝置。 4 .如申請專利範圍第1項所述之設備,其中,目標 有照相平版印刷平移台能把晶圓固定在曝光位置。 5 .如申請專利範圍第4項所述之設備,其中,干涉 測量系統有一個干涉測量器,此干涉測量器有一條來源及 參考路線在台外,還有一個長五角稜鏡在台上,此干涉測 量器產生參考光束並把它導向在台上的長五角稜鏡,長五 角稜鏡提供上述之光學路線。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —4: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48- 479160 ABCD 六、申請專利範圍 6 ·如申請專利範圍第5項所述之設備,其中,長反 射裝置有一頂稜鏡,使訊敏感於台繞多垂直方向之二的旋 轉。 7 .如申請專利範圍第4項所述之設備,其中,干涉 測量系統有一個光束產生器及一個偵測器在台外,還有一 個干涉測量器在台上。 8 .如申請專利範圍第7項所述之設備,其還有第二 照相平版印刷平移台能對第一照相平版印刷平移台移動, 以致兩個照相平版印刷平移台之一在另一個之上移動,且 兩個在垂直的方向移動,干涉測量器測量從每個台到基準 線的高度的變化。 9 . 一種干涉測量設備,測量沿在一個目標上的一條 基準線的若干點到沿在一個參考體上的一條基準線的若干 點的高度的變化,並有: 定義在至少兩個垂直方向對參考體平移而在與這些 .垂直方向垂直的方向經歷較少高度變化的目標的裝 置; 長反射裝置,被設到測量骨架; 至少一個干涉測量系統,至少部分設在上述之平面 而與之一起移動,光束沿構成一條目標基準線的若 干點掃瞄干涉測量系統,干涉測量系統提供測量光 束,光束沿一條光學路線往返長反射裝置,沿對應 在上述之基準線上的點的若干點掃瞄長反射裝置來 定義與參考體有關的參考體基準線,干涉測量系統 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------0^ II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -49- 479160 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供訊號,當目標移動,此訊號所含的資訊依在這 些基準線之間的高度而變化,在目標對參考體的任 何位置,在這些基準線的對應點之間的距離是高度 ,訊號敏感於目標至少繞兩個垂直方向之一的旋轉 〇 1〇.一種干涉測量設備,干涉測量在一個平面與一 條基準線間的高度,並有: 一個尺寸穩定的測量骨架; 定義在至少兩個垂直方向對測量骨架平移而在與這 些垂直方向垂直的方向經歷較少高度變化的目標的 基準線的裝置; 長反射裝置,被設到目標而一起移動來提供上述之 表面;及 至少一個干涉測量系統,至少部分設在測量骨架而 與之一起移動,干涉測量系統提供測量光束,光束 沿至少一條光學路線往返長反射裝置,以提供訊號 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ,此訊號所含的資訊依在上述之表面及基準線之間 的高度變化而變化,訊號敏感於目標至少繞兩個垂 直方向之一的旋轉。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項所述之設備,其中, 光學路線有至少一個折。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項所述之設備,其還有 能接收訊號並從它決定高度的裝置。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項所述之設備,其中, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -50 - 479160 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 目標有照相平版印刷平移台能把晶圓固定在曝光位置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 4 .如申請專利範圍第1 0項所述之設備,其還有 第二照相平版印刷平移台能對第一照相平版印刷平移台移 動,以致兩個照相平版印刷平移台之一在另一個之上移動 ,且兩個在垂直的方向移動,干涉測量器測量從每個台到 基準線的高度的變化。 1 5 ·如申請專利範圍第4項所述之設備,其還有一 個微平版印刷裝置操作地連到干涉測量設備而用於在晶圓 上製造積體電路,微平版印刷裝置有: 至少一個台能支持晶圓; 一個發光系統,有光源、光罩、定位系統、透鏡組 及干涉測量設備的預定的若干部分;及 長反射裝置,被設到目標而一起移動,提供上述之 表面; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光源使光通過光罩來產生空間上有圖案的光,定位 系統調整光罩對從光源而來的光的位置,透鏡組把 空間上有圖案的光成像在晶圓上,干涉測量設備測 量光罩對從光源而來的光的位置。 1 6 .如申請專利範圍第4項所述之設備,其還有一 個微平版印刷裝置操作地連到干涉測量設備而用於在晶圓 上製造積體電路,微平版印刷裝置有: 至少一個台能支持晶圓; 一個發光系統〃有光源、光罩、定位系統、透鏡組 及干涉測量設備的預定的若干部分;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) -51 - 479160 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 長反射裝置,被設到目標而一起移動,提供上述之 表面; 光源使光通過光罩來產生空間上有圖案的光,定位 系統調整光罩對從光源而來的光的位置,透鏡組把 空間上有圖案的光成像在晶圓上,干涉測量設備測 量光罩對從光源而來的光的位置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -52-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US20486000P | 2000-05-17 | 2000-05-17 | |
US22352300P | 2000-08-07 | 2000-08-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW479160B true TW479160B (en) | 2002-03-11 |
Family
ID=26899857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090111482A TW479160B (en) | 2000-05-17 | 2001-05-14 | Interferometric apparatus and method(s) for precision measurement of altitude above a surface |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6650419B2 (zh) |
EP (1) | EP1285222A4 (zh) |
JP (1) | JP2004510129A (zh) |
TW (1) | TW479160B (zh) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160535A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-06-12 | Nikon Corp | 露光装置、及び該装置を用いるデバイス製造方法 |
US7262860B2 (en) * | 2002-07-29 | 2007-08-28 | Zygo Corporation | Compensation for errors in off-axis interferometric measurements |
US7274462B2 (en) * | 2002-09-09 | 2007-09-25 | Zygo Corporation | In SITU measurement and compensation of errors due to imperfections in interferometer optics in displacement measuring interferometry systems |
US7136162B1 (en) * | 2002-10-15 | 2006-11-14 | J.A. Woollam Co., Inc. | Alignment of ellipsometer beam to sample surface |
US7283200B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-10-16 | Nikon Corporation | System and method for measuring displacement of a stage |
KR101166249B1 (ko) * | 2004-02-11 | 2012-07-18 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 제품의 위치 지정을 위한 시스템 |
US7167325B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-01-23 | Agilent Technologies, Inc. | Flexured athermalized pseudokinematic mount |
US7362447B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-22 | Agilent Technologies, Inc. | Low walk-off interferometer |
US7130056B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-10-31 | Agilent Technologies, Inc. | System and method of using a side-mounted interferometer to acquire position information |
JP2005249794A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Zygo Corp | 干渉計および干渉計を使用するシステム |
WO2006014406A2 (en) | 2004-06-30 | 2006-02-09 | Zygo Corporation | Interferometric optical assemblies and systems including interferometric optical assemblies |
US8693006B2 (en) * | 2005-06-28 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method |
US7355719B2 (en) * | 2005-08-16 | 2008-04-08 | Agilent Technologies, Inc. | Interferometer for measuring perpendicular translations |
WO2007050023A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Micronic Laser Systems Ab | Writing apparatuses and methods |
US8122846B2 (en) * | 2005-10-26 | 2012-02-28 | Micronic Mydata AB | Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates |
DE102007049133A1 (de) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur Bestimmung der Position mindestens einer Struktur auf einem Objekt, Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung für die Vorrichtung und Verwendung von Schutzgas für die Vorrichtung |
US8582113B2 (en) | 2007-02-13 | 2013-11-12 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device |
JP4636449B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2011-02-23 | 横河電機株式会社 | 遅延干渉計 |
JP4893969B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2012-03-07 | 横河電機株式会社 | 遅延干渉計 |
KR101569960B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2015-11-27 | 인피니트시마 리미티드 | 다이나믹 탐침 검출 시스템 |
US8222599B1 (en) * | 2009-04-15 | 2012-07-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Precise metrology with adaptive milling |
US8698891B2 (en) * | 2011-03-09 | 2014-04-15 | Zygo Corporation | Object thickness and surface profile measurements |
US9696138B2 (en) | 2011-08-01 | 2017-07-04 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Simultaneous refractive index and thickness measurements with a monochromatic low-coherence interferometer |
JP2015502032A (ja) * | 2011-11-09 | 2015-01-19 | ザイゴ コーポレーションZygo Corporation | リソグラフィツールにおいて使用される計測システムのためのファイバ伝送 |
US9909972B2 (en) * | 2016-02-08 | 2018-03-06 | MANTA Instruments, Inc. | Multi-camera apparatus for observation of microscopic movements and counting of particles in colloids and its calibration |
CN107329379B (zh) * | 2016-04-29 | 2019-01-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 双层对准装置和双层对准方法 |
CN112013972B (zh) * | 2019-05-28 | 2024-03-01 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 横向剪切干涉波前传感器的剪切量标定装置及方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5187543A (en) | 1990-01-19 | 1993-02-16 | Zygo Corporation | Differential displacement measuring interferometer |
JPH04179115A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-25 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影露光装置 |
EP0824722B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-07-25 | Asm Lithography B.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
JP3669063B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2005-07-06 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5757160A (en) * | 1996-12-23 | 1998-05-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | Moving interferometer wafer stage |
US6020964A (en) * | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JP3825921B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
US6208424B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-03-27 | Zygo Corporation | Interferometric apparatus and method for measuring motion along multiple axes |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001584821A patent/JP2004510129A/ja not_active Withdrawn
- 2001-05-09 EP EP01933413A patent/EP1285222A4/en not_active Ceased
- 2001-05-10 US US09/852,898 patent/US6650419B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-14 TW TW090111482A patent/TW479160B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004510129A (ja) | 2004-04-02 |
EP1285222A1 (en) | 2003-02-26 |
US6650419B2 (en) | 2003-11-18 |
US20010046053A1 (en) | 2001-11-29 |
EP1285222A4 (en) | 2006-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |