TW476188B - Improved oscillator circuit - Google Patents
Improved oscillator circuit Download PDFInfo
- Publication number
- TW476188B TW476188B TW089120247A TW89120247A TW476188B TW 476188 B TW476188 B TW 476188B TW 089120247 A TW089120247 A TW 089120247A TW 89120247 A TW89120247 A TW 89120247A TW 476188 B TW476188 B TW 476188B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- terminal
- signal
- inductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
476188 A7 五、發明說明(1 :本發明係關於-具有增加信號功率之經改良的振湯哭 ^ 〇 孤如 電 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 iiJL技藝描i朮 «器電路包含-具有會造成信號振£之一個或一個以 上電感及電容元件的調諧段。所有調諧電路本質上都會因 爲(例如)電感元件中的電阻而造成損失(1〇^)。在振盪^出 信號期間,此類的損失導致減弱或衰減。在每一振盪器信 號週期期間,最大損失値與最大振盪輸出信號値(即 盪信號的最大振幅)在同時間發生。爲克服此問題,於是在 振盪器電路中包括一主動級,以便藉由外加能量給調諧段 來補償信號衰減。然而,此方法的問題在於,該電路所消 耗的DC功率通常遠大於它所產生的信號功率。而且,本發 明之創作者最近發現,要從一給定的DC功率產生更多的信 號功率,必須在一儘量窄的脈衝内額外增加能量至該調諧 中。 圖1顯示的Colpitts振盪器10提供單端振盪(single-ended oscillation) ’其爲已知且廣泛使用的振盪器電路是,且具有 如前文所述的缺點,它,尤其是在調諧中的損失很大或品 質因數很小時。此振盪器包括一具有一電感器L及一對電容 器q、C2之調諧級,由一具有一電晶體q及一提供固定電流 I之DC電流源12的電力補充級加以驅動。如圖所示,電容器 對q、02在位於該電晶體Q之源極端子的節點小處連接,此 處有Vi電壓。電容器(^在節點N2處與電感器L連接,此處有 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « -裝 476188 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明() V2的電壓。電力供應V、偏壓VB及DC電流源12提供該電晶 體Q適當的偏壓條件。電壓V2代表電路1〇之經過振盪的輸出 信號。 當$亥。周#級開L振盈時,仏號V2的値增加並在其靜止點v 的附近週期性地減小。信號基本上是電容器對c i與q間 信號V2的分數値,因此也在其靜止點附近變化。隨著信號 V2及Vi增強,電晶體Q (它具有一個開啓或門限電壓値Ό 會因爲閘極與源極端子間的電壓(Vgs)低於vTH而被關掉。而 且由於電容器C!類似一 DC電流之開路狀態,因此電流.源i 2 所需要的電流I係經由電容器C2所放出的電量提供。隨著振 盪繼續進行,·造成Vi及乂2的値會一直減小直到vgs超過VT 。此時,電晶體Q開啓以提供電流給電流源12並使§電容器= 再度充電。結果,信號v^v2又再增加。 一 圖1所示先前技藝之電路10的一項缺點爲,電晶體之傳導 期間(conducdon duration)係由一單一的控制信號,亦即^ ,所控制,Vi係透過(^及(:2之比値與輸出信號%關聯。因 此,C2<選擇有相反兩面的戲劇性功能。明確地說,q必 須很小,使信號¥1產生較大的變化以便在一儘量短的期2間 内開啓或關閉電晶體。另一方面,q必須很大,以便在— 段儘量長的期間提供電流源12所產生的電流。此—左右爲 難的情況所造成的電晶體傳導期間的限制局限了先前技$ 之電路達到信號功率增強的能力,結果,限制了頻率: 的穩定性。 曰$ 本紙張尺度適??i國家標準(CNS)A4規格⑽x 297公釐 i ί ί an n ϋ 11 ·ϋ n ϋ I * I 1 —al I n ϋ l > ϋ n 1_1 i_l im ϋ n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -5- 476188 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _πτ____ 五、發明說明(3 ) 本發明揭示一種供可增加振盪器信號功率且提高頻率穩 定性的振盪器電路。本發明電路包含一具有一電感器及至 少一對電容器的調諧級,用以產生一振盪信號。一主動級 以電子方式連接至該調諧級,用以注入電力至該調諧級, 以便補償該調諧級中所發生的損失。該主動級包括一具有 一閘極端子、一源極端子及一没極端子的電晶體。一供應 電壓V、一偏壓VB及一 DC電流源連接至該主動級,以便提 供一適當的偏壓條件。該等電容器還連接至該源極端子, 以便提供一第一控制信號至該源極端子,用以在該閘·極與 源極端子間的電壓超過該電晶體的門限電壓値時,選擇性 地啓動該電晶體。本發明具有用以產生一第二控制信號及 用以提供該第二控制信號至該閘極端子的裝置,以確保能 夠在一儘量短的期間内開啓及關閉該電晶體。 在一較佳具體實施例中,該控制裝置包括一第二電感器 ,其以電磁方式耦合該第一電感器,用以在電流經過該第 一電感器時產生第二控制信號。 在另一具體實施例中,提供一差分(differential)振盪器電 路,具有經改良的振盪信號功率。該差分電路包括兩個電 路分支,每一分支都包含以交叉連接方式配置的一調諧級 及一主動級,其中每一調諧級所產生的振盪信號分別提供 給另一主動級的電晶體閘極端子。在此方法中,來自每一 調諧級之每一振盪信號以此方式作爲另一級中之電晶體的 第二控制信號。 從以下配合附圖説明的詳細説明中,將更清楚本發明的 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----------_裝--------訂---------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明(4 ) 其匕目的及功能。然而,亦應了解,該等附圖之設計係僅 、馬說明用途,並非限制本發明,本發明的範圍應參考隨附 的申請專利範圍。 1^簡單説明 各圖中’相似的參考文字代表類似的元件。 圖1爲一先前技藝之振盪器電路的示意圖; 圖2爲按照本發明一較佳具體實施例之振盪器電路的示意 圖: 圖3a-d爲圖2電路所產生電壓波形的圖示;及 圖4爲本發明另一較佳具體實施例之振盪器電路的示意圖。 主皇J1月車父佳具體實施例之詳細説明 振!斋私路设计的目標之一係達到儘可能高的頻率穩定 性。頻率穩定性經常以一特殊振盪器電路中所量測到的相 位雉訊來表示。相位雜訊降低會增加頻率的穩定性。相位 雉訊的疋義是雜訊功率對信號功率的比値,可以利用增強 一振盪信號的信號功率使它降低。本發明之創作者發^, 在一給定的振盪器電路中,例如前述先前技藝之電路ι〇, 啓動電晶體Q期間的時間長度會影響信號的功率。明確地說 ,本發明〈創作者發現’藉由使電晶體傳導的期間達到最 小,振靈信號的信號功率可達到最大,、结$,相位雜訊降 低,頻率穩定性獲得改善。 圖2所示爲—運用此原理,按照本發明一較佳具體實施例 之單端(single-ended)振盪器電路1〇〇。如同圖丨之先前技藝 的電路10,雷路1〇〇舍本_1女 _ ,, 私峪 匕ϋ具有一電感器L及一對電容器Ci -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公釐j -----— --裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476188
C2之凋#級。使用一主動級以補償該調譜級中的損失, =主動級包含一具有一閘極、一汲極及一源極端子之電晶 體Q。以一DC供應電壓V、一DC偏壓Vb及一DC電流源12〇 馬該電晶體設定適當的偏壓條件。電路1〇〇產生一振盪輸出 L唬V2,出現在該電晶體汲極端子、電容器Cl及電感器 間的節點N2。電容器Cl、(:2相連,如圖所示,並與該電晶 體Q的源極端子在節點Nl連接,此處有%的信號。如以下將 詳加解釋者,進一步具有一用以使電晶體Q振盪的裝置。在 一較佳具體實施例中,該控制裝置包括一第二電感器.^, 其以電磁方式與該第一電感器、連接,而且接在該電晶體 之閘極端子與該偏壓νΒ間。 在圖π之電路100中,電晶體Q最好是一具有門限電壓Vth in-通道FET。如此技藝所熟知,此一裝置在閘極與源極端 子間的電壓(vgs)超過該門限電壓Vth時打開或接通。如前面 關於先前技藝之電路10所作的解釋,在振盪期間,於節點 Ν2產生一經過振盪之輸出信號%,其爲例如圖化之形式, 且具有一週期性相位,其振幅的中央係位在 — DC電壓V的 附近。隨著V2的値減小,用以提供電晶體Q之控制的信號% 的値亦減小。信號Vi如圖3b的趨勢跟隨信號%,但振幅縮 小’且其中心在圖3b所示的靜止點vib處。 在先岫技藝之電路1 〇中,電晶體q只以信號'的値加以控 制-例如當値造成Vgs超過門限電壓Vth時啓動電晶體 -電路100與它不同,在電路1〇〇中,電晶體q額外用一第二 施於孩電晶體閘極端子的控制信號V3加以控制。信號%最 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I — — — — — — — I · 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15J· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476188 五、發明說明(6 ) 好疋在經由與電感器電磁連接的電感器L:中產生且因此 與電感器L的傳導性有關。如此,當信號%在振盪週期期 間減弱時,信號V3的値增加。此由圖3c可見,圖示信號% 的極性與信號%相反,但有共同的週期。如圖所示,信號 v3的中心在DC電壓値νΒ。 與V i I ·’的差)更快速地降到門限電壓ν τ Η以下並關掉電晶體 。以此方式,電壓vgs能夠突然超過Vth或低於Vth而造成電 叩體Q敏捷地開啓或關閉。如此允許藉由適當地設定Vb, 使在最小的期間將週期性的電力供應提供給調諧級以使振 盟輸出信號達到最大,亦即使信號功率達到最大。換言之 ,如圖3d所示,可單獨調整電壓Vgs的峰値,使它僅是在每 與振盪信號最大峰値一致之週期期間的很短的時間内超 過門限電壓VTH。 電路100所根據的發明概念亦可用於建構一差分振堡電路 ,例如圖4所示之另一具體實施例中參考號碼爲2〇〇的電路 °差分振篮電路200基本上係由兩個分開且完全相同的單一 頻丸振盥器電路部份220、240構成,每一部份的運作與前 由於控制信號V!在信號%因爲前述原因減小時也減小, 因此信號%之値的瞬間增加量造成電壓Vgs的增加値比目前 缺少電晶體控制裝置(例如缺少第二電感器L2)的VP高。換 言之,電晶體Q現在是利用一施於閘極端子(V3)及源極端子 仏號加以控制,與先前技藝之電路⑺中只用施於源極 控制信號㈤不同。當信號^增力口,第二控制信號 小且第-控制信號Vi會增加,因此造成電壓( v
Q 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽χ 297公爱 -9- 476188 A7 ________B7__ 五、發明說明(7 ) 述的電路100類似。爲方便以下之明,240電路部份的元件 及參數包含記號Γ A」。差分輸出信號記爲信號v2及V2 A,個 自產生兩個控制信號之一以便分別啓動電晶體q及q A。明 確地説,電晶體Q由信號Vi及乂3加以控制,而電晶體〜以 信號Via及乂以加以控制。每一電晶體以一分別經過電阻& 、R1A的DC供應電壓施以偏壓。以一來自個別電路部份之輸 出信號的交叉相連(cross-coupled)連接作爲控制信號%及 V3 a之値的控制裝置。例如,信號V3連繫到來自240部份之 經由一電容器Cm施於電晶體Q閘極端子的輸出信號v2A,而 信號連繫到來自220部份之經由一電容器c3施於電晶體q 閘極端子之輸出信號V2。如此技藝所熟知者,對於aC而言 ’電容器C3及Cm爲短路的情況,如同信號v2及v2A。因此 ,輸出的AC信號基本上係直接提供給電晶體的閘極端子。 由於電路2 0 0之差分設計’當信號V2減弱時,信號v2 A會 增強,反之亦同。運作時,當信號%減弱時,由於電容器 G及C2之配置所形成的電壓分割組態(v〇ltage dlvider configuration),信號乂!也會減弱。同時,信號% a增強造成 控制信號Vs增強並產生很大的電晶體Vgs値。若適當地選擇 VB的値,則該很大的乂以値會超過電晶體q的門限電壓vth, 造成電晶體Q在每一週期的極短瞬間啓動,因而產生一最大 的輸出信號V2及一最小的相位雜訊。隨著信號%增強,發 生相反的結果,亦即,電晶體qa啓動—短暫期間,而電晶 體Q關閉。 在電路1 00或200的運作中,使每一電晶體僅啓動一短暫 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) *裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂--------- 鏵. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 4/〇1δδ Α7 五、發明說明(8 ) 時間是要達到的目樟。 及丨兩厭碼Λ,、、 則述,此目標係藉由適當地選擇 % = B〈相對電壓値及電晶體門限電壓而達成。 X奋輸出信號之峰値及跨過電晶體Ο之電壓下降的最 1日好鱗電晶體啓動瞬間的時間-致。如此使得電曰曰 體上的電力消耗達到最小,而且由於能 功率達到最大値。 ㈣在另’m例中’在輸出節點N2與N2A間包含一例如 =容二極體(咖ctorMc的調整元件(如圖4所示),以便可 k擇陡地凋正差分輸出信號頻率。圖2的電路中也包含該變 客二㈣,藉由在節點N2與接地點間連接該變容二極體以 便可選擇性地碉整輸出信號頻率。 因此,雖然已説明及描述並指出本發明應用於較佳且體 實施例之基本創新特點,但應了解,熟知此技藝者可對本 文所述裝置之形式及細節以及其操作,作各種省略及代替 和變更,而不偏離本發明之精神。例如,該等以大體上相 同万式執行大體上相同功能以達成相同結果之元件的所有 組合顯然是在本發明的範圍之内。此外,應了解,與本發 明所揭示之任何形式或具體實施例相關之結構及/或所示及/ 或描述之元件皆可納入任何其它所發表或描述或建議的形 式或具體實施例而爲-般性的設計選擇。因此,本發明僅 受限於後附專利申請所指出的範圍。 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 訂.· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- 476188 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS B8 C8 D8六、申請專利範圍 1. 一種供產生一具有增加信號功率及減少相位雜訊降低之 週期性振盪信號的振盪器電路,該電路包含: 一具有一閘極端子、一源極端子、一;及極端子及一第 一門限電壓値的電晶體,當該閘極及源極端子間的電壓 差超過該第一門限電壓値時可選擇性啓動該電晶體; 一連接至該源極端子的DC電流源,用以提供偏壓至該私, 一具有一電感器及第一暨第二電容器的調諧段,該第 一及第二電容器彼此相連且連接到該源極端子,用以提 供一第一控制信號至該源極端子;以及 用於供應一第二控制信號至該閘極端子的裝置,該裝 置係配置成當該第一控制信號在低値時,促使該第二控 制信號變成南値,用以在短暫時間内啓動該電晶體,以 便注入電力至該調諧段中。 2. 如申請專利範圍第1項之電路,其中該電感器包含一第一 電感器,其中該供應裝置包含一連接至該閘極端子且以 電磁方式耦合第一電感器的第二電感器。 3. 如申請專利範圍第1項之電路,其中該第二電容器具有大 於該第一電容器的電容値。 4. 如申請專利範圍第1項之電路,其中該週期性振盪信號具 有一最大振幅,其中當該發生該最大振幅時,該第二控 制信號導致啓動該電晶體。 5. 如申請專利範圍第1項之電路,該電路進一步包含一供應 至該没極端子的DC供應電壓,以及一供應至該閘極端子 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂----------12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 476188 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 白勺DC偏壓,用以提供偏墨至該電路。 6. 如申請專利範圍第5項之電路,其中該電感器係連接在該 供應電壓與該汲極端子間,用以產生該週期性振盪信號。 7. 如申請專利範圍第1項之電路,其中該電晶體包括一第一 β電晶體,其中該調諧段包括一第一調諧段,其中該週期 性振盪信號包括一第一週期性振盪信號及一第二週期性 振盪信號,該電路進一步包括: 一具有一閘極端子、一源極端子、一没極端子及一第 二門限電壓値的第二電晶體’當該第二電晶體閘極與源 極端子間的電壓差超過該第二門限電壓値時,可選擇性 地啓動該第二電晶體; 一連接1該第二電晶體源極的第二DC電流源,用以提 供工作電流給該電路; 一具有一電感器及第三暨第四電容器之第二調諧段, 該弟二调諸段的弟二及弟四電容器彼此相連,並連接到 該第二電晶體源極端子,用以提供一第三控制信號至該 第二電晶體源極端子; 該裝置進一步提供一第四控制信號至該第二電晶體閘 極端子,當該第二週期性振盪信號處於低値時,該裝置 導致該第四控制信號成爲高値,用以在短暫時間内啓動 該電晶體,以便注入電力至該調諧段中。 8. 如申請專利範圍第7項之電路,其中該第四電容器具有大 於該弟二電容备的電客値。 9. 如申請專利範圍第7項之電路,該電路進一步包含一供應 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476188 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至該汲極端子的DC供應電壓,以及一供應至該閘極端子 的DC偏|,用以提供偏壓至該電路。 10. 如申請專利範圍第9項之電路,其中該電感器係連接在該 供應電壓與該汲極端子間,用以產生該週期性振盪信號。 11. 如申請專利範圍第1項之電·路,其中該第一調諧段具有一 輸出節點,該電路進一步包含一連接在該輸出節點及一 共同接地間的變容二極體(varactor)。 12. 如申請專利範圍第7項之電路,其中該第一調諧段具有一 輸出節點,該第二調諧段具有一輸出節點,且該電路進 一步包含一連接在該第一及第二調諧之該等輸出節點間 的變容二極體。 13 · —種供產i 一具有增加信號功率及減少相位雜訊之週期 性振盪信號的振盪器電路,其中該週期性振盪信號在週 期性發生之最大及最小値間變化,該電路包含: 一具有一閘極端子、一源極端子、一没極端子及一門 限電壓値的電晶體,當該閘極及源極端子間的電壓差超 過該門限電壓値時可選擇性啓動該電晶體; 一連接至該源極端子的DC電流源,用以提供偏壓至該 電路; 一具有一電感器及第一暨第二電容器的調諧段,該電 容器彼此相連且連接到該源極端子,用以提供一第一控 制信號至該源極端子;以及 用以在該週期性振盪信號發生最大値之同一時間的短 暫期間内啓動該電晶體的裝置,以便在啓動該電晶體時 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------·裝--------訂-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476188 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 注入電力至該週期性振盪信號中。 14. 如申請專利範圍第13項之電路,其中該電感器包含一第 一電感器,其中該供應裝置包含一連接至該閘極端子且 以電磁方式耦合第一電感器的第二電感器。 15. 如申請專利範圍第13項之電路,其中該電晶體包括一第 一電晶體,其中該調諧段包括一第一調諧段,並且,其 中該週期性振盪信號包括一第一週期性振盪信號及一第 二週期性振盪信號,該電路進一步包括: 一具有一閘極端子、一源極端子、一没極端子及一第 二門限電壓値的第二電晶體’當該第二電晶體閘極與源 極端子間的電壓差超過該第二門限電壓値時,可選擇性 地啓動該第二電晶體; 一連接至該第二電晶體源極的第二DC電流源,用以提 供偏壓給該電路; 一具有一電感器及第三暨第四電容器之第二調諧段, 該第二調諧段的第三及第四電容器彼此相連,並連接到 該第二電晶體源極端子,用以提供一第三控制信號至該 第二電晶體源極端子; 該裝置進一步提供一第四控制信號至該第二電晶體閘 極端子,當該第二週期性振盪信號處於低値時,該裝置 導致該第四控制信號成爲高値,用以在短暫時間内啓動 該電晶體,以便注入電力至該調諧段中。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- #_
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/409,150 US6229406B1 (en) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Oscillator circuit having maximized signal power and reduced phase noise |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW476188B true TW476188B (en) | 2002-02-11 |
Family
ID=23619251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089120247A TW476188B (en) | 1999-09-30 | 2000-10-17 | Improved oscillator circuit |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6229406B1 (zh) |
EP (1) | EP1093215A3 (zh) |
JP (1) | JP3981237B2 (zh) |
KR (1) | KR100723117B1 (zh) |
TW (1) | TW476188B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6864755B2 (en) | 2000-10-06 | 2005-03-08 | Alfred E. Mann Institute For Biomedical Engineering At The University Of Southern California | Switched reactance modulated E-class oscillator design |
US7005935B2 (en) * | 2001-10-05 | 2006-02-28 | Alfred E. Mann Institute For Biomedical Engineering At The University Of Southern California | Switched reactance modulated E-class oscillator |
US6680657B2 (en) * | 2002-06-06 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | Cross-coupled voltage controlled oscillator with improved phase noise performance |
AU2003286450A1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-05-04 | Rf Magic, Inc. | Oscillator topology for very low phase noise operation |
US7411468B2 (en) * | 2003-08-29 | 2008-08-12 | Hong Kong University Of Science And Technology | Low voltage low-phase-noise oscillator |
US7075377B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-07-11 | Theta Microeletronics, Inc. | Quadrature voltage controlled oscillators with phase shift detector |
ITRM20040648A1 (it) * | 2004-12-30 | 2005-03-30 | Univ Roma | Dispositivo ad oscillatore differenziale con alimentazione imlpulsata, e relativo metodo di pilotaggio. |
US20110267113A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | International Business Machines Corporation | Frequency multiplier |
JP6052781B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2016-12-27 | 学校法人 中央大学 | Lc発振器 |
NL2024604B1 (nl) * | 2020-01-03 | 2021-09-06 | Nedap Nv | Energiezuinig label voor bevestiging aan een dier |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3534294A (en) * | 1968-06-24 | 1970-10-13 | Philips Corp | Fet oscillator with constant current source for frequency stabilization |
DE3003302C2 (de) * | 1980-01-30 | 1982-12-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Stromgesteuerter Oszillator |
US4454485A (en) * | 1981-08-05 | 1984-06-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Low distortion FET oscillator with feedback loop for amplitude stabilization |
FR2561048B1 (fr) * | 1984-03-09 | 1986-09-19 | Thomson Csf | Oscillateur hyperfrequences a transistor, commande par capacite variable |
-
1999
- 1999-09-30 US US09/409,150 patent/US6229406B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-18 EP EP00308093A patent/EP1093215A3/en not_active Withdrawn
- 2000-09-27 KR KR1020000056598A patent/KR100723117B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-29 JP JP2000297777A patent/JP3981237B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 TW TW089120247A patent/TW476188B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010050652A (ko) | 2001-06-15 |
KR100723117B1 (ko) | 2007-05-30 |
US6229406B1 (en) | 2001-05-08 |
JP2001111340A (ja) | 2001-04-20 |
JP3981237B2 (ja) | 2007-09-26 |
EP1093215A3 (en) | 2002-02-06 |
EP1093215A2 (en) | 2001-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW476188B (en) | Improved oscillator circuit | |
JP4314709B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
US6278265B1 (en) | Switching regulator | |
US20040169562A1 (en) | Oscillator circuit with an inverter amplifier having reduced consumption | |
JP2009519651A5 (zh) | ||
JPH01293170A (ja) | 圧電振動子駆動回路 | |
TW200820623A (en) | Back gate coupled voltage control oscillator | |
KR960012710A (ko) | 저항기 없는 전압 제어 발진기 | |
TW391081B (en) | 087101810 | |
US20200366296A1 (en) | Charge pump with load driven clock frequency management | |
TW523988B (en) | Load capacitance compensated buffer, apparatus and method thereof | |
JP4259241B2 (ja) | 発振回路及び半導体集積回路 | |
EP1517435A3 (en) | Crystal oscillator circuit | |
US6448689B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP6544919B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の発振方法 | |
TWI258916B (en) | Method and apparatus for a gated oscillator in digital circuits | |
TWI229500B (en) | Soft-start charge pump circuit | |
EP1638202A1 (en) | Oscillator with controlled current source | |
TW496035B (en) | Method and apparatus for a digital clock multiplication circuit | |
JP2007318398A (ja) | 水晶発振回路 | |
KR100836143B1 (ko) | 위상 노이즈를 감소시키는 전압제어발진기 | |
TW591888B (en) | Oscillator circuit with an inverter amplifier having reduced consumption | |
JP2703410B2 (ja) | 電圧コンバータ回路 | |
FI75071B (fi) | Koppling foer en likspaenningskaella av resonanstyp. | |
JP2004104631A (ja) | 水晶発振回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |